JP7003075B2 - ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物及び該組成物を用いたウェハーレベル光半導体デバイス - Google Patents

ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物及び該組成物を用いたウェハーレベル光半導体デバイス Download PDF

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Description

本発明は、ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物及び該組成物を用いたウェハーレベル光半導体デバイスに関する。
ＬＥＤ等の光半導体素子は電力消費量が少ないという優れた特性を有するため、近年では屋外照明用途や自動車用途への適用が増えてきている。一方で、ＬＥＤ等の光半導体デバイスが屋外照明用途や自動車用途で用いられるようになってから、外気にさらされるため、大気中の硫黄酸化物、いわゆるＳＯｘによって、光反射性を高めるために設けられた銀メッキ、銀電極等が硫化することで黒く変色することが問題となっている。高反射率を有する銀メッキ、銀電極等が黒く変色することは、光反射率が著しく低下することを意味し、光半導体デバイスからの光取り出し効率の低下に直結する。従って、銀メッキ、銀電極の保護、即ち光半導体デバイス全体として耐硫化性の確保がますます重要となってきている。
このような中で、従来から一般的に使用されている、金属を加工してなるリードフレーム基板にリフレクターを設けたパッケージは、基板表面の光反射率向上のため、通常リードフレーム表面に銀メッキが施されたものであり、銀メッキの硫化防止をいかに付与するかが課題として残り、依然として有効な解決策が模索されており、開発期間、開発コストの増大につながっている。
特許文献１には、パッケージの小型化にあたり部材の種類を減らし製造しやすくした半導体発光装置及びその製造方法として、ＬＥＤ装置において、サファイア基板と突起電極を有するＬＥＤ素子を備え、サファイア基板の上面に蛍光体シートが配置され、蛍光体シートとサファイア基板とが接着層で接着され、ＬＥＤ素子の側部は白色反射部材で覆われており、ＬＥＤ素子の突起電極がマザー基板に対する接続電極となっている構造が提案されている。しかしながら、構成部材点数が多く、製造工程が煩雑であり、製造コスト、生産性等、工業的な課題が多い。
このような状況の中で、本発明者らは、特許文献２～４で開示したように、部材の種類を大幅に減らすことが可能であり、銀メッキの硫化防止のための特別な保護を必要とすることなく、高出力の光半導体素子の駆動にも耐えられ、かつ製品の寸法精度が高く、発光色のむらやばらつきが少なく、製造後の製品特性の管理が容易な光半導体デバイスを低コストで容易に製造することを可能とするウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法、該製造方法で製造されたウェハーレベル光半導体デバイス用部材を用いた光半導体デバイスの製造方法、及び該製造方法で製造された光半導体デバイスを提供した。
一方で、前記発明中に用いられる樹脂組成物には、これを成型してなるウェハーレベル光半導体部材の反りや、光半導体デバイスとして駆動した時の樹脂硬化物の熱膨張に伴うＰＫＧの伸縮よる光半導体の剥離・脱落等の課題が発生した。更に、一層の構成部材点数低減の目的で、光半導体素子と熱硬化性樹脂のみで薄型のウェハーレベル光半導体を得たいという要望が高まっている。一方で、一層高輝度化した光半導体素子からの発熱量の増加により、駆動時の光半導体素子の表面温度は１５０℃に到達する試算がされている。さらに、光半導体素子からの発光される光の波長は４５０ｎｍ～４００ｎｍへと、短波長側にシフトし、よりエネルギーの強い光が発せられるようになっている。このような状況の中で、ウェハーレベル光半導体装置の特性向上、長寿命化を行うために、特に熱硬化性樹脂の耐熱性、耐光性、低線膨張率及び硬度の確保が重要であり、従来の熱硬化性樹脂ではこれらの特性を満足させるものが得られていなかった。
特開２０１２－２２７４７０号公報 特開２０１５－２１６２０６号公報 特開２０１５－２１６１９２号公報 特開２０１５－２１６１９７号公報
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、ウェハーレベル光半導体デバイスに好適な樹脂組成物を提供することを目的とする。具体的には、ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の硬化物の耐熱性、耐光性を高めると共に、低線膨張率化、高硬度化を実現させ、前記硬化物で封止されたウェハーレベル光半導体デバイス装置の機械的信頼性の向上を図ることを目的とする。
上記課題を達成するために、本発明では、
下記（Ａ－１）～（Ａ－４）成分及び（Ｂ）成分を含有するウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物であって、
（Ａ－１）１分子中に２個以上の脂肪族不飽和結合を有し、分岐構造を有するオルガノポリシロキサン、
（Ａ－２）１分子中に２個以上の脂肪族不飽和結合を有し、直鎖状であるオルガノポリシロキサン、
（Ａ－３）１分子中に２個以上のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
（Ａ－４）白金族金属系触媒、
（Ｂ）平均粒径（Ｄ５０）が４～５０μｍである溶融シリカ、
（Ａ－１）成分及び（Ａ－２）成分に対する（Ａ－１）成分の含有割合は０．１～５０質量％であり、
（Ａ－１）成分及び（Ａ－２）成分に含まれる脂肪族不飽和結合１モルに対する（Ａ－３）成分に含まれるケイ素原子結合水素原子のモル数は０．８～４．０モルであり、
（Ａ－１）～（Ａ－３）成分の合計質量に対する（Ａ－４）成分の含有割合は、白金金属元素換算で０．１～１，０００ｐｐｍであり、
（Ａ－１）～（Ａ－４）成分１００質量部に対する（Ｂ）成分の含有量は２００～１，０００質量部であり、
（Ａ－１）～（Ａ－４）成分が未硬化の状態において、ＪＩＳ Ｋ ００６２：１９９９に記載の方法でアッベ屈折率計によって測定した２５℃における屈折率が、１．４０以上１．５０未満の範囲であることを特徴とするウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を提供する。
このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物は、耐熱性、耐光性が高められていると共に、低線膨張率化、高硬度化が実現された硬化物を与えるものである。
前記（Ａ－１）～（Ａ－４）成分の硬化物のＪＩＳ Ｋ ６２５３－３：２０１２に記載の方法でタイプＡ硬度計を用いて測定した硬さは２０以上８０以下であることが好ましい。
前記タイプＡ硬度計を用いて測定した硬さが前記範囲であると、このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材として成型した時に、反りが発生しづらく、ダイシング加工時に加工面のバリが発生しにくくなる。
このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物は、前記（Ａ－１）～（Ａ－４）成分及び（Ｂ）成分からなる硬化物のＪＩＳ Ｋ ６２５３－３：２０１２に記載の方法でタイプＤ硬度計を用いて測定した硬さが３０以上７０以下であり、更にＪＩＳ Ｋ ７１９７：１９９１に記載の方法でＴＭＡにより求めたα２領域の線膨張率が１００ｐｐｍ以下である硬化物を与えるものであることが好ましい。
前記タイプＤ硬度計を用いて測定した硬さが前記範囲であると、このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物をウェハーレベル光半導体デバイス用部材として成型した時に十分な部材強度が得られ、実装工程で破損する等の問題が発生するおそれがないため好ましい。
また、前記線膨張率が前記範囲であると、このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を使用したウェハーレベル光半導体デバイスを動作させた際の繰り返し点灯・消灯動作における熱衝撃による剥離や樹脂クラックなどが生じにくくなるため、前記デバイスは長期信頼性に優れるものとなりやすい。
さらに、本発明は、前記ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の硬化物で封止されたウェハーレベル光半導体デバイスを提供する。
このウェハーレベル光半導体デバイスは機械的信頼性が高いものである。
本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を硬化させて得られる硬化物は、ウェハーレベル光半導体デバイスの封止材として好適なものである。具体的には、本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物は、耐熱性、耐光性が高められていると共に、低線膨張率化、高硬度化が実現された硬化物を与えるものである。また、前記硬化物で封止された本発明のウェハーレベル光半導体装置はその機械的信頼性の向上が図られたものである。
ウェハーレベル光半導体デバイスの製造方法における準備工程の一例を示す概略図である。 ウェハーレベル光半導体デバイスの製造方法における成型工程の一例を示す概略図である。 ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の一例を示す断面図である。 ウェハーレベル光半導体デバイスの製造方法における個片化工程の一例を示す概略図である。 ウェハーレベル光半導体デバイスの実装工程の一例を示す概略図である。
上述のように、耐熱性、耐光性が高められていると共に、低線膨張率化、高硬度化が実現された硬化物を与えるウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の開発が求められていた。
本発明者らは、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、脂肪族不飽和結合を有する２種類のオルガノポリシロキサン、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、白金族金属系触媒及び特定の溶融シリカを含有し、前記オルガノポリシロキサン、オルガノハイドロジェンポリシロキサン及び白金族金属系触媒が未硬化の状態において特定の範囲の屈折率を示すウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を硬化させて得られる硬化物は、ウェハーレベル光半導体デバイスの封止材として好適なものであることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明は、
下記（Ａ－１）～（Ａ－４）成分及び（Ｂ）成分を含有するウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物であって、
（Ａ－１）１分子中に２個以上の脂肪族不飽和結合を有し、分岐構造を有するオルガノポリシロキサン、
（Ａ－２）１分子中に２個以上の脂肪族不飽和結合を有し、直鎖状であるオルガノポリシロキサン、
（Ａ－３）１分子中に２個以上のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
（Ａ－４）白金族金属系触媒、
（Ｂ）平均粒径（Ｄ５０）が４～５０μｍである溶融シリカ、
（Ａ－１）成分及び（Ａ－２）成分に対する（Ａ－１）成分の含有割合は０．１～５０質量％であり、
（Ａ－１）成分及び（Ａ－２）成分に含まれる脂肪族不飽和結合１モルに対する（Ａ－３）成分に含まれるケイ素原子結合水素原子のモル数は０．８～４．０モルであり、
（Ａ－１）～（Ａ－３）成分の合計質量に対する（Ａ－４）成分の含有割合は、白金金属元素換算で０．１～１，０００ｐｐｍであり、
（Ａ－１）～（Ａ－４）成分１００質量部に対する（Ｂ）成分の含有量は２００～１，０００質量部であり、
（Ａ－１）～（Ａ－４）成分が未硬化の状態において、ＪＩＳ Ｋ ００６２：１９９９に記載の方法でアッベ屈折率計によって測定した２５℃における屈折率が、１．４０以上１．５０未満の範囲であるウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物である。
さらに、本発明は、本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の硬化物で封止されたウェハーレベル光半導体デバイスである。
以下、本発明について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
［ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物］
本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物は上記（Ａ－１）～（Ａ－４）成分を含む（Ａ）熱硬化性オルガノポリシロキサン樹脂組成物（以下、（Ａ）成分という場合がある。）を含有する。本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物は、室温（２５℃）で液体であっても固体であってもよく、狭小部へのウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の充填性を高めるという観点から、好ましくは室温（２５℃）で液状の材料であることが好ましく、ＪＩＳ Ｋ ７１１７－１：１９９９記載の方法で円すい－平板型（コーン・プレート型）粘度計により測定した２５℃での粘度が１～１，０００Ｐａ・ｓの範囲であることがより好ましい。
前記ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物は、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材及びダイシング加工後の光半導体デバイスを支持するために硬化後に硬質となることが好ましい。特に、ダイシング加工のしやすさ、ウェハーレベル光半導体デバイスにおける硬化物としたときの強度の観点から、前記ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物は硬化後のＪＩＳ Ｋ ６２５３－３：２０１２に記載の方法でタイプＤ硬度計を用いて測定した硬さが３０以上７０以下のものであることが好ましく、５０以上７０以下のものであることがより好ましい。前記タイプＤ硬度計を用いて測定した硬さが３０以上であると、ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物をウェハーレベル光半導体デバイス用部材として成型した時に、十分な部材強度が得られ、実装工程で破損する等の問題が発生するおそれがないため好ましい。さらに、前記硬化物のＪＩＳ Ｋ ７１９７：１９９１記載の方法でＴＭＡにより求めたα２領域の線膨張率は１００ｐｐｍ以下であることが好ましい。前記α２領域の線膨張率が１００ｐｐｍ以下であれば、ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を使用して製造したウェハーレベル光半導体デバイスを動作させた際に、繰り返し点灯・消灯動作における熱衝撃による剥離や樹脂クラックなどがウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の硬化物に起こりにくく、ウェハーレベル光半導体デバイスは長期信頼性に優れるものとなる。
本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物は、（Ａ）成分と（Ｂ）平均粒径（Ｄ５０）が４～５０μｍである溶融シリカを含有する樹脂組成物である。以下、各成分について詳述する。
［（Ａ）熱硬化性オルガノポリシロキサン樹脂組成物］
（Ａ）成分は、（Ａ）成分が未硬化の状態において、ＪＩＳ Ｋ ００６２：１９９９に記載の方法でアッベ屈折率計によって測定した２５℃における屈折率が１．４０以上１．５０未満の範囲のものである。前記屈折率は好ましくは１．４２以上１．４８以下である。（Ａ）成分の屈折率が１．４０未満であれば、（Ａ）成分を含むウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を使用して製造したウェハーレベル光半導体に通電した時の、ＬＥＤ素子からの発熱に対するウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の硬化物の耐熱変色性や耐クラック性が劣り、さらに後述する（Ｂ）成分との屈折率差が大きくなるために適切な光の散乱を得ることが出来ず、ＬＥＤデバイスの光取出し効率が低くなる。（Ａ）成分の屈折率が１．５０以上であれば、（Ａ）成分を含むウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を使用したウェハーレベル光半導体に通電した時の、ＬＥＤ素子からの発熱に対するウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の硬化物の耐熱変色性や耐クラック性が劣り、通電試験後などに黄変等の不具合が発生する。更に後述する（Ｂ）成分との屈折率差が大きくなるために光の散乱が強くなり、ＬＥＤデバイスの光取出し効率が悪くなる。
また、（Ａ）成分単独で加熱硬化したときのＪＩＳ Ｋ ６２５３－３：２０１２に記載の方法でタイプＡ硬度計を用いて測定した硬さが、２０以上８０以下の範囲となることが好ましく、３０以上５０以下となることがより好ましい。（Ａ）成分は後述する（Ｂ）成分の溶融シリカのバインダーとしての作用を有するものであるが、（Ａ）成分の硬化物の硬さがタイプＡで２０以上であることは、本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材として成型した時に、反りが発生しづらく、ダイシング加工時に加工面のバリが発生しにくくなるため好ましい。（Ａ）成分の硬化物の硬さがタイプＡで８０以下であることは、ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の硬化物において、α２領域の線膨張率が１００ｐｐｍを超えやすくなり、更に、ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を使用して製造したウェハーレベル光半導体デバイスとして動作させた際の繰り返し点灯・消灯動作における、ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の硬化物の熱衝撃による剥離や樹脂クラックなどが生じにくくなるため、ウェハーレベル光半導体デバイスが長期信頼性に優れるものとなるので好ましい。
前記（Ａ）成分は、ＪＩＳ Ｋ ７１１７－１：１９９９に記載の方法で円すい－平板型粘度計により測定した２５℃における粘度が１０ｍＰａ・ｓ以上１０，０００ｍＰａ・ｓ以下のものであることが好ましく、５０ｍＰａ・ｓ以上５，０００ｍＰａ・ｓ以下のものであることがより好ましく、１００ｍＰａ・ｓ以上３，０００ｍＰａ・ｓ以下のものであることが更に好ましい。前記粘度が１０ｍＰａ・ｓ以上であれば、ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を製造する際に、後述する（Ｂ）成分の溶融シリカをその比重に影響を受けることなく良好に分散させることができる。前記粘度が１０，０００ｍＰａ・ｓ以下であることは、封止材を形成するためのウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の粘度が高くなりすぎたりせず、塗布工程における不具合、具体的には高粘度液体を塗布する際の流動速度低下による作業性の低下、ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の糸引きによる塗布量のバラツキ、及びデバイスの汚れ等が発生するおそれがないため好ましい。
（Ａ）成分は下記（Ａ－１）～（Ａ－４）成分を含む。
（Ａ－１）１分子中に２個以上の脂肪族不飽和結合を有し、分岐構造を有するオルガノポリシロキサン
（Ａ－２）１分子中に２個以上の脂肪族不飽和結合を有し、直鎖状であるオルガノポリシロキサン
（Ａ－３）１分子中に２個以上のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン
（Ａ－４）白金族金属系触媒
（Ａ－１）成分及び（Ａ－２）成分に対する（Ａ－１）成分の含有割合は０．１～５０質量％であり、（Ａ－１）成分及び（Ａ－２）成分に含まれる脂肪族不飽和結合１モルに対する（Ａ－３）成分に含まれるケイ素原子結合水素原子のモル数は０．８～４．０モルである。さらに、（Ａ－１）～（Ａ－３）成分の合計質量に対する（Ａ－４）成分の含有割合は、白金金属元素換算で０．１～１，０００ｐｐｍである。以下、各成分について詳述する。
［（Ａ－１）分岐構造を有するオルガノポリシロキサン］
（Ａ－１）成分の１分子中に２個以上の脂肪族不飽和基を有し、分岐構造を有するオルガノポリシロキサンは、予め三次元架橋され、三次元網状構造を有する。該オルガノポリシロキサンは、Ｒ１ ３ＳｉＯ１／２単位とＳｉＯ４／２単位とからなることが好ましいが、さらにＲ１ＳｉＯ３／２単位およびＲ１ ２ＳｉＯ２／２単位の少なくとも１種を含んでもよい。即ち、基本的に、Ｒ１ ３ＳｉＯ１／２単位とＳｉＯ４／２単位とからなる。ここで、Ｒ１は独立に、置換または非置換の炭素原子数１～１０の１価炭化水素基であり、該オルガノポリシロキサンは、１分子中に２個以上、好ましくは２～１０個の脂肪族不飽和結合を有する。
ここで、Ｒ１の１価炭化水素基としては、炭素原子数１～１０、特に１～６のものが好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基；シクロヘキシル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基；ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、オクテニル基等のアルケニル基；シクロヘキセニル基；およびこれらの炭化水素基の水素原子の一部又は全部をフッ素、臭素、塩素等のハロゲン原子、シアノ基等で置換したもの、例えばクロロメチル基、クロロプロピル基、ブロモエチル基、トリフロロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基やシアノエチル基等が挙げられる。
また、このオルガノポリシロキサンは、ポリスチレンを基準としたゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定した重量平均分子量が５００～１０，０００の範囲であるものが好適である。なお、本発明における前記ＧＰＣの測定条件は以下に示すとおりである。
［ＧＰＣの測定条件］
展開溶媒：ＴＨＦ
流量：１ｍＬ／ｍｉｎ
検出器：示差屈折率検出器（ＲＩ）
カラム：ＴＳＫｇｅｌ ＧＭＨ（７．８ｍｍＩ．Ｄ．×３０ｃｍ×１）
ＴＳＫｇｅｌ Ｇ４０００Ｈ（７．８ｍｍＩ．Ｄ．×３０ｃｍ×１）
ＴＳＫｇｅｌ Ｇ２０００Ｈ（７．８ｍｍＩ．Ｄ．×３０ｃｍ×２）
（いずれも東ソー社製）
カラム温度：４０℃
試料注入量：１０μＬ（濃度０．５質量％のＴＨＦ溶液）
（Ａ－１）成分のオルガノポリシロキサンは「分岐構造を有する」点で後述する（Ａ－２）成分の直鎖状であるオルガノポリシロキサンと相違する。本発明において、（Ａ－１）成分のオルガノポリシロキサンが「分岐構造を有する」とは該オルガノポリシロキサン樹脂中の全シロキサン単位の５モル％以上、好ましくは１０モル％以上、より好ましくは１５～７５モル％、更に好ましくは２５～５０モル％が、ＳｉＯ４／２単位（ＱＢ単位）からなることを意味する。この単位は分子のシロキサン骨格を三次元網状構造、すなわち分岐構造にする作用を有する。
（Ａ－１）成分の分岐構造を有するオルガノポリシロキサンとして好ましいものは、ＳｉＯ４／２単位、Ｒ２ ｎＲ３ ｐＳｉＯ１／２単位（ＭＢ１単位）およびＲ２ ｑＲ３ ｒＳｉＯ１／２単位（ＭＢ２単位）からなるオルガノポリシロキサンである（ここで、Ｒ２はビニル基又はアリル基、Ｒ３は脂肪族不飽和結合を含まない炭素数１～１０の１価炭化水素基であり、ｎは２又は３、ｐは０又は１で、ｎ＋ｐ＝３の関係にあり、ｑは０又は１、ｒは２又は３で、ｑ＋ｒ＝３の関係にある。）。
なお、Ｒ３の脂肪族不飽和結合を含まない１価炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基；シクロヘキシル基、シクロペンチル基等のシクロアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、クロロプロピル基、クロロシクロヘキシル基等のハロゲン化炭化水素基等が例示される。
ここで、ＱＢ単位のモル数をｑ、ＭＢ１単位のモル数をｍ１、ＭＢ２単位のモル数をｍ２としたときに、次の関係式（イ）および（ロ）：
（ｍ１＋ｍ２）／ｑ＝０．３～３、特に０．７～１ （イ）
ｍ２／ｑ＝０．０１～１、特に０．０７～０．１５ （ロ）
を満たすことが好ましい。
このような分岐構造を有するオルガノポリシロキサンの合成は、それぞれの単位源となる化合物を、生成単位が所要の割合となるように組み合わせ、例えば酸の存在下で共加水分解を行うことによって容易に行うことができる。
ここで、前記ＱＢ単位源としては、ケイ酸ソーダ、アルキルシリケート、ポリアルキルシリケート、四塩化ケイ素等を例示することができる。
また、ＭＢ１単位源としては、下記の化合物を例示することができる。
Figure 0007003075000001
更に、ＭＢ２単位源としては、下記の化合物を例示することができる。
Figure 0007003075000002
この（Ａ－１）成分の分岐構造を有するオルガノポリシロキサンは、得られる硬化物の硬さを調整するために配合されるものであり、（Ａ－１）成分及び下記（Ａ－２）成分に対する（Ａ－１）成分の含有割合は０．１～５０質量％であり、好ましくは１～３０質量％である。前記含有割合がこの範囲内であれば、ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を硬化して得られる硬化物の硬さがウェハーレベル光半導体デバイス用として好ましい範囲内となる。
［（Ａ－２）直鎖状オルガノポリシロキサン］
本発明の（Ａ－２）成分は、１分子中に２個以上の脂肪族不飽和結合を有し、直鎖状であるオルガノポリシロキサンである。本発明において「直鎖状である」とは、本成分中の両末端を封鎖するトリオルガノシロキシ基以外のシロキサン単位が主に２官能単位（Ｄ単位）（具体的には、式：Ｒ１ ２ＳｉＯ２／２で表される単位）で構成されるが、全シロキサン単位の３モル％以下、好ましくは２モル％以下で分岐を形成する３官能単位（Ｔ単位）（具体的には、式：Ｒ１ＳｉＯ３／２で表される単位）および４官能単位（ＱＢ単位）（具体的には、式：ＳｉＯ４／２単位で表される単位）の少なくとも１種のシロキサン単位を含有してもよいことを意味する。好ましくは当該分子鎖の両末端のみが１官能性シロキサン単位（Ｍ単位）（具体的には、式：Ｒ１ ３ＳｉＯ１／２で表される単位）で構成され、その他のシロキサン単位がすべてＤ単位からなる直鎖状のジオルガノポリシロキサンである。ここで、Ｒ１は置換もしくは非置換の１価炭化水素基であり、前記（Ａ－１）成分のＲ１と同じものを例示し得る。
（Ａ－２）成分のオルガノポリシロキサンは、１分子中に２個以上、好ましくは２～３００個、より好ましくは２～１００個の脂肪族不飽和結合を有する。脂肪族不飽和結合としては、炭素原子数２～８、特に２～６のアルケニル基およびシクロアルケニル基が代表的であり、具体的にはビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基；シクロヘキセニル基等のシクロアルケニル基が例示される。中でも、ビニル基、アリル基が好ましい。
（Ａ－２）成分のオルガノポリシロキサンの好ましい具体例は、下記一般式（１）で表される分子鎖両末端のケイ素原子のおのおのに少なくとも１個のアルケニル基を有する直鎖状オルガノポリシロキサンである。
Figure 0007003075000003
式中、Ｒ１は前記の通りであり、Ｒ４は互いに同一又は異種の脂肪族不飽和結合を有しない非置換又は置換１価炭化水素基であり、ｓおよびｔは独立に０又は正の整数である。
また、Ｒ４の脂肪族不飽和結合を有しない１価炭化水素基としては、炭素原子数１～１０、特に１～６のものが好ましく、上記Ｒ１の具体例と同様のものが例示できるが、アルケニル基およびシクロヘキセニル基は含まない。
ｓおよびｔは、好ましくは０≦ｓ≦２，０００、１≦ｔ≦１０，０００で、かつ、１≦ｓ＋ｔ≦１０，０００を満足する０又は正の整数であり、より好ましくは５≦ｓ＋ｔ≦２，０００で、０≦ｓ／（ｓ＋ｔ）≦０．２を満足する整数である。
一般式（１）で表されるオルガノポリシロキサンとして具体的には、下記のものを例示することができる。
Figure 0007003075000004
Figure 0007003075000005
 （上記式において、ｓおよびｔは上述した通りである。）
（Ａ－２）成分のオルガノポリシロキサンのさらに具体的な例は以下の通りである。
Figure 0007003075000006
（Ａ－２）成分のオルガノポリシロキサンの前記円すい－平板型粘度計により測定した２５℃における粘度は、作業性、硬化性などの点から、１００ｍＰａ・ｓ以上１０，０００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、１００ｍＰａ・ｓ以上５，０００ｍＰａ・ｓ以下であることがより好ましい。
［（Ａ－３）オルガノハイドロジェンポリシロキサン］
（Ａ－３）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは架橋剤として作用するものであり、該成分中のヒドロシリル基（ＳｉＨ基）と（Ａ－１）成分および（Ａ－２）成分中のアルケニル基等の脂肪族不飽和基とが付加反応することにより硬化物を形成する。かかるオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、１分子中にケイ素原子に結合した水素原子（即ち、ＳｉＨ基）を２個以上、好ましくは３個以上、特に４～１，０００個有するものであればよい。ケイ素原子に結合した水素原子の位置は特に制約されず、分子鎖の末端でも側鎖でもよい。
（Ａ－３）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、１分子中に好ましくは平均２個以上、より好ましくは平均３個以上のケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨで表されるヒドロシリル基）を有する必要がある。（Ａ－３）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、通常、１分子中に平均３～１，０００個、好ましくは３～５００個、より好ましくは３～２００個、更に好ましくは４～１００個程度のケイ素原子結合水素原子を有することが望ましい。その分子構造には特に制限はなく、従来付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物に架橋剤として使用されているオルガノハイドロジェンポリシロキサンを使用することができ、例えば線状、環状、分岐状、三次元網状構造等各種のものが使用可能である。
１分子中に２個以上、好ましくは３個以上含有されるケイ素原子結合水素原子は、分子鎖末端および分子鎖側鎖のいずれに位置していてもよく、またこの両方に位置するものであってもよい。かかる水素原子以外の、ケイ素原子に結合した１価の原子または置換基はすべて脂肪族不飽和結合を含まない、好ましくは炭素原子数１～１０の、ケイ素原子に結合した非置換又は置換の１価炭化水素基である。
該オルガノハイドロジェンポリシロキサンの１分子中のケイ素原子の数（即ち、重合度）は通常２～１，０００個、好ましくは３～３００個、より好ましくは４～１５０個程度であることが望ましい。該オルガノハイドロジェンポリシロキサンの前記円すい－平板型粘度計により測定した２５℃における粘度は、通常０．１～１００，０００ｍＰａ．ｓ、好ましくは０．５～５，０００ｍＰａ．ｓで室温（２５℃）で液状のものであることが望ましい。
このオルガノハイドロジェンポリシロキサンとしては、例えば、下記平均組成式（２）で示されるものが用いられる。
Ｒ５ＨｃＳｉＯ（４－ｂ－ｃ）／２ （２）
（式中、Ｒ５は、脂肪族不飽和結合を含まない炭素原子数１～１０の非置換又は置換の１価炭化水素基であり、ｂは０．７～２．１の数、ｃは０．００１～１．０の数であって、かつｂ＋ｃが０．８～３．０の範囲である。）
上記Ｒ５で表される脂肪族不飽和結合を含まない非置換又は置換の１価炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基；これらの炭化水素基の水素原子の一部又は全部をフッ素、臭素、塩素等のハロゲン原子で置換したもの、例えばクロロメチル基、クロロプロピル基、ブロモエチル基、トリフロロプロピル基等が挙げられる。これらの非置換又は置換の１価炭化水素基の中でも、好ましいものはアルキル基、アリール基であり、より好ましいものはメチル基、フェニル基である。
また、好ましくは、ｂは１．０～２．０の数、ｃは０．０１～１．０の数であって、ｂ＋ｃが１．５～２．５の範囲である。
このようなオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、通常、Ｒ５ＳｉＨＣｌ２、（Ｒ５）３ＳｉＣｌ、（Ｒ５）２ＳｉＣｌ２、（Ｒ５）２ＳｉＨＣｌ（Ｒ５は、前記と同じである）のようなクロロシランを加水分解するか、加水分解して得られたシロキサンを平衡化することにより得ることができる。
平均組成式（２）で表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンとして、具体的には、例えば、１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン、１，３，５，７－テトラメチルシクロテトラシロキサン、トリス（ハイドロジェンジメチルシロキシ）メチルシラン、トリス（ハイドロジェンジメチルシロキシ）フェニルシラン、メチルハイドロジェンシクロポリシロキサン、メチルハイドロジェンシロキサン・ジメチルシロキサン環状共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・メチルフェニルシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２単位と（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２単位とＳｉＯ４／２単位とからなる共重合体、（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２単位とＳｉＯ４／２単位とからなる共重合体、（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２単位とＳｉＯ４／２単位と（Ｃ６Ｈ５）３ＳｉＯ１／２単位とからなる共重合体などが挙げられる。
さらに具体的には、下記式で表される構造のハイドロジェンオルガノシロキサンが例示できる。
Figure 0007003075000007
 （上の式中、Ｌは０～２００の整数、Ｍは１～２００の整数である。）
（Ａ－１）成分及び（Ａ－２）成分に含まれる脂肪族不飽和結合１モルに対する（Ａ－３）成分に含まれるケイ素原子結合水素原子のモル数は０．８～４．０モルであり、前記モル数は１．０～３．０モルであることが好ましく、１．０～２．０モルであることがより好ましい。前記モル数が０．８モルより少ないと、（Ａ）成分が十分に硬化しないことがあり、また４．０モルより多いと、未反応のケイ素原子結合水素原子が硬化物中に多量に残存する結果、ゴム物性が経時的に変化する原因となることがある。
［（Ａ－４）白金族金属系触媒］
（Ａ－４）成分の白金族金属系触媒は本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の付加硬化反応を生じさせる作用を有する。該触媒としては、白金系、パラジウム系、ロジウム系のものがあるが、コスト等の見地から白金、白金黒、塩化白金酸などの白金系のもの、例えば、Ｈ２ＰｔＣｌ６・ｍＨ２Ｏ、Ｋ２ＰｔＣｌ６、ＫＨＰｔＣｌ６・ｍＨ２Ｏ、Ｋ２ＰｔＣｌ４、Ｋ２ＰｔＣｌ４・ｍＨ２Ｏ、ＰｔＯ２・ｍＨ２Ｏ（ｍは、正の整数）等や、これらと、オレフィン等の炭化水素、アルコール又はビニル基含有オルガノポリシロキサンとの錯体等が挙げられる。これらは１種単独でも２種以上を組み合わせても使用することができる。
（Ａ－１）～（Ａ－３）成分の合計質量に対する（Ａ－４）成分の含有割合は、白金金属元素換算で０．１～１，０００ｐｐｍであり、好ましくは１～５００ｐｐｍの範囲である。
［（Ｂ）溶融シリカ］
本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物は、上述のようにウェハーレベル光半導体デバイス用部材及びダイシング加工後の光半導体デバイスを支持するために硬化後に硬質となると共に、耐熱性、耐候性、耐光性に優れたものとなることが好ましい。このような目的に応じた機能を持たせるため、（Ａ）成分に、充填材を添加することで硬化物に充填材を含ませることが必要である。
（Ｂ）成分の溶融シリカの平均粒径（Ｄ５０）は４～５０μｍである。前記溶融シリカは、揮発成分が少なく、透明性が高いものである。また、（Ａ）成分と前記溶融シリカの屈折率差が少ないため、ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の硬化物は光の散乱が強いものとなる。さらに、前記溶融シリカをウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物中に高充填しても、当該樹脂組成物の流動性を確保できる。
（Ｂ）成分の溶融シリカの平均粒径（Ｄ５０）は４μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の高流動化を得るためには、４～８μｍの中粒径領域、及び１０～５０μｍの粗領域のものを組み合わせて使用することが好ましい。前記溶融シリカの平均粒径が４μｍ以上であれば、溶融シリカ粒子の製造と（Ａ）成分中への溶融シリカの分散が容易である。前記溶融シリカの平均粒径が５０μｍ以下であれば、ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の成型後の表面形状に悪影響を与えない。
なお、本発明において平均粒径（Ｄ５０）とは、レーザー回折散乱式粒度分布測定法により測定して得られる体積基準粒度分布において、小粒径側からの通過分積算が５０％となるときの粒子径のことをいう。
上記溶融シリカは、樹脂との結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤などのカップリング剤で予め表面処理したものを配合してもよい。このようなカップリング剤としては、例えば、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性アルコキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト官能性アルコキシシランなどを用いることが好ましい。なお、表面処理に用いるカップリング剤の含有量及び表面処理方法については特に制限されるものではないが、アミン系のシランカップリング剤のように１５０℃以上に放置した場合に処理フィラーが変色するようなものは好ましくない場合がある。
（Ｂ）溶融シリカの含有量は、（Ａ－１）～（Ａ－４）成分１００質量部に対し、２００～１，０００質量部であり、３００～８００質量部であることが好ましい。（Ｂ）溶融シリカの（Ａ－１）～（Ａ－４）成分１００質量部に対する含有量が２００質量部未満では、ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物をウェハーレベル光半導体用部材に成型したときに十分な強度を得ることができないおそれがあり、更にα２領域における線膨張率を１００ｐｐｍ未満とすることができないおそれもある。（Ｂ）溶融シリカの（Ａ－１）～（Ａ－４）成分１００質量部に対する含有量が１，０００質量部を超えると、（Ｂ）溶融シリカを（Ａ－１）～（Ａ－４）成分中に均一に混合することが難しくなるだけでなく、増粘に伴う未充填や、ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物をウェハーレベル光半導体デバイスとしたときに剥離や割れ欠け等の不良が発生するおそれがある。
［その他の添加剤］
本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物は、組成物の透明性を更に維持し、硬化物の着色、酸化劣化等の発生を抑えるために、２，６－ジ－ｔ－ブチル－４－メチルフェノール等の従来公知の酸化防止剤を含んでいてよい。また、光劣化に対する抵抗性を付与するために、ヒンダードアミン系安定剤等の光安定剤を本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物に配合することもできる。
本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の強度を向上させ、チクソ性を付与するために、更に、ヒュームドシリカ、ナノアルミナ等の溶融シリカ以外の無機質充填剤を配合してもよい。また、必要に応じて、本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物に、染料、顔料、難燃剤等を配合してもよい。
また、本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物は、その接着性を向上させるための接着付与剤を含有してもよい。この接着付与剤としては、シランカップリング剤やその加水分解縮合物等が例示される。シランカップリング剤としては、エポキシ基含有シランカップリング剤、（メタ）アクリル基含有シランカップリング剤、イソシアネート基含有シランカップリング剤、イソシアヌレート基含有シランカップリング剤、アミノ基含有シランカップリング剤、メルカプト基含有シランカップリング剤等公知のものが例示され、（Ａ－１）～（Ａ－４）成分の合計１００質量部に対して好ましくは０．１～２０質量部、より好ましくは０．３～１０質量部を用いることができる。
［無機蛍光体］
また、本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物には、光半導体素子からの波長変換を目的とした蛍光体を含有させてもよい。蛍光体をウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物へ混合、分散させることで、光半導体素子から発せられた光を効率的に目的の波長の光に波長変換することが可能となる。
蛍光体は、光半導体素子から放出される青色光、紫色光、紫外光を吸収して波長を変換し、光半導体素子から放出される光と異なる波長の赤、橙色、黄色、緑色、青色領域の波長の光を放出するものである。これにより、光半導体素子から放出される光の一部と、蛍光体から放出される光の一部とが混合して、白色を含む多色系の光半導体デバイスが得られる。
上述のような蛍光体には、緑色に発光する蛍光体、青色に発光する蛍光体、黄色に発光する蛍光体、赤色に発光する蛍光体等の種々の蛍光体がある。本発明に好ましく用いられる蛍光体としては、無機蛍光体が挙げられる。以下に本発明に用いられる無機蛍光体について記載するが、これに限定されるわけではない。
緑色に発光する蛍光体として、例えば、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ，Ｔｂ、ＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｃｅ，Ｔｂ、Ｓｒ７Ａｌ１２Ｏ２５：Ｅｕ、（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのうち少なくとも１以上）Ｇａ２Ｓ４：Ｅｕなどが挙げられる。
青色に発光する蛍光体として、例えば、Ｓｒ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、（ＳｒＣａＢａ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、（ＢａＣａ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのうち少なくとも１以上）２Ｂ５Ｏ９Ｃｌ：Ｅｕ，Ｍｎ、（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのうち少なくとも１以上）（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ，Ｍｎなどが挙げられる。
緑色から黄色に発光する蛍光体として、少なくともセリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム酸化物蛍光体、少なくともセリウムで賦括されたイットリウム・ガドリニウム・アルミニウム酸化物蛍光体、少なくともセリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット酸化物蛍光体、及び、少なくともセリウムで賦活されたイットリウム・ガリウム・アルミニウム酸化物蛍光体などが挙げられる（いわゆるＹＡＧ系蛍光体）。具体的には、Ｌｎ３Ｍ５Ｏ１２：Ａ（Ｌｎは、Ｙ、Ｇｄ、Ｌａから選ばれる少なくとも１以上である。Ｍは、Ａｌ、Ｃａの少なくともいずれか一方を含む。Ａは、ランタノイド系である。）、（Ｙ１－ｘＧａｘ）３（Ａｌ１－ｙＧａｙ）５Ｏ１２：Ａ（Ａは、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｈｏから選ばれる少なくとも１以上である。０＜ｘ＜０．５、０＜ｙ＜０．５である。）を使用することができる。
赤色に発光する蛍光体として、例えば、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕなどが挙げられる。
また、青色ＬＥＤに対応し発光する蛍光体としては、Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ，Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：ＣｅなどのＹＡＧ系蛍光体、Ｔｂ３Ａｌ５Ｏ１２：ＣｅなどのＴＡＧ系蛍光体、（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ系蛍光体やＣａ３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ系蛍光体、（Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｇ）２ＳｉＯ４：Ｅｕなどのシリケート系蛍光体、（Ｃａ，Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＡｌＮ３：Ｅｕ等のナイトライド系蛍光体、Ｃａｘ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６：Ｅｕなどのオキシナイトライド系蛍光体、さらには（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ系蛍光体、Ｃａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ系蛍光体、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ，Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ等の蛍光体が挙げられる。
これらの中では、ＹＡＧ系蛍光体、ＴＡＧ系蛍光体、シリケート系蛍光体が、発光効率や輝度などの点で好ましく用いられる。
上記以外にも、用途や目的とする発光色に応じて公知の蛍光体を用いることができる。
蛍光体の粒子サイズは、特に制限はないが、Ｄ５０が０．０５μｍ以上のものが好ましく、３μｍ以上のものがより好ましい。また、Ｄ５０が３０μｍ以下のものが好ましく、２０μｍ以下のものがより好ましい。ここでＤ５０とは、レーザー回折散乱式粒度分布測定法により測定して得られる体積基準粒度分布において、小粒径側からの通過分積算が５０％となるときの粒子径のことをいう。Ｄ５０が前記範囲であると、ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物中の蛍光体の分散性が良好で、安定な発光が得られる。
上記蛍光体は、１種又は２種以上を混合して用いてもよい。
ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物に対する蛍光体の含有量は特に制限されず、該組成物を光半導体デバイスとしたときに目的の光の特性が得られるように適宜調整すればよいが、通常、該樹脂成分１００体積部に対して０体積部以上５０体積部未満である。より好ましくは、０体積部以上２０体積部未満である。該含有量が５０体積部以下であれば、該樹脂組成物の流動性が損なわれることがなく、蛍光体の使用量が多くなり過ぎないため経済的である。
このように、蛍光体を含有させてなるウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を用いることで、光半導体素子から発せられた光は該樹脂中に分散された蛍光体粒子で目的の波長の光に波長変換することが可能となる。このため、光半導体デバイスから目的の波長の光を取り出すことが可能となる。
本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物は、上記各成分を、公知の混合方法、例えば、ミキサー、ロール等を用いて混合することによって製造することができる。また、前記樹脂組成物は、ＪＩＳ Ｋ ７１１７－２：１９９９に記載の方法で円すい－平板型粘度計により測定した２５℃での粘度が１～１，０００Ｐａ・ｓであることが好ましい。
本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物は、公知の硬化条件下で公知の硬化方法により硬化させることができる。具体的には、通常、８０～２００℃、好ましくは１００～１６０℃で加熱することにより、該組成物を硬化させることができる。加熱時間は、０．５分～５時間程度、特に１分～３時間程度であってよい。硬化条件を作業条件、生産性、発光素子及び筐体耐熱性とのバランスから適宜選定することができる。
＜ウェハーレベル光半導体デバイスの製造例＞
本発明のウェハーレベル光半導体デバイスは、本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を任意の成型方法を用いて成型し、製造することができる。例えば、圧縮成型機を用いて圧縮成型によって行うことが好ましい。以下に、圧縮成型機を用いた製造例を挙げて説明する。
［準備工程］
はじめに、支持基板に粘着シートを介して複数の光半導体素子を搭載する。
前記支持基板は、粘着シート面に複数の光半導体素子を搭載した部材のハンドリングのしやすさを得るためのものであり、また、ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の成型工程で粘着シートが貼り合わされた光半導体素子と樹脂面の硬化後の形状の再現をさせるために重要であり、支持基板は平面度の高い状態が得られるものであることが好ましい。このような材料としては、金属、樹脂などを精度良く加工し、平面度を確保したものやシリコンウェハー等が好ましい。特に好ましいものは線膨張係数の小さい金属を加工してなる金属板やシリコンウェハーである。外形形状は特に指定はなく、例えば、取扱いが容易な四角形又は円形であるとよい。後に続く工程の作業性を考慮すると、前記外形形状は円形であることがより好ましい。
前記粘着シートは、光半導体素子を保持するために用いられるものであり、少なくとも光半導体素子の搭載面には粘着面を有するものである。前記粘着シートは、ウェハーレベル光半導体デバイスの一連の製造工程において作業性を損なわない範囲で適宜選択される。前記粘着シートの粘着力は、後述する成型工程で光半導体素子の搭載位置を保持することができればよく、該成型工程での金型の加熱温度・成型時間に耐えられるものであればよい。更に、成型工程において光半導体素子と粘着シートとの界面に本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物が浸入することよって発生する光半導体素子電極面の汚染防止が達成されるよう、前記粘着シートを適宜選択すればよい。
また、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材を製造するにあたり、前記粘着シートを剥離可能であることが必要であり、紫外光又は熱をトリガーとして低粘着力化されることで剥離されるものを用いることが好ましい。特に、熱をトリガーとして、発泡することで剥離されることが簡便でより好ましい。このような粘着シートは市販のものを用いればよく、例えば、日東電工社製 製品名 リバアルファ Ｎｏ．３１９５Ｖ（両面粘着シート）などが好適に用いることができる。この場合、発泡面となる面を支持基板側とすればウェハーレベル光半導体デバイス用部材の取り出しが容易となり好ましい。
前記光半導体素子は、一般的なものを用いればよく、例えば、厚さが１００～２００μｍ程度のサファイア基板の上面に発光層を備え、発光層にはｐ型半導体層とそれに接続された電極、並びにｎ型半導体層とそれに接続された電極が設けられており、該電極を通して外部と電気的に接続される構造を有するようなものであればよい。光半導体素子には、光の反射を目的とした反射層を設けていてもよく、発光層から出射する光線を目的の面に向けるように設ければよい。外形形状は特に指定はなく、入手しやすいものを選択すればよいが、一般に、四角形である。光半導体素子の発光特性は、目的とする光半導体デバイスに応じて適宜選択すればよい。
前記光半導体素子の粘着シートへの搭載方法としては、一般的なチップソーターを用いればよい。搭載時の荷重、時間、温度等は、光半導体素子の大きさ、形状に応じて適宜決定し光半導体素子を固定すればよい。
［成型工程］
次に、所定の成型温度に加熱した基準面を有する圧縮成型機の下金型に、前記準備工程で製造した光半導体素子を搭載した支持基板を載置する。続いて、下金型に対向する上金型に剥離フィルムを設ける。なお、必要に応じて下金型にも前記支持基板との間に剥離フィルムを載置しても良い。
前記剥離フィルム（リリースフィルム）は、上金型と下金型の成型面を被覆する幅寸法に形成された長尺体の剥離フィルムを用いればよい。剥離フィルムは封止時に前記樹脂組成物が成型面に直に接しないように封止領域を被覆する目的で設けるものであり、前記樹脂組成物の離型性を向上させ、かつ金型汚染を防止することを目的とする。剥離フィルムは封止領域での成型面の凹凸に追随して変形できるよう柔軟でかつ一定の強度を有するとともに、金型温度に耐える耐熱性、封止樹脂及び金型と容易に剥離できるフィルム材が好適に用いられる。
このようなフィルムとしては、ポリテトラフルオロエチレン樹脂（ＰＴＦＥ）フィルム、エチレン－テトラフルオロエチレン共重合樹脂（ＥＴＦＥ）フィルム、テトラフルオロエチレン－ペルフルオロプロピレン共重合樹脂（ＦＥＰ）フィルム、ポリビニリデンフルオライド樹脂（ＰＢＤＦ）フィルム等のフッ素樹脂フィルム；ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）フィルム、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）フィルム等が挙げられる。
次いで、前記光半導体素子を覆うように本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を所定量塗布する。前記塗布量は、封止領域の内容積に合わせて必要量だけ供給するものであって、ディスペンサー等により定量吐出して供給することが好ましい。
更に、公知の圧縮成型の工程に従い、上金型と下金型を閉じて金型内を減圧しながら、所定の圧力、時間で加熱保持し、前記樹脂組成物を仮硬化する。
仮硬化した後に、剥離フィルムとともに金型から脱型し、熱処理によって仮硬化した樹脂組成物を本硬化することで成型体を得て、該成型体から支持基板及び粘着シートを剥離することで、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材（以下光半導体デバイス用部材という。）を得る。
［個片化工程］
前記成型工程で得られた光半導体デバイス用部材を、ダイシングブレード等を用いて切断し、個片化する。これにより、光半導体素子を有する光半導体デバイスを得ることができる。
切断方法としては公知の方法を採用すればよく、回転ブレードによるダイシング加工、レーザー加工、ウォータージェット加工、金型加工等の公知の方法により切断することができるが、ダイシング加工が経済的、工業的な面で好ましい。
［実装工程］
また、このようにして得られた光半導体デバイスを実装基板に接続する方法として、半田リフローによる実装、ボールバンプを設けた実装基板に対するフリップチップ実装等、最終モジュールの形態や設備に応じて自由に選択できる。工業的な観点から、半田リフローによる実装が好ましい。
以上のように、本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を用いて光半導体デバイスを製造することで、光半導体装置の薄型化、小型化にあたり部材の種類を大幅に減らすことが可能で、更に耐熱性、耐光性が高く、従って高出力の光半導体素子の駆動にも耐えられる信頼性の高い光半導体デバイスを低コストで容易に製造することができる。
以下、実施例及び比較例を用いて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、下記調製例１～５におけるシリコーン組成物の粘度はＪＩＳ Ｋ ７１１７－１：１９９９に記載の方法で円すい－平板型粘度計によって測定した２５℃における粘度であり、屈折率はＪＩＳ Ｋ ００６２：１９９９に記載の方法でアッベ屈折率計によって測定した２５℃における未硬化の組成物の屈折率であり、硬さはＪＩＳ Ｋ ６２５３－３：２０１２に記載の方法でタイプＡ硬度計もしくはタイプＤ硬度計を用いて測定した硬化物の硬さを指す。
また、（Ａ－１）成分及び（Ａ－２）成分の平均組成を示す記号は以下の通りのシロキサン単位を示す。
ＭＨ：（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２
Ｍ：（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２
ＭＶｉ：（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２
ＤＨ：（ＣＨ３）ＨＳｉＯ２／２
Ｄφ：（Ｃ６Ｈ５）２ＳｉＯ２／２
Ｄ：（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２
Ｑ：ＳｉＯ４／２
［（Ａ）成分］
［調製例１］
（（Ａ－１）成分）Ｍ単位とＭＶｉ単位とＱ単位とから構成され、ＭＶｉ単位に対するＭ単位のモル比が６．２５であり、Ｑ単位に対するＭ単位とＭＶｉ単位との合計のモル比が０．８である分岐構造を有するオルガノポリシロキサン［性状＝固体（２５℃）、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量＝１，５００］：３５質量部、
（（Ａ－２）成分）平均組成式：ＭＶｉＤ４０ＭＶｉの直鎖状オルガノポリシロキサン（粘度：６００ｍＰａ・ｓ）：６５質量部、
（（Ａ－３）成分）平均構造式：ＭＤＨ ３８Ｍで表されるメチルハイドロジェンシロキサン（粘度：２，０００ｍＰａ・ｓ）：４質量部［（Ａ－１）成分および（Ａ－２）成分中のアルケニル基等の脂肪族不飽和結合の合計１モル当たりケイ素原子結合水素原子０．９モル］、
（（Ａ－４）成分）塩化白金酸／１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体を白金原子含有量として１質量％含有するトルエン溶液：０．０６質量部、
エチニルシクロヘキサノール：０．０５質量部、及び
γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン：３質量部
をよく撹拌、混合してシリコーン組成物（Ａ－Ｉ）を調製した。
このシリコーン樹脂組成物（Ａ－Ｉ）は粘度２，５００ｍＰａ・ｓの液状であり、屈折率は１．４２であった。該組成物（Ａ－Ｉ）の１５０℃、４時間硬化後の硬さ（シリコーン組成物の硬さ）を測定したところ、タイプＡで８０であった。
［調製例２］
（（Ａ－１）成分）［（Ｃ６Ｈ５）ＳｉＯ３／２］０．３［（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）ＳｉＯ２／２］０．１［（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２］０．６で表される分岐構造を有するオルガノポリシロキサン［性状＝固体（２５℃）、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量＝２，５００］４０質量部
（（Ａ－２）成分）平均組成式：ＭＶｉ ２Ｄφ ４０Ｄ２３０の直鎖状オルガノポリシロキサン（粘度：３，０００ｍＰａ・ｓ）：６０質量部、
（（Ａ－３）成分）平均組成式：ＭＤＨ ６Ｄφ ２Ｍで表されるメチルハイドロジェンシロキサン（粘度：２５ｍＰａ・ｓ）：１０質量部［（Ａ－１）成分および（Ａ－２）成分中のアルケニル基等の脂肪族不飽和結合の合計１モル当たりケイ素原子結合水素原子１．３モル］、
（（Ａ－４）成分）塩化白金酸／１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体を白金原子含有量として１質量％含有するトルエン溶液：０．０６質量部、
エチニルシクロヘキサノール：０．０５質量部、及び
γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン：３質量部
をよく撹拌、混合してシリコーン組成物（Ａ－ＩＩ）を調製した。
このシリコーン樹脂組成物（Ａ－ＩＩ）は粘度３，５００ｍＰａ・ｓの液状であり、屈折率は１．４８であった。該組成物（Ａ－ＩＩ）の１５０℃、４時間硬化後の硬さ（シリコーン組成物の硬さ）を測定したところ、タイプＡで６０であった。
［調製例３］
（（Ａ－１）成分）Ｍ単位とＭＶｉ単位とＱ単位とから構成され、ＭＶｉ単位に対するＭ単位のモル比が６．２５であり、Ｑ単位に対するＭ単位とＭＶｉ単位との合計のモル比が０．８である分岐構造を有するオルガノポリシロキサン［性状＝固体（２５℃）、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量＝１，５００］：１５質量部、
（（Ａ－２）成分）平均組成式：ＭＶｉ ２Ｄφ ２０Ｄ３９０の直鎖状オルガノポリシロキサン（粘度：４，０００ｍＰａ・ｓ）：８５質量部、
（（Ａ－３）成分）平均構造式：ＭＤＨ ３８Ｍで表されるメチルハイドロジェンシロキサン（粘度：２，０００ｍＰａ・ｓ）：２質量部［（Ａ－１）成分および（Ａ－２）成分中のアルケニル基等の脂肪族不飽和結合の合計１モル当たりケイ素原子結合水素原子１．８モル］、
（（Ａ－４）成分）塩化白金酸／１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体を白金原子含有量として１質量％含有するトルエン溶液０．０６質量部、
エチニルシクロヘキサノール０．０５質量部、及び
γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン３質量部
をよく撹拌、混合してシリコーン組成物（Ａ－ＩＩＩ）を調製した。
このシリコーン樹脂組成物（Ａ－ＩＩＩ）は粘度４，０００ｍＰａ・ｓの液状であり、屈折率は１．４４であった。該組成物（Ａ－ＩＩＩ）の１５０℃、４時間硬化後の硬さ（シリコーン組成物の硬さ）を測定したところ、タイプＡで２０であった。
［調製例４］
（（Ａ－１）成分）Ｍ単位とＭＶｉ単位とＱ単位とから構成され、ＭＶｉ単位に対するＭ単位のモル比が６．２５であり、Ｑ単位に対するＭ単位とＭＶｉ単位との合計のモル比が０．８である分岐構造を有するオルガノポリシロキサン［性状＝固体（２５℃）、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量＝１，５００］：２５質量部、
（（Ａ－２）成分）平均組成式：ＭＶｉＤ５００ＭＶｉの直鎖状オルガノポリシロキサン（粘度：９，５００ｍＰａ・ｓ）：７５質量部
（（Ａ－３）成分）平均構造式：ＭＤＨ ３８Ｍで表されるメチルハイドロジェンシロキサン（粘度：２，０００ｍＰａ・ｓ）：２質量部［（Ａ－１）成分および（Ａ－２）成分中のアルケニル基等の脂肪族不飽和結合の合計１モル当たりケイ素原子結合水素原子１．２モル］、
（（Ａ－４）成分）塩化白金酸／１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体を白金原子含有量として１質量％含有するトルエン溶液０．０６質量部、
エチニルシクロヘキサノール０．０５質量部、及び
γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン３質量部
をよく撹拌、混合してシリコーン組成物（Ａ－ＩＶ）を調製した。
このシリコーン樹脂組成物（Ａ－ＩＶ）は粘度１０，０００ｍＰａ・ｓの液状であり、屈折率は１．４２であった。該組成物（Ａ－ＩＶ）の１５０℃、４時間硬化後の硬さ（シリコーン組成物の硬さ）を測定したところ、タイプＡで３０であった。
［調製例５］
（（Ａ－１）成分）［（Ｃ６Ｈ５）ＳｉＯ３／２］０．７５［（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２］０．２５で表される分岐構造を有するオルガノポリシロキサン［性状＝固体（２５℃）、ケイ素原子結合ビニル基の含有率＝２０モル％、ケイ素原子結合全有機基中のケイ素原子結合フェニル基の含有率＝５０モル％、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量＝１，６００］：５９質量部、
（（Ａ－２）成分）平均組成式：ＭＶｉ ２Ｄφ ２．８の直鎖状オルガノポリシロキサン（粘度：２，０００ｍＰａ・ｓ）：３１質量部、
（（Ａ－３）成分）平均組成式：ＭＨＤＨ ２Ｄφ ２ＭＨで表されるメチルハイドロジェンシロキサン（粘度：２５ｍＰａ・ｓ）：６．４質量部［（Ａ－１）成分および（Ａ－２）成分中のアルケニル基等の脂肪族不飽和結合の合計１モル当たりケイ素原子結合水素原子０．７モル］、
（（Ａ－４）成分）塩化白金酸／１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体を白金原子含有量として１質量％含有するトルエン溶液０．０６質量部、
エチニルシクロヘキサノール０．０５質量部、及び
γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン３質量部
をよく撹拌、混合してシリコーン組成物（Ａ－Ｖ）を調製した。
このシリコーン樹脂組成物（Ａ－Ｖ）は粘度２，５００ｍＰａ・ｓの液状であり、屈折率は１．５４であった。該組成物（Ａ－Ｖ）の１５０℃、４時間硬化後の硬さ（シリコーン組成物の硬さ）を測定したところ、タイプＤで４０（タイプＡで８０超に相当）であった。
［実施例１］
調製例１で得られたシリコーン樹脂組成物（Ａ－Ｉ）１００質量部、無機充填剤として平均粒径１１．５μｍの溶融シリカ粉（製品名 ＭＳＲ－８０５０、龍森社製）４００質量部を三本ロールで混練処理し、減圧脱泡してウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物（ａ）を製造した。
このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物（ａ）の１５０℃、４時間硬化後の硬さ（無機充填剤配合後の組成物の硬さ）を測定したところ、タイプＤで７５であった。
［実施例２］
調製例１で得られたシリコーン樹脂組成物（Ａ－Ｉ）１００質量部、無機充填剤として平均粒径１１．５μｍの溶融シリカ粉（製品名 ＭＳＲ－８０５０、龍森社製）２００質量部を三本ロールで混練処理し、減圧脱泡してウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物（ｂ）を製造した。
このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物（ｂ）の１５０℃、４時間硬化後の硬さ（無機充填剤配合後の組成物の硬さ）を測定したところ、タイプＤで５８であった。
［実施例３］
調製例２で得られたシリコーン樹脂組成物（Ａ－ＩＩ）１００質量部、無機充填剤として平均粒径１１．５μｍの溶融シリカ粉（製品名 ＭＳＲ－８０５０、龍森社製）４００質量部を三本ロールで混練処理し、減圧脱泡してウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物（ｃ）を製造した。
このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物（ｃ）の１５０℃、４時間硬化後の硬さ（無機充填剤配合後の組成物の硬さ）を測定したところ、タイプＤで７５であった。
［実施例４］
調製例３で得られたシリコーン樹脂組成物（Ａ－ＩＩＩ）１００質量部、無機充填剤として平均粒径１１．５μｍの溶融シリカ粉（製品名 ＭＳＲ－８０５０、龍森社製）４００質量部を三本ロールで混練処理し、減圧脱泡してウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物（ｄ）を製造した。
このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物（ｄ）の１５０℃、４時間硬化後の硬さ（無機充填剤配合後の組成物の硬さ）を測定したところ、タイプＤで６８であった。
［実施例５］
調製例４で得られたシリコーン樹脂組成物（Ａ－ＩＶ）１００質量部、無機充填剤として平均粒径１１．５μｍの溶融シリカ粉（製品名 ＭＳＲ－８０５０、龍森社製）５００質量部を三本ロールで混練処理を行い、減圧脱泡してウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物（ｅ）を製造した。
このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物（ｅ）の１５０℃、４時間硬化後の硬さ（無機充填剤配合後の組成物の硬さ）を測定したところ、タイプＤで５０であった。
［比較例１］
調製例１で得られたシリコーン樹脂組成物（Ａ－Ｉ）１００質量部に無機充填剤を添加せずに減圧脱泡してウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物（ｆ）としてそのまま用いた。
［比較例２］
調製例５で得られたシリコーン樹脂組成物（Ａ－Ｖ）１００質量部、無機充填剤として平均粒径１１．５μｍの溶融シリカ粉（製品名 ＭＳＲ－８０５０、龍森社製）５００質量部を三本ロールで混練処理し、減圧脱泡してウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物（ｇ）を製造した。
このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物（ｇ）の１５０℃、４時間硬化後の硬さ（無機充填剤配合後の組成物の硬さ）を測定したところ、タイプＤで８０であった。
［比較例３］
調製例１で得られたシリコーン樹脂組成物（Ａ－Ｉ）１００質量部、無機充填剤として一次粒径７ｎｍの煙霧状シリカ（製品名：レオシロールＤＭ－３０Ｓ）４００質量部を三本ロールで混練処理し、減圧脱泡してウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物（ｉ）を製造した。
このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物（ｉ）は、パテ状となり、下記に示す製造方法で使用される成型機上に安定に塗布することができなかった。
［比較例４］
調製例１で得られたシリコーン樹脂組成物（Ａ－Ｉ）１００質量部、無機充填剤として平均粒径１１．５μｍの溶融シリカ粉（製品名 ＭＳＲ－８０５０、龍森社製）１５０質量部を三本ロールで混練処理し、減圧脱泡してウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物（ｊ）を製造した。
このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物（ｊ）の１５０℃、４時間硬化後の硬さ（無機充填剤配合後の組成物の硬さ）を測定したところ、タイプＡで８５であった。
このウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物（ｊ）を用いて下記に示す製造方法でウェハーレベル光半導体用部材を製造したが、ダイシング工程へのハンドリング中に、たわみの影響で光半導体素子が部材から脱落し、次工程へ進むことができなかった。
前記実施例、及び比較例の各ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を用いて下記に示す製造方法で製造したウェハーレベル光半導体デバイス用部材、及びウェハーレベル光半導体デバイスについて、諸特性を測定した結果を表１と表２に示す。
＜ウェハーレベル光半導体デバイスの製造＞
ウェハーレベル光半導体デバイスの製造方法を図１～５を用いて説明する。まず、準備工程として、ウェハーレベル光半導体デバイスの素子搭載を目的とし、厚さ７２５μｍの８インチ（直径２００ｍｍ）シリコンウェハー３に、熱剥離性両面粘着シート２（日東電工社製 製品名 リバアルファ Ｎｏ．３１９５Ｖ）の発泡性粘着面がシリコンウェハー側となるようにゴムローラーを用いて貼り付け、表面に粘着面が設けられた支持基板を作製した。更に、前記熱剥離性両面粘着シート２は、前記シリコンウェハー３の形状と同一に切り抜いた。続いて得られた支持基板に、光半導体素子１（ＢＸＤＡ４０４０ Ｂｒｉｄｇｅｌｕｘ社製）をチップマウンターを用いて縦横各３．２ｃｍピッチ、４０行４０列に、電極面が前記粘着面と貼り付くように載置し、１００℃、１時間の加熱処理を行って前記粘着面に密着固定した（図１）。
上記のようにして得られた光半導体素子１が搭載された支持基板を、予め１５０℃に加熱した圧縮成型機の下金型５に載置し、対向する上金型４は離形フィルム７を備え予め１５０℃に加熱した。その後、下金型５側の光半導体素子が搭載された支持基板に、上述の実施例、比較例に示すシリコーン樹脂組成物１００質量部に無機充填剤を含有させ、又は含有させずに蛍光体（Ｐｈｏｓｐｈｅｒｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）８質量部を配合したウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物６を供給し（図２）、１５０℃で５分間圧縮成型を行い、続いて、１５０℃で４時間、本硬化を実施した。
続いて、支持基板である８インチシリコンウェハー３と熱剥離性両面粘着シート２から、ウェハーレベル光半導体用部材の成形体を剥離することで、ウェハーレベル光半導体デバイス用部材を製造した。この部材は直径２００ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円形状であった（図３）。前記部材の反り量をスケールで測定し、最大値を表１及び表２に示した。
次に、前記ウェハーレベル光半導体用部材を、刃厚０．２ｍｍの回転ブレードによるダイシング加工で切断、個片化し、純水洗浄及び乾燥することで、それぞれ１つの光半導体素子を有するウェハーレベル光半導体デバイスを得た（外形寸法３．０×３．０×１．２ｍｍ、図４）。この光半導体デバイスは薄型で製品寸法精度が高いものであった。
更に、得られたウェハーレベル光半導体デバイスのうち任意の１０個を個々に、クリーム半田８でアルミ製の放熱基板９にリフロー実装し、光半導体デバイスが実装されたモジュールを作製した（図５）。
［全光束の測定］
前記モジュール１０個を、全光束測定システム ＨＭ－９１００（大塚電子（株）製）を用い、印加電流ＩＦ＝３５０ｍＡにおける全光束値（Ｌｍ）を測定し、平均値及びばらつき（σ）を求めた値を表１及び表２に示した。
［温度サイクル試験］
前記モジュール１０個を、温度サイクル試験（－４０℃～１２５℃、各２０分間を５００サイクル）に用い、顕微鏡で、試験後のサンプルの導電性接着材部のクラックの有無を観察し、クラックが発生した試験片数／総試験片数を数えた。結果を表１及び表２に示した。
Figure 0007003075000008
Figure 0007003075000009
表１に示すように、本発明の範囲を満たす硬化性シリコーン樹脂組成物（ａ）～（ｅ）を用いた実施例１～実施例５では、いずれも反り量が１ｍｍ以下であった。更に、ウェハーレベル光半導体用部材としてから、個片化工程によるデバイス化までの一連の工程で、主だった不良は発生しなかった。
このように、本発明のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を用いて製造した光半導体デバイス用部材は、光半導体装置の薄型化、小型化にあたり部材の種類を大幅に減らすことが可能で、銀メッキがなされた部材を一切用いないために硫化防止の特別な保護を必要とすることなく、耐熱性、耐光性が高く、従って高出力の光半導体素子の駆動にも耐えられる信頼性の高いウェハーレベル光半導体デバイスを低コストで容易に製造することを可能とするものである。更に、本発明のウェハーレベル光半導体デバイスは、光半導体素子の出力や波長を事前に選別した状態で一括に成形することが可能なものであり、製造後の製品特性の管理が容易なものである。また、基板を発光素子毎に分割して製造される発光装置においては、発光装置間の発光色のばらつきを防止することが可能となり、歩留りが向上する。
一方、表２に示すように、本発明の範囲を満たさない、（Ｂ）成分の無機充填剤を含まない比較例１では、ウェハーレベル光半導体部材としてから、ダイシング工程によるデバイス化までの一連の工程で、反りの影響により、光半導体素子の脱落が確認され作業性に問題が発生した。
（Ａ）成分として屈折率が１．５０を超えるウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物を用いた比較例２では、ウェハーレベル光半導体部材とした際の反りが大きく、更に、光半導体デバイスとした場合も温度サイクル試験後にクラックが全数発生し、得られた光半導体パッケージは信頼性に劣るものであった。
（Ｂ）成分が本発明の範囲外である煙霧状シリカを用いた比較例３では、樹脂中に良好に混合することができず、作業性の悪い樹脂となった。
本発明の範囲よりも少ない量の（Ｂ）成分が添加された比較例４では、ウェハーレベル光半導体部材としたときの剛性が低下し、ダイシング工程によるデバイス化までの一連の工程、特にダイシングテープと貼り合わせた時に光半導体素子の脱落が確認された。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
１・・・光半導体素子、２・・・熱剥離性両面粘着テープ、
３・・・シリコンウェハー、４・・・圧縮成形機の上金型、
５・・・圧縮成形機の下金型、６・・・ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物、
７・・・離型フィルム、８・・・半田（クリーム半田）、
９・・・アルミ製放熱基板

Claims (4)

  1. 下記（Ａ－１）～（Ａ－４）成分及び（Ｂ）成分を含有するウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物であって、
    （Ａ－１）１分子中に２個以上の脂肪族不飽和結合を有し、分岐構造を有するオルガノポリシロキサン、
    （Ａ－２）１分子中に２個以上の脂肪族不飽和結合を有し、直鎖状であるオルガノポリシロキサン、
    （Ａ－３）１分子中に２個以上のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
    （Ａ－４）白金族金属系触媒、
    （Ｂ）平均粒径（Ｄ５０）が４～５０μｍである溶融シリカ、
    （Ａ－１）成分及び（Ａ－２）成分に対する（Ａ－１）成分の含有割合は０．１～５０質量％であり、
    （Ａ－１）成分及び（Ａ－２）成分に含まれる脂肪族不飽和結合１モルに対する（Ａ－３）成分に含まれるケイ素原子結合水素原子のモル数は０．８～４．０モルであり、
    （Ａ－１）～（Ａ－３）成分の合計質量に対する（Ａ－４）成分の含有割合は、白金金属元素換算で０．１～１，０００ｐｐｍであり、
    （Ａ－１）～（Ａ－４）成分１００質量部に対する（Ｂ）成分の含有量は２００～１，０００質量部であり、
    （Ａ－１）～（Ａ－４）成分が未硬化の状態において、ＪＩＳ Ｋ ００６２：１９９９に記載の方法でアッベ屈折率計によって測定した２５℃における屈折率が、１．４０以上１．５０未満の範囲であることを特徴とするウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物。
  2. 前記（Ａ－１）～（Ａ－４）成分の硬化物のＪＩＳ Ｋ ６２５３－３：２０１２に記載の方法でタイプＡ硬度計を用いて測定した硬さが、２０以上８０以下であることを特徴とする請求項１に記載のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物。
  3. 前記（Ａ－１）～（Ａ－４）成分及び（Ｂ）成分からなる硬化物のＪＩＳ Ｋ ６２５３－３：２０１２に記載の方法でタイプＤ硬度計を用いて測定した硬さが３０以上７０以下であり、更にＪＩＳ Ｋ ７１９７：１９９１に記載の方法でＴＭＡにより求めたα２領域の線膨張率が１００ｐｐｍ以下である硬化物を与えるものであることを特徴とする請求項１又は２に記載のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物。
  4. 請求項１～３のいずれか１項に記載のウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物の硬化物で封止されたものであることを特徴とするウェハーレベル光半導体デバイス。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7296748B2 (ja) * 2019-03-08 2023-06-23 信越化学工業株式会社 ウェハーレベル光半導体デバイス用樹脂組成物、及び光半導体デバイス

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006335857A (ja) 2005-06-01 2006-12-14 Ge Toshiba Silicones Co Ltd 透明な硬化物を与えるポリオルガノシロキサン組成物
JP2009235265A (ja) 2008-03-27 2009-10-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性シリコーンゴム組成物、およびそれを封止材料として用いた光半導体装置
JP2015168698A (ja) 2014-03-05 2015-09-28 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物及び光学素子
JP2016171315A (ja) 2015-03-09 2016-09-23 日東電工株式会社 貼着シート、貼着光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63183958A (ja) * 1986-09-04 1988-07-29 Toray Silicone Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物
KR100479857B1 (ko) * 2001-12-28 2005-03-30 제일모직주식회사 반도체 패키지용 실리콘 수지 조성물
CN1720283A (zh) * 2002-12-05 2006-01-11 日产化成工业株式会社 光学构件用薄膜,使用其的薄膜卷层体,光学构件及光盘
WO2008047892A1 (en) * 2006-10-19 2008-04-24 Momentive Performance Materials Japan Llc Curable polyorganosiloxane composition
JP5793824B2 (ja) * 2009-06-02 2015-10-14 Jnc株式会社 有機ケイ素化合物、該有機ケイ素化合物を含む熱硬化性組成物、および光半導体用封止材料
JP2010285571A (ja) * 2009-06-15 2010-12-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ダイボンディング用シリコーン樹脂組成物
CN103154144A (zh) * 2010-10-14 2013-06-12 迈图高新材料日本合同公司 固化性聚有机硅氧烷组合物
JP5680472B2 (ja) 2011-04-22 2015-03-04 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置の製造方法
JP5814175B2 (ja) * 2012-04-16 2015-11-17 信越化学工業株式会社 Ｌｅｄのリフレクター用熱硬化性シリコーン樹脂組成物並びにこれを用いたｌｅｄ用リフレクター及び光半導体装置
JP2014065900A (ja) * 2012-09-07 2014-04-17 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性シリコーン組成物およびその硬化物
JP5819866B2 (ja) * 2013-01-10 2015-11-24 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物、光学素子封止材および光学素子
JP5587519B1 (ja) * 2013-05-08 2014-09-10 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 画像表示装置用のダム材組成物、及びそれを用いた画像表示装置
CN103865475B (zh) * 2014-03-26 2016-02-17 苏州桐力光电技术服务有限公司 一种透明有机硅凝胶粘接剂
JP6215769B2 (ja) 2014-05-09 2017-10-18 信越化学工業株式会社 ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法、及び光半導体デバイスの製造方法
JP2015216192A (ja) 2014-05-09 2015-12-03 信越化学工業株式会社 ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法、光半導体デバイスの製造方法、及び光半導体デバイス
JP2015216206A (ja) 2014-05-09 2015-12-03 信越化学工業株式会社 ウェハーレベル光半導体デバイス用部材の製造方法、光半導体デバイスの製造方法、及び光半導体デバイス
KR20170057330A (ko) * 2014-09-17 2017-05-24 주식회사 다이셀 경화성 실리콘 수지 조성물 및 그의 경화물
JP6930817B2 (ja) * 2016-08-08 2021-09-01 ダウ・東レ株式会社 硬化性粒状シリコーン組成物、それからなる半導体用部材、およびその成型方法
JP7275100B2 (ja) * 2018-03-01 2023-05-17 株式会社トクヤマ 溶融球状シリカ粉末およびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006335857A (ja) 2005-06-01 2006-12-14 Ge Toshiba Silicones Co Ltd 透明な硬化物を与えるポリオルガノシロキサン組成物
JP2009235265A (ja) 2008-03-27 2009-10-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性シリコーンゴム組成物、およびそれを封止材料として用いた光半導体装置
JP2015168698A (ja) 2014-03-05 2015-09-28 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物及び光学素子
JP2016171315A (ja) 2015-03-09 2016-09-23 日東電工株式会社 貼着シート、貼着光半導体素子の製造方法および光半導体装置の製造方法

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