JP5064254B2 - 光半導体素子封止用樹脂シートおよび光半導体装置 - Google Patents
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Description
〔1〕少なくとも封止樹脂層、接着樹脂層、反射層及び保護樹脂層からなる光半導体素子封止用樹脂シートであって、該封止樹脂層と該接着樹脂層とが隣接して配設され、該保護樹脂層が該封止樹脂層と該接着樹脂層の上に両層を覆うように積層され、かつ該封止樹脂層と該接着樹脂層とが隣接する面に該反射層が配設されてなる光半導体素子封止用樹脂シート、
〔2〕少なくとも封止樹脂層、接着樹脂層、反射層及び保護樹脂層からなる光半導体素子封止用樹脂シートであって、該封止樹脂層と該接着樹脂層とが隣接して配設され、該保護樹脂層が該封止樹脂層と該接着樹脂層の上に両層を覆うように積層され、該封止樹脂層の形状が保護樹脂層に向けて拡大するテーパー状であり、かつ該封止樹脂層と該接着樹脂層とが隣接する面に該反射層が配設されてなる光半導体素子封止用樹脂シート、並びに
〔3〕前記〔1〕または〔2〕記載の光半導体素子封止用樹脂シートを用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置
に関する。
a)離型処理した基材上に接着樹脂層を形成する工程、
b)該接着樹脂層に反射層と封止樹脂層を形成するためのテーパー状の貫通孔を設ける工程、
c)形成された該貫通孔の壁面に反射層を形成する工程、
d)該反射層を形成した接着樹脂層を覆うように保護樹脂層に貼り合わせて、該離型処理した基材を剥離除去する工程、および
e)該反射層を形成した貫通孔に封止樹脂層となる封止樹脂を充填し、半硬化させる工程、
を少なくとも含んでいてもよい。従って、かかる製造方法によって、光半導体素子を封止する工程と、基板上に反射層を設置する工程を簡略化して効率的に封止することができ、耐熱性および接着性が良好である光半導体素子封止用樹脂シートを製造することができる。また、かかる製造方法の一態様の概略図を図2(a)〜(e)に示す。
(1)基板上に光半導体素子が搭載された面に本発明の光半導体素子封止用樹脂シートを、光半導体素子に対向する位置に封止樹脂層を合わせるように積層する工程、及び
(2)工程(1)で積層したシートを加圧硬化する工程
を含んでいてもよい。
工程(2)において、シートを加圧硬化する条件は、例えば、真空ラミネータを用いて、好ましくは130〜180℃、より好ましくは150〜160℃で、好ましくは0.01〜0.5MPa、より好ましくは0.05〜0.2MPaで圧着させて、その後、好ましくは120〜180℃、より好ましくは130〜150℃で、好ましくは0.5〜5時間、より好ましくは1〜3時間ポストキュア(2次硬化)させる条件が挙げられる。また、工程(2)は工程(1)と同時に行ってもよい。
エポキシ当量7500のビスフェノールA型エポキシ樹脂45重量部とエポキシ当量260の脂環式エポキシ樹脂(EHPE3150、ダイセル化学社製)33重量部と4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸を22重量部、2-メチルイミダゾール1.2重量部をメチルエチルケトンに50重量%ベースで溶解し、エポキシ樹脂塗工溶液を作製した。この塗工溶液を、表面を離型処理した基材(PETフィルム、厚み50μm)の上にエポキシ樹脂の厚みが100μmになるように塗布し、130℃で2分間乾燥させたものを3つ作製した。そして、その内の1つのエポキシ樹脂の上に、他の2つのエポキシ樹脂をラミネート(PETフィルムは剥離除去)して、厚み300μmのエポキシ樹脂からなる接着樹脂層を基材(PETフィルム)上に形成した(図2(a))。
封止樹脂層の形状として保護樹脂層に向けて拡大する角度を45度から30度に変えた以外は実施例1と同様にして、光半導体素子封止用樹脂シートを得た。
封止樹脂層の形状として保護樹脂層に向けて拡大する角度を45度から0度に変えて、封止樹脂層の形状を円筒とした以外は実施例1と同様にして、光半導体素子封止用樹脂シートを得た。
反射層の形成において、硫酸バリウムの粒子を含有したポリメチルメタクリレート(重量比:9/1)を含有するメチルエチルケトン溶液(10重量%)を、銀粉を含有したポリメチルメタクリレート(重量比:9/1)を含有するメチルエチルケトン溶液(10重量%)に変えた以外は実施例1と同様にして、光半導体素子封止用樹脂シートを得た。
反射層を設けない以外は、実施例1と同様に行って、光半導体素子封止用樹脂シートを得た。
基板上の青色発光ダイオードが搭載されている面に、実施例および比較例の光半導体素子封止用樹脂シートを用いて、光半導体素子に対向する位置に封止樹脂層を合わせるように積層して、150℃、0.2MPaにて圧着し、その後150℃で2時間ポストキュアを行い、光半導体素子を封止してなる光半導体装置を得た。
(正面輝度の測定)
得られた光半導体装置に300mAの電流を流し、15cm離れた位置で正面輝度を照度計(T−10、ミノルタ製)で測定した。以下に測定された各実施例の正面輝度を示す。
実施例1:380lx、実施例2:350lx、実施例3:330lx、実施例4:354lx
、比較例1:320lx
2 保護樹脂層
3 封止樹脂層
4 接着樹脂層
5 反射層
6 基板上に搭載された光半導体素子
7 基材
8 貫通孔
9 保護樹脂層に向けて拡大する角度
Claims (7)
- 少なくとも封止樹脂層、接着樹脂層、反射層及び保護樹脂層からなる光半導体素子封止用樹脂シートであって、該封止樹脂層と該接着樹脂層とが隣接して配設され、該保護樹脂層が該封止樹脂層と該接着樹脂層の上に両層を覆うように積層され、かつ該封止樹脂層と該接着樹脂層とが隣接する面に該反射層が配設されてなる光半導体素子封止用樹脂シート。
- 少なくとも封止樹脂層、接着樹脂層、反射層及び保護樹脂層からなる光半導体素子封止用樹脂シートであって、該封止樹脂層と該接着樹脂層とが隣接して配設され、該保護樹脂層が該封止樹脂層と該接着樹脂層の上に両層を覆うように積層され、該封止樹脂層の形状が保護樹脂層に向けて拡大するテーパー状であり、かつ該封止樹脂層と該接着樹脂層とが隣接する面に該反射層が配設されてなる光半導体素子封止用樹脂シート。
- 前記封止樹脂層の形状における保護樹脂層に向けて拡大する角度が10〜60度である、請求項2記載の光半導体素子封止用樹脂シート。
- 前記反射層が、アルミナ、硫酸バリウム、チタン、窒化ホウ素の粒子もしくは銀粉を含有した樹脂、該粒子もしくは銀粉を含有した分散液、またはアルミニウムもしくは銀の金属薄膜からなる、請求項1〜3いずれかに記載の光半導体素子封止用樹脂シート。
- 前記接着樹脂層がエポキシ樹脂からなる、請求項1〜4いずれかに記載の光半導体素子封止用樹脂シート。
- 前記封止樹脂層がシリコーン樹脂、シリコーンゲル、ポリボロシロキサン樹脂、またはポリアルミノシロキサン樹脂からなる、請求項1〜5いずれかに記載の光半導体素子封止用樹脂シート。
- 請求項1〜6いずれかに記載の光半導体素子封止用樹脂シートを用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008019767A JP5064254B2 (ja) | 2008-01-30 | 2008-01-30 | 光半導体素子封止用樹脂シートおよび光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008019767A JP5064254B2 (ja) | 2008-01-30 | 2008-01-30 | 光半導体素子封止用樹脂シートおよび光半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009182149A JP2009182149A (ja) | 2009-08-13 |
JP5064254B2 true JP5064254B2 (ja) | 2012-10-31 |
Family
ID=41035885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008019767A Expired - Fee Related JP5064254B2 (ja) | 2008-01-30 | 2008-01-30 | 光半導体素子封止用樹脂シートおよび光半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5064254B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102473824B (zh) | 2009-06-26 | 2015-08-05 | 株式会社朝日橡胶 | 白色反射材料及其制造方法 |
WO2011105185A1 (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | コニカミノルタオプト株式会社 | 光学半導体素子モジュールの製造方法 |
JP6157118B2 (ja) * | 2010-03-23 | 2017-07-05 | 株式会社朝日ラバー | 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物 |
JP5486431B2 (ja) * | 2010-07-27 | 2014-05-07 | 日東電工株式会社 | 発光装置用部品、発光装置およびその製造方法 |
JP2014013879A (ja) * | 2012-06-06 | 2014-01-23 | Nitto Denko Corp | 光半導体用光反射部材およびそれを用いた光半導体実装用基板ならびに光半導体装置 |
JP5373215B1 (ja) * | 2013-03-28 | 2013-12-18 | 日東電工株式会社 | システム、製造条件決定装置および製造管理装置 |
CN103959488B (zh) * | 2013-03-28 | 2015-09-30 | 日东电工株式会社 | 系统、制造条件决定装置以及制造管理装置 |
JP2014216329A (ja) * | 2013-04-22 | 2014-11-17 | E&E Japan株式会社 | チップledの製造方法 |
JP2014216642A (ja) * | 2013-08-20 | 2014-11-17 | E&E Japan株式会社 | チップled |
JP7141579B2 (ja) * | 2018-08-22 | 2022-09-26 | 伸 唐沢 | 路面標示板 |
JP7299583B2 (ja) * | 2018-08-22 | 2023-06-28 | 伸 唐沢 | 路面標示板 |
CN115044084B (zh) * | 2021-03-08 | 2023-10-03 | 四川大学 | 聚硼硅氧烷弹性体在显示屏保护中的应用 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5043716A (en) * | 1988-07-14 | 1991-08-27 | Adaptive Micro Systems, Inc. | Electronic display with lens matrix |
JP4533058B2 (ja) * | 2004-09-10 | 2010-08-25 | パナソニック株式会社 | 照明装置用反射板 |
JP2006117919A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-05-11 | Nagase & Co Ltd | 半導体封止用3次元シート状接着体 |
JP4789672B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2011-10-12 | 京セラ株式会社 | 発光装置および照明装置 |
JP5103831B2 (ja) * | 2006-08-29 | 2012-12-19 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体の製造方法 |
JP2007214592A (ja) * | 2007-04-26 | 2007-08-23 | Kyocera Corp | 発光装置 |
-
2008
- 2008-01-30 JP JP2008019767A patent/JP5064254B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009182149A (ja) | 2009-08-13 |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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