JP5310536B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5310536B2
JP5310536B2 JP2009296447A JP2009296447A JP5310536B2 JP 5310536 B2 JP5310536 B2 JP 5310536B2 JP 2009296447 A JP2009296447 A JP 2009296447A JP 2009296447 A JP2009296447 A JP 2009296447A JP 5310536 B2 JP5310536 B2 JP 5310536B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
led chip
containing silicone
silicone sheet
vacuum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009296447A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011138831A (ja
Inventor
博幸 田嶌
正太 下西
陽祐 土屋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyoda Gosei Co Ltd
Original Assignee
Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyoda Gosei Co Ltd filed Critical Toyoda Gosei Co Ltd
Priority to JP2009296447A priority Critical patent/JP5310536B2/ja
Publication of JP2011138831A publication Critical patent/JP2011138831A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5310536B2 publication Critical patent/JP5310536B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、LEDチップと蛍光体とを用いた発光装置の製造方法に関するものである。
LEDチップと、LEDチップの発光で励起して蛍光を放出する蛍光体とを用いた発光装置には、蛍光体をLEDチップの近傍にどのように配するかに関して、次のような種々のタイプがある。
(1)図4(a1)に示すように、LEDチップ51を蛍光体52を含有した封止樹脂53の圧縮成形で封止し、該封止樹脂53をさらに透明封止樹脂54の圧縮成形で封止する2段階封止タイプ(特許文献1)。このタイプでは、圧縮成形を2回行う必要があるので、生産性がよくない。また、2回の圧縮成形のための2つの型が必要となる。また、蛍光体を含有した封止樹脂の外形が、圧縮成形するときの型で決まるため、図4(a2)に示すように、LEDチップ51のサイズが変わったときには、蛍光体52を含有した封止樹脂53の量も変わり、従ってそのままでは発光色が変わってしまう。同じ発光色を得るには、蛍光体の濃度を変えるか、又は型を変えて封止樹脂53の外形を変える必要がある。
(2)LEDチップを蛍光体を含有した封止樹脂の圧縮成形で封止し、該封止樹脂中の蛍光体を沈降させてLEDチップの近傍に分布させる沈降タイプ(特許文献2)。このタイプでは、蛍光体の沈降分布量を安定して得ることが困難である。圧縮成形用の樹脂(シリコーンがほとんど)はトランスファ・ポッティング用の樹脂と比べ高粘度のため、蛍光体が沈降しずらいうえ、圧縮成形は樹脂の硬化時間が短いため、蛍光体が沈降する前に樹脂が硬化してしまうからである。
(3)図4(b)に示すように、LEDチップ61を透明封止樹脂62の圧縮形成で封止し、該透明封止樹脂62の周りに蛍光体63を含有した樹脂シート64を被せるシート被覆タイプ。このタイプでは、LEDチップ61の発した光の一部が、蛍光体63を含有した樹脂シート64の内面で反射して、内側に戻ってロスとなり、光取り出し効率が低下する問題がある。
なお、蛍光体とは無関係であるが、特許文献3には、基板上に接続されたLEDチップを熱硬化性フィルム(エポキシ樹脂組成物)で被覆し、熱硬化性フィルムを熱硬化させて封止する技術が提案されている。
同じく、蛍光体とは無関係であるが、特許文献4には、最外樹脂層(ポリカルボジイミド等)と、光拡散粒子を含む光拡散層(ポリカルボジイミド等)と、低い屈折率を有する樹脂層(エポキシ樹脂等)とを有する封止用シートを、光半導体素子が搭載された配線回路基板に真空ラミネータで積層し、スタンパで加圧成型する技術が提案されている。
特開2008−211205号公報 特開2006−229054号公報 特開2009−10109号公報 特開2006−140362号公報
本発明の目的は、蛍光体の分散を容易に制御するとともに安定させ、また、光取り出し効率を向上させることにある。
本発明のさらなる目的は、2段階封止を生産性よく実施し、また、2段階封止間の密着性を向上させることにある。
本発明の発光装置の製造方法は、
基板の上面にLEDチップをフリップチップ実装する第1ステップと、
真空雰囲気で、蛍光体を分散状に含有したシリコーンからなる硬化前の蛍光体含有シリコーンシートを、加圧部材により前記LEDチップの上面及び側周面に加圧する方法により、前記LEDチップの上面及び側周面に間を真空の状態で密着させて、硬化させる第2ステップと、
前記第2ステップで蛍光体含有シリコーンシートが半硬化状態になったときに、該蛍光体含有シリコーンシートを覆うように硬化前の透光性を有するシリコーンを圧縮成形してレンズを形成し、該蛍光体含有シリコーンシートと該レンズとを同時に硬化させて接合する第3ステップと、を含むことを特徴とする。
また、別の本発明の発光装置の製造方法は、
基板の上面にLEDチップをフリップチップ実装する第1ステップと、
LEDチップ近傍の基板に形成された吸引孔を通して基板の下側から基板の上側を真空吸引することにより、蛍光体を分散状に含有したシリコーンからなる硬化前の蛍光体含有シリコーンシートを、前記LEDチップの上面及び側周面に真空成形する方法により、前記LEDチップの上面及び側周面に間を真空の状態で密着させて、硬化させる第2ステップと、
前記第2ステップで蛍光体含有シリコーンシートが半硬化状態になったときに、該蛍光体含有シリコーンシートを覆うように硬化前の透光性を有するシリコーンを圧縮成形してレンズを形成し、該蛍光体含有シリコーンシートと該レンズとを同時に硬化させて接合する第3ステップと、を含むことを特徴とする。
以下に、上記手段における各要素の例示又は好ましい態様について説明する。
1.基板
基板は、特に限定されず、例えばベース基板でも、サブマウント基板でもよい。基板の材料としては、特に限定されないが、窒化アルミニウム(AlN)、アルミナ(Al2O3)、窒化ホウ素(BN)等のセラミックを例示できる。
1.LEDチップ
LEDチップは、特に限定されないが、本発明では蛍光体を励起させるため、青色領域、紫色領域又は紫外領域にピーク波長を有するものが好ましい。LEDチップの半導体層材料としては、特に限定されないが、窒化ガリウム(GaN)系、酸化亜鉛(ZnO)系、セレン化亜鉛(ZnSe)系、炭化珪素(SiC)系等を例示できる。フリップチップ実装工法としては、特に限定されないが、圧接工法、熱圧着工法、ハンダ接合、超音波接合、導電性ペースト接合、ACF工法等を例示できる。
2.蛍光体含有シリコーンシート
2−1.樹脂
シートの樹脂材料は、耐光性及び耐熱性に優れたシリコーンとする。LEDチップに密着するシートが比較的弾性係数の大きいシリコーンで形成されることで、比較的弾性係数の小さいエポキシ樹脂を用いた場合よりも、応力集中を軽減できる利点もある。シリコーンは、シリコーン樹脂、シリコーンゴム及びシリコーンエラストマーを含む。
2−2.蛍光体
蛍光体の材料は、特に限定されず、LEDチップの発光色と発光素子として所望する発光色とに応じて適宜選択することができる。
(1)発光素子として所望する発光色が白色の場合は、例えば、次のように選択できる。
(ア)LEDチップの発光色が青色の場合には、その青色光により励起されると黄色領域にピーク波長を有する蛍光を発する黄色蛍光体を選択できる。青色と黄色とで白色が合成されるからである。黄色蛍光体としては、特に限定されないが、YAG(Yttrium Aluminum Garnet)蛍光体、珪酸塩蛍光体、これらの混合等を例示できる。
(イ)LEDチップの発光色が青色の場合には、その青色光により励起されると緑色領域にピーク波長を有する蛍光を発する緑色蛍光体と、同じく励起されると赤色領域にピーク波長を有する蛍光を発する赤色蛍光体を、混合して用いることを選択できる。青色と緑色と赤色とで白色が合成されるからである。緑色蛍光体としては、特に限定されないが、オルトケイ酸塩系蛍光体を例示できる。赤色蛍光体としては、特に限定されないが、窒化物系蛍光体を例示できる。
(ウ)LEDチップの発光色が紫色又は紫外の場合には、その紫色光又は紫外線により励起されると青色領域にピーク波長を有する蛍光を発する青色蛍光体、同じく励起されると緑色領域にピーク波長を有する蛍光を発する緑色蛍光体、及び、同じく励起されると赤色領域にピーク波長を有する蛍光を発する赤色蛍光体を、混合して用いることを選択できる。青色と緑色と赤色とで白色が合成されるからである。青色蛍光体としては、特に限定されないが、ハロリン酸系蛍光体を例示できる。緑色蛍光体としては、特に限定されないが、オルトケイ酸塩系蛍光体を例示できる。赤色蛍光体としては、特に限定されないが、窒化物系蛍光体を例示できる。
(2)発光素子として所望する発光色が非白色の場合でも、LEDチップの発光色と蛍光体の蛍光色とでその非白色が合成されるように、蛍光体の材料を選択することができる。
2−3.蛍光体の分散状態
蛍光体含有シリコーンシートは、本発明の製造方法に入る前に既に製造されているものであり、従って蛍光体を混合したシリコーンを十分に混練することができるため、シリコーン中に蛍光体が均一に分散している。なお、本発明における「硬化前の蛍光体含有シリコーンシート」は、蛍光体が沈降しない程度のシリコーンの高粘度を備えたものである。
2−3.シート厚
蛍光体含有シリコーンシートの厚さ(密着加工前)は、特に限定されないが、20〜100μmが好ましい。20μm未満では、蛍光体の濃度を非常に高くする必要があり、100μmを超えると成形性が低下する傾向となるからである。
3.蛍光体含有シリコーンシートの密着
硬化前の蛍光体含有シリコーンシートを、LEDチップの上面及び側周面に間を真空の状態で密着させるとともに、LEDチップの周りの基板の上面に間を真空の状態で密着させてもよい。
硬化前の蛍光体含有シリコーンシートを、LEDチップの上面及び側周面に間を真空の状態で密着させる方法は、前記のとおり、次の(ア)又は(イ)である
(ア)真空雰囲気で、スタンパーやロールなどの加圧部材により、蛍光体含有シリコーンシートをLEDチップの上面及び側周面に加圧する方法。
(イ)LEDチップ近傍の基板に吸引孔を形成し、基板の下側から吸引孔を通して基板の上側を真空吸引することにより、蛍光体含有シリコーンシートをLEDチップの上面及び側周面に真空成形する方法。
4.透光性を有するシリコーン
レンズの樹脂材料は、耐光性及び耐熱性に優れたシリコーンとする。「透光性」は、透明であるため光が透過するもののみならず、半透明又は不透明であって光を透過するものも含む。シリコーンは、シリコーン樹脂、シリコーンゴム及びシリコーンエラストマーを含む。
請求項1又は2に係る発明によれば、蛍光体の分散を、蛍光体含有シリコーンシートのみで制御することができるとともに、安定させることができ、また、LEDチップから出た光はLEDチップの直ぐ近傍で色変換され、通過/反射距離も少ないため、光取り出し効率が向上する。同効果に加え、蛍光体含有シリコーンシートの密着と透光性シリコーンの圧縮成形との組み合わせで2段階封止を生産性よく実施することができ、また、蛍光体含有シリコーンシートの密着と透光性シリコーンとの界面での密着性が向上する。
実施例の発光装置の製造方法を示し、(a)は第1ステップを示す断面図、(b)(c)(d)は第2ステップを示す断面図である。 (e)は図1に続き第2ステップを示す断面図、(f)は完成した発光装置の断面図、(g)はLEDチップのサイズが変わった発光装置の断面図である。 (a)(b)第2ステップの変更例を示す断面図である。 従来例を示し、(a1)(a2)は2段階封止タイプの断面図、(b)はシート被覆タイプの断面図である。
基板の上面にLEDチップをフリップチップ実装する第1ステップと、
蛍光体を分散状に含有したシリコーンからなる硬化前の蛍光体含有シリコーンシートを、前記LEDチップの上面及び側周面に間を真空の状態で密着させて、硬化させる第2ステップと、
前記第2ステップで蛍光体含有シリコーンシートが半硬化状態になったときに、該蛍光体含有シリコーンシートを覆うように硬化前の透光性を有するシリコーンを圧縮成形してレンズを形成し、該蛍光体含有シリコーンシートと該レンズとを同時に硬化させて接合する第3ステップとを含む発光装置の製造方法である。
本発明に係る実施例の発光装置の製造方法について、以下、ステップ順に説明する。
1.第1ステップ
図1(a)に示すように、基板1の上面にLEDチップ2をバンプ3によりフリップチップ実装する。基板1には、例えばAlNよりなるものを使用する(基板1に形成された配線パターン等の図示は省略する)。LEDチップ2には、例えば青色領域にピーク波長を有するものを使用する(LEDチップ2の半導体層、電極等の詳細の図示は省略する)。バンプ3には、例えばAu−Sn合金を使用する。フリップチップ実装の採用により、高さ方向に嵩張るボンディングワイヤが不要であるため、LEDチップ2の上面に次の蛍光体含有シリコーンシートを密着させる作業を均一に行うことができる。
2.第2ステップ
図1(b)(c)に示すように、蛍光体5を分散状に含有したシリコーン6からなる硬化前の蛍光体含有シリコーンシート4を、LEDチップ2の上面及び側周面に間を真空の状態で密着させるとともに、LEDチップ2の周りの基板1の上面に間を真空の状態で密着させて、硬化させる。蛍光体5には、例えば、LEDチップ2の青色光により励起されると黄色領域にピーク波長を有する蛍光を発するYAG蛍光体を使用する。この密着加工は、同図に2点鎖線で模式的に示す真空雰囲気7下で、スタンパーやロールなどの加圧部材8により、蛍光体含有シリコーンシート4をLEDチップ2の上面及び側周面に加圧して行う。加圧部材8には、LEDチップより1回り大きい凹所9が形成されており、蛍光体含有シリコーンシート4はこの凹所9に入り込むことでLEDチップ2の側周面に回り込みやすくなる。真空雰囲気7で加圧(いわゆる真空加圧)することにより、蛍光体含有シリコーンシート4とLEDチップ2との間に空気が残らず、真空の状態で、両者は密着する。図1(d)に加圧部材8を外した状態を示す。
3.第3ステップ
第2ステップで蛍光体含有シリコーンシート4が半硬化状態になったときに、図2(e)に示すように、該蛍光体含有シリコーンシート4を覆うように硬化前の透光性を有するシリコーン10を圧縮成形してレンズ11を形成し、該蛍光体含有シリコーンシート4と該レンズ11とを同時に硬化させて接合する。この圧縮成形は、レンズ形状の凹所13が形成された型12を用いて行う。図2(f)に、両者の硬化後に型12を外して完成した、発光装置を示す。
本実施例の発光装置の製造方法によれば、次の作用効果が得られる。
(ア)蛍光体5の分散を、シート4のみで制御することができるとともに、安定させることができる。すなわち、前述のとおり、蛍光体含有シリコーンシート4のシリコーン6中には蛍光体5が均一に分散しており、この均一な分散状態は上記の第2ステップ及び第3ステップにおいてほとんど変化しない。第2ステップで蛍光体含有シリコーンシート4は僅かに引き延ばされるが、それに伴って蛍光体5は僅かに移動する程度であり、均一な分散状態に変わりはない。また、図2(g)に示すように、LEDチップ2のサイズが変わったときでも、それに伴って特に蛍光体の量を変える必要がない場合には、同じ蛍光体含有シリコーンシート4を使用し、それに伴って蛍光体の量を変える必要がある場合には、シート厚又は蛍光体濃度を変えた蛍光体含有シリコーンシート4を使用すればよく、いずれにしても従来のように型を変える必要はなく、シートのみで容易に対応することができる。
(イ)LEDチップ2が発した青色光と、蛍光体5がこの青色光により励起されて発した黄色蛍光とが合成されて、白色の発光が観察される。本実施例では、LEDチップ2から出た光はLEDチップ2に密着した近傍で色変換され、通過/反射距離も少ないため、光取り出し効率が向上する。
(ウ)封止材の圧縮成形と比べて、蛍光体含有シリコーンシート4をLEDチップ2の上面及び側周面に間を真空の状態で密着させるステップは短時間で行うことができる。このため、従来の2回の圧縮成形で2段階封止を実施するタイプと比べると、蛍光体含有シリコーンシート4の密着と透光性を有するシリコーン10の圧縮成形との組み合わせで2段階封止を生産性よく実施することができる。
(エ)蛍光体含有シリコーンシート4が半硬化状態のときにレンズ11を圧縮成形して、両者4,11を同時に硬化させるため、両者4,11の密着性が向上し強固に接合する。
なお、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、発明の趣旨から逸脱しない範囲で適宜変更して具体化することもできる。
(1)第2ステップとして、図1(b)(c)に示した方法に代えて、図3(a)(b)に示す方法を行うこと。すなわち、LEDチップ2近傍の基板1のバンプ3と隣接する部位に吸引孔21を形成し、基板1の下側から吸引孔21を通して基板1の上側を真空吸引することにより、蛍光体含有シリコーンシート4をLEDチップ1の上面及び側周面に真空成形する。バンプ3と隣接する部位に吸引孔21を設けて真空吸引することで、LEDチップ2の側周面と基板1との角部・間に空気が残らないため、真空の状態で、蛍光体含有シリコーンシート4をLEDチップ2及び基板1に密着させることができる。
1 基板
2 LEDチップ
3 バンプ
4 蛍光体含有樹脂シート
5 蛍光体
6 シリコーン
7 真空雰囲気
8 加圧部材
9 凹所
10 シリコーン
11 レンズ
12 型
13 凹所
21 吸引孔

Claims (2)

  1. 基板の上面にLEDチップをフリップチップ実装する第1ステップと、
    真空雰囲気で、蛍光体を分散状に含有したシリコーンからなる硬化前の蛍光体含有シリコーンシートを、加圧部材により前記LEDチップの上面及び側周面に加圧する方法により、前記LEDチップの上面及び側周面に間を真空の状態で密着させて、硬化させる第2ステップと、
    前記第2ステップで蛍光体含有シリコーンシートが半硬化状態になったときに、該蛍光体含有シリコーンシートを覆うように硬化前の透光性を有するシリコーンを圧縮成形してレンズを形成し、該蛍光体含有シリコーンシートと該レンズとを同時に硬化させて接合する第3ステップと、
    を含む発光装置の製造方法。
  2. 基板の上面にLEDチップをフリップチップ実装する第1ステップと、
    LEDチップ近傍の基板に形成された吸引孔を通して基板の下側から基板の上側を真空吸引することにより、蛍光体を分散状に含有したシリコーンからなる硬化前の蛍光体含有シリコーンシートを、前記LEDチップの上面及び側周面に真空成形する方法により、前記LEDチップの上面及び側周面に間を真空の状態で密着させて、硬化させる第2ステップと、
    前記第2ステップで蛍光体含有シリコーンシートが半硬化状態になったときに、該蛍光体含有シリコーンシートを覆うように硬化前の透光性を有するシリコーンを圧縮成形してレンズを形成し、該蛍光体含有シリコーンシートと該レンズとを同時に硬化させて接合する第3ステップと、
    を含む発光装置の製造方法。
JP2009296447A 2009-12-25 2009-12-25 発光装置の製造方法 Expired - Fee Related JP5310536B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009296447A JP5310536B2 (ja) 2009-12-25 2009-12-25 発光装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009296447A JP5310536B2 (ja) 2009-12-25 2009-12-25 発光装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011138831A JP2011138831A (ja) 2011-07-14
JP5310536B2 true JP5310536B2 (ja) 2013-10-09

Family

ID=44349998

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009296447A Expired - Fee Related JP5310536B2 (ja) 2009-12-25 2009-12-25 発光装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5310536B2 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8771577B2 (en) 2010-02-16 2014-07-08 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with molded wavelength converting layer
KR101404911B1 (ko) * 2011-11-29 2014-06-09 샤프 가부시키가이샤 발광 디바이스의 제조 방법
CN102779923B (zh) * 2012-07-09 2015-02-04 厦门吉瓦特照明科技有限公司 一种贴片式led模组的制造方法
JP2014053506A (ja) 2012-09-07 2014-03-20 Toshiba Corp 半導体発光装置及び発光モジュール
KR101345206B1 (ko) * 2012-10-23 2013-12-26 한국생산기술연구원 발광 다이오드 패키지 제조용 가압기구 및 이를 사용한 발광 다이오드 패키지 제조방법
US9470395B2 (en) 2013-03-15 2016-10-18 Abl Ip Holding Llc Optic for a light source
WO2014156696A1 (ja) * 2013-03-28 2014-10-02 日東電工株式会社 光半導体装置の製造方法、システム、製造条件決定装置および製造管理装置
EP2994290B1 (en) 2013-05-10 2023-10-04 ABL IP Holding LLC Silicone optics
EP3005427B1 (en) 2013-06-06 2019-01-16 Lumileds Holding B.V. Manufacturing method of light emitting diode laminated with a phosphor sheet
CN103367605B (zh) * 2013-07-05 2015-10-28 华南理工大学 一种薄膜型led器件及其制造方法
JP6641291B2 (ja) * 2014-01-21 2020-02-05 ルミレッズ ホールディング ベーフェー パターン付けされた封止材を伴うハイブリッドチップオンボードledモジュール
DE102015105486A1 (de) * 2015-04-10 2016-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
JP7335518B2 (ja) * 2021-05-31 2023-08-30 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006140362A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用シートおよび該シートを用いた光半導体装置の製造方法
US7344952B2 (en) * 2005-10-28 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs
JP2008227119A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光ダイオードチップとレンズとの一体化構造物及びその製造方法
JP5080881B2 (ja) * 2007-06-27 2012-11-21 ナミックス株式会社 発光ダイオードチップの封止体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011138831A (ja) 2011-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5310536B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP6733646B2 (ja) 発光装置とその製造方法
US9660151B2 (en) Method for manufacturing light emitting device
JP4905009B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP4979299B2 (ja) 光学装置及びその製造方法
EP2197051B1 (en) Light emitting device and method for manufacturing same
JP2017108111A (ja) 斜角反射体を備えた発光素子およびその製造方法
KR102393760B1 (ko) 발광 장치 및 그 제조 방법
US10461227B2 (en) Method for manufacturing light emitting device, and light emitting device
US8946749B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP5497469B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP2007073825A (ja) 半導体発光装置
JP2013526078A5 (ja)
JP2012049229A (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
CN101123286A (zh) 发光二极管封装结构和方法
US20180145232A1 (en) Method for manufacturing light emitting device
JP2007234968A (ja) 発光装置の製造方法および発光装置
JP2019201089A (ja) チップスケールパッケージング発光素子の斜角チップ反射器およびその製造方法
US11764342B2 (en) Light emitting device and method for manufacturing light emitting device
US10079201B1 (en) Lead frame
JP5702481B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
US11242961B2 (en) Method of manufacturing light-emitting device
JP2012199414A (ja) 発光装置の製造方法及び発光装置
US11367818B2 (en) Method of manufacturing light-emitting device
JP2020188265A (ja) 発光装置とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120125

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121217

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121225

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130220

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130604

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130617

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees