KR20150135314A - 광반도체 장치의 제조 방법, 시스템, 제조 조건 결정 장치 및 제조 관리 장치 - Google Patents

광반도체 장치의 제조 방법, 시스템, 제조 조건 결정 장치 및 제조 관리 장치 Download PDF

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히로유키 가타야마
히사타카 이토
무네히사 미타니
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

광반도체 장치의 제조 방법은, 입자 및 경화성 수지를 포함하는 바니시를 제조하는 바니시 제조 공정, 바니시로부터 A스테이지의 피복층을 제조하는 피복층 제조 공정, 및 A스테이지의 피복층에 의해서 광반도체 소자를 피복하는 피복 공정을 구비한다.

Description

광반도체 장치의 제조 방법, 시스템, 제조 조건 결정 장치 및 제조 관리 장치{METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE, PRODUCING CONDITION DETERMINATION DEVICE AND PRODUCTION MANAGEMENT DEVICE}
본 발명은 광반도체 장치의 제조 방법, 시스템, 제조 조건 결정 장치 및 제조 관리 장치, 상세하게는, 광반도체 장치의 제조 방법, 그 제조 조건을 결정 및 관리하는 시스템, 제조 조건 결정 장치 및 제조 관리 장치에 관한 것이다.
종래, 광반도체 장치의 제조 방법으로서, 우선 입자 및 경화성 수지를 포함하는 미경화의 경화성 수지 조성물을 조제하고, 그 후 그것을 발광 다이오드가 실장된 패키지 등에 포팅(potting)하고, 그 후 경화성 수지 조성물을 경화시키는 방법이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
혹은, 입자 및 경화성 수지를 포함하는 A스테이지의 바니시를 조제하고, 그 후 그것을 박리 시트로 도포하고, 그 후 B스테이지화하고, 그 후 B스테이지 시트에 의해서, 기판에 실장되는 발광 다이오드를 피복하고, 그 후 B스테이지 시트를 C스테이지화하는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2007-332314호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2013-140848호 공보
그러나, 특허문헌 1의 방법에서는, 경화성 수지 조성물의 경화층의 두께가 불균일하게 되기 쉽고, 그 때문에 광반도체 장치의 발광 효율이 저하된다고 하는 문제가 있다.
한편, 특허문헌 2의 방법에서는, A스테이지의 바니시로부터 B스테이지 시트를 조제하는 공정이 필요하고, 그 때문에 공정수가 많아, 수고를 요하게 된다. 그 결과, 광반도체 장치의 제조 방법의 제조 효율을 향상시키기 어렵다고 하는 문제가 있다.
본 발명의 목적은, 피복층을 균일한 두께로 조제하고, 발광 효율이 우수함과 아울러, 공정수를 저감하여, 제조 효율을 향상시킬 수 있는 광반도체 장치의 제조 방법, 그 제조 조건을 결정 및 관리하는 시스템, 제조 조건 결정 장치 및 제조 관리 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 광반도체 장치의 제조 방법은, 입자 및 경화성 수지를 포함하는 바니시를 제조하는 바니시 제조 공정, 상기 바니시로부터 A스테이지의 피복층을 제조하는 피복층 제조 공정, 및 상기 A스테이지의 피복층에 의해서 광반도체 소자를 피복하는 피복 공정을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 방법에 의하면, A스테이지의 피복층에 의해서 광반도체 소자를 피복하므로, 특허문헌 2와 같은 B스테이지 시트를 조제하는 공정수를 삭감할 수 있다. 그 때문에, 공정수를 저감하여, 광반도체 장치의 제조 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 방법에 의하면, 바니시로부터 A스테이지의 피복층을 제조한 후, 이러한 A스테이지의 피복층에 의해서 광반도체 소자를 피복하므로, 특허문헌 1과 같은 포팅에 비해, 피복층을 균일한 두께로 조제할 수 있다. 그 때문에, 발광 효율이 우수한 광반도체 장치를 얻을 수 있다.
그 결과, 본 방법에 의하면, 발광 효율이 우수한 광반도체 장치를 저비용으로 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 시스템은, 상기한 광반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 상기 피복층 제조 공정의 제조 조건을 결정 및 관리하는 시스템으로서, 상기 시스템은, 제조 조건 결정 장치와, 제조 관리 장치를 구비하며, 상기 제조 조건 결정 장치는, 상기 광반도체 소자 및 상기 광반도체 장치에 관련되는 제 1 정보를 저장하는 제 1 정보 저장 영역과, 상기 바니시에 관련되는 제 2 정보를 저장하는 제 2 정보 저장 영역과, 상기 제 1 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 1 정보, 및 상기 제 2 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 2 정보에 근거하여 상기 제조 조건을 결정하는 결정 수단을 구비하고, 상기 제조 관리 장치는, 상기 결정 수단에 의해서 결정되는 상기 제조 조건에 관련되는 제 3 정보를 저장하는 제 3 정보 저장 영역과, 상기 제 3 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 3 정보에 근거하여, 상기 피복층 제조 공정의 상기 제조 조건을 관리하는 관리 수단을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
이 시스템에서는, 제조 조건 결정 장치가 제 1 정보 저장 영역과, 제 2 정보 저장 영역과, 결정 수단을 구비하는 한편, 제조 관리 장치가 제 3 정보 저장 영역과 관리 수단을 구비한다.
그리고, 제조 조건 결정 장치가 제 1 정보 및 제 2 정보의 각각을 제 1 정보 저장 영역 및 제 2 정보 저장 영역의 각각에 저장하고 있고, 결정 수단에 의해서, 피복층 제조 공정의 제조 조건을 결정하고, 이것을 제조 관리 장치에 제공할 수 있다.
그리고, 제조 관리 장치에서는, 제조 조건 결정 장치로부터 제공된 제조 조건에 관련되는 제 3 정보를 제 3 정보 저장 영역에 저장하고, 이러한 제 3 정보에 근거하여, 관리 수단에 의해서 피복층 제조 공정의 제조 조건을 관리한다.
그 때문에, 피복층 제조 공정의 제조 조건을, 제조 관리 장치와는 별도로, 제조 조건 결정 장치에서 결정할 수 있음과 아울러, 제조 관리 장치가 관리할 수 있다.
또한, 제조 조건 결정 장치로부터 제공되는 피복층 제조 공정의 제조 조건에 관련되는 제 3 정보는 제 1 정보 및 제 2 정보에 근거하고 있다. 그 때문에, 제조 관리 장치는, 제조 조건 결정 장치로부터 제공되는 제 3 정보에 근거하여, 관리 수단에 의해서 피복층 제조 공정의 제조 조건을 정밀도 좋게 관리할 수 있다. 그 결과, 목적으로 하는 광반도체 장치를 정밀도 좋게 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 시스템은, 상기 바니시 제조 공정의 제조 조건을 또한 결정 및 관리하고, 상기 결정 수단은 상기 제 1 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 1 정보, 및 상기 제 2 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 2 정보에 근거하여, 상기 바니시 제조 공정의 상기 제조 조건을 또한 결정하고, 상기 관리 수단은 상기 제 3 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 3 정보에 근거하여, 상기 바니시 제조 공정의 상기 제조 조건을 또한 관리하는 것이 바람직하다.
이 시스템에서는, 결정 수단이, 제 1 정보 저장 영역에 저장되는 제 1 정보, 및 제 2 정보 저장 영역에 저장되는 제 2 정보에 근거하여, 바니시 제조 공정의 제조 조건을 또한 결정하고, 관리 수단이, 제 3 정보 저장 영역에 저장되는 제 3 정보에 근거하여, 바니시 제조 공정의 제조 조건을 또한 관리한다. 그 때문에, 목적으로 하는 광반도체 장치에 적합한 피복층을 높은 정밀도로 제조할 수 있고, 또한 목적으로 하는 광반도체 장치를 높은 정밀도로 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 시스템에서는, 제 1 정보는 광반도체 소자가 실장되는 기판에 관련되는 정보를 포함하는 것이 바람직하다.
이 시스템에 의하면, 제 1 정보는 광반도체 소자가 실장되는 기판에 관련되는 정보를 포함하므로, 제조 조건 결정 장치가, 광반도체 소자가 실장되는 기판에 관련되는 정보도 상기한 각 정보와 함께 구비할 수 있다.
그 때문에, 제 1 정보에 근거하여 결정된 제조 조건에 관련되는 정밀도가 높은 제 3 정보에 근거해서, 제조 관리 장치는 피복층 제조 공정의 제조 조건을 보다 더 정밀도 좋게 관리할 수 있다.
또한, 본 발명의 시스템에서는, 상기 제조 관리 장치는 입자, 경화성 수지, 바니시 및 광반도체 소자의 적어도 1종의 로트 정보, 및/또는 단위 기간당의 광반도체 장치의 제조량을 포함하는 제 4 정보를 저장하는 제 4 정보 저장 영역과, 상기 제 4 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 4 정보에 근거하여, 상기 피복층 제조 공정의 상기 제조 조건을 수정하는 수정 수단을 구비하는 것이 바람직하다.
입자, 경화성 수지, 바니시 및 광반도체 소자의 로트 정보는 로트마다 변동된다. 또한, 단위 기간당의 광반도체 장치의 제조량은 단위 기간마다 변동된다. 그 때문에, 로트 및/또는 단위 기간마다, 제조되는 광반도체 장치의 물성이 변동하는 경우가 있다. 그러한 경우에는, 제조 조건 결정 장치가 매회, 제 4 정보에 근거하여 제조 조건을 결정하는 것은 번잡하다.
그러나, 이 시스템에서는, 제조 관리 장치에서, 수정 수단에 의해서, 제 4 정보 저장 영역에 저장되는 입자, 경화성 수지, 바니시 및 광반도체 소자의 적어도 1종의 로트 정보, 및/또는 단위 기간당의 광반도체 장치의 제조량을 포함하는 제 4 정보에 근거하여, 피복층 제조 공정의 제조 조건을 수정할 수 있다. 그 때문에, 로트 정보 및/또는 광반도체 장치의 제조량의 변동에 용이하게 대응하여, 피복층 제조 공정의 제조 조건을 수정해서, 목적으로 하는 광반도체 장치를 정밀도 좋게 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 시스템에서는, 상기 제조 조건 결정 장치는, 상기 피복층을 금회 이전에 제조한 제조 조건에 관련되는 제 5 정보를 저장하는 제 5 정보 저장 영역을 구비하고, 상기 제 5 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 5 정보에 근거하여, 상기 피복층을 금회 제조하기 위한 제조 조건을 결정하는 것이 바람직하다.
이 시스템에 의하면, 제조 조건 결정 장치가, 피복층을 금회 이전에 제조한 제조 조건에 관련되는 제 5 정보를 축적할 수 있다. 그 때문에, 과거에 축적한 제조 조건에 근거하여, 목적으로 하는 광반도체 장치에 적합한 피복층을 금회 제조할 수 있고, 또한 목적으로 하는 광반도체 장치를 정밀도 좋게 금회 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 시스템에서는, 상기 제조 조건 결정 장치는, 네트워크를 거쳐서 상기 제조 관리 장치와 원격 통신하는 것이 바람직하다.
이 시스템에 의하면, 제조 조건 결정 장치가 네트워크를 거쳐서 제조 관리 장치와 원격 통신하므로, 제조 조건 결정 장치가, 제조 관리 장치에 대해 원격으로 위치하고 있어도, 제조 조건 결정 장치에서 결정한 피복층 제조 공정의 제조 조건을 제조 관리 장치에 신속히 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 시스템에서는, 상기 제조 관리 장치는 피복층 제조 장치 내에 마련되고, 상기 제조 조건 결정 장치는 상기 피복층 제조 장치에 대해 먼 종단에 위치하는 제어 부문에 마련되는 것이 바람직하다.
이 시스템에 의하면, 제조 관리 장치가, 피복층 제조 장치 내에 마련되고, 제조 조건 결정 장치가, 피복층 제조 장치에 대해 먼 종단에 위치하는 제어 부문에 마련되어 있어도, 제조 조건 결정 장치가, 네트워크를 거쳐서 제조 관리 장치와 원격 통신하므로, 제어 부문의 제조 조건 결정 장치에서 결정한 피복층 제조 공정의 제조 조건을 제조 관리 장치에 신속히 제공할 수 있다.
본 발명의 제조 조건 결정 장치는, 상기한 광반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 상기 피복층 제조 공정의 제조 조건을 결정하기 위한 제조 조건 결정 장치로서, 상기 광반도체 소자에 관련되는 제 1 정보를 저장하는 제 1 정보 저장 영역과, 상기 바니시에 관련되는 제 2 정보를 저장하는 제 2 정보 저장 영역과, 상기 제 1 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 1 정보, 및 상기 제 2 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 2 정보에 근거하여 상기 제조 조건을 결정하는 결정 수단을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
이 제조 조건 결정 장치는 제 1 정보 저장 영역과, 제 2 정보 저장 영역과, 결정 수단을 구비한다.
그 때문에, 이 제조 조건 결정 장치에 의하면, 제 1 정보 및 제 2 정보의 각각을 제 1 정보 저장 영역 및 제 2 정보 저장 영역의 각각에 저장하고, 결정 수단에 의해서 피복층 제조 공정의 제조 조건을 결정할 수 있다.
그 결과, 이러한 피복층 제조 공정의 제조 조건에 근거하면, 목적으로 하는 광반도체 장치를 정밀도 좋게 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 제조 조건 결정 장치는 상기 바니시 제조 공정의 제조 조건을 또한 결정하고, 상기 결정 수단은 상기 제 1 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 1 정보, 및 상기 제 2 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 2 정보에 근거하여, 상기 바니시 제조 공정의 상기 제조 조건을 또한 결정하는 것이 바람직하다.
이 제조 조건 결정 장치에서는, 결정 수단이, 제 1 정보 저장 영역에 저장되는 제 1 정보, 및 제 2 정보 저장 영역에 저장되는 제 2 정보에 근거하여, 바니시 제조 공정의 제조 조건을 또한 결정한다. 그 때문에, 목적으로 하는 광반도체 장치에 적합한 피복층을 높은 정밀도로 제조할 수 있고, 또한 목적으로 하는 광반도체 장치를 높은 정밀도로 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 제조 조건 결정 장치에서는, 상기 제 1 정보는 상기 광반도체 소자가 실장되는 기판에 관련되는 정보를 포함하는 것이 바람직하다.
이 제조 조건 결정 장치에 의하면, 제 1 정보는 광반도체 소자가 실장되는 기판에 관련되는 정보를 포함하므로, 제조 조건 결정 장치가, 광반도체 소자가 실장되는 기판에 관련되는 정보도 상기한 각 정보와 함께 구비할 수 있다.
그 때문에, 목적으로 하는 광반도체 장치를 높은 정밀도로 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 제조 조건 결정 장치는 상기 피복층을 금회 이전에 제조한 제조 조건에 관련되는 제 5 정보를 저장하는 제 5 정보 저장 영역을 구비하고, 상기 제 5 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 5 정보에 근거하여, 상기 피복층을 금회 제조하기 위한 제조 조건을 결정하는 것이 바람직하다.
이 제조 조건 결정 장치에 의하면, 피복층을 금회 이전에 제조한 제조 조건에 관련되는 제 5 정보를 축적할 수 있다. 그 때문에, 과거에 축적한 제조 조건에 근거하여, 목적으로 하는 광반도체 장치에 적합한 피복층을 금회 제조할 수 있고, 또한 목적으로 하는 광반도체 장치를 정밀도 좋게 금회 제조할 수 있다.
본 발명의 제조 관리 장치는, 상기한 광반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 상기 피복층 제조 공정의 제조 조건을 관리하기 위한 제조 관리 장치로서, 상기 제조 조건에 관련되는 제 3 정보를 저장하는 제 3 정보 저장 영역과, 상기 제 3 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 3 정보에 근거하여, 상기 피복층 제조 공정의 상기 제조 조건을 관리하는 관리 수단을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
이 제조 관리 장치에 의하면, 상기한 광반도체 장치에 있어서의 피복층 제조 공정의 제조 조건에 관련되는 제 3 정보를 제 3 정보 저장 영역에 저장하고, 이러한 제 3 정보에 근거하여, 관리 수단에 의해서 피복층 제조 공정의 제조 조건을 정밀도 좋게 관리할 수 있다.
그 때문에, 목적으로 하는 광반도체 장치를 정밀도 좋게 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 제조 관리 장치는 상기 바니시 제조 공정의 제조 조건을 또한 관리하고, 상기 관리 수단은 상기 제 3 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 3 정보에 근거하여, 상기 바니시 제조 공정의 상기 제조 조건을 또한 관리하는 것이 바람직하다.
이 제조 관리 장치에 의하면, 관리 수단이, 제 3 정보 저장 영역에 저장되는 제 3 정보에 근거하여, 바니시 제조 공정의 제조 조건을 또한 관리하므로, 목적으로 하는 광반도체 장치에 적합한 피복층을 높은 정밀도로 제조할 수 있고, 또한 목적으로 하는 광반도체 장치를 높은 정밀도로 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 제조 관리 장치는 입자, 경화성 수지, 바니시 및 광반도체 소자의 적어도 1종의 로트 정보, 및/또는 단위 기간당의 광반도체 장치의 제조량을 포함하는 제 4 정보를 저장하는 제 4 정보 저장 영역과, 상기 제 4 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 4 정보에 근거하여, 상기 피복층 제조 공정의 상기 제조 조건을 수정하는 수정 수단을 구비하는 것이 바람직하다.
입자, 경화성 수지, 바니시 및 광반도체 소자의 로트 정보는 로트마다 변동된다. 또한, 단위 기간당의 광반도체 장치의 제조량은 단위 기간마다 변동된다. 그 때문에, 로트 및/또는 단위 기간마다, 제조되는 광반도체 장치의 물성이 변동하는 경우가 있다. 그러한 경우에는, 제조 조건 결정 장치가 매회 제 4 정보에 근거하여, 제조 조건을 결정하는 것은 번잡하다.
그러나, 이 제조 관리 장치에서는, 수정 수단에 의해서, 제 4 정보 저장 영역에 저장되는 입자, 경화성 수지, 바니시 및 광반도체 소자의 적어도 1종의 로트 정보, 및/또는 단위 기간당의 광반도체 장치의 제조량을 포함하는 제 4 정보에 근거하여 피복층 제조 공정의 제조 조건을 수정할 수 있다. 그 때문에, 로트 정보 및/또는 광반도체 장치의 제조량의 변동에 용이하게 대응하여, 피복층 제조 공정의 제조 조건을 수정해서, 목적으로 하는 광반도체 장치를 정밀도 좋게 제조할 수 있다.
본 발명의 광반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 발광 효율이 우수한 광반도체 장치를 저비용으로 얻을 수 있다.
본 발명의 제조 조건 결정 장치 및 제조 관리 장치를 구비하는 본 발명의 시스템에 의하면, 제조 관리 장치와는 별도로, 제조 조건 결정 장치에서 결정할 수 있음과 아울러, 제조 관리 장치가 관리할 수 있다. 또한, 목적으로 하는 광반도체 장치를 정밀도 좋게 제조할 수 있다.
도 1(a)-도 1(c)는 본 발명의 광반도체 장치의 제조 방법의 일 실시 형태의 공정도이며, 도 1(a)는 광반도체 소자가 실장된 기판과, 피복층이 마련된 이형(離型) 시트를 적층 장치에 설치하는 공정, 도 1(b)는 기판과 피복층을 적층하는 공정, 도 1(c)는 이형 시트를 당겨서 벗기는 공정을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 시스템의 일 실시 형태의 개략 구성도를 나타낸다.
도 3은 도 2의 변형예의 시스템의 개략 구성도를 나타낸다.
본 발명의 광반도체 장치의 제조 방법의 일 실시 형태는 입자 및 경화성 수지를 포함하는 바니시를 제조하는 바니시 제조 공정, 바니시로부터 A스테이지의 피복층을 제조하는 피복층 제조 공정, 및 A스테이지의 피복층에 의해서 광반도체 소자를 피복하는 피복 공정을 구비한다. 이하, 각 공정에 대해 상술한다.
<바니시 제조 공정>
입자로서는, 예를 들면 형광체, 충전제 등을 들 수 있다.
형광체는, 파장 변환 기능을 가지고 있으며, 예를 들면, 청색광을 황색광으로 변환할 수 있는 황색 형광체, 청색광을 적색광으로 변환할 수 있는 적색 형광체 등을 들 수 있다.
황색 형광체로서는, 예를 들면, (Ba, Sr, Ca) 2 SiO4; Eu, (Sr, Ba)2SiO4:Eu(바륨오르소실리케이트(BOS)) 등의 실리케이트 형광체, 예를 들면, Y3Al5O12:Ce(YAG(이트륨·알루미늄·가넷): Ce), Tb3Al3O12:Ce(TAG(테르븀·알루미늄·가넷):Ce) 등의 가넷형 결정 구조를 가지는 가넷형 형광체, 예를 들면, Ca-α-SiAlON 등의 산질화물 형광체 등을 들 수 있다.
적색 형광체로서는, 예를 들면, CaAlSiN3:Eu, CaSiN2:Eu 등의 질화물 형광체 등을 들 수 있다.
형광체의 형상으로서는, 예를 들면 구 형상, 판 형상, 침 형상 등을 들 수 있다.
형광체의 최대 길이의 평균값(구 형상인 경우에는 평균 입자 직경)은, 예를 들면 0.1㎛ 이상, 바람직하게는 1㎛ 이상이며, 또한 예를 들면, 200㎛ 이하, 바람직하게는 100㎛ 이하이다.
형광체의 흡수 피크 파장은, 예를 들면 300㎚ 이상, 바람직하게는 430㎚ 이상이며, 또한, 예를 들면 550㎚ 이하, 바람직하게는 470㎚ 이하이다.
형광체는 단독 사용 또는 병용할 수 있다.
형광체의 배합 비율은, 경화성 수지 100질량부에 대해, 예를 들면 0.1질량부 이상, 바람직하게는 0.5질량부 이상이며, 예를 들면 80질량부 이하, 바람직하게는 50질량부 이하이다.
충전제로서는, 예를 들면 실리콘 입자(구체적으로는, 실리콘 고무 입자를 포함함) 등의 유기 미립자, 예를 들면 실리카(예를 들면, 연무 실리카 등), 탈크, 알루미나, 질화 알루미늄, 질화 규소 등의 무기 미립자 등을 들 수 있다. 또한, 충전제의 최대 길이의 평균값(구 형상인 경우에는 평균 입자 직경)은, 예를 들면 0.1㎛ 이상, 바람직하게는 1㎛ 이상이며, 또한 예를 들면, 200㎛ 이하, 바람직하게는 100㎛ 이하이다. 충전제는 단독 사용 또는 병용할 수 있다. 충전제의 배합 비율은, 경화성 수지 100질량부에 대해, 예를 들면 0.1질량부 이상, 바람직하게는 0.5질량부 이상이며, 또한, 예를 들면 70질량부 이하, 바람직하게는 50질량부 이하이다.
경화성 수지로서는, 예를 들면 1단계 경화형 수지를 들 수 있다.
1단계 경화형 수지는 1단계의 반응 기구를 가지고 있으며, 1단계째의 반응으로 완전 경화하는 경화성 수지이다. 1단계 경화형 수지로서는, 예를 들면 가열에 의해 경화하는 1단계 경화형 열강화성 수지, 예를 들면 활성 에너지선(예를 들면, 자외선, 전자선 등)의 조사에 의해 경화하는 1단계 경화형 활성 에너지선 경화성 수지 등을 들 수 있다. 바람직하게는 1단계 경화형 열강화성 수지를 들 수 있다.
구체적으로는, 1단계 경화형 열강화성 수지로서, 예를 들면 실리콘 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 페놀 수지, 요소 수지, 멜라민 수지, 불포화 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 투광성 및 내구성의 관점에서, 1단계 경화형 실리콘 수지를 들 수 있다.
A스테이지의 1단계 경화형 수지의 점도는, 예를 들면, 1,000m㎩·s 이상, 바람직하게는 3,000m㎩·s 이상, 보다 바람직하게는 5,000m㎩·s 이상이며, 또한, 예를 들면 1,000,000m㎩·s 이하, 바람직하게는 500,000m㎩·s 이하, 보다 바람직하게는 200,000m㎩·s 이하이다. 또, A스테이지의 1단계 경화형 수지의 점도는 A스테이지의 1단계 경화형 수지를 25℃로 온도 조절하고, E형 콘을 이용하여, 회전수 99s-1로 측정된다. 이하의 점도는 상기와 같은 방법에 의해서 측정된다.
경화성 수지의 배합 비율은 바니시(이하, 입자 함유 경화성 수지 조성물이라고 하는 경우가 있음)에 대해, 예를 들면 30질량% 이상, 바람직하게는 40질량% 이상, 보다 바람직하게는 50질량% 이상이며, 또한, 예를 들면 98질량% 이하, 바람직하게는 95질량% 이하, 보다 바람직하게는 90질량% 이하이다.
또한, 입자 함유 경화성 수지 조성물에는, 필요에 따라 용매를 함유시킬 수도 있다.
용매로서는, 예를 들면 헥산 등의 지방족 탄화 수소, 예를 들면 크실렌 등의 방향족 탄화 수소, 예를 들면 비닐메틸 환상 실록산, 양말단 비닐폴리디메틸실록산 등의 실록산 등을 들 수 있다. 용매는 입자 함유 경화성 수지 조성물이 후술하는 점도로 되는 배합 비율로, 입자 함유 경화성 수지 조성물에 배합된다.
입자 함유 경화성 수지 조성물을 조제하기 위해서는, 소망하는 입자의 종류, 입자의 배합 비율, 입자의 최대 길이의 평균값, 경화성 수지의 종류, 경화성 수지의 점도, 경화성 수지의 배합 비율, 입자가 형광체를 포함하는 경우에는, 형광체의 흡수 피크 파장, 바니시의 점도 등에 근거하여 배합한다. 계속해서, 교반기 등을 이용하여 그들을 혼합한다.
이것에 의해서, A스테이지의 바니시를 조제한다.
즉, 바니시는 A스테이지의 경화성 수지를 포함하기 때문에, A스테이지의 바니시로 된다.
바니시의 25℃, 1기압의 조건 하에서의 점도는 바니시가 이형 시트(28)(후술, 도 1(a) 참조)의 상면의 둘레 단부로부터 넘쳐흐르지 않을 정도로 설정되어 있으며, 구체적으로는, 예를 들면 1,000m㎩·s 이상, 바람직하게는 4,000m㎩·s 이상, 보다 바람직하게는 8,000m㎩·s 이상이고, 또한, 예를 들면,1,000,000m㎩·s 이하, 바람직하게는 500,000m㎩·s 이하, 보다 바람직하게는 200,000m㎩·s 이하이다.
<피복층 제조 공정>
바니시로부터 A스테이지의 피복층을 제조하기 위해서는, 도 1(a)에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 우선, 바니시를 이형 시트(28)의 표면에 도포한다.
이형 시트(28)로서는, 예를 들면 폴리에틸렌 필름, 폴리에스테르 필름(PET 등) 등의 폴리머 필름, 예를 들면 세라믹 시트, 예를 들면 금속박 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 폴리머 필름을 들 수 있다. 또한, 이형 시트(28)의 표면에는, 불소 처리 등의 박리 처리를 실시할 수도 있다.
바니시를 이형 시트(28)의 표면에 도포하기 위해서는, 예를 들면 디스펜서, 애플리케이터, 슬릿 다이 코터 등의 도포 장치를 들 수 있으며, 바람직하게는 디스펜서를 들 수 있다.
도포된 A스테이지의 피복층(50)의 두께는, 예를 들면 10㎛ 이상, 바람직하게는 50㎛ 이상이며, 또한, 예를 들면 2,000㎛ 이하, 바람직하게는 1,000㎛ 이하이다.
바니시가 용매를 함유하는 경우에는, 도포 후의 피복층(50)을 가열할 수도 있다. 또, 가열 조건은, 경화성 수지의 경화 반응이 실질적으로 촉진하지 않는 조건이며, 구체적으로는 온도가, 예를 들면 40℃ 이상, 바람직하게는 60℃ 이상이고, 또한, 예를 들면 150℃ 이하, 바람직하게는 130℃ 이하이다. 또한, 가열 시간은 예를 들면, 1분간 이상, 바람직하게는 5분간 이상이고, 또한, 예를 들면 60분간 이하, 바람직하게는 40분간 이하이다.
<피복 공정>
A스테이지의 피복층(50)에 의해서 광반도체 소자(13)를 피복하기 위해서는, 예를 들면 우선, 도 1(a)에 나타내는 바와 같이, 광반도체 소자(13)가 실장된 기판(14)을 준비한다.
기판(14)은, 예를 들면 실리콘 기판, 세라믹 기판, 폴리이미드 수지 기판, 금속 기판에 절연층이 적층된 적층 기판 등의 절연 기판을 들 수 있다. 기판(14)의 외형 형상으로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 평면에서 보아 대략 직사각형 형상, 평면에서 보아 대략 원 형상 등을 들 수 있다. 기판(14)의 치수는 적당히 선택되며, 예를 들면 최대 길이가, 예를 들면 2㎜ 이상, 바람직하게는 10㎜ 이상이며, 또한, 예를 들면 300㎜ 이하, 바람직하게는 100㎜ 이하이다.
또한, 기판(14)의 표면에는, 다음에 설명하는 광반도체 소자(13)의 단자(도시하지 않음)와 전기적으로 접속하기 위한 전극(도시하지 않음)과, 그것에 연속하는 배선을 구비하는 도체 패턴(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 도체 패턴은, 예를 들면 금, 구리, 은, 니켈 등의 도체를 들 수 있다.
또한, 기판(14)의 표면은 평탄하게 형성되어 있다. 혹은, 도시하지 않지만, 기판(14)에 있어서의 광반도체 소자(13)가 실장되는 표면(도 1(a)-도 1(c)에서의 하면(下面))에, 이면(裏面)(도 1(a)-도 1(c)에서의 상면)으로 향해 오목한 오목부가 형성되어 있어도 좋다.
광반도체 소자(13)는 전기 에너지를 광 에너지로 변환하는 LED(발광 다이오드 소자)나 LD(레이저 다이오드) 등이며, 예를 들면 두께가 면 방향 길이(두께 방향에 대한 직교 방향 길이)보다 짧은 단면(斷面)에서 보아 대략 직사각형 형상을 들 수 있다. 광반도체 소자(13)로서, 바람직하게는 청색광을 발광하는 청색 LED를 들 수 있다. 광반도체 소자(13)의 치수는, 용도 및 목적에 따라 적당히 선택되며, 구체적으로는 두께가, 예를 들면 10㎛ 이상, 1000㎛ 이하이고, 최대 길이가, 예를 들면 0.05㎜ 이상, 바람직하게는 0.1㎜ 이상이고, 또한, 예를 들면 5㎜ 이하, 바람직하게는 2㎜ 이하이다.
광반도체 소자(13)의 발광 피크 파장은, 예를 들면 400㎚ 이상, 바람직하게는 430㎚ 이상이며, 또한, 예를 들면 500㎚ 이하, 바람직하게는 470㎚ 이하이다.
광반도체 소자(13)는, 기판(14)에 대해, 예를 들면 플립 칩 실장되거나 혹은 와이어 본딩 접속되어 있다.
또한, 광반도체 소자(13)를 1개의 기판(14)에 대해 복수(도 1(a)-도 1(c)에서는 3개) 실장할 수 있다. 1개의 기판(14)당의 광반도체 소자(13)의 실장수는, 예를 들면 1 이상, 바람직하게는 4 이상이고, 또한, 예를 들면 2000 이하, 바람직하게는 400 이하이다.
다음에, 본 방법에서는, 광반도체 소자(13)가 실장된 기판(14)을 적층 장치(35)에 설치한다. 적층 장치(35)는 상하 방향으로 간격을 두고 대향 배치되고, 적층 장치(35) 및 기판(14)을 상하 방향으로 이동 가능한 2매의 평판(41)을 가진다.
광반도체 소자(13)가 실장된 기판(14)을 적층 장치(35)에 설치하기 위해서는, 구체적으로는 광반도체 소자(13)가 하부로 향하도록 기판(14)을 아래측의 평판(41)에 설치한다.
별도로, 이형 시트(28)의 상면에 마련되는 피복층(50)을 광반도체 소자(13)의 아래측에 대향 배치시킨다. 즉, 피복층(50)이 광반도체 소자(13)를(즉, 아래측을) 향하도록, 이형 시트(28)를 아래측의 평판(41)의 상면에 배치한다.
다음에, 도 1(b)에 나타내는 바와 같이, 피복층(50)에 의해서 광반도체 소자(13)를 피복한다. 피복층(50)에 의해서 광반도체 소자(13)를 매설한다. 구체적으로는, 적층 장치(35)에 의해서, 기판(14)과 피복층(50)을 서로 근접시켜 적층한다. 상세하게는, 도 1(a)의 화살표 및 도 1(b)에서 나타내는 바와 같이, 광반도체 소자(13)가 실장된 기판(14)을, 피복층(50)이 마련된 이형 시트(28)에 대해 강하시킨다(눌러내린다). 즉, 위측의 평판(41)을 강하시킨다. 혹은, 도 1(a)의 가상선 화살표 및 도 1(b)에서 나타내는 바와 같이, 피복층(50)이 마련된 이형 시트(28)를, 광반도체 소자(13)가 실장된 기판(14)에 대해 상승시킨다(밀어올린다). 즉, 아래측의 평판(41)을 상승시킨다.
이것에 의해서, 피복층(50)에 의해 광반도체 소자(13)를 피복한다. 즉, 피복층(50)에 의해서 광반도체 소자(13)를 매설한다.
그 후, A스테이지의 피복층(50)을 C스테이지화(완전 경화)한다.
예를 들면, 경화성 수지가 열강화성 수지이면, A스테이지의 피복층(50)을 가열한다.
상세하게는, 구체적으로는 적층 장치(35)에 의한 피복층(50)에 대한 끼워짐 상태를 유지하면서, 오븐(도시하지 않음) 내에 투입한다. 이것에 의해서, A스테이지의 피복층(50)을 가열한다.
가열 온도는, 예를 들면 80℃ 이상, 바람직하게는 100℃ 이상이고, 또한, 예를 들면 200℃ 이하, 바람직하게는 180℃ 이하이다. 또한, 가열 시간은, 예를 들면 10분간 이상, 바람직하게는 30분간 이상이고, 또한, 예를 들면 10시간 이하, 바람직하게는 5시간 이하이다.
피복층(50)의 가열에 의해서, A스테이지의 피복층(50)이 C스테이지화(완전 경화)한다.
한편, 경화성 수지가 활성 에너지선 경화성 수지이면, 피복층(50)에 활성 에너지선을 조사한다. 이것에 의해서, A스테이지의 피복층(50)을 C스테이지화(완전 경화)시킨다. 구체적으로는, 자외선 램프 등을 이용하여 A스테이지의 피복층(50)에 자외선을 조사한다.
이것에 의해서, 피복층(50)과 피복층(50)에 의해 밀봉되는 광반도체 소자(13)와, 광반도체 소자(13)가 실장된 기판(14)을 구비하는 광반도체 장치(20)가 제조된다.
도 1(b)에서는, 1개의 광반도체 장치(20)에서, 복수(3개)의 광반도체 소자(13)가 마련되어 있다.
그 후, 도 1(c)에 나타내는 바와 같이, 이형 시트(28)를, 화살표로 나타내는 바와 같이, 피복층(50)으로부터 벗겨낸다.
또 그 후, 필요에 따라, 복수의 광반도체 소자(13)가 1개의 기판(14)에 실장되는 경우에는, 각 광반도체 소자(13)에 대응하여, 피복층(50)을 절단해서 개편화(個片化)할 수도 있다.
[광반도체 장치의 제조 방법의 작용 효과]
본 방법에 의하면, A스테이지의 피복층(50)에 의해서 광반도체 소자(13)를 피복하므로, 특허문헌 2와 같은 B스테이지 시트를 조제하는 공정수를 삭감할 수 있다. 그 때문에, 공정수를 저감하고, 제조 조건 결정 장치(2)의 제조 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 방법에 의하면, 바니시로부터 A스테이지의 피복층(50)을 제조한 후, 이러한 A스테이지의 피복층(50)에 의해서 광반도체 소자(13)를 피복하므로, 특허문헌 1과 같은 포팅에 비해, 피복층(50)을 균일한 두께로 조제할 수 있다. 그 때문에, 발광 효율이 우수한 광반도체 장치(20)를 얻을 수 있다.
그 결과, 본 방법에 의하면, 발광 효율이 우수한 광반도체 장치(20)를 저비용으로 얻을 수 있다.
[변형예]
도 1(b)의 피복 공정에서는, 2개의 평판(41)을 구비하는 적층 장치(35)를 이용하여, 매엽식의 피복층(50) 및 이형 시트(28)를, 광반도체 소자(13)가 실장된 기판(14)에 적층하고 있지만, 예를 들면, 도시하지 않지만, 롤 장치 등을 이용하여, 장척(長尺) 형상의 피복층(50) 및 이형 시트(28)를, 복수의 광반도체 소자(13)가 실장된 기판(14)에 연속해서 적층할 수도 있다.
본 방법에 의하면, 광반도체 장치(20)의 제조 효율을 보다 더 향상시킬 수 있다.
[시스템의 구성]
다음에, 상기한 광반도체 장치(20)의 제조 방법에서의 피복층 제조 공정의 제조 조건을 결정 및 관리하는 시스템에 대해 설명한다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 이 시스템(1)은 밀봉층 제조 공장의 제어 부문(5)과, 그 밀봉층 제조 공장과는 별도도 마련되는 광반도체 장치 제조 공장(4)에 마련되는 시스템이다. 시스템(1)은 입자 및 경화성 수지를 포함하는 바니시(11)를 제조하는 바니시 제조 공정 S1, 바니시(11)로부터 A스테이지의 피복층의 일례로서의 밀봉층(12)을 제조하는 밀봉층 제조 공정 S2(피복층 제조 공정의 일례), 및 밀봉층(12)에 의해서 광반도체 소자(13)를 밀봉하는 밀봉 공정 S3(피복 공정의 일례)을 구비하는 광반도체 장치(20)의 제조 방법에서의 바니시 제조 공정 S1 및 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건을 결정 및 관리한다. 시스템(1)은 제조 조건 결정 장치(2)와, 제조 관리 장치로서의 밀봉층 제조 관리 장치(3)를 구비한다.
제어 부문(5)은, 예를 들면 광반도체 장치 제조 공장(4)의 밀봉층 제조 장치(34)(후술)에서 제조하는 밀봉층(12)과 동일한 밀봉층(12)을 제조 가능한 밀봉층 제조 공장 내에 마련되어 있다.
제어 부문(5)은 제조 조건 결정 장치(2)를 구비한다.
제조 조건 결정 장치(2)는 제 1 정보 저장 영역으로서의 제 1 메모리(6)와, 제 2 정보 저장 영역으로서의 제 2 메모리(7)와, 결정 수단으로서의 제 1 CPU(8)와, 제 5 정보 저장 영역으로서의 제 5 메모리(10)를 구비한다.
제 1 메모리(6)는 광반도체 소자(13), 광반도체 소자(13)가 실장되는 기판(14), 및 광반도체 장치(20)에 관련되는 제 1 정보(15)를 저장한다.
제 1 정보(15)로서는, 구체적으로는 광반도체 소자(13)에 관련되는 정보로서, 예를 들면 광반도체 소자(13)의 형상, 광반도체 소자(13)의 치수, 광반도체 소자(13)의 발광 피크 파장, 기판(14)의 단위 면적당의 광반도체 소자(13)의 실장수, 1개의 기판(14)당의 광반도체 소자(13)의 실장수 등을 들 수 있다.
또한, 제 1 정보(15)로서는, 구체적으로는 기판(14)에 관련되는 정보로서, 예를 들면 기판(14)의 외형 형상, 기판(14)의 치수, 기판(14)의 표면 형상(오목부의 유무 등) 등을 들 수 있다.
또, 제 1 정보(15)로서는, 구체적으로는 광반도체 장치(20)에 관련되는 정보로서, 예를 들면 광반도체 장치(20)의 색 온도, 광반도체 장치(20)의 전체 광속, 광반도체 장치(20)의 배광 특성 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 목표로 되는 색 온도는, 목표로 하는 광의 색이 주백색인 경우에는, 예를 들면 4600K 이상이고, 또한, 예를 들면 5500K 이하이다. 또한, 목표로 되는 색 온도는, 목표로 하는 광의 색이 온백색인 경우에는, 예를 들면 3250K 이상이고, 또한, 예를 들면 3800K 이하이다. 목표로 되는 색 온도는 상기 온도 범위로부터 선택된다.
제 1 메모리(6)는 광반도체 장치 제조 공장(4)이 가지는 제 1 정보원(21)으로부터 입력되도록 구성되어 있다.
제 2 메모리(7)는 바니시(11)에 관련되는 제 2 정보(16)를 저장한다.
제 2 정보(16)로서는, 구체적으로는 입자에 관련되는 정보로서, 예를 들면 입자의 종류, 입자의 배합 비율, 입자의 최대 길이의 평균값(입자가 구 형상인 경우에는, 평균 입자 직경) 등을 들 수 있다. 또, 입자가 상기한 형광체를 포함하는 경우에는, 입자에 관련되는 정보로서 형광체의 흡수 피크 파장도 들 수 있다. 또한, 제 2 정보(16)로서는, 구체적으로는 경화성 수지에 관련되는 정보로서, 예를 들면 경화성 수지의 종류, 경화성 수지의 점도, 경화성 수지의 배합 비율, 경화성 수지의 경화 속도 등을 들 수 있다. 또, 제 2 정보(16)로서는, 구체적으로는 바니시에 관련되는 정보로서, 예를 들면 바니시의 점도를 들 수 있다. 또한, 제 2 정보(16)로서, 상기한 이형 시트(28)에 위치 결정 마크(도시하지 않음)가 마련되어 있는 경우에는, 도포 후의 복수의 바니시(11)의 상대 위치 정보 등도 들 수 있다.
제 2 정보(16)는 밀봉층 제조 공장의 제어 부문(5)이 가지는 제 2 정보원(22)으로부터 입력되도록 구성되어 있다.
제 1 CPU(8)는 제 1 메모리(6)에 저장되는 제 1 정보(15), 및 제 2 메모리(7)에 저장되는 제 2 정보(16)에 근거하여, 밀봉층(12)의 제조 조건을 결정하는 결정 장치이다.
제 1 CPU(8)에는 소정의 프로그램 처리가 미리 저장되어 있고, 제 1 CPU(8)는 프로그램 처리에 따라, 밀봉층(12)의 제조 조건을 결정한다.
밀봉층(12)의 제조 조건으로서는, 예를 들면 바니시(11)의 도포 조건 등을 들 수 있다. 또, 바니시가 용매를 함유하는 경우에는, 바니시를 가열에 의해서 건조할 때의 가열 조건 등도 들 수 있다.
바니시(11)의 도포 조건으로서는, 예를 들면 도포 직후의 바니시(11)의 형상, 도포 직후의 바니시(11)의 두께 등을 들 수 있다. 또, 상기한 형상에는, 바니시(11)가 서로 간격을 둔 형상을 포함한다.
제 1 CPU(8)는 제 1 메모리(6)에 저장되는 제 1 정보(15)와, 제 2 메모리(7)에 저장되는 제 2 정보(16)를 판독 가능하게 구성되어 있다.
제 5 메모리(10)는 제 1 CPU(8)에 의해서 결정된 밀봉층(12)의 제조 조건을 저장하는 영역이다.
또, 제 5 메모리(10)에는, 밀봉층(12)을 금회 이전에 제조한 제조 조건에 관련되는 제 5 정보(19)를 기록 가능한 기록 영역(도시하지 않음)이 마련되어 있다. 또, 기록 영역에 기록되어 축적되는 제 5 정보(19)는, 금회 제조에서 제 1 CPU(8)에 의해서 판독되고, 재차 제 1 CPU(8)에 의해서 밀봉층(12)의 제조 조건을 결정하도록 구성되어 있다.
광반도체 장치 제조 공장(4)는 밀봉층 제조 장치(34)와, 밀봉 장치(32)를 구비한다.
밀봉층 제조 장치(34)는 바니시 제조 장치(33)와, 도포 장치(31)와, 밀봉층 제조 관리 장치(3)를 구비한다.
바니시 제조 장치(33)는, 예를 들면 교반기(51)를 장착하는 용기(52)를 구비한다.
도포 장치(31)는, 예를 들면 디스펜서, 애플리케이터, 슬릿 다이 코터 등을 구비한다. 또한, 도포 장치(31)는, 도시하지 않지만, 간격을 두고 배치되는 히터를 가지는 오븐을 구비할 수도 있다.
밀봉층 제조 관리 장치(3)는 제 3 정보 저장 영역으로서의 제 3 메모리(23)와, 제 4 정보 저장 영역으로서의 제 4 메모리(24)와, 관리 수단인 수정 수단으로서의 제 2 CPU(25)를 구비한다.
제 3 메모리(23)는 제 1 CPU(8)에 의해서 결정되는 밀봉층(12)의 제조 조건에 관련되는 제 3 정보(17)를 저장한다.
제 3 정보(17)는 제 1 CPU(8)에 의해서 결정되는 밀봉층(12)의 제조 조건을 포함한다.
제 3 메모리(23)는 제 5 메모리(10)에서 결정되는 제 3 정보(17)가 제 5 메모리(10)로부터 입력되도록 구성되어 있다.
제 4 메모리(24)는 입자, 경화성 수지, 바니시 및 광반도체 소자(13)의 적어도 1종의 로트 정보, 및/또는 단위 기간당의 광반도체 장치(20)의 제조량을 포함하는 제 4 정보(18)를 저장한다.
로트 정보는 로트의 변경에 따라 변동하는 정보로서, 구체적으로는 로트에 따라 상이한 입자의 최대 길이의 평균값(입자가 구 형상인 경우에는 평균 입자 직경) 등을 들 수 있고, 또한, 로트에 따라 상이한 경화성 수지의 점도 등을 들 수 있다. 또, 입자가 형광체를 포함하는 경우에는, 형광체의 로트 정보로서, 로트에 따라 상이한 형광체의 흡수 피크 파장을 들 수 있다. 또, 로트에 따라 상이한 바니시에 관련되는 정보로서, 상기 입자 및/또는 경화성 수지의 로트가 상이한 것에 기인하는 바니시의 점도를 들 수 있다.
단위 기간당의 광반도체 장치(20)의 제조량으로서는, 1개월간의 광반도체 장치(20)의 제조량으로서, 예를 들면 1,000개 이상, 바람직하게는 5,000개 이상이고, 또한, 예를 들면 200,000개 이하의 범위로부터 선택된다.
제 4 메모리(24)는 광반도체 장치 제조 공장(4)에 있어서의 제 1 정보원(21), 및 제어 부문(5)에 있어서의 제 2 정보원(22)으로부터 제 4 정보(18)가 입력되도록 구성되어 있다.
제 4 정보(18) 중, 제 1 정보원(21)으로부터 입력되는 제 4 정보(18B)로서는, 예를 들면 광반도체 소자(13)의 로트 정보, 단위 기간당의 광반도체 장치(20)의 제조량을 들 수 있고, 또한, 제 2 정보원(22)으로부터 입력되는 제 4 정보(18A)로서는, 예를 들면 입자의 로트 정보, 경화성 수지의 로트 정보, 바니시의 로트 정보를 들 수 있다.
제 2 CPU(25)에는 소정의 프로그램 처리가 미리 저장되어 있고, 제 2 CPU(25)는, 제 3 메모리(23)에 저장되는 제 3 정보(17)에 근거하여, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건, 및 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건을 관리한다. 또한, 제 2 CPU(25)는 제 4 메모리(24)에 저장되는 제 4 정보(18)에 근거하여, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건, 및 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건을 수정할 수도 있다.
제 2 CPU(25)는 제 3 메모리(23)에 저장되는 제 3 정보(17), 및 제 4 메모리(24)에 저장되는 제 4 정보(18)를 판독 가능하게 구성되어 있다.
제 2 CPU(25)는 바니시 제조 장치(33) 및 도포 장치(31)의 각각에, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건, 및 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건의 각각을 관리 가능하고 또한 수정 가능하게 구성되어 있다.
밀봉 장치(32)는 적층 장치(35)와, 밀봉 제어 장치(36)를 구비한다.
적층 장치(35)는, 예를 들면 상하 방향으로 간격을 두고 대향 배치되고, 밀봉층(12) 및 기판(14)을 상하 방향으로 이동 가능한 2매의 평판(41)을 가지는 적층기 등이 선택된다.
밀봉 제어 장치(36)는 밀봉 공정 S3의 밀봉 조건을 제어할 수 있도록 구성되어 있다. 또, 밀봉 제어 장치(36)에는, 도시하지 않은 메모리가 마련되고, 제 1 정보원(21)으로부터 밀봉 공정 S3의 밀봉 조건이 입력되고, 그리고 밀봉 공정 S3의 밀봉 조건을 제어하도록 구성되어 있다.
다음에, 이 시스템(1)을 이용하여, 광반도체 장치 제조 공장(4)에서 광반도체 장치(20)를 제조하는 방법에 대해 설명한다.
1. 제조 조건 결정 공정
본 방법에서는, 우선 제 1 정보(15)를 제 1 정보원(21)으로부터 제 1 메모리(6)로 입력한다. 제 1 정보(15)를 제 1 메모리(6)에 입력하기 위해서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 제 1 정보원(21)과 제 1 메모리(6)를 접속하는 네트워크 등의 회선을 통해, 제 1 정보(15)를 입력하거나 혹은, 예를 들면 제 1 정보원(21)으로부터 팩스, 메일, 우편 등의 통신 수단을 거친 후, 제 1 정보(15)를 제 2 메모리(7)에 입력할 수도 있다.
별도로, 제 2 정보(16)를 제 2 정보원(22)으로부터 제 2 메모리(7)로 입력한다. 제 2 정보(16)를 제 2 메모리(7)에 입력하는 방법은 제 1 정보(15)의 제 1 메모리(6)로의 입력 방법과 같다.
다음에, 제 1 CPU(8)가, 제 1 메모리(6)에 저장되는 제 1 정보(15)와, 제 2 메모리(7)에 저장되는 제 2 정보(16)를 판독하고, 계속해서, 소정의 프로그램 처리에 따라, 이들 제 1 정보(15) 및 제 2 정보(16)에 근거하여, 밀봉층(12)의 제조 조건을 제 3 정보(17)(다음에 상술됨)로서 결정한다.
2. 제조 관리 공정
그 후, 제 1 CPU(8)에 의해서 결정된 제 3 정보(17)는 제 5 메모리(10)에 기록되고, 계속해서, 제 5 메모리(10)에 기록된 제 3 정보(17)는 제 3 메모리(23)에 입력된다.
제 3 정보(17)를 제 3 메모리(23)에 입력하는 방법은 제 1 정보(15)의 제 1 메모리(6)로의 입력 방법과 같다.
별도로, 제 4 정보(18)를 제 1 정보원(21) 및 제 2 정보원(22)으로부터 제 4 메모리(24)로 입력한다. 제 4 정보(18)를 제 4 메모리(24)에 입력하는 방법은 제 1 정보(15)의 제 1 메모리(6)로의 입력 방법과 같다.
그 후, 제 2 CPU(25)가, 제 3 메모리(23)에 저장되는 제 3 정보(17)를 판독하고, 계속해서, 소정의 프로그램 처리에 따라, 제 3 정보(17)에 근거하여, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건 및 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건을 관리한다.
그리고, 밀봉층 제조 장치(34)에서는, 제 2 CPU(25)에 의해서 관리되는 제조 조건에 근거하여, 바니시 제조 공정 S1 및 밀봉층 제조 공정 S2를 순차적으로 실시한다.
3. 바니시 제조 공정 S1
바니시 제조 장치(33)에서는, 우선 바니시 제조 공정 S1을 제 2 CPU(25)에 의해서 관리되는 제조 조건에 따라 실시한다.
구체적으로는, 바니시 제조 공정 S1에서는, 우선 입자 및 경화성 수지의 각각을 준비하고, 이들을 혼합하여, 바니시(11)를 입자 함유 경화성 수지 조성물로서 조제한다.
입자는, 예를 들면 상기의 예시로부터 선택되고, 구체적으로는 형광체, 충전제로부터 선택된다.
형광체의 형상은 상기한 예시로부터 선택된다. 형광체의 최대 길이의 평균값(구 형상인 경우에는 평균 입자 직경)은 상기한 예시의 범위로부터 선택된다. 형광체의 흡수 피크 파장은 상기한 예시의 범위로부터 선택된다. 형광체의 배합 비율은 상기한 예시의 범위로부터 선택된다.
충전제는 상기한 예시로부터 선택된다. 충전제의 최대 길이의 평균값(구 형상인 경우에는 평균 입자 직경)은 상기한 예시의 범위로부터 선택된다. 충전제의 배합 비율은 상기한 예시의 범위로부터 선택된다.
경화성 수지는 상기한 예시로부터 선택된다. A스테이지의 1단계 경화형 수지의 점도는 상기한 예시의 범위로부터 선택된다. 경화성 수지의 배합 비율은 상기한 예시의 범위로부터 선택된다.
입자 함유 경화성 수지 조성물을 조제하기 위해서는, 구체적으로는 도 2에 나타내는 바와 같이, 바니시 제조 장치(33)에서, 용기(52) 내에 상기한 각 성분을, 제 2 CPU(25)에 의해서 관리된, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건, 예를 들면 제 2 CPU(25)에 의해서 관리되는 바니시(11)의 종류, 보다 구체적으로는 제 2 CPU(25)에 의해서 관리된, 입자의 종류, 입자의 배합 비율, 입자의 최대 길이의 평균값(입자가 구 형상인 경우에는 평균 입자 직경), 경화성 수지의 종류, 경화성 수지의 점도, 경화성 수지의 배합 비율, 입자가 형광체를 포함하는 경우에는, 형광체의 흡수 피크 파장, 바니시(11)의 점도 등에 근거하여 배합한다. 계속해서, 교반기(51)를 이용하여 그들을 혼합한다.
이것에 의해서, A스테이지의 바니시(11)를 조제한다.
바니시(11)의 25℃, 1기압의 조건 하에서의 점도는 상기한 예시의 범위 내로 되도록 조정된다.
4. 밀봉층 제조 공정 S2
도포 장치(31)에서는, 바니시 제조 공정 S1의 후에, 밀봉층 제조 공정 S2를, 제 2 CPU(25)에 의해서 관리되는 제조 조건에 따라 실시한다.
즉, 바니시(11)로부터 밀봉층(12)을 제조한다.
밀봉층(12)을 제조하기 위해서는, 예를 들면 우선 바니시(11)를 이형 시트(28)의 표면에 도포한다.
이형 시트(28)는 상기한 예시로부터 선택된다. 이형 시트(28)의 형상은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 평면에서 보아 대략 직사각형 형상(리드(reed) 형상, 장척 형상을 포함함) 등으로부터 선택된다. 또, 이형 시트(28)로서는, 위치 결정 마크(도시하지 않음)의 형성의 유무, 또는 위치 결정 마크의 위치 정보, 치수 등이 선택된다. 마크는 바니시(11)이 도포되는 영역이 확보되도록 형성된다.
바니시(11)를 이형 시트(28)의 표면에 도포하는 도포 장치(31)로서, 예를 들면 디스펜서, 애플리케이터, 슬릿 다이 코터 등으로부터 선택된다. 바람직하게는, 디스펜서로부터 선택된다.
밀봉층(12)의 두께가, 상기한 예시의 범위로 되도록, 바니시(11)의 도포 조건으로부터 선택된다.
즉, 바니시(11)를 제 2 CPU(25)에 의해서 관리되는 제조 조건, 구체적으로는 제 2 CPU(25)에 의해서 관리되는, 도포 직후의 바니시(11)의 형상, 도포 직후의 바니시(11)의 두께로 조절되도록, 도포 장치(31)의 도포 조건으로부터 선택된다.
또, 이형 시트(28)에 위치 결정 마크(도시하지 않음)가 형성되어 있는 경우에는, 도포 장치(31)에 장착되는 센서(도시하지 않음)에 의해서, 위치 결정 마크에 대한 도포 위치를 확인하면서, 위치 결정 마크에 대한 바니시(11)의 상대 위치가 조절된다.
그 후, 바니시(11)가 용매를 함유하는 경우에는, 바니시(11)를 건조시킨다. 구체적으로는, 바니시(11)를 가열한다. 가열 조건은 상기한 예시의 범위로부터 선택된다.
이것에 의해서, 이형 시트(28)의 표면에 마련되는 밀봉층(12)을 제조한다.
5. 밀봉 공정 S3
밀봉 장치(32)의 적층 장치(35)에서, 밀봉층 제조 공정 S2의 후에, 밀봉 공정 S3을, 밀봉 제어 장치(36)에 의해서 제어되는 조건에 따라 실시한다.
구체적으로는, 밀봉 공정 S3에서는, 우선 광반도체 소자(13)가 실장된 기판(14)을 준비한다.
기판(14)은 상기한 예시로부터 선택된다. 기판(14)의 외형 형상은 상기한 예시로부터 선택된다. 기판(14)의 치수는 상기한 예시로부터 선택된다.
광반도체 소자(13)는 상기한 예시로부터 선택된다. 광반도체 소자(13)의 치수는 상기한 예시의 범위로부터 선택된다. 광반도체 소자(13)의 발광 피크 파장은 상기한 예시의 범위로부터 선택된다.
광반도체 소자(13)는, 기판(14)에 대해, 예를 들면 플립 칩 실장되거나 혹은 와이어 본딩 접속되어 있다.
또한, 광반도체 소자(13)의, 1개의 기판(14)에 대한 실장수는 복수(도 1(a)-도 1(c)에서는 3개) 실장할 수 있다. 1개의 기판(14)당의 광반도체 소자(13)의 실장수는 상기한 예시의 범위로부터 선택된다.
다음에, 본 방법에서는, 광반도체 소자(13)가 실장된 기판(14)을 적층 장치(35)에 설치한다. 적층 장치(35)는 상기한 예시로부터 선택된다. 광반도체 소자(13)가 실장된 기판(14)을 적층 장치(35)에 설치하는 방법으로서는 상기한 예시가 채용된다.
다음에, 밀봉층(12)에 의해서 광반도체 소자(13)를 피복한다. 밀봉층(12)에 의해서 광반도체 소자(13)를 피복하는 방법은 상기한 예시가 채용된다.
그 후, A스테이지의 밀봉층(12)을 C스테이지화한다.
예를 들면, 밀봉 제어 장치(36)에 의해서 제어된, C스테이지화에서의 밀봉층(12)의 가열 조건, 활성 에너지선의 조사 조건에 근거하여, A스테이지의 밀봉층(12)을 C스테이지화한다.
구체적으로는, 1단계 경화형 수지로서 열경화형으로부터 선택되는 경우에는, A스테이지의 밀봉층(12)을 가열한다.
상세하게는, 구체적으로는, 평판(41)에 의한 밀봉층(12)에 대한 협지 상태를 유지하면서, 적층 장치(35)를 오븐 내에 투입한다. 이것에 의해서, A스테이지의 밀봉층(12)을 가열한다.
가열 온도는 상기한 예시의 범위로부터 선택된다. 또한, 가열 시간은 상기한 예시의 범위로부터 선택된다.
밀봉층(12)의 가열에 의해서, A스테이지의 밀봉층(12)이 C스테이지화(완전 경화)된다.
이것에 의해서, 밀봉층(12)과, 밀봉층(12)에 의해서 밀봉되는 광반도체 소자(13)와, 광반도체 소자(13)가 실장된 기판(14)을 구비하는 광반도체 장치(20)가 제조된다.
그 후, 도 1(c)를 참조하면, 이형 시트(28)를, 화살표로 나타내는 바와 같이, 밀봉층(12)으로부터 벗겨낸다.
6. 제조 조건의 축적, 로트 변경 및 단위 기간당의 제조량
금회 이전의 밀봉층(12)의 제조에서, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건, 및 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건은 제 5 메모리(10)의 기록 영역(도시하지 않음)에 기록되어 축적된다.
즉, 제 5 메모리(10)는, 제 3 정보(17)를 제 3 메모리(23)에 입력함과 아울러, 제 3 정보(17)를 과거의 정보인 제 5 정보(19)로서, 제 5 메모리(10)의 기록 영역에 그대로 축적한다.
그리고, 금회의 밀봉층(12)의 제조에 의해서, 제 1 CPU(8)는 제 5 메모리(10)에 축적되는, 밀봉층(12)을 금회 이전에 제조한, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건, 및 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건을 판독하고, 이것에 근거하여, 금회의 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건, 및 금회의 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건을 결정한다.
또한, 입자, 경화성 수지, 바니시 및 광반도체 소자의 적어도 1종의 로트 정보, 및/또는 단위 기간당의 광반도체 장치(20)의 제조량은 변동한다. 그 변동에 대응하여, 그들 제 4 정보(18)가, 제 1 정보원(21) 및 제 2 정보원(22)으로부터 제 4 메모리(24)로 입력되고, 계속해서, 제 2 CPU(25)가, 제 4 메모리(24)에 저장되는 제 4 정보(18)를 판독하고, 소정의 프로그램 처리에 따라, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건, 및/또는 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건을 수정한다.
[시스템의 작용 효과]
그리고, 이 시스템(1)에서는, 제조 조건 결정 장치(2)가, 제 1 메모리(6)와, 제 2 메모리(7)와, 제 1 CPU(8)를 구비하는 한편, 밀봉층 제조 관리 장치(3)가 제 3 메모리(23)와, 제 2 CPU(25)를 구비한다.
그리고, 제조 조건 결정 장치(2)가 제 1 정보(15) 및 제 2 정보(16)의 각각을 제 1 메모리(6) 및 제 2 메모리(7)의 각각에 저장하고 있고, 제 1 CPU(8)에 의해서 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건을 결정하고, 이것을 밀봉층 제조 관리 장치(3)에 제공할 수 있다.
그리고, 밀봉층 제조 관리 장치(3)에서는, 제조 조건 결정 장치(2)로부터 제공된 제조 조건에 관련되는 제 3 정보(17)를 제 3 메모리(23)에 저장하고, 이러한 제 3 정보(17)에 근거하여, 제 2 CPU(25)에 의해서 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건을 관리한다.
그 때문에, 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건을, 밀봉층 제조 관리 장치(3)와는 별도로, 제조 조건 결정 장치(2)에서 결정할 수 있음과 아울러, 밀봉층 제조 관리 장치(3)가 관리할 수 있다.
또한, 제조 조건 결정 장치(2)로부터 제공되는 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건에 관련되는 제 3 정보(17)는 제 1 정보(15) 및 제 2 정보(16)에 근거하고 있다. 그 때문에, 밀봉층 제조 관리 장치(3)는, 제조 조건 결정 장치(2)로부터 제공되는 제 3 정보(17)에 근거하여, 제 2 CPU(25)에 의해서, 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건을 정밀도 좋게 관리할 수 있다. 그 결과, 목적으로 하는 광반도체 장치(20)를 정밀도 좋게 제조할 수 있다.
또한, 이 시스템(1)에서는, 제 1 CPU(8)가, 제 1 메모리(6)에 저장되는 제 1 정보(15), 및 제 2 메모리(7)에 저장되는 제 2 정보(16)에 근거하여, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건을 또한 결정하고, 제 2 CPU(25)가, 제 3 메모리(23)에 저장되는 제 3 정보(17)에 근거하여, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건을 또한 관리한다. 그 때문에, 목적으로 하는 광반도체 장치(20)에 적합한 밀봉층(12)을 높은 정밀도로 제조할 수 있고, 또한 목적으로 하는 광반도체 장치(20)를 높은 정밀도로 제조할 수 있다.
또, 이 시스템(1)에 의하면, 제 1 정보(15)는 광반도체 소자(13)가 실장되는 기판(14)에 관련되는 정보를 포함하므로, 제조 조건 결정 장치(2)가, 광반도체 소자(13)가 실장되는 기판(14)에 관련되는 정보도, 광반도체 소자(13)에 관련되는 정보, 및 광반도체 장치(20)에 관련되는 정보와 함께 구비할 수 있다.
그 때문에, 제 1 정보(15)에 근거하여 결정된 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건에 관련되는 정도가 높은 제 3 정보(17)에 근거하여, 밀봉층 제조 관리 장치(3)는 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건을 보다 더 정밀도 좋게 관리할 수 있다.
또한, 이 시스템(1)에서는, 밀봉층 제조 관리 장치(3)에서, 제 2 CPU(25)에 의해서, 제 4 메모리(24)에 저장되는 입자, 경화성 수지, 바니시 및 광반도체 소자(13)의 적어도 1종의 로트 정보, 및/또는 단위 기간당의 광반도체 장치(20)의 제조량을 포함하는 제 4 정보(18)에 근거하여, 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건을 수정할 수 있다. 그 때문에, 로트 정보 및/또는 광반도체 장치(20)의 제조량의 변동에 용이하게 대응하여, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건, 및 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건을 수정해서, 목적으로 하는 광반도체 장치(20)를 정밀도 좋게 제조할 수 있다.
또, 이 시스템(1)에 의하면, 제조 조건 결정 장치(2)의 제 5 메모리(10)가, 밀봉층(12)을 금회 이전에 제조한 제조 조건에 관련되는 제 5 정보(19)를 축적할 수 있다. 그 때문에, 과거에 축적한 제조 조건에 근거하여, 목적으로 하는 광반도체 장치(20)에 적합한 밀봉층(12)을 금회 제조할 수 있고, 또한 목적으로 하는 광반도체 장치(20)를 정밀도 좋게 금회 제조할 수 있다.
이 시스템에 의하면, 제조 조건 결정 장치(2)가, 네트워크를 거쳐서 밀봉층 제조 관리 장치(3)와 원격 통신할 수 있으므로, 제조 조건 결정 장치(2)가, 밀봉층 제조 관리 장치(3)에 대해 원격으로 위치하고 있어도, 제조 조건 결정 장치(2)에서 결정한 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건을 밀봉층 제조 관리 장치(3)에 신속히 제공할 수 있다.
또, 이 시스템(1)에 의하면, 밀봉층 제조 관리 장치(3)가 광반도체 장치 제조 공장(4)의 밀봉층 제조 장치(34) 내에 마련되고, 제조 조건 결정 장치(2)가 밀봉층 제조 장치(34)에 대해 먼 종단에 위치하는 제어 부문(5)에 마련되어 있어도, 제조 조건 결정 장치(2)가, 네트워크를 거쳐서 시트 제조 관리 장치(3)와 원격 통신할 수 있으므로, 제조 조건 결정 장치(2)에서 결정한 시트 제조 공정 S2의 제조 조건을 시트 제조 관리 장치(3)에 신속히 제공할 수 있다.
이 제조 조건 결정 장치(2)는 제 1 메모리(6)와, 제 2 메모리(7)와, 제 1 CPU(8)를 구비한다.
그 때문에, 이 제조 조건 결정 장치(2)에 의하면, 제 1 정보(15) 및 제 2 정보(16)의 각각을 제 1 메모리(6) 및 제 2 메모리(7)의 각각에 저장하고, 제 1 CPU(8)에 의해서, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건, 및 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건을 결정할 수 있다.
그 결과, 이러한 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건, 및 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건에 근거하면, 목적으로 하는 광반도체 장치(20)를 정밀도 좋게 제조할 수 있다.
또한, 이 제조 조건 결정 장치(2)에서는, 제 2 CPU(25)가, 제 1 메모리(6)에 저장되는 제 1 정보(15), 및 제 2 메모리(7)에 저장되는 제 2 정보(16)에 근거하여, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건, 및 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건을 또한 결정한다. 그 때문에, 목적으로 하는 광반도체 장치(20)에 적합한 밀봉층(12)을 높은 정밀도로 제조할 수 있고, 또한 목적으로 하는 광반도체 장치(20)를 높은 정밀도로 제조할 수 있다.
또한, 이 제조 조건 결정 장치(2)에 의하면, 제 1 정보(15)는 광반도체 소자(13)가 실장되는 기판(14)에 관련되는 정보를 포함하므로, 제조 조건 결정 장치(2)가, 광반도체 소자(13)가 실장되는 기판(14)에 관련되는 정보도, 광반도체 소자(13)에 관련되는 정보, 및 광반도체 장치(20)에 관련되는 정보와 함께 구비할 수 있다.
그 때문에, 목적으로 하는 광반도체 장치(20)를 높은 정밀도로 제조할 수 있다.
이 제조 조건 결정 장치(2)에 의하면, 밀봉층(12)을 금회 이전에 제조한 제조 조건에 관련되는 제 5 정보(19)를 축적할 수 있다. 그 때문에, 과거에 축적한 제조 조건에 근거하여, 목적으로 하는 광반도체 장치(20)에 적합한 밀봉층(12)을 금회 제조할 수 있고, 또한 목적으로 하는 광반도체 장치(20)를 정밀도 좋게 금회 제조할 수 있다.
이 밀봉층 제조 관리 장치(3)에 의하면, 바니시 제조 공정 S1에 관련되는 제조 조건, 및 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건에 관련되는 제조 조건을 포함하는 제 3 정보(17)를 제 3 메모리(23)에 저장하고, 이러한 제 3 정보(17)에 근거하여, 제 2 CPU(25)에 의해서, 바니시 제조 공정 S1에 관련되는 제조 조건, 및 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건을 정밀도 좋게 관리할 수 있다.
그 때문에, 목적으로 하는 광반도체 장치(20)를 정밀도 좋게 제조할 수 있다.
또한, 이 밀봉층 제조 관리 장치(3)에 의하면, 제 2 CPU(25)가, 제 3 메모리(23)에 저장되는 제 3 정보(17)에 근거하여, 바니시 제조 공정 S1에 관련되는 제조 조건, 및 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건을 또한 관리하므로, 목적으로 하는 광반도체 장치(20)에 적합한 밀봉층(12)을 높은 정밀도로 제조할 수 있고, 또한 목적으로 하는 광반도체 장치(20)를 높은 정밀도로 제조할 수 있다.
또한, 이 밀봉층 제조 관리 장치(3)에서는, 제 2 CPU(25)에 의해서, 제 4 메모리(24)에 저장되는 입자, 경화성 수지, 바니시 및 광반도체 소자의 적어도 1종의 로트 정보, 및/또는 단위 기간당의 광반도체 장치(20)의 제조량을 포함하는 제 4 정보(18)에 근거하여, 바니시 제조 공정 S1에 관련되는 제조 조건, 및 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건을 수정할 수 있다. 그 때문에, 로트 정보 및/또는 광반도체 장치(20)의 제조량의 변동에 용이하게 대응하여, 바니시 제조 공정 S1에 관련되는 제조 조건, 및 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건을 수정해서, 목적으로 하는 광반도체 장치(20)를 정밀도 좋게 제조할 수 있다.
[변형예]
도 3의 설명에서, 도 2와 동일한 부재에 대해서는 동일한 참조 부호를 부여하고, 그 상세한 설명을 생략한다.
도 2의 실시 형태에서는, 제조 조건 결정 장치(2)와 밀봉층 제조 관리 장치(3)가 1대1의 관계, 즉 1개의 제조 조건 결정 장치(2)에 대해 1개의 밀봉층 제조 관리 장치(3)를 마련하고 있다. 그러나, 제조 조건 결정 장치(2) 및 밀봉층 제조 관리 장치(3)의 대응 관계는, 이것에 한정되지 않고, 예를 들면 도 3에 나타내는 바와 같이, 1개의 제조 조건 결정 장치(2)에 대해 복수의 밀봉층 제조 관리 장치(3)를 마련할 수도 있다.
구체적으로는, 서로 독립적으로 마련되는 복수의 광반도체 장치 제조 공장(4)의 각각에 밀봉층 제조 관리 장치(3)가 마련되어 있다. 제조 조건 결정 장치(2) 및 복수의 밀봉층 제조 관리 장치(3)는 복수의 밀봉층 제조 관리 장치(3)의 각각이 가지는 제 1 정보원(21)으로부터 복수의 제 1 정보(15)를 제 1 메모리(6)로 입력 가능하게 되고, 또한 제 1 CPU(8)에 의해서 결정된 제 3 정보(17)를 제 5 메모리(10)로부터 복수의 제 3 메모리(23)로 입력 가능하게 되도록 구성되어 있다.
도 3의 실시 형태에서는, 1개의 제조 조건 결정 장치(2)가 1개의 밀봉층 제조 관리 장치(3A(3))에 제 3 정보(17)를 제공하고, 또한 1개의 밀봉층 제조 관리 장치(3A(3))의 제 1 정보원(21)으로부터 제 1 정보(15)를 취득하여 제 1 메모리(6)에 저장하고, 이 제 1 정보(15)를 제 5 메모리(10)에서 축적하고, 그리고 다른 밀봉층 제조 관리 장치(3B)(혹은, 다른 복수의 밀봉층 제조 관리 장치(3B, 3C(3))에 제공할 수도 있다.
즉, 1개의 제조 조건 결정 장치(2)가, 복수의 밀봉층 제조 관리 장치(3)로부터 제공되는 복수의 제 1 정보(15)(제 1 메모리(6)에 저장되어야 할 제 1 정보(15), 구체적으로는, 광반도체 소자(13)에 관련되는 정보, 기판(14)에 관련되는 정보, 광반도체 장치(20)에 관련되는 정보)를 일원화할 수 있다. 즉, 1개의 제조 조건 결정 장치(2)가, 복수의 밀봉층 제조 관리 장치(3)의 제 1 정보(15)를 집약하여, 복수의 밀봉층 제조 관리 장치(3)에, 그들에 대응하는 제 3 정보(17)를 제공할 수 있는 집약형의 제조 조건 결정 장치(2)로서 기능할 수 있다.
그 때문에, 1개의 제조 조건 결정 장치(2)이면서, 각 밀봉층 제조 관리 장치(3)에, 정밀도가 높은 제 3 정보(17)를 제공할 수 있다.
또한, 도 2의 실시 형태에서는, 시스템(1)이 바니시 제조 공정 S1의 제조 공정을 결정 및 관리하고 있다.
즉, 밀봉층 제조 관리 장치(3)에 의해서, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건을 관리하고 있다. 그러나, 시스템(1)이 바니시 제조 공정 S1의 제조 공정을 결정 및 관리하지 않도록, 시스템(1)을 구성할 수도 있다. 구체적으로는, 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건을 관리하는 일없이, 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건만을 관리할 수도 있다.
본 실시 형태에 의하면, 제 2 CPU(25)가 바니시 제조 공정 S1의 제조 조건을 관리할 필요가 없기 때문에, 제 2 CPU(25)의 구성을 간이(簡易)하게 할 수 있다.
또한, 도 2의 실시 형태에서는, 본 발명의 제조 관리 장치로서, 밀봉층 제조 관리 장치(3)로 하여금 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건을 관리시키고, 밀봉 제어 장치(36)로 하여금 밀봉 공정 S3의 밀봉 조건을 관리시키고 있지만, 예를 들면 밀봉층 제조 관리 장치(3)가 밀봉 제어 장치(36)를 겸용해서, 1개의 제조 관리 장치를 구성하고, 밀봉층 제조 공정 S2의 제조 조건과 밀봉 공정 S3의 밀봉 조건의 양쪽을 관리시킬 수도 있다.
또, 도 2 및 도 3의 실시 형태에서는, 밀봉층(12)을 형광체층(형광체 함유 밀봉층)으로서 선택하고 있지만, 예를 들면 도시하지 않지만, 형광체를 함유하지 않는 밀봉층(수지층)(12)으로서 선택할 수도 있다.
또한, 도 2의 설명에서는, 제 1 정보(15)는 광반도체 소자(13)가 실장되는 기판(14)에 관련되는 정보를 포함하고 있지만, 이것을 포함하지 않고, 제 1 정보(15)를 구성할 수도 있다.
또, 상기 발명은, 본 발명의 예시의 실시 형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 불과하며, 한정적으로 해석해서는 안된다. 당해 기술분야의 당업자에 의해서 자명한 본 발명의 변형예는 후기 특허청구범위에 포함된다.
(산업상의 이용 가능성)
시스템, 제조 조건 결정 장치 및 제조 관리 장치는 광반도체 장치의 제조에 이용된다.
1: 시스템
2: 제조 조건 결정 장치
3: 시트 제조 관리 장치
6: 제 1 메모리
8: 제 1 CPU
11: 바니시
12: 밀봉층
13: 광반도체 소자
14: 기판
15: 제 1 정보
16: 제 2 정보
17: 제 3 정보
20: 광반도체 장치
23: 제 3 메모리
24: 제 4 메모리
50: 피복층
S1: 바니시 제조 공정
S2: 피복층 제조 공정
S3: 밀봉 공정

Claims (15)

  1. 입자 및 경화성 수지를 포함하는 바니시를 제조하는 바니시 제조 공정,
    상기 바니시로부터 A스테이지의 피복층을 제조하는 피복층 제조 공정, 및
    상기 A스테이지의 피복층에 의해서 광반도체 소자를 피복하는 피복 공정
    을 구비하는 광반도체 장치의 제조 방법.
  2. 입자 및 경화성 수지를 포함하는 바니시를 제조하는 바니시 제조 공정, 상기 바니시로부터 A스테이지의 피복층을 제조하는 피복층 제조 공정, 및 상기 A스테이지의 피복층에 의해서 광반도체 소자를 피복하는 피복 공정을 구비하는 광반도체 장치의 제조 방법에서의 상기 피복층 제조 공정의 제조 조건을 결정 및 관리하는 시스템으로서,
    상기 시스템은 제조 조건 결정 장치와, 제조 관리 장치
    를 구비하되,
    상기 제조 조건 결정 장치는,
    상기 광반도체 소자 및 상기 광반도체 장치에 관련되는 제 1 정보를 저장하는 제 1 정보 저장 영역과,
    상기 바니시에 관련되는 제 2 정보를 저장하는 제 2 정보 저장 영역과,
    상기 제 1 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 1 정보, 및 상기 제 2 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 2 정보에 근거하여 상기 제조 조건을 결정하는 결정 수단을 구바하며,
    상기 제조 관리 장치는,
    상기 결정 수단에 의해서 결정되는 상기 제조 조건에 관련되는 제 3 정보를 저장하는 제 3 정보 저장 영역과,
    상기 제 3 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 3 정보에 근거하여, 상기 피복층 제조 공정의 상기 제조 조건을 관리하는 관리 수단
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 시스템은 상기 바니시 제조 공정의 제조 조건을 또한 결정 및 관리하고,
    상기 결정 수단은 상기 제 1 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 1 정보, 및 상기 제 2 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 2 정보에 근거하여, 상기 바니시 제조 공정의 상기 제조 조건을 또한 결정하고,
    상기 관리 수단은 상기 제 3 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 3 정보에 근거하여, 상기 바니시 제조 공정의 상기 제조 조건을 또한 관리하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 정보는 상기 광반도체 소자가 실장되는 기판에 관련되는 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제조 관리 장치는,
    입자, 경화성 수지, 바니시 및 광반도체 소자의 적어도 1종의 로트 정보, 및/또는 단위 기간당의 광반도체 장치의 제조량을 포함하는 제 4 정보를 저장하는 제 4 정보 저장 영역과,
    상기 제 4 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 4 정보에 근거하여, 상기 피복층 제조 공정의 상기 제조 조건을 수정하는 수정 수단
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 제조 조건 결정 장치는,
    상기 피복층을 금회 이전에 제조한 제조 조건에 관련되는 제 5 정보를 저장하는 제 5 정보 저장 영역을 구비하고,
    상기 제 5 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 5 정보에 근거하여, 상기 피복층을 금회 제조하기 위한 제조 조건을 결정하는
    것을 특징으로 하는 시스템.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 제조 조건 결정 장치는 네트워크를 거쳐서 상기 제조 관리 장치와 원격 통신하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제조 관리 장치는 피복층 제조 장치 내에 마련되고,
    상기 제조 조건 결정 장치는 상기 피복층 제조 장치에 대해 먼 종단에 위치하는 제어 부문에 설치되는 것을 특징으로 하는 시스템.
  9. 입자 및 경화성 수지를 포함하는 바니시를 제조하는 바니시 제조 공정, 상기 바니시로부터 A스테이지의 피복층을 제조하는 피복층 제조 공정, 및 상기 A스테이지의 피복층에 의해서 광반도체 소자를 피복하는 피복 공정을 구비하는 광반도체 장치의 제조 방법에서의 상기 피복층 제조 공정의 제조 조건을 결정하기 위한 제조 조건 결정 장치로서,
    상기 광반도체 소자에 관련되는 제 1 정보를 저장하는 제 1 정보 저장 영역과,
    상기 바니시에 관련되는 제 2 정보를 저장하는 제 2 정보 저장 영역과,
    상기 제 1 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 1 정보, 및 상기 제 2 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 2 정보에 근거하여 상기 제조 조건을 결정하는 결정 수단을 구비하는
    것을 특징으로 하는 제조 조건 결정 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제조 조건 결정 장치는 상기 바니시 제조 공정의 제조 조건을 또한 결정하고,
    상기 결정 수단은, 상기 제 1 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 1 정보, 및 상기 제 2 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 2 정보에 근거하여, 상기 바니시 제조 공정의 상기 제조 조건을 또한 결정하는 것을 특징으로 하는 제조 조건 결정 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 정보는 상기 광반도체 소자가 실장되는 기판에 관련되는 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조 조건 결정 장치.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 피복층을 금회 이전에 제조한 제조 조건에 관련되는 제 5 정보를 저장하는 제 5 정보 저장 영역을 구비하고,
    상기 제 5 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 5 정보에 근거하여, 상기 피복층을 금회 제조하기 위한 제조 조건을 결정하는 것을 특징으로 하는 제조 조건 결정 장치.
  13. 입자 및 경화성 수지를 포함하는 바니시를 제조하는 바니시 제조 공정, 상기 바니시로부터 A스테이지의 피복층을 제조하는 피복층 제조 공정, 및 상기 A스테이지의 피복층에 의해서 광반도체 소자를 피복하는 피복 공정을 구비하는 광반도체 장치의 제조 방법에서의 상기 피복층 제조 공정의 제조 조건을 관리하기 위한 제조 관리 장치로서,
    상기 제조 조건에 관련되는 제 3 정보를 저장하는 제 3 정보 저장 영역과,
    상기 제 3 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 3 정보에 근거하여, 상기 피복층 제조 공정의 상기 제조 조건을 관리하는 관리 수단
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 제조 관리 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제조 관리 장치는 상기 바니시 제조 공정의 제조 조건을 관리하고,
    상기 관리 수단은, 상기 제 3 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 3 정보에 근거하여, 상기 바니시 제조 공정의 상기 제조 조건을 또한 관리하는 것을 특징으로 하는 제조 관리 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    입자, 경화성 수지, 바니시 및 광반도체 소자의 적어도 1종의 로트 정보, 및/또는 단위 기간당의 광반도체 장치의 제조량을 포함하는 제 4 정보를 저장하는 제 4 정보 저장 영역과,
    상기 제 4 정보 저장 영역에 저장되는 상기 제 4 정보에 근거하여, 상기 피복층 제조 공정의 상기 제조 조건을 수정하는 수정 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 제조 관리 장치.
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