JP2009182149A - 光半導体素子封止用樹脂シートおよび光半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光半導体素子を封止する工程と、基板上に反射層を設置する工程を簡略化して効率的に封止することができ、耐熱性および接着性が良好である光半導体素子封止用樹脂シート、ならびに該樹脂シートを用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置を提供すること。
【解決手段】少なくとも封止樹脂層、接着樹脂層、反射層及び保護樹脂層からなる光半導体素子封止用樹脂シートであって、該封止樹脂層と該接着樹脂層とが隣接して配設され、該保護樹脂層が該封止樹脂層と該接着樹脂層の上に両層を覆うように積層され、かつ隣接する接着樹脂層と接する面に該反射層が配設されてなる光半導体素子封止用樹脂シート、並びに該光半導体素子封止用樹脂シートを用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置。
【選択図】なし

Description

本発明は、光半導体素子封止用樹脂シート、およびそれを用いて得られる光半導体装置に関する。

光半導体装置において、複数の発光体を基板の表面に実装して、これらを発光させることにより面状の発光光源として用いることが検討されている。特に、発光体として、発光ダイオードのベアチップ（LEDベアチップ）を用いたものが検討されている。このような発光光源としては、例えば、基板と、この基板の表面に実装された複数のLEDベアチップと、これらのLEDベアチップを個別に封入する樹脂体と、当該樹脂体に対応して開設された反射孔を有し裏面が前記基板の表面に貼着された反射板と、当該反射板の全体を覆い前記LEDベアチップに対応する部分にレンズを有するレンズ板とを備えたものがある（特許文献１）。そこで従来は、光半導体素子を封止する工程と、基板上に反射板である反射層を設置する工程は別々に行っていた。また、耐熱性と接着性の両方の性質を有する封止材も望まれていた。
特開２００５−２２３２１６号公報

従って、本発明の課題は、光半導体素子を封止する工程と、基板上に反射層を設置する工程を簡略化して効率的に封止することができ、耐熱性および接着性が良好である光半導体素子封止用樹脂シート、ならびに該樹脂シートを用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置を提供することである。

本発明の要旨は、
〔１〕少なくとも封止樹脂層、接着樹脂層、反射層及び保護樹脂層からなる光半導体素子封止用樹脂シートであって、該封止樹脂層と該接着樹脂層とが隣接して配設され、該保護樹脂層が該封止樹脂層と該接着樹脂層の上に両層を覆うように積層され、かつ隣接する接着樹脂層と接する面に該反射層が配設されてなる光半導体素子封止用樹脂シート、
〔２〕少なくとも封止樹脂層、接着樹脂層、反射層及び保護樹脂層からなる光半導体素子封止用樹脂シートであって、該封止樹脂層と該接着樹脂層とが隣接して配設され、該保護樹脂層が該封止樹脂層と該接着樹脂層の上に両層を覆うように積層され、該封止樹脂層の形状が保護樹脂層に向けて拡大するテーパー状であり、かつ隣接する接着樹脂層と接する面に該反射層が配設されてなる光半導体素子封止用樹脂シート、並びに
〔３〕前記〔１〕または〔２〕記載の光半導体素子封止用樹脂シートを用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置
に関する。

本発明の光半導体素子封止用樹脂シートは、光半導体素子を封止する工程と、基板上に反射層を設置する工程を簡略化して効率的に封止することができ、耐熱性および接着性が良好である。また、該樹脂シートを用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置は向上した正面輝度を有することができる。

本発明の一態様において、光半導体素子封止用樹脂シートは、少なくとも封止樹脂層、接着樹脂層、反射層及び保護樹脂層からなり、該封止樹脂層と該接着樹脂層とが隣接して配設され、該保護樹脂層が該封止樹脂層と該接着樹脂層の上に両層を覆うように積層され、かつ隣接する接着樹脂層と接する面に該反射層が配設されている。本発明の別の態様において、該光半導体素子封止用樹脂シートはまた、該封止樹脂層の形状が保護樹脂層に向けて拡大するテーパー状である。

このように本発明のシートは、封止樹脂層と接着樹脂層の界面に所定の反射層が形成されて、これらと保護樹脂層とが一体化されているので、効率よく封止を行うことができる。また、封止樹脂層と接着樹脂層が独立して形成されているので、耐熱性及び接着性が良好である。さらに、反射層により、光半導体装置の正面輝度を向上させることができる。

本発明において、「該封止樹脂層と該接着樹脂層とが隣接して配設され、」とは、封止樹脂層が基板上の光半導体素子を封止することができ、同時に接着樹脂層が光半導体素子の搭載された基板と接着することができるように封止樹脂層と接着樹脂層とが互いに隣接して形成されていることをいう。図１（a）に本発明の一態様の概略図を示すが、封止樹脂層３と接着樹脂層４とが隣接し、配設される箇所は１つ以上であってもよい。即ち、２つの層が交互に連続して形成されていてもよい。また、光半導体素子の数、その配置間隔に対応して封止樹脂層と接着樹脂層の数、大きさ等を適宜調整して隣接・配設することができる。なお、封止樹脂層と接着樹脂層とが互いに隣接し、配設されるためには、例えば、接着樹脂層となる樹脂層を形成し、これに１つ以上の円筒もしくは直方体またはテーパー状の貫通孔を形成して後述の反射層を貫通孔の壁面に形成した後、貫通孔内に封止樹脂層を形成すればよい。

本発明において、「該保護樹脂層が該封止樹脂層と該接着樹脂層の上に両層を覆うように積層され、」とは、保護樹脂層が封止樹脂層と接着樹脂層の上に両層を覆うように積層され、外力から封止樹脂層と接着樹脂層を保護することをいう。保護樹脂層を積層するには、例えば、反射層と封止樹脂層が形成された後に保護樹脂層を貼り合わせるか、または貫通孔の壁面に反射層が形成された接着樹脂層に保護樹脂層を貼り合わせた後、貫通孔中に封止樹脂を充填して封止樹脂層を形成してもよい。

本発明の一態様において、「該封止樹脂層の形状が保護樹脂層に向けて拡大するテーパー状であり、」とは、封止樹脂層の形状が保護樹脂層に向けて末広がり状の形状であることをいい、封止樹脂層の形状における保護樹脂層に向けて拡大する角度（図１において符号９で示される）が好ましくは１０〜６０度、より好ましくは３０〜４５度である。

本発明において、「隣接する接着樹脂層と接する面に該反射層が配設されてなる」とは、保護樹脂層に向けて円筒もしくは直方体または末広がり状の形状である封止樹脂層と、隣接する接着樹脂層とが接する面に反射層が配設されることをいう。

本発明における封止樹脂層は、LED等の光半導体素子を封止する観点から、半硬化状態の熱硬化性樹脂であることが好ましい。特に、シリコーン樹脂、シリコーンゲル、ポリボロシロキサン樹脂、またはポリアルミノシロキサン樹脂などからなることが耐熱性の観点で好ましい。また、この封止樹脂層には、必要により、ＬＥＤの発光色を調整するための蛍光剤を添加してもよい。

かかる封止樹脂層の厚さは、薄い方が好ましいが、光半導体素子に接続されるワイヤーの高さを考慮すると、好ましくは２００μｍ以上、より好ましくは２００〜７００μｍ、さらに好ましくは３００〜５００μｍである。

封止樹脂層は円筒もしくは直方体またはテーパー状で上記の厚さを有し、その形状は本発明における効果を損なわないものであれば特に限定されないが、少なくとも光半導体素子を封止することができる形状であればよい。例えば、封止樹脂層の底面（基材側の面）の形状は、円形、楕円形、四角形等であり、特に制限されるものではない。また、その底面の大きさは、例えば、円形の場合直径３〜６ｍｍ、四角形の場合１辺が２〜６ｍｍであることが好ましい。かかる底面形状を有する封止樹脂層は、例えば、金型等を高温下で押し当てることによって接着樹脂層を貫通する１つ以上の上記底面形状を有し、かつ円筒もしくは直方体またはテーパー状の貫通孔を形成して貫通孔の壁面に反射層を形成した後、そこに封止樹脂層となる封止樹脂を充填して半硬化させればよい。

本発明の光半導体素子封止用樹脂シートにおける封止樹脂層の数及び間隔は、封止対象となる基板上の光半導体素子の数及び間隔に合わせて適宜変更することができる。

封止樹脂層を半硬化状態の熱硬化樹脂とする際には、例えば、８０〜１００℃で、０．１〜１時間未架橋の前記樹脂を加熱すればよく、さらに光半導体素子の封止の際には封止樹脂層を例えば、１２０〜１５０℃で１〜５時間２次硬化すればよい。

本発明における接着樹脂層は、基板と接着させる観点から、半硬化状態の熱硬化性樹脂であることが好ましい。特に、エポキシ樹脂からなることが接着性の観点で好ましく、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、シリコーン系エポキシ樹脂等からなることがより好ましい。また、これらは単独または１種以上を組み合わせて用いることができる。

上記の接着樹脂層は、例えば、市販されている前記樹脂をトルエン、シクロヘキサン、メチルエチルケトンなどの有機溶媒に好ましくは３０〜７０重量％の濃度になるように溶解した樹脂溶液を作製し、例えば、離型処理した基材上にキャスティング、スピンコート、ロールコーティングなどの方法により適当の厚さに製膜し、さらに、硬化反応を進行させずに溶媒の除去が可能な温度で乾燥させて得ることができる。製膜させる樹脂溶液を乾燥させる温度または時間は樹脂や溶媒の種類によって異なり、一概に決定できないが、８０〜１３０℃が好ましく、１００〜１２０℃がより好ましく、１〜１０分間が好ましく、２〜５分間がより好ましい。以上のようにして得られた樹脂層を単独または複数枚重ねて用いることができる。

接着樹脂層の厚さは、封止樹脂層の厚み以上であればよく、好ましくは２００〜７００μｍ、より好ましくは３００〜５００μｍである。

本発明における反射層は、LED等からの光を特定の方向に集光するのに有用であり、反射層を形成する成分としては、そのような役割をするものであればよく、アルミナ、硫酸バリウム、チタン、窒化ホウ素などの粒子もしくは銀粉などを含有した樹脂、該粒子もしくは銀粉を含有した分散液、またはアルミニウムもしくは銀などの金属薄膜からなることが好ましい。また、反射層の形成に用いられる樹脂は、前記樹脂の他に、耐光性の観点から、後述の保護樹脂層に用いられる樹脂、例えば、ポリメチルメタクリレートであることが好ましい。

反射層の厚さは、均一な厚みに塗工する観点から、好ましくは１〜２０μｍ、より好ましくは３〜１０μｍである。

反射層は、アルミナ、硫酸バリウム、チタン、窒化ホウ素などの粒子もしくは銀粉などを含有した樹脂、または該粒子もしくは銀粉を含有した分散液を、パターン印刷、インクジェット、スプレー塗工などで接着樹脂層の貫通孔の壁面に塗布して８０〜１３０℃で１〜１０分乾燥させることで形成してもよい。また、アルミニウムもしくは銀などの金属薄膜をメッキ、蒸着、スパッタリングなどによって接着樹脂層の貫通孔の壁面に形成してもよい。

本発明における保護樹脂層は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂のどちらでもよく、熱硬化性樹脂としては半硬化状態のエポキシ樹脂等、熱可塑性樹脂としてはポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート等の透明性の高い樹脂が挙げられ、これらをシート状にしたものであってもよい。

保護樹脂層の厚さは、薄い方が好ましいが、強度の観点から、好ましくは５〜１００μｍ、より好ましくは１０〜４０μｍである。

保護樹脂層は、所望により、1つ以上の他の層（中間層）を介して積層されていてもよい。このような中間層としては、保護樹脂層と、接着樹脂層あるいは封止樹脂層との密着性を向上するための層が挙げられる。

本発明の光半導体素子封止用樹脂シートは、一態様として、封止樹脂層がシリコーンゲルからなり、接着樹脂層がエポキシ樹脂からなり、反射層が硫酸バリウムの粒子を含有したポリメチルメタクリレートからなり、保護樹脂層がポリメチルメタクリレートからなるものであることが好ましい。

本発明の光半導体素子封止用樹脂シートの厚さは、内部応力によるパッケージの反り防止の観点から、好ましくは２００〜７５０μｍ、より好ましくは３００〜５００μｍである。

本発明の光半導体素子封止用樹脂シート１の一態様の概略図を図１（a）に示す。封止樹脂層３と接着樹脂層４とが隣接されて配設され、保護樹脂層２が封止樹脂層３と接着樹脂層４の上に両層を覆うように積層され、封止樹脂層３の形状が保護樹脂層２に向けて拡大するテーパー状であり、かつ隣接する接着樹脂層４と接する面に反射層５が配設されてなる。保護樹脂層に向けて拡大する角度９は、好ましくは１０〜６０度である。また、本発明の光半導体素子封止用樹脂シート１を用いて基板上に搭載された光半導体素子６を封止した一態様の概略図を図１(b)に示す。

本発明において、光半導体素子封止用樹脂シートの製造方法の1つの態様は、
a）離型処理した基材上に接着樹脂層を形成する工程、
b）該接着樹脂層に反射層と封止樹脂層を形成するためのテーパー状の貫通孔を設ける工程、
c）形成された該貫通孔の壁面に反射層を形成する工程、
d）該反射層を形成した接着樹脂層を覆うように保護樹脂層に貼り合わせて、該離型処理した基材を剥離除去する工程、および
e）該反射層を形成した貫通孔に封止樹脂層となる封止樹脂を充填し、半硬化させる工程、
を少なくとも含んでいてもよい。従って、かかる製造方法によって、光半導体素子を封止する工程と、基板上に反射層を設置する工程を簡略化して効率的に封止することができ、耐熱性および接着性が良好である光半導体素子封止用樹脂シートを製造することができる。また、かかる製造方法の一態様の概略図を図２（a）〜（e）に示す。

さらに具体的な態様を例示すると、上記の工程a）または図２(a)において、離型処理した基材７はPETフィルムであることが好ましい。接着樹脂層４の形成は、例えば、エポキシ当量７５００のビスフェノールA型エポキシ樹脂２０〜４５重量部、エポキシ当量２６０の脂環式エポキシ樹脂２０〜４０重量部、４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸２０〜４０重量部と、２−メチルイミダゾール１〜３重量部をメチルエチルケトン溶媒に３０〜６０重量％ベースで溶解させて、塗工溶液を作製する。次に該塗工溶液を離型処理した基材７上にエポキシ樹脂の厚みが好ましくは１００〜５００μｍ、より好ましくは３００〜４００μｍとなるように塗布して、８０〜１３０℃で、１〜３分間乾燥させたものを単独でまたは複数を積層して接着樹脂層４とすることができる。

上記の工程b）または図２の（b）において、反射層５と封止樹脂層３を形成するための円筒もしくは直方体またはテーパー状の貫通孔８は、接着樹脂層４を貫通する孔であればよい。また、テーパー状は封止樹脂層上に保護樹脂層を形成した場合に保護樹脂層に向けて拡大するように形成し、その角度９は好ましくは１０〜６０度、より好ましくは３０〜４５度である。

接着樹脂層４に対するかかる貫通孔８の数や大きさは、光半導体素子の数や大きさに合わせて、適宜選定すればよい。かかる貫通孔８は、例えば、金型等を用いて高温下で押し当てて形成することができる。

上記の工程c)または図２の（c）において、反射層５の形成は、例えば、硫酸バリウムの粒子を含有したポリメチルメタクリレートを含有するメチルエチルケトン溶液（１０重量％）、または銀粉を含有したポリメチルメタクリレートを含有するメチルエチルケトン溶液（１０重量％）を貫通孔８の壁面にスプレーを用いて塗布して８０〜１００℃で１〜１０分乾燥させればよい。

上記の工程d)または図２の（d）において、工程c）で得られた接着樹脂層４に保護樹脂層２を例えば、好ましくは１００〜１５０℃で、好ましくは５〜３０秒間かけて貼り合わせることができ、その後、離型処理した基材７を剥離除去することができる。

上記の工程e）または図２の（e）において、反射層５を形成した貫通孔８に充填される封止樹脂は、未架橋の樹脂であることが好ましく、好ましくは４０〜１００℃で、好ましくは０．１〜１時間加熱して半硬化状態の封止樹脂層３とすることが望ましい。

上記で得られた光半導体素子封止用樹脂シートは、例えば、青色または白色LED素子を搭載した光半導体装置（液晶画面のバックライト、信号機、屋外の大型ディスプレイ、広告看板等）に好適に用いられる。

また、本発明は、前記光半導体素子封止用樹脂シートを用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置を提供する。かかる光半導体装置は、本発明のシートを用いて封止しているために向上した正面輝度を有することができる。

次に、本発明の光半導体素子封止用樹脂シートを用いた光半導体装置の製造方法について説明する。本発明の光半導体装置の製造方法の一態様は、
（１）基板上に光半導体素子が搭載された面に本発明の光半導体素子封止用樹脂シートを、光半導体素子に対向する位置に封止樹脂層を合わせるように積層する工程、及び
（２）工程（１）で積層したシートを加圧硬化する工程
を含んでいてもよい。

工程（１）において、光半導体素子に対向する位置に封止樹脂層を合わせるように積層するには、特に圧力をかける必要はなく、本発明のシートを光半導体素子が搭載された基板上に設置するだけでよい。

工程（２）において、シートを加圧硬化する条件は、例えば、真空ラミネータを用いて、好ましくは１３０〜１８０℃、より好ましくは１５０〜１６０℃で、好ましくは０．０１〜０．５MPa、より好ましくは０．０５〜０．２MPaで圧着させて、その後、好ましくは１２０〜１８０℃、より好ましくは１３０〜１５０℃で、好ましくは０．５〜５時間、より好ましくは１〜３時間ポストキュア（２次硬化）させる条件が挙げられる。また、工程（２）は工程（１）と同時に行ってもよい。

実施例１
エポキシ当量7500のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂45重量部とエポキシ当量260の脂環式エポキシ樹脂（EHPE3150、ダイセル化学社製）33重量部と４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸を22重量部、2-メチルイミダゾール1.2重量部をメチルエチルケトンに50重量%ベースで溶解し、エポキシ樹脂塗工溶液を作製した。この塗工溶液を、表面を離型処理した基材（ＰＥＴフィルム、厚み50μｍ）の上にエポキシ樹脂の厚みが100μｍになるように塗布し、130℃で2分間乾燥させたものを３つ作製した。そして、その内の１つのエポキシ樹脂の上に、他の２つのエポキシ樹脂をラミネート（ＰＥＴフィルムは剥離除去）して、厚み300μmのエポキシ樹脂からなる接着樹脂層を基材（ＰＥＴフィルム）上に形成した（図２（ａ））。

そして、接着樹脂層に金型を100℃2分間押し当てて、封止樹脂層の形状が保護樹脂層に向けて拡大する角度が４５度となるようなテーパー状の貫通孔（底面（基材側の面）における形状は円であり、底面の直径４ｍｍ）を形成した（図２（ｂ））。次に、硫酸バリウムの粒子を含有したポリメチルメタクリレート（重量比：９／１）を含有するメチルエチルケトン溶液（１０重量％）を貫通孔の壁面にスプレーを用いて塗布、８０〜１００℃で１〜１０分乾燥して反射層（厚み５μｍ）を形成した（図２（ｃ））。

そして、保護樹脂層としての厚み40μｍのポリメチルメタクリレートフィルムを反射層を形成した接着樹脂層に100℃20秒で貼り合わせた（図２（ｄ））。そして、ＰＥＴフィルムを剥離した後、反射層が形成された貫通孔に未架橋のシリコーンゲルを充填し、90℃で1時間加熱して半硬化状態の封止樹脂層（厚み３００μｍ）を形成することにより、光半導体素子封止用樹脂シート（厚み３４０μｍ）を得た（図２（ｅ））。

実施例２
封止樹脂層の形状として保護樹脂層に向けて拡大する角度を４５度から３０度に変えた以外は実施例１と同様にして、光半導体素子封止用樹脂シートを得た。

実施例３
封止樹脂層の形状として保護樹脂層に向けて拡大する角度を４５度から０度に変えて、封止樹脂層の形状を円筒とした以外は実施例１と同様にして、光半導体素子封止用樹脂シートを得た。

実施例４
反射層の形成において、硫酸バリウムの粒子を含有したポリメチルメタクリレート（重量比：９／１）を含有するメチルエチルケトン溶液(１０重量％)を、銀粉を含有したポリメチルメタクリレート（重量比：９／１）を含有するメチルエチルケトン溶液(１０重量％)に変えた以外は実施例１と同様にして、光半導体素子封止用樹脂シートを得た。

比較例１
反射層を設けない以外は、実施例１と同様に行って、光半導体素子封止用樹脂シートを得た。

（光半導体装置の作製）
基板上の青色発光ダイオードが搭載されている面に、実施例および比較例の光半導体素子封止用樹脂シートを用いて、光半導体素子に対向する位置に封止樹脂層を合わせるように積層して、１５０℃、０．２MPaにて圧着し、その後１５０℃で２時間ポストキュアを行い、光半導体素子を封止してなる光半導体装置を得た。

（評価）
（正面輝度の測定）
得られた光半導体装置に３００ｍＡの電流を流し、１５ｃｍ離れた位置で正面輝度を照度計（Ｔ−１０、ミノルタ製）で測定した。以下に測定された各実施例の正面輝度を示す。
実施例１：380lx、実施例２：350lx、実施例３：330lx、実施例４：354lx
、比較例１：320lx

上記の結果により、実施例１〜４は、比較例１と比べて、向上した正面輝度を示したことから樹脂層が青色発光ダイオードの発熱に対して劣化等を生じず良好な耐熱性を有していることがわかる。従って、本発明のシートは、封止樹脂層と接着樹脂層の界面に所定の反射層が形成されて、これらが保護樹脂層と一体化されているので、光半導体素子を封止する工程と、基板上に反射層を設置する工程を簡略化して効率的に封止することができ、耐熱性および接着性が良好である。また、本発明のシートを用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置は、向上した正面輝度を有することができる。

図１(a)は、本発明の光半導体素子封止用樹脂シートの一態様の概略図を示す。図１(b)は、本発明の光半導体素子封止用樹脂シートを用いて基板上に搭載された光半導体素子を封止した一態様の概略図を示す。 図２(a)〜(e)は、本発明の光半導体素子封止用樹脂シートの製造工程の一態様の概略図を示す。図２(a)は、基材上に接着樹脂層を形成する工程を示す。図２(b)は、接着樹脂層に貫通孔を設ける工程を示す。図２(c)は、貫通孔の壁面に反射層を形成する工程を示す。図２(d)は、反射層を形成した接着樹脂層に保護樹脂層を積層する工程を示す（その後基材を剥離除去する）。図２(e)は、反射層を形成した貫通孔に封止樹脂を充填して封止樹脂層を形成する工程を示す。

符号の説明

１ 光半導体素子封止用樹脂シート
２ 保護樹脂層
３ 封止樹脂層
４ 接着樹脂層
５ 反射層
６ 基板上に搭載された光半導体素子
７ 基材
８ 貫通孔
９ 保護樹脂層に向けて拡大する角度

本発明の光半導体素子封止用樹脂シートは、液晶画面のバックライト、信号機、屋外の大型ディスプレイ、広告看板等に好適に用いることができる。

Claims (7)

1. 少なくとも封止樹脂層、接着樹脂層、反射層及び保護樹脂層からなる光半導体素子封止用樹脂シートであって、該封止樹脂層と該接着樹脂層とが隣接して配設され、該保護樹脂層が該封止樹脂層と該接着樹脂層の上に両層を覆うように積層され、かつ隣接する接着樹脂層と接する面に該反射層が配設されてなる光半導体素子封止用樹脂シート。
2. 少なくとも封止樹脂層、接着樹脂層、反射層及び保護樹脂層からなる光半導体素子封止用樹脂シートであって、該封止樹脂層と該接着樹脂層とが隣接して配設され、該保護樹脂層が該封止樹脂層と該接着樹脂層の上に両層を覆うように積層され、該封止樹脂層の形状が保護樹脂層に向けて拡大するテーパー状であり、かつ隣接する接着樹脂層と接する面に該反射層が配設されてなる光半導体素子封止用樹脂シート。
3. 前記封止樹脂層の形状における保護樹脂層に向けて拡大する角度が１０〜６０度である、請求項２記載の光半導体素子封止用樹脂シート。
4. 前記反射層が、アルミナ、硫酸バリウム、チタン、窒化ホウ素の粒子もしくは銀粉を含有した樹脂、該粒子もしくは銀粉を含有した分散液、またはアルミニウムもしくは銀の金属薄膜からなる、請求項１〜３いずれかに記載の光半導体素子封止用樹脂シート。
5. 前記接着樹脂層がエポキシ樹脂からなる、請求項１〜４いずれかに記載の光半導体素子封止用樹脂シート。
6. 前記封止樹脂層がシリコーン樹脂、シリコーンゲル、ポリボロシロキサン樹脂、またはポリアルミノシロキサン樹脂からなる、請求項１〜５いずれかに記載の光半導体素子封止用樹脂シート。
7. 請求項１〜６いずれかに記載の光半導体素子封止用樹脂シートを用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置。
   

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