CN104995755A - 光半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的光半导体装置的制造方法是制造利用荧光体片被覆光半导体元件的光半导体装置的方法。其具备以下工序：试制工序，试制试制品来进行评价；决定工序，根据试制品的评价来决定用于制造光半导体装置的制造条件；以及，制造光半导体装置的制造工序，根据在决定工序中决定的制造条件，利用B阶的荧光体片被覆光半导体元件，将该荧光体片C阶化。试制工序具备如下工序：清漆制备工序，制备含有荧光体及固化性树脂的清漆；B阶化工序，由清漆形成B阶的荧光体片；C阶化工序，将B阶的荧光体片C阶化；以及评价工序，对C阶的荧光体片进行评价。

Description

光半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及光半导体装置的制造方法，详细而言，涉及制造利用荧光体片被覆光半导体元件的光半导体装置的方法。
背景技术
迄今为止，已知利用包含荧光体的荧光体片被覆LED进行封装，制造LED装置的技术。
在这样的LED装置中，利用荧光体片对自LED发出的光进行波长转换，将进行了波长转换的光照射到外部。
自LED装置照射的光的色温不仅取决于LED的发光波长，还很大程度地取决于例如荧光体片的光学特性，具体为荧光体片的形状、荧光体片相对于LED的配置、荧光体片中的荧光体的含有比例等。
因此，作为能够照射所期望的色温的光的LED装置的制造方法，提出了以下的方法(例如参见下述专利文献1。)。
即，在下述专利文献1中，由注入了荧光体的柔软的胶囊材料预形成荧光体片，将该荧光体片盖在安装于基板的LED上，其后，对LED施加电压，使LED发光，测定色温进行检测。
在检测中，如果色温合适，则在检测后通过加热使荧光体片固化，对LED及基板进行永久性的层压处理。
另一方面，在检测中如果色温不合适，则在检测后将荧光体片从LED及基板剥离，接着将其它种类的荧光体片再次盖在安装于基板的LED上，其后，与上述同样地进行检测。
下述专利文献1所提出的方法中，如果色温不合适，则将荧光体片替换为其它的荧光体片，而安装于基板的LED能够原样进行再利用，因此，提高了基板及LED的成品率。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-123915号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，在上述专利文献1所提出的方法中，固化前的荧光体层容易因固化而产生伴随固化收缩的翘曲等变形，出现这样的情况时，自LED发出的光在荧光体层的光程会发生改变。因此，固化后的荧光体层的光学特性和检测时的固化前的荧光体层的光学特性会产生大的偏差(变化)。
其结果，存在不易获得目标LED装置的不良情况。
此外，在上述专利文献1所提出的方法中，如果使固化前的荧光体片在检测前固化，则在检测中，在色温不合适的情况下，由于C阶化了的荧光体片与基板及LED粘接，因此，存在不能再利用基板及LED的不良情况。
进而，根据上述专利文献1提出的方法，最初要对每个产品进行检测来判断色温是否合适，在色温不合适的情况下，每次都要更换荧光体片，因此，存在不能充分提高LED装置的制造效率的不良情况。
本发明的目的在于，提供一种光半导体装置的制造方法，其不仅使用B阶的荧光体片，还一边谋求制造效率的提高一边提高制造条件的精度，由此能够得到发光可靠性优异的光半导体装置。
用于解决问题的方案
本发明的光半导体装置的制造方法的特征在于，其是制造利用荧光体片被覆光半导体元件的光半导体装置的方法，其具备以下工序：试制工序，试制试制品来进行评价；决定工序，根据前述试制品的评价来决定用于制造前述光半导体装置的制造条件；以及制造前述光半导体装置的制造工序，根据在前述决定工序中决定的前述制造条件，利用B阶的前述荧光体片被覆前述光半导体元件，将该荧光体片C阶化，前述试制工序具备如下工序：清漆制备工序，制备含有荧光体及固化性树脂的清漆；B阶化工序，由前述清漆形成B阶的前述荧光体片；C阶化工序，将B阶的前述荧光体片C阶化；以及评价工序，对C阶的前述荧光体片进行评价。
根据该方法，决定工序根据包含C阶的荧光体片的试制品的评价来决定制造条件。接着，制造工序根据在决定工序中决定的制造条件来制造光半导体装置。
在这样的情况下，作为评价对象的试制品的荧光体片为C阶。因此，制造条件中会考虑到荧光体片的由上述C阶化引起的光学特性的变化。
其结果，在制造工序中，能够制造发光可靠性优异的光半导体装置。
而且，由于根据基于试制品的评价所决定的制造条件来制造光半导体装置，因此，能够以优异的精度量产光半导体装置。因此，能够充分提高光半导体装置的制造效率。
此外，在本发明的光半导体装置的制造方法中，优选的是，在前述C阶化工序中，利用前述荧光体片被覆前述光半导体元件，在前述评价工序中，对利用前述荧光体片被覆了前述光半导体元件的前述光半导体装置进行评价。
根据该方法，在C阶化工序中，利用荧光体片被覆光半导体元件。即，能够使利用荧光体片被覆光半导体元件而得到的试制品与作为实际产品的光半导体装置为相同的构成。
因此，能够根据与实际产品构成相同的试制品的评价来决定实际产品的制造条件。
其结果，能够精度更好地决定制造条件，能够制造发光可靠性更优异的光半导体装置。
此外，在本发明的光半导体装置的制造方法中，优选的是，前述试制工序还具备如下工序：试制条件决定工序，根据本次之前试制前述试制品的试制条件以及评价的信息来决定本次用于试制前述试制品的试制条件。
根据该方法，根据本次之前试制试制品的试制条件以及评价的信息来决定本次用于试制试制品的试制条件，因此，能够积累本次之前试制的试制条件，能够根据积累的试制条件及评价来提高制造条件的精度。因此，能够得到发光可靠性优异的光半导体装置。
发明的效果
根据本发明，能够精度更好地决定制造条件，能够得到发光可靠性更优异的光半导体装置。此外，能够充分提高光半导体装置的制造效率。
附图说明
图1表示作为本发明的光半导体装置的制造方法的一个实施方式的LED装置的制造方法的流程图。
图2表示图1所示的试制工序的流程图。
图3表示图1所示的制造工序的流程图。
图4是用于说明图2的试制工序中的清漆制备工序的图。
图5是用于说明图2的试制工序中的B阶化工序的清漆的涂布的图。
图6是用于说明图2的试制工序中的B阶化工序的清漆的加热的图。
图7是用于说明图2的试制工序中的C阶化工序的利用B阶的荧光体片被覆LED之前的状态的图。
图8是用于说明图2的试制工序中的C阶化工序的利用B阶的荧光体片被覆LED之后的状态的图。
图9是图2所示的试制工序的变形例。
具体实施方式
参照图1～图8对作为本发明的光半导体装置的制造方法的一个实施方式的LED装置1的制造方法进行说明。
LED装置1的制造方法是制造如图8所参照的那样的作为光半导体装置的LED装置1的方法，所述LED装置1利用荧光体片2被覆作为光半导体元件的LED3。
LED装置1的制造方法如图1所示具备如下工序：试制工序S1，试制试制品6来进行评价；决定工序S2，根据试制品6的评价来决定用于制造LED装置1的制造条件；以及制造LED装置1的制造工序S3，根据在决定工序中决定的制造条件，利用B阶的荧光体片2被覆LED3，将该荧光体片2C阶化。
[试制工序S1]
试制工序S1利用与以下说明的制造工序S3相同的制造装置(制造设备)。此外，试制工序S1中，试制与在制造工序S3中量产的LED装置1相比相对少量的试制品6。试制工序S1中试制的LED装置1的数目例如为100以下、优选为10以下，且例如为1以上。即，在试制工序S1中小规模地试制试制品6。需要说明的是，LED装置1的数目与LED3的数目无关，与1个基板5对应而计算为1个。
试制工序S1如图2所示具备如下工序：试制条件决定工序S4；清漆制备工序S5，制备包含荧光体及固化性树脂的清漆；B阶化工序S6，由清漆形成B阶的荧光体片2；C阶化工序S7，将B阶的荧光体片2C阶化；以及评价工序S8，对C阶的荧光体片2进行评价。
在试制工序S1中，清漆制备工序S5、B阶化工序S6及C阶化工序S7分别根据在试制条件决定工序S4中决定的试制条件来实施。
＜试制条件决定工序S4＞
试制条件决定工序S4是如下的工序：根据在本次之前试制试制品6的试制条件及评价的信息来决定本次用于试制试制品6的试制条件。
作为试制条件的信息，例如可以列举出：与清漆相关的信息、与基板5相关的信息、与荧光体片2相关的信息等。作为与清漆相关的信息，可以列举出：例如荧光体的配混比例、最大长度的平均值(为球形时为平均粒径)、吸收峰波长、例如A阶的固化性树脂的种类、粘度、配混比例等。作为与基板5相关的信息，可以列举出：例如基板5的外形形状、尺寸、表面形状(凹部的有无)、例如安装于基板5的LED3的形状、尺寸、发光峰波长、基板5的每单位面积的LED3的安装数、平均每个基板5的LED3的安装数等。作为与荧光体片2相关的信息，可以列举出：例如清漆7的涂布条件(具体为清漆7的形状、厚度等)、B阶化中的清漆7的加热条件、活性能量射线的照射条件、例如C阶化中的荧光体片2的加热条件、活性能量射线的照射条件、压制条件、C阶的荧光体片2的厚度等。
作为评价的信息，例如可以列举出：试制品6的色温、试制品6的总光通量等。
为了决定试制条件，根据过去的试制条件及评价的信息，以本次试制的LED装置1的目标为色温和/或总光通量的方式来决定用于本次试制的试制条件。
需要说明的是，本次之前试制的试制条件及评价的信息存储在用于管理该制造方法的工序的计算机的存储器等中。
＜清漆制备工序S5＞
清漆制备工序S5中，首先，分别准备荧光体及固化性树脂，将它们混合，将清漆制备成含荧光体的固化性树脂组合物。
荧光体具有波长转换功能，例如可以列举出：能够将蓝色光转换成黄色光的黄色荧光体、能够将蓝色光转换成红色光的红色荧光体等。
作为黄色荧光体，可以列举出：例如(Ba，Sr，Ca)2SiO4；Eu、(Sr，Ba)2SiO4：Eu(原硅酸钡(BOS))等硅酸盐荧光体、例如Y3Al5O12：Ce(YAG(钇·铝·石榴石)：Ce)、Tb3Al3O12：Ce(TAG(铽·铝·石榴石)：Ce)等具有石榴石型晶体结构的石榴石型荧光体、例如Ca-α-SiAlON等氮氧化物荧光体等。
作为红色荧光体，例如可以列举出CaAlSiN3：Eu、CaSiN2：Eu等氮化物荧光体等。
作为荧光体的形状，例如可以列举出球状、板状、针状等。从流动性的观点考虑，优选列举出球状。
荧光体的最大长度的平均值(为球状时为平均粒径)例如为0.1μm以上、优选为1μm以上、且例如为2μm以下、优选为100μm以下。
荧光体的吸收峰波长例如为300nm以上、优选为430nm以上、且例如为550nm以下、优选为470nm以下。
荧光体可以单独使用或组合使用。
荧光体的配混比例相对于固化性树脂100质量份，例如为0.1质量份以上、优选为0.5质量份以上，且例如为80质量份以下、优选为50质量份以下。
作为固化性树脂，例如可以列举出如下的树脂：具有两个阶段的反应机理且在第1阶段的反应中B阶化(半固化)、在第2阶段的反应中C阶化(完全固化)的2阶段固化型树脂。
作为2阶段固化型树脂，可以列举出：例如通过加热而固化的2阶段固化型热固化性树脂、例如通过活性能量射线(例如紫外线、电子射线等)的照射而固化的2阶段固化型活性能量射线固化性树脂等。优选列举出2阶段固化型热固化性树脂。
具体而言，作为2阶段固化型热固化型树脂，例如可以列举出：有机硅树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂等。从透光性及耐久性的观点考虑，优选列举出2阶段固化型有机硅树脂。
作为2阶段固化型有机硅树脂，例如可以列举出具有缩合反应和加成反应这2种反应体系的缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂等。
作为这样的缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂，可以列举出：例如包含硅烷醇两末端聚硅氧烷、含烯基三烷氧基硅烷、有机氢聚硅氧烷、缩合催化剂及氢化甲硅烷化催化剂的第1缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂，例如包含硅烷醇基两末端聚硅氧烷(参照后述的式(1))、含烯系不饱和烃基的硅化合物(参照后述的式(2))、含烯系不饱和烃基的硅化合物(参照后述的式(3))、有机氢聚硅氧烷、缩合催化剂及氢化甲硅烷化催化剂的第2缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂，例如包含两末端硅烷醇型硅油、含烯基的二烷氧基烷基硅烷、有机氢聚硅氧烷、缩合催化剂及氢化甲硅烷化催化剂的第3缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂，例如包含1分子中具有至少2个烯基甲硅烷基的有机聚硅氧烷、1分子中具有至少2个氢化甲硅烷基的有机聚硅氧烷、氢化甲硅烷化催化剂及固化延迟剂的第4缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂，例如包含1分子中兼具至少2个烯系不饱和烃基和至少2个氢化甲硅烷基的第1有机聚硅氧烷、不含烯系不饱和烃基且在1分子中具有至少2个氢化甲硅烷基的第2有机聚硅氧烷、氢化甲硅烷化催化剂及氢化甲硅烷化抑制剂的第5缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂，例如包含1分子中兼具至少2个烯系不饱和烃基和至少2个硅烷醇基的第1有机聚硅氧烷、不含烯系不饱和烃基且在1分子中具有至少2个氢化甲硅烷基的第2有机聚硅氧烷、氢化甲硅烷化抑制剂及氢化甲硅烷化催化剂的第6缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂，例如包含硅化合物、及硼化合物或铝化合物的第7缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂，例如包含聚铝硅氧烷及硅烷偶联剂的第8缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂等。
作为缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂，优选列举出第2缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂，具体详细记载于日本特开2010-265436号公报等中，例如包含硅烷醇基两末端聚二甲基硅氧烷、乙烯基三甲氧基硅烷、(3-缩水甘油氧基丙基)三甲氧基硅烷、二甲基聚硅氧烷-共聚-甲基氢聚硅氧烷、四甲基氢氧化铵及铂-羰基络合物。具体而言，第2缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂例如通过如下方式制备：首先，一次性加入作为缩合原料的含烯系不饱和烃基的硅化合物及含烯系不饱和烃基的硅化合物、和缩合催化剂，接着加入作为加成原料的有机氢聚硅氧烷，其后加入氢化甲硅烷化催化剂(加成催化剂)，由此制备。
由此制备A阶的2阶段固化型树脂。
A阶的2阶段固化型树脂的粘度例如为3000mPa·s以上、优选为5000mPa·s以上、且例如为20000mPa·s以下、优选为11000mPa·s以下。需要说明的是，A阶的2阶段固化型树脂的粘度通过如下方式测定：将A阶的2阶段固化型树脂温度调节至25℃，使用E型锥，以转速99s-1进行测定。以下的粘度利用与上述同样的方法来测定。
2阶段固化型树脂的配混比例相对于含荧光体的固化性树脂组合物(清漆)例如为30质量％以上、优选为40质量％以上、更优选为50质量％以上、且例如为98质量％以下、优选为95质量％以下、更优选为90质量％以下。
此外，在含荧光体的固化性树脂组合物中，根据需要还可以含有填充剂和/或溶剂。
作为填充剂，可以列举出：例如有机硅颗粒(具体而言包括有机硅橡胶颗粒)等有机微粒，例如二氧化硅(例如气相二氧化硅等)、滑石、氧化铝、氮化铝、氮化硅等无机微粒。此外，填充剂的最大长度的平均值(为球状时为平均粒径)例如为0.1μm以上、优选为1μm以上、且例如为200μm以下、优选为100μm以下。填充剂可以单独使用或组合使用。填充剂的配混比例相对于固化性树脂100质量份例如为0.1质量份以上、优选为0.5质量份以上、且例如为70质量份以下、优选为50质量份以下。
作为溶剂，可以列举出：例如己烷等脂肪族烃、例如二甲苯等芳香族烃、例如乙烯基甲基环状硅氧烷、两末端乙烯基聚二甲基硅氧烷等硅氧烷等。溶剂以含荧光体的固化性树脂组合物成为后述的粘度的配混比例配混在含荧光体的固化性树脂组合物中。
为了制备含荧光体的固化性树脂组合物，配混2阶段固化型树脂、荧光体和根据需要配混的填充剂和/或填充剂并进行混合。
为了制备含荧光体的固化性树脂组合物，具体而言，根据在决定工序S2中决定的与清漆相关的信息、具体为例如荧光体的配混比例、荧光体的吸收峰波长、最大长度的平均值(为球形时为平均粒径)、例如A阶的固化性树脂的种类、粘度、配混比例等，在如图4所示的具备搅拌机51的混合容器52内配混上述各成分。接着，使用搅拌机51将它们混合。
由此，将清漆制备成A阶的含荧光体的固化性树脂组合物。
清漆在25℃、1个大气压的条件下的粘度例如为1,000mPa·s以上、优选为4,000mPa·s以上、且例如为1,000,000mPa·s以下、优选为100,000mPa·s以下。
＜B阶化工序S6＞
在图2所示的B阶化工序S6中，由清漆形成B阶的荧光体片2。
为了形成B阶的荧光体片2，如图5所示，例如首先将清漆涂布在脱模片4的表面。
作为脱模片4，可以列举出：例如聚乙烯薄膜、聚酯薄膜(PET等)等聚合物薄膜，例如陶瓷片，例如金属箔等。优选列举出聚合物薄膜。此外，还可以对脱模片4的表面实施氟处理等剥离处理。此外，对脱模片4的形状没有特别限定，例如形成为俯视大致矩形(包括短条状(诗签状)、长条状(长尺状))等。
为了将清漆涂布在脱模片4的表面，例如使用分配器、涂抹器、狭缝式挤压涂布机(Slot Die Coater)等涂布装置。优选使用图5所示的分配器13。
此外，以荧光体片2的厚度例如为10μm以上、优选为50μm以上、且例如为2000μm以下、优选为1000μm以下的方式将清漆涂布于脱模片4。
清漆7涂布成在俯视下为例如大致矩形(包括短条状、长条状)、例如圆形等适宜的形状。构成上述形状的清漆7可以相互隔着间隔形成。
此外，还可以将清漆7涂布于例如俯视大致矩形(长条状除外)的脱模片4，通过接下来说明的B阶化而形成单片式的荧光体片2，或者连续涂布于长条状的脱模片4，通过接下来说明的B阶化而形成连续式的荧光体片2。需要说明的是，在将荧光体片2制成单片的情况下，在同一个脱模片4上制造多个荧光体片2时，间断地涂布清漆7。
其后，将所涂布的清漆7B阶化(半固化)。
清漆7含有2阶段固化型热固化性树脂时，例如对所涂布的清漆7进行加热。
为了加热清漆7，例如使用如图6所示具备在脱模片4的上侧和下侧对向配置的加热器54、或者具备在脱模片4的上侧或下侧配置的加热器54的烘箱55。
对于加热条件，加热温度为例如40℃以上、优选为80℃以上、更优选为100℃以上、且例如为200℃以下、优选为150℃以下、更优选为140℃以下。加热时间例如为1分钟以上、优选为5分钟以上、更优选为10分钟以上、且例如为24小时以下、优选为1小时以下、更优选为0.5小时以下。
或者，在清漆7含有2阶段固化型活性能量射线固化性树脂时，对清漆7照射活性能量射线。具体而言，使用紫外灯等对清漆7照射紫外线。
由此，对清漆7进行B阶化(半固化)、而不C阶化(完全固化)，换言之，形成C阶化(完全固化)前的荧光体片2、即B阶的荧光体片2。
由此，制造如图6所示层叠在脱模片4的表面的B阶的荧光体片2。
具体而言，根据在决定工序S2中决定的清漆7的涂布条件(具体为清漆7的形状、厚度等)、B阶化中的清漆7的加热条件、活性能量射线的照射条件，由清漆7形成B阶的荧光体片2。
该片制造工序S3中制造的荧光体片2在25℃下的压缩弹性模量例如为0.040MPa以上、优选为0.050MPa以上、更优选为0.075MPa以上、进一步优选为0.100MPa以上、且例如为0.145MPa以下、优选为0.140MPa以下、更优选为0.135MPa以下、进一步优选为0.125MPa以下。
压缩弹性模量超过上述上限时，在C阶化工序S7中利用荧光体片2被覆LED3时，在LED3引线键合安装于基板5的情况下，有时引线(未图示)会发生变形。
而另一方面，压缩弹性模量小于上述下限时，难以确保荧光体片2的形状。即，有时清漆7不形成荧光体片2的形状。
其后，还可以根据需要，将连续式的B阶的荧光体片2连同连续的脱模片4一起切断成规定形状，形成单片式的荧光体片2。
＜C阶化工序S7＞
在图2所示的C阶化工序S7中，如图7及图8所示，首先，利用B阶的荧光体片2被覆LED3，接着，将B阶的荧光体片2C阶化。
为了利用B阶的荧光体片2被覆LED3，如图7所示，首先，准备安装有LED3的基板5。
基板5由例如硅基板、陶瓷基板、聚酰亚胺树脂基板、在金属基板上层叠有绝缘层的层叠基板等绝缘基板构成。
此外，在基板5的表面形成有具备用于与接下来说明的LED3的端子(未图示)电连接的电极(未图示)和与该电极连接的布线的导体图案(未图示)。导体图案由例如金、铜、银、镍等导体形成。
此外，基板5的表面形成平坦状。或者，虽然没有图示，但也可以在基板5的要安装LED3的表面形成朝向下方凹陷的凹部。
基板5的外形形状没有特别限定，例如可以列举出俯视大致矩形、俯视大致圆形等。基板5的尺寸可以适当选择，例如，最大长度例如为2mm以上、优选为10mm以上、且例如为300mm以下、优选为100mm以下。
LED3是将电能转换成光能的光半导体元件，例如形成为厚度比面方向长度(相对于厚度方向的垂直方向长度)短的剖视大致矩形。
作为LED3，例如可以列举出发出蓝色光的蓝色LED(发光二极管元件)。LED3的尺寸根据用途及目的来适当设定，具体而言，厚度例如为10～1000μm，最大长度例如为0.05mm以上、优选为0.1mm以上、且例如为5mm以下、优选为2mm以下。
LED3的发光峰波长例如为400nm以上、优选为430nm以上、且例如为500nm以下、优选为470nm以下。
LED3例如倒转芯片安装于基板5、或者引线键合安装于基板5。
此外，可以将多个(图7中为3个)LED3如图5所示安装于1个基板5。平均每个基板5的LED3的安装数例如为1以上、优选为4以上、且例如为2000以下、优选为400以下。
接着，根据在决定工序S2中决定的与上述基板5相关的信息、例如基板5的外形形状、尺寸、表面形状(有无凹部)、例如安装于基板5的LED3的形状、尺寸、LED3的发光峰波长、基板5的每单位面积的LED3的安装数、每个基板5的LED3的安装数等，选择并准备安装LED3的基板5。
接着，在该方法中，将安装有LED3的基板5设置于图7所示的压制机20。
作为压制机20，例如采用在上下方向具备隔着间隔对向配置的2块平板21的平板压制机等。
为了将安装有LED3的基板5设置于图7所示的压制机20，具体而言，将安装有LED3的基板5设置于下侧的平板21。
接着，使层叠于脱模片4的上表面的荧光体片2(参照图6)上下翻转，使其对向配置于LED3的上侧。即，以面向LED3的方式配置荧光体片2。
接着，如图8所示，利用荧光体片2被覆LED3。具体而言，利用荧光体片2埋设LED3。
此外，根据在决定工序S2中决定的压制条件，利用荧光体片2被覆LED3。
具体而言，如图7的箭头所示，使荧光体片2下降(下压)。详细而言，朝向安装有LED3的基板5压制荧光体片2。
压制压力例如为0.05MPa以上、优选为0.1MPa以上、且例如为1MPa以下、优选为0.5MPa以下。
由此，利用荧光体片2被覆LED3。即，LED3被埋设在荧光体片2内。
由此，利用荧光体片2封装LED3。
其后，将荧光体片2C阶化。
根据例如在决定工序S2中决定的C阶化中的荧光体片2的加热条件、活性能量射线的照射条件，将荧光体片2C阶化。
具体而言，在2阶段固化型树脂为2阶段固化型热固化性树脂时，对荧光体片2进行加热。具体而言，一边维持由平板21带来的对荧光体片2的压制状态一边投入烘箱内。由此对荧光体片2进行加热。
加热温度例如为80℃以上、优选为100℃以上、且例如为200℃以下、优选为180℃以下。此外，加热时间例如为10分钟以上、优选为30分钟以上、且例如为10小时以下、优选为5小时以下。
通过荧光体片2的加热，荧光体片2发生C阶化(完全固化)。
需要说明的是，在2阶段固化型树脂为2阶段固化型活性能量射线固化性树脂时，通过对荧光体片2照射活性能量射线，使荧光体片2C阶化(完全固化)。具体而言，使用紫外灯等对荧光体片2照射紫外线。
由此，试制具备荧光体片2、利用荧光体片2封装的LED3和安装有LED3的基板5的试制品6。
图8中，在1个试制品6中设置多个(3个)LED3。
其后，将脱模片4如图8的虚线所示从荧光体片2剥离。
需要说明的是，其后，根据需要，在多个LED3安装于1个基板5的情况下，还可以对应于各LED3将荧光体片2切断而单片化。
＜评价工序S8＞
在评价工序S8中，为了评价C阶的荧光体片2，实施例如在试制品6(具体为利用荧光体片2被覆LED3的试制品6)的基板5的导体图案(未图示)中流通电流、使LED3发光的点亮试验。
具体而言，在点亮试验中，在试制品6的基板5中流通电流，测定刚流通电流后的光的色温和/或总光通量。
具体而言，将试制品6供给于点亮试验时，光的色温的测定值作为试制品6的评价记录在图2所示的记录工序S9中。
具体而言，在记录工序S9中，记录试制品6的试制条件及评价，作为过去(以前)的试制品6的信息保存。
[决定工序S2]
决定工序S2是在试制工序S1之后实施的工序。在决定工序S2中，根据试制品6的评价来决定用于制造LED装置1的制造条件。
例如，根据在试制工序S1中记录的试制条件及评价来决定制造条件。
具体而言，如果试制品6的光的色温的测定值在目标范围内，则记录工序S9中记录的试制条件就会直接成为制造条件。
目标的光的颜色为自然白时，目标色温例如为4600K以上、且例如为5500K以下。此外，目标的光的颜色为暖白时，目标色温例如为3250K以上、且例如为3800K以下。
而如果试制品6的光的色温的测定值在目标范围外，则从记录工序S9中记录的试制条件及评价中以成为目标色温的方式决定制造条件。具体而言，以成为目标色温的方式修改试制条件，作为制造条件。例如，如上所述，修改与清漆相关的信息、与基板5相关的信息、与荧光体片2相关的信息，优选修改与清漆相关的信息，更优选修改荧光体的配混比例、荧光体的形状、荧光体的最大长度的平均值、荧光体的吸收峰波长等，作为制造条件。
[制造工序S3]
参照图1，制造工序S3是在决定工序S2之后实施的工序。制造工序S3是根据在决定工序S2中决定的制造条件来制造LED装置1的工序。
制造工序S3如图3所示，具备清漆制备工序S11、B阶化工序S12及C阶化工序S13。
制造工序S3(图1)中，除根据在决定工序S2中决定的制造条件以外，与试制工序S1中的清漆制备工序S5、B阶化工序S6及C阶化工序S7各工序(图2)同样地实施清漆制备工序S11、B阶化工序S12及C阶化工序S13各工序。
由此制造与试制品6结构相同的LED装置1。
制造工序S3中量产的LED装置1的数目例如为100以上、优选为500以上、更优选为1000以上、且例如为100000以下。
此外，根据该方法，决定工序S2根据包含C阶的荧光体片2的试制品6的评价来决定制造条件。而且，制造工序S3根据在决定工序中决定的制造条件来制造LED装置1。
在这样的情况下，作为评价对象的试制品6的荧光体片2为C阶。因此，制造条件中会考虑到荧光体片2的由上述C阶化引起的光学特性的变化。具体而言，制造条件会预先考虑到由因阶化而发生的伴随固化收缩的翘曲等变形引起的荧光体片2的光学特性的变化。
其结果，在制造工序S3中，能够制造发光可靠性优异的LED装置1。
而且，由于根据基于试制品6的评价来决定的制造条件来制造LED装置1，因此，能够以优异的精度量产(即大量生产)LED装置1。因此，能够充分地提高LED装置1的制造效率。
需要说明的是，试制工序S1及决定工序S2在用于量产不同类型的LED装置1的制造工序S3之前实施。进而，在荧光体和/或LED3发生批次变更的情况下，每当它们发生变更时、具体而言每当荧光体的最大长度的平均值、吸收峰波长、LED3的发光峰波长变更时，实施试制工序S1及决定工序S2。
(变形例)
对于图8所示的实施方式，在C阶化工序S7中，首先，利用B阶的荧光体片被覆LED3，接着，将B阶的荧光体片2C阶化。但是，例如，也可以将图6所参照的层叠于脱模片4的B阶的荧光体片2直接C阶化。
该情况下，在评价工序S8中，测定伴随C阶的荧光体片2的固化收缩的翘曲量。翘曲量为荧光体片2的中央部向下侧凹陷的凹陷量与边缘部向上侧突出的突出量之差。
优选的是，如图8所示的实施方式那样，在C阶化工序S7中，首先，利用B阶的荧光体片2被覆LED3，接着，将B阶的荧光体片2C阶化。
利用这样的方法，能够使利用荧光体片2被覆LED3而得到的试制品6与作为实际产品的LED装置1成为相同的结构。
因此，能够根据与实际产品(LED装置1)结构相同的试制品6的评价来决定实际产品(LED装置1)的制造条件。
其结果，能够精度更好地决定制造条件，能够制造发光可靠性更优异的LED装置1。
此外，在图2的实施方式中，试制条件决定工序S4根据之前的试制条件及评价的信息来决定试制条件，但是，例如也可以如图9所示，不根据之前的试制条件及评价的信息而是根据在记录工序S9中记录的试制条件及评价在图1所示的决定工序S2中预测制造条件并决定。
优选的是，在试制条件决定工序S4中，根据之前的试制条件及评价的信息来决定试制条件。
利用这样的方法，能够积累本次之前的试制条件，根据积累的试制条件及评价来提高制造条件的精度。因此，能够得到发光可靠性优异的LED装置1。
此外，对于图7及图8的实施方式，在C阶化工序S7(参照图2)中，首先，利用B阶的荧光体片2被覆LED3，接着，将B阶的荧光体片2C阶化，但是，例如也可以同时实施B阶的荧光体片2对LED3的被覆以及C阶化。
此外，在图8中，在1个LED装置1中设置多个LED3，但例如也可以设置单个LED3，这在本说明书中没有图示。
此外，在图8的实施方式中，作为本发明的光半导体元件及光半导体装置，分别说明LED3及LED装置1作为其中一例，但是，例如也可以分别为LD(激光二极管)3及激光二极管装置1。
实施例
以下所示的实施例及比较例中的数值可以替换为上述实施方式中记载的对应数值(即上限值或下限值)。
实施例1
[试制工序S1]
＜清漆制备工序S5＞
首先，相对于加热至40℃的硅烷醇基两末端聚二甲基硅氧烷[下述式(1)中的R1全部为甲基、n＝155的化合物、平均分子量11，500]2031g(0.177mol)，加入作为含烯系不饱和烃基的硅化合物的乙烯基三甲氧基硅烷[下述式(2)中的R2为乙烯基、X1全部为甲氧基的化合物]15.76g(0.106mol)、及作为含烯系不饱和烃基的硅化合物的(3-缩水甘油氧基丙基)三甲氧基硅烷[下述式(3)中的R3为3-缩水甘油氧基丙基、X2全部为甲氧基的化合物]2.80g(0.0118mol)[硅烷醇基两末端聚二甲基硅氧烷的SiOH基的摩尔数与含烯系不饱和烃基的硅化合物的SiX1基及含烯系不饱和烃基的硅化合物的SiX2基的总摩尔数之比SiOH/(SiX1+SiX2)＝1/1]进行搅拌混合，之后，加入作为缩合催化剂的四甲基氢氧化铵甲醇溶液(浓度10质量％)0.97mL(催化剂量：0.88mol、相对于硅烷醇基两末端聚二甲基硅氧烷100摩尔为0.50摩尔、相对于缩合原料100g为4.0mg)，在40℃下搅拌1小时。对得到的油状物，在40℃下搅拌1小时并减压(10mmHg)，将挥发成分去除。接着，将反应液恢复至常压，之后，以烯基与氢化甲硅烷基的摩尔比为SiR2/SiH＝1/3.0的方式加入有机氢聚硅氧烷(二甲基聚硅氧烷-共聚-甲基氢聚硅氧烷)，在40℃下搅拌1小时。其后，加入作为氢化甲硅烷化催化剂的铂-羰基络合物(铂浓度2.0质量％)0.038mL(铂含量相对于有机聚硅氧烷为0.375ppm、即相对于缩合原料100g为0.375×10-4g)，在40℃下搅拌10分钟，制备A阶的有机硅树脂组合物(第2缩合反应·加成反应固化型有机硅树脂)。A阶的有机硅树脂组合物在25℃、1个大气压条件下的粘度为8000mPa·s。
[化学式1]
[化学式2]
R2-Si-(X1)3   (2)
[化学式3]
R3-Si-(X2)3   (3)
将有机硅树脂组合物100质量份、有机硅橡胶颗粒(球形、平均粒径7μm)20质量份、及作为黄色荧光体的YAG颗粒(球形、平均粒径7μm)10质量份投入具备搅拌机的混合容器，使用搅拌机将它们混合。由此制备A阶的清漆。清漆在25℃、1个大气压条件下的粘度为20000mPa·s。
＜B阶化工序S6＞
接着，利用分配器(参照图5)在由PET制成的脱模片的表面将清漆涂布为俯视矩形(尺寸：10mm×100mm)，然后，在135℃的烘箱中加热15分钟，由此制造层叠于脱模片的厚度600μm的B阶的封装片。
测定刚制造的B阶的封装片在25℃下的压缩弹性模量，结果，为0.040MPa(参照表1)。具体而言，利用AIKOH ENGINEERING CO.,LTD.制造的精密载荷测定机算出25℃下的压缩弹性模量。
＜C阶化工序S7＞
准备俯视矩形的安装有厚度150μm的LED的基板(参照图7)。LED及基板的形状、数目及尺寸记载于以下。
基板的形状：俯视正方形
基板的尺寸：一边8mm、最大长度11mm
LED的形状：俯视正方形
LED的尺寸：一边0.3mm、最大长度0.4mm
LED的安装数：9
LED的密度：基板的每单位面积(mm2)的LED的安装数0.14个/mm2
：每个基板的LED的安装数9
LED的发光峰波长：452nm
接着，将安装有LED的基板设置于压制机(参照图7)。
另行将B阶的封装片配置于设置有基板的压制机(参照图7)。
接着，利用封装片封装LED(参照图8)。
具体而言，利用平板压制机，在室温下下压封装片，以压力0.2MPa利用封装片埋设LED。由此，利用封装片封装LED。
其后，将压制了封装片及基板的平板投入烘箱，对封装片进行150℃、30分钟加热，将封装片C阶化。
其后，将脱模片从封装片剥离(参照图8的箭头)。
由此试制试制品。
需要说明的是，试制品的数目为1。
＜评价工序S8＞
A.色温
其后，对试制品的荧光体片进行评价。
具体而言，对试制品的基板流通100mA的电流，实施利用瞬间多通道测光系统(MCPD-9800、大塚电子株式会社制造)测定刚流通电流后的光的色温的点亮试验。
其结果示于表1。
B.翘曲量
此外，测定试制品的荧光体片的翘曲量。
其结果示于表1。
[决定工序S2]
已知试制品的光的色温的测定值基本到达作为目标范围的5450K，因此，使荧光体的配混比例保持相对于有机硅树脂组合物100质量份为10质量份来决定制造条件。
[制造工序S3]
在制造工序S3中，在决定工序S2中决定的制造条件(荧光体的配混比例相对于有机硅树脂组合物100质量份为10质量份)下，与试制工序S1中的清漆制备工序S5、B阶化工序S6及C阶化工序S7各工序同样地实施。由此制造LED装置。
需要说明的是，LED装置的数目为1000。
[产品的评价]
测定制得的LED装置的色温，结果，色温为目标的5450K，其偏差值也在目标范围即5425～5475K内。
比较例1
对＜B阶化工序S6＞之后且＜C阶化工序S7＞之前的B阶的荧光体片实施＜评价工序S8＞，除此以外，与实施例1同样地实施。
＜评价工序S8＞中的B阶的荧光体片的“A.色温”及“B.翘曲量”的结果如表1所示，无法判断所要制造的LED装置的色温是否会达到目标值。
(考察)
实施例1及比较例1的色温(Tc)之差为约18K，可以看出其原因在于：由伴随C阶化的固化收缩引起的翘曲量大。
因此，实施例1的决定工序中决定的制造条件考虑到了由于翘曲量大引起的色温的变化，由此，作为产品的LED装置的色温在目标范围内。
另一方面，比较例1的决定工序中决定的制造条件没有考虑到由翘曲量大引起的色温的变化，因此，作为产品的LED装置的色温在目标范围外。
[表1]
                       *：B阶状态
需要说明的是，上述发明是作为本发明的例示实施方式提供的，其仅仅是例示，不作限定性解释。对于本领域技术人员显而易见的本发明的变形例包含在权利要求书范围内。
产业上的可利用性
光半导体装置的制造方法被用于LED装置、LD装置的制造。
附图标记说明
1  LED装置(激光二极管装置)
2  荧光体片
3  LED(激光二极管)
6  试制品
7  清漆
S1 试制工序
S2 决定工序
S3 制造工序
S4 试制条件决定工序

Claims (3)

1.一种光半导体装置的制造方法，其特征在于，为制造利用荧光体片被覆光半导体元件的光半导体装置的方法，其具备以下工序：
试制工序，试制试制品来进行评价；
决定工序，根据所述试制品的评价来决定用于制造所述光半导体装置的制造条件；以及，
制造所述光半导体装置的制造工序，根据在所述决定工序中决定的所述制造条件，利用B阶的所述荧光体片被覆所述光半导体元件，将该荧光体片C阶化，
所述试制工序具备如下工序：
清漆制备工序，制备含有荧光体及固化性树脂的清漆；
B阶化工序，由所述清漆形成B阶的所述荧光体片；
C阶化工序，将B阶的所述荧光体片C阶化；以及，
评价工序，对C阶的所述荧光体片进行评价。
2.根据权利要求1所述的光半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述C阶化工序中，利用所述荧光体片被覆所述光半导体元件，
在所述评价工序中，对利用所述荧光体片被覆了所述光半导体元件的所述光半导体装置进行评价。
3.根据权利要求1所述的光半导体装置的制造方法，其特征在于，所述试制工序还具备如下工序：
试制条件决定工序，根据本次之前试制所述试制品的试制条件以及评价的信息来决定本次用于试制所述试制品的试制条件。
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