JP2003229250A

JP2003229250A - 発光装置

Info

Publication number: JP2003229250A
Application number: JP2002331583A
Authority: JP
Inventors: Shunpei Yamazaki; 舜平山崎; Tomohito Murakami; 智史村上; Masayuki Sakakura; 真之坂倉; Toru Takayama; 徹高山
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2001-11-16
Filing date: 2002-11-15
Publication date: 2003-08-15
Anticipated expiration: 2022-11-15
Also published as: JP4515022B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ＴＦＴと発光素子を組み合わせて構成される
発光装置の信頼性を向上させることを目的とする。【解決手段】第１の基板と第２の基板との間に発光素
子が形成され、発光素子は、有機化合物で形成される第
１絶縁層と当該第１絶縁層の表面に形成され窒素を含む
無機絶縁体材料で形成された第２絶縁層上に形成され、
発光素子で形成される表示領域の外周部であって、当該
表示領域を囲むシールドパターンが第２絶縁層上に金属
配線で形成され、シールドパターンに接して形成された
接着性の樹脂により第１の基板と第２の基板が固着され
ているものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、蛍光又は燐光によ
り発光する発光素子を備えた発光装置に関する。特に本
発明は、絶縁ゲート型トランジスタ又は薄膜トランジス
タ等の能動素子とそれに接続する発光素子が備えられた
発光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶を用いた表示装置は、外光を利用す
る反射型を別として、通常は液晶を狭持したパネルと光
源とが組み合わされて画像を表示する仕組である。液晶
表示装置は様々な電子装置における画像表示手段として
採用されているが、視野角が狭いといった欠点を有して
いる。それに対し、エレクトロルミネセンスが得られる
発光体を表示手段として利用する表示装置は視野角が広
く、視認性も優れることから次世代の表示装置として注
目されている。

【０００３】エレクトロルミネッセンスを利用した発光
素子は、陰極から注入された電子と陽極から注入された
正孔が発光体で成る層（発光層）で再結合して励起子を
形成し、その励起子が基底状態に戻る時に放出されるエ
ネルギーを光として取り出している。エレクトロルミネ
ッセンスには蛍光と燐光とがあり、それらは励起状態に
おける一重項状態からの発光（蛍光）と、三重項状態か
らの発光（燐光）として理解されている。発光による輝
度は数千〜数万cd/m²におよぶことから、原理的に表示
装置等への応用が可能であると考えられている。

【０００４】薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）
と発光素子を組み合わせる一例として、多結晶珪素を用
いたＴＦＴの上層に二酸化珪素から成る絶縁膜を介して
有機エレクトロルミネセンス層が形成された構成が開示
されている。また、陽極上にテーパー形状に加工された
端部を有するパッシベーション層は、有機エレクトロル
ミネセンス層の下層側に位置している。また、陰極は仕
事関数が４eVより低い材料が選択され、銀又はアルミニ
ウムのような金属とマグネシウム合金化したものが適用
される（特許文献１参照）。

【０００５】発光素子を構成する有機化合物や、電極と
して用いられるアルカリ金属又はアルカリ土類金属は、
水や酸素と反応して劣化してしまうことが知られてい
る。水分による劣化を防ぐ手段として、表示領域を覆う
皿状の形状をなした保護筐体を、発光素子が形成された
基板に接着剤などで固着すると共に、保護筐体で覆われ
る内側に乾燥剤を配置する構成が知られている（例え
ば、特許文献２参照）。

【０００６】また、材質の異なる第１の基板及び第２の
基板間に表示領域が形成され、第１及び第２の基板を接
着するシールと一方の基板間に緩衝層となる平坦化膜が
形成された構成が開示されている。緩衝層となる平坦化
膜を介在させることにより、熱ストレスの影響を低減
し、シールと基板が剥離するのを防いでいる（例えば、
特許文献３参照）。

【０００７】

【特許文献１】特開平８−２４１０４７号公報

【特許文献２】特開平９−１４８０６６号公報

【特許文献３】特開２００１−１０２１６６号公報

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、発光素
子が形成された基板と保護筐体又は封止用基板をシール
により気密封止しても、ダークスポット等の水分を起因
とする劣化を防止することができなかった。発光素子に
通電して駆動すると、素子内の電流がジュール熱に変換
され発熱する。この時、構成部材の熱膨張係数の差によ
り発生する歪みによりシール部分や、積層体の屈曲部で
被膜の亀裂や破断といった不良が発生し、その部分から
ダークスポット等の進行性不良が発生することが考えら
れる。

【０００９】発光素子で形成される表示領域の周りに封
止をするシールパターンを形成する際に、シールの接着
性及び気密性を強固なものとしようとすると、画素領域
の周りでシールに費やす面積が大きくなり、所謂額縁領
域が大きくなってしまう。表示パネルを必要とする機器
にこのようなパネルを組み込むと、当該機器のサイズや
デザインに制約を与え商品としての価値が低下する。

【００１０】本発明はこのような問題点を鑑みてなされ
たものであり、ＴＦＴと発光素子を組み合わせて構成さ
れる発光装置の信頼性を向上させることを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明は、発光素子で形成される表示領域が形成
された基板と、その表示領域の外周部に形成されたシー
ルパターンに上にそれに沿って形成された樹脂材料で封
止板が固着されている発光装置である。シールドパター
ンは金属材料で形成されるものであり、リング状に幾重
にも重ね合わせて形成されていても良い。樹脂材料はそ
のシールドパターンに接して形成することで、接着強度
を高めている。本発明は、以下に示す態様を包含してい
る。

【００１２】第１の基板と第２の基板との間に発光素子
が形成され、発光素子は、有機化合物で形成される第１
絶縁層と当該第１絶縁層の表面に窒素を含む無機絶縁体
材料で形成された第２絶縁層上に形成され、発光素子で
形成される表示領域の外周部において、当該表示領域を
囲むシールドパターンが第２絶縁層上に金属配線で形成
され、シールドパターンに接して形成された接着性の樹
脂により第１の基板と第２の基板が固着されているもの
である。

【００１３】第１の基板と第２の基板との間に発光素子
が形成され、発光素子は、有機化合物で形成される第１
絶縁層と当該第１絶縁層の表面に形成され窒素を含む無
機絶縁体材料で形成された第２絶縁層上に形成され、発
光素子で形成される表示領域の外周部において、表示領
域を囲むシールドパターンが無機絶縁層上に金属配線で
形成され、第２絶縁層の上層において、有機化合物で形
成される第３絶縁層と、当該第３絶縁層の露出した上面
及び側面を覆って形成された窒素を含む無機絶縁体材料
で形成された第４絶縁層が形成され、第４絶縁層で側面
が覆われた第３絶縁層の開口部に、金属配線の上表面が
配置され、金属配線に接して形成された接着性の樹脂に
より第１の基板と第２の基板が固着されているものであ
る。

【００１４】第１の基板と第２の基板との間に発光素子
が形成され、発光素子は、有機化合物で形成される第１
絶縁層と当該第１絶縁層の表面に形成され窒素を含む無
機絶縁体材料で形成された第２絶縁層上に形成され、発
光素子で形成される表示領域の外周部において、表示領
域を囲むシールドパターンが無機絶縁層上に金属配線で
形成され、第２絶縁層の上層において、有機化合物で形
成される第３絶縁層と、当該第３絶縁層の露出した上面
及び側面を覆って形成された窒素を含む無機絶縁体材料
で形成された第４絶縁層が形成され、第４絶縁層で側面
が覆われた第３絶縁層の開口部が複数形成され、当該開
口部に金属配線の上表面が配置され、金属配線に接して
形成された接着性の樹脂により第１の基板と第２の基板
が固着されているものである。

【００１５】第１の基板と第２の基板との間に発光素子
が形成され、発光素子は、有機化合物で形成される第１
絶縁層と当該第１絶縁層の表面に形成され窒素を含む無
機絶縁体材料で形成された第２絶縁層上に形成され、発
光素子で形成される表示領域の外周部において、表示領
域を囲むシールドパターンが無機絶縁層上に金属配線で
形成され、第２絶縁層の上層において、有機化合物で形
成される第３絶縁層と、当該第３絶縁層の露出した上面
及び側面を覆って形成された窒素を含む無機絶縁体材料
で形成された第４絶縁層が形成され、第４絶縁層で側面
が覆われた第３絶縁層の開口部に、金属配線の上表面及
び側面が配置され、金属配線に接して形成された接着性
の樹脂により第１の基板と第２の基板が固着されている
ものである。

【００１６】第１の基板と第２の基板との間に発光素子
が形成され、発光素子は、有機化合物で形成される第１
絶縁層と当該第１絶縁層の表面に形成され窒素を含む無
機絶縁体材料で形成された第２絶縁層上に形成され、発
光素子で形成される表示領域の外周部において、表示領
域を囲むシールドパターンが無機絶縁層上に金属配線で
形成され、第２絶縁層の上層において、有機化合物で形
成される第３絶縁層と、当該第３絶縁層の露出した上面
及び側面を覆って形成された窒素を含む無機絶縁体材料
で形成された第４絶縁層が形成され、第４絶縁層で側面
が覆われた第３絶縁層の開口部が複数形成され、当該開
口部に金属配線の上表面及び側面が配置され、金属配線
に接して形成された接着性の樹脂により第１の基板と第
２の基板が固着されているものである。

【００１７】上記本発明の構成において、無機絶縁体材
料は、高周波スパッタリング法で作成された窒化珪素で
あることが望ましい。無機絶縁体材料は、含有する酸素
濃度が１０原子％以下、かつ、水素濃度が１０原子％以
下であることが望ましい。

【００１８】上記本発明の構成において、表示領域を囲
むシールドパターンが無機絶縁層上に金属配線で形成さ
れ、有機化合物で形成される第３絶縁層と第３絶縁層の
開口部に金属配線の上表面又は上面及び側面が配置さ
れ、金属配線に接して形成された接着性の樹脂により第
１の基板と第２の基板が固着する構成により、接着力を
強固なものとすることができ、封止をするシールパター
ンの面積を小さくすることができる。その結果、所謂額
縁領域を小さくすることができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の実施の態様を図面を用い
て詳細に説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で
実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲
から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解されものであり、
本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解
釈されるものではない。なお、本実施の形態の全体を通
して同じ要素には同じ符号を付するものとする。

【００２０】図１はアクティブマトリクス駆動方式の発
光装置の構成を説明する一例である。ＴＦＴは表示領域
を形成する画素部３０２とその周辺部に形成される駆動
回路部３０１に設けられている。ＴＦＴのチャネル形成
領域を形成する半導体層は、非晶質珪素又は多結晶珪素
が選択可能であるが、本発明はどちらを採用しても構わ
ない。

【００２１】基板１０１はガラス基板又は有機樹脂基板
が採用される。有機樹脂材料はガラス材料と比較して軽
量であり、発光装置自体の軽量化に有効に作用する。発
光装置を作製する上で適用できるものとしては、ポリイ
ミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエ
チレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォ
ン（ＰＥＳ）、アラミド等の有機樹脂材料を用いること
ができる。ガラス基板は無アルカリガラスと呼ばれる、
バリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラス
を用いることが望ましい。ガラス基板の厚さは０．５〜
１．１mmのものが採用されるが、軽量化を目的とすると
厚さは薄くする必要がある。また、さらに軽量化を図る
には比重が２．３７g/cm³と小さいものを採用すること
が望ましい。

【００２２】図１では駆動回路部３０１にｎチャネル型
ＴＦＴ３０３とｐチャネル型ＴＦＴ３０４が形成され、
表示領域を形成する画素部３０２にはｎチャネル型ＴＦ
Ｔで形成される第１ＴＦＴ３０５とｐチャネル型ＴＦＴ
で形成される第４ＴＦＴ３０６と容量部３０７が形成さ
れた構成を示している。そして、第４ＴＦＴ３０６は発
光素子３０９と接続する構成となっている。

【００２３】これらのＴＦＴは、窒化珪素又は酸化窒化
珪素から成る第１無機絶縁層１０２上に半導体層１０３
〜１０６、ゲート絶縁膜１０８、ゲート電極１１０〜１
１３により構成されるものである。ゲート電極の上層に
は、水素を含有する窒化珪素又は酸化窒化珪素からなる
第２無機絶縁層１１４が形成され、第１無機絶縁層１０
２と合わせて半導体層に水分や金属などの不純物が拡散
して汚染されないようにする保護膜として機能してい
る。

【００２４】第２無機絶縁層１１４上には、平坦化膜と
してポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アク
リル、ＢＣＢから選択される第１有機絶縁層１１５が
０．５〜１μmの厚さで形成されている。第１有機絶縁
層１１５は、スピン塗布法で当該有機化合物を塗布した
後焼成によって形成する。有機絶縁体材料は吸湿性があ
り、水分を吸蔵する性質を持っている。その水分が再放
出されると、この上層部に形成される発光素子の有機化
合物に酸素を供給して発光素子を劣化させる原因とな
る。水分の吸蔵及び再放出を防ぐため、第１有機絶縁層
１１５の上に第３無機絶縁層１１６を５０〜２００nmの
厚さで形成する。第３無機絶縁層１１６は下地との密着
性及びバリア性の観点から緻密な膜とする必要があり、
好ましくはスパッタリング法で形成される窒化珪素、酸
化窒化珪素、酸化窒化アルミニウム、窒化アルミニウム
等から選択される無機絶縁材料で形成する。

【００２５】窒素のみをスパッタガスとして用い珪素を
ターゲットして用いてスパッタリング法により作製され
た窒化珪素膜においては、膜厚が１０〜１００nm、好ま
しくは２０〜４０nmあれば十分である。同様に、スパッ
タリング法で作製される酸化窒化アルミニウム膜では、
４０nm以上に厚さが必要である。

【００２６】発光素子３０９は、第３無機絶縁層１１６
上に形成する。基板１０１を通して発光を放射する構造
とする場合は、第３無機絶縁層１１６上に陽極層１２６
としてＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）層を形成する。
ＩＴＯには平坦化や低抵抗化を目的として酸化亜鉛又は
ガリウムが添加されていても良い。配線１１７〜１２５
は陽極層１２６を形成した後に形成され、配線１２３は
表示領域を形成する画素部において、陽極層１２６と重
ね合わせて電気的接続を成している。

【００２７】画素毎を分離する第２有機絶縁層（隔壁
層）１２８はポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミ
ド、アクリル、ＢＣＢから選択される材料により形成す
る。これらは熱硬化型又は光硬化型の材料が適用可能で
ある。第２有機絶縁層（隔壁層）１２８は当該有機絶縁
体材料を０．５〜２μmの厚さで全面に形成した後、陽
極層１２６に合わせて開口部を形成する。この場合、陽
極層１２６の端部を覆うように形成し、その側壁の傾斜
角を３５〜４５度とする。第２有機絶縁層（隔壁層）１
２８は表示領域を形成する画素部３０２のみでなく、駆
動回路部３０１に渡って延在して形成され、配線１１７
〜１２５を覆って形成することで層間絶縁膜としての機
能も兼ね備えている。

【００２８】有機絶縁体材料は吸湿性があり、水分を吸
蔵する性質を持っている。その水分が再放出されると、
発光素子３０９の有機化合物に水分を供給して発光素子
を劣化させる原因となる。水分の吸蔵及び再放出を防ぐ
ため、第２有機絶縁層１２８の上に第４無機絶縁層１２
９を１０〜１００nmの厚さで形成する。第４無機絶縁層
１２９は窒化物で成る無機絶縁物材料をもって形成す
る。具体的には、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化酸
化アルミニウムから選択される無機絶縁物材料により形
成する。第４無機絶縁層１２９は、第２有機絶縁層１２
８の上面及び側面を覆って形成され、陽極層１２６に重
なる端部をテーパー形状となるように形成する。

【００２９】発光素子３０９は陽極層１２８と、アルカ
リ金属又はアルカリ土類金属を含む陰極層１３１と、そ
の間に形成される発光体を含む有機化合物層１３０をも
って形成される。発光体を含む有機化合物層１３０は一
層又は複数の層が積層されて形成されている。各層はそ
の目的と機能により、正孔注入層、正孔輸送層、発光
層、電子輸送層、電子注入層等と区別して呼ばれてい
る。これらは、低分子系有機化合物材料、中分子系有機
化合物材料、又は高分子系有機化合物材料のいずれか、
或いは、両者を適宣組み合わせて形成することが可能で
ある。また、電子輸送性材料と正孔輸送性材料を適宜混
合させた混合層、又はそれぞれの接合界面に混合領域を
形成した混合接合を形成しても良い。

【００３０】陰極層１３１は仕事関数の小さいアルカリ
金属又はアルカリ土類金属により形成され、マグネシウ
ム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）若しくはカルシウム（Ｃ
ａ）を含む材料を用いる。好ましくはＭｇＡｇ（Ｍｇと
ＡｇをＭｇ：Ａｇ＝１０：１で混合した材料）でなる電
極を用いれば良い。他にもＭｇＡｇＡｌ電極、ＬｉＡｌ
電極、また、ＬｉＦＡｌ電極が挙げられる。又は、アル
カリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物とアルミニウ
ムなどの低抵抗金属とを組み合わせて形成しても良い。
陰極層１３１は共通電極として複数の画素に渡って形成
され、表示領域を形成する画素部３０２の外側、或いは
表示領域を形成する画素部３０２と駆動回路部３０１と
の間で配線１２０に接続され、外部端子に導かれる。

【００３１】図示しないが、その上層には、窒化珪素、
ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、酸化窒化アル
ミニウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムなどか
ら選択される材料で第５無機絶縁層を形成しても良い。
特に、ＤＬＣ膜は酸素、ＣＯ、ＣＯ₂、Ｈ₂Ｏ等のガスバ
リア性が高いことが知られている。第５無機絶縁層は、
陰極１３１を形成した後、大気解放しないで連続的に形
成することが望ましい。第５無機絶縁層の下層には窒化
珪素のバッファ層を設け密着性を向上させても良い。

【００３２】また、同様に図示されていないが、陽極層
１２６と発光体を含む有機化合物層６２３との界面に
０．５〜５nmでトンネル電流が流れる程度の厚さの第６
無機絶縁層を形成しておいても良い。これは陽極表面の
凹凸に起因する短絡の防止と、陰極に用いるアルカリ金
属等が下層側に拡散するのを抑止する効果がある。

【００３３】図１では第１ＴＦＴ３０５をマルチゲート
構造とし、且つ、低濃度ドレイン（ＬＤＤ）を設けオフ
電流を低減させている。第４ＴＦＴ３０６にはゲート電
極とオーバーラップするＬＤＤを設けている。多結晶珪
素を用いたＴＦＴは、高い動作速度を示すためホットキ
ャリア効果による劣化が起こりやすい。そのため、図１
のように、画素内において機能に応じて構造の異なるＴ
ＦＴ（オフ電流の十分に低いスイッチング用ＴＦＴと、
ホットキャリア注入に強い電流制御用ＴＦＴ）を形成す
ることは、高い信頼性を有し、且つ、良好な画像表示が
可能な（動作性能の高い）発光装置を作製する上で非常
に有効である。この表示領域を形成する画素部における
上面図は図２で示されている。図２ではほぼ１画素分の
構成を示し、第１ＴＦＴ３０５、第２ＴＦＴ３１１、第
３ＴＦＴ３１２、第４ＴＦＴ３０６、容量部３０７が設
けられている。その等価回路図を図３に示す。

【００３４】勿論、ここで示す画素構成は一例であり、
本発明を構成するための必須要件とはならない。

【００３５】駆動回路部３０１の回路構成は、ゲート信
号側駆動回路とデータ信号側駆動回路とで異なるがここ
では省略する。ｎチャネル型ＴＦＴ３０３及びｐチャネ
ル型ＴＦＴ３０４には配線１１８、１１９が接続され、
これらのＴＦＴを用いて、シフトレジスタやラッチ回
路、バッファ回路等が形成することが可能である。

【００３６】入力端子部３０８はゲート電極と同一層で
形成される配線又は第３無機絶縁層１１６上に形成され
る配線で形成される。図１ではゲート電極と同一層で形
成する一例を示し、導電層１０９と１２７で形成されて
いる。導電層１２７は陽極層１２６と同時に形成される
ものであり、酸化物導電性材料で形成される。実際には
表面に露出する部分をこの酸化物導電性材料で覆うこと
により、酸化反応による表面抵抗の増大を防いでいる。

【００３７】表示領域を形成する画素部３０２に形成さ
れた第２有機絶縁層１２８は駆動回路部３０１上に延在
している。基板１０１の外周部には第３無機絶縁層上に
形成された配線１１７〜１２５と同一層で形成される金
属配線１４０から成るシールドパターンが設けられてい
る。金属配線１４０は一定電位に保持され、代表的には
接地されていることが好ましい。第２有機絶縁層１２８
はシールドパターンが形成された領域に延在し、金属配
線１４０の配置に合わせて開口部が形成されている。こ
の開口部はシールドパターンに合わせて複数個に分けて
形成されていても良い。当該シールドパターンは駆動回
路部３０１及び当該駆動回路部３０１と入力端子とを接
続する配線１１７と一部が重なって設けられても良く、
発光装置の額縁領域（画素部の周辺領域）の面積を縮小
させている。

【００３８】この開口部及びその周辺には接着性の樹脂
１３３が充填され、封止板１３４が固着される。封止板
１３４にはステンレス鋼やアルミニウムなどの金属を用
いることができる。また、ガラス基板などを適用しても
良い。接着性の樹脂１３３と封止板１３４で囲まれた内
側には、酸化バリウムなどの乾燥剤１３５を封入して、
水分による劣化を防ぐこともできる。封止板の厚さは３
０〜１２０μm程度の有機樹脂材料を使って可撓性を持
たせても良い。その表面にはガスバリア層としてＤＬＣ
や窒化珪素など無機絶縁体から成る被膜を形成しておい
ても良い。シールドパターン上に接着性の樹脂１３３で
形成されているシールパターンに用いられる材料の一例
はエポキシ系接着剤であり、その側面部も無機絶縁体か
ら成る被膜で覆うことによりその部分から浸透する水蒸
気を防ぐことができる。

【００３９】接着性の樹脂１３３としては、紫外線硬化
型アクリル樹脂や、カチオン紫外線硬化型エポキシ樹脂
を用いることができる。

【００４０】封止板１３４と発光素子３０９が形成され
た基板１０１との接着強度は、このシールドパターン上
の第２有機絶縁層１２８及び第４無機絶縁層１２９に形
成された開口部によって高められている。接着性の樹脂
１３３は第４無機絶縁層１２９又は金属配線１４０と接
しその部分で接着する。当該開口部による凹凸形状は、
接着性の樹脂１３３が硬化する時の応力を緩和し、密着
性を高める効果がある。また、接着性の樹脂１３３との
接着性を高める目的においては、金属配線１４０の最表
面を窒化チタンで形成しても良い。

【００４１】図１６は発光素子３０９が形成された基板
１０１と封止板１３５とが固着される他の形態を示して
いる。図１６（Ａ）では、第３無機絶縁層１１６、第１
有機絶縁層１１５、第２無機絶縁層１１４にコンタクト
ホールが形成され、金属配線１４０に凹部１３６が形成
された構成である。この凹部１３６は、金属配線１４０
に沿って全周に渡って形成されていても良いし、離散的
に形成されていても良い。この凹凸形状によっても、接
着性の樹脂１３３の応力が緩和され、強固な接着強度を
得ることができる。

【００４２】図１６（Ｂ）で示すように、金属配線１４
０は一つとしても良く、その場合、第２有機樹脂絶縁層
１２８と第４無機絶縁層１２９により形成される凹凸形
状を、当該配線上に作り込んでも良い。このような構成
によっても同様な効果を得ることができる。

【００４３】また、図１７（Ａ）は金属配線１４０の上
面及び側面とで接着性の樹脂１３３が接触している構成
を示している。図１７（Ｂ）はその詳細を示している。
金属配線１４０は低抵抗材料としてアルミニウムを主成
分とする材料が適用されるが、アルミニウムは腐食しや
すく、また珪素との接触すると２００℃以下でも拡散す
る性質を有している。従って、図１７（Ｂ）で示す様に
金属配線はしばしば積層構造が適用される。代表的な構
成は、第１金属層１４０ａ及び第３金属層１４０ｃを高
融点金属又は当該金属を含む合金又はシリサイドで形成
し、第２金属層１４０ｂにアルミニウムなどの低抵抗金
属を適用する。例えば、第１金属層１４０ａを１００nm
のチタンで、第２金属層１４０ｂを３００nmのアルミニ
ウムで、第３金属層１４０ｃを１５０nmの窒化チタンで
形成することができる。第２金属層１４０ｂであるアル
ミニウムの側端面は酸化し、実際には接着性の樹脂１３
３と酸化アルミニウムが接触することにより接着強度を
高めている。

【００４４】尚、図１で示すように、半導体層１０５、
１０６の下層側（基板１０１側）には、第１無機絶縁層
１０２が形成されている。その反対の上層側には第２無
機絶縁層１１４が形成されている。一方、発光素子３０
９の下層側には第３無機絶縁層１１６が形成されてい
る。上層側には第５無機絶縁層１３２を形成しても良
い。また、その間には第４無機絶縁層１２９が形成され
ている。これらは全て無機絶縁体材料で形成されるもの
である。そして、その中に発光素子３０９が形成される
構造となっている。

【００４５】第１ＴＦＴ３０５や第４ＴＦＴ３０６に対
しナトリウム等のアルカリ金属の汚染源として基板１０
１や発光素子３０９が考えられるが、第１無機絶縁層１
０２と第２無機絶縁層１１４で囲むことによりそれを防
ぐことができる。一方、発光素子３０９は酸素や水分を
最も嫌うため、それを防ぐために第３無機絶縁層１１
６、第４無機絶縁層１２９、第５無機絶縁層１３２が無
機絶縁体材料で形成されその汚染を防いでいる。これら
は発光素子３０９が有するアルカリ金属元素をＴＦＴ側
に出さないための機能も備えている。

【００４６】図４は図１を用いて説明した発光装置の構
成要素を具備する基板の外観図を示している。基板１０
１には表示領域を形成する画素部３０２、ゲート信号側
駆動回路３０１ａ、３０１ｂ、データ信号側駆動回路３
０１ｃ、陰極層の接続部３１０、入出力端子部３０８、
配線又は配線群１１７が備えられている。シールドパタ
ーンを形成する金属配線１４０はゲート信号側駆動回路
３０１ａ、３０１ｂ、データ信号側駆動回路３０１ｃ及
び当該駆動回路部と入力端子とを接続する配線又は配線
群１１７と一部が重なっていても良い。金属配線１４０
が形成するリング状のパターンは一重でも良いし複数本
用いた多重パターンとしても良い。また、図４の挿入図
（Ａ）で示すように連続した線状のパターンとしても良
いし、（Ｂ）に示すように不連続の点線状のパターンを
重ね合わせても良い。このようにすると、発光装置の額
縁領域（画素部の周辺領域）の面積を縮小させることが
できる。外部入力端子部には、ＦＰＣ１３６が固着され
ている。

【００４７】図４で示す発光装置の側端部Ｂ−Ｂ'線の
断面構造を図５で示している。この部分においても、金
属配線１４０から成るシールドパターンが設けられてい
る。第２有機絶縁層１２８はシールドパターンが形成さ
れた領域に延在し、金属配線１４０の配置に合わせて開
口部が形成されている。この開口部は図示するようにシ
ールドパターンに合わせて複数個に分けて形成されてい
ても良い。この開口部及びその周辺には接着性の樹脂１
３３が充填され、封止板１３４が固着される。金属配線
１４０には凹部が形成されていても良く、この凹形状に
よっても、接着性の樹脂１３３の応力が緩和され、強固
な接着強度を得ることができる。

【００４８】このように、ＴＦＴと発光装置を組み合わ
せて表示領域を形成する画素部を形成し、発光装置を完
成させることができる。このような発光装置はＴＦＴを
用いて駆動回路を同一基板上に形成することもできる。
図１で示すように、ＴＦＴの主要構成要素である半導体
膜、ゲート絶縁膜及びゲート電極を、その下層側及び上
層側を窒化珪素又は酸化窒化珪素から成るブロッキング
層と保護膜により囲むことにより、アルカリ金属や有機
物の汚染を防ぐ構造を有している。一方発光素子はアル
カリ金属を一部に含み、窒化珪素又は酸化窒化珪素又は
ＤＬＣ膜から成る保護膜と、窒化珪素又は炭素を主成分
とする絶縁膜から成るガスバリア層とで囲まれ、外部か
ら酸素や水分が浸入することを防ぐ構造を有している。

【００４９】

【実施例】[実施例１]本実施例は図１に示す発光装置を
作製する工程について、図面を参照しながら詳細に説明
する。

【００５０】図６（Ａ）において、基板１０１はガラス
基板、石英基板、セラミック基板などを用いることがで
きる。また、珪素基板、金属基板またはステンレス基板
の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。また、
本実施例の処理温度に耐える耐熱性を有するプラスチッ
ク基板を用いてもよい。

【００５１】基板１０１上に酸化珪素膜、窒化珪素膜ま
たは酸化窒化珪素膜（ＳｉＯ_xＮ_y）等の絶縁膜から成る
第１無機絶縁層１０２を形成する。代表的な一例は２層
構造を有し、ＳｉＨ₄、ＮＨ₃、及びＮ₂Ｏを反応ガスと
して成膜される第１酸化窒化珪素膜を５０nm、Ｓｉ
Ｈ₄、及びＮ₂Ｏを反応ガスとして成膜される第２酸化窒
化珪素膜を１００nmの厚さに積層形成する構造が採用さ
れる。

【００５２】活性層とする半導体膜は、第１無機絶縁層
１０２上に形成した非晶質半導体膜を結晶化して得る。
非晶質半導体膜は３０〜６０nmの厚さで形成し、加熱処
理やレーザー光の照射により結晶化させる。非晶質半導
体膜の材料に限定はないが、好ましくは珪素またはシリ
コンゲルマニウム（Ｓｉ_1-xＧｅ_x；０＜ｘ＜１、代表的
には、ｘ＝０．００１〜０．０５）合金などで形成する
と良い。

【００５３】代表的な一例は、プラズマＣＶＤ法により
ＳｉＨ₄ガスを用いて、非晶質珪素膜を５４nmの厚さに
形成する。結晶化は、パルス発振型または連続発振型の
エキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ₄レーザ
ー、ＹＬＦレーザーを用いることができる。ＹＡＧレー
ザー、ＹＶＯ₄レーザー、ＹＬＦレーザーを用いる場合
には、その第２高調波〜第４高調波を利用する。これら
のレーザーを用いる場合には、レーザー発振器から放出
されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体膜に照
射する方法を用いると良い。結晶化の条件は、実施者が
適宜選択すればよい。

【００５４】結晶化法として、ニッケルなどの半導体の
結晶化に対し触媒作用のある金属元素を添加して結晶化
させても良い。例えば、ニッケルを含有する溶液を非晶
質珪素膜上に保持させた後、脱水素化（５００℃、１時
間）続けて熱結晶化（５５０℃、４時間）を行い、更に
結晶性を向上させるためＹＡＧレーザー、ＹＶＯ₄レー
ザー、ＹＬＦレーザーから選ばれた連続発振レーザー光
の第２高調波を照射する。

【００５５】その後、得られた結晶性半導体膜をフォト
マスク（１）を用いて写真蝕刻法により所望の形状にエ
ッチング処理し、島状に分離された半導体層１０３〜１
０７を形成する。また、半導体層１０３〜１０７を形成
した後、ｎチャネル型ＴＦＴのしきい値電圧を制御する
ためにｐ型を付与する不純物元素を添加してもよい。半
導体に対してｐ型を付与する不純物元素には、ボロン
（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）など
周期律第１３族元素が知られている。

【００５６】次いで、図６（Ｂ）で示すように、島状に
分離された半導体層１０３〜１０７を覆うゲート絶縁膜
１０８を形成する。ゲート絶縁膜１０８はプラズマＣＶ
Ｄ法やスパッタ法で、酸化珪素又は酸化窒化珪素などの
無機絶縁体材料を用いて形成し、その厚さを４０〜１５
０nmとして珪素を含む絶縁膜で形成する。勿論、このゲ
ート絶縁膜は、珪素を含む絶縁膜を単層或いは積層構造
として用いることができる。

【００５７】酸化珪素膜を用いる場合には、プラズマＣ
ＶＤ法でＴＥＯＳ（Tetraethyl Ortho Silicate）とＯ₂
を混合し、反応圧力４０Ｐａ、基板温度３００〜４００
℃とし、高周波（１３．５６MHz）電力密度０．５〜
０．８W/cm²で放電させて１１５nmの厚さで形成する。

【００５８】ゲート絶縁膜１０８上には、ゲート電極を
形成する目的で、膜厚１０〜５０nmの窒化タンタル（Ｔ
ａＮ）から成る第１導電膜１０と、膜厚１００〜４００
nmのタングステン（Ｗ）から成る第２導電膜１１とを積
層形成する。ゲート電極を形成するための導電性材料と
してはＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた
元素、または当該元素を主成分とする合金材料もしくは
化合物材料で形成する。また、リン等の不純物元素をド
ーピングした多結晶珪素膜に代表される半導体膜を用い
てもよい。また、第１導電膜をタンタル（Ｔａ）膜で形
成し、第２導電膜をＷ膜とする組み合わせ、第１導電膜
を窒化タンタル（ＴａＮ）膜で形成し、第２導電膜をＡ
ｌ膜とする組み合わせ、第１導電膜を窒化タンタル（Ｔ
ａＮ）膜で形成し、第２導電膜をＣｕ膜とする組み合わ
せとしてもよい。

【００５９】次に、フォトマスク（２）を用いて図６
（Ｃ）に示すように、写真蝕刻法によりゲート電極パタ
ーンが形成されるマスク１２を形成する。その後、ドラ
イエッチング法により第１エッチング処理を行う。エッ
チングには例えばＩＣＰ（Inductively Coupled Plasm
a：誘導結合型プラズマ）エッチング法が適用される。
エッチング用ガスに限定はないが、ＷやＴａＮのエッチ
ングにはＣＦ₄とＣｌ₂とＯ ₂とを用いると良い。第１エ
ッチング処理では、基板側には所定のバイアス電圧を印
加して、形成される電極パターン１３〜１７の側面に１
５〜５０度の傾斜角を持たせる。第１エッチング処理に
よりゲート絶縁膜として形成される絶縁膜表面は１０〜
３０nm程度薄くなる領域が形成される。

【００６０】この後、図６（Ｄ）で示すように第２エッ
チング条件に変え、エッチング用ガスにＳＦ₆とＣｌ₂と
Ｏ₂とを用い、基板側に印加するバイアス電圧を所定の
値として、Ｗ膜の異方性エッチングを行う。こうして、
ゲート電極１１０〜１１３及び、入力端子部の配線１０
９を形成する。その後、マスク１２は除去する。第２エ
ッチング処理によりゲート絶縁膜として形成される絶縁
膜表面はさらに１０〜３０nm程度薄くなる領域が形成さ
れる。

【００６１】ゲート電極が形成された後、図７（Ａ）で
示すように第１ドーピング処理を行い、半導体層に第１
ｎ型不純物領域１８〜２２を形成する。この第１ｎ型不
純物領域はゲート電極がマスクとなり自己整合的に形成
されるものである。ドーピング条件は適宜設定すれば良
いが、水素希釈５％のＰＨ₃を用い、５０kV、６×１０
¹³/cm²のドーズ量で注入する。

【００６２】次いで、図７（Ｂ）に示すように、フォト
マスク（３）を用い、写真蝕刻法によりマスク２３を形
成し第２ドーピング処理を行う。第２ドーピング処理は
水素希釈５％のＰＨ₃を用い、６５kV、３×１０¹⁵/cm²
のドーズ量で行い、第２ｎ型不純物領域２４、２５と第
３ｎ型不純物領域２６を形成する。半導体層１０３には
ゲート電極がマスクとなり自己整合的に形成されるもの
であり、ゲート電極の外側に形成される第２ｎ型不純物
領域２４と、ゲート電極と重なる位置に形成される第３
ｎ型不純物領域２６が形成される。半導体層１０５には
マスク２３により形成される第２ｎ型不純物領域２５が
形成される。

【００６３】図７（Ｃ）では、フォトマスク（４）を用
いて写真蝕刻法によりマスク２７を形成し第３ドーピン
グ処理を行う。第３のドーピング処理は、水素希釈５％
のＢ ₂Ｈ₆を用い、８０kV、２×１０¹⁶/cm²のドーズ量で
行い、半導体層１０４、１０６、１０７にｐ型不純物領
域２８〜３０を形成する。

【００６４】以上までの工程でそれぞれの半導体層にｎ
型またはｐ型の導電型を有する不純物領域が形成され
る。図８（Ａ）で示すように、半導体層１０３において
第２ｎ型不純物領域２４はソース又はドレイン領域、第
３ｎ型不純物領域２６はＬＤＤ領域として機能する。半
導体層１０４においてｐ型不純物領域２８はソース又は
ドレイン領域として機能する。半導体層１０５におい
て、第２ｎ型不純物領域２５はソース又はドレイン領域
として機能し、第１ｎ型不純物領域２０はＬＤＤ領域と
して機能する。半導体層１０６において、ｐ型不純物領
域２９はソース又はドレイン領域として機能する。

【００６５】そして、ほぼ全面を覆う第２無機絶縁層１
１４を形成する。第２無機絶縁層１１４は、プラズマＣ
ＶＤ法またはスパッタリング法を用い、厚さを１００〜
２００nmとして珪素と水素を含む無機絶縁体材料で形成
する。その好適な一例は、プラズマＣＶＤ法により形成
される膜厚１５０nmの酸化窒化珪素膜である。

【００６６】第２無機絶縁層１１４を形成した後、それ
ぞれの半導体層に添加された不純物元素を活性化処理す
る工程を行う。この活性化はファーネスアニール炉また
はクリーンオーブンを用いて加熱処理を行うことで実現
する。加熱処理の温度は窒素雰囲気中で４００〜７００
℃、代表的には４１０〜５００℃で行う。なお、この他
に、レーザーアニール法、またはラピッドサーマルアニ
ール法（ＲＴＡ法）を適用することができる。

【００６７】次いで、図８（Ｂ）に示すように、第２無
機絶縁層１１４上に第１有機絶縁層１１５を０．５〜１
μmの厚さで形成する。有機絶縁体材料としては熱硬化
型のアクリル材料を用い、スピン塗布後、２５０℃で焼
成することにより平坦性のある被膜を形成することがで
きる。さらにその上に、第３無機絶縁層１１６を５０〜
１００nmの厚さで形成する。

【００６８】第３無機絶縁層１１６を形成するに当たっ
ては、第２有機絶縁層１１４が形成された基板を減圧下
において８０〜２００℃で加熱処理を行い脱水処理をす
る。第３無機絶縁層１１６を形成するのに適した材料の
一例は、珪素をターゲットとして用い、スパッタリング
法により作製される窒化珪素膜である。成膜条件は適宜
選択すれば良いが、特に好ましくはスパッタガスには窒
素（Ｎ₂）又は窒素とアルゴンの混合ガスを用い、高周
波電力を印加してスパッタリングを行う。基板温度は室
温の状態とし、加熱手段を用いなくても良い。具体的な
一例は、珪素をターゲットとして用い、１３．５６MHz
の高周波電力を印加して、窒素ガスのみスパッタリング
法により形成した窒化珪素膜である。ターゲットは硼素
が添加され１〜２Ωsq.の珪素であり、窒素ガスのみを
供給して０．４Pa、８００Wの高周波電力（１３．５６M
Hz）である。ターゲットのサイズは直径１５２．４mmで
ある。

【００６９】次いで、図９（Ａ）に示すように、フォト
マスク（５）を用い、写真蝕刻によりマスクパターンを
形成し、ドライエッチングによりコンタクトホール３０
及び入力端子部の開口３１を形成する。ドライエッチン
グの条件は、ＣＦ₄、Ｏ₂、Ｈｅを用いて第３無機絶縁層
１１６と第１有機絶縁層１１５とをエッチングし、その
後、ＣＨＦ₃を用いて第２無機絶縁層１１４とゲート絶
縁膜１０８をエッチングする。

【００７０】その後、厚さ３０〜１２０nmのＩＴＯをス
パッタリング法で形成し、フォトマスク（６）を用いて
写真蝕刻により所定のパターンに形成する。これによ
り、発光素子の陽極層１２６が形成され、また、入力端
子部において配線上にＩＴＯ膜１２７が形成される。

【００７１】その後、図９（Ｂ）で示すように、Ａｌ、
Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗなどを用いて配線及び画素電極を形成す
る。配線の形成にはフォトマスク（７）を用いる。例え
ば、膜厚５０〜２５０nmのＴｉ膜と、膜厚３００〜５０
０nmの合金膜（ＡｌとＴｉとの合金膜）との積層膜を用
いる。こうして、配線１１７〜１２５を形成する。

【００７２】さらに図１０で示すように、第２有機絶縁
層１２８を形成する。これは第１有機絶縁層１１５と同
様にアクリル材料を用いて形成する。そして、フォトマ
スク（８）を用いて陽極層１２６上、陰極層の接続部３
１０、及び入力端子部に開口部を形成する。第２有機絶
縁層１２８は、陽極層１２６の端部を覆うように形成し
その側壁の傾斜角を３５〜４５度とする。

【００７３】有機絶縁体材料は吸湿性があり、水分を吸
蔵する性質を持っている。水分の吸蔵及び再放出を防ぐ
ため、第２有機絶縁層１２８の上に第４無機絶縁層１２
９を１０〜１００nmの厚さで形成する。第４無機絶縁層
１２９は窒化物で成る無機絶縁物材料をもって形成す
る。第３無機絶縁層１２９は、スパッタリング法により
作製される窒化珪素膜を用いる。これは第４無機絶縁層
１１６と同様なものが適用される。第４無機絶縁層１２
９は、第２有機絶縁層１２８の上面及び側面を覆って形
成され、陽極層１２６に重なる端部をテーパー形状とな
るように形成する。

【００７４】開口部３１０は発光素子３０９の陰極層と
配線１２０を接続するコンタクト部である。この開口部
３１０は画素部の周辺に設けるものであり、陰極層の抵
抗が問題となる場合は、この開口部３１０を複数箇所設
けても良い。

【００７５】その後、図１１で示すように発光体を含む
有機化合物層１３０、陰極層１３１などを形成し、封止
板を固着することにより図１で示す発光装置を作製する
ことができる。以上のように９枚のフォトマスクを用い
て発光装置を作製することができる。

【００７６】尚、本実施例では、第３無機絶縁層１１６
側から陽極層１２６、有機化合物層１３０、陰極層１３
１の順に積層する発光素子３０９について例示したが、
本発明はこれに限定されず、第３無機絶縁層１１６側か
ら逆の順番に積層した発光素子としても良い。

【００７７】[実施例２]本実施例は、実施例１と異なる
工程で発光装置を作製する一例を図面を用いて説明す
る。

【００７８】まず、実施例１と同様な工程により、図８
（Ｂ）で示す第１有機絶縁層１１５及び第３無機絶縁層
１１６までを形成する。その後、図１２（Ａ）で示すよ
うに、第３無機絶縁層１１６上にＩＴＯ３２を形成す
る。

【００７９】その後、図１２（Ｂ）で示すように、ＩＴ
Ｏをエッチングして陽極層１２６を形成し、その後コン
タクトホール３０を形成する。このエッチング処理によ
り、入力端子部における端子１０９を同時に露出させる
ことができる。そして、図１２（Ｃ）で示すように、Ａ
ｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗなどを用いて配線及び画素電極を形
成する。配線は実施例１と同様に形成すれば良い。配線
１４１は端子１０９上に被覆させることができ、この構
成により入力端子の低抵抗化を図ることができる。

【００８０】さらに図１３で示すように、第２有機絶縁
層１２８を形成する。これは第１有機絶縁層１１５と同
様にアクリル樹脂材料を用いて形成する。そして、陽極
層１２６上、陰極層の接続部３１０、及び入力端子部に
開口部を形成する。第２有機絶縁層１２８は、陽極層１
２６の端部を覆うように形成しその側壁の傾斜角を３５
〜４５度とする。

【００８１】第２有機絶縁層１２８の上には、第４無機
絶縁層１２９を１０〜１００nmの厚さで形成する。第４
無機絶縁層１２９は窒化物で成る無機絶縁物材料をもっ
て形成する。第４無機絶縁層１２９は、スパッタリング
法により作製される窒化珪素膜を用いる。これは第３無
機絶縁層１１６と同様なものが適用される。第４無機絶
縁層１２９は、第２有機絶縁層１２８の上面及び側面を
覆って形成され、陽極層１２６に重なる端部をテーパー
形状となるように形成する。

【００８２】その後、発光体を含む有機化合物層、陰極
層、シールパターンなどを形成し、封止板を固着するこ
とにより発光装置を作製することができる。ここで作製
される発光装置においても、駆動回路部３０１に、ｎチ
ャネル型ＴＦＴ３０３、ｐチャネル型ＴＦＴ３０４、画
素部３０２に第１ＴＦＴ３０５、第２ＴＦＴ３０６、容
量部３０７が形成されている。

【００８３】[実施例３]本実施例は、実施例１と異なる
工程で発光装置を作製する一例を図面を用いて説明す
る。

【００８４】まず、実施例１と同様な工程により、図８
（Ｂ）で示す第１有機絶縁層１１５及び第３無機絶縁層
１１６までを形成する。その後、図１４（Ａ）で示すよ
うに、コンタクトホール３０を形成する。このエッチン
グ処理により、入力端子部における端子１０９を同時に
露出させることができる。

【００８５】そして、図１４（Ｂ）で示すように、Ａ
ｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗなどを用いて配線及び画素電極を形
成する。配線は実施例１と同様に形成すれば良い。配線
１４１は端子１０９上に被覆させることができ、この構
成により入力端子の低抵抗化を図ることができる。

【００８６】その後、ＩＴＯ膜を形成し、エッチングし
て陽極層１２６を形成する。この工程順によれば、入力
端子部の配線１４１上にＩＴＯ１２７を被覆させること
ができ、ＦＰＣとの接触抵抗が高くなってしまうのを防
ぐことができる。

【００８７】さらに図１５で示すように、第２有機絶縁
層１２８を形成する。これは第１有機絶縁層１１５と同
様にアクリル材料を用いて形成する。そして、陽極層１
２６上、陰極層の接続部３１０、及び入力端子部に開口
部を形成する。第２有機絶縁層１２８は、陽極層１２６
の端部を覆うように形成しその側壁の傾斜角を３５〜４
５度とする。

【００８８】その上には、第２有機絶縁層１２８の上に
第４無機絶縁層１２９を１０〜１００nmの厚さで形成す
る。第４無機絶縁層１２９はは窒化物の無機絶縁物材料
で形成する。第４無機絶縁層１２９は、スパッタリング
法により作製される窒化珪素膜を用いる。これは第４無
機絶縁層１１６と同様なものが適用される。第４無機絶
縁層１２９は、第２有機絶縁層１２８の上面及び側面を
覆って形成され、陽極層１２６に重なる端部をテーパー
形状となるように形成する。

【００８９】その後、発光体を含む有機化合物層、陰極
層、シールパターンなどを形成し、透光性の封止板１３
５を固着することにより発光装置を作製することができ
る。ここで作製される発光装置においても、駆動回路部
３０１にｎチャネル型ＴＦＴ３０３、ｐチャネル型ＴＦ
Ｔ３０４、画素部３０２に第１ＴＦＴ３０５、第２ＴＦ
Ｔ３０６、容量部３０７が形成されている。

【００９０】以上のように、本実施例によれば、封止板
１３５を通して発光素子３０９からの光を放射する、上
方放射型の発光装置を作製することができる。

【００９１】[実施例４]本実施例は、実施例１〜３でＴ
ＦＴに適用する半導体層の作製方法の一実施例を図１８
を用いて説明する。本実施例は、絶縁表面上に形成され
た非晶質珪素膜に連続発振レーザー光を走査して結晶化
させるものである。

【００９２】図１８（Ａ）において、ガラス基板４０１
上に１００nmの酸化窒化珪素膜でなるバリア層４０２が
形成されている。その上にプラズマＣＶＤ法で形成され
た非晶質珪素膜４０３が５４nmの厚さに形成されてい
る。

【００９３】レーザー光はＮｄ:ＹＶＯ₄レーザー発振装
置から連続発振により放射される連続光であり、波長変
換素子により得られる第２高調波（５３２nm）である。
連続発振レーザー光は光学系により長楕円形状に集光さ
れ、基板４０１とレーザー光４０５の照射位置を相対的
に移動させることにより非晶質珪素膜４０３を結晶化さ
せ結晶性珪素膜４０４を形成する。光学系としてはＦ２
０のシリンドリカルレンズが適用され、これによりΦ
２．５mmのレーザー光を照射面において長軸２．５mm、
短軸２０μmの長楕円形状とすることができる。

【００９４】勿論、レーザー発振装置としては他を適用
することも可能であり、連続発振の固体レーザー発振装
置としてはＹＡＧ、ＹＶＯ₄、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ₃などの
結晶にＣｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ又は
Ｔｍをドープした結晶を使ったレーザー発振装置を適用
することができる。

【００９５】Ｎｄ:ＹＶＯ₄レーザー発振装置の第２高調
波（５３２nm）を用いる場合、当該波長はガラス基板４
０１及びバリア層４０２を透過するので、図１８（Ｂ）
で示すようにガラス基板４０１側からレーザー光４０５
を照射しても良い。

【００９６】こうして、レーザー光４０５が照射された
領域から結晶化が進み、結晶性珪素膜４０４を形成する
ことができる。レーザー光の走査は一方向のみの走査で
なく、往復走査をしても良い。往復走査する場合には１
回の走査毎にレーザーエネルギー密度を変えて、段階的
に結晶成長をさせることも可能である。また、非晶質珪
素膜を結晶化させる場合にしばしば必要となる水素出し
の処理を兼ねることも可能であり、最初に低エネルギー
密度で走査し、水素を放出した後、エネルギー密度を上
げて２回目に走査で結晶化を完遂させても良い。このよ
うな作製方法によっても同様にレーザー光の走査方向に
結晶粒が延在する結晶性半導体膜を得ることができる。
その後、島状に分割した半導体層を形成し、実施例１に
適用することができる。

【００９７】尚、本実施例で示す構成は一例であり、同
様な効果が得られるものであれば他のレーザー発振装置
や光学系との組み合わせを適用しても良い。

【００９８】[実施例５]本実施例は、実施例１〜３でＴ
ＦＴに適用する半導体層の作製方法の一実施例を図１９
を用いて説明する。本実施例は、絶縁表面上に形成され
た非晶質珪素膜を予め結晶化しておき、さらに連続発振
レーザー光により結晶の大粒径化を図るものである。

【００９９】図１９（Ａ）に示すように、実施例１と同
様にガラス基板５０１上にブロッキング層５０２、非晶
質珪素膜５０３を形成する。その後、結晶化温度の低温
化と結晶成長を促進させる金属元素としてＮｉを添加す
るため、酢酸ニッケル塩が５ppmの水溶液をスピン塗布
して触媒元素含有層５０４を形成する。

【０１００】その後、図１９（Ｂ）で示すように５８０
℃、４時間の加熱処理により非晶質珪素膜を結晶化させ
る。結晶化はＮｉの作用により非晶質珪素膜中にシリサ
イドを形成しながら拡散してそれと同時に結晶成長す
る。こうして形成された結晶性珪素膜５０６は棒状また
は針状の結晶が集合して成り、その各々の結晶は巨視的
にはある特定の方向性をもって成長しているため結晶性
が揃っている。また、｛１１０｝面の配向率が高いとい
う特徴がある。

【０１０１】その後、図１９（Ｃ）で示すように連続発
振レーザー光５０８を走査して結晶性珪素膜５０６の結
晶性を向上させる。レーザー光の照射により結晶性珪素
膜は溶融し再結晶化する。この再結晶化に伴って、レー
ザー光の走査方向に結晶粒が延在するように結晶成長が
成される。この場合、予め結晶面が揃った結晶性珪素膜
が形成されているので、異なる面の結晶の析出や転位の
発生を防ぐことができる。その後、島状に分割した半導
体層を形成し、実施例１〜３に適用することができる。

【０１０２】[実施例６]本実施例は、実施例１でＴＦＴ
に適用する半導体層の作製方法の一実施例を図２０を用
いて説明する。

【０１０３】図２０（Ａ）に示すように、実施例３と同
様にガラス基板５１１上にブロッキング層５１２、非晶
質珪素膜５１３を形成する。その上にマスク絶縁膜５１
４として１００nmの酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法で形
成し、開口部５１５を設ける。その後、触媒元素として
Ｎｉを添加するため、酢酸ニッケル塩が５ppmの水溶液
をスピン塗布する。Ｎｉは開口部５１５で非晶珪素膜と
接する。

【０１０４】その後、図２０（Ｂ）で示すように５８０
℃、４時間の加熱処理により非晶質珪素膜を結晶化させ
る。結晶化は触媒元素の作用により、開口部５１５から
基板表面と平行な方向に成長する。こうして形成された
結晶性珪素膜５１７は棒状または針状の結晶が集合して
成り、その各々の結晶は巨視的にはある特定の方向性を
もって成長しているため結晶性が揃っている。また、特
定方位の配向率が高いという特徴がある。

【０１０５】加熱処理が終了したらマスク絶縁膜５１４
をエッチング除去することにより図２０（Ｃ）で示すよ
うな結晶性珪素膜５１７を得ることができる。その後、
島状に分割した半導体層を形成し、実施例１に適用する
ことができる。

【０１０６】[実施例７]実施例５又は６において、結晶
性珪素膜５１７を形成した後、膜中に１０¹⁹/cm³以上の
濃度で残存する触媒元素をゲッタリングにより除去する
工程を加えても良い。

【０１０７】図２１で示すように、結晶性珪素膜５０７
上に、薄い酸化珪素膜で成るバリア層５０９を形成し、
その上にゲッタリングサイト５１０としてアルゴン又は
リンが１×１０²⁰/cm³〜１×１０²¹/cm³添加された非晶
質珪素膜をスパッタリング法で形成する。

【０１０８】その後、ファーネスアニール炉による６０
０℃、１２時間の加熱処理、又はランプ光又は加熱され
た気体を加熱手段とするＲＴＡにより６５０〜８００
℃、３０〜６０分の加熱処理により、触媒元素として添
加されているＮｉをゲッタリングサイト５１０に偏析さ
せることができる。この処理により結晶性珪素膜５０７
の触媒元素濃度は１０¹⁷/cm³以下とすることができる。

【０１０９】同様な条件で行われるゲッタリング処理は
実施例４で作製される結晶性珪素膜に対しても有効であ
る。非晶質珪素膜にレーザー光を照射して形成される結
晶性珪素膜中に含まれる微量の金属元素をこのゲッタリ
ング処理で除去することができる。

【０１１０】[実施例８]実施例１で示す本発明のアクテ
ィブマトリクス駆動方式の発光装置において、画素部３
０２における異なる構成を図２３と図２４に示す。これ
は画素部に遮光膜を設けた構成であり、発光素子３０９
が形成された以外の領域を遮光膜で覆うものである。遮
光膜の作用は、外部から入射した光が配線や電極などで
散乱するのを防ぎ、視覚的に画像を鮮明に表示すること
ができる。

【０１１１】図２３（Ａ）は、第２無機絶縁層１１４と
第１有機絶縁層１１５との間に遮光層２４０１を設けた
構成である。平坦化を目的とした第１有機絶縁層１１５
の下層側に形成することで、画素部の平坦性は確保され
ると共に、発光素子３０９の発光がＴＦＴ側に入射する
のを確実に防ぐことができる。この構成は、発光素子３
０９の発光が基板側に放射される構成の発光装置に有効
であり、光を放射する領域には遮光層２４０１に開口部
が形成されている。

【０１１２】図２３（Ｂ）は第３無機絶縁層１１６上に
遮光層２４０２を設けた構成であり、配線１２１〜１２
５は遮光層２４０２上に設けられる。この構成も発光素
子３０９の発光が基板側に放射される構成の発光装置に
有効であり、外部からの入射光が配線で散乱し、視認性
を低下させてしまうのを防ぐことができる。

【０１１３】図２４（Ａ）は発光素子３０９の発光が基
板とは反対側に放射される構成の発光装置に適した構成
であり、遮光層２５０１は第３無機絶縁層１１６と配線
１２１〜１２５上に形成している。配線上に遮光層２５
０１を形成することにより、外部からの入射光が配線で
散乱し、視認性を低下させてしまうのを防ぐことができ
る。図２４（Ｂ）は第２有機絶縁層１２８が遮光層を兼
ねた構成であり、同様の効果を得ることができる。

【０１１４】遮光層を形成する材料は、絶縁性を有し遮
光性のある材料であれば良い。例えば、絶縁性の有機化
合物に黒色又はそれに類する色の顔料を混合させたもの
が適用される。また、着色する目的においては、炭素の
微粉末を混入させても良い。

【０１１５】このような本実施例の構成は、実施例１〜
３と自由に組み合わせることができる。

【０１１６】[実施例９]本実施例は、画素部の構成が実
施例１と異なる態様を図２５と図２６に例示する。ま
ず、実施例１と同様に第３無機絶縁層１１６まで形成す
る。その後、コンタクトホールを形成して配線１２３を
形成する。その後、陽極層を形成するためにＩＴＯなど
仕事関数が４eV以上の酸化物導電膜を形成する。陽極層
１２６は配線１２３上で重畳するように形成する。

【０１１７】図２５（Ａ）は陽極層１２６の端部を覆う
第２有機絶縁層１２８を感光性でネガ型の有機樹脂で形
成する。例えば、感光性ネガ型のアクリル樹脂で形成す
る。これにより、第２有機絶縁層１２８が陽極層１２６
と接する端部は図で示すように曲率を有する傾斜面とな
り、その形状は少なくとも２つの曲率Ｒ１、Ｒ２で表す
ことができる。ここでＲ１は中心点が配線の上層側にあ
り、Ｒ２は下層側にあることになる。この形状は露光条
件によっても若干変化するが、膜厚は１．５μmであ
り、Ｒ１、Ｒ２の値は０．２〜２μmとなる。いずれに
しても連続的に曲率が変化する傾斜面が形成される。

【０１１８】その後、図２５（Ｂ）で示すようにこのな
だらかな曲率を有する傾斜面に沿って第４無機絶縁層１
２９、有機化合物層１３０、陰極層１３１、第５絶縁層
１３２を形成する。この第２有機絶縁層１２８の断面形
状は、応力を緩和する作用（特に図中点線で囲む、陽極
層１２６、第４無機絶縁層１２９、有機化合物層１３０
が重なる領域）があり、これにより発光素子がこの端部
から劣化するのを抑えることが可能となる。即ち画素の
周辺から劣化して非発光領域が拡大する進行性の劣化を
抑制することができる。

【０１１９】図２６（Ａ）は、感光性のネガ型アクリル
樹脂に換えて、感光性のポジ型アクリル樹脂で第２有機
絶縁層１２８を形成した例であり、この場合端部におけ
る断面形状が異なっている。曲率半径Ｒ３は０．２〜２
が得られ、その中心点は陽極層１２６の下層側に位置す
る。これを形成した後、図２６（Ｂ）に示すように曲率
を有する傾斜面に沿って第４無機絶縁層１２９、有機化
合物層１３０、陰極層１３１、第５絶縁層１３２を形成
する。この場合も同様な効果を得ることができる。

【０１２０】本実施例は、実施例１、２、３、８におい
て、特に第２有機絶縁層を置き換える形で実施すること
ができる。

【０１２１】[実施例１０]実施例１において、発光素子
３０９における有機化合物層の構成に特段の限定事項は
なく、公知の構成を用いることができる。有機化合物層
１３０は、発光層、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送
層、電子輸送層等が含まれ、これらの層が積層された形
態又はこれらの層を形成する材料の一部又は全部が混合
された形態をとることができる。具体的に、発光層、正
孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含
まれる。基本的にＥＬ素子は、陽極／発光層／陰極が順
に積層された構造を有しており、この構造に加えて、陽
極／正孔注入層／発光層／陰極や、陽極／正孔注入層／
発光層／電子輸送層／陰極等の順に積層した構造を有し
ていても良い。

【０１２２】発光層は典型的には有機化合物を用いて形
成するが、有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸
送物質及び発光材料で形成され、その分子数から低分子
系有機化合物、中分子系有機化合物、高分子系有機化合
物から選ばれた一種又は複数種の層を含み、電子注入輸
送性又は正孔注入輸送性の無機化合物と組み合わせても
良い。尚、中分子とは昇華性を有さず、分子数が２０以
下、又は連鎖する分子の長さが１０μm以下の有機化合
物を指していう。

【０１２３】発光材料は、低分子系有機化合物としてト
リス−８−キノリノラトアルミニウム錯体やビス（ベン
ゾキノリラト）ベリリウム錯体等の金属錯体をはじめ、
フェニルアントラセン誘導体、テトラアリールジアミン
誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体等が適用可能であ
り、これをホスト物質としてクマリン誘導体、ＤＣＭ、
キナクリドン、ルブレン等が適用され、その他公知の材
料を適用することが可能である。高分子系有機化合物と
しては、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリパラフェ
ニレン系、ポリチオフェン系、ポリフルオレン系等があ
り、ポリ（パラフェニレンビニレン）(poly(p-phenylen
e vinylene))：（ＰＰＶ）、ポリ（２，５−ジアルコキ
シ−１，４−フェニレンビニレン）(poly(2,5-dialkoxy
-1,4-phenylene vinylene))：（ＲＯ−ＰＰＶ）、ポリ
（２−（２'−エチル−ヘキソキシ）−５−メトキシ−
１，４−フェニレンビニレン）(poly[2-(2'-ethylhexox
y)-5-methoxy-1,4-phenylene vinylene])：（ＭＥＨ−
ＰＰＶ）、ポリ（２−（ジアルコキシフェニル）−１,
４−フェニレンビニレン）(poly[2-(dialkoxyphenyl)-
1,4-phenylene vinylene])：（ＲＯＰｈ−ＰＰＶ）、ポ
リパラフェニレン（poly[p-phenylene]）：（ＰＰ
Ｐ）、ポリ（２，５−ジアルコキシ−１，４−フェニレ
ン）(poly(2,5-dialkoxy-1,4-phenylene))：（ＲＯ−Ｐ
ＰＰ）、ポリ（２，５−ジヘキソキシ−１，４−フェニ
レン）(poly(2,5-dihexoxy-1,4-phenylene))、ポリチオ
フェン（polythiophene）：（ＰＴ）、ポリ（３−アル
キルチオフェン）(poly(3-alkylthiophene))：（ＰＡ
Ｔ）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）(poly(3-hexylt
hiophene))：（ＰＨＴ）、ポリ（３−シクロヘキシルチ
オフェン）(poly(3-cyclohexylthiophene))：（ＰＣＨ
Ｔ）、ポリ（３−シクロヘキシル−４−メチルチオフェ
ン）(poly(3-cyclohexyl-4-methylthiophene))：（ＰＣ
ＨＭＴ）、ポリ（３，４−ジシクロヘキシルチオフェ
ン）(poly(3,4-dicyclohexylthiophene))：（ＰＤＣＨ
Ｔ）、ポリ［３−（４−オクチルフェニル）−チオフェ
ン］(poly[3-(4octylphenyl)-thiophene])：（ＰＯＰ
Ｔ）、ポリ［３−（４−オクチルフェニル）−２，２ビ
チオフェン］(poly[3-(4-octylphenyl)-2,2-bithiophen
e])：（ＰＴＯＰＴ）、ポリフルオレン（polyfluoren
e）：（ＰＦ）、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレ
ン）(poly(9,9-dialkylfluorene)：（ＰＤＡＦ）、ポリ
（９，９−ジオクチルフルオレン）(poly(9,9-dioctylf
luorene)：（ＰＤＯＦ）等が挙げられる。

【０１２４】無機化合物材料を電荷注入輸送層に適用し
ても良く、ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）、Ｓｉ、
Ｇｅ、及びこれらの酸化物又は窒化物であり、Ｐ、Ｂ、
Ｎ等が適宜ドーピングされていても良い。またアルカリ
金属又はアルカリ土類金属の、酸化物、窒化物又はフッ
化物や、当該金属と少なくともＺｎ、Ｓｎ、Ｖ、Ｒｕ、
Ｓｍ、Ｉｎの化合物又は合金であっても良い。

【０１２５】以上に掲げる材料は一例であり、これらを
用いて正孔注入輸送層、正孔輸送層、電子注入輸送層、
電子輸送層、発光層、電子ブロック層、正孔ブロック層
等の機能性の各層を適宜積層することで発光素子を形成
することができる。また、これらの各層を合わせた混合
層又は混合接合を形成しても良い。エレクトロルミネッ
センスには一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光
（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光
（リン光）とがあるが、本発明に係るエレクトロルミネ
センス素子はいずれか一方の発光を用いていても良い
し、又は両方の発光を用いていても良い。

【０１２６】本実施例は、実施例１、２、３、８におい
て、特に発光素子３０９を置き換える形で実施すること
ができる。

【０１２７】[実施例１１]実施例１において発光素子３
０９の陽極層１２６と陰極層１３１を反転させた構成と
することができる。この場合、積層順は陰極層１３１、
有機化合物層１３０、陽極層１２６という順番になる。
陽極層１２６としてはＩＴＯの他、仕事関数が４eV以上
の窒化物金属（例えば、窒化チタン）を１０〜３０nmの
厚さで形成して透光性を持たせることで代用することも
できる。また、陰極層１２６の構成としては１０〜３０
nmのアルミニウム層上に０．５〜５nmのフッ化リチウム
層を形成しても良い。

【０１２８】本実施例は、実施例１、２、３、８におい
て、特に発光素子３０９を置き換える形で実施すること
ができる。

【０１２９】[実施例１２]本発明の発光装置は、様々な
適用が可能である。その一例は、携帯情報端末(電子手
帳、モバイルコンピュータ、携帯電話等)、ビデオカメ
ラ、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビ
受像器、携帯電話、が挙げられる。それらの一例を図２
２に示す。

【０１３０】図２２(Ａ)は本発明を適用してテレビ受像
器を完成させる一例であり、筐体３００１、支持台３０
０２、表示部３００３等により構成されている。本発明
により作製されるＴＦＴ基板は表示部３００３に適用さ
れ、本発明によりテレビ受像器を完成させることができ
る。

【０１３１】図２２(Ｂ)は本発明を適用してビデオカメ
ラを完成させた一例であり、本体３０１１、表示部３０
１２、音声入力部３０１３、操作スイッチ３０１４、バ
ッテリー３０１５、受像部３０１６等により構成されて
いる。本発明により作製されるＴＦＴ基板は表示部３０
１２に適用され、本発明によりビデオカメラを完成させ
ることができる。

【０１３２】図２２(Ｃ)は本発明を適用してノート型の
パーソナルコンピュータを完成させた一例であり、本体
３０２１、筐体３０２２、表示部３０２３、キーボード
３０２４等により構成されている。本発明により作製さ
れるＴＦＴ基板は表示部３０２３に適用され、本発明に
よりパーソナルコンピュータを完成させることができ
る。

【０１３３】図２２(Ｄ)は本発明を適用してＰＤＡ(Per
sonal Digital Assistant)を完成させた一例であり、本
体３０３１、スタイラス３０３２、表示部３０３３、操
作ボタン３０３４、外部インターフェース３０３５等に
より構成されている。本発明により作製されるＴＦＴ基
板は表示部３０３３に適用され、本発明によりＰＤＡを
完成させることができる。

【０１３４】図２２(Ｅ)は本発明を適用して音響再生装
置を完成させた一例であり、具体的には車載用のオーデ
ィオ装置であり、本体３０４１、表示部３０４２、操作
スイッチ３０４３、３０４４等により構成されている。
本発明により作製されるＴＦＴ基板は表示部３０４２に
適用され、本発明によりオーディオ装置を完成させるこ
とができる。

【０１３５】図２２(Ｆ)は本発明を適用してデジタルカ
メラを完成させた一例であり、本体３０５１、表示部
(Ａ)３０５２、接眼部３０５３、操作スイッチ３０５
４、表示部(Ｂ)３０５５、バッテリー３０５６等により
構成されている。本発明により作製されるＴＦＴ基板は
表示部(Ａ)３０５２および表示部(Ｂ)３０５５に適用さ
れ、本発明によりデジタルカメラを完成させることがで
きる。

【０１３６】図２２(Ｇ)は本発明を適用して携帯電話を
完成させた一例であり、本体３０６１、音声出力部３０
６２、音声入力部３０６３、表示部３０６４、操作スイ
ッチ３０６５、アンテナ３０６６等により構成されてい
る。本発明により作製されるＴＦＴ基板は表示部３０６
４に適用され、本発明により携帯電話を完成させること
ができる。

【０１３７】尚、ここで示す装置はごく一例であり、こ
れらの用途に限定するものではないことを付記する。

【０１３８】

【発明の効果】以上、説明したように本発明により、発
光素子で形成される表示領域の外周部に金属配線でなる
シールドパターンを形成し、その上層に有機絶縁層及び
当該有機絶縁層の表面を覆う無機絶縁層により凹凸形状
を形成し、その領域に接着性の樹脂を充填してシールパ
ターンを形成することにより、接着力の高い強固な封止
構造を形成することができる。このような封止構造とす
ることにより、外部から水分等が侵入することを防止で
き、発光素子の劣化を防止して発光装置の信頼性を高め
ることができる。

【０１３９】さらに、内部構造においては、ＴＦＴの主
要構成要素である半導体膜、ゲート絶縁膜及びゲート電
極は、その下層側及び上層側を窒化珪素、酸化窒化珪
素、酸化窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化ア
ルミニウムから選択される無機絶縁物材料で囲むことに
より、アルカリ金属や有機物の汚染を防ぐ構造を有して
いる。一方発光素子はアルカリ金属を一部に含み、窒化
珪素、酸化窒化珪素、酸化窒化アルミニウム、窒化アル
ミニウム、ＤＬＣから選択される無機絶縁物材料によっ
て囲むことにより外部から酸素や水分が浸入することを
防ぐ構造を実現する。そして、発光装置の信頼性を向上
させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の発光装置の構造を説明する断面図。

【図２】本発明の発光装置の画素部の構造を説明する
上面図。

【図３】画素の等価回路図。

【図４】本発明の発光装置の構成要素を具備する基板
の外観図。

【図５】本発明の発光装置の構造を説明する断面図。

【図６】本発明の発光装置の作製工程を説明する断面
図。

【図７】本発明の発光装置の作製工程を説明する断面
図。

【図８】本発明の発光装置の作製工程を説明する断面
図。

【図９】本発明の発光装置の作製工程を説明する断面
図。

【図１０】本発明の発光装置の作製工程を説明する断
面図。

【図１１】本発明の発光装置の作製工程を説明する断
面図。

【図１２】本発明の発光装置の作製工程を説明する断
面図。

【図１３】本発明の発光装置の構造を説明する断面
図。

【図１４】本発明の発光装置の作製工程を説明する断
面図。

【図１５】本発明の発光装置の構造を説明する断面
図。

【図１６】入力端子部及び封止部の構成を説明する断
面図。

【図１７】入力端子部及び封止部の構成を説明する断
面図。

【図１８】本発明の発光装置を構成するＴＦＴに適用
する半導体層を作製する工程の一例を説明する図。

【図１９】本発明の発光装置を構成するＴＦＴに適用
する半導体層を作製する工程の一例を説明する図。

【図２０】本発明の発光装置を構成するＴＦＴに適用
する半導体層を作製する工程の一例を説明する図。

【図２１】本発明の発光装置を構成するＴＦＴに適用
する半導体層を作製する工程の一例を説明する図。

【図２２】本発明の応用例を示す図。

【図２３】本発明の発光装置の構造を説明する断面
図。

【図２４】本発明の発光装置の構造を説明する断面
図。

【図２５】本発明の発光装置の構造を説明する断面
図。

【図２６】本発明の発光装置の構造を説明する断面
図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者高山徹神奈川県厚木市長谷398番地株式会社半導体エネルギー研究所内Ｆターム(参考） 3K007 AB11 AB12 AB13 AB15 BB00 BB01 DB03 FA02 5C094 AA15 AA38 BA27 CA19 DA07 DA09 FB01 FB20 HA06 HA08 HA10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の基板と第２の基板との間に発光素子
が形成され、前記発光素子は、有機化合物で形成される
第１絶縁層と当該第１絶縁層の表面に形成され窒素を含
む無機絶縁体材料で形成された第２絶縁層上に形成さ
れ、前記発光素子で形成される表示領域の外周部におい
て、当該表示領域を囲むシールドパターンが前記第２絶
縁層上に金属配線で形成され、前記シールドパターンに
接して形成された接着性の樹脂により第１の基板と第２
の基板が固着されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】第１の基板と第２の基板との間に発光素子
が形成され、前記発光素子は、有機化合物で形成される
第１絶縁層と当該第１絶縁層の表面に形成され窒素を含
む無機絶縁体材料で形成された第２絶縁層上に形成さ
れ、前記発光素子で形成される表示領域の外周部におい
て、前記表示領域を囲むシールドパターンが前記無機絶
縁層上に金属配線で形成され、前記第２絶縁層の上層に
おいて、有機化合物で形成される第３絶縁層と、当該第
３絶縁層の露出した上面及び側面を覆って形成された窒
素を含む無機絶縁体材料で形成された第４絶縁層が形成
され、前記第４絶縁層で側面が覆われた前記第３絶縁層
の開口部に、前記金属配線の上表面が配置され、前記金
属配線に接して形成された接着性の樹脂により第１の基
板と第２の基板が固着されていることを特徴とする発光
装置。
【請求項３】第１の基板と第２の基板との間に発光素子
が形成され、前記発光素子は、有機化合物で形成される
第１絶縁層と当該第１絶縁層の表面に形成され窒素を含
む無機絶縁体材料で形成された第２絶縁層上に形成さ
れ、前記発光素子で形成される表示領域の外周部におい
て、前記表示領域を囲むシールドパターンが前記無機絶
縁層上に金属配線で形成され、前記第２絶縁層の上層に
おいて、有機化合物で形成される第３絶縁層と、当該第
３絶縁層の露出した上面及び側面を覆って形成された窒
素を含む無機絶縁体材料で形成された第４絶縁層が形成
され、前記第４絶縁層で側面が覆われた前記第３絶縁層
の開口部が複数形成され、当該開口部に前記金属配線の
上表面が配置され、前記金属配線に接して形成された接
着性の樹脂により第１の基板と第２の基板が固着されて
いることを特徴とする発光装置。
【請求項４】第１の基板と第２の基板との間に発光素子
が形成され、前記発光素子は、有機化合物で形成される
第１絶縁層と当該第１絶縁層の表面に形成され窒素を含
む無機絶縁体材料で形成された第２絶縁層上に形成さ
れ、前記発光素子で形成される表示領域の外周部におい
て、前記表示領域を囲むシールドパターンが前記無機絶
縁層上に金属配線で形成され、前記第２絶縁層の上層に
おいて、有機化合物で形成される第３絶縁層と、当該第
３絶縁層の露出した上面及び側面を覆って形成された窒
素を含む無機絶縁体材料で形成された第４絶縁層が形成
され、前記第４絶縁層で側面が覆われた前記第３絶縁層
の開口部に、前記金属配線の上表面及び側面が配置さ
れ、前記金属配線に接して形成された接着性の樹脂によ
り第１の基板と第２の基板が固着されていることを特徴
とする発光装置。
【請求項５】第１の基板と第２の基板との間に発光素子
が形成され、前記発光素子は、有機化合物で形成される
第１絶縁層と当該第１絶縁層の表面に形成され窒素を含
む無機絶縁体材料で形成された第２絶縁層上に形成さ
れ、前記発光素子で形成される表示領域の外周部におい
て、前記表示領域を囲むシールドパターンが前記無機絶
縁層上に金属配線で形成され、前記第２絶縁層の上層に
おいて、有機化合物で形成される第３絶縁層と、当該第
３絶縁層の露出した上面及び側面を覆って形成された窒
素を含む無機絶縁体材料で形成された第４絶縁層が形成
され、前記第４絶縁層で側面が覆われた前記第３絶縁層
の開口部が複数形成され、当該開口部に前記金属配線の
上表面及び側面が配置され、前記金属配線に接して形成
された接着性の樹脂により第１の基板と第２の基板が固
着されていることを特徴とする発光装置。
【請求項６】請求項１乃至請求項５のいずれか一項にお
いて、前記無機絶縁体材料は、高周波スパッタリング法
で作成された窒化珪素であることを特徴とする発光装
置。
【請求項７】請求項１乃至請求項５のいずれか一項にお
いて、前記無機絶縁体材料は、含有する酸素濃度が１０
原子％以下、かつ、水素濃度が１０原子％以下であるこ
とを特徴とする発光装置。