CN101849256A - 具有磷光体波长转换的发光装置及其制作方法 - Google Patents

具有磷光体波长转换的发光装置及其制作方法 Download PDF

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詹姆斯·卡鲁索
查尔斯·爱德华兹
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Abstract

本发明描述一种制作具有特定目标色彩(CIE xy)的所发射光的发光装置的方法。所述装置包括可操作以发射第一波长范围的光的发光二极管及至少一种将所述光的至少一部分转换成第二波长范围的光的磷光体材料，其中所述装置所发射的光包括所述第一与第二波长范围的组合光。所述方法包括：在所述发光二极管的发光表面上沉积预先选定量的所述至少一种磷光体材料；操作所述发光二极管；测量所述装置所发射的光的色彩；将所述所测量色彩与所述特定目标色彩相比较；及沉积及/或移除磷光体材料以获得所需目标色彩。

Description

具有磷光体波长转换的发光装置及其制作方法
相关申请案交叉参考
詹姆斯卡鲁索(James Caruso)等人在2007年10月1日申请的标题为具有磷光体波长转换的发光装置及其制作方法(LIGHT EMITTING DEVICES WITHPHOSPHOR WAVELENGTH CONVERSION AND METHODS OF FABRICATIONTHEREOF)的美国专利申请案第11/906,545号(代理人档案号第ITMX-00226US0号)。
技术领域
本发明涉及用于制作具有磷光体波长转换的发光装置的方法及设备。更特定来说，本发明涉及具有如下类型的发光装置，其包括：发光二极管(LED)，其可操作以发射第一波长范围的光；及磷光体材料，其将所述光的至少一部分转换成第二波长范围的光。
背景技术
发白色光二极管(LED)在此项技术中是已知的，且是相对新近的创新。直到开发出在电磁光谱的蓝色/紫外线部分中发光的LED，开发基于LED的白色光源才变得实际。如例如US 5,998,925中所教示，产生白色光LED(“白色LED”)包含是光致发光材料的一种或一种以上磷光体材料，其吸收所述LED所发射的辐射的一部分并重新发射不同色彩(波长)的辐射。通常，LED芯片或裸片产生蓝色光且所述磷光体吸收一百分比的蓝色光并重新发射黄色光或绿色与红色光、绿色与黄色光或黄色与红色光的组合。所述LED所产生的蓝色光的不由所述磷光体吸收的部分与所述磷光体所发射的光组合，从而提供在人眼看来在色彩上近似为白色的光。
如已知，白色光源的相关色温(CCT)通过将其色调与理论、经加热的黑体辐射体加以比较来确定。CCT以开尔文(K)指定且对应于与所述光源辐射相同的白色光色调的黑体辐射体的温度。白色LED的CCT通常由磷光体组成及并入所述LED中的磷光体的量来确定。
白色LED常常通过使用粘合剂将所述LED芯片安装于金属或陶瓷杯(外壳)中且然后将引线接合至所述芯片来制作。为增加所述装置的效率，所述杯将常常具有反射内表面以将光反射出所述装置。所述磷光体材料(其为粉末形式)通常与硅酮粘结剂混合且然后将所述磷光体混合物置于所述LED芯片顶部上。制作白色LED的问题是LED之间的假设在标称上相同的CCT及色彩色调的变化。此问题通过以下事实而加剧：人眼对色彩色调尤其是“白色”色彩范围中的细小改变极其敏感。
为减轻如上所述具有磷光体波长转换的LED尤其是白色LED的色彩变化问题，使用“分箱”或“装箱”系统在后生产期间分类LED。在装箱中，操作每一LED且测量其所发射光的实际色彩。然后，根据所述装置产生的光的实际色彩而非基于目标CCT(所述装置是以所述目标CCT生产的)来将所述LED分类或装箱。图1是指示色彩空间或色彩箱的四个区域的冷白色(CW)LED的CIE(国际照明委员会)1931色度图。更通常，使用九个或九个以上箱来分类白色LED。装箱的缺点是增加的生产成本及低成品率，因为常常仅可接受所述九个箱中的两个用于既定应用，此导致白色LED供应商及消费者的供应链挑战。
US 6,823,142教示通过将滤光器置于LED光发射路径中来调节LED的光谱特性。所述滤光器具有滤光器图案，其改变光的色彩及强度中的至少一者且基于对应于所发射光的色彩及强度中的至少一者与参考之间的偏差的移位值产生。所述滤光器可使用喷墨印刷或其它印制方法印刷于LED的透镜上或印刷于稍后附接到所述LED的帽上。为所述滤光器所选择的特定墨水色彩依据每一LED的所发射光与指定公差的偏差。称所述滤光器形成高程度的色彩及强度均匀性，而不需要劳动及成本密集型装箱。滤光的缺点是其基于吸收来从所发射光谱移除光谱分量且因此降低LED的效率。此外，不能够在不存在光谱分量时使用滤光来校正光谱发射，换句话说，此方法不能够向白色LED发射添加光谱波长。
我们相信，具有传统磷光体波长转换的LED的所发射光的色彩色调的变化由所述LED芯片上磷光体材料的体积、组成及位置的变化而产生。然而，发明者已了解到，色彩色调变化可额外地依据如下因素，包含：
●接合线形状及位置的变化，其可影响磷光体的湿润
●粘合剂渗出，其可影响所述LED芯片的发射方向上的磷光体变化的湿润
●反射器特性的变化
●磷光体/硅酮掺和的变化或老化
●LED芯片的波长发射分布。
我们相信，所有这些因素可影响包含磷光体波长转换的发光装置所产生的光的色彩色调。
发明内容
在至少部分地解决包含磷光体波长转换的LED的色彩色调及/或CCT变化问题且减小或甚至消除对装箱的需要的努力中产生本发明。
本发明的实施例针对：在发光二极管的发光表面上沉积预先选定量的一种或一种以上磷光体材料；操作所述发光二极管；测量所述装置所发射的光的色彩；及沉积(添加)及/或移除(减少)磷光体材料以获得所需目标色彩(目标CIE xy)。
根据本发明，提供一种制作具有特定目标色彩(CIE xy)的所发射光的发光装置的方法，所述装置包括至少一个可操作以发射第一波长范围的光的发光二极管(LED)及至少一种将所述光的至少一部分转换成第二波长范围的光的磷光体材料，其中所述装置所发射的光包括所述第一与第二波长范围的组合光，所述方法包括：
a)在所述至少一个LED的发光表面上沉积预先选定量的所述至少一种磷光体材料；
b)操作所述至少一个LED；
c)测量所述装置所发射的光的色彩；
d)将所述所测量色彩与所述特定目标色彩相比较；及
e)依据所述比较，沉积及/或移除一定量的磷光体材料以大体上获得所述特定目标色彩。
为确保必须沉积进一步磷光体材料以获得所述特定目标色彩(CIE xy)，所述方法可进一步包括选择所述预先选定量以确保所述第二波长范围的光的比例低于所述特定目标色彩中所需要的比例。或者，所述方法可包括选择所述预先选定量以确保所述第二波长范围的光的比例大于所述特定目标色彩中的比例。此布置确保将必须移除磷光体材料以获得所述特定目标色彩。
优选地，使用查找表来选择待沉积及/或移除的磷光体材料的量。
所述方法可进一步包括再次操作所述至少一个发光二极管并测量所述装置所发射的光的色彩以验证所述装置所发射的光的色彩大体上对应于所述特定目标色彩。优选地，在再次测量所述色彩时，使用此资讯来更新所述查找表。因需要获得所述特定目标色彩或获得在预定限制(其为CIE xy坐标范围)内的色彩，可重复方法步骤b)到e)多次。
可通过烧蚀、切片、研磨、磨蚀、钻孔、铣切、磨光或碾磨来移除所述磷光体材料。或者，可通过在粘结剂材料凝固前擦拭磷光体来将其移除。
为增加所述装置所发射的光的强度，所述装置可包括多个发光二极管，通常是发光二极管阵列，其中的每一者包含所述至少一种磷光体材料。在制作此种装置时，所述方法包括：
a)在所述LED中的每一者的发光表面上沉积预先选定量的所述至少一种磷光体材料；
b)操作所有所述LED；
c)测量所述装置所发射的光的色彩；
d)将所述所测量色彩与所述特定目标色彩相比较；及
e)依据所述比较，在选定数目的所述发光二极管上沉积及/或从其移除固定(单位)量的磷光体材料，所述数目经选择以大体上获得所述特定目标色彩。此种方法的特定优点在于，仅需要沉积及/或移除固定量的磷光体，此可简化所述方法。
本发明尤其适于制作具有特定相关色温(CCT)的发白色光装置。常常，此类装置包含两种或两种以上各自发射不同波长范围的光的不同磷光体材料。根据本发明的又一方面，提供一种制作具有特定目标色彩(CIE xy)的所发射光的发光装置的方法，所述装置包括可操作以发射第一波长范围的光的发光二极管及将所述光的至少一部分分别转换成第二及第三波长范围的光的至少第一及第二磷光体材料，其中所述装置所发射的光包括所述第一波长范围、第二波长范围及第三波长范围的组合光，所述方法包括：
a)在所述发光二极管的发光表面上沉积预先选定量的所述第一及第二磷光体材料；
b)操作所述发光二极管；
c)测量所述装置所发射的光的色彩；
d)将所述所测量色彩与所述特定目标色彩相比较；及
e)依据所述比较，沉积及/或移除选定量的所述第一及第二磷光体材料以大体上获得所述特定目标色彩。
如在根据本发明的第一实施例的方法中，所述方法可进一步包括选择所述预先选定量的磷光体材料以确保所述第二及第三波长范围的光的比例低于所述特定目标色彩中的比例。或者，所述方法可进一步包括选择所述预先选定量的磷光体材料以确保所述第二及第三波长范围的光的比例大于所述特定目标色彩中的比例。优选地，使用查找表来选择待沉积及/或移除的磷光体材料的量。在所述发光装置包括多个包含至少第一及第二磷光体材料的发光二极管时，所述方法包括依据所述比较在选定数目的所述发光二极管上沉积及/或从其移除固定量的所述磷光体材料，所述数目经选择以大体上获得所述特定目标色彩。
根据本发明的再一方面，提供一种制作具有特定目标色彩的所发射光的发光装置的设备，所述装置包括可操作以发射第一波长范围的光的发光二极管及至少一种将所述光的至少一部分转换成第二波长范围的光的磷光体材料，其中所述装置所发射的光包括所述第一与第二波长范围的组合光，所述设备包括：
施配器，其用于在所述发光二极管的发光表面上沉积预先选定量的所述至少一种磷光体材料；
控制器，其可操作以操作所述发光二极管；及
光测量构件，其用于测量所述装置所发射的光的色彩；其中所述控制器可操作以将所述所测量色彩与所述特定目标色彩相比较并依据所述比较沉积另一选定量的磷光体材料以大体上获得所述特定目标色彩。
在替代实施例中，一种制作具有特定目标色彩的所发射光的发光装置的设备包括：
施配器，其可操作以在所述发光二极管的发光表面上沉积预先选定量的所述至少一种磷光体材料；
控制器，其可操作以操作所述发光二极管；
光测量构件，其用于测量所述装置所发射的光的色彩；及
磷光体移除构件，其可操作以移除一定量的磷光体材料以获得所述特定目标色彩，其中所述控制器可操作以将所述所测量色彩与所述特定目标色彩相比较并依据所述比较选择待移除的磷光体材料的量以大体上获得所述特定目标色彩。
有利地，所述设备可进一步包括查找表，其用于选择待沉积及/或移除的进一步磷光体材料的量。
在一个布置中，所述施配器包括能够施配纳升体积的磷光体材料的柱塞型施配器头。
有利地，所述磷光体移除构件包括可操作以烧蚀所述选定量的磷光体材料的激光器。
在所述发光装置包括多个包含至少一种磷光体材料的发光二极管时，所述控制器可操作以依据所述比较在选定数目的所述发光二极管上沉积固定量的所述磷光体材料，所述数目经选择以大体上获得所述特定目标色彩。或者，所述控制器可操作以依据所述比较从选定数目的所述发光二极管移除固定量的所述磷光体材料，所述数目经选择以大体上获得所述特定目标色彩。
本发明尤其适于制作包含两种磷光体材料的发光装置(例如，发白色光装置)。根据本发明的又一方面，提供一种制作具有特定目标色彩的所发射光的发光装置的设备，所述装置包括至少一个可操作以发射第一波长范围的光的发光二极管及将所述光的至少一部分分别转换成第二及第三波长范围的光的第一及第二磷光体材料，其中所述装置所发射的光包括所述第一波长范围、第二波长范围及第三波长范围的组合光，所述设备包括：
第一施配器，其用于在所述至少一个发光二极管的发光表面上沉积预先选定量的所述第一磷光体材料与第二磷光体材料的混合物；
第二施配器，其用于沉积所述第一磷光体材料；第三施配器，其用于沉积所述第二磷光体材料；
控制器，其可操作以操作所述至少一个发光二极管；
光测量构件，其用于测量所述装置所发射的光的色彩；其中所述控制器可操作以将所述所测量色彩与所述特定目标色彩相比较并依据所述比较使用所述第二及第三施配器沉积选定量的所述第一及第二磷光体材料以大体上获得所述特定目标色彩。
附图说明
为更好地理解本发明，现在将参照随附图式仅通过举例的方式描述本发明的实施例，其中：
图1是图解说明如先前所述的冷白色(CW)发光二极管的“分箱”的CIE xy 1931色度图；
图2(a)至(f)是本发明的用于制作包含磷光体波长转换的发白色光装置的方法步骤的示意性表示；
图3是图解说明图2的方法的色彩校正方法的CIE xy 1931色度图；
图4(a)至(e)是根据本发明的又一实施例的用于制作包含磷光体波长转换的发彩色光装置的方法步骤的示意性表示；且
图5是图解说明图4的方法的色彩校正方法的CIE xy色度图。
具体实施方式
方法1
将关于具有特定色温及色调的发白色光装置的制作来描述根据本发明的第一实施例的方法。在此专利说明书中，色彩根据色度值来界定以便将特定色彩界定为具有特定CIE xy色度坐标。然而，应了解，界定色彩的其它系统可与本发明的方法一同使用。
白色光装置10包括LED芯片20(例如，基于InGaN/GaN(氮化镓铟/氮化镓)的LED芯片)，其产生第一波长范围的激发辐射(光)，通常是波长为400至465nm的蓝色光。装置10进一步包含两种不同的发光磷光体(光致发光或波长转换)材料，其将所述芯片所发射的光的至少一部分分别转换成不同色彩的光，例如黄色及绿色光。所述芯片所发射的蓝色光与所述磷光体所发射的黄色及绿色光组合给出在色彩上看起来像白色且具有所述特定色温及/或色调的所发射光。尽管LED芯片20实际上将安装于陶瓷或金属杯中，但在附图中并未描绘此种封装。
参照图2(a)至(f)，其显示本发明的用于制作具有特定色温(色彩色调)的发白色光装置10的方法步骤。所述特定色彩色调(在下文中称为目标色彩)指示为图3的CIE色度图上的点200且具有色度坐标CIE(x1，y1)。本发明的方法优选地以完全自动化生产线的形式实施。
步骤1-图2(a)及(b)：将粉末形式的磷光体材料与透明粘结剂(接合)材料(例如，快干热硬化透明硅酮)以预先选定比例混合。合适的硅酮材料的实例是GE的硅酮RTV615。依据所述装置的所需要目标色彩，载入到硅酮的磷光体混合物的重量比在5到50％的范围中。在第一步骤中，在LED芯片20的发光表面上沉积预先选定量的发黄色光及绿色光磷光体混合物30。可使用施配器40(例如，埃斯姆泰克(Asymtek)制造的纳升大小柱塞型施配器头)来沉积所述磷光体粘结剂混合物。所述预先选定量(体积)的磷光体混合物经选择以确保黄色及绿色光的比例低于目标色彩CIE(x1，y1)中的比例。应了解，绿色光份额的比例减小通常将导致CIE(y)降低且黄色光份额的比例减少通常将导致CIE(x)减小。
步骤2-图2(c)：给LED芯片20加电并使用光度计(色度计或分光计)60来测量装置20所发射的光50的色彩。优选根据色度坐标CIE x，y来测量所述色彩。将指示为图3的色度图上的点220的所测量色彩色调与目标色彩200CIE(x1，y1)相比较并计算获得所述目标色彩所需要的额外黄色及绿色磷光体材料的量。图3显示进一步黄色磷光体材料的添加将如何沿大体上对应于箭头240的方向移动色彩及绿色磷光体的添加将如何沿大体上对应于箭头260的方向使色彩移位。(应了解，黄色磷光体的添加也将沿箭头260的方向以甚小程度移动色彩且同样绿色磷光体的添加将沿箭头240的方向以较小程度移动色彩。)使用可独立地控制其量的两种不同的磷光体材料实现沿所述色度图的x及y方向对色彩的大体上独立控制。在优选设备中，使用查找表(通常称为LUT且在本文中使用)来确定待沉积的额外磷光体材料的量。所述LUT可包括以下参数：目标CIE(x1，y1)、实际CIE(x，y)、额外黄色磷光体的量及额外绿色磷光体的量。可通过首先制作具有不同磷光体量的装置的库并测量所发射光的色彩来导出所述查找表。所述LUT优选地基于均匀色彩空间(例如，CIE 1978(L*a*b*)色彩空间(CIELAB))，其中色彩值在知觉上为线性，在于色彩值的相同量改变产生约相同视觉重要性的改变。
步骤3-图2(d)及(e)：在LED芯片20上沉积经计算以获得目标色彩的选定量的黄色70及绿色80磷光体材料。可使用相应的施配器90、100沉积磷光体材料以沉积选定体积的每一材料。磷光体施配器40、90及100优选地包括多头施配器的相应的纳升大小的柱塞型施配器头，其中每一头都能够在同一位置处施配磷光体材料。由于所述装置的实际发射色彩将已接近于目标色彩，因此仅需要再沉积少量磷光体且优选地使用具有较低磷光体载入百分数的磷光体混合物以更准确控制所沉积的磷光体的量。
步骤4-图2(f)：任选地，给LED芯片20第二次加电且测量装置10所发射的光的色彩以验证所述装置正发射目标色彩CIE(x1，y1)的光。尽管没有必要第二次测量所述装置所发射的光的色彩，但此举可提供质量控制检查方法。另外，所测量色彩可用于更新所述查找表并细化所述系统。
由于LED芯片的光谱发射可存在变化，因此所述方法可进一步包括首先给LED芯片20加电，使用光度计80测量其光发射的色彩并基于所测量色彩选择将在步骤1中沉积的磷光体混合物30的预先选定量。
尽管已关于制作单个发光装置描述了所述方法，但应了解，所述方法尤其适于且意欲用于大量制作发光装置。在一种方法中，可通过一次处理数个LED芯片来制作数批发光装置。首先，在每一芯片上沉积所述预先选定量的磷光体混合物。然后给每一LED芯片加电，并测量所述装置所发射的光的色彩。为每一装置计算实现目标色彩的所发射光所需要的额外磷光体的量。最后，在每一装置上沉积所述选定量的磷光体材料。可以数批LED芯片在各站之间传递的自动化传送带形式来实施生产线。
迄今，已描述制作包括具有磷光体波长转换的单个LED芯片的发光装置的方法。然而，常常，基于高强度LED的发光装置(例如，既定用于照明应用的那些发光装置)包括多个LED芯片或LED芯片阵列。也可易于将本发明的方法应用于此类装置的制作。
现在描述包括十六个LED芯片的四乘四阵列的发白色光装置的制作，但所述方法也可应用于其它LED阵列(例如，具有不同数目的LED芯片的线性阵列)。在所述阵列的每一LED芯片上沉积预先选定量的发黄色光及绿色光磷光体材料。同样，首先沉积的所述预先选定量的磷光体材料经选择以故意使黄色及绿色光的比例低于获得目标色彩CIE(x1，y1)所需要的比例。可使用上述步骤2及3将所述阵列的每一LED芯片所发射的光的色彩优化为目标色彩。然而，在替代方法中，将所述装置所发射的光的净色彩优化为目标色彩。在后一情况下，给所述阵列的所有LED芯片加电并测量所述阵列的所有LED所发射的光的净色彩。将所述所测量色彩与目标色彩相比较并计算获得所述目标色彩将需要沉积的黄色及绿色磷光体材料的量。在第一布置中，以步骤4的方式在所述阵列的每一LED芯片上沉积所述选定量的磷光体材料。此方法的缺点在于针对不同装置将需要沉积不同量的磷光体材料以获得目标色彩。在替代方法中，仅将设定单位量(体积)的磷光体沉积到所述阵列的一个或一个以上LED芯片上。对于包括十六个LED芯片及两种磷光体材料的阵列来说，对于给定单位体积的磷光体可能存在256(16×16)次色彩校正。
方法2
在第二方法中，故意沉积过量的磷光体材料且然后移除磷光体材料以获得目标色彩。此方法更适于仅包含单种磷光体材料的发光装置。将关于具有特定目标色彩色调的发彩色光装置的制作来描述本发明的方法。发彩色光装置310包括LED芯片320(例如，基于InGaN/GaN(氮化镓铟/氮化镓)的LED芯片)，其产生第一波长范围的激发辐射，例如波长为400到450nm的蓝色光。所述装置进一步包含发光磷光体(光致发光或波长转换)材料，其将所述芯片所发射的光的至少一部分转换成不同色彩的光，例如绿色光。所述芯片所发射的蓝色光与所述磷光体所发射的绿色光组合给出看起来像特定色彩色调的所发射光，例如在色彩上为绿松色。所述特定色彩色调(在下文中称为目标色彩)指示为图5的CIE色度图上的点400且具有色度坐标CIE(x2，y2)。
参照图4(a)到(e)，其显示本发明的用于制作具有目标色彩的发彩色光装置的方法步骤。
步骤1-图4(a)及(b)：将所述磷光体材料与透明粘结剂(接合)材料混合且在LED芯片320的发光表面上沉积预先选定量的磷光体混合物330。如同所述第一方法一样，可使用施配器340(例如，纳升大小柱塞型施配器头)来沉积所述磷光体粘结剂混合物。然而，不同于所述第一方法，所沉积的所述预先选定量的磷光体经选择以故意确保所述磷光体所产生的光的比例大于目标色彩CIE(x2，y2)中的比例，也就是所述装置产生具有较高绿色光比例的光。
步骤2-图4(c)：给LED芯片320加电并使用光度计(色度计或分光计)360来测量所述装置所发射的光350的色彩。将所述所测量色彩(指示为图5中的点420)与目标色彩400相比较并计算待移除以获得所述目标色彩的磷光体材料的量。参照图5，磷光体材料的移除将沿箭头440的方向沿线460移动色彩。线460连接CIE图上对应于所述LED芯片所发射的光的色彩(在此实例中，为蓝色)及所述磷光体所发射的光的色彩(在此实例中，为绿色)的点。在优选设备中，使用LUT来确定待移除磷光体材料的量。所述LUT优选地包含以下参数：目标CIE(x2，y2)、实际CIE(x，y)及待移除磷光体的量。
步骤3-图4(d)：从LED芯片320的表面移除所述选定量的磷光体材料以获得目标色彩。优选地使用激光器370烧蚀所述磷光体涂层的表面来移除所述磷光体材料。或者，可在粘结剂材料已凝固之前通过其它方法来移除磷光体，例如包含切片、研磨、磨蚀、钻孔、铣切、磨光、碾磨或擦拭的机械手段。
步骤4-图4(e)：任选地，再次给LED芯片320加电并测量装置310所发射的光的色彩以验证所述装置正发射目标色彩CIE(x2，y2)的光。如同所述第一方法一样，所述所测量色彩可用于更新所述LUT并细化所述系统或可用作质量控制检查。
由于在LED芯片的光谱发射中可存在变化，因此所述方法可进一步包括首先给LED芯片320加电，使用光度计360测量其光发射的色彩并基于所述所测量色彩选择将在步骤1中沉积的预先选定量的磷光体混合物330。
如同所述第一方法一样，根据第二实施例的所述方法可用于发光装置的大量生产中并用于包括多个LED芯片的装置的生产中。在后一情况下，可从所述LED芯片中的一者或一者以上选择性地移除磷光体材料且可针对净所发射光优化所述装置或优化每一LED的光输出色彩。
本发明的方法的特定益处在于其可消除对装箱的需要。本发明的方法既定与无机磷光体材料一同使用，例如，具有一般组成A3Si(OD)5或A2Si(OD)4的基于硅酸盐的磷光体，其中Si为硅，O为氧，A包括锶(Sr)、钡(Ba)、镁(Mg)或钙(Ca)，且D包括氯(Cl)、氟(F)、氮(N)或硫(S)。基于硅酸盐的磷光体的实例揭示于我们的共同待决专利申请案US2006/0145123、US20G6/028122、US2006/261309及US2007029526中，所述专利申请案中的每一者的内容在此以引用方式并入本文中。
如US2006/0145123中所教示，一铕(Eu2+)启动之基于硅酸盐之绿色磷光体具有通式(Sr，A1)x(Si，A2)(O，A3)2+x:Eu2+，其中：A1是2+阳离子、1+与3+阳离子的组合中的至少一者，例如Mg、Ca、Ba、锌(Zn)、钠(Na)、锂(Li)、铋(Bi)、钇(Y)或铈(Ce)；A2是3+、4+或5+阳离子，例如硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、碳(C)、锗(Ge)、N或磷(P)；且A3是1-、2-或3-阴离子，例如F、Cl、溴(Br)、N或S。写出所述化学式以指示A1阳离子替代Sr；A2阳离子替代Si且A3阴离子替代O。x的值是2.5与3.5之间的整数或非整数。
US2006/028122揭示具有化学式A2SiO4:Eu2+D的基于硅酸盐的黄绿色磷光体，其中A是包括Sr、Ca、Ba、Mg、Zn或镉(Cd)的二价金属中的至少一者；且D是包括F、Cl、Br、碘(I)、P、S及N的掺杂物。掺杂物D可以介于约0.01与20摩尔百分数之间的量存在于磷光体中。所述磷光体可包括(Sr1-x-yBaxMy)SiO4:Eu2+F，其中M包括Ca、Mg、Zn或Cd。
US2006/261309教示两相基于硅酸盐的磷光体，其具有与(M1)2SiO4的晶体结构大体上相同的晶体结构的第一相；及与(M2)3SiO5的晶体结构大体上相同的晶体结构的第二相，其中M1及M2各自包括Sr、Ba、Mg、Ca或Zn。至少一个相通过二价铕(Eu2+)启动且所述相中的至少一者含有包括F、Cl、Br、S或N的掺杂物D。我们相信，所述掺杂物原子中的至少一些位于主体硅酸盐晶体的氧原子晶格位置上。
US2007/029526揭示具有化学式(Sr1-xMx)yEuzSiO5的基于硅酸盐的橙色磷光体，其中M是包括Ba、Mg、Ca或Zn的二价金属中的至少一者；0＜x＜0.5；2.6＜y＜3.3；且0.001＜z＜0.5。所述磷光体经配置以发射具有大于约565nm的峰值发射波长的可见光。
所述磷光体也可包括例如我们的共同待决的专利申请案US2006/0158090及US2006/0027786中所教示的基于铝酸盐的材料，所述专利申请案中的每一者的内容都在此以引用方式并入本文中。
US2006/0158090教示具有化学式M1-xEuxAlyO[1+3y/2]的基于铝酸盐的绿色磷光体，其中M是包括Ba、Sr、Ca、Mg、Mn、Zn、Cu、Cd、Sm及铥(Tm)的二价金属中的至少一者，且其中0.1＜x＜0.9且0.5≤y≤12。
US2006/0027786揭示具有化学式(M1-xEux)2-zMgzAlyO[1+3y/2]的基于铝酸盐的磷光体，其中M为二价金属Ba或Sr中的至少一者。在一种组成中，所述磷光体经配置以吸收波长范围为约280nm到420nm的辐射，并发射波长范围为约420nm到560nm的可见光，且0.05＜x＜0.5或0.2＜x＜0.5；3≤y≤12且0.8≤z≤1.2。所述磷光体可进一步掺杂有例如Cl、Br或I等卤素掺杂物H，且可具有一般组成(M1-xEux)2-zMgzAlyO[1+3y/2]:H。
应了解，所述磷光体并不限于本文中所描述的实例且可包括任一无机磷光体材料，包含例如氮化物及硫酸盐磷光体材料、氧氮化物及含氧硫酸盐磷光体或石榴石材料(YAG)。
应进一步了解，本发明并不限于所描述的具体实施例且可在本发明的范围内做出改变。举例来说，在本发明的其它实施例中，可使用不同的发光磷光体材料将所述装置调谐(调谐)到目标色彩色调或CCT。在一个实施例中，可通过首先在蓝色LED芯片上沉积预先选定量的第一磷光体(例如，发黄色光磷光体)以产生发射具有例如6000-7000K的CCT的冷白色(CW)光的发光装置来制作具有目标CCT(例如3000K)的发暖白色(WW)光装置。然后给所述装置加电，并测量其光发射的色彩且与目标色彩(CCT)相比较。响应于所述比较，然后在所述装置上沉积选定量的第二磷光体(例如，发绿色光磷光体)以将发射CCT调谐(修整)到目标CCT。此外，虽然已关于发白色光装置的制作描述了第一方法，但应了解，也可使用所述方法来制作具有任一色彩及/或具有特定色彩色调的发光装置。
可使用任一技术沉积所述磷光体材料，例如喷墨印刷、喷涂等。也设想使用半色调系统将磷光体材料沉积为包括例如具有不同大小的均等间隔的不重叠区域(点)阵列的图案。在使用两种不同磷光体材料时，所述点在磷光体材料之间交替并使用所述点的相对大小及/或间隔来控制所述两种磷光体的相对量。
可将所述磷光体与其它粘结剂材料混合且在一个实施例中设想使用UV可固化材料，例如UV可固化硅酮材料。此处，此UV固化方法在其中期望高产量系统为最通常情况的情况下尤其有利。
此外，所述方法可包括选择性地添加及/或移除磷光体材料以获得特定目标色彩色调的本发明方法的组合。

Claims (28)

1.一种制作具有特定目标色彩的所发射光的发光装置的方法，所述装置包括至少一个可操作以发射第一波长范围的光的发光二极管及至少一种将所述光的至少一部分转换成第二波长范围的光的磷光体材料，其中所述装置所发射的光包括所述第一与第二波长范围的组合光，所述方法包括：
a)在所述至少一个发光二极管的发光表面上沉积预先选定量的所述至少一种磷光体材料；
b)操作所述至少一个发光二极管；
c)测量所述装置所发射的光的色彩；
d)将所述所测量色彩与所述特定目标色彩相比较；及
e)依据所述比较，沉积及/或移除一定量的磷光体材料以大体上获得所述特定目标色彩。
2.根据权利要求1所述的方法，且其包括选择所述预先选定量以确保所述第二波长范围的光的比例低于所述特定目标色彩中所需要的比例。
3.根据权利要求1所述的方法，且其包括选择所述预先选定量以确保所述第二波长范围的光的比例大于所述特定目标色彩中的比例。
4.根据权利要求1所述的方法，且其包括使用查找表来选择待沉积及/或移除的磷光体材料的量。
5.根据权利要求1所述的方法，且其进一步包括再次操作所述至少一个发光二极管并测量所述装置所发射的光的色彩。
6.根据权利要求4所述的方法，且其进一步包括再次操作所述至少一个发光二极管；测量所述装置所发射的光的色彩并更新所述查找表。
7.根据权利要求1所述的方法，且其包括使用选自由以下各项组成的群组的方法来移除所述磷光体材料：烧蚀、切片、研磨、磨蚀、钻孔、铣切、磨光及碾磨。
8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述发光装置包括多个包含至少一种磷光体材料的发光二极管时，所述方法包括：
a)在每一发光二极管的发光表面上沉积预先选定量的所述至少一种磷光体材料；
b)同时操作所述发光二极管中的每一者；
c)测量所述装置所发射的光的色彩；
d)将所述所测量色彩与所述特定目标色彩相比较；及
e)依据所述比较，在选定数目的所述发光二极管上沉积及/或从其移除固定量的磷光体材料，所述数目经选择以大体上获得所述特定目标色彩。
9.一种制作具有特定目标色彩的所发射光的发光装置的方法，所述装置包括至少一个可操作以发射第一波长范围的光的发光二极管及将所述光的至少一部分分别转换成第二及第三波长范围的光的至少第一及第二磷光体材料，其中所述装置所发射的光包括所述第一、第二及第三波长范围的组合光，所述方法包括：
a)在所述至少一个发光二极管的发光表面上沉积预先选定量的所述第一及第二磷光体材料；
b)操作所述至少一个发光二极管；
c)测量所述装置所发射的光的色彩；
d)将所述所测量色彩与所述特定目标色彩相比较；及
e)依据所述比较，沉积及/或移除选定量的所述第一及第二磷光体材料以大体上获得所述特定目标色彩。
10.根据权利要求9所述的方法，且其包括选择所述预先选定量以确保所述第二及第三波长范围的光的比例低于所述特定目标色彩中的比例。
11.根据权利要求9所述的方法，且其包括选择所述预先选定量以确保所述第二及第三波长范围的光的比例大于所述特定目标色彩中的比例。
12.根据权利要求9所述的方法，且其包括使用查找表来选择待沉积及/或移除的磷光体材料的量。
13.根据权利要求9所述的方法，且其进一步包括再次操作所述发光二极管并测量所述装置所发射的光的色彩。
14.根据权利要求12所述的方法，且其进一步包括再次操作所述至少一个发光二极管；测量所述装置所发射的光的色彩并更新所述查找表。
15.根据权利要求9所述的方法，其中在所述发光装置包括多个包含至少第一及第二磷光体材料的发光二极管时，所述方法包括依据所述比较在选定数目的所述发光二极管上沉积及/或从其移除固定量的所述磷光体材料，所述数目经选择以大体上获得所述特定目标色彩。
16.一种制作具有特定目标色彩的所发射光的发光装置的设备，所述装置包括至少一个可操作以发射第一波长范围的光的发光二极管及至少一种将所述光的至少一部分转换成第二波长范围的光的磷光体材料，其中所述装置所发射的光包括所述第一与第二波长范围的组合光，所述设备包括：
施配器，其用于在所述至少一个发光二极管的发光表面上沉积预先选定量的所述至少一种磷光体材料；
控制器，其可操作以操作所述至少一个发光二极管；
光测量构件，其用于测量所述装置所发射的光的色彩；其中所述控制器可操作以将所述所测量色彩与所述特定目标色彩相比较并依据所述比较沉积另一选定量的磷光体材料以大体上获得所述特定目标色彩。
17.根据权利要求16所述的设备，且其包括选择所述预先选定量以确保所述第二波长范围的光的比例低于所述特定目标色彩中的比例。
18.根据权利要求16所述的设备，且其进一步包括用于选择待沉积的其它磷光体材料的量的查找表。
19.根据权利要求18所述的设备，且其进一步包括再次操作所述至少一个发光二极管；测量所述装置所发射的光的色彩并更新所述查找表。
20.根据权利要求16所述的设备，其中所述施配器包括柱塞型施配器头。
21.根据权利要求16所述的设备，其中在所述发光装置包括多个包含至少一种磷光体材料的发光二极管时，所述控制器可操作以依据所述比较在选定数目的所述发光二极管上沉积固定量的所述磷光体材料，所述数目经选择以大体上获得所述特定目标色彩。
22.一种制作具有特定目标色彩的所发射光的发光装置的设备，所述装置包括至少一个可操作以发射第一波长范围的光的发光二极管及至少一种将所述光的至少一部分转换成第二波长范围的光的磷光体材料，其中所述装置所发射的光包括所述第一与第二波长范围的组合光，所述设备包括：
施配器，其可操作以在所述至少一个发光二极管的发光表面上沉积预先选定量的所述至少一种磷光体材料；
控制器，其可操作以操作所述至少一个发光二极管；
光测量构件，其用于测量所述装置所发射的光的色彩；及
磷光体移除构件，其可操作以移除一定量的磷光体材料以获得所述特定目标色彩，其中所述控制器可操作以将所述所测量色彩与所述特定目标色彩相比较并依据所述比较选择待移除的磷光体材料的量以大体上获得所述特定目标色彩。
23.根据权利要求22所述的设备，且其包括选择所述预先选定量以确保所述第二波长范围的光的比例大于所述特定目标色彩中的比例。
24.根据权利要求22所述的设备，且其进一步包括用于选择待移除的磷光体材料的量的查找表。
25.根据权利要求24所述的设备，且其进一步包括再次操作所述至少一个发光二极管；测量所述装置所发射的光的色彩并更新所述查找表。
26.根据权利要求22所述的设备，其中所述磷光体移除构件包括可操作以烧蚀所述选定量的磷光体材料的激光器。
27.根据权利要求22所述的设备，其中在所述发光装置包括多个包含至少一种磷光体材料的发光二极管时，所述控制器可操作以依据所述比较从选定数目的所述发光二极管移除固定量的所述磷光体材料，所述数目经选择以大体上获得所述特定目标色彩。
28.一种制作具有特定目标色彩的所发射光的发光装置的设备，所述装置包括至少一个可操作以发射第一波长范围的光的发光二极管及将所述光的至少一部分分别转换成第二及第三波长范围的光的第一及第二磷光体材料，其中所述装置所发射的光包括所述第一、第二及第三波长范围的组合光，所述设备包括：
第一施配器，其用于在所述至少一个发光二极管的发光表面上沉积预先选定量的所述第一与第二磷光体材料的混合物；
第二施配器，其用于沉积所述第一磷光体材料；第三施配器，其用于沉积所述第二磷光体材料；
控制器，其可操作以操作所述至少一个发光二极管；
光测量构件，其用于测量所述装置所发射的光的色彩；其中所述控制器可操作以将所述所测量色彩与所述特定目标色彩相比较并依据所述比较使用所述第二及第三施配器沉积选定量的所述第一及第二磷光体材料以大体上获得所述特定目标色彩。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102544255A (zh) * 2010-11-01 2012-07-04 三星Led株式会社 用于测量led封装的光学性质的设备
CN103270613A (zh) * 2010-10-27 2013-08-28 松下电器产业株式会社 树脂涂覆装置和树脂涂覆方法
CN103811645A (zh) * 2012-11-09 2014-05-21 日东电工株式会社 覆盖有荧光体层的光半导体元件及其制造方法、光半导体装置及其制造方法
CN103827258A (zh) * 2011-09-23 2014-05-28 欧司朗股份有限公司 具有发光材料的光源和所属的照明单元
CN104995755A (zh) * 2013-03-27 2015-10-21 日东电工株式会社 光半导体装置的制造方法
CN105026821A (zh) * 2013-01-03 2015-11-04 吉可多公司 基于多色led的照明设备的颜色调节

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8969908B2 (en) * 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
US20080113877A1 (en) * 2006-08-16 2008-05-15 Intematix Corporation Liquid solution deposition of composition gradient materials
US9401461B2 (en) 2007-07-11 2016-07-26 Cree, Inc. LED chip design for white conversion
US10505083B2 (en) * 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
US8267542B2 (en) * 2007-11-15 2012-09-18 Cree, Inc. Apparatus and methods for selecting light emitters
US8877524B2 (en) * 2008-03-31 2014-11-04 Cree, Inc. Emission tuning methods and devices fabricated utilizing methods
DE102008050643B4 (de) * 2008-10-07 2022-11-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtmittel
US20100181582A1 (en) * 2009-01-22 2010-07-22 Intematix Corporation Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of manufacture thereof
US8333631B2 (en) * 2009-02-19 2012-12-18 Cree, Inc. Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices
US7967652B2 (en) * 2009-02-19 2011-06-28 Cree, Inc. Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices
US8597963B2 (en) 2009-05-19 2013-12-03 Intematix Corporation Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion
US8227276B2 (en) * 2009-05-19 2012-07-24 Intematix Corporation Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion
US8227269B2 (en) * 2009-05-19 2012-07-24 Intematix Corporation Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion
KR101510151B1 (ko) * 2009-12-18 2015-04-10 삼성전자주식회사 발광소자의 광특성 보정 장치 및 그 방법
US8679865B2 (en) 2009-08-28 2014-03-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Resin application apparatus, optical property correction apparatus and method, and method for manufacturing LED package
JP5544219B2 (ja) * 2009-09-24 2014-07-09 富士フイルム株式会社 内視鏡システム
JP2011091101A (ja) * 2009-10-20 2011-05-06 Stanley Electric Co Ltd 発光装置および発光装置の製造方法
JP2011096936A (ja) * 2009-10-30 2011-05-12 Alpha- Design Kk 半導体発光ディバイス製造装置
US7998526B2 (en) * 2009-12-01 2011-08-16 Bridgelux, Inc. Method and system for dynamic in-situ phosphor mixing and jetting
US8716038B2 (en) * 2010-03-02 2014-05-06 Micron Technology, Inc. Microelectronic workpiece processing systems and associated methods of color correction
JP5759790B2 (ja) * 2010-06-07 2015-08-05 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法
DE102010044985B4 (de) * 2010-09-10 2022-02-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Aufbringen eines Konversionsmittels auf einen optoelektronischen Halbleiterchip und optoelektronisches Bauteil
US8534901B2 (en) 2010-09-13 2013-09-17 Teledyne Reynolds, Inc. Collimating waveguide apparatus and method
JP5310700B2 (ja) * 2010-10-27 2013-10-09 パナソニック株式会社 Ｌｅｄパッケージ製造システムおよびｌｅｄパッケージ製造システムにおける樹脂塗布方法
US20120138874A1 (en) 2010-12-02 2012-06-07 Intematix Corporation Solid-state light emitting devices and signage with photoluminescence wavelength conversion and photoluminescent compositions therefor
US8589120B2 (en) * 2011-01-28 2013-11-19 Cree, Inc. Methods, systems, and apparatus for determining optical properties of elements of lighting components having similar color points
JP5869769B2 (ja) * 2011-03-07 2016-02-24 コニカミノルタ株式会社 蛍光体層の形成方法および発光装置の製造方法
JP2012227413A (ja) * 2011-04-21 2012-11-15 Mitsubishi Electric Corp 封止樹脂の塗布装置及び発光装置の製造方法
JP5746553B2 (ja) 2011-04-28 2015-07-08 株式会社東芝 基板加工システム、および基板加工プログラム
US8608328B2 (en) 2011-05-06 2013-12-17 Teledyne Technologies Incorporated Light source with secondary emitter conversion element
US8558252B2 (en) 2011-08-26 2013-10-15 Cree, Inc. White LEDs with emission wavelength correction
JP5899485B2 (ja) * 2011-08-29 2016-04-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 樹脂塗布装置および樹脂塗布方法
JP2013101833A (ja) * 2011-11-08 2013-05-23 Panasonic Corp 照明装置
JP2013101834A (ja) * 2011-11-08 2013-05-23 Panasonic Corp 照明装置
KR20130081029A (ko) * 2012-01-06 2013-07-16 삼성전자주식회사 발광장치 제조방법 및 형광체 함유 액상 수지 디스펜싱 장치
US8687181B2 (en) * 2012-02-03 2014-04-01 Epistar Corporation Method and apparatus for testing light-emitting device
US8749773B2 (en) * 2012-02-03 2014-06-10 Epistar Corporation Method and apparatus for testing light-emitting device
DE102012106859B4 (de) * 2012-07-27 2019-01-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mehrfarbigen LED-Displays
DE102012215220A1 (de) * 2012-08-28 2014-03-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mehoden zur Farbortsteuerung von elektro-optischen Bauteilen mit Konversionselementen
US8845380B2 (en) 2012-12-17 2014-09-30 Xicato, Inc. Automated color tuning of an LED based illumination device
JP2013138216A (ja) * 2013-01-30 2013-07-11 Nitto Denko Corp 発光装置
KR20150002196A (ko) * 2013-06-28 2015-01-07 서울반도체 주식회사 발광 디바이스 및 이의 제조방법
MY160007A (en) * 2013-09-20 2017-02-15 Carsem (M) Sdn Bhd Improving color yield of white leds
US9318670B2 (en) 2014-05-21 2016-04-19 Intematix Corporation Materials for photoluminescence wavelength converted solid-state light emitting devices and arrangements
KR102092676B1 (ko) * 2014-11-10 2020-03-24 엘지전자 주식회사 발광 장치
WO2016085003A1 (ko) * 2014-11-27 2016-06-02 주식회사 포스포 형광체 필름과 그 제조방법 및 형광체 시트를 채용한 led 칩 패키지
JP6819282B2 (ja) * 2016-12-27 2021-01-27 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
WO2023146766A1 (en) * 2022-01-28 2023-08-03 Lumileds Llc Patterning of light emitting diode (led) down converter material by roughening techniques
WO2023146767A1 (en) * 2022-01-28 2023-08-03 Lumileds Llc Patterning of light emitting diode (led) functional material

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE791671A (fr) * 1971-11-23 1973-03-16 Kaelin J R Centrifugeuse d'aeration de la surface d'un bassin a boues activees
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JPH1187778A (ja) * 1997-09-02 1999-03-30 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
US6483196B1 (en) * 2000-04-03 2002-11-19 General Electric Company Flip chip led apparatus
US6788719B2 (en) * 2000-05-04 2004-09-07 Agility Communications, Inc. Open loop control of SGDBR lasers
US6611083B2 (en) * 2000-12-15 2003-08-26 Savage Enterprises, Inc. Torch jet spark plug electrode
US6417019B1 (en) * 2001-04-04 2002-07-09 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting diode
JP2002344029A (ja) * 2001-05-17 2002-11-29 Rohm Co Ltd 発光ダイオードの色調調整方法
JP4061869B2 (ja) * 2001-07-26 2008-03-19 松下電工株式会社 発光装置の製造方法
US6623142B1 (en) 2002-02-15 2003-09-23 Delphi Technologies, Inc. Method and apparatus for correcting optical non-uniformities in a light emitting diode
US20040196318A1 (en) * 2003-04-01 2004-10-07 Su Massharudin Bin Method of depositing phosphor on light emitting diode
US7278116B2 (en) * 2003-04-03 2007-10-02 International Business Machines Corporation Mode switching for ad hoc checkbox selection
JP4123057B2 (ja) * 2003-05-26 2008-07-23 松下電工株式会社 発光装置及びその製造方法
US20060237636A1 (en) * 2003-06-23 2006-10-26 Advanced Optical Technologies, Llc Integrating chamber LED lighting with pulse amplitude modulation to set color and/or intensity of output
US7667766B2 (en) * 2003-12-18 2010-02-23 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Adjustable spectrum flash lighting for image acquisition
JP4516337B2 (ja) * 2004-03-25 2010-08-04 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
US20060181192A1 (en) * 2004-08-02 2006-08-17 Gelcore White LEDs with tailorable color temperature
US7311858B2 (en) * 2004-08-04 2007-12-25 Intematix Corporation Silicate-based yellow-green phosphors
US7601276B2 (en) * 2004-08-04 2009-10-13 Intematix Corporation Two-phase silicate-based yellow phosphor
US7390437B2 (en) * 2004-08-04 2008-06-24 Intematix Corporation Aluminate-based blue phosphors
US7575697B2 (en) * 2004-08-04 2009-08-18 Intematix Corporation Silicate-based green phosphors
US7541728B2 (en) * 2005-01-14 2009-06-02 Intematix Corporation Display device with aluminate-based green phosphors
US7474286B2 (en) * 2005-04-01 2009-01-06 Spudnik, Inc. Laser displays using UV-excitable phosphors emitting visible colored light
JP4692059B2 (ja) * 2005-04-25 2011-06-01 パナソニック電工株式会社 発光装置の製造方法
KR100927154B1 (ko) * 2005-08-03 2009-11-18 인터매틱스 코포레이션 실리케이트계 오렌지 형광체
US20070128745A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Brukilacchio Thomas J Phosphor deposition method and apparatus for making light emitting diodes

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103270613A (zh) * 2010-10-27 2013-08-28 松下电器产业株式会社 树脂涂覆装置和树脂涂覆方法
CN103270613B (zh) * 2010-10-27 2016-07-06 松下知识产权经营株式会社 树脂涂覆装置和树脂涂覆方法
CN102544255A (zh) * 2010-11-01 2012-07-04 三星Led株式会社 用于测量led封装的光学性质的设备
CN103827258A (zh) * 2011-09-23 2014-05-28 欧司朗股份有限公司 具有发光材料的光源和所属的照明单元
CN103827258B (zh) * 2011-09-23 2015-09-02 欧司朗股份有限公司 具有发光材料的光源和所属的照明单元
US9761767B2 (en) 2011-09-23 2017-09-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light source comprising a luminescent substance and associated illumination unit
CN103811645A (zh) * 2012-11-09 2014-05-21 日东电工株式会社 覆盖有荧光体层的光半导体元件及其制造方法、光半导体装置及其制造方法
CN105026821A (zh) * 2013-01-03 2015-11-04 吉可多公司 基于多色led的照明设备的颜色调节
CN104995755A (zh) * 2013-03-27 2015-10-21 日东电工株式会社 光半导体装置的制造方法

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