JP2012028666A - 発光装置用部品、発光装置およびその製造方法 - Google Patents

発光装置用部品、発光装置およびその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】発光装置の製造工程の簡略化を図ることができる発光装置用部品、および、その発光装置用部品が用いられる発光装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】
発光ダイオード１３を封止できる封止樹脂層２の表面に蛍光層３を形成するとともに、封止樹脂層２の裏面において、反射層４を、封止樹脂層２が発光ダイオード１３を封止する領域を避けるように設け、発光装置用部品１を得る。また、外部から電力が供給される回路基板１２の上に、発光ダイオード１３を電気的に接合し、回路基板１２の上において、発光ダイオード１３を囲むように、かつ、上端部が、発光ダイオード１３の上端部よりも上側に配置されるように、ハウジング１４を設け、封止樹脂層２が発光ダイオード１３を被覆するとともに、蛍光層３がハウジング１４の上に配置されるように、回路基板１２の上に、発光装置用部品１を設けることにより、発光装置１１を製造する。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置用部品、発光装置およびその製造方法に関する。
従来、青色光を受けて黄色光を発光する蛍光体として、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体が知られている。このようなＹＡＧ系蛍光体に青色光を照射すると、照射される青色光と、ＹＡＧ系蛍光体が発する黄色光とが混色されることにより、白色光を得ることができる。そのため、例えば、ＹＡＧ系蛍光体で青色発光ダイオードを被覆し、青色発光ダイオードからの青色光と、ＹＡＧ系蛍光体の黄色光とを混色させて白色光を得ることができる白色発光ダイオードが知られている。
このような白色発光ダイオードとして、例えば、基板と、半導体発光素子と、蛍光体セラミック板とを備える発光装置が、知られている（例えば、下記特許文献１参照。）。
また、このような発光装置において、半導体発光素子や蛍光体セラミック板が発する光を反射させ、光の取り出し効率の向上を図るために、例えば、基板の上において、半導体発光素子を避けるように、光を反射できる反射層を設けることも提案されており、さらには、例えば、半導体発光素子および反射層と、発光体セラミック板との間を、透明性の封止樹脂などにより封止することも、提案されている。
特開２０１０−２７７０４号公報
しかしながら、このような発光装置を製造する場合には、通常、まず、基板の上に反射層および半導体発光素子を形成した後、それら基板、反射層および半導体発光素子の上に封止樹脂を設け、その後、蛍光体セラミック板を配置するため、発光装置の製造工程が煩雑であるという不具合がある。
そこで、本発明の目的は、発光装置の製造工程の簡略化を図ることができる発光装置用部品、および、その発光装置用部品が用いられる発光装置およびその製造方法を提供することにある。
上記した目的を達成するため、本発明の発光装置用部品は、発光ダイオードを封止できる封止樹脂層と、前記封止樹脂層の表面に形成され、蛍光を発光できる蛍光層と、前記封止樹脂層の裏面において、前記封止樹脂層が前記発光ダイオードを封止する領域を避けるように設けられる、光を反射できる反射層とを備えることを特徴としている。
また、本発明の発光装置用部品では、前記反射層が、前記封止樹脂層が前記発光ダイオードを封止する領域を除く領域の全面に、パターン形成されていることが好適である。
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置用部品を備えることを特徴としている。
また、本発明の発光装置では、外部から電力が供給される回路基板と、前記回路基板の上に電気的に接合され、前記回路基板からの電力により発光する発光ダイオードと、前記発光ダイオードを囲むように前記回路基板の上に設けられ、上端部が、前記発光ダイオードの上端部よりも上側に配置されるハウジングと、前記封止樹脂層が前記発光ダイオードを被覆するとともに、前記蛍光層が前記ハウジングの上に配置されるように、前記回路基板の上に設けられる前記発光装置用部品とを備えることが好適である。
また、本発明の発光装置の製造方法は、外部から電力が供給される回路基板の上に、発光ダイオードを電気的に接合する工程と、前記回路基板の上において、前記発光ダイオードを囲むように、かつ、上端部が、前記発光ダイオードの上端部よりも上側に配置されるように、ハウジングを設ける工程と、前記封止樹脂層が前記発光ダイオードを被覆するとともに、前記蛍光層が前記ハウジングの上に配置されるように、前記回路基板の上に、上記の発光装置用部品を設ける工程とを備えることを特徴としている。
本発明の発光装置用部品は、蛍光層、封止樹脂層および反射層を備えるため、発光装置の製造において、蛍光層、封止樹脂層および反射層のそれぞれを個別に設けることなく、一度に設けることができる。
そのため、本発明の発光装置用部品、および、本発明の発光装置用部品を用いた本発明の発光装置、さらには、本発明の発光装置の製造方法によれば、より簡易かつ確実に、発光装置を製造することができる。
本発明の発光装置用部品の第１実施形態の裏面図である。 図１に示す発光装置用部品のＡ−Ａ断面図である。 図１に示す発光装置用部品の製造方法の一実施形態を示す工程図であって、（ａ）は、蛍光層を形成する工程、（ｂ）は、蛍光層の裏面に、封止樹脂層を形成する工程、（ｃ）は、封止樹脂層の裏面に、反射層を形成する工程をそれぞれ示す。 図１に示す蛍光層の製造方法の一実施形態を示すフロー図である。 図１に示す発光装置用部品を備える本発明の発光装置の一実施形態を示す概略構成図である。 図５に示す発光装置用部品の製造方法を示す概略工程図であって、（ａ）は、回路基板の上に発光ダイオードを設置し、発光ダイオードと回路基板とを電気的に接合する工程、（ｂ）は、回路基板の上に、ハウジングを設ける工程、（ｃ）は、封止樹脂層が発光ダイオードを被覆するとともに、蛍光層がハウジングの上に配置されるように、回路基板の上に、発光装置用部品を設ける工程をそれぞれ示す。 本発明の発光装置用部品の第２実施形態の概略断面図である。 本発明の発光装置用部品の第３実施形態の概略構成図である。 本発明の発光装置用部品の第４実施形態の概略構成図である。 試験例１において得られたグラフを示す。
図１は、本発明の発光装置用部品の第１実施形態の裏面図、図２は、図１に示す発光装置用部品のＡ−Ａ断面図である。
図１および図２において、この発光装置用部品１は、封止樹脂層２と、封止樹脂層２の表面に形成される蛍光層３と、封止樹脂層２の裏面に形成される反射層４とを備えている。
封止樹脂層２は、発光装置１１（後述）において、発光ダイオード１３（後述）を封止するために設けられる樹脂層であって、例えば、光を透過できる樹脂などから、平面視略矩形の平板形状に形成されている。
樹脂としては、光を透過できるとともに、発光ダイオード１３（後述）を封止できれば、特に制限されず、公知の熱硬化性樹脂を用いることができる。
熱硬化性樹脂として、より具体的には、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられ、耐久性（耐熱性、耐光性）の観点から、好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。
これら熱硬化性樹脂は、単独使用または２種類以上併用することができる。
また、熱硬化性樹脂として、好ましくは、発光装置用部品１を発光装置１１（後述）に備えるときに、発光ダイオード１３（後述）やワイヤ１８（後述）の損傷を防止するため、柔軟性および追従性に優れる熱硬化性樹脂が挙げられる。
このような熱硬化性樹脂として、より具体的には、例えば、未硬化状態（または半硬化状態）における貯蔵弾性率が低い（例えば、１００Ｐａ以下）熱硬化性樹脂や、例えば、硬化状態において柔軟性に優れる（例えば、硬化状態においてゲル状の）熱硬化性樹脂などが挙げられる。
また、熱硬化性樹脂として、作業性の観点から、好ましくは、硬化前（Ａステージ）において液状であり、半硬化状態（Ｂステージ）においてゲル状であり、完全硬化後（Ｃステージ）においてエラストマーまたはハード樹脂を形成できるシリコーン樹脂が挙げられる。
このような熱硬化性樹脂を用いれば、封止樹脂層２を半硬化状態とすることにより、発光ダイオード１３（後述）やワイヤ１８（後述）の損傷を防止しつつ、発光装置用部品１を発光装置１１（後述）に備えることができ、さらに、その後に封止樹脂層２を完全硬化させることにより、確実に発光ダイオード１３（後述）を封止することができる。
このような熱硬化性樹脂として、より具体的には、例えば、縮合反応系のシリコーン樹脂、付加反応系のシリコーン樹脂などが挙げられる。これらシリコーン樹脂は、全硬化反応を終了させる前に反応を停止すれば、半硬化状態を形成できる。
また、熱硬化性樹脂として、好ましくは、複数段階（例えば、２段階）硬化型シリコーン樹脂（２つ以上の反応系により硬化するシリコーン樹脂）が挙げられ、より具体的には、例えば、両末端シラノール型シリコーン樹脂と、アルケニル基含有ケイ素化合物と、オルガノハイドロジェンシロキサンと、縮合触媒と、ヒドロシリル化触媒とを含有する熱硬化性樹脂組成物などが挙げられる。
熱硬化性樹脂として、複数段階硬化型シリコーン樹脂を用いれば、比較的低温（１５０℃未満）において、半硬化状態のシリコーン樹脂を得ることができる。
また、熱硬化性樹脂は、発光ダイオード１３（後述）を封止する観点から、未硬化状態における貯蔵弾性率（２５℃）が、例えば、１．０×１０６Ｐａ以下、好ましくは、１．０×１０２Ｐａ以下であり、また、２００℃で１時間加熱処理した後の貯蔵弾性率（２５℃）が、例えば、１．０×１０６Ｐａ以上、好ましくは、１．０×１０７Ｐａ以上である。
このような封止樹脂層２は、発光ダイオード１３（後述）を封止するため、回路基板１２（後述）表面から発光ダイオード１３（後述）表面までの高さ（ワイヤ１８（後述）高さを含む）より高く（厚く）形成され、より具体的には、封止樹脂層２の厚さは、実装方法により異なるが、例えば、０．２〜５ｍｍである。
より具体的には、蛍光層３は、封止樹脂層２に対して、平面視において封止樹脂層２よりやや大きい相似形状に形成されており、蛍光層３の周端部が封止樹脂層２から露出するように形成されている。
蛍光層３は、蛍光を発光できるとともに、光を透過できる層であって、封止樹脂層２よりもわずかに大きい平面視略矩形の平板形状に形成されている。このような蛍光層３は、発光装置１１（後述）において、発光ダイオード１３（後述）から生じる光を吸収して、蛍光を発光するために、封止樹脂層２の表面に設けられている。
蛍光層３は、励起光として、波長３５０〜４８０ｎｍの光の一部または全部を吸収して励起され、励起光よりも長波長、例えば、５００〜６５０ｎｍの蛍光を発光する蛍光体を含有しており、より具体的には、例えば、蛍光体を含有する樹脂、例えば、蛍光体のセラミックス（蛍光体セラミックプレート）などが挙げられる。
このような蛍光層３に含まれる蛍光体は、励起光の波長に応じて適宜選択されるが、励起光として、例えば、近紫外発光ダイオードの光（波長３５０〜４１０ｎｍ）や、青色発光ダイオードの光（波長４００〜４８０ｎｍ）が選択される場合には、蛍光体として、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、（Ｙ，Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｔｂ３Ａｌ３Ｏ１２：Ｃｅ、Ｃａ３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ、Ｌｕ２ＣａＭｇ２（Ｓｉ，Ｇｅ）３Ｏ１２：Ｃｅなどのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ、Ｃａ３ＳｉＯ４Ｃｌ２：Ｅｕ、Ｓｒ３ＳｉＯ５：Ｅｕ、Ｌｉ２ＳｒＳｉＯ４：Ｅｕ、Ｃａ３Ｓｉ２Ｏ７：Ｅｕなどのシリケート蛍光体、例えば、ＣａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕなどのアルミネート蛍光体、例えば、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＣａＳ：Ｅｕ、ＣａＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕなどの硫化物蛍光体、ＣａＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、ＳｒＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、ＢａＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉ５Ｎ８：Ｅｕなどの窒化物蛍光体、例えば、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ、Ｋ２ＴｉＦ６：Ｍｎなどのフッ化物系蛍光体などが挙げられる。
これら蛍光体は、単独使用または２種類以上併用することができる。
蛍光体として、好ましくは、ガーネット型蛍光体が挙げられる。
なお、蛍光体の励起光吸収率は、通常、蛍光体に賦活剤として添加される希土類元素のドープ量により調整することができる。賦活剤と吸収率の関係は、蛍光体の構成元素の種類や、後述する焼成（焼結）での熱処理温度などによって異なるが、例えば、ＹＡＧ：Ｃｅであれば、Ｃｅの添加量は、置換されるイットリウム原子を基準として、例えば、０．０１〜２．０原子％である。
蛍光層３として、放熱性の観点から、好ましくは、蛍光体セラミックス（蛍光体セラミックプレート）が挙げられる。
すなわち、蛍光層３は、例えば、発光体の発熱などにより温度上昇し、その発光効率を低下させる場合があるが、蛍光体セラミックス（蛍光体セラミックプレート）は、放熱性に優れるため、その蛍光体セラミックス（蛍光体セラミックプレート）を用いれば、蛍光層３の温度上昇を抑制し、優れた発光効率を確保することができる。
また、蛍光層３（蛍光体セラミックス）としては、発光ダイオード１３（後述）や蛍光体から生じる光が散乱によって損失することを抑制する観点から、好ましくは、透明かつ無散乱な（光を散乱しない）セラミックス（透光性セラミックス）が挙げられる。
透光性セラミックスは、特に制限されないが、例えば、蛍光体セラミックス中のボイド（空隙）や不純物など、各種の光散乱源が除去され、透光性が高められることにより、形成される。
また、ＹＡＧなどの等方性結晶材料においては、結晶方位による屈折率差がないため、多結晶性セラミックスであっても、単結晶同様に、透明かつ無散乱なセラミックス（透光性セラミックス）を得ることができる。
また、蛍光層３（蛍光体セラミックス）としては、蛍光の取り出し効率の向上や、蛍光の放射パターンの均一化を図る観点から、完全に透明化することなく、ある程度の光拡散性を備えることもできる。
光拡散性を備えるには、蛍光体セラミックス内にボイド（空隙）や不純物などを形成するなど、公知の方法が採用される。また、例えば、蛍光体がＹＡＧ：Ｃｅである場合などには、これとは屈折率が異なる材料（例えば、アルミナなど）を添加し、異相を形成することなどにより、光拡散性を制御することもできる。
このような蛍光層３（蛍光体セラミックス）の全光線透過率（光拡散性）は、光学設計に応じて、適宜制御されるが、具体的には、全光線透過率（拡散透過率）が、例えば、４０％以上、好ましくは５０％以上、通常、９０％以下である。
なお、蛍光層３の全光線透過率（拡散透過率）は、積分球などを用いて、公知の方法により、測定できる。ただし、蛍光体は、特定波長の光を吸収するため、その波長以外、すなわち、蛍光体が実質的に吸収を示さない励起波長以外の可視光波長域（例えば、ＹＡＧ：Ｃｅであれば、５５０〜８００ｎｍ）での光透過率を測定する。
また、このような蛍光層３は、単層構造として形成することができ、さらには、図示しないが、複数（２つ以上）の層を積層した多層構造として形成することもできる。
蛍光層３の厚み（多層構造である場合には、各層の厚みの合計）は、例えば、１００〜１０００μｍ、好ましくは、２００〜７００μｍ、より好ましくは、３００〜５００μｍである。
蛍光層３（蛍光体セラミックス）の厚みが上記下限未満であると、硬度は高い一方、脆く割れやすいというセラミックス材料の特性から、蛍光層３（蛍光体セラミックス）の製造が困難となり、また、その製造における操作性が低下する場合がある。
また、蛍光層３（蛍光体セラミックス）の厚みが上記上限を超過すると、蛍光層３（蛍光体セラミックス）のダイシングなどにおける加工性や、経済性に劣る場合がある。
なお、蛍光層３（蛍光体セラミックス）としては、その厚みと、上記した蛍光体の励起光吸収率を調整することにより、所望の色調の光を得ることができる。
また、蛍光層３の熱伝導率は、放熱性の観点から、例えば、５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、好ましくは、例えば、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。
反射層４は、光を反射できる層であって、封止樹脂層２の裏面において、封止樹脂層２が発光ダイオード１３（後述）を封止する領域を避けるように、設けられている。
より具体的には、反射層４は、封止樹脂層２が発光ダイオード１３（後述）を封止する領域を除く領域の全面に、パターン形成されており、封止樹脂層２が発光ダイオード１３（後述）を封止する領域には、平面視略矩形の開口部が形成されている。
より具体的には、例えば、図１に示すように、反射層４は、平面視において封止樹脂層２と同じ大きさおよび形状で形成されており、また、反射層４には、複数行（図１では２行）、複数列（図１では４列）で整列配置された複数の開口部が、互いに間隔を隔てて形成されている。
このような反射層４は、例えば、透明な樹脂に、その樹脂とは屈折率の異なるフィラーが充填されることにより、形成されている。
樹脂としては、実質的に光吸収のない白色拡散反射性を備える樹脂が挙げられ、このような樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられ、耐久性（耐熱性、耐光性）の観点から、好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。
これら樹脂は、単独使用または２種類以上併用することができる。
フィラーとしては、特に制限されないが、好ましくは、白色で可視光を吸収せず、絶縁性のものが挙げられる。
また、フィラーとして、拡散反射率を向上させる観点から、好ましくは、上記樹脂との屈折率差が大きいものが挙げられる。
このようなフィラーとして、より具体的には、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、酸化チタン、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、硫酸バリウム、炭酸バリウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、シリカ、窒化珪素、酸化ガリウム、窒化ガリウム、酸化ジルコニウムなどが挙げられる。
これらフィラーは、単独使用または２種類以上併用することができる。
また、フィラーの形状は、特に制限されず、例えば、球状、針状、板状、中空状粒子など種々の形状のフィラーを用いることができる。
フィラーの平均粒子径は、例えば、１００ｎｍ〜１０μｍである。
なお、平均粒子径は、例えば、電子顕微鏡、レーザー回折法、比表面積測定法（ＢＥＴ法）などにより測定できる。
また、フィラーの添加量は、上記の樹脂に対して、例えば、１０〜８５体積％、好ましくは、２０〜７０体積％、より好ましくは、３０〜６０体積％である。
フィラーの添加量が上記範囲未満であると、高い反射率が得られ難く、また、十分な拡散反射率を得ようとすると、反射層４の厚みが厚くなる場合がある。
また、フィラーの添加量が上記範囲を超過すると、反射層４を形成するときの加工性に劣り、また、反射層４の機械的強度が低下する場合がある。
また、反射層４の厚みは、例えば、５０〜５００μｍである。
また、反射層４の拡散反射率（波長：４００〜８００ｎｍ）は、例えば、８０％以上、好ましくは、９０％以上、より好ましくは９５％以上、通常、９９．９％以下である。
拡散反射率が上記下限未満であると、蛍光層３や発光ダイオード１３（後述）から生じる光が吸収され、光の取り出し効率が低下する場合がある。
なお、反射層４の拡散反射率は、例えば、反射層４の厚みや、フィラーの添加量を調整することにより、調整される。
このような拡散反射率は、例えば、反射層４と同様の配合においてフィラーを添加した樹脂を、ガラス基板などの上において、所望の厚みで成膜し、その膜の反射率を測定することにより、求めることができる。
また、発光装置用部品１は、図示しないが、例えば、反射層４（および、必要により封止樹脂層２）を被覆および保護するため、剥離ライナーを備えることもできる。
剥離ライナーとしては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエステルフィルムなどのプラスチックフィルム、例えば、紙、布、不織布などの多孔質材料などが挙げられる。
剥離ライナーとして、好ましくは、プラスチックフィルムが挙げられる。
剥離ライナーの厚みは、特に制限されないが、例えば、５〜１００μｍである。
このような剥離ライナーは、例えば、市販品として入手することができ、そのような市販品として、具体的には、例えば、ＭＲＸ−１００（２軸延伸ポリエステルフィルム、厚み１００μｍ、三菱化学ポリエステル社製）などが挙げられる。
図３は、図１に示す発光装置用部品の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
次いで、上記した発光装置用部品１を製造する方法について、図３を参照して説明する。
この方法では、まず、図３（ａ）に示すように、蛍光層３を形成する。
図４は、図１に示す蛍光層の製造方法の一実施形態を示すフロー図である。
まず、蛍光層３（蛍光体セラミックス）の製造方法について、図４を参照して説明する。
図４に示すように、この方法では、まず、上記した蛍光体の粒子（蛍光体の原料となる原料粒子を含む。以下、蛍光体粒子とする。）を用意し（工程１）、その蛍光体粒子に、公知のバインダー樹脂、分散剤、焼結助剤などの添加剤を添加し（工程２）、溶媒の存在下で湿式混合して、スラリー溶液を得る（工程３）。
この方法において、蛍光体粒子として、好ましくは、平均粒子径が、５０ｎｍ以上であり、１０μｍ以下、より好ましくは、１．０μｍ以下、さらに好ましくは、０．５μｍ以下の蛍光体粒子が挙げられる。
この方法では、成形性を付与する（つまり、成型後の形状維持に必要な）バインダー樹脂の添加量が、蛍光体粒子の比表面積に伴って増減する。
そのため、蛍光体粒子の平均粒子径が上記下限未満であると、バインダー樹脂の添加量が増大し、蛍光層３の固形分割合が低下する場合がある。
一方、平均粒子径が上記下限以上であると、添加剤（例えば、バインダー樹脂、分散剤など）や溶媒の添加量を増加する必要がないため、成型体の固形分割合を十分に高めることができ、さらには、比表面積の増大によってスラリー溶液の流動性が損なわれることを抑制することができる。
その結果、後述する焼結後の密度を高くすることができ、焼結における寸法変化を小さくし、蛍光層３（蛍光体セラミックス）の反りを抑制することができる。
さらに、平均粒子径が、上記上限以下であれば、蛍光層３（蛍光体セラミックス）の密度を高めることができ、その結果、緻密な焼結体を得るための焼結温度を低く抑えることができ、また、焼結後のボイド（空隙）の発生を低減することができる。
また、蛍光層３が、焼結（後述）時における結晶構造の変化に伴う体積変化を生じる場合や、残存有機物（例えば、上記添加物）などの揮発成分を含む場合には、緻密な焼結体を得る観点から、必要により、仮焼成し、予め所望の結晶相に相転移させた蛍光体粒子や、例えば、公知の方法により密度や純度などを高めた蛍光体粒子を用いることができる。
また、蛍光体粒子に、その平均粒子径より著しく大きなサイズの粗大粒子が含まれると、その粗大粒子がボイドの発生源となる場合があるため、必要により、例えば、粗大粒子の有無を電子顕微鏡により観察し、分級処理などにより粗大粒子を除去することができる。
なお、蛍光体粒子の平均粒子径は、比表面積測定法として知られるＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ−Ｅｍｍｅｔｔ−Ｔｅｌｌｅｒ）法、レーザー回折法、電子顕微鏡による直接観察などにより、測定することができる。
添加剤（バインダー樹脂、分散剤、焼結助剤など）および溶媒としては、後述する焼結（加熱）により分解除去されるものであれば、特に制限されず、公知の添加剤を用いることができる。
また、湿式混合に用いる装置としては、特に制限されず、各種ミキサー、ボールミル、ビーズミルなど、公知の分散装置が挙げられる。
そして、この方法では、必要により、得られたスラリー溶液の粘度を公知の方法により調整し、その後、ドクターブレードによるテープキャスティングや、押出し成型などによって、セラミックグリーンシートに成型し（工程４ａ）、その後、乾燥させる（工程５ａ）。
また、例えば、スラリー溶液をスプレードライ法などにより乾燥および造粒し（工程４ｂ）、これにより、バインダー樹脂を含有した乾燥粒子を調製して、その後、得られた乾燥粒子を、金型を用いたプレス法などによって、成型することもできる（工程５ｂ）。
そして、この方法では、得られた成型体を、バインダー樹脂や分散剤などの有機成分を熱分解および除去するために、電気炉を用いて、空気中、例えば、４００〜８００℃で加熱し、脱バインダー処理（工程６）した後、さらに、焼結（本焼成）する（工程７）。
これにより、蛍光層３（蛍光体セラミックス）を得る。
なお、この方法において、焼結条件（焼成雰囲気、加熱温度、加熱時間など）は、用いる蛍光体材料によって異なり、例えば、蛍光体が、ＹＡＧ：Ｃｅである場合には、焼成雰囲気が、例えば、真空中、Ａｒなどの不活性ガス雰囲気中、還元ガス（水素、水素／窒素混合ガス）中などであり、焼結温度が、例えば、１５００〜１８００℃であり、焼結時間が、例えば、０．５〜２４時間である。
また、還元雰囲気で焼結する場合、還元性を高めるため、還元ガスに加えて、例えば、カーボン粒子を電気炉内に導入することもできる。
また、焼結における昇温速度は、例えば、０．５〜２０℃／分である。
昇温速度が上記下限以上であれば、焼成に極端に時間を要することがないので、生産性の向上を図ることができる。
また、昇温速度が上記上限以下であれば、急激な結晶粒（グレイン）成長を抑制できるため、ボイド（空隙）の発生、より具体的には、ボイド（空隙）が充填される前にグレイン成長が生じ、ボイド（空隙）が残存することを抑制することができる。
また、焼結体（蛍光体セラミックス）の緻密性や、透光性の向上を図るため、例えば、熱間等方加圧式焼結法（ＨＩＰ法）により、加圧下において焼結（本焼成）することができる。
なお、成型体（セラミックグリーンシートなど）がブロック状である場合には、焼結した後に、得られた蛍光層３（蛍光体セラミックス）を、所望のサイズに切り出すことができる。
次いで、この方法では、図３（ｂ）に示すように、蛍光層３の裏面に、封止樹脂層２を形成する。
封止樹脂層２の形成では、例えば、硬化状態においてゲル状の熱硬化性樹脂を用いる場合には、その熱硬化性樹脂を未硬化状態の溶液として調製し、その溶液を蛍光層３の裏面に、公知の方法により塗工し、加熱することにより、硬化させる。
加熱条件としては、加熱温度が、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃であり、加熱時間が、例えば、１〜３０分間、好ましくは、１〜２０分間である。
これにより、蛍光層３の裏面において、硬化状態（ゲル状）の封止樹脂層２を形成することができる。
次いで、この方法では、図３（ｃ）に示すように、封止樹脂層２の裏面に、反射層４を形成する。
反射層４の形成では、図示しないが、例えば、反射層４を上記のパターンで別途製造し、得られた反射層４を、封止樹脂層２に貼着する。
反射層４を製造するには、公知のパターニング方法を採用することができ、より具体的には、例えば、まず、上記のフィラーを分散した樹脂の溶液を、剥離フィルム上に、一定の厚さで塗工し、硬化してシート状の反射層４を形成する。このときの塗工方法としては、特に制限されず、例えば、ドクターブレード、アプリケータなどを用いることができる。
また、上記の方法の他、例えば、押出し成型などの方法を採用し、樹脂を硬化させることにより、シート状の反射層４を形成することもできる。
そして、この方法では、得られたシート状の反射層４を、所定の形状を有するトムソン刃、パンチャーなどを用いて打ち抜き加工する。これにより、反射層４を、所定のパターンに形成することができる。
なお、上記の硬化後にも粘着性（タック）がある場合には、その反射層４の表面に、保護層として剥離ライナーを貼り合わせた後、打ち抜き加工することもできる。
また、例えば、スクリーン印刷やパターニング塗工などを採用し、直接、所定パターンに形成することもでき、さらには、例えば、二酸化炭素レーザーなどを用いて、所定パターンに加工することもできる。
そして、この方法では、このようにパターン形成された反射層４を、封止樹脂層２の裏面に、必要により、公知の接着剤などを用いて貼着する。これにより、発光装置用部品１を得ることができる。
なお、この方法では、ゲル状の封止樹脂層２を、硬化状態においてゲル状の熱硬化性樹脂から形成したが、例えば、硬化前（Ａステージ）において液状であり、半硬化状態（Ｂステージ）においてゲル状であり、完全硬化後（Ｃステージ）においてエラストマーまたはハード樹脂を形成できるシリコーン樹脂などを、蛍光層３の表面に塗工し、半硬化状態とすることにより、ゲル状の封止樹脂層２を形成することもできる。
また、この方法では、蛍光層３を蛍光体セラミックスとして形成したが、例えば、蛍光体を公知の樹脂に混合し、硬化させることにより、蛍光層３を、蛍光体を含有する樹脂として得ることもできる。
また、この方法では、別途製造した反射層４を、封止樹脂層２に貼着したが、例えば、反射層４を、例えば、未硬化の封止樹脂層２に設置（載置）して、その後、封止樹脂層２を硬化させることもできる。さらには、例えば、反射層４の形成において、スクリーン印刷やパターニング塗工を採用する場合には、その反射層４の表面に封止樹脂層２を直接形成することもできる。
また、この方法では、反射層４のパターン形成において、封止樹脂層２が発光ダイオード１３（後述）を封止する領域には、平面視略矩形の開口部を形成したが、開口部の形状は、特に限定されず、図示しないが、例えば、平面視略円形など、種々の形状とすることができる。
そして、このような発光装置用部品１は、蛍光層３、封止樹脂層２および反射層４を備えるため、発光装置１１（後述）の製造において、蛍光層３、封止樹脂層２および反射層４のそれぞれを個別に設けることなく、一度に設けることができる。
そのため、このような発光装置用部品１によれば、より簡易かつ確実に、発光装置１１（後述）を製造することができる。
また、このようは発光装置用部品１では、反射層４が、封止樹脂層２が発光ダイオード１３（後述）を封止する領域を除く領域の全面に、パターン形成されているため、蛍光層３および発光ダイオード１３が生じる光を、確実かつ効率的に反射することができる。
なお、図３では、蛍光層３の裏面に封止樹脂層２を形成し、封止樹脂層２の裏面に反射層４を形成しているが、実際には上下反転させて、蛍光層３の表面に封止樹脂層２を形成し、封止樹脂層２の表面に反射層４を形成する。
図５は、図１に示す発光装置用部品を備える本発明の発光装置の一実施形態を示す概略構成図、図６は、図５に示す発光装置用部品の製造方法を示す概略工程図である。
以下において、上記の発光装置用部品１を備える発光装置１１について、図５を参照して説明する。
図５において、発光装置１１は、回路基板１２、発光ダイオード１３、ハウジング１４および上記の発光装置用部品１を備えており、発光装置用部品１の蛍光層３と発光ダイオード１３とが離間し、回路基板１２と発光ダイオード１３とがワイヤボンディングされるリモートタイプの発光装置として、形成されている。
回路基板１２は、ベース基板１６、および、ベース基板１６の上面に形成される配線パターン１７を備えている。回路基板１２の配線パターン１７には、外部からの電力が供給される。
ベース基板１６は、平面視略矩形平板状に形成されており、例えば、アルミニウムなどの金属、アルミナなどのセラミック、ポリイミド樹脂などから形成されている。
配線パターン１７は、発光ダイオード１３の端子と、発光ダイオード１３に電力を供給するための電源（図示せず）の端子（図示せず）とを電気的に接続している。配線パターン１７は、例えば、銅、鉄などの導体材料から形成されている。
発光ダイオード１３は、例えば、公知のはんだなどにより、ベース基板１６の上に互いに間隔を隔てて複数（２行×４列）設けられている。各発光ダイオード１３は、ワイヤ１８を介して、配線パターン１７に電気的に接合（ワイヤボンディング）されている。発光ダイオード１３は、回路基板１２からの電力により発光する。
ハウジング１４は、その上端部が発光ダイオード１３の上端部よりも上側に配置されるように、配線パターン１７の上面から上方に立設され、平面視において、発光ダイオード１３を囲むように平面視略矩形枠状に形成されている。
ハウジング１４は、例えば、フィラーが添加された樹脂またはセラミックスから形成されている。また、ハウジング１４の反射率は、発光ダイオード１３からの光に対する反射率が、例えば、７０％以上、好ましくは、９０％以上、より好ましくは、９５％以上となるように設定される。
なお、ハウジング１４は、予め、回路基板１２と一体的に、ハウジング付きの回路基板として形成することもできる。ハウジング付きの回路基板としては、市販品を入手可能であり、例えば、キャビティー付き多層セラミック基板（品番：２０７８０６、住友金属エレクトロデバイス社製）などが挙げられる。
発光装置用部品１は、回路基板１２の上において、封止樹脂層２が発光ダイオード１３を被覆するとともに、蛍光層３がハウジング１４の上に配置されるように、設けられている。
以下において、上記した発光装置１１を製造する方法について、図６を参照して説明する。
この方法では、まず、図６（ａ）に示すように、外部から電力が供給される回路基板１２の上に、複数（２行×４列）の発光ダイオード１３を設置し、ワイヤ１８で、発光ダイオード１３と回路基板１２とを電気的に接合する。
次いで、この方法では、図６（ｂ）に示すように、回路基板１２の上に、ハウジング１４を設ける。
より具体的には、回路基板１２の上において、発光ダイオード１３を囲むように、かつ、その上端部が、発光ダイオード１３の上端部よりも上側に配置されるように、ハウジング１４を配置する。
なお、上記したように、ハウジング１４および回路基板１２は、ハウジング付きの回路基板として形成することもでき、このような場合には、上記２つの工程（図６（ａ）および（ｂ）参照）は１つの工程、すなわち、ハウジング１４付きの回路基板１２の上に、発光ダイオード１３を設置し、それらを電気的に接合する工程として、実施される。
次いで、この方法では、図６（ｃ）に示すように、発光装置用部品１の封止樹脂層２が、発光ダイオード１３を被覆するとともに、蛍光層３がハウジング１４の上に配置されるように、回路基板１２の上に、発光装置用部品１を設ける。
このとき、封止樹脂層２は、上記したように硬化状態においてゲル状であるため、発光装置用部品１を回路基板１２の上に設けると、その押圧によって、封止樹脂層２が変形し、発光ダイオード１３およびワイヤ１８に密着する。さらに、このとき、封止樹脂層２は、発光ダイオード１３と反射層４との間隙を充填するとともに、発光ダイオード１３から露出する配線パターン１７の表面に密着する。
なお、発光装置用部品１は、必要により、接着剤により回路基板１２の上に接着してもよい。このような場合において、接着剤としては、特に制限されず、公知の接着剤を用いることができ、さらには、上記した封止樹脂層２を形成する材料（例えば、熱硬化性樹脂）と同様の材料を用いることもできる。
これにより、発光ダイオード１３が封止樹脂層２により封止および保護された発光装置１１を得ることができる。
発光装置１１では、例えば、発光ダイオード１３として近紫外発光ダイオードや青色発光ダイオードなどを用いるとともに、その光を励起光として、蛍光を生じる蛍光層３を用いることにより、それらの光を混色し、例えば、白色光を生じる発光装置１１（白色発光ダイオード）とすることができる。
なお、発光装置１１において、発光ダイオード１３および蛍光層３の組み合わせ（混色の組み合わせ）は、上記に限定されず、必要および用途に応じて、適宜選択することができる。
例えば、発光ダイオード１３として青色発光ダイオードを用いるとともに、その光を励起光として、緑色の蛍光を生じる蛍光層３を用いることにより、緑色光を生じる発光装置１１（緑色発光ダイオード）とすることができ、さらには、その他の光を生じる蛍光層３を用いて、パステルカラーを生じさせるなど、種々の光を生じる発光装置１１を得ることができる。
なお、上記した実施形態では、封止樹脂層２を、硬化状態においてゲル状の熱硬化性樹脂から形成したが、例えば、封止樹脂層２を、硬化前（Ａステージ）において液状であり、半硬化状態（Ｂステージ）においてゲル状であり、完全硬化後（Ｃステージ）においてエラストマーまたはハード樹脂を形成できるシリコーン樹脂などを、蛍光層３の表面に塗工し、半硬化状態とすることにより形成する場合には、必要に応じて、さらに加熱し、封止樹脂層２を、完全硬化させることもできる。
また、上記した実施形態では、複数（２行×４列）の発光ダイオード１３を有する発光装置１１を形成したが、発光装置１１に備えられる発光ダイオード１３の数は、特に限定されず、発光装置１１に、例えば、１つの発光ダイオード１３を設けることもできる。
また、図示しないが、発光装置用部品１の上には、必要により、蛍光層３を被覆するように、封止樹脂層を形成することができ、さらには、例えば、シリコーン樹脂などの透明樹脂から形成される、略半球形状（略ドーム形状）のレンズや、マイクロレンズアレイシート、拡散シートなどを設置することができる。これにより、発光装置１１の光の取り出し効率の向上や、指向性および／または拡散性の制御を図ることができる。
そして、この発光装置１１には、上記した発光装置用部品１が用いられている。
そのため、このような発光装置１１の製造方法、および、これにより得られる発光装置１１によれば、より簡易かつ確実に、発光装置１１を製造することができる。
図７は、本発明の発光装置用部品の第２実施形態の概略断面図である。なお、上記した各部に対応する部材については、以下の各図において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
上記した説明では、反射層４を封止樹脂層２の裏面に形成したが、図７に示すように、反射層４を封止樹脂層２に埋設するように形成することもできる。
より具体的には、図７において、この発光装置用部品１では、反射層４が、封止樹脂層２の裏面において、封止樹脂層２に埋設されるように設けられており、すなわち、反射層４に形成される開口部（図１参照）に、封止樹脂層２が充填されている。
また、この発光装置用部品１では、反射層４の裏面が、封止樹脂層２の裏面（反射層４が埋設されない領域の裏面）と面一となるように、形成されている。
このような発光装置用部品１によれば、反射層４に形成される開口部（図１参照）に、封止樹脂層２が充填されているため、封止樹脂層２により、より確実に発光ダイオード１３を封止することができる。
図８は、本発明の発光装置用部品の第３実施形態の概略構成図である。
発光装置用部品１は、さらに、反射層４の裏面において、粘着層５を設けることができる。
より具体的には、図８において、この発光装置用部品１では、粘着層５が、反射層４と同パターンで形成されており、反射層４の裏面に貼着されている。
粘着層５としては、特に制限されず、公知の接着剤、公知の粘着シートなどを用いることができ、さらには、上記した封止樹脂層２を形成する材料（例えば、熱硬化性樹脂）と同様の材料を用いることもできる。
このような発光装置用部品１によれば、粘着層５が、反射層４の裏面に設けられているため、粘着層５により、より確実に発光装置用部品１を回路基板１２に固定することができる。
図９は、本発明の発光装置用部品の第４実施形態の概略構成図である。
図８に示す実施形態では、粘着層５をパターン形成し、反射層４の裏面に設けたが、図９に示すように、反射層４を封止樹脂層２に埋設するように形成するとともに、反射層４の封止樹脂層２からの露出面、および、封止樹脂層２の裏面（反射層４が埋設されない領域の裏面）に、粘着層５を設けることができる。
より具体的には、図９において、この発光装置用部品１では、反射層４が、封止樹脂層２の裏面において、封止樹脂層２に埋設されるように設けられており、すなわち、反射層４に形成される開口部（図１参照）に、封止樹脂層２が充填されている。
また、この発光装置用部品１では、反射層４の裏面が、封止樹脂層２の裏面（反射層４が埋設されない領域の裏面）と面一となるように、形成されている。
そして、粘着層５が、平面視において封止樹脂層２と同じ大きさおよび形状の、平面視略矩形状に形成され、反射層４の封止樹脂層２からの露出面、および、封止樹脂層２の裏面（反射層４が埋設されない領域の裏面）に、貼着されている。
そして、このような発光装置用部品１において、例えば、粘着層５が上記した封止樹脂層２を形成する材料（例えば、熱硬化性樹脂）と同様の材料から形成される場合などには、封止樹脂層２を硬化状態においてゲル状とするとともに、粘着層５を硬化させずに用いることができる。
このような場合には、発光装置用部品１を回路基板１２の上に設けると、その押圧によって、封止樹脂層２および粘着層５が変形し、発光ダイオード１３およびワイヤ１８に密着する。さらに、このとき、封止樹脂層２および粘着層５は、発光ダイオード１３と反射層４との間隙を充填するとともに、発光ダイオード１３から露出する配線パターン１７の表面に密着する。
なお、このような場合には、必要により、発光装置用部品１を回路基板１２の上に設けた後に、接着層５を、加熱硬化させることもできる。
また、この方法では、例えば、封止樹脂層２および粘着層５を、ともに、硬化状態においてゲル状とすることもできる。
このような場合にも、発光装置用部品１を回路基板１２の上に設けると、その押圧によって、封止樹脂層２および粘着層５が変形し、発光ダイオード１３およびワイヤ１８に密着する。さらに、このとき、封止樹脂層２および粘着層５は、発光ダイオード１３と反射層４との間隙を充填するとともに、発光ダイオード１３から露出する配線パターン１７の表面に密着する。
このような発光装置用部品１によれば、反射層４に形成される開口部（図１参照）に、封止樹脂層２が充填されているため、封止樹脂層２により、より確実に発光ダイオード１３を封止することができ、さらには、反射層４の封止樹脂層２からの露出面、および、封止樹脂層２の裏面（反射層４が埋設されない領域の裏面）に、粘着層５が設けられているため、粘着層５により、より確実に発光装置用部品１を回路基板１２に固定することができる。
なお、図示しないが、発光装置用部品１が粘着層５を備える場合には、その粘着層５の裏面に、上記した剥離ライナーを設けることができる。
粘着層５の裏面に剥離ライナーを設けることにより、発光装置用部品１の取り扱い性の向上を図ることができ、また、このような発光装置用部品１を用いることにより、より簡便に発光装置１１を製造することができる。
以下、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明はこれらの実施例等により何ら限定されるものではない。
製造例１
＜蛍光体（原料粒子）の合成例（ＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体の合成例）＞
硝酸イットリウム６水和物０．１４９８５ｍｏｌ（１４．３４９ｇ）、硝酸アルミニウム９水和物０．２５ｍｏｌ（２３．４５ｇ）、および、硝酸セリウム６水和物０．０００１５ｍｏｌ（０．０１６ｇ）を、２５０ｍＬの蒸留水に溶解させ、０．４Ｍの前駆体（プレカーサ）溶液を調製した。
このプレカーサ溶液を、二流体ノズルを用いて、高周波（ＲＦ）誘導プラズマ炎中に１０ｍＬ／ｍｉｎの速度で噴霧し、熱分解することで、無機粉末粒子（原料粒子）を得た。
得られた原料粒子をＸ線回折法により分析したところ、アモルファス相とＹＡＰ（ＹＡｌＯ３）結晶の混合相を示した。
また、自動比表面積測定装置（Ｍｉｃｒｏｍｅｔｒｉｔｉｃｓ社製、モデルＧｅｍｉｎｉ ２３６５）を用いたＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ−Ｅｍｍｅｔｔ−Ｔｅｌｌｅｒ）法により求めた平均粒子径は、約７５ｎｍであった。
次に、得られた原料粒子を、アルミナ製のるつぼに入れ、電気炉にて、１２００℃、２時間仮焼成し、ＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体を得た。得られたＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体は、結晶相がＹＡＧの単一相を示し、ＢＥＴ法により求めた平均粒子径は約９５ｎｍであった。
製造例２
＜蛍光体セラミックプレート（ＹＡＧ−ＣＰ）の作製例＞
ＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体（平均粒子径９５ｎｍ）４ｇ、バインダー樹脂としてｐｏｌｙ （ｖｉｎｙｌ ｂｕｔｙｌ−ｃｏ−ｖｉｎｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ ｃｏ ｖｉｎｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）（シグマアルドリッチ社製、重量平均分子量９００００〜１２００００）０．２１ｇ、焼結助剤としてシリカ粉末（Ｃａｂｏｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社製、商品名「ＣＡＢ−Ｏ−ＳＩＬ ＨＳ−５」）０．０１２ｇ、および、メタノール１０ｍＬを乳鉢にて混合してスラリーとし、得られたスラリーをドライヤーにてメタノールを除去し、乾燥粉末を得た。
この乾燥粉末７００ｍｇを、２５ｍｍ×２５ｍｍサイズの一軸性プレスモールド型に充填後、油圧式プレス機にて約１０トンで加圧することで、厚み約３５０μｍの矩形に成型したプレート状グリーン体を得た。
得られたグリーン体をアルミナ製管状電気炉にて、空気中、２℃／ｍｉｎの昇温速度で８００℃まで加熱し、バインダー樹脂等の有機成分を分解除去した後、引き続き、電気炉内をロータリーポンプにて真空排気して、１６００℃で５時間加熱し、２０ｍｍ×２０ｍｍサイズの、厚み約２８０μｍのＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体のセラミックプレート（ＹＡＧ−ＣＰ）を得た。
得られたプレートは、アルキメデス法にて測定した密度が、理論密度４．５６ｇ／ｃｍ３に対して、９９．７％であった。また、波長７００ｎｍにおける全光線透過率は、６６％であった。
製造例３
＜回路基板、発光ダイオードおよびハウジングの製造例＞
サイズ３５ｍｍ×３５ｍｍ、厚さ１．５ｍｍのＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂基板上の中央に、青色発光ダイオードチップ（ＣＲＥＥ社製、品番Ｃ４５０ＥＸ１０００−０１２３、サイズ９８０μｍ×９８０μｍ、チップ厚み約１００μｍ）を縦方向に２個、横方向に２個、合計４個（２行×２列）を、それぞれ４ｍｍ間隔で実装した青色ＬＥＤ素子を作製した。
なお、この青色ＬＥＤ素子において、リードは表面をＮｉ／Ａｕで保護したＣｕにて形成し、ＬＥＤチップは銀ペーストによりリード上にダイボンディングされ、対向電極は金線を用いて、リード上にワイヤーボンディングされている。
また、封止樹脂層および反射層の形成時に、樹脂が流れ出るのを防止するために、青色ＬＥＤ素子の上に、厚さ０．５ｍｍ、外形２５ｍｍ×２５ｍｍ、内径１０ｍｍ×１０ｍｍのガラスエポキシ（ＦＲ４）製のフレーム（ハウジング）を設けた。
試験例１
＜反射層の拡散反射率＞
２液混合タイプの熱硬化性シリコーンエラストマー（信越シリコーン社製、品番ＫＥＲ２５００）に、チタン酸バリウム粒子（堺化学工業社製、品番ＢＴ−０３、吸着比表面積値３．７ｇ／ｍ２）を５５質量％となるように添加し、よく攪拌混合し、拡散性反射樹脂層（以下、反射層）用のコーティング樹脂液（白色樹脂液）とした。
このコーティング樹脂液を、ガラス基板上に、アプリケータを用いて、２００μｍの厚さにコーティングした後、１００℃で１時間、１５０℃で１時間加熱することにより、シリコーン樹脂を硬化した。
このコーティング層の拡散反射率を測定したところ、２００μｍの厚みでも十分に高い拡散反射率が得られ、４００ｎｍ付近を除く可視光範囲で、９０％以上の反射率を示した。光の波長と拡散反射率との関係を、図１０に示す。
実施例１（発光装置用部品および発光装置の製造）
試験例１で用いたコーティング樹脂液（白色樹脂液）を、アプリケータを用いて、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に、約２００μｍの厚みに塗工し、１００℃で１時間、１５０℃で１時間加熱することによりキュアし、反射層を形成した。
なお、反射層はキュアすることで、簡単にＰＥＴフィルムから剥がすことができた。次に、ＣＯ２レーザー切断装置（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｌａｓｅｒ Ｓｙｓｔｅｍｓ社製、製品名ＶｅｒｓａＬＡＳＥＲ ＶＬＳ２．３０）にて、サイズ１０ｍｍ×１０ｍｍに切り出し、さらに、製造例３で得られた青色ＬＥＤ素子における青色発光ダイオードの実装パターンに合わせて、直径約２ｍｍの穴を、４ｍｍ間隔で４つ切り抜き、開口部を形成した。
製造例２で得られたＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体のセラミックプレート（ＹＡＧ−ＣＰ）を、１２ｍｍ×１２ｍｍのサイズにダイシングし、その片面の外周部分に約１ｍｍ幅でマスキングテープを貼りつけた（図３（ａ）に相当する。）。
その上に、ゲル状シリコーン樹脂液（旭化成ワッカーシリコーン社製、製品名ＷＡＣＫＥＲ ＳｉｌＧｅｌ ６１２）を、アプリケータを用いて約３５０μｍの厚みで塗工し、８０℃のホットプレート上で１０秒程度加熱してからマスキングテープを剥がした後、速やかに１００℃に設定した別のホットプレートに移して１５分間加熱し、ゲル状シリコーン樹脂をキュアした。これにより、ＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体のセラミックプレート（蛍光層）の表面にゲル状シリコーン樹脂（硬化状態の封止樹脂層）を形成した（図３（ｂ）に相当する。）。
次いで、このゲル状シリコーン樹脂上に、別途作製した反射層を貼りつけ（図３（ｃ）に相当する。）、発光装置用部品を作製した（図１および図２に相当する。）。
次に、粘着剤として、上記のゲル状シリコーン樹脂液を、青色ＬＥＤ素子のハウジング内に滴下し、全体に引きのばした後、発光装置用部品を、４つの打ち抜き部分が、それぞれ４つの青色発光ダイオードの実装位置に一致するよう、軽く押し付けながら、貼りつけるように設置し、１００℃で１５分、ゲル状シリコーン樹脂液（粘着剤）をキュアし、発光装置を製造した（図５に相当する。）。
実施例２（発光装置用部品および発光装置の製造）
実施例１と同様にして、ＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体のセラミックプレート（蛍光層）の表面にゲル状シリコーン樹脂（硬化状態の封止樹脂層）を形成し、その上に別途作製した反射層を貼りつけた。
その後、さらに、ゲル状シリコーン樹脂液をアプリケータにより塗工し、反射層の開口部をゲル状シリコーン樹脂液（封止樹脂層）で充填するとともに、粘着層として、反射層の露出面、および、封止樹脂層の裏面に、ゲル状シリコーン樹脂液を塗工し、発光装置用部品を製造した（図９に相当する。）。
なお、粘着層としてのゲル状シリコーン樹脂の厚みは、５０μｍ以下となるように、アプリケータのギャップを調整した。
次いで、実施例１と同様にして、製造例３で得られた青色ＬＥＤ素子に、発光装置用部品を、４つの打ち抜き部分が、それぞれ４つの青色発光ダイオードの実装位置に一致するよう、貼りつけるように設置し、１００℃で１５分、ゲル状シリコーン樹脂液（粘着層）をキュアし、発光装置を製造した。
実施例１および２では、反射層および封止樹脂層を予め蛍光層に形成し、発光装置用部品を製造することにより、優れた効率で、簡便に発光装置を製造できた。
１ 発光装置用部品
２ 封止樹脂層
３ 蛍光層
４ 反射層

Claims (5)

  1. 発光ダイオードを封止できる封止樹脂層と、
    前記封止樹脂層の表面に形成され、蛍光を発光できる蛍光層と、
    前記封止樹脂層の裏面において、前記封止樹脂層が前記発光ダイオードを封止する領域を避けるように設けられる、光を反射できる反射層と
    を備えることを特徴とする、発光装置用部品。
  2. 前記反射層が、前記封止樹脂層が前記発光ダイオードを封止する領域を除く領域の全面に、パターン形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の発光装置用部品。
  3. 請求項１または２に記載の発光装置用部品を備えることを特徴とする、発光装置。
  4. 外部から電力が供給される回路基板と、
    前記回路基板の上に電気的に接合され、前記回路基板からの電力により発光する発光ダイオードと、
    前記発光ダイオードを囲むように前記回路基板の上に設けられ、上端部が、前記発光ダイオードの上端部よりも上側に配置されるハウジングと、
    前記封止樹脂層が前記発光ダイオードを被覆するとともに、前記蛍光層が前記ハウジングの上に配置されるように、前記回路基板の上に設けられる前記発光装置用部品と
    を備えることを特徴とする、請求項３に記載の発光装置。
  5. 外部から電力が供給される回路基板の上に、発光ダイオードを電気的に接合する工程と、
    前記回路基板の上において、前記発光ダイオードを囲むように、かつ、上端部が、前記発光ダイオードの上端部よりも上側に配置されるように、ハウジングを設ける工程と、
    前記封止樹脂層が前記発光ダイオードを被覆するとともに、前記蛍光層が前記ハウジングの上に配置されるように、前記回路基板の上に、請求項１または２に記載の発光装置用部品を設ける工程と
    を備えることを特徴とする、発光装置の製造方法。
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