TWI522686B - 顯示面板 - Google Patents

顯示面板 Download PDF

Info

Publication number
TWI522686B
TWI522686B TW104114324A TW104114324A TWI522686B TW I522686 B TWI522686 B TW I522686B TW 104114324 A TW104114324 A TW 104114324A TW 104114324 A TW104114324 A TW 104114324A TW I522686 B TWI522686 B TW I522686B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
trace
area
display panel
opening
substrate
Prior art date
Application number
TW104114324A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201640190A (zh
Inventor
卓暐清
朱夏青
劉桂伶
Original Assignee
群創光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 群創光電股份有限公司 filed Critical 群創光電股份有限公司
Priority to TW104114324A priority Critical patent/TWI522686B/zh
Priority to JP2015138807A priority patent/JP6072151B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of TWI522686B publication Critical patent/TWI522686B/zh
Priority to US15/098,865 priority patent/US9881969B2/en
Publication of TW201640190A publication Critical patent/TW201640190A/zh
Priority to US15/848,673 priority patent/US10074691B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/20—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes
    • H10B63/22—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes of the metal-insulator-metal type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel

Landscapes

  • Power Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Description

顯示面板
本發明係關於一種顯示面板，特別關於一種具有較高可靠度的顯示面板。
隨著科技的進步，平面顯示面板已經廣泛地被運用在各種領域，因具有體型輕薄、低功率消耗及無輻射等優越特性，已經漸漸地取代傳統陰極射線管顯示裝置，而應用至許多種類之電子產品中，例如行動電話、可攜式多媒體裝置、筆記型電腦、液晶電視及液晶螢幕等等。
以液晶顯示面板為例，習知一種液晶顯示面板包含一薄膜電晶體基板、一彩色濾光基板及一液晶層，薄膜電晶體基板及彩色濾光基板係相對而設，而液晶層則夾置於兩基板之間，藉此形成複數畫素。其中，各畫素對應有一薄膜電晶體及一畫素電極設置於一基板上，且當掃描線將掃描訊號輸入對應畫素之薄膜電晶體的閘極時，可藉由控制薄膜電晶體而將資料線之資料電壓經由其源極及汲極而輸入畫素電極，藉此可控制液晶的轉向而顯示影像。
由於市場的快速競爭，顯示面板的尺寸與顯示色彩飽和度的需求也快速增加，同時也增加對薄膜電晶體電性表現與穩定度的要求。其中，金屬氧化物(Metal oxide-based,MOSs)薄膜電晶體可在室溫中製備，並且擁有良好的電流輸出特性、較低的漏電流與高於非晶矽薄膜電晶體(amorphous silicon thin film transistor,a-Si TFT)十倍以上的電子遷移率，可分別降低顯示面板的功率消耗與提升顯示面板的操作頻率，因此，已成為顯示面板中主流之驅動元件。
然而，雖然金屬氧化物薄膜電晶體具有較佳的電性，但是卻容易受外界環境的水氣及氧氣的影響而改變其電性，導致顯示面板的可靠性降低。因此，如何提供一種顯示面板，可具有較高阻水氣、氧氣能力而 提高產品的可靠度，已成為重要課題之一。
有鑑於上述課題，本發明之目的為提供一種可具有較高阻水氣、氧氣能力而提高產品可靠度之顯示面板。
為達上述目的，依據本發明之一種顯示面板，包括一第一基板、一第二基板、一顯示介質層、一第一走線、一第二走線、一絕緣層以及一開關元件。第一基板具有一顯示區與位於顯示區外圍之一週邊區。顯示介質層設置於第一基板與第二基板之間。第一走線設置於第一基板上，並對應位於週邊區，且第一走線沿一第一方向延伸。第二走線設置於第一基板上，並與第一走線交錯設置以定義出一交錯區，且第一走線與第二走線於交錯區係電性絕緣。絕緣層設置於第一走線及第二走線上，絕緣層具有與交錯區對應設置之一開孔區，且開孔區暴露出交錯區。開關元件設置於第一基板上並鄰近開孔區，並具有一主動層，主動層於平行第一方向上具有一第一寬度，且於平行第一方向上，開孔區與主動層間之最短距離係大於零且小於第一寬度。
為達上述目的，依據本發明之一種顯示面板，包括一第一基板、一第二基板、一顯示介質層、一第一走線、一第二走線、一絕緣層以及一開關元件。第一基板具有一顯示區與位於顯示區外圍之一週邊區。顯示介質層設置於第一基板與第二基板之間。第一走線設置於第一基板上，並對應位於週邊區，且第一走線沿一第一方向延伸。第二走線設置於第一基板上，並與第一走線交錯設置以定義出一交錯區，且第一走線與第二走線於交錯區係電性絕緣。絕緣層設置於第一走線及第二走線上，絕緣層具有與交錯區對應設置之一開孔區，且開孔區暴露出交錯區。開關元件設置於第一基板上並鄰近開孔區，並具有一主動層，且主動層與開孔區間之最短距離大於1微米且小於等於20微米。
在一實施例中，開孔區內包含複數個交錯區。
在一實施例中，主動層的材料為金屬氧化物半導體。
在一實施例中，絕緣層包含複數個開孔區，該些開孔區係鄰近於開關元件之主動層。
在一實施例中，交錯區於平行第一方向上具有相對之一第一端及一第二端，第一端至開孔區之邊緣的最短距離不等於第二端至開孔區之邊緣的最短距離。
在一實施例中，開孔區更暴露出部分的第一走線及部分的第二走線，且絕緣層對應於部分的第一走線上之邊緣坡度與對應於部分的第二走線上之邊緣坡度不相同。
在一實施例中，開孔區更暴露出不包含第一走線及第二走線之一區域，且絕緣層對應於部分的第一走線上之邊緣坡度與對應於該區域之邊緣坡度不相同。
在一實施例中，顯示面板，更包括一連接孔，其鄰設於開孔區，連接孔於實質上垂直第一方向之一第二方向上具有一第二寬度，且開孔區與連接孔之最短距離係大於零且小於第二寬度。
在一實施例中，絕緣層包含複數個開孔區，該些開孔區係鄰近連接孔。
在一實施例中，顯示介質層為液晶層或有機發光二極體層。
承上所述，因本發明之顯示面板中，位於週邊區之第一走線與第二走線交錯設置以定義出一交錯區，而絕緣層具有與交錯區對應設置之開孔區，且開孔區可暴露出交錯區。另外，開關元件鄰近開孔區並具有一主動層，且開孔區與主動層間之最短距離係大於零且小於主動層於平行第一方向的第一寬度。由於開關元件的主動層較怕水氣、氧氣的侵蝕而影響電性，故本發明於鄰近主動層之第三絕緣層上將第三絕緣層挖穿而形成開孔區，藉此阻斷水氣、氧氣進入的路徑，使得顯示面板可提升阻水氣、氧氣能力而提高產品的可靠度。另外，本發明於週邊區的絕緣層上形成開孔區，亦可讓雜質(離子)被侷限在開孔區內，藉此減少雜質離子影響顯示介質層，進而可避免雜質影響顯示面板的顯示效果。
1、3‧‧‧顯示面板
11‧‧‧第一基板
12‧‧‧第二基板
13‧‧‧顯示介質層
14‧‧‧第一走線
15‧‧‧第一絕緣層
16‧‧‧第二走線
17‧‧‧第二絕緣層
18‧‧‧第三絕緣層(絕緣層)
181、182‧‧‧開孔區
19‧‧‧配向層
2‧‧‧顯示裝置
4‧‧‧背光模組
AA‧‧‧顯示區
AL1~AL3‧‧‧主動層
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
D3‧‧‧第三方向
E‧‧‧電極層
H1~H5‧‧‧連接孔
L‧‧‧光線
T1~T3‧‧‧開關元件
P-P’、Q-Q’、R-R’‧‧‧直線
PA‧‧‧週邊區
S1、S2‧‧‧最短距離
w1‧‧‧第一寬度
w2‧‧‧第二寬度
X‧‧‧交錯區
θ 1~θ 6‧‧‧角度
圖1A為本發明較佳實施例之一種顯示面板的剖視示意圖。
圖1B為圖1A之顯示面板的俯視示意圖。
圖1C為圖1B的顯示面板中，一實施例的第一基板的週邊區之佈局示意圖。
圖1D為圖1C中，沿直線P-P’的剖視示意圖。
圖1E為圖1C中，沿直線Q-Q’的剖視示意圖。
圖1F為圖1C中，沿直線R-R’的剖視示意圖。
圖2為本發明較佳實施例之一種顯示裝置的示意圖。
圖3為本發明一實施例之顯示裝置的立體示意圖。
以下將參照相關圖式，說明依本發明較佳實施例之顯示面板，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。
請分別參照圖1A至圖1F所示，其中，圖1A為本發明較佳實施例之一種顯示面板1的剖視示意圖，圖1B為圖1A之顯示面板1的俯視示意圖，圖1C為圖1B的顯示面板1中，一實施例的第一基板11的週邊區PA之佈局示意圖，圖1D為圖1C中，沿直線P-P’的剖視示意圖，圖1E為圖1C中，沿直線Q-Q’的剖視示意圖，而圖1F為圖1C中，沿直線R-R’的剖視示意圖。
顯示面板1可為液晶顯示面板或為有機發光二極體顯示面板。本實施例係以液晶顯示面板為例，並可為邊緣電場切換(Fringe Field Switching，FFS)型液晶顯示面板，或者水平切換型(In Plane Switching，IPS)或者扭轉向列型(Twisted Nematic，TN)液晶顯示面板，或者垂直配向型(Vertical Alignment，VA)型液晶顯示面板，並不限定。另外，於圖示中顯示了一第一方向D1、一第二方向D2及一第三方向D3，第一方向D1、第二方向D2及第三方向D3實質上係兩兩相互垂直。其中，第一方向D1大致與掃描線的延伸方向實質上平行，第二方向D2大致與資料線的延伸方向實質上平行，而第三方向D3可分別為實質垂直第一方向D1與第二方向D2之另一方向。或者，在不同的實施例中，第一方向D1可與資料線的延伸方向實質上平行，第二方向D2可與掃描線的延伸方向實質上平行，且第三方向D3分別為實質垂直第一方向D1與第二方向D2之另一方向，本發明亦不限定。此外，圖1C之直線P-P’係平行第一方向D1。
如圖1A及圖1B所示，顯示面板1包括一第一基板11、一第二基板12及一顯示介質層13。
第一基板11具有一顯示區AA(active area)及位於顯示區AA外圍之一週邊區PA(peripheral area)。其中，顯示區AA即為多數光線可穿過第一基板11之區域(用以顯示影像的區域)，而週邊區PA為部署週邊驅動(開關)元件及走線的區域，例如為設置閘極驅動電路的區域(Gate on Pane,GOP)。本實施例之週邊區PA是以環設於顯示區AA的外圍為例。於其他實施例中，週邊區PA亦可不環設於顯示區AA的外圍。
第一基板11與第二基板12相對而設，而顯示介質層13則夾設於第一基板11與第二基板12之間。其中，第一基板11及第二基板12為透光材質所製成，並例如為一玻璃基板、一石英基板或一塑膠基板，並不限定。本實施例之第一基板11可為一薄膜電晶體基板，而第二基板12可為一彩色濾光基板。另外，本實施例之顯示介質層13為一液晶層，並具有多數個液晶分子(圖未顯示)，使得顯示面板1為液晶顯示面板。在另一實施例中，若顯示面板1為有機發光二極體顯示面板時，則顯示介質層13可為一有機發光二極體層。在一實施例中，若有機發光二極體層發出白光時，則第二基板12可為一彩色濾光基板；在另一實施例中，若有機發光二極體層發出例如紅、綠、藍色光時，則第二基板12可為一保護基板(Cover plate)或一保護層(Barrier film)，以保護有機發光二極體層不受外界水氣或異物的污染。
如圖1C及圖1D所示，於本實施例中，顯示面板1對應於週邊區PA更可包括一第一走線14、一第一絕緣層15、一第二走線16、一第二絕緣層17、一第三絕緣層18(或稱絕緣層18)、至少一開關元件、一配向層19及一電極層E。其中，為了清楚說明本發明的特點，圖1C顯示了第一走線14、第二走線16及三個開關元件T1、T2、T3，並未顯示其他的膜層。另外，本實施例之第三絕緣層18具有二個開孔區(opening region)181、182，所謂「開孔區181、182」係表示，第三絕緣層18於開孔區181、182內被移除而不存在絕緣層。此外，於其他實施例中，開孔區可依需求而設置，其數量與形狀不限制，可為不規則形狀。
第一走線14設置於第一基板11上，並對應位於週邊區PA。於此，如圖1C所示，於開孔區181內，第一走線14係沿第一方向D1延伸。不過，在週邊區PA的不同位置時，第一走線14也可沿第二方向D2延伸，或者為斜向延伸，並不限定。第一走線14可為一導電層所形成，其材料可為金屬(例如為鋁、銅、銀、鉬、或鈦)或其合金所構成的單層或多層結構。第一走線14可用於薄膜電晶體(例如開關元件T1、T2、T3)之閘極(未標示)以及掃描線。
第一絕緣層15設置於第一走線14及第一基板11上。第一絕緣層15可為有機材質例如為有機矽氧化合物，或無機材質例如為氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、氧化鉿、或上述材質之多層結構。本實施例之第一絕緣層15係覆蓋至少部分第一走線14，並可選擇部分或全部覆蓋第一基板11。
第二走線16設置並覆蓋於第一基板11及第一走線14上。其中，於開孔區181內，第一走線14與第二走線16係交錯設置以定義出至少一交錯區X，而且第一走線14與第二走線16於交錯區X係電性絕緣。第二走線16可為一導電層，其的材質亦可為金屬(例如為鋁、銅、銀、鉬、或鈦)或其合金所構成的單層或多層結構。第二走線16可用於薄膜電晶體(例如開關元件T1、T2、T3)之汲極及源極(未標示)以及資料線。由於第一走線14與第二走線16為導電材料，且為不同層，故兩者之間因具有第一絕緣層15而電性絕緣。
第二絕緣層17設置並覆蓋於第二走線16上。第二絕緣層17可為有機材質例如為有機矽氧化合物，或無機材質例如為氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、氧化鉿、或上述材質之多層結構。
第三絕緣層18設置於第一走線14及第二走線16之上。在本實施例中，第三絕緣層18設置於第二絕緣層17上，且第三絕緣層18具有之二個開孔區181、182。其中，開孔區181對應設置於第一走線14與第二走線16之三個交錯區X，使得開孔區181可暴露出三個交錯區X。不過，在另一開孔區182內，第一走線14與第二走線16交錯設置而定義出二個交錯區(未標示)。另外，於本實施例中，開孔區181除了暴露出三個交錯 區X外，開孔區181更可暴露出部分的第一走線14及部分的第二走線16。第三絕緣層18的材料可例如為全氟烷基乙烯基醚共聚物(Polyfluoroalkoxy,PFA)。再一提的是，本實施例之開孔區181、182係為第三絕緣層18之周緣底部至底部所形成之區域。換言之，開孔區181、182內係挖空第三絕緣層18，使得開孔區181、182內沒有第三絕緣層18，且開孔區181、182的範圍係第三絕緣層18之周緣底部至底部所形成之區域。於其他實施例中，開孔區中內之交錯區的數量並不限制，端視設計需求。
另外，交錯區X於平行第一方向D1上具有相對之一第一端及一第二端，第一端至開孔區之邊緣的最短距離不等於第二端至該開孔區之邊緣的最短距離。以開孔區181為例，如1D所示，於平行第一方向D1上，左側之第一走線14的底部至開孔區181之邊緣(即第三絕緣層18之底部邊緣)的最短距離d1與右側之第一走線14的底部至開孔區181之邊緣的最短距離d2不相等(d1≠d2)。
另外，如圖1E所示，第三絕緣層18對應於部分的第一走線14上之邊緣坡度與對應於部分的第二走線16上之邊緣坡度不相同。換言之，第三絕緣層18於開孔區的邊緣在第一走線14上與在第二走線16上的坡度不相同。具體而言，以開孔區182為例，左側之配向層19的邊緣坡度與右側之配向層19的邊緣坡度不相同(即角度θ 1≠角度θ 2)，且左側之第三絕緣層18的邊緣角度與右側之第三絕緣層18的邊緣角度亦不相同(即角度θ 3≠角度θ 4)。另外，如圖1F所示，於開孔區182內更暴露出不包含第一走線14及第二走線16之一區域。以開孔區182為例，左側之配向層19的邊緣坡度與右側之配向層19的邊緣坡度不相同(即角度θ 5≠角度θ 2)。另外，左側之第三絕緣層18的邊緣角度與右側之第三絕緣層18的邊緣角度亦不相同(即角度θ 6≠角度θ 4)。換言之，第三絕緣層18於開孔區182的邊緣在例如在第一走線14上與在非第一走線14上的坡度亦不相同。於其他實施例中，第三絕緣層18於開孔區182的邊緣之第一側邊位於第一走線14上，第三絕緣層18於開孔區182的邊緣之第二側邊位於在不包含第一走線14及第二走線16之區域(圖未示)，配向層19於該第一側邊與該第二側邊上，兩側之邊緣坡度不同(即角度θ 1≠角度θ 5)；第 三絕緣層18於該第一側邊的邊緣角度與第二側邊的邊緣角度亦不相同(即角度θ 3≠角度θ 6)。
本實施例將第三絕緣層18挖穿而形成開孔區182，可適時阻斷、減少或延長水氣、氧氣沿第三絕緣層18進入到面板的路徑，藉此使得顯示面板1可提升阻水氣、氧氣能力而提高產品的可靠度。另外，本實施例於週邊區PA之第三絕緣層18形成開孔區181、182，亦可讓雜質離子因受到走線交錯區之電性影響，而容易被侷限在週邊區之開孔區181、182內(陷阱)，減少雜質離子影響顯示區AA內之顯示介質層13，進而避免雜質離子影響顯示面板1的顯示效果。此外，再一提的是，本實施例於第三絕緣層18上設置開孔區181、182以暴露出該些走線交錯區，亦可方便作電性上的測試或走線維修(repair)之用。
請再參照圖1C所示，開關元件T1、T2、T3可為一開關驅動元件，並可用以作為週邊區PA與顯示區AA內的元件的電性連接之控制開關。其中，開關元件T1、T2、T3可分別為一薄膜電晶體，並設置於第一基板11上。在本實施例中，如圖1C所示，不同位置的主動層AL1、AL2、AL3係夾置不同位置的第一走線14與第二走線16之間，且不同位置的第二走線16分別接觸主動層AL1、AL2、AL3，使得第一走線14、第二走線16及主動層AL1、AL2、AL3可形成開關元件T1、T2、T3。主動層AL1、AL2、AL3的材料例如可分別包含一氧化物半導體。其中，前述之氧化物半導體包括氧化物，且氧化物包括銦、鎵、鋅及錫其中之一，例如為氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)。在不同的實施例中，主動層AL1、AL2、AL3的材料也可分別為非晶矽(a-Si)的材料。
另外，於開關元件T1、T2、T3中，第一走線14與第二走線16分別為梳狀，且第一走線14於開關元件T1、T2、T3中，可用作該些薄膜電晶體之閘極，而第二走線16於開關元件T1、T2、T3中，可用作該些薄膜電晶體之源極及汲極。另外，本實施例之開關元件T1係鄰近於開孔區182。其中，開關元件T1的主動層AL1於平行一方向上具有一第一寬度，且於平行該方向上，開孔區182與主動層AL1間之最短距離(未標示)係大於零且小於第一寬度(0<最短距離<第一寬度)。於本實施例中，開孔 區182與主動層AL1間於平行第一方向D1上之最短距離係為開孔區182之邊緣(edge)到主動層AL1之邊緣的最短距離S1，主動層AL1於平行第一方向D1上具有第一寬度w1，且最短距離S1係大於零且小於第一寬度w1(0<最短距離S1<第一寬度w1)。其中，「開孔區182之邊緣」是指第三絕緣層18的底部邊緣，而「主動層AL1之邊緣」是指主動層AL1的底部邊緣。
於一實施例中，主動層AL1與開孔區182間於平行第一方向D1上之最短距離S1可大於1微米且小於等於20微米(1μm<最短距離S1≦20μm)。於其他實施例中，主動層AL1與開孔區182間於平行第二方向D2上之最短距離(圖未標示)可大於1微米且小於等於20微米(1μm<最短距離≦20μm)。此外，除了開孔區182之外，本實施例之開孔區181亦鄰近於開關元件T1之主動層AL1，且鄰近於開關元件T2之主動層AL2。
此外，顯示面板1於週邊區PA更可包括至少一連接孔H1，且第一走線14與第二走線16係透過連接孔H1而電連接。本實施例係以具有五個連接孔H1~H5為例。另外，開孔區181係鄰近於連接孔H1，且開孔區182係鄰近於連接孔H2。此外，連接孔H1沿一方向上具有一第二寬度，且開孔區181與連接孔H1之最短距離係大於零且小於第二寬度。於本實施例中，連接孔H1沿第二方向D2上具有第二寬度w2，且開孔區181與連接孔H1之最短距離S2係大於零且小於第二寬度w2(0<最短距離S2<第二寬度w2)。於其他實施例中，連接孔H1沿第一方向D1上亦具有一第二寬度(圖未標示)，且開孔區181與連接孔H1之最短距離(圖未標示)係大於零且小於第二寬度。
當開孔區與主動層或連接孔的最短距離符合上述設計值範圍時，可使得水氣沿絕緣層進入顯示面板時，至少於離主動層或連接孔的一定距離有挖孔區，此挖孔區可適時阻斷水氣影響主動層或連接孔之電性或可靠度。
請再參照圖1D所示，電極層E設置於第三絕緣層18上，而配向層19係設置於第二絕緣層17、第三絕緣層18及電極層E上。電極 層E的材質例如可為銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁鋅氧化物(AZO)、鎘錫氧化物(CTO)、氧化錫(SnO2)、或氧化鋅(ZnO)等透明導電材料，並不限定。另外，配向層19的材料例如但不限於為聚亞醯胺(polyimide,PI)。
承上，在本實施例中，顯示面板1於週邊區PA之第一走線14與第二走線16交錯設置以定義出至少一交錯區X，且第三絕緣層18設置於第一走線14及第二走線16上，而第三絕緣層18具有與交錯區X對應設置之一開孔區182，且開孔區182暴露出交錯區X。另外，開關元件T1鄰近開孔區182並具有主動層AL1，且開孔區182與主動層AL1間之最短距離係大於零且小於主動層AL1於平行第一方向D1的第一寬度w1。由於開關元件的主動層較怕水氣、氧氣的侵蝕而影響電性，故本實施例於鄰近主動層AL1之第三絕緣層18上將第三絕緣層18挖穿而形成開孔區182，以阻斷水氣、氧氣沿第三絕緣層18進入到開關元件的路徑，藉此使得顯示面板1可提升阻水氣、氧氣能力而提高產品的可靠度。另外，本實施例於第三絕緣層18上形成開孔區181、182，亦可讓雜質離子被侷限在開孔區181、182內(陷阱)，減少雜質離子影響顯示介質層13，進而避免雜質影響顯示面板1的顯示效果。此外，再一提的是，本實施例於第三絕緣層18上設置開孔區181、182，亦可方便作電性上的測試或維修(repair)之用。
另外，請參照圖2及圖3所示，其中，圖2為本發明較佳實施例之一種顯示裝置2的示意圖，而圖3為本發明一實施例之顯示裝置2的立體示意圖。
顯示裝置2包括一顯示面板3以及一背光模組4(Backlight Module)，顯示面板3與背光模組4相對設置。其中，顯示裝置2為一液晶顯示裝置，且顯示面板3可為上述之顯示面板1或其變化態樣，具體技術內容可參照上述，不再多作說明。當背光模組4發出的光線L穿過顯示面板3時，可透過顯示面板3之各畫素顯示色彩而形成影像。
綜上所述，因本發明之顯示面板中，位於週邊區之第一走線與第二走線交錯設置以定義出一交錯區，而絕緣層具有與交錯區對應設置之開孔區，且開孔區可暴露出交錯區。另外，開關元件鄰近開孔區並具有 一主動層，且開孔區與主動層間之最短距離係大於零且小於主動層於平行第一方向的第一寬度。由於開關元件的主動層較怕水氣、氧氣的侵蝕而影響電性，故本發明於鄰近主動層之第三絕緣層上將第三絕緣層挖穿而形成開孔區，藉此阻斷水氣、氧氣進入的路徑，使得顯示面板可提升阻水氣、氧氣能力而提高產品的可靠度。另外，本發明於週邊區的絕緣層上形成開孔區，亦可讓雜質(離子)被侷限在週邊區的開孔區內，藉此減少雜質離子影響顯示介質層，進而可避免雜質影響顯示面板的顯示效果。此外，於該些開孔區暴露出走線的交錯區，亦可利於電性量測或走線維修(repair)之用。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。
11‧‧‧第一基板
14‧‧‧第一走線
16‧‧‧第二走線
181、182‧‧‧開孔區
AL1~AL3‧‧‧主動層
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
D3‧‧‧第三方向
H1~H5‧‧‧連接孔
T1~T3‧‧‧開關元件
P-P’、Q-Q’、R-R’‧‧‧直線
PA‧‧‧週邊區
S1、S2‧‧‧最短距離
w1‧‧‧第一寬度
w2‧‧‧第二寬度
X‧‧‧交錯區

Claims (19)

  1. 一種顯示面板，包括：一第一基板，具有一顯示區與位於該顯示區外圍之一週邊區；一第二基板；一顯示介質層，設置於該第一基板與該第二基板之間；一第一走線，設置於該第一基板上，並對應位於該週邊區，且該第一走線沿一第一方向延伸；一第二走線，設置於該第一基板上，並與該第一走線交錯設置以定義出一交錯區，且該第一走線與該第二走線於該交錯區係電性絕緣；一絕緣層，設置於該第一走線及該第二走線上，該絕緣層具有一開孔區，且該開孔區暴露出該交錯區；以及一開關元件，設置於該第一基板上且鄰近該開孔區，並具有一主動層，該主動層於平行該第一方向上具有一第一寬度，且於平行該第一方向上，該開孔區與該主動層間之最短距離係大於零且小於該第一寬度，其中該開孔區內包含複數個該交錯區。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該主動層的材料為金屬氧化物半導體。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該絕緣層包含複數個該開孔區，該些開孔區係鄰近於該開關元件之該主動層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該交錯區於平行該第一方向上具有相對之一第一端及一第二端，該第一端至該開孔區之邊緣的最短距離不等於該第二端至該開孔區之邊緣的最短距離。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該開孔區更暴露出部分的該第一走線及部分的該第二走線，且該絕緣層對應於該部分的該第一走線上之邊緣坡度與對應於該部分的該第二走線上之邊緣坡度不相同。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之顯示面板，其中該開孔區更暴露出不包含該第一走線及該第二走線之一區域，且該絕緣層對應於該部分的該第一走線上之邊緣坡度與對應於該區域之邊緣坡度不相同。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，更包括：一連接孔，鄰設於該開孔區，該連接孔於實質上垂直該第一方向之一第二方向上具有一第二寬度，且該開孔區與該連接孔之最短距離係大於零且小於該第二寬度。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之顯示面板，其中該絕緣層包含複數個該開孔區，該些開孔區係鄰近該連接孔。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該顯示介質層為液晶層或有機發光二極體層。
  10. 一種顯示面板，包括：一第一基板，具有一顯示區與位於該顯示區外圍之一週邊區；一第二基板；一顯示介質層，設置於該第一基板與該第二基板之間；一第一走線，設置於該第一基板上，且該第一走線沿一第一方向延伸；一第二走線，設置於該第一基板上，並與該第一走線交錯設置以定義出一交錯區，且該第一走線與該第二走線於該交錯區係電性絕緣；一絕緣層，設置於該第一走線及該第二走線上，該絕緣層具有一開孔區，該開孔區對應位於該週邊區，且該開孔區暴露出該交錯區；以及一開關元件，設置於該第一基板上且鄰近該交錯區，並具有一主動層，且該主動層與該開孔區間之最短距離大於1微米且小於等於20微米。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之顯示面板，其中該開孔區內包含複數個該交錯區。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之顯示面板，其中該主動層的材料為金屬氧化物半導體。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之顯示面板，其中該絕緣層包含複數個該開孔區，該些開孔區係鄰近於該開關元件之該主動層。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之顯示面板，其中該交錯區於平行該第一 方向上具有相對之一第一端及一第二端，該第一端至該開孔區之邊緣的最短距離不等於該第二端至該開孔區之邊緣的最短距離。
  15. 如申請專利範圍第10項所述之顯示面板，其中該開孔區更暴露出部分的該第一走線及部分的該第二走線，且該絕緣層對應於該部分的該第一走線上之邊緣坡度與對應於該部分的該第二走線上之邊緣坡度不相同。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之顯示面板，其中該開孔區更暴露出不包含該第一走線及該第二走線之一區域，且該絕緣層對應於該部分的該第一走線上之邊緣坡度與對應於該區域之邊緣坡度不相同。
  17. 如申請專利範圍第10項所述之顯示面板，更包括：一連接孔，鄰設於該開孔區，該連接孔於實質上垂直該第一方向之一第二方向上具有一第二寬度，且該開孔區與該連接孔之最短距離係大於零且小於該第二寬度。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之顯示面板，其中該絕緣層包含複數個該開孔區，該些開孔區係鄰近該連接孔。
  19. 如申請專利範圍第10項所述之顯示面板，其中該顯示介質層為液晶層或有機發光二極體層。
TW104114324A 2015-05-05 2015-05-05 顯示面板 TWI522686B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW104114324A TWI522686B (zh) 2015-05-05 2015-05-05 顯示面板
JP2015138807A JP6072151B2 (ja) 2015-05-05 2015-07-10 表示パネル
US15/098,865 US9881969B2 (en) 2015-05-05 2016-04-14 Display panel
US15/848,673 US10074691B2 (en) 2015-05-05 2017-12-20 Display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW104114324A TWI522686B (zh) 2015-05-05 2015-05-05 顯示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI522686B true TWI522686B (zh) 2016-02-21
TW201640190A TW201640190A (zh) 2016-11-16

Family

ID=55810432

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104114324A TWI522686B (zh) 2015-05-05 2015-05-05 顯示面板

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9881969B2 (zh)
JP (1) JP6072151B2 (zh)
TW (1) TWI522686B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114743990A (zh) * 2015-10-12 2022-07-12 群创光电股份有限公司 显示面板

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100925455B1 (ko) * 2002-08-19 2009-11-06 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
JP2005234091A (ja) * 2004-02-18 2005-09-02 Hitachi Displays Ltd 表示装置
CN100440487C (zh) 2005-07-27 2008-12-03 财团法人工业技术研究院 显示器阵列与多层互补式导线的结构及制造方法
US8159422B2 (en) * 2006-09-05 2012-04-17 Canon Kabushiki Kaisha Light emitting display device with first and second transistor films and capacitor with large capacitance value
KR20100019666A (ko) * 2008-08-11 2010-02-19 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판, 이를 포함하는 액정 표시 장치, 그리고 액정 표시 장치의 제조 방법
JP2010048837A (ja) * 2008-08-19 2010-03-04 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置
JP2014021472A (ja) * 2012-07-24 2014-02-03 Mitsubishi Electric Corp 表示パネルおよび表示装置
KR102199359B1 (ko) * 2014-10-13 2021-01-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20160329357A1 (en) 2016-11-10
US20180114798A1 (en) 2018-04-26
JP6072151B2 (ja) 2017-02-01
TW201640190A (zh) 2016-11-16
US9881969B2 (en) 2018-01-30
US10074691B2 (en) 2018-09-11
JP2016212367A (ja) 2016-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20220367599A1 (en) Display device
TWI533055B (zh) 顯示面板
US9401375B2 (en) Display panel and display device
KR102007833B1 (ko) 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판
US9952473B2 (en) Display panel including light shielding line, display device having the same and method of manufacturing the same
KR101957972B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP6850540B2 (ja) 表示パネル及び表示装置
TWI628498B (zh) 顯示裝置及其顯示面板
WO2017024708A1 (zh) 显示基板及其制作方法、显示器件
KR20050047753A (ko) 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판
KR102422555B1 (ko) 표시장치
JP2011090288A (ja) 薄膜トランジスタアレイパネル及びその製造方法
KR102431348B1 (ko) 표시 장치
WO2014054558A1 (ja) 半導体装置及び表示装置
TWI581317B (zh) 薄膜電晶體基板及具備該薄膜電晶體基板之顯示面板
TWI522686B (zh) 顯示面板
JP2007093859A (ja) 液晶装置および電子機器
TWI576646B (zh) 顯示裝置
KR102244836B1 (ko) 컬러필터를 포함하는 어레이 기판
US20120056207A1 (en) Pixel array
CN106200032B (zh) 显示面板
CN105988253B (zh) 显示面板及显示装置
CN106200141B (zh) 显示装置
TW201432361A (zh) 液晶顯示裝置