CN103959488A - 系统、制造条件决定装置以及制造管理装置 - Google Patents

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Abstract

系统具备制造条件决定装置和制造管理装置。制造条件决定装置具备：第一信息存储区域，其存储与光半导体元件和光半导体装置相关的第一信息；第二信息存储区域，其存储与清漆相关的第二信息；以及决定单元，其根据第一信息存储区域所存储的第一信息以及第二信息存储区域所存储的第二信息来决定制造条件。制造管理装置具备第三信息存储区域和管理单元，该第三信息存储区域存储与由决定单元决定的制造条件相关的第三信息，该管理单元根据第三信息存储区域所存储的第三信息来管理片材制造工序的制造条件。

Description

系统、制造条件决定装置以及制造管理装置
技术领域
本发明涉及一种系统、制造条件决定装置以及制造管理装置，详细地说，涉及一种用于对光半导体装置的制造方法中的制造条件进行决定和管理的系统、制造条件决定装置以及制造管理装置。
背景技术
近年来，作为光半导体装置的制造方法，研究着以下方法：制造包含粒子和固化性树脂的清漆，从该清漆制造B阶段的密封片材等覆盖片材，用该覆盖片材来覆盖光半导体元件。
例如，提出了以下方法：利用由B阶段的热固性树脂构成的荧光体层来覆盖安装于基板的发光二极管，之后使荧光体层C阶段化，由此制造LED装置(例如，参照以下专利文献1)。
专利文献1：日本特开2009-060031号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，在密封片材制造工厂制造包含荧光体层的密封片材，因此将制造出的密封片材出货到LED装置制造工厂。此外，在密封片材制造工厂，从LED装置制造工厂提供与发光二极管和LED装置相关的信息，根据该信息和与清漆相关的信息，决定适合于设为目的的LED装置的密封片材的制造条件。
然而，在LED装置制造工厂半导体元件和/或光半导体装置发生变动的情况下，在密封片材制造工厂需要与这些变动对应地再次制造密封片材，或者进一步将再次制造的不同种类的密封片材运送至LED装置制造工厂。因此，存在花费功夫、时间这种问题。
另一方面，还考虑在LED装置制造工厂内设置密封片材制造工厂，从而省略上述工作、时间。
然而，LED装置制造工厂存在与清漆相关的信息不充足而无法准确地决定密封片材的制造条件这种问题。
本发明的目的在于提供一种在光半导体装置的制造工厂能够简单且可靠地制造适合于光半导体装置的覆盖片材的系统、制造条件决定装置以及制造管理装置。
用于解决问题的方案
为了达到上述目的，本发明的系统是对光半导体装置的制造方法中的片材制造工序的制造条件进行决定和管理的系统，该光半导体装置的制造方法具备：清漆制造工序，制造包含粒子和固化性树脂的清漆；上述片材制造工序，从上述清漆制造B阶段的覆盖片材；以及覆盖工序，使用上述覆盖片材来覆盖光半导体元件，该系统的特征在于，上述系统具备制造条件决定装置和制造管理装置，上述制造条件决定装置具备：第一信息存储区域，其存储与上述光半导体元件和上述光半导体装置相关的第一信息；第二信息存储区域，其存储与上述清漆相关的第二信息；以及决定单元，其根据上述第一信息存储区域所存储的上述第一信息以及上述第二信息存储区域所存储的上述第二信息来决定上述制造条件，上述制造管理装置具备：第三信息存储区域，其存储与由上述决定单元决定的上述制造条件相关的第三信息；以及管理单元，其根据上述第三信息存储区域所存储的上述第三信息来管理上述片材制造工序的上述制造条件。
在该系统中，制造条件决定装置具备第一信息存储区域、第二信息存储区域以及决定单元，另一方面，制造管理装置具备第三信息存储区域和管理单元。
而且，制造条件决定装置能够将各第一信息和第二信息分别存储到第一信息存储区域和第二信息存储区域，通过决定单元来决定片材制造工序的制造条件，将该片材制造工序的制造条件提供给制造管理装置。
而且，在制造管理装置中，将从制造条件决定装置提供的与制造条件有关的第三信息存储到第三信息存储区域，由管理单元根据上述第三信息来管理片材制造工序的制造条件。
因此，能够与制造管理装置分开地在制造条件决定装置中决定片材制造工序的制造条件，并且能够由制造管理装置进行管理。
另外，从制造条件决定装置提供的与片材制造工序的制造条件相关的第三信息基于第一信息和第二信息。因此，制造管理装置能够根据从制造条件决定装置提供的第三信息，通过管理单元高精度地管理片材制造工序的制造条件。其结果，能够高精度地制造设为目的的光半导体装置。
另外，本发明的系统优选还对上述清漆制造工序的制造条件进行决定和管理，上述决定单元还根据上述第一信息存储区域所存储的上述第一信息以及上述第二信息存储区域所存储的上述第二信息来决定上述清漆制造工序的上述制造条件，上述管理单元还根据上述第三信息存储区域所存储的上述第三信息来对上述清漆制造工序的上述制造条件进行管理。
在该系统中，决定单元还根据第一信息存储区域所存储的第一信息以及第二信息存储区域所存储的第二信息来决定清漆制造工序的制造条件，管理单元还根据第三信息存储区域所存储的第三信息来管理清漆制造工序的制造条件。因此，能够高精度地制造适合于设为目的的光半导体装置的覆盖片材，进一步能够高精度地制造设为目的的光半导体装置。
另外，在本发明的系统中，优选第一信息包含与安装光半导体元件的基板相关的信息。
根据该系统，第一信息包含与安装光半导体元件的基板相关的信息，因此制造条件决定装置能够与上述各信息一起还具备与安装光半导体元件的基板相关的信息。
因此，制造管理装置根据与基于第一信息决定的制造条件相关的高精度的第三信息，能够更进一步高精度地管理片材制造工序的制造条件。
另外，在本发明的系统中，优选上述制造管理装置还具备：第四信息存储区域，其存储第四信息，该第四信息包含粒子、固化性树脂、清漆以及光半导体元件中至少一种的批次信息和/或每单位期间的光半导体装置的制造量；以及修正单元，其根据上述第四信息存储区域所存储的上述第四信息来对上述片材制造工序的上述制造条件进行修正。
粒子、固化性树脂、清漆以及光半导体元件的批次信息按批次发生变动。另外，每单位期间的光半导体装置的制造量按每个单位期间发生变动。因此，存在制造的光半导体装置的物性按每个批次和/或单位期间而发生变动的情况。在这种情况下，制造条件决定装置每次根据第四信息来决定制造条件是烦杂的。
但是，在该系统中，在制造管理装置中，能够由修正单元根据第四信息存储区域所存储的、包含粒子、固化性树脂、清漆以及光半导体元件中至少一种的批次信息和/或每单位期间的光半导体装置的制造量的第四信息来对片材制造工序的制造条件进行修正。因此，容易与批次信息和/或光半导体装置的制造量的变动对应地对片材制造工序的制造条件进行修正，能够高精度地制造设为目的的光半导体装置。
另外，在本发明的系统中，优选上述制造条件决定装置还具备第五信息存储区域，该第五信息存储区域存储与本次之前制造上述覆盖片材的制造条件相关的第五信息，上述制造条件决定装置根据上述第五信息存储区域所存储的上述第五信息来决定用于本次制造上述覆盖片材的制造条件。
根据该系统，制造条件决定装置能够存储与本次之前制造覆盖片材的制造条件相关的第五信息。因此，能够根据过去存储的制造条件在本次制造适合于设为目的的光半导体装置的覆盖片材，进一步能够在本次高精度地制造设为目的的光半导体装置。
另外，在本发明的系统中，优选上述制造条件决定装置经由网络与上述制造管理装置进行远程通信。
根据该系统，制造条件决定装置经由网络与制造管理装置进行远程通信，因此制造条件决定装置即使相对于制造管理装置位于远程，也能够将在制造条件决定装置中决定的片材制造工序的制造条件迅速地提供给制造管理装置。
另外，在本发明的系统中，优选上述制造管理装置被设置于片材制造装置内，上述制造条件决定装置被设置于相对于上述片材制造装置位于远端的控制部门。
根据该系统，即使制造管理装置被设置于片材制造装置内而制造条件决定装置被设置于相对于片材制造装置位于远端的控制部门，也由于制造条件决定装置经由网络与制造管理装置进行远程通信，而能够将在控制部门的制造条件决定装置中决定的片材制造工序的制造条件迅速地提供给制造管理装置。
本发明的制造条件决定装置用于决定光半导体装置的制造方法中的片材制造工序的制造条件，该光半导体装置的制造方法具备：清漆制造工序，制造包含粒子和固化性树脂的清漆；上述片材制造工序，从上述清漆制造B阶段的覆盖片材；以及覆盖工序，使用上述覆盖片材来覆盖光半导体元件，该制造条件决定装置的特征在于，具备：第一信息存储区域，其存储与上述光半导体元件相关的第一信息；第二信息存储区域，其存储与上述清漆相关的第二信息；以及决定单元，其根据上述第一信息存储区域所存储的上述第一信息以及上述第二信息存储区域所存储的上述第二信息来决定上述制造条件。
该制造条件决定装置具备第一信息存储区域、第二信息存储区域以及决定单元。
因此，根据该制造条件决定装置，将各第一信息和第二信息分别存储到第一信息存储区域和第二信息存储区域，能够通过决定单元来决定片材制造工序的制造条件。
其结果，根据上述片材制造工序的制造条件，能够高精度地制造设为目的的光半导体装置。
另外，在本发明的制造条件决定装置中，优选上述制造条件决定装置还决定上述清漆制造工序的制造条件，上述决定单元还根据上述第一信息存储区域所存储的上述第一信息以及上述第二信息存储区域所存储的上述第二信息来决定上述清漆制造工序的上述制造条件。
在该制造条件决定装置中，决定单元还根据第一信息存储区域所存储的第一信息以及第二信息存储区域所存储的第二信息来决定清漆制造工序的制造条件。因此，能够高精度地制造适合于设为目的的光半导体装置的覆盖片材，进一步能够高精度地制造设为目的的光半导体装置。
另外，在本发明的制造条件决定装置中，优选上述第一信息包含与安装上述光半导体元件的基板相关的信息。
根据该制造条件决定装置，第一信息包含与安装光半导体元件的基板相关的信息，因此制造条件决定装置能够与上述各信息一起还具备与安装光半导体元件的基板相关的信息。
因此，能够高精度地制造设为目的的光半导体装置。
另外，在本发明的制造条件决定装置中，优选还具备第五信息存储区域，该第五信息存储区域存储与本次之前制造上述覆盖片材的制造条件相关的第五信息，上述制造条件决定装置根据上述第五信息存储区域所存储的上述第五信息来决定用于本次制造上述覆盖片材的制造条件。
根据该制造条件决定装置，能够存储与本次之前制造覆盖片材的制造条件相关的第五信息。因此，能够根据过去存储的制造条件在本次制造适合于设为目的的光半导体装置的覆盖片材，进一步能够在本次高精度地制造设为目的的光半导体装置。
本发明的制造管理装置用于管理光半导体装置的制造方法中的片材制造工序的制造条件，该光半导体装置的制造方法具备：清漆制造工序，制造包含粒子和固化性树脂的清漆；上述片材制造工序，从上述清漆制造B阶段的覆盖片材；以及覆盖工序，使用上述覆盖片材来覆盖光半导体元件，该制造管理装置的特征在于，具备：第三信息存储区域，其存储与上述制造条件相关的第三信息；以及管理单元，其根据上述第三信息存储区域所存储的上述第三信息来对上述片材制造工序的上述制造条件进行管理。
根据该制造管理装置，将与片材制造工序的制造条件相关的第三信息存储到第三信息存储区域，能够由管理单元根据上述第三信息来高精度地管理片材制造工序的制造条件。
因此，能够高精度地制造设为目的的光半导体装置。
另外，在本发明的制造管理装置中，优选上述制造管理装置还对上述清漆制造工序的制造条件进行管理，上述管理单元还根据上述第三信息存储区域所存储的上述第三信息来对上述清漆制造工序的上述制造条件进行管理。
根据该制造管理装置，管理单元还根据第三信息存储区域所存储的第三信息来管理清漆制造工序的制造条件，因此能够高精度地制造适合于设为目的的光半导体装置的覆盖片材，进一步能够高精度地制造设为目的的光半导体装置。
另外，在本发明的制造管理装置中，优选还具备：第四信息存储区域，其存储第四信息，该第四信息包含粒子、固化性树脂、清漆以及光半导体元件中至少一种的批次信息和/或每单位期间的光半导体装置的制造量；以及修正单元，其根据上述第四信息存储区域所存储的上述第四信息来对上述片材制造工序的上述制造条件进行修正。
粒子、固化性树脂、清漆以及光半导体元件的批次信息按每个批次而发生变动。另外，每单位期间的光半导体装置的制造量按每个单位期间而发生变动。因此，存在制造的光半导体装置的物性按每个批次和/或单位期间而发生变动的情况。在这样的情况下，制造条件决定装置每次根据第四信息来决定制造条件是烦杂的。
但是，在该制造管理装置中，能够由修正单元根据第四信息存储区域所存储的、包含粒子、固化性树脂、清漆以及光半导体元件中的至少一种的批次信息和/或每单位期间的光半导体装置的制造量的第四信息来对片材制造工序的制造条件进行修正。因此，容易与批次信息和/或光半导体装置的制造量的变动对应地对片材制造工序的制造条件进行修正，能够高精度地制造设为目的的光半导体装置。
发明的效果
根据具备本发明的制造条件决定装置和制造管理装置的本发明的系统，能够与制造管理装置分开地在制造条件决定装置中进行决定，并且能够由制造管理装置进行管理。另外，能够高精度地制造设为目的的光半导体装置。
附图说明
图1是表示本发明的系统的一个实施方式的概要结构图。
图2A～图2E是表示图1示出的密封片材的放大截面图，图2A示出仅由荧光体层构成的密封片材，图2B示出具备荧光体的浓度不同的多个荧光体层的密封片材，图2C示出具备具有向下方打开的凹部的树脂层以及填充到凹部的荧光体层的密封片材，图2D示出具备截面大致为梯形状的荧光体层以及形成于其周围的树脂层的密封片材，图2E示出具备截面大致为矩形状的荧光体层以及形成于其周围的树脂层的密封片材。
图3F～图3G是表示图1示出的密封片材的放大截面图，图3F示出具备树脂层以及形成于树脂层的上侧的荧光体层的密封片材，图3G示出具备树脂层、形成于树脂层的上侧的荧光体层以及在树脂层的下侧以包围用于形成光半导体元件的部分的方式形成的功能层的密封片材。
图4示出图1的变形例的系统的概要结构图。
图5A～图5B是图2A的密封片材的变形例的放大截面图，图5A示出将覆盖片材相对配置在覆盖光半导体元件的密封层的上侧的状态，图5B示出将覆盖片材层叠在密封层的上表面的状态。
具体实施方式
[系统的结构]
作为本发明的一个实施方式的系统1是设置于密封片材制造工厂的控制部门5以及与该密封片材制造工厂分开设置的光半导体装置制造工厂4的系统。系统1对光半导体装置20的制造方法中的清漆制造工序S1和片材制造工序S2的制造条件进行决定和管理，该光半导体装置20的制造方法具备：清漆制造工序S1，制造包含粒子和固化性树脂的清漆11；片材制造工序S2，从清漆11制造作为B阶段的覆盖片材的密封片材12；以及密封工序S3(覆盖工序的一例)，用密封片材12来密封光半导体元件13。系统1具备制造条件决定装置2以及作为制造管理装置的片材制造管理装置3。
控制部门5例如设置在能够制造与由光半导体装置制造工厂4的片材制造装置34(后述)制造的密封片材12相同的密封片材12的密封片材制造工厂内。
控制部门5具备制造条件决定装置2。
制造条件决定装置2具备作为第一信息存储区域的第一存储器6、作为第二信息存储区域的第二存储器7、作为决定单元的第一CPU8以及作为第五信息存储区域的第五存储器10。
第一存储器6存在与光半导体元件13、安装光半导体元件13的基板14以及光半导体装置20相关的第一信息15。
作为第一信息15，具体地说作为与光半导体元件13相关的信息，例如可举出光半导体元件13的形状、光半导体元件13的尺寸、光半导体元件13的发光峰值波长、基板14的每个单位面积的光半导体元件13的安装数以及每一个基板14的光半导体元件13的安装数等。
另外，作为第一信息15，具体地说作为与基板14相关的信息，例如可举出基板14的外形形状、基板14的尺寸以及基板14的表面形状(是否存在凹部等)等。
并且，作为第一信息15，具体地说作为与光半导体装置20相关的信息，例如可举出光半导体装置20的色温、光半导体装置20的总光通量以及光半导体装置20的配光特性等。具体地说，在设为目标的光的颜色为自然光的情况下，目标色温例如为4600K以上且例如为5500K以下。另外，在设为目标的光的颜色为白色的情况下，目标色温例如为3250K以上且例如为3800K以下。从上述温度范围中选择目标色温。
第一存储器6构成为从光半导体装置制造工厂4所具有的第一信息源21对其进行输入。
第二存储器7存储与清漆11相关的第二信息16。
作为第二信息16，具体地说作为与粒子相关的信息，例如可举出粒子的种类、粒子的混合比例、粒子的最大长度的平均值(在粒子为球形状的情况下为平均粒径)等。此外，在粒子包含后述的荧光体的情况下，作为与粒子相关的信息，还可举出荧光体的吸收峰值波长。另外，作为第二信息16，具体地说作为与固化性树脂相关的信息，例如可举出固化性树脂的种类、固化性树脂的粘度、固化性树脂的混合比例以及固化性树脂的固化速度等。并且，作为第二信息16，具体地说作为与清漆相关的信息，例如可举出清漆的粘度。另外，作为第二信息16，在脱模片材28(后述)设置有定位标记(未图示)的情况下，还可举出涂布后的多个清漆11的相对位置信息等。
第二信息16构成为从密封片材制造工厂的控制部门5所具有的第二信息源22输入。
第一CPU8是基于第一存储器6所存储的第一信息15以及第二存储器7所存储的第二信息16来决定密封片材12的制造条件的决定装置。
在第一CPU8中预先存储有规定的程序处理，第一CPU8按照程序处理来决定密封片材12的制造条件。
作为密封片材12的制造条件，例如可举出密封片材12的层结构的种类、清漆11的涂布条件等。此外，在密封片材12为后述的B阶段的情况下，还可举出使A阶段的清漆11B阶段化时的清漆11的加热条件、活性能量射线的照射条件等。另外，还可举出B阶段的密封片材12的硬度信息(例如，压缩弹性率)。
如参照图2A～图2E和图3F～图3G那样，密封片材12例如以具备含有荧光体的荧光体层26的含荧光体密封片材、即荧光体片材构成。作为密封片材12的层结构，例如可举出图2A～图2E所示那样荧光体层26能够与光半导体元件13(虚拟线)直接接触的接触结构以及例如图3F和图3G所示那样荧光体层26能够覆盖光半导体元件13、另一方面在荧光体层26与光半导体元件13(虚拟线)之间隔着间隔的分离结构等。
在图2A～图2E和图3F～图3G中虚拟线示出的部件表示被埋设于密封片材12的光半导体元件13。
作为接触结构的密封片材12，从例如图2A所示那样仅由荧光体层26构成的密封片材12A、如图2B所示那样具备荧光体的浓度不同且在厚度方向上层叠的多个荧光体层26A和26B的密封片材12B、如图2C所示那样具备具有向下方打开的凹部的树脂层27和填充到凹部的荧光体层26的密封片材12C、参照图2D和图2E那样具备俯视观察大致圆形状或者俯视观察大致矩形状的荧光体层26和形成于其周围的树脂层27的密封片材12、即如图2D所示那样荧光体层26形成为随着朝向上侧而宽度变大的截面观察大致梯形状的密封片材12D以及如图2E所示那样荧光体层26形成为截面观察大致矩形状的密封片材12E等中选择。
另外，作为分离结构的密封片材12，例如从图3F所示那样具备树脂层27和形成于树脂层27的上侧的荧光体层26的密封片材12F以及例如图3G所示那样具备树脂层27、形成于树脂层27的上侧的荧光体层26、在树脂层27的下侧仰视观察形成为包围要形成光半导体元件13的部分的功能层29的密封片材12F等中选择。此外，在图3G中，通过在树脂中混合具备荧光体等的波长变换功能、白色颜料(具体地说，二氧化钛等)等光反射功能的功能材料来选择功能层29。
具体地说，作为具有上述各种结构的密封片材12，可举出公知的密封片材，具体地说，作为接触结构的密封片材12，例如从日本特开2010-067641号公报、日本特开2009-231750号公报、日本特开2009-188207号公报、日本特开2009-182149号公报、日本特开2009-099784号公报、日本特开2009-060031号公报等所记载的密封片材(荧光体片材)中选择(决定)，并且，作为分离结构的密封片材12，例如从日本特开2011-258634号公报、日本特开2011-228525号公报、日本特开2011-159874号公报、日本特开2011-082340号公报、日本特开2010-192844号公报、日本特开2010-153500号公报、日本特开2010-123802号公报等所记载的密封片材(荧光体片材)中选择(决定)。
适当地选择具有接触结构的荧光体层26、荧光体的浓度不同的两个荧光体层26A和荧光体层26B以及树脂层27(包含凹部)的尺寸，从上述公开公报所记载的范围中选择。
作为清漆11的涂布条件，例如可举出紧接着涂布之后的清漆11的形状、紧接着涂布之后的清漆11的厚度等。此外，上述形状包含清漆11相互隔开间隔而成的形状。
如图1所示，第一CPU8构成为能够读取第一存储器6所存储的第一信息15和第二存储器7所存储的第二信息16。
如图1所示，第五存储器10是用于存储由第一CPU8决定的密封片材12的制造条件的区域。
此外，在第五存储器10中设置有记录区域(未图示)，该记录区域(未图示)能够记录与本次之前制造密封片材12的制造条件相关的第五信息19。此外，记录区域所记录并存储的第五信息19构成为在本次的制造中由第一CPU8读取而再次由第一CPU8决定密封片材12的制造条件。
光半导体装置制造工厂4根据需要设置在与具有控制部门5的密封片材制造工厂(未图示)不同的位置，具体地说设置在远离密封片材制造工厂(未图示)的位置(远程的位置)，光半导体装置制造工厂4具备片材制造装置34和密封装置32。
片材制造装置34具备清漆制造装置33、片材化装置31以及片材制造管理装置3。
清漆制造装置33例如具备容器52，该容器52配备搅拌机51。
片材化装置31例如具备分配器、涂抹器、狭缝式涂布机等涂布装置53。作为涂布装置53，优选举出分配器。另外，片材化装置31还能够具备干燥机55，该干燥机55具有在上下方向上相互隔开间隔配置的加热器54。
片材制造管理装置3相对于控制部门5位于远程。片材制造管理装置3具备作为第三信息存储区域的第三存储器23、作为第四信息存储区域的第四存储器24以及管理单元即作为修正单元的第二CPU25。
第三存储器23存储与由第一CPU8决定的密封片材12的制造条件相关的第三信息17。
第三信息17包含由第一CPU8决定的密封片材12的制造条件。
第三存储器23构成为从第五存储器10对该第三存储器23输入在第五存储器10中确定的第三信息17。
第四存储器24存储第四信息18，该第四信息18包含粒子、固化性树脂、清漆以及光半导体元件13中至少一种的批次信息和/或每单位期间的光半导体装置20的制造量。
批次信息是随着批次的变更而变动的信息，具体地说，可举出根据批次不同而不同的粒子的最大长度的平均值(在粒子为球形状的情况下，平均粒径)等，并且，可举出根据批次不同而不同的固化性树脂的粘度等。此外，在粒子包含荧光体的情况下，作为荧光体的批次信息，可举出根据批次不同而不同的荧光体的吸收峰值波长。并且，作为根据批次不同而不同的与清漆相关的信息，可举出由上述粒子和/或固化性树脂的批次不同引起的清漆的粘度。
作为每个单位期间的光半导体装置20的制造量，以每个月的光半导体装置20的制造量，例如从1000个以上、优选5000个以上且例如200，000个以下的范围中选择。
第四存储器24构成为被从光半导体装置制造工厂4内的第一信息源21以及密封片材制造工厂(未图示)的控制部门5内的第二信息源22输入第四信息18。
作为第四信息18中从第一信息源21输入的第四信息18B，例如可举出光半导体元件13的批次信息、每个单位期间的光半导体装置20的制造量，并且，作为从第二信息源22输入的第四信息18A，例如可举出粒子的批次信息、固化性树脂的批次信息以及清漆的批次信息。
在第二CPU25中预先存储有规定的程序处理，第二CPU25基于第三存储器23所存储的第三信息17，对清漆制造工序S1的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件进行管理。另外，第二CPU25还能够基于第四存储器24所存储的第四信息18对清漆制造工序S1的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件进行修正。
第二CPU25构成为能够读取第三存储器23所存储的第三信息17以及第四存储器24所存储的第四信息18。
第二CPU25构成为能够对各清漆制造装置33和片材化装置31分别管理且修正清漆制造工序S1的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件。
密封装置32具备加压装置35和密封控制装置36。
加压装置35例如在上下方向上隔开间隔相对配置，可选择具有两个平板41的加压机等，该两个平板41能够在上下方向上按压密封片材12和基板14。
密封控制装置36构成为能够控制密封工序S3的密封条件。此外，构成为在密封控制装置36中设置有未图示的存储器，被从第一信息源21输入密封工序S3的密封条件，而且，控制密封工序S3的密封条件。
接着，说明利用该系统1在光半导体装置制造工厂4制造光半导体装置20的方法。
1.制造条件决定工序
在该方法中，首先，将第一信息15从第一信息源21输入到第一存储器6。不特别限定第一信息15向第一存储器6的输入，例如，通过(经由)连接第一信息源21与第一存储器6的网络等线路来输入第一信息15。或者，还能够例如从第一信息源21经由传真、邮件、邮政等通信单元之后将第一信息15输入到第一存储器6。
另外，将第二信息16从第二信息源22输入到第二存储器7。将第二信息16输入到第二存储器7的方法与第一信息15输入到第一存储器6的输入方法相同。
接着，第一CPU8读取第一存储器6所存储的第一信息15和第二存储器7所存储的第二信息16，接着，按照规定的程序处理，基于这些第一信息15和第二信息16，决定密封片材12的制造条件作为第三信息17(下面详细进行说明)。
2.制造管理工序
之后，由第一CPU8决定的第三信息17被记录到第五存储器10，接着，记录到第五存储器10的第三信息17被输入到第三存储器23。
将第三信息17输入到第三存储器23的方法与第一信息15输入到第一存储器6的输入方法相同。
另外，将第四信息18从第一信息源21和第二信息源22输入到第四存储器24。将第四信息18输入到第四存储器24的方法与第一信息15输入到第一存储器6的输入方法相同。
之后，第二CPU25读取第三存储器23所存储的第三信息17，接着，按照规定的程序处理，基于第三信息17对清漆制造工序S1的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件进行管理。
而且，在片材制造装置34中，基于由第二CPU25管理的制造条件，依次实施清漆制造工序S1和片材制造工序S2。
3.清漆制造工序S1
在清漆制造装置33中，首先，按照由第二CPU25管理的制造条件来实施清漆制造工序S1。
具体地说，在清漆制造工序S1中，首先，分别准备粒子和固化性树脂，将这些粒子和固化性树脂进行混合，将清漆11制备为含粒子的固化性树脂组合物。
作为粒子，例如从荧光体、填充剂等中选择。
荧光体具有波长变换功能，例如从能够将蓝色光变换为黄色光的黄色荧光体、能够将蓝色光变换为红色光的红色荧光体等中选择。
作为黄色荧光体，例如从(Ba，Sr，Ca)2SiO4;Eu、(Sr，Ba)2SiO4:Eu(正硅酸钡(BOS))等硅酸盐荧光体、例如Y3Al5O12:Ce(YAG(钇·铝·石榴石):Ce)、Tb3Al3O12:Ce(TAG(铽·铝·石榴石):Ce)等具有石榴石型晶体结构的石榴石型荧光体、例如Ca-α-SiAlON等氮氧化物荧光体等中选择。
作为红色荧光体，例如从CaAlSiN3：Eu、CaSiN2：Eu等氮化物荧光体等中选择。
作为荧光体的形状，例如从球状、板状、针状等中选择。
荧光体的最大长度的平均值(在是球状的情况下，平均粒径)例如从0.1μm以上、优选1μm以上且例如200μm以下、优选100μm以下的范围中选择。
荧光体的吸收峰值波长例如从300nm以上、优选430nm以上且例如550nm以下、优选470nm以下的范围中选择。
以单独使用或者一起使用的方式选择荧光体。
荧光体的混合比例从相对于固化性树脂100质量部例如为0.1质量部以上、优选为0.5质量部以上且例如为80质量部以下、优选50质量部以下的范围中选择。
作为填充剂，例如从有机硅粒子(具体地说，包含有机硅橡胶粒子)等有机微粒子、例如二氧化硅(例如，烟雾二氧化硅等)、滑石、氧化铝、氮化铝、氮化硅等无机微粒子中选择。另外，填充剂的最大长度的平均值(在为球状的情况下，平均粒径)例如从0.1μm以上、优选1μm以上且例如200μm以下、优选100μm以下的范围中选择。以单独使用或者一起使用的方式选择填充剂。填充剂的混合比例从相对于固化性树脂100质量部例如0.1质量部以上、优选0.5质量部以上且例如70质量部以下、优选50质量部以下的范围中选择。
作为固化性树脂，例如从两阶段固化型树脂中选择，该两阶段固化型树脂具有两个阶段的反应机理，通过第一阶段的反应B阶段化(半固化)，通过第二阶段的反应C阶段化(完全固化)。
作为两阶段固化型树脂，例如从通过加热而固化的两阶段固化型热固性树脂、例如通过活性能量射线(例如紫外线、电子射线等)的照射而固化的两阶段固化型活性能量射线固化性树脂等中选择。优选选择两阶段固化型热固性树脂。
具体地说，作为两阶段固化型热固性树脂，例如从有机硅树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂等中选择。从光透过性和耐久性的观点出发，优选从两阶段固化型有机硅树脂中选择。
作为两阶段固化型有机硅树脂，例如从具有缩合反应和加成反应这两种反应体系的缩合反应/加成反应固化型有机硅树脂等中选择。
作为这样的缩合反应/加成反应固化型有机硅树脂，选自：例如含有硅烷醇基两末端聚硅氧烷、含烯基的三烷氧基硅烷、有机氢聚硅氧烷、缩合催化剂以及氢化硅烷化催化剂的第一缩合反应/加成反应固化型有机硅树脂，例如含有硅烷醇基两末端聚硅氧烷、含烯属不饱和烃基的硅化合物、含烯属不饱和烃基的硅化合物、有机氢聚硅氧烷、缩合催化剂以及氢化硅烷化催化剂的第二缩合反应/加成反应固化型有机硅树脂，例如含有两末端硅烷醇基型硅油、含烯基的二烷氧基烷基硅烷、有机氢聚硅氧烷、缩合催化剂以及氢化硅烷化催化剂的第三缩合反应/加成反应固化型有机硅树脂，例如含有1分子中至少具有2个烯基硅烷基的有机聚硅氧烷、1分子中至少具有2个氢化硅烷基的有机聚硅氧烷、氢化硅烷化催化剂以及固化延迟剂的第四缩合反应/加成反应固化型有机硅树脂，例如含有在1分子中同时具有至少2个烯属不饱和烃基和至少2个氢化硅烷基的第一有机聚硅氧烷、不含烯属不饱和烃基且在1分子中具有至少2个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷、氢化硅烷化催化剂以及氢化硅烷化抑制剂的第五缩合反应/加成反应固化型有机硅树脂，例如含有在1分子中同时具有至少2个烯属不饱和烃基和至少2个硅烷醇基的第一有机聚硅氧烷、不含烯属不饱和烃基且1分子中具有至少2个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷、氢化硅烷化抑制剂以及氢化硅烷化催化剂的第六缩合反应/加成反应固化型有机硅树脂，例如含有硅化合物以及硼化合物或者铝化合物的第七缩合反应/加成反应固化型有机硅树脂，例如含有聚铝硅氧烷以及硅烷偶联剂的第八缩合反应/加成反应固化型有机硅树脂等。
A阶段的两阶段固化型树脂的粘度例如从3000mPa·s以上、优选5000mPa·s以上且例如20000mPa·s以下、优选15000mPa·s以下的范围中选择。此外，将A阶段的两阶段固化型树脂的温度调节为25℃，使用E型圆锥以转速99s-1来测量A阶段的两阶段固化型树脂的粘度。通过与上述方法相同的方法测量以下的粘度。
固化性树脂的混合比例从相对于含粒子的固化性树脂组合物(清漆)例如30质量%以上、优选40质量%以上、更优选50质量%以上且例如98质量%以下、优选95质量%以下、更优选90质量%以下的范围中选择。
另外，根据需要，还能够使含粒子的固化性树脂组合物含有溶剂。
作为溶剂，选自：例如己烷等脂肪族烃，例如二甲苯等芳香族烃，例如乙烯基甲基环状硅氧烷、两末端乙烯基聚二甲基硅氧烷等硅氧烷等。溶剂以含颗粒固化性树脂组合物成为后述的粘度那样的配混比例在含颗粒的固化性树脂组合物中配混。
在制备含粒子的固化性树脂组合物时，具体地说，如图1所示，在清漆制造装置33中，基于由第二CPU25管理的清漆制造工序S1的制造条件，例如由第二CPU25管理的与密封片材12的层结构对应的清漆11的种类、更具体地说由第二CPU25管理的粒子的种类、粒子的混合比例、粒子的最大长度的平均值(在粒子为球形状的情况下，平均粒径)、固化性树脂的种类、固化性树脂的粘度、固化性树脂的混合比例、在粒子包含荧光体的情况下荧光体的吸收峰值波长、清漆11的粘度等，来在容器52内混合上述各成分。接着，使用搅拌机51来混合这些上述各成分。
由此，制备清漆11。
此外，在固化性树脂为两阶段固化型树脂的情况下，以A阶段的含粒子的固化性树脂组合物制备清漆11。
将清漆11在25℃、一个气压条件下的粘度例如调整为1，000mPa·s以上、优选4，000mPa·s以上且例如1，000，000mPa·s以下、优选100，000mPa·s以下的范围内。
4.片材制造工序S2
在片材化装置31中，在清漆制造工序S1之后，按照由第二CPU25管理的制造条件实施片材制造工序S2。
即，从清漆11形成密封片材12。
在形成密封片材12时，例如，首先将清漆11涂布到脱模片材28的表面。
作为脱模片材28，例如从聚乙烯膜、聚酯膜(PET等)等聚合物膜、例如陶瓷片材、例如金属箔等中选择。优选从聚合物膜中选择。另外，还能够在脱模片材28的表面实施氟处理等剥离处理。另外，脱模片材28的形状并不特别进行限定，例如从俯视观察大致矩形状(包含短条状、长条状)等中选择。并且，作为脱模片材28，选择是否形成定位标记(未图示)以及定位标记的位置信息、尺寸等。形成标记以确保涂布清漆11的区域。
在将清漆11涂布到脱模片材28的表面时，例如选择分配器、涂抹器、狭缝式涂布机等涂布装置53。优选选择分配器。
从清漆11的涂布条件中选择密封片材12的厚度，以使其例如成为10μm以上、优选50μm以上且例如2000μm以下、优选1000μm以下。
也就是说，从涂布装置53的涂布条件中进行选择，以将清漆11调节为由第二CPU25管理的制造条件，具体地说是由第二CPU25管理的紧接着涂布之后的清漆11的形状、紧接着涂布之后的清漆11的厚度。
此外，在脱模片材28形成有定位标记(未图示)的情况下，一边用涂布装置5所配备的传感器(未图示)确认相对于定位标记的涂布位置一边调节清漆11相对于定位标记的相对位置。
之后，在清漆11含有两阶段固化型树脂的情况下，使清漆11B阶段化。具体地说，如果从热固型中选择两阶段固化型树脂，则将清漆11投放到干燥机55内来对清漆11进行加热。
加热条件从加热温度例如为40℃以上、优选80℃以上、更优选100℃以上且例如200℃以下、优选150℃以下、更优选140℃以下的范围中选择。加热时间例如从1分钟以上、优选5分钟以上、更优选10分钟以上且例如24小时以下、优选1小时以下、更优选0.5小时以下的范围中选择。
另一方面，如果从活性能量固化型中选择两阶段固化型树脂，则使用紫外线灯(未图示)对清漆11照射紫外线。
由此，制造在脱模片材28的表面层叠的密封片材12。
密封片材12的硬度信息之一的25℃时的压缩弹性率例如被调节为0.040MPa以上、优选0.050MPa以上、更优选0.075MPa以上、进一步优选0.100MPa以上且例如0.145MPa以下、优选0.140MPa以下、更优选0.135MPa以下、进一步优选0.125MPa以下的范围。
5.密封工序S3
在密封装置32的加压装置35中，在片材制造工序S2之后，按照由密封控制装置36控制的条件来实施密封工序S3。
具体地说，在密封工序S3中，首先准备安装了光半导体元件13的基板14。
基板14例如从在硅基板、陶瓷基板、聚酰亚胺树脂基板、金属基板上层叠绝缘层得到的层叠基板等绝缘基板中选择。
另外，在基板14的表面形成有导体图案(未图示)，该导体图案(未图示)具备用于与以下说明的光半导体元件13的端子(未图示)进行电连接的电极(未图示)以及与该电极(未图示)连续的布线。导体图案例如从金、铜、银、镍等导体中选择。
另外，基板14的表面形成为平坦状。或者，虽然并未图示，但是也可以在基板14的要安装光半导体元件13的表面形成朝向下方凹下的凹部。
基板14的外形形状并不特别进行限定，例如从俯视观察大致矩形状、俯视观察大致圆形状等中选择。适当地选择基板14的尺寸，例如从最大长度例如2mm以上、优选10mm以上且例如300mm以下、优选100mm以下的范围中选择。
光半导体元件13是将电能变换为光能的LED(发光二极管元件)、LD(激光二极管)等，例如从厚度比面方向长度(与厚度方向正交的正交方向长度)短的截面观察大致矩形状中选择。作为光半导体元件13，优选从发出蓝色光的蓝色LED中选择。根据用途和目的适当地选择光半导体元件13的尺寸，具体地说，厚度从例如10μm以上且1000μm以下而最大长度例如0.05mm以上、优选0.1mm以上且例如5mm以下、优选2mm以下的范围中选择。
光半导体元件13的发光峰值波长例如从400nm以上、优选430nm以上且例如500nm以下、优选470nm以下的范围中选择。
将光半导体元件13例如倒装安装到基板14或者引线接合连接到基板14。
另外，能够将多个(在图1中三个)光半导体元件13安装到一个基板14。每一个基板14的光半导体元件13的安装数例如从1以上、优选4以上且例如2000以下、优选400以下的范围中选择。
接着，在该方法中，将安装了光半导体元件13的基板14设置于加压装置35。
具体地说，在将安装了光半导体元件13的基板14设置于加压装置35时，将安装了光半导体元件13的基板14设置于下侧的平板41。
接着，使层叠在脱模片材28的上表面的密封片材12上下反转，使其与光半导体元件13的上侧相对置。也就是说，将密封片材12配置成朝向光半导体元件13。
接着，用密封片材12覆盖光半导体元件13。用密封片材12埋设光半导体元件13。
具体地说，基于由密封控制装置36控制的加压条件，用密封片材12覆盖光半导体元件13。
具体地说，如图1的箭头所示，使密封片材12下降(按下)。详细地说，将密封片材12加压到安装了光半导体元件13的基板14。
由此，用密封片材12覆盖光半导体元件13。
也就是说，用密封片材12埋设光半导体元件13，并且在密封片材12具备荧光体层26(参照图2)的情况下，用荧光体层26覆盖光半导体元件13。
详细地说，如图2A～图2E所示，在从接触结构中选择密封片材12的荧光体层26的层结构的情况下，荧光体层26与光半导体元件13(图2的虚拟线)的表面直接接触，用荧光体层26覆盖光半导体元件13。也就是说，荧光体层26密封光半导体元件13。换言之，荧光体层26兼作密封层。
另一方面，如图3F和图3G所示，在从分离结构中选择密封片材12的荧光体层26的层结构的情况下，荧光体层26被配置成与光半导体元件13(图3的虚拟线)隔着树脂层27并且覆盖光半导体元件13的上侧。另一方面，树脂层27与光半导体元件13(图2的虚拟线)的表面直接接触并覆盖光半导体元件13。也就是说，树脂层27密封光半导体元件13而形成密封层。
之后，如果密封片材12处于B阶段，则使密封片材12C阶段化。
例如，基于由密封控制装置36控制的、C阶段化中的密封片材12的加热条件、活性能量射线的照射条件，使密封片材12C阶段化。
具体地说，在从热固化型中选择两阶段固化型树脂的情况下，对B阶段的密封片材12进行加热。
详细具体地说，一边维持平板41对密封片材12的加压状态一边投放到干燥机内。由此，对B阶段的密封片材12进行加热。
加热温度从例如80℃以上、优选100℃以上且例如200℃以下、优选180℃以下的范围中选择。另外，加热时间从例如10分钟以上、优选30分钟以上且例如10小时以下、优选5小时以下的范围中选择。
通过对密封片材12的加热，使B阶段的密封片材12C阶段化(完全固化)。
另一方面，在从活性能量射线固化型中选择两阶段固化型树脂的情况下，通过对密封片材12照射活性能量射线来使B阶段的密封片材12C阶段化(完全固化)。具体地说，使用紫外线灯等对B阶段的密封片材12照射紫外线。
由此，制造出具备密封片材12、用密封片材12密封的光半导体元件13以及安装了光半导体元件13的基板14的光半导体装置20。
在图1中，在一个光半导体装置20中设置有多个(三个)光半导体元件13。
之后，如箭头所示，从密封片材12剥下脱模片材28。
此外，之后，根据需要在将多个光半导体元件13安装于一个基板14的情况下，还能够与各光半导体元件13对应地切断密封片材12而单片化。
6.制造条件的累积、批次变更以及每个单位期间的制造量
在本次之前的密封片材12的制造过程中，将清漆制造工序S1的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件记录并累积到第五存储器10的记录区域(未图示)。
也就是说，第五存储器10将第三信息17输入到第三存储器23，并且将第三信息17作为是过去的信息的第五信息19而直接累积到第五存储器10的记录区域。
而且，通过本次的密封片材12的制造，第一CPU8读取累积到第五存储器10的、本次之前制造密封片材12的清漆制造工序S1的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件，根据该制造条件来决定本次的清漆制造工序S1的制造条件以及本次的片材制造工序S2的制造条件。
另外，粒子、固化性树脂、清漆和光半导体元件13中至少一种的批次信息和/或每个单位期间的光半导体装置20的制造量发生变动。与该变动对应地，将它们的第四信息18从第一信息源21和第二信息源22输入到第四存储器24，接着，第二CPU25读取第四存储器24所存储的第四信息18，按照规定的程序处理，对清漆制造工序S1的制造条件和/或片材制造工序S2的制造条件进行修正。
[作用效果]
而且，在该系统1中，制造条件决定装置2具备第一存储器6、第二存储器7以及第一CPU8，另一方面，片材制造管理装置3具备第三存储器23和第二CPU25。
而且，制造条件决定装置2将各第一信息15和第二信息16分别存储到第一存储器6和第二存储器7，由第一CPU8决定片材制造工序S2的制造条件，能够将该片材制造工序S2的制造条件提供给片材制造管理装置3。
而且，在片材制造管理装置3中，将从制造条件决定装置2提供的与制造条件相关的第三信息17存储到第三存储器23，根据上述第三信息17，由第二CPU25对片材制造工序S2的制造条件进行管理。
因此，能够与片材制造管理装置3分开地在制造条件决定装置2中决定片材制造工序S2的制造条件，并且能够由片材制造管理装置3管理片材制造工序S2的制造条件。
另外，从制造条件决定装置2提供的与片材制造工序S2的制造条件相关的第三信息17基于第一信息15和第二信息16。因此，片材制造管理装置3能够基于从制造条件决定装置2提供的第三信息17，由第二CPU25来高精度地管理片材制造工序S2的制造条件。其结果，能够高精度地制造设为目的的光半导体装置20。
另外，在该系统1中，第一CPU8基于第一存储器6所存储的第一信息15以及第二存储器7所存储的第二信息16，还决定清漆制造工序S1的制造条件，第二CPU25基于第三存储器23所存储的第三信息17，还管理清漆制造工序S1的制造条件。因此，能够高精度地制造适合于设为目的的光半导体装置20的密封片材12，进一步能够高精度地制造设为目的的光半导体装置20。
并且，根据该系统1，第一信息15包含与安装光半导体元件13的基板14相关的信息，因此制造条件决定装置2还和与光半导体元件13相关的信息以及与光半导体装置20相关的信息一起具备与安装光半导体元件13的基板14相关的信息。
因此，片材制造管理装置3根据基于第一信息15决定的与片材制造工序S2的制造条件相关的高精度的第三信息17，能够更进一步高精度地管理片材制造工序S2的制造条件。
另外，在该系统1中，在片材制造管理装置3中，由第二CPU25根据第四存储器24所存储的包含粒子、固化性树脂、清漆以及光半导体元件13中至少一种的批次信息和/或每个单位期间的光半导体装置20的制造量的第四信息18，能够对片材制造工序S2的制造条件进行修正。因此，容易与批次信息和/或光半导体装置20的制造量的变动对应地，对清漆制造工序S1的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件进行修正，能够高精度地制造设为目的的光半导体装置20。
并且，根据该系统1，制造条件决定装置2的第五存储器10能够累积与本次之前制造密封片材12的制造条件相关的第五信息19。因此，能够基于过去累积的制造条件，在本次制造适合于设为目的的光半导体装置20的密封片材12，并且能够在本次高精度地制造设为目的的光半导体装置20。
根据该系统1，制造条件决定装置2能够经由网络与片材制造管理装置3进行远程通信，因此制造条件决定装置2即使相对于片材制造管理装置3位于远程，也能够将在制造条件决定装置2中决定的片材制造工序S2的制造条件迅速地提供给片材制造管理装置3。
根据该系统1，即使片材制造管理装置3被设置于光半导体装置制造工厂4的片材制造装置34内而制造条件决定装置2被设置在相对于密封片材制造工厂位于远端的控制部门5，也由于制造条件决定装置2经由网络与片材制造管理装置3远程通信，而能够将在制造条件决定装置2中决定的片材制造工序S2的制造条件迅速地提供给片材制造管理装置3。
该制造条件决定装置2具备第一存储器6、第二存储器7以及第一CPU8。
因此，根据该制造条件决定装置2，能够将各第一信息15和第二信息16分别存储到第一存储器6和第二存储器7，由第一CPU8决定清漆制造工序S1的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件。
其结果，如果基于上述清漆制造工序S1的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件，则能够高精度地制造设为目的的光半导体装置20。
另外，在该制造条件决定装置2中，第二CPU25基于第一存储器6所存储的第一信息15以及第二存储器7所存储的第二信息16，还决定清漆制造工序S1的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件。因此，能够高精度地制造适合于设为目的的光半导体装置20的密封片材12，进一步能够高精度地制造设为目的的光半导体装置20。
另外，根据该制造条件决定装置2，第一信息15包含与安装光半导体元件13的基板14相关的信息，因此制造条件决定装置2还能够和与光半导体元件13相关的信息以及与光半导体装置20相关的信息一起具备与安装光半导体元件13的基板14相关的信息。
因此，能够高精度地制造设为目的的光半导体装置20。
根据该制造条件决定装置2，能够累积与本次之前制造密封片材12的制造条件相关的第五信息19。因此，能够基于过去累积的制造条件，在本次制造适合于设为目的的光半导体装置20的密封片材12，进一步能够在本次高精度地制造设为目的的光半导体装置20。
根据该片材制造管理装置3，能够将包含与清漆制造工序S1相关的制造条件以及与片材制造工序S2的制造条件相关的制造条件的第三信息17存储到第三存储器23，基于上述第三信息17，由第二CPU25高精度地管理与清漆制造工序S1相关的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件。
因此，能够高精度地制造设为目的的光半导体装置20。
另外，根据该片材制造管理装置3，第二CPU25基于第三存储器23所存储的第三信息17，还管理与清漆制造工序S1相关的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件，因此能够高精度地制造适合于设为目的的光半导体装置20的密封片材12，进一步能够高精度地制造设为目的的光半导体装置20。
另外，在该片材制造管理装置3中，由第二CPU25基于第四存储器24所存储的包含粒子、固化性树脂、清漆以及光半导体元件13中至少一种的批次信息和/或每个单位期间的光半导体装置20的制造量的第四信息18，能够对与清漆制造工序S1相关的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件进行修正。因此，能够容易与批次信息和/或光半导体装置20的制造量的变动对应地，对与清漆制造工序S1相关的制造条件以及片材制造工序S2的制造条件进行修正，能够高精度地制造设为目的的光半导体装置20。
[变形例]
在图4以后的说明中，对与图1相同的部件附加相同的参照标记，省略其详细说明。
在图1的实施方式中，制造条件决定装置2与片材制造管理装置3具有一对一的关系，即，对一个制造条件决定装置2设置一个片材制造管理装置3。但是，制造条件决定装置2和片材制造管理装置3的对应关系并不限定于此，例如图4所示，还能够对一个制造条件决定装置2设置多个片材制造管理装置3。
具体地说，在相互独立设置的多个光半导体装置制造工厂4各自中设置有片材制造管理装置3。制造条件决定装置2和多个片材制造管理装置3构成为能够从多个片材制造管理装置3分别所具有的第一信息源21将多个第一信息15输入到第一存储器6，并且能够将由第一CPU8决定的第三信息17从第五存储器10输入到多个第三存储器23。
在图4的实施方式中，一个制造条件决定装置2对一个片材制造管理装置3A(3)提供第三信息17，并且从一个片材制造管理装置3A(3)的第一信息源21获取第一信息15而存储到第一存储器6，用第五存储器10累积该第一信息15，而且，还能够向其它片材制造管理装置3B(或者其它多个片材制造管理装置3B和3C)(3)提供第三信息17。
也就是说，一个制造条件决定装置2能够使从多个片材制造管理装置3提供的多个第一信息15(要存储到第一存储器6的第一信息15、具体地说与光半导体元件13相关的信息、与基板14相关的信息、与光半导体装置20相关的信息)一元化。即，一个制造条件决定装置2能够作为能够汇集多个片材制造管理装置3的第一信息15而对多个片材制造管理装置3提供与它们对应的第三信息17的汇集型制造条件决定装置2而发挥功能。
因此，虽然是一个制造条件决定装置2，可是能够对各片材制造管理装置3提供高精度的第三信息17。
另外，在图1的实施方式中，系统1对清漆制造工序S1的制造工序进行决定和管理。也就是说，由片材制造管理装置3来管理清漆制造工序S1的制造条件。但是，还能够将系统1构成为系统1不对清漆制造工序S1的制造工序进行决定和管理。具体地说，还能够不管理清漆制造工序S1的制造条件而仅管理片材制造工序S2的制造条件。
根据该实施方式，第二CPU25不需要管理清漆制造工序S1的制造条件，因此能够使第二CPU25的结构简单。
另外，在图1的实施方式中，作为本发明的制造管理装置，使片材制造管理装置3管理片材制造工序S2的制造条件，密封控制装置36管理密封工序S3的密封条件，但是，例如还能够是片材制造管理装置3兼作密封控制装置36而构成一个制造管理装置，管理片材制造工序S2的制造条件和密封工序S3的密封条件两者。
另外，在图2和图3的实施方式中，将本发明的覆盖片材设为密封光半导体元件13的密封片材12进行了说明，但是并不限定于此，例如图5所示，还能够选择为在预先密封光半导体元件13的树脂层(密封层)27(参照图5A)上层叠的覆盖片材60(参照图5A的箭头和图5B)。
在图5A中，覆盖片材60从与图1的密封片材12相同的材料中选择。
在图5B中，覆盖片材60覆盖光半导体元件13的上侧，具体地说，隔着树脂层27而在光半导体元件13的上侧隔开间隔配置。
并且，在图2和图3的实施方式中，将密封片材12选择为荧光体片材(含荧光体的密封片材)，但是，例如虽然未图示，但是还能够将密封片材12选择为不含荧光体而含有密封层(树脂层)的密封片材12。
另外，在图1的说明中，第一信息15包含与安装光半导体元件13的基板14相关的信息，但是也能够不含该信息地构成第一信息15。
此外，作为本发明例示的实施方式而提供了上述发明，但是这仅是例示，不能限定地进行解释。在后述的权利要求书中包含本领域技术人员可知的本发明的变形例。
产业上的可利用性
系统、制造条件决定装置以及制造管理装置用于制造适合于光半导体装置的覆盖片材。
附图标记说明
1：系统；2：制造条件决定装置；3：片材制造管理装置；5：控制部门；6：第一存储器；8：第一CPU；11：清漆；12：密封片材；13：光半导体元件；14：基板；15第一信息；16：第二信息；17：第三信息；20：光半导体装置；23：第三存储器；24：第四存储器；34：片材制造装置；60：覆盖片材；S1：清漆制造工序；S2：片材制造工序；S3：密封工序。

Claims (14)

1.一种对光半导体装置的制造方法中的片材制造工序的制造条件进行决定和管理的系统，该光半导体装置的制造方法具备：清漆制造工序，制造包含粒子和固化性树脂的清漆；上述片材制造工序，从上述清漆制造B阶段的覆盖片材；以及覆盖工序，使用上述覆盖片材来覆盖光半导体元件，该系统的特征在于，
上述系统具备制造条件决定装置和制造管理装置，
上述制造条件决定装置具备：
第一信息存储区域，其存储与上述光半导体元件和上述光半导体装置相关的第一信息；
第二信息存储区域，其存储与上述清漆相关的第二信息；以及
决定单元，其根据上述第一信息存储区域所存储的上述第一信息以及上述第二信息存储区域所存储的上述第二信息来决定上述制造条件，
上述制造管理装置具备：
第三信息存储区域，其存储与由上述决定单元决定的上述制造条件相关的第三信息；以及
管理单元，其根据上述第三信息存储区域所存储的上述第三信息来管理上述片材制造工序的上述制造条件。
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，
上述系统还对上述清漆制造工序的制造条件进行决定和管理，
上述决定单元还根据上述第一信息存储区域所存储的上述第一信息以及上述第二信息存储区域所存储的上述第二信息来决定上述清漆制造工序的上述制造条件，
上述管理单元还根据上述第三信息存储区域所存储的上述第三信息来对上述清漆制造工序的上述制造条件进行管理。
3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，
上述第一信息包含与安装上述光半导体元件的基板相关的信息。
4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，
上述制造管理装置还具备：
第四信息存储区域，其存储第四信息，该第四信息包含粒子、固化性树脂、清漆以及光半导体元件中至少一种的批次信息和/或每单位期间的光半导体装置的制造量；以及
修正单元，其根据上述第四信息存储区域所存储的上述第四信息来对上述片材制造工序的上述制造条件进行修正。
5.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，
上述制造条件决定装置还具备第五信息存储区域，该第五信息存储区域存储与本次之前制造上述覆盖片材的制造条件相关的第五信息，
上述制造条件决定装置根据上述第五信息存储区域所存储的上述第五信息来决定用于本次制造上述覆盖片材的制造条件。
6.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，
上述制造条件决定装置经由网络与上述制造管理装置进行远程通信。
7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，
上述制造管理装置被设置于片材制造装置内，
上述制造条件决定装置被设置于相对于上述制造管理装置位于远端的控制部门。
8.一种制造条件决定装置，用于决定光半导体装置的制造方法中的片材制造工序的制造条件，该光半导体装置的制造方法具备：清漆制造工序，制造包含粒子和固化性树脂的清漆；上述片材制造工序，从上述清漆制造B阶段的覆盖片材；以及覆盖工序，使用上述覆盖片材来覆盖光半导体元件，该制造条件决定装置的特征在于，具备：
第一信息存储区域，其存储与上述光半导体元件相关的第一信息；
第二信息存储区域，其存储与上述清漆相关的第二信息；以及
决定单元，其根据上述第一信息存储区域所存储的上述第一信息以及上述第二信息存储区域所存储的上述第二信息来决定上述制造条件。
9.根据权利要求8所述的制造条件决定装置，其特征在于，
上述制造条件决定装置还决定上述清漆制造工序的制造条件，
上述决定单元还根据上述第一信息存储区域所存储的上述第一信息以及上述第二信息存储区域所存储的上述第二信息来决定上述清漆制造工序的上述制造条件。
10.根据权利要求8所述的制造条件决定装置，其特征在于，
上述第一信息包含与安装上述光半导体元件的基板相关的信息。
11.根据权利要求8所述的制造条件决定装置，其特征在于，
还具备第五信息存储区域，该第五信息存储区域存储与本次之前制造上述覆盖片材的制造条件相关的第五信息，
上述制造条件决定装置根据上述第五信息存储区域所存储的上述第五信息来决定用于本次制造上述覆盖片材的制造条件。
12.一种制造管理装置，用于管理光半导体装置的制造方法中的片材制造工序的制造条件，该光半导体装置的制造方法具备：清漆制造工序，制造包含粒子和固化性树脂的清漆；上述片材制造工序，从上述清漆制造B阶段的覆盖片材；以及覆盖工序，使用上述覆盖片材来覆盖光半导体元件，该制造管理装置的特征在于，具备：
第三信息存储区域，其存储与上述制造条件相关的第三信息；以及
管理单元，其根据上述第三信息存储区域所存储的上述第三信息来对上述片材制造工序的上述制造条件进行管理。
13.根据权利要求12所述的制造管理装置，其特征在于，
上述制造管理装置还对上述清漆制造工序的制造条件进行管理，
上述管理单元还根据上述第三信息存储区域所存储的上述第三信息来对上述清漆制造工序的上述制造条件进行管理。
14.根据权利要求12所述的制造管理装置，其特征在于，还具备：
第四信息存储区域，其存储第四信息，该第四信息包含粒子、固化性树脂、清漆以及光半导体元件中至少一种的批次信息和/或每单位期间的光半导体装置的制造量；以及
修正单元，其根据上述第四信息存储区域所存储的上述第四信息来对上述片材制造工序的上述制造条件进行修正。
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