CN105051874A - 光半导体装置的制造方法、系统、制造条件决定装置以及制造管理装置 - Google Patents

光半导体装置的制造方法、系统、制造条件决定装置以及制造管理装置 Download PDF

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Abstract

一种光半导体装置的制造方法，其具备：清漆制造工序，在该清漆制造工序中，制造包含颗粒和固化性树脂的清漆；覆盖层制造工序，在该覆盖层制造工序中，从清漆制造A阶段的覆盖层；以及覆盖工序，在该覆盖工序中，利用A阶段的覆盖层来覆盖光半导体元件。

Description

光半导体装置的制造方法、系统、制造条件决定装置以及制造管理装置
技术领域
本发明涉及一种光半导体装置的制造方法、系统、制造条件决定装置以及制造管理装置，详细而言，涉及一种光半导体装置的制造方法、对其制造条件进行决定和管理的系统、制造条件决定装置以及制造管理装置。
背景技术
以往，作为光半导体装置的制造方法，公知有如下方法：首先，调制出包含颗粒和固化性树脂的未固化的固化性树脂组合物，之后，将该固化性树脂组合物灌封到安装有发光二极管的封装体等，然后，使固化性树脂组合物固化(例如，参照专利文献1。)。
或者，提出了以下方法：调制出包含颗粒和固化性树脂的A阶段的清漆，之后，将该清漆涂敷在剥离片材上，之后，执行B阶段化，之后，利用B阶段片材覆盖被安装在基板上的发光二极管，然后，将B阶段片材C阶段化(例如，参照专利文献2。)。
专利文献1：(日本)特开2007-332314号公报
专利文献2：(日本)特开2013-140848号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，对于专利文献1的方法而言，固化性树脂组合物的固化层的厚度容易变得不均匀，因此，存在光半导体装置的发光效率降低这样的问题。
另一方面，对于专利文献2的方法而言，需要从A阶段的清漆调制出B阶段片材的工序，因此，工时增加且花费功夫。其结果，存在很难使光半导体装置的制造方法的制造效率提高这样的问题。
本发明的目的在于提供一种能够以均匀的厚度调制出覆盖层、且发光效率出色、同时降低工时而使制造效率提高的光半导体装置的制造方法、对其制造条件进行决定和管理的系统、制造条件决定装置以及制造管理装置。
用于解决问题的方案
本发明的光半导体装置的制造方法的特征在于，具备：清漆制造工序，在该清漆制造工序中，制造包含颗粒和固化性树脂的清漆；覆盖层制造工序，在该覆盖层制造工序中，从所述清漆制造A阶段的覆盖层；以及覆盖工序，在该覆盖工序中，利用所述A阶段的覆盖层来覆盖光半导体元件。
采用该方法，因为利用A阶段的覆盖层来覆盖光半导体元件，所以能够减少专利文献2那样的调制B阶段片材的工时。因此，能够降低工时，使光半导体装置的制造效率提高。
另外，采用该方法，在从清漆制造出A阶段的覆盖层后，因为利用该A阶段的覆盖层覆盖光半导体元件，所以与专利文献1那样的灌封相比，能够以均匀的厚度调制出覆盖层。因此，能够获得发光效率出色的光半导体装置。
其结果，采用该方法，能够以低成本获得发光效率出色的光半导体装置。
另外，本发明的系统用于对上述的光半导体装置的制造方法中的所述覆盖层制造工序的制造条件进行决定和管理，该系统的特征在于，所述系统具备制造条件决定装置和制造管理装置，所述制造条件决定装置具备：第一信息存储区域，其用于存储与所述光半导体元件和所述光半导体装置相关的第一信息；第二信息存储区域，其用于存储与所述清漆相关的第二信息；决定部件，其根据所述第一信息存储区域所存储的所述第一信息以及所述第二信息存储区域所存储的所述第二信息来决定所述制造条件，所述制造管理装置具备：第三信息存储区域，其用于存储与由所述决定部件决定的所述制造条件相关的第三信息；管理部件，其根据所述第三信息存储区域所存储的所述第三信息来管理所述覆盖层制造工序的所述制造条件。
在该系统中，制造条件决定装置具备：第一信息存储区域、第二信息存储区域以及决定部件，另一方面，制造管理装置具备第三信息存储区域和管理部件。
而且，制造条件决定装置将第一信息和第二信息分别存储于第一信息存储区域和第二信息存储区域，利用决定部件来决定覆盖层制造工序的制造条件，并且将该制造条件提供给制造管理装置。
而且，对于制造管理装置而言，将与从制造条件决定装置提供的制造条件相关的第三信息存储于第三信息存储区域，根据该第三信息，利用管理部件来管理覆盖层制造工序的制造条件。
因此，能够在与制造管理装置独立的制造条件决定装置中决定覆盖层制造工序的制造条件，同时，制造管理装置用于管理该制造条件。
另外，与由制造条件决定装置提供的覆盖层制造工序的制造条件相关的第三信息依据第一信息和第二信息。因此，制造管理装置能够根据由制造条件决定装置提供的第三信息，利用管理部件高精度地管理覆盖层制造工序的制造条件。其结果，能够高精度地制造出作为目的的光半导体装置。
另外，优选的是，本发明的系统还对所述清漆制造工序的制造条件进行决定和管理，所述决定部件还根据所述第一信息存储区域所存储的所述第一信息和所述第二信息存储区域所存储的所述第二信息来决定所述清漆制造工序的所述制造条件，所述管理部件还根据所述第三信息存储区域所存储的所述第三信息来对所述清漆制造工序的所述制造条件进行管理。
对于该系统而言，决定部件还根据第一信息存储区域所存储的第一信息和第二信息存储区域所存储的第二信息来决定清漆制造工序的制造条件，并且管理部件还根据第三信息存储区域所存储的第三信息来对清漆制造工序的制造条件进行管理。因此，能够以高精度制造出适合于作为目的的光半导体装置的覆盖层，进一步，能够以高精度制造出作为目的的光半导体装置。
另外，对于本发明的系统而言，优选的是，第一信息包含与光半导体元件所安装的基板相关的信息。
采用该系统，第一信息包含与光半导体元件所安装的基板相关的信息，因此，制造条件决定装置能够在具备上述各信息的同时，还具备与光半导体元件所安装的基板相关的信息。
因此，制造管理装置能够根据与基于第一信息决定的制造条件相关的高精度的第三信息，更进一步高精度地管理覆盖层制造工序的制造条件。
另外，对于本发明的系统而言，优选的是，所述制造管理装置具备：第四信息存储区域，其用于存储第四信息，该第四信息包含颗粒、固化性树脂、清漆以及光半导体元件中的至少一种的批次信息和/或每单位期间的光半导体装置的制造量；校正部件，其根据所述第四信息存储区域所存储的所述第四信息来对所述覆盖层制造工序的所述制造条件进行校正。
颗粒、固化性树脂、清漆以及光半导体元件的批次信息按照每个批次发生变动。另外，每单位期间的光半导体装置的制造量按照每个单位期间发生变动。因此，存在所制造的光半导体装置的物性按照每个批次和/或每单位期间发生变动的情况。在这种情况下，制造条件决定装置每次根据第四信息来决定制造条件是很繁琐的。
但是，对于该系统而言，在制造管理装置中，能够利用校正部件根据第四信息存储区域所存储的、包含颗粒、固化性树脂、清漆以及光半导体元件中的至少一种的批次信息和/或每单位期间的光半导体装置的制造量的第四信息来对覆盖层制造工序的制造条件进行校正。因此，容易与批次信息和/或光半导体装置的制造量的变动对应地对覆盖层制造工序的制造条件进行校正，能够高精度地制造出作为目的的光半导体装置。
另外，对于本发明的系统而言，优选的是，所述制造条件决定装置具备第五信息存储区域，该第五信息存储区域用于存储与本次之前制造所述覆盖层的制造条件相关的第五信息，所述制造条件决定装置根据所述第五信息存储区域所存储的所述第五信息来决定用于本次制造所述覆盖层的制造条件。
采用该系统，制造条件决定装置能够积存与本次之前制造覆盖层的制造条件相关的第五信息。因此，能够根据过去积存的制造条件在本次制造出适合于作为目的的光半导体装置的覆盖层，进一步能够在本次高精度地制造出作为目的的光半导体装置。
另外，对于本发明的系统而言，优选的是，所述制造条件决定装置经由网络与所述制造管理装置进行远程通信。
采用该系统，制造条件决定装置经由网络与制造管理装置进行远程通信，因此，制造条件决定装置即使与制造管理装置相距甚远，也能够将在制造条件决定装置中所决定的覆盖层制造工序的制造条件迅速地提供给制造管理装置。
另外，对于本发明的系统而言，优选的是，所述制造管理装置被设置于覆盖层制造装置内，所述制造条件决定装置被设置于相对于所述覆盖层制造装置而言位于远端的控制部门。
采用该系统，即使制造管理装置被设置于覆盖层制造装置内而制造条件决定装置被设置于相对于覆盖层制造装置而言位于远端的控制部门，由于制造条件决定装置经由网络与制造管理装置进行远程通信，所以也能够将在控制部门的制造条件决定装置中已决定的覆盖层制造工序的制造条件迅速地提供给制造管理装置。
本发明的制造条件决定装置用于决定上述光半导体装置的制造方法中的所述覆盖层制造工序的制造条件，该制造条件决定装置具备：第一信息存储区域，其用于存储与所述光半导体元件相关的第一信息；第二信息存储区域，其用于存储与所述清漆相关的第二信息；决定部件，其根据所述第一信息存储区域所存储的所述第一信息以及所述第二信息存储区域所存储的所述第二信息来决定所述制造条件。
该制造条件决定装置具有第一信息存储区域、第二信息存储区域以及决定部件。
因此，采用该制造条件决定装置，将第一信息和第二信息分别存储到第一信息存储区域和第二信息存储区域，能够利用决定部件来决定覆盖层制造工序的制造条件。
其结果，根据该覆盖层制造工序的制造条件，能够高精度地制造出作为目的的光半导体装置。
另外，优选的是，本发明的制造条件决定装置还决定所述清漆制造工序的制造条件，所述决定部件还根据所述第一信息存储区域所存储的所述第一信息以及所述第二信息存储区域所存储的所述第二信息来决定所述清漆制造工序的所述制造条件。
对于该制造条件决定装置而言，决定部件还根据第一信息存储区域所存储的第一信息以及第二信息存储区域所存储的第二信息来决定清漆制造工序的制造条件。因此，能够以高精度制造适合于作为目的的光半导体装置的覆盖层，进一步能够以高精度制造出作为目的的光半导体装置。
另外，对于本发明的制造条件决定装置而言，优选的是，所述第一信息包含与所述光半导体元件所安装的基板相关的信息。
采用该制造条件决定装置，第一信息包含与光半导体元件所安装的基板相关的信息，因此，制造条件决定装置能够在具备上述各信息的同时，还具备与光半导体元件所安装的基板相关的信息。
因此，能够以高精度制造出作为目的的光半导体装置。
另外，优选的是，本发明的制造条件决定装置具备第五信息存储区域，该第五信息存储区域用于存储与本次之前制造所述覆盖层的制造条件相关的第五信息，所述制造条件决定装置根据所述第五信息存储区域所存储的所述第五信息来决定用于本次制造所述覆盖层的制造条件。
采用该制造条件决定装置，能够积存与本次之前制造覆盖层的制造条件相关的第五信息。因此，能够根据过去积存的制造条件在本次制造出适合于作为目的的光半导体装置的覆盖层，进一步能够在本次高精度地制造出作为目的的光半导体装置。
本发明的制造管理装置用于管理上述光半导体装置的制造方法中的所述覆盖层制造工序的制造条件，该制造管理装置的特征在于，该制造管理装置具备：第三信息存储区域，其用于存储与所述制造条件相关的第三信息；管理部件，其根据所述第三信息存储区域所存储的所述第三信息来对所述覆盖层制造工序的所述制造条件进行管理。
采用该制造管理装置，将与上述光半导体装置的覆盖层制造工序的制造条件相关的第三信息存储到第三信息存储区域，能够利用管理部件根据上述第三信息来高精度地管理覆盖层制造工序的制造条件。
因此，能够高精度地制造出作为目的的光半导体装置。
另外，优选的是，本发明的制造管理装置还对所述清漆制造工序的制造条件进行管理，所述管理部件还根据所述第三信息存储区域所存储的所述第三信息来对所述清漆制造工序的所述制造条件进行管理。
采用该制造管理装置，管理部件还根据第三信息存储区域所存储的第三信息来管理清漆制造工序的制造条件，因此，能够以高精度制造出适合于作为目的的光半导体装置的覆盖层，进一步能够以高精度制造出作为目的的光半导体装置。
另外，优选的是，本发明的制造管理装置具备：第四信息存储区域，其用于存储第四信息，该第四信息包含颗粒、固化性树脂、清漆以及光半导体元件中的至少一种批次信息和/或每单位期间的光半导体装置的制造量；校正部件，其根据所述第四信息存储区域所存储的所述第四信息来对所述覆盖层制造工序的所述制造条件进行校正。
颗粒、固化性树脂、清漆以及光半导体元件的批次信息按照每个批次发生变动。另外，每单位期间的光半导体装置的制造量按照每个单位期间发生变动。因此，存在所制造的光半导体装置的物性按照每个批次和/或每个单位期间发生变动的情况。在这种情况下，制造条件决定装置每次根据第四信息来决定制造条件是很繁琐的。
但是，在该制造管理装置中，能够利用校正部件根据第四信息存储区域所存储的、包含颗粒、固化性树脂、清漆以及光半导体元件中的至少一种的批次信息和/或每单位期间的光半导体装置的制造量的第四信息来对覆盖层制造工序的制造条件进行校正。因此，容易与批次信息和/或光半导体装置的制造量的变动对应地对覆盖层制造工序的制造条件进行校正，能够高精度地制造出作为目的的光半导体装置。
发明的效果
采用本发明的光半导体装置的制造方法，能够以低成本获得发光效率出色的光半导体装置。
采用具有本发明的制造条件决定装置和制造管理装置的、本发明的系统，能够在与制造管理装置独立的制造条件决定装置中进行决定，同时能够由制造管理装置进行管理。另外，能够高精度地制造出作为目的的光半导体装置。
附图说明
图1A-图1C是本发明的光半导体装置的制造方法的一实施方式的工序图，图1A表示将安装有光半导体元件的基板和设置有覆盖层的离型片材设置于层叠装置的工序，图1B表示对基板和覆盖层进行层叠的工序，图1C表示剥离离型片材的工序。
图2表示本发明的系统的一实施方式的概略结构图。
图3表示图2的变形例的系统的概略结构图。
具体实施方式
本发明的光半导体装置的制造方法的一实施方式具备：清漆制造工序，在该清漆制造工序中，制造包含颗粒和固化性树脂的清漆；覆盖层制造工序，在该覆盖层制造工序中，从清漆制造A阶段的覆盖层；以及覆盖工序，在该覆盖工序中，利用A阶段的覆盖层来覆盖光半导体元件。
(清漆制造工序)
作为颗粒，例如能够举出荧光体、填充剂等。
荧光体具有波长变换功能，例如能够举出能够将蓝色光变换为黄色光的黄色荧光体、能够将蓝色光变换为红色光的红色荧光体等。
作为黄色荧光体，能够举出例如(Ba，Sr，Ca)2SiO4；Eu、(Sr，Ba)2SiO4：Eu(正硅酸钡(BOS))等硅酸盐荧光体、例如Y3Al5O12：Ce(YAG(钇·铝·石榴石)：Ce)、Tb3Al3O12：Ce(TAG(铽·铝·石榴石)：Ce)等具有石榴石型晶体结构的石榴石型荧光体、例如Ca-α-SiAlON等氮氧化物荧光体等。
作为红色荧光体，例如能够举出CaAlSiN3：Eu、CaSiN2：Eu等氮化物荧光体等。
作为荧光体的形状，例如能够举出球状、板状、针状等。
荧光体的最大长度的平均值(在为球状的情况下是平均粒径)，例如是0.1μm以上，优选的是，1μm以上，另外，例如是200μm以下，优选的是，100μm以下。
荧光体的吸收峰值波长例如是300nm以上，优选的是，430nm以上，另外，例如是550nm以下，优选的是470nm以下。
荧光体能够单独使用或者组合使用。
对于荧光体的配合比例，相对于100质量份的固化性树脂，例如是0.1质量份以上，优选的是，0.5质量份以上，例如是80质量份以下，优选的是，50质量份以下。
作为填充剂，例如是有机硅颗粒(具体地说，包含有机硅橡胶颗粒)等有机微颗粒、例如是二氧化硅(例如，烟雾二氧化硅等)、滑石、氧化铝、氮化铝、氮化硅等无机微颗粒等。另外，填充剂的最大长度的平均值(在为球状的情况下是平均粒径)例如是0.1μm以上，优选的是，1μm以上，例如是200μm以下，优选的是，100μm以下。填充剂能够单独使用或者组合使用。对于填充剂的配合比例，相对于100质量份的固化性树脂，例如是0.1质量份以上，优选的是，0.5质量份以上，例如是70质量份以下、优选的是，50质量份以下。
作为固化性树脂，例如能够举出一阶段固化型树脂。
一阶段固化型树脂是具有一阶段的反应机理、并在第一阶段的反应下完全固化的固化性树脂。作为一阶段固化型树脂，能够举出例如通过加热而固化的一阶段固化型热固化性树脂、例如通过活性能量射线(例如，紫外线、电子射线等)的照射而固化的一阶段固化型活性能量射线固化性树脂等。优选的是，能够举出一阶段固化型热固化性树脂。
具体而言，作为一阶段固化型热固化性树脂，能够举出例如有机硅树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂等。优选的是，从透光性和耐久性的观点出发，能够举出一阶段固化型有机硅树脂。
A阶段的一阶段固化型树脂的粘度例如是1,000mPa·s以上，优选的是3,000mPa·s以上，更加优选的是5,000mPa·s以上，另外，例如是1,000,000mPa·s以下，优选的是500,000mPa·s以下，更加优选的是200,000mPa·s以下。另外，A阶段的一阶段固化型树脂的粘度是通过将A阶段的一阶段固化型树脂的温度调节至25℃，使用E型圆锥形粘度计以转速99s-1来测量的。以下的粘度是利用与上述相同的方法测量出来的。
对于固化性树脂的配合比例，相对于清漆(以下，存在称为含颗粒的固化性树脂组合物的情况。)，例如是30质量％以上，优选的是40质量％以上，更加优选的是50质量％以上，另外，例如是98质量％以下，优选的是95质量％以下，更加优选的是90质量％以下。
另外，根据需要，还能够使含颗粒的固化性树脂组合物含有溶剂。
作为溶剂，能够举出例如己烷等脂肪族烃、例如二甲苯等芳香族烃、例如乙烯基甲基环状硅氧烷、两末端乙烯基聚二甲基硅氧烷等硅氧烷等。溶剂以使含颗粒的固化性树脂组合物成为后述的粘度那样的配合比例配合在含颗粒的固化性树脂组合物中。
在调制含颗粒的固化性树脂组合物时，根据所希望的颗粒的种类、颗粒的混合比例、颗粒的最大长度的平均值、固化性树脂的种类、固化性树脂的粘度、固化性树脂的配合比例、在颗粒包含荧光体的情况下的荧光体的吸收峰值波长、清漆的粘度等来进行配合。接着，使用搅拌机等来混合上述这些各成分。
由此，调制出A阶段的清漆。
即、清漆因为含有A阶段的固化性树脂，所以被称为A阶段的清漆。
将清漆在25℃、一个大气压的条件下的粘度设定为使清漆不从离型片材28(后述，参照图1A)的上表面的周端部溢出的程度，具体而言，例如是1,000mPa·s以上，优选的是4,000mPa·s以上，更加优选的是8,000mPa·s以上，另外，例如是1,000,000mPa·s以下，优选的是500,000mPa·s以下，更加优选的是200,000mPa·s以下。
(覆盖层制造工序)
在从清漆制造A阶段的覆盖层时，如图1A所示，例如首先将清漆涂敷在离型片材28的表面。
作为离型片材28，能够举出例如是聚乙烯膜、聚酯膜(PET等)等聚合物膜、例如是陶瓷片材、例如是金属箔等。优选的是聚合物膜。另外，还能够在离型片材28的表面实施氟处理等剥离处理。
在将清漆涂敷在离型片材28的表面时，能够举出例如分配器、涂敷器、狭缝式涂敷机等涂敷装置。优选的是分配器。
所涂敷的A阶段的覆盖层50的厚度例如是10μm以上，优选的是50μm以上，另外，例如是2,000μm以下，优选的是1,000μm以下。
在清漆含有溶剂的情况下，也能够对涂敷后的覆盖层50进行加热。另外，加热条件是实质上不促进固化性树脂的固化反应的条件，具体而言，温度例如是40℃以上，优选的是60℃以上，另外，例如是150℃以下，优选的是130℃以下。另外，加热时间例如是1分钟以上，优选的是5分钟以上，另外，例如是60分钟以下，优选的是40分钟以下。
(覆盖工序)
在利用A阶段的覆盖层50覆盖光半导体元件13时，例如，首先如图1A所示，准备安装有光半导体元件13的基板14。
基板14能够举出例如在硅基板、陶瓷基板、聚酰亚胺树脂基板、在金属基板上层叠绝缘层而成的层叠基板等绝缘基板。作为基板14的外形形状，并未特别限定，能够举出例如俯视呈大致矩形的形状、俯视呈大致圆形的形状等。适合地选择基板14的尺寸，例如最大长度例如是2mm以上，优选的是10mm以上，另外，例如是300mm以下，优选的是100mm以下。
另外，在基板14的表面形成有导体图案(未图示)，该导体图案具有：用于与以下说明的光半导体元件13的端子(未图示)电连接的电极(未图示)以及与该电极相连的布线。导体图案例如能够举出金、铜、银、镍等导体。
另外，基板14的表面形成为平坦状。或者，虽未图示，也可以在基板14的要安装光半导体元件13的表面(图1A-图1C的下表面)形成有朝向背面(图1A-图1C的上表面)凹陷的凹部。
光半导体元件13是将电能变换为光能的LED(发光二极管元件)、LD(激光二极管)等，例如能够举出厚度比面方向长度(与厚度方向正交的正交方向长度)短的截面呈大致矩形的形状。作为光半导体元件13，优选的是举出发出蓝色光的蓝色LED。根据用途和目的适当地选择光半导体元件13的尺寸，具体地说，厚度例如是10μm以上且1000μm以下，最大长度例如是0.05mm以上，优选的是0.1mm以上，另外例如是5mm以下，优选的是2mm以下。
光半导体元件13的发光峰值波长例如是400nm以上，优选的是430nm以上，另外，例如是500nm以下，优选的是470nm以下。
光半导体元件13例如倒装安装到基板14上，或者通过引线接合与基板14连接。
另外，能够将多个光半导体元件13(在图1A-图1C中是三个)安装到一个基板14上。每一个基板14的光半导体元件13的安装数量例如是1以上，优选的是4以上，另外，例如是2000以下，优选的是400以下。
接着，在该方法中，将安装有光半导体元件13的基板14设置于层叠装置35。层叠装置35具有两个平板41，该两个平板41在上下方向上隔开间隔地相对配置，能够使层叠装置35和基板14在上下方向移动。
在将安装有光半导体元件13的基板14设置于层叠装置35时，具体而言，以使光半导体元件13朝向下方的方式将基板14设置于下侧的平板41。
另外，设置于离型片材28的上表面的覆盖层50以与光半导体元件13相对的方式配置于光半导体元件13的下侧。即、以使覆盖层50朝向光半导体元件13(即、下侧)的方式将离型片材28配置在下侧的平板41的上表面。
接着，如图1B所示，利用覆盖层50覆盖光半导体元件13。利用覆盖层50埋设光半导体元件13。具体而言，利用层叠装置35使基板14和覆盖层50彼此靠近并进行层叠。详细而言，如图1A的箭头和图1B所示，使安装有光半导体元件13的基板14相对于设置有覆盖层50的离型片材28下降(按下)。即、使上侧的平板41下降。或者，如图1A的虚线箭头和图1B所示，使设置有覆盖层50的离型片材28相对于安装有光半导体元件13的基板14上升(顶起)。即、使下侧的平板41上升。
由此，利用覆盖层50覆盖光半导体元件13。即、利用覆盖层50埋设光半导体元件13。
之后，使A阶段的覆盖层50进行C阶段化(完全固化)。
例如，如果固化性树脂是热固化性树脂，那么对A阶段的覆盖层50进行加热。
详细而言，具体地说一边维持层叠装置35对覆盖层50的夹持状态，一边投放到干燥机(未图示)内。由此，对A阶段的覆盖层50进行加热。
加热温度例如是80℃以上，优选的是100℃以上，另外，例如是200℃以下，优选的是180℃以下。另外，加热时间例如是10分钟以上，优选的是30分钟以上，另外，例如是10小时以下，优选的是5小时以下。
通过对覆盖层50加热，使A阶段的覆盖层50C阶段化(完全固化)。
另一方面，如果固化性树脂是活性能量射线固化性树脂，那么对覆盖层50照射活性能量射线。由此，使A阶段的覆盖层50C阶段化(完全固化)。具体而言，使用紫外线灯等将紫外线照射到A阶段的覆盖层50。
由此，制造出具备覆盖层50、被覆盖层50密封的光半导体元件13以及安装有光半导体元件13的基板14的光半导体装置20。
在图1B中，在一个光半导体装置20中设置有多个(三个)光半导体元件13。
之后，如图1C所示，将离型片材28如箭头所示那样从覆盖层50剥离下来。
另外，之后，根据需要，在将多个光半导体元件13安装于一个基板14的情况下，也能够与各光半导体元件13相对应地切断覆盖层50而单片化。
(光半导体装置的制造方法的作用效果)
采用该方法，因为利用A阶段的覆盖层50覆盖光半导体元件13，所以能够削减专利文献2那样的调制B阶段片材的工时。因此，能够减少工时，使制造条件决定装置20的制造效率提高。
另外，采用该方法，因为在从清漆制造出A阶段的覆盖层50后，利用该A阶段的覆盖层50覆盖光半导体元件13，所以与专利文献1那样的灌封相比，能够以均匀的厚度调制出覆盖层50。因此，能够获得发光效率出色的光半导体装置20。
其结果，采用该方法，能够以低成本获得发光效率出色的光半导体装置20。
(变形例)
虽然在图1B的覆盖工序中，使用具有两个平板41的层叠装置35，在安装有光半导体元件13的基板14上层叠单片式的覆盖层50和离型片材28，但是虽未图示，例如可以使用辊装置等在安装有多个光半导体元件13的基板14上连续层叠长条状的覆盖层50和离型片材28。
采用该方法，能够更进一步提高光半导体装置20的制造效率。
(系统的结构)
接着，说明用于对上述的光半导体装置20的制造方法中的覆盖层制造工序的制造条件进行决定和管理的系统。
如图2所示，该系统1是设置于密封层制造工厂的控制部门5和与该密封层制造工厂独立设置的光半导体装置制造工厂4的系统。系统1对光半导体装置20的制造方法中的清漆制造工序S1和密封层制造工序S2的制造条件进行决定和管理，该光半导体装置20的制造方法具备：清漆制造工序S1，在该清漆制造工序S1中，制造包含颗粒和固化性树脂的清漆11；密封层制造工序S2(覆盖层制造工序的一例)，在该密封层制造工序S2中，从清漆11制造作为A阶段的覆盖层的一例的密封层12；以及密封工序S3(覆盖工序的一例)，在该密封工序S3中，利用密封层12密封光半导体元件13。系统1具备制造条件决定装置2、作为制造管理装置的密封层制造管理装置3。
控制部门5例如设置在能够制造与由光半导体装置制造工厂4的密封层制造装置34(后述)所制造的密封层12相同的密封层12的密封层制造工厂内。
控制部门5具有制造条件决定装置2。
制造条件决定装置2具备：作为第一信息存储区域的第一存储器6、作为第二信息存储区域的第二存储器7、作为决定部件的第一CPU8以及作为第五信息存储区域的第五存储器10。
第一存储器6用于存储与光半导体元件13、光半导体元件13所安装的基板14以及光半导体装置20相关的第一信息15。
作为第一信息15，具体而言，作为与光半导体元件13相关的信息，例如能够举出光半导体元件13的形状、光半导体元件13的尺寸、光半导体元件13的发光峰值波长、基板14的每个单位面积的光半导体元件13的安装数量、每一个基板14上的光半导体元件13的安装数量等。
另外，作为第一信息15，具体而言，作为与基板14相关的信息，例如能够举出基板14的外形形状、基板14的尺寸以及基板14的表面形状(有无凹部等)等。
并且，作为第一信息15，具体而言，作为与光半导体装置20相关的信息，例如能够举出光半导体装置20的色温、光半导体装置20的总光通量、光半导体装置20的配光特性等。具体而言，在设为目标的光的颜色为昼白色的情况下，目标色温例如为4600K以上，另外，例如为5500K以下。另外，在设为目标的光的颜色为暖白色的情况下，目标色温例如为3250K以上，另外，例如为3800K以下。从上述温度范围选择目标色温。
第一存储器6构成为从光半导体装置制造工厂4所具有的第一信息源21进行输入。
第二存储器7用于存储与清漆11相关的第二信息16。
作为第二信息16，具体而言，作为与颗粒相关的信息，例如能够举出颗粒的种类、颗粒的配合比例、颗粒的最大长度的平均值(在颗粒为球形状的情况下为平均粒径)等。此外，在颗粒包含上述的荧光体的情况下，作为与颗粒相关的信息，还能够举出荧光体的吸收峰值波长。另外，作为第二信息16，具体而言，作为与固化性树脂相关的信息，例如能够举出固化性树脂的种类、固化性树脂的粘度、固化性树脂的配合比例以及固化性树脂的固化速度等。并且，作为第二信息16，具体而言，作为与清漆相关的信息，例如能够举出清漆的粘度。另外，作为第二信息16，在上述离型片材28设置有定位标记(未图示)的情况下，还能够举出涂敷后的多个清漆11的相对位置信息等。
第二信息16构成为从密封层制造工厂的控制部门5所具有的第二信息源22进行输入。
第一CPU8是基于第一存储器6所存储的第一信息15和第二存储器7所存储的第二信息16来决定密封层12的制造条件的决定装置。
在第一CPU8中预先存储有规定的程序处理，第一CPU8按照程序处理来决定密封层12的制造条件。
作为密封层12的制造条件，例如能够举出清漆11的涂敷条件等。另外，在清漆含有溶剂的情况下，还能够举出通过对清漆进行加热而使清漆干燥时的加热条件等。
作为清漆11的涂敷条件，例如，能够举出刚涂敷后的清漆11的形状、刚涂敷后的清漆11的厚度等。另外，在上述形状中包含清漆11彼此隔开了间隔而成的形状。
第一CPU8构成为能够读取第一存储器6所存储的第一信息15和第二存储器7所存储的第二信息16。
第五存储器10是用于存储由第一CPU8决定出的密封层12的制造条件的区域。
另外，在第五存储器10中设置有记录区域(未图示)，该记录区域能够记录与本次之前制造密封层12的制造条件相关的第五信息19。另外，记录于记录区域并积存的第五信息19构成为在本次的制造中由第一CPU8读取，并再一次由第一CPU8来决定密封层12的制造条件。
光半导体装置制造工厂4具备密封层制造装置34和密封装置32。
密封层制造装置34具备清漆制造装置33、涂敷装置31以及密封层制造管理装置3。
清漆制造装置33例如具备容器52，该容器52配备搅拌机51。
涂敷装置31例如具备分配器、涂敷器、狭缝式涂敷机等。另外，虽然未图示，但涂敷装置31还能够具备干燥机，该干燥机具有隔开间隔地配置的加热器。
密封层制造管理装置3具备：作为第三信息存储区域的第三存储器23、作为第四信息存储区域的第四存储器24以及作为管理部件即校正部件的第二CPU25。
第三存储器23用于存储与由第一CPU8决定的密封层12的制造条件相关的第三信息17。
第三信息17包含由第一CPU8决定的密封层12的制造条件。
第三存储器23构成为从第五存储器10输入被在第五存储器10中决定的第三信息17。
第四存储器24用于存储第四信息18，该第四信息18包含颗粒、固化性树脂、清漆以及光半导体元件13中的至少一种的批次信息和/或每单位期间的光半导体装置20的制造量。
批次信息是随着批次的变更而变动的信息，具体而言，能够举出根据批次不同而不同的颗粒的最大长度的平均值(在颗粒为球形状的情况下为平均粒径)等，并且，能够举出根据批次不同而不同的固化性树脂的粘度等。此外，在颗粒包含荧光体的情况下，作为荧光体的批次信息，能够举出根据批次不同而不同的荧光体的吸收峰值波长。并且，作为根据批次不同而不同的与清漆相关的信息，能够举出由上述颗粒和/或固化性树脂的批次不同所引起的清漆的粘度。
作为每个单位期间的光半导体装置20的制造量，作为每个月的光半导体装置20的制造量，例如为1000个以上、优选的是5000个以上，另外例如从200,000个以下的范围中选择来作为每个月的光半导体装置20的制造量。
第四存储器24构成为被从光半导体装置制造工厂4内的第一信息源21以及控制部门5内的第二信息源22输入第四信息18。
作为第四信息18中的从第一信息源21输入的第四信息18B，例如能够举出光半导体元件13的批次信息、每个单位期间的光半导体装置20的制造量，并且，作为从第二信息源22输入的第四信息18A，例如能够举出颗粒的批次信息、固化性树脂的批次信息以及清漆的批次信息。
在第二CPU25中预先存储有规定的程序处理，第二CPU25根据第三存储器23所存储的第三信息17对清漆制造工序S1的制造条件以及密封层制造工序S2的制造条件进行管理。另外，第二CPU25也能够根据第四存储器24所存储的第四信息18对清漆制造工序S1的制造条件以及密封层制造工序S2的制造条件进行校正。
第二CPU25构成为能够读取第三存储器23所存储的第三信息17和第四存储器24所存储的第四信息18。
第二CPU25构成为能够对清漆制造装置33和涂敷装置31分别管理且校正清漆制造工序S1的制造条件和密封层制造工序S2的制造条件。
密封装置32具有层叠装置35和密封控制装置36。
层叠装置35例如能够选择具有两个平板41的层叠机等，该两个平板41在上下方向上隔开间隔地相对配置，能够使密封层12和基板14在上下方向移动。
密封控制装置36构成为能够控制密封工序S3的密封条件。此外，构成为在密封控制装置36中设置有未图示的存储器，从第一信息源21输入密封工序S3的密封条件，而且，控制密封工序S3的密封条件。
接着，说明利用该系统1在光半导体装置制造工厂4中制造光半导体装置20的方法。
1.制造条件决定工序
在该方法中，首先，将第一信息15从第一信息源21输入到第一存储器6。不特别限定第一信息15向第一存储器6的输入，例如，经由连接第一信息源21与第一存储器6的网络等线路来输入第一信息15，或者，还能够例如从第一信息源21经由传真、电子邮件、邮政等通信部件之后，将第一信息15输入到第二存储器7。
另外，将第二信息16从第二信息源22输入到第二存储器7。将第二信息16输入到第二存储器7的方法与第一信息15输入到第一存储器6的方法相同。
接着，第一CPU8读取第一存储器6所存储的第一信息15和第二存储器7所存储的第二信息16，然后，按照规定的程序处理，根据这些第一信息15和第二信息16，将密封层12的制造条件决定为第三信息17(下面详细进行描述)。
2.制造管理工序
之后，由第一CPU8所决定的第三信息17被记录在第五存储器10中，接着，将记录在第五存储器10的第三信息17输入到第三存储器23。
将第三信息17输入到第三存储器23的方法与第一信息15输入到第一存储器6的方法相同。
另外，将第四信息18从第一信息源21和第二信息源22输入到第四存储器24。将第四信息18输入到第四存储器24的方法与第一信息15输入到第一存储器6的方法相同。
之后，第二CPU25读取第三存储器23所存储的第三信息17，接着，按照规定的程序处理，根据第三信息17对清漆制造工序S1的制造条件和密封层制造工序S2的制造条件进行管理。
而且，在密封层制造装置34中，根据由第二CPU25所管理的制造条件，依次实施清漆制造工序S1和密封层制造工序S2。
3.清漆制造工序S1
在清漆制造装置33中，首先，按照由第二CPU25所管理的制造条件实施清漆制造工序S1。
具体而言，在清漆制造工序S1中，首先，分别准备颗粒和固化性树脂，并将这些颗粒和固化性树脂进行混合，从而将清漆11调制成含颗粒的固化性树脂组合物。
颗粒例如能够从上述例示来选择，具体而言，从荧光体、填充剂中选择。
荧光体的形状能够从上述例示来选择。荧光体的最大长度的平均值(在为球状的情况下是平均粒径)能够从上述例示的范围中选择。荧光体的吸收峰值波长能够从上述例示的范围中选择。荧光体的配合比例能够从上述例示的范围中选择。
填充剂能够从上述例示中选择。填充剂的最大长度的平均值(在为球状的情况下是平均粒径)能够从上述例示的范围中选择。填充剂的配合比例能够从上述例示的范围中选择。
固化性树脂能够从上述例示中选择。A阶段的一阶段固化型树脂的粘度能够从上述例示的范围中选择。固化性树脂的配合比例能够从上述例示的范围中选择。
在调制含颗粒的固化性树脂组合物时，具体而言，如图2所示，在清漆制造装置33中，基于由第二CPU25管理的清漆制造工序S1的制造条件，例如由第二CPU25管理的清漆11的种类、更具体而言，由第二CPU25管理的颗粒的种类、颗粒的配合比例、颗粒的最大长度的平均值(在颗粒为球形状的情况下是平均粒径)、固化性树脂的种类、固化性树脂的粘度、固化性树脂的配合比例、在颗粒包含荧光体的情况下的荧光体的吸收峰值波长、清漆11的粘度等，在容器52内配合上述各成分。接着，使用搅拌机51来混合这些上述各成分。
由此，调制出A阶段的清漆11。
将清漆11在25℃、一个大气压的条件下的粘度调整为上述例示的范围内。
4.密封层制造工序S2
在涂敷装置31中，在清漆制造工序S1之后，按照由第二CPU25所管理的制造条件实施密封层制造工序S2。
即、从清漆11制造密封层12。
在制造密封层12时，例如，首先将清漆11涂敷在离型片材28的表面。
离型片材28从上述例示中选择。离型片材28的形状并未特别限定，例如从俯视呈大致矩形的形状(包含短条状、长条状)等中选择。并且，作为离型片材28，选择有无形成定位标记(未图示)以及定位标记的位置信息、尺寸等。形成标记以确保用于涂敷清漆11的区域。
作为用于将清漆11涂敷在离型片材28的表面的涂敷装置31，例如能够从分配器、涂敷器、狭缝式涂敷机等中选择。优选的是，从分配器中选择。
以使密封层12的厚度在上述例示的范围内的方式从清漆11的涂敷条件中进行选择。
即、从由第二CPU25管理的制造条件中选择，具体而言，从涂敷装置31的涂敷条件中进行选择，以使清漆11调节为由第二CPU25管理的、刚涂敷后的清漆11的形状、刚涂敷后的清漆11的厚度。
另外，在离型片材28上形成有定位标记(未图示)的情况下，一边利用涂敷装置31所配备的传感器(未图示)确认相对于定位标记的涂敷位置，一边调节清漆11相对于定位标记的相对位置。
之后，在清漆11含有溶剂的情况下，使清漆11干燥。具体而言，对清漆11进行加热。加热条件从上述例示的范围中进行选择。
由此，制造出设置于离型片材28的表面的密封层12。
5.密封工序S3
在密封装置32的层叠装置35中，在密封层制造工序S2之后，按照由密封控制装置36控制的条件实施密封工序S3。
具体而言，在密封工序S3中，首先，准备已安装有光半导体元件13的基板14。
基板14从上述例示中选择。基板14的外形形状从上述例示中选择。基板14的尺寸从上述例示中选择。
光半导体元件13从上述例示中选择。光半导体元件13的尺寸从上述例示的范围中选择。光半导体元件13的发光峰值波长从上述例示的范围中选择。
光半导体元件13例如倒装安装到基板14上，或者通过引线接合连接到基板14上。
另外，对于光半导体元件13相对于一个基板14的安装数，能够安装多个(在图1A-图1C中是三个)。每一个基板14上的光半导体元件13的安装数量能够从上述例示的范围中选择。
接着，在该方法中，将安装有光半导体元件13的基板14设置于层叠装置35。层叠装置35能够从上述例示中选择。作为将安装有光半导体元件13的基板14设置于层叠装置35的方法，能够采用上述的例示方法。
接着，利用密封层12覆盖光半导体元件13。利用密封层12覆盖光半导体元件13的方法能够采用上述例示方法。
之后，对A阶段的密封层12进行C阶段化。
例如，根据由密封控制装置36控制的、C阶段化的密封层12的加热条件、活性能量射线的照射条件，使A阶段的密封层12进行C阶段化。
具体而言，在从热固化型中选择一阶段固化型树脂的情况下，对A阶段的密封层12进行加热。
详细且具体地说，一边维持平板41对密封层12的夹持状态，一边将层叠装置35投放到干燥机内。由此，对A阶段的密封层12进行加热。
加热温度从上述例示的范围中选择。另外，加热时间从上述例示的范围中选择。
通过对密封层12加热，使A阶段的密封层12C阶段化(完全固化)。
由此，制造出具备密封层12、利用密封层12密封的光半导体元件13以及安装有光半导体元件13的基板14的光半导体装置20。
之后，如参照图1C那样，将离型片材28如箭头所示那样从覆盖层50剥离下来。
6.制造条件的积存、批次变更以及每个单位期间的制造量
在本次之前的密封层12的制造中，将清漆制造工序S1的制造条件和密封层制造工序S2的制造条件记录并积存在第五存储器10的记录区域(未图示)。
即、第五存储器10在将第三信息17输入到第三存储器23的同时，将第三信息17作为过去的信息即第五信息19直接积存在第五存储器10的记录区域。
而且，通过本次的密封层12的制造，第一CPU8读取被积存在第五存储器10的、本次之前制造了密封层12的清漆制造工序S1的制造条件和密封层制造工序S2的制造条件，根据这些制造条件来决定本次的清漆制造工序S1的制造条件和本次的密封层制造工序S2的制造条件。
另外，颗粒、固化性树脂、清漆以及光半导体元件中的至少一种的批次信息和/或每个单位期间的光半导体装置20的制造量发生变动。与该变动对应地，将它们的第四信息18从第一信息源21和第二信息源22输入到第四存储器24，接着，第二CPU25读取第四存储器24所存储的第四信息18，按照规定的程序处理，对清漆制造工序S1的制造条件和/或密封层制造工序S2的制造条件进行校正。
(系统的作用效果)
而且，在该系统1中，制造条件决定装置2具备第一存储器6、第二存储器7、第一CPU8，另一方面，密封层制造管理装置3具备第三存储器23和第二CPU25。
而且，制造条件决定装置2将第一信息15和第二信息16分别存储于第一存储器6和第二存储器7，由第一CPU8来决定密封层制造工序S2的制造条件，并能够将该制造条件提供给密封层制造管理装置3。
而且，在密封层制造管理装置3中，将与从制造条件决定装置2提供的制造条件相关的第三信息17存储于第三存储器23，并根据该第三信息17，利用第二CPU25来管理密封层制造工序S2的制造条件。
因此，能够在与密封层制造管理装置3独立的制造条件决定装置2中决定密封层制造工序S2的制造条件，同时，密封层制造管理装置3对该制造条件进行管理。
另外，与由制造条件决定装置2提供的密封层制造工序S2的制造条件相关的第三信息17依据第一信息15和第二信息16。因此，密封层制造管理装置3能够根据由制造条件决定装置2提供的第三信息17利用第二CPU25高精度地管理密封层制造工序S2的制造条件。其结果，能够高精度地制造出作为目的的光半导体装置20。
另外，在该系统1中，第一CPU8还根据第一存储器6所存储的第一信息15和第二存储器7所存储的第二信息16来决定清漆制造工序S1的制造条件，第二CPU25还根据第三存储器23所存储的第三信息17来管理清漆制造工序S1的制造条件。因此，能够以高精度制造出适合于作为目的的光半导体装置20的密封层12，进一步能够以高精度制造出作为目的的光半导体装置20。
而且，采用该系统1，第一信息15包含与用于安装光半导体元件13的基板14相关的信息，因此，制造条件决定装置2能够在具备与光半导体元件13相关的信息以及与光半导体装置20相关的信息的同时，还能够具备与用于安装光半导体元件13的基板14相关的信息。
因此，密封层制造管理装置3根据与基于第一信息15所决定的密封层制造工序S2的制造条件相关的高精度的第三信息17能够更进一步高精度地对密封层制造工序S2的制造条件进行管理。
另外，对于该系统1而言，在密封层制造管理装置3中，由第二CPU25根据第四存储器24所存储的包含颗粒、固化性树脂、清漆以及光半导体元件13中的至少一种的批次信息和/或每个单位期间的光半导体装置20的制造量的第四信息18能够对密封层制造工序S2的制造条件进行校正。因此，容易与批次信息和/或光半导体装置20的制造量的变动对应地对清漆制造工序S1的制造条件以及密封层制造工序S2的制造条件进行校正，能够高精度地制造出作为目的的光半导体装置20。
并且，采用该系统1，制造条件决定装置2的第五存储器10能够积存与本次之前制造了密封层12的制造条件相关的第五信息19。因此，能够基于过去积存的制造条件，在本次制造适合于作为目的的光半导体装置20的密封层12，并且能够在本次高精度地制造出作为目的的光半导体装置20。
采用该系统，制造条件决定装置2经由网络与密封层制造管理装置3进行远程通信，因此，制造条件决定装置2即使与密封层制造管理装置3相距甚远，也能够将在制造条件决定装置2中所决定的密封层制造工序S2的制造条件迅速地提供给密封层制造管理装置3。
而且，采用该系统1，即使密封层制造管理装置3被设置于光半导体装置制造工厂4的密封层制造装置34内，而制造条件决定装置2被设置于相对于密封层制造装置34而言位于远端的控制部门5，由于制造条件决定装置2经由网络与片材制造管理装置3进行远程通信，所以能够将在制造条件决定装置2中所决定的片材制造工序S2的制造条件迅速地提供给片材制造管理装置3。
该制造条件决定装置2具备第一存储器6、第二存储器7以及第一CPU8。
因此，采用该制造条件决定装置2，将第一信息15和第二信息16分别存储于第一存储器6和第二存储器7，利用第一CPU8来决定清漆制造工序S1的制造条件和密封层制造工序S2的制造条件。
其结果，只要根据该清漆制造工序S1的制造条件和密封层制造工序S2的制造条件，就能够高精度地制造出作为目的的光半导体装置20。
另外，在该制造条件决定装置2中，第二CPU25还根据第一存储器6所存储的第一信息15和第二存储器7所存储的第二信息16来决定清漆制造工序S1的制造条件和密封层制造工序S2的制造条件。因此，能够以高精度制造出适合于作为目的的光半导体装置20的密封层12，进一步能够以高精度制造出作为目的的光半导体装置20。
另外，采用该制造条件决定装置2，第一信息15包含与用于安装光半导体元件13的基板14相关的信息，因此，制造条件决定装置2能够在具备与光半导体元件13相关的信息以及与光半导体装置20相关的信息的同时，还能够具备与用于安装光半导体元件13的基板14相关的信息。
因此，能够以高精度制造出作为目的的光半导体装置20。
采用该制造条件决定装置2，能够积存与本次之前制造了密封层12的制造条件相关的第五信息19。因此，能够根据过去积存的制造条件，在本次制造出适合于作为目的的半导体装置20的密封层12，进一步能够在本次高精度地制造出作为目的的半导体装置20。
采用该密封层制造管理装置3，将包含与清漆制造工序S1相关的制造条件和与密封层制造工序S2的制造条件相关的制造条件的第三信息17存储于第三存储器23，根据该第三信息17，利用第二CPU25能够高精度地对与清漆制造工序S1相关的制造条件和密封层制造工序S2的制造条件进行管理。
因此，能够高精度地制造出作为目的的光半导体装置20。
另外，采用该密封层制造管理装置3，第二CPU25还根据第三存储器23所存储的第三信息17对与清漆制造工序S1相关的制造条件以及密封层制造工序S2的制造条件进行管理，因此，能够以高精度制造出适合于作为目的的光半导体装置20的密封层12，进一步能够以高精度制造出作为目的的光半导体装置20。
另外，在该密封层制造管理装置3中，能够利用第二CPU25根据第四存储器24所存储的、包含颗粒、固化性树脂、清漆以及光半导体元件中的至少一种的批次信息和/或每单位期间的光半导体装置20的制造量的第四信息18来对与清漆制造工序S1相关的制造条件和密封层制造工序S2的制造条件进行校正。因此，容易与批次信息和/或光半导体装置20的制造量的变动对应地对与清漆制造工序S1相关的制造条件和密封层制造工序S2的制造条件进行校正，能够高精度地制造出作为目的的光半导体装置20。
(变形例)
在图3的说明中，对于与图2相同的部件，标注相同的参照附图标记，并省略其详细说明。
在图2的实施方式中，制造条件决定装置2和密封层制造管理装置3具有一对一的关系，即、对于一个制造条件决定装置2设置有一个密封层制造管理装置3。但是，制造条件决定装置2和密封层制造管理装置3的对应关系并不限于此，例如，如图3所示，对于一个制造条件决定装置2，也能够设置多个密封层制造管理装置3。
具体而言，在彼此独立设置的多个光半导体装置制造工厂4中，分别设置有密封层制造管理装置3。制造条件决定装置2和多个密封层制造管理装置3能够从多个密封层制造管理装置3各自所具有的第一信息源21将多个第一信息15输入到第一存储器6，并且，能够将由第一CPU8决定的第三信息17从第五存储器10输入到多个第三存储器23。
在图3的实施方式中，一个制造条件决定装置2向一个密封层制造管理装置3A(3)提供第三信息17，并且，从一个密封层制造管理装置3A(3)的第一信息源21获取第一信息15并存储于第一存储器6，利用第五存储器10积存该第一信息15，而且，还能够向其他密封层制造管理装置3B(或者，其他多个密封层制造管理装置3B和3C)(3)提供。
也就是说、一个制造条件决定装置2能够使从多个密封层制造管理装置3提供的多个第一信息15(要存储到第一存储器6的第一信息15，具体而言，与光半导体元件13相关的信息、与基板14相关的信息、与光半导体装置20相关的信息)一元化。即、一个制造条件决定装置2能够作为汇集多个密封层制造管理装置3的第一信息15并对多个密封层制造管理装置3提供与它们对应的第三信息17的汇集型制造条件决定装置2发挥作用。
因此，虽然是一个制造条件决定装置2，但是能够向各密封层制造管理装置3提供高精度的第三信息17。
另外，在图2的实施方式中，系统1对清漆制造工序S1的制造工序进行决定和管理。也就是说，利用密封层制造管理装置3来管理清漆制造工序S1的制造条件。但是，还能够以使系统1不对清漆制造工序S1的制造工序进行决定和管理的方式构成系统1。具体而言，还能够不管理清漆制造工序S1的制造条件，而只管理密封层制造工序S2的制造条件。
采用该实施方式，第二CPU25无需对清漆制造工序S1的制造条件进行管理，因此，能够使第二CPU25的结构简单。
另外，在图2的实施方式中，作为本发明的制造管理装置，使密封层制造管理装置3管理密封层制造工序S2的制造条件，使密封控制装置36管理密封工序S3的密封条件，但是，例如还能够使密封层制造管理装置3兼做为密封控制装置36，并构成一个制造管理装置，从而能够管理密封层制造工序S2的制造条件和密封工序S3的密封条件这两个条件。
而且，在图2和图3的实施方式中，虽然密封层12选择了荧光体层(含荧光体的密封层)，但是，例如虽未图示，但还能够选择不含有荧光体的密封层(树脂层)12。
另外，在图2的说明中，虽然第一信息15包含与用于安装光半导体元件13的基板14相关的信息，但是也能够不包含该信息地构成第一信息15。
另外，作为本发明例示的实施方式而提供了上述发明，但是这仅是例示，不能限定地进行解释。在后述的权利要求书中包含本领域技术人员可知的本发明的变形例。
产业上的可利用性
系统、制造条件决定装置以及制造管理装置应用在光半导体装置的制造中。
附图标记说明
1系统
2制造条件决定装置
3片材制造管理装置
6第一存储器
8第一CPU
11清漆
12密封层
13光半导体元件
14基板
15第一信息
16第二信息
17第三信息
20光半导体装置
23第三存储器
24第四存储器
50覆盖层
S1清漆制造工序
S2覆盖层制造工序
S3密封工序

Claims (15)

1.一种光半导体装置的制造方法，其特征在于，其具备：
清漆制造工序，在该清漆制造工序中，制造包含颗粒和固化性树脂的清漆；
覆盖层制造工序，在该覆盖层制造工序中，从所述清漆制造A阶段的覆盖层；
以及覆盖工序，在该覆盖工序中，利用所述A阶段的覆盖层来覆盖光半导体元件。
2.一种系统，其用于对光半导体装置的制造方法中的覆盖层制造工序的制造条件进行决定和管理，该光半导体装置的制造方法具备：清漆制造工序，在该清漆制造工序中，制造包含颗粒和固化性树脂的清漆；所述覆盖层制造工序，在该覆盖层制造工序中，从所述清漆制造A阶段的覆盖层；以及覆盖工序，在该覆盖工序中，利用所述A阶段的覆盖层来覆盖光半导体元件，该系统的特征在于，
所述系统具备制造条件决定装置和制造管理装置，
所述制造条件决定装置具备：
第一信息存储区域，其用于存储与所述光半导体元件和所述光半导体装置相关的第一信息；
第二信息存储区域，其用于存储与所述清漆相关的第二信息；
决定部件，其根据所述第一信息存储区域所存储的所述第一信息以及所述第二信息存储区域所存储的所述第二信息来决定所述制造条件，
所述制造管理装置具备：
第三信息存储区域，其用于存储与由所述决定部件决定的所述制造条件相关的第三信息；
管理部件，其根据所述第三信息存储区域所存储的所述第三信息来管理所述覆盖层制造工序的所述制造条件。
3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，
所述系统还对所述清漆制造工序的制造条件进行决定和管理，
所述决定部件还根据所述第一信息存储区域所存储的所述第一信息以及所述第二信息存储区域所存储的所述第二信息来决定所述清漆制造工序的所述制造条件，
所述管理部件还根据所述第三信息存储区域所存储的所述第三信息来对所述清漆制造工序的所述制造条件进行管理。
4.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，
所述第一信息包含与所述光半导体元件所安装的基板相关的信息。
5.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，
所述制造管理装置具备：
第四信息存储区域，其用于存储第四信息，该第四信息包含颗粒、固化性树脂、清漆以及光半导体元件中的至少一种的批次信息和/或每单位期间的光半导体装置的制造量；
校正部件，其根据所述第四信息存储区域所存储的所述第四信息来对所述覆盖层制造工序的所述制造条件进行校正。
6.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，
所述制造条件决定装置具备第五信息存储区域，该第五信息存储区域用于存储与本次之前制造所述覆盖层的制造条件相关的第五信息，
所述制造条件决定装置根据所述第五信息存储区域所存储的所述第五信息来决定用于本次制造所述覆盖层的制造条件。
7.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，
所述制造条件决定装置经由网络与所述制造管理装置进行远程通信。
8.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，
所述制造管理装置被设置于覆盖层制造装置内，
所述制造条件决定装置被设置于相对于所述覆盖层制造装置而言位于远端的控制部门。
9.一种制造条件决定装置，其用于决定光半导体装置的制造方法中的覆盖层制造工序的制造条件，该光半导体装置的制造方法具备：清漆制造工序，在该清漆制造工序中，制造包含颗粒和固化性树脂的清漆；所述覆盖层制造工序，在该覆盖层制造工序中，从所述清漆制造A阶段的覆盖层；以及覆盖工序，在该覆盖工序中，利用所述A阶段的覆盖层来覆盖光半导体元件，该制造条件决定装置的特征在于，
该制造条件决定装置具备：
第一信息存储区域，其用于存储与所述光半导体元件相关的第一信息；
第二信息存储区域，其用于存储与所述清漆相关的第二信息；
决定部件，其根据所述第一信息存储区域所存储的所述第一信息以及所述第二信息存储区域所存储的所述第二信息来决定所述制造条件。
10.根据权利要求9所述的制造条件决定装置，其特征在于，
所述制造条件决定装置还决定所述清漆制造工序的制造条件，
所述决定部件还根据所述第一信息存储区域所存储的所述第一信息以及所述第二信息存储区域所存储的所述第二信息来决定所述清漆制造工序的所述制造条件。
11.根据权利要求9所述的制造条件决定装置，其特征在于，
所述第一信息包含与所述光半导体元件所安装的基板相关的信息。
12.根据权利要求9所述的制造条件决定装置，其特征在于，
该制造条件决定装置具备第五信息存储区域，该第五信息存储区域用于存储与本次之前制造所述覆盖层的制造条件相关的第五信息，
所述制造条件决定装置根据所述第五信息存储区域所存储的所述第五信息来决定用于本次制造所述覆盖层的制造条件。
13.一种制造管理装置，其用于管理光半导体装置的制造方法中的覆盖层制造工序的制造条件，该光半导体装置的制造方法具备：清漆制造工序，在该清漆制造工序中，制造包含颗粒和固化性树脂的清漆；所述覆盖层制造工序，在该覆盖层制造工序中，从所述清漆制造A阶段的覆盖层；以及覆盖工序，在该覆盖工序中，利用所述A阶段的覆盖层来覆盖光半导体元件，该制造管理装置的特征在于，
该制造管理装置具备：
第三信息存储区域，其用于存储与所述制造条件相关的第三信息；
管理部件，其根据所述第三信息存储区域所存储的所述第三信息来对所述覆盖层制造工序的所述制造条件进行管理。
14.根据权利要求13所述的制造管理装置，其特征在于，
所述制造管理装置对所述清漆制造工序的制造条件进行管理，
所述管理部件还根据所述第三信息存储区域所存储的所述第三信息来对所述清漆制造工序的所述制造条件进行管理。
15.根据权利要求13所述的制造管理装置，其特征在于，
该制造管理装置具备：
第四信息存储区域，其用于存储第四信息，该第四信息包含颗粒、固化性树脂、清漆以及光半导体元件中的至少一种的批次信息和/或每单位期间的光半导体装置的制造量；
校正部件，其根据所述第四信息存储区域所存储的所述第四信息来对所述覆盖层制造工序的所述制造条件进行校正。
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