KR101158830B1 - 발광장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전극간에 발광성 재료를 끼워 전극간에 전류를 흘려보내 발광하는 소자를 이용하여 작성된 표시장치, 특히 그러한 표시장치에서의 발광 소자의 밀봉구조에 관한 것으로, 제 1 기판; 상기 제 1 기판상에 형성된 제 1 층간절연막; 상기 제 1 층간절연막상에 형성된 제 2 층간절연막; 상기 제 2 층간절연막상에 형성된 발광소자; 상기 발광소자상에 구비된 제 2 기판; 상기 제 1 층간절연막의 외주부에 형성되어 상기 제 1 층간절연막을 관통하는 제 1 개구부; 상기 제 1 개구부와 상기 제 1 개구부에서의 제 1 층간절연막을 피복하는 제 1 보호막; 및 상기 제 2 층간절연막을 관통하는 제 2 개구부를 구비하며, 상기 제 1 기판 및 제 2 기판 중 적어도 하나는 투광성인 것을 특징으로 한다.
발광장치, 기판, 층간절연막, 발광소자, 개구부, 보호막
Description
도 1a 내지 1c는 실시형태 1을 나타내는 도면,
도 2a 및 2b는 종래의 구성을 나타내는 도면,
도 3은 전계발광장치의 상면도를 나타내는 도면,
도 4a 및 4b는 실시형태 1의 변화를 나타내는 도면,
도 5a 및 5b는 실시형태 2를 나타내는 도면,
도 6a 및 6c은 실시형태 3을 나타내는 도면,
도 7a 및 7b는 실시형태 3을 나타내는 도면,
도 8a 내지 8c는 종래의 구성을 나타내는 도면,
도 9a 내지 9c는 실시형태 4를 나타내는 도면,
도 10a 내지 10f는 실시형태 4를 나타내는 도면,
도 11a 및 11b는 실시형태 5를 나타내는 도면,
도 12a 내지 12c는 실시형태 6을 나타내는 도면,
도 13a 내지 13c는 실시형태 6을 나타내는 도면,
도 14a 및 14b는 실시예 1을 나타내는 도면,
도 15a 및 15b는 실시예 1을 나타내는 도면,
도 16a 및 16b은 실시예 1을 나타내는 도면,
도 17은 실시예 2를 나타내는 도면,
도 18a 내지 18i는 실시예 2를 나타내는 도면,
도 19a 및 19b는 실시예 3을 나타내는 도면,
도 20은 실시예 4를 나타내는 도면,
도 21a 내지 21j는 실시예 5를 나타내는 도면,
도 22a 내지 22d는 실시예 5를 나타내는 SEM 사진 및 패턴 다이어그램,
도 23a 내지 23e는 전자기기의 일례를 도시한 도면이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
1: 층간 절연막 2: 단면
3: 밀봉재 4: 발광 소자
100: 기판 101: 하지 절연막
102: 제 1 층간 절연막 103: 제 1 보호막
104: 제 2 층간 절연막 105: 제 2 보호막
106: 개구부
본 발명은, 전극간에 발광성 재료를 끼워 전극간에 전류를 흘려보내는 것으 로 발광하는 소자(발광 소자)를 이용하여 작성된 표시장치에 관한 것으로, 특히 그러한 표시장치에서의 발광 소자의 밀봉구조에 관한 것이다.
최근, 발광 소자를 사용한 박형경량 디스플레이의 개발이 열심히 행해지고 있다. 발광소자는, 한 쌍의 전극간에 전류를 흘려보냄으로써 발광하는 재료를 끼움으로 제조되지만, 액정과 달리 그것 자체가 발광하므로 백라이트 등의 광원이 필요없고, 소자 자체가 매우 얇기 때문에 박형경량 디스플레이를 작성하는데 매우 유리하다.
이 발광소자의 발광 재료에는, 유기 재료와 무기 재료가 있지만, 구동 전압이 낮은 유기 재료를 사용한 발광소자가 본 명시되는 것이 많다. 유기 발광소자를 사용한 디스플레이의 구동 전압은 5～10V이며, 100～200V의 구동 전압을 필요로 하는 무기 재료를 사용한 전계발광장치와 비교하면 매우 낮은 전압에서 구동할 수 있는 것을 알 수 있다. 또한, 저소비전력을 강조하여 말하고 있는 액정 디스플레이의 구동 전압은 5～15.5V정도이고, 액정 디스플레이와 비교해도 동등, 혹은 낮은 전압에서 구동할 수 있는 것을 알 수 있다.
그러나, 이것만의 장점을 구비하면서 실용화에 이르지 않은 배경의 하나에서, 신뢰성의 문제가 있다. 유기 재료를 사용한 발광소자는, 습기(수분)에 의해 열화를 일으키는 경우가 많아, 장기의 신뢰성을 얻기 어렵다고 하는 결점을 갖는다. 수분에 의해 열화를 일으킨 발광소자는, 휘도저하를 일으키거나, 발광하지 않게 되어버리거나 한다. 이것이 발광 소자를 사용한 표시장치에서의 다크 스폿(흑점)이나 쉬링크(표시장치단부로부터의 휘도열화)의 원인이 된다고 여겨진다.
물론, 이러한 열화를 억제하기 위해서는 여러가지 대책이 제안되어 있다(예를 들어, 일본국 공개특허공보 특개평9-148066호, 일본국 공개특허공보 특개평13-203076호)
그러나, 이들과 같은 대책을 적용했다고 하여도 아직 충분한 신뢰성을 얻을때까지는 이르지 않아, 새로운 신뢰성의 향상이 요구되고 있다.
따라서, 본 발명은 유기 또는 무기 발광소자를 사용한 디스플레이에 있어서, 외부로부터의 물이나 산소 등의 열화 요인이 되는 물질의 침입을 막고, 충분한 신뢰성을 얻을 수 있는 밀봉구조를 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 감안하여, 본 발명은 층간절연막으로부터의 물의 침입을 저해함으로써 발광 소자의 열화를 억제해서 충분한 신뢰성을 얻는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 기판에 삽입된 발광 소자로 형성된 화소부를 갖는 발광장치에 있어서, 적어도 한쪽의 기판에 투광성이 있는것이 바람직하다.
본 발명의 구성 중 하나는, 적어도 한쪽이 투광성의 한 쌍의 기판에 삽입된 발광소자를 갖고, 상기 발광소자는 제 1 층간절연막 및 제 2 층간절연막의 한쪽, 또는 양쪽에 접하여 형성되어 있고, 상기 제 1 층간절연막 및 상기 제 2 층간절연막의 외주부에서, 상기 제 1 층간절연막을 관통하는 제 1 개구부와, 상기 제 1 개 구부와 상기 제 1 개구부에서의 제 1 층간절연막을 피복하는 제 1 비투수성의 보호막과, 상기 제 2 층간절연막을 관통하는 제 2 개구부를 갖는 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 적어도 한쪽이 투광성의 한쌍의 기판에 끼워진 발광소자를 갖고, 상기 발광소자는 제 1 층간절연막 및 제 2 층간절연막의 한쪽, 또는 양쪽에 접하여 형성되어 있고, 상기 제 1 층간절연막 및 상기 제 2 층간절연막의 외주부에서, 상기 제 1 층간절연막을 관통하는 제 1 개구부와, 상기 제 1 개구부와 상기 제 1 개구부에서의 제 1 층간절연막을 피복하는 제 1 비투수성의 보호막과, 상기 제 2 층간절연막을 관통하는 제 2 개구부와, 상기 제 2 개구부와 상기 제 2 개구부에서의 제 2 층간절연막을 피복하고, 상기 제 1 비투수성의 보호막에 상기 제 2 개구부의 저면에서 접하는 제 2 비투수성의 보호막을 갖는 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 적어도 한쪽이 투광성의 한쌍의 기판에 끼워진 발광소자를 갖고, 상기 발광소자는 제 1 층간절연막 및 제 2 층간절연막의 한쪽, 또는 양쪽에 접하여 형성되어 있고, 상기 제 1 층간절연막 및 상기 제 2 층간절연막의 외주부에서, 상기 제 1 층간절연막을 관통하는 제 1 개구부와, 상기 제 1 개구부와 상기 제 1 개구부에서의 제 1 층간절연막을 피복하는 제 1 비투수성의 보호막과, 상기 제 2 층간절연막을 관통하는 제 2 개구부와, 상기 제 2 개구부와 상기 제 2 개구부에서의 제 2 층간절연막을 피복하여, 상기 제 1 비투수성의 보호막에 상기 제 2 개구부의 저면에서 접하는 제 2 비투수성의 보호막과, 상기 제 1 개구부와 제 2 개구부가 형성되어 있는 영역, 또는 그 영역의 외측에서, 비투수성의 조성물로 상기 한쌍의 기판이 고착되어 있는 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 제 2 비투수성의 보호막은 상기 발광소자의, 양극 또는 음극과 같은 재료로 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 발광소자에, 박막트랜지스터가 접속되어 화소부가 설치되는 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 제 1 비투수성의 보호막은 상기 박막트랜지스터의 소스전극 및 드레인전극으로 사용하고 있는 재료와 같은 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 제 1 개구부의 하부에 반도체막이 형성된 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 제 1 개구부의 하부에 금속막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 제 1 개구부의 하부에 반도체막이 형성되어 있고, 상기 반도체막은 상기 박막트랜지스터의 활성층과 같은 재료인 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 제 1 개구부의 하부에 금속막이 형성되어 있고, 상기 금속막은 상기 박막트랜지스터의 게이트전극과 같은 재료인 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 제 1 개구부의 저면과 상 기 제 2 개구부의 저면의 적어도 일부가 상기 기판의 면내에서 같은 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 제 1 개구부의 저면과 상기 제 2 개구부의 저면이 상기 기판의 면내에서 다른 위치에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 제 1 개구부와 상기 제 2 개구부가 복수 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 제 1 층간절연막 및 상기 제 2 층간절연막 중 적어도 1층이 유기재료에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 제 1 층간절연막 및 상기 제 2 층간절연막중 적어도 1층이 무기재료로 형성된 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 제 1 층간절연막 및 상기 제 2 층간절연막중 적어도 1층이 실록산계 막으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 유기재료는 아크릴 또는 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 제 1 비투수성의 보호막 또는 상기 제 2 비투수성의 보호막은 질화실리콘막인 것을 특징으로 하는 발광장치 이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 제 1 비투수성의 보호막 및 상기 제 2 비투수성의 보호막은 질화실리콘막인 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 적어도 한쪽이 투광성의 한쌍의 기판에 끼워진 발광소자를 갖고, 상기 발광소자는 층간절연막에 접하여 형성되어 있고, 상기 기판의 단부에 달하지 않은 내측에 형성된 층간절연막의 측단부가 테이퍼형으로 가공되어 있는 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 적어도 한쪽이 투광성의 한쌍의 기판에 끼워진 발광소자를 갖고, 상기 발광소자는 층간절연막에 접하여 형성되어 있고, 상기 기판의 단부에 달하지 않은 내측에 형성된 층간절연막의 측단부가 테이퍼형으로 가공되어 있고, 상기 층간절연막의 측단부에 비투수성의 보호막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 적어도 한쪽이 투광성의 한쌍의 기판에 끼워진 발광소자를 갖고, 상기 발광소자는 층간절연막에 접하여 형성되어 있고, 상기 기판의 단부에 달하지 않은 내측에 형성된 층간절연막의 측단부가 테이퍼형으로 가공되어 있고, 상기 층간절연막의 측단부에 비투수성의 보호막이 형성되고, 상기 평탄화막의 측단부의 영역, 또는 그 영역의 외측에서 비투수성의 조성물로 상기 한쌍의 기판이 고착되어 있는 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 발광소자에, 박막트랜지 스터가 접속되어 화소부가 설치되는 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 층간절연막의 하부에서 상기 기판의 단부에 걸쳐서 반도체막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 층간절연막의 하부에서 상기 기판의 단부에 걸쳐서 금속막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 층간절연막의 하부에서 상기 기판의 단부에 걸쳐서 반도체막이 형성되어 있고, 상기 반도체막은 상기 박막트랜지스터의 활성층과 같은 재료인 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서 상기 층간절연막의 하부에서 상기 기판의 단부에 걸쳐서 금속막이 형성되어 있고, 상기 금속막은 상기 박막트랜지스터의 게이트전극과 같은 재료인 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 층간절연막이 유기재료로 형성된 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 층간절연막이 무기재료로 형성된 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 층간절연막이 실록산계 막으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 유기재료는 아크릴 또는 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 상기 구성에 있어서, 상기 비투수성의 보호막은 질화실리콘막인 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
본 발명의 다른 구성은, 적어도 한쪽이 투광성의 한쌍의 기판에 끼워진 발광소자로 이루어진 화소부와, 외부로부터 신호를 받아들이는 외부접속부와, 상기 화소부와 상기 외부접속부를 연결하는 복수의 배선을 갖고, 상기 화소부와 상기 외부접속부와의 사이에 있고 비투수성의 조성물로 상기 한쌍의 기판이 고착되어 있고, 상기 발광소자는 층간절연막에 접하여 형성되어 있고, 상기 층간절연막은 일부가 상기 복수의 배선에서의 인접한 배선과 배선의 사이에 위치하고 있고, 상기 배선은 상기 비투수성의 조성물로 기판이 고착되어 있는 부분의 하부, 또는 내측에 있어서 복수의 굴곡부가 밀접하게 설치되는 것을 특징으로 하는 발광장치이다.
상기 구성을 가짐으로써, 전계발광장치에서의 발광소자의 열화를 경감하는 것이 가능해져, 신뢰성을 대폭 향상시키는 것이 가능하다.
이하에, 본 발명을 실시하는 데에 있어서의 형태를 설명한다. 이때, 도면의 번호는 동일 부분, 또는 유사한 부분에는 동일 번호를 부여한다. 또한, 동일부분에 관해서는 설명을 생략한다.
(실시형태 1)
전계발광장치는, 층간절연막으로서 산화실리콘막, 질화실리콘막, 아크릴막, 폴리이미드막이나 실록산계 막 등의 절연성의 막을 사용하는 것이 많다. 특히 아크 릴막이나 실록산계 막은 도포법에 의한 막형성이 가능한 것과, 평탄성이 높기 때문에 바람직한 재료이기는 하지만, 한쪽에서 비교적 투수성이 높다고 하는 특징도 가진다.
도 2a 및 2b는 도 3에서의 b-b'의 단면도이다. 도 2a 및 2b에 나타낸 것과 같은 종래의 구조이면, 외부의 분위기에 층간절연막(1)의 단면(2)이 항상 노출되어 있게 된다. 그 때문에, 상부를 비투수성의 밀봉재(3)로 덮고, 발광소자(4)를 외기에 노출하지 않도록 한 구조로 되어 있었다고 해도, 층간절연막을 통해 물이 침입하여 발광소자의 열화가 야기하는 경우가 있었다.
그래서, 이 문제를 해결하기 위한 본 발명의 구성 중 하나를 도 1a 내지 1c를 사용하여 설명한다. 도 1a 내지 1c는 층간절연막을 통한 물의 침입을, 층간절연막의 주변부에서 열려진 홈의 내측을 비투습성 막(이하, 보호막이라 칭한다)로 덮는 것으로 감소시킨 예이다. 도 1a 내지 1c는 예를 들면, 도 3에서의 d-d'의 단면에 해당한다. 이때, 도 1a 및 도 1b에서는 비투수성 재료로 이루어진 실(seal)제 및 대향기판은 생략한다. 전계발광장치의 주변부의 모양을 보이고 있다. 도면부호 100이 기판, 101이 하지절연막, 102가 제 1 층간절연막, 103이 제 1 보호막, 104가 제 2 층간절연막, 105가 제 2 보호막으로 되어 있다.
이 구성에서는 제 1 층간절연막(102), 제 2 층간절연막(104)가 비교적 높은 투습성을 갖는다고 가정하고, 투습성이 높은 막에 각각의 막을 두께 방향으로 관통하는 홈형의 개구부(106)를 형성하고, 적어도 그 홈의 내부를 덮도록 (노출한 층간절연막의 단면 및 하부의 막상을 연속적으로 덮도록) 보호막(103,105)가 형성되어 있다. 또한 보호막(103, 105)은 개구(106)에 서로 접촉하여 있다.
이러한 구성을 취하면 층간절연막(102,104)의 단부로부터 침입하여 온 물은 홈형의 개구부(106)의 단면에 형성된 비투습성의 보호막(103,105)에 의해 그 이상의 침입을 저지하게 된다. 또한, 홈형의 개구부(106)는 두께 방향으로 관통하도록 형성되어 있기 때문에, 보호막을 설치하지 않더라도 물의 진입경로는 차단되게 되어, 요청되는 신뢰성의 정도에 따라서는 홈형의 개구부를 설치하기만 하여도 발광소자의 물에의한 열화에 대한 대책이 된다.
홈형의 개구부(106)는 투수성을 갖는 막의 주변부 모두에 연속하여 형성하면 가장 효과를 발휘하지만, 그것이 되지 않은 경우는 한변, 또는 일부에 형성하는 것만으로도, 적어도 그 부분으로부터의 물의 침입은 감소되기 때문에, 어느 정도의 효과는 기대할 수 있다.
도 1a 내지 1c에서는 홈형의 개구부(106)를 층간절연막의 주변부에서 발광소자의 형성되어 있는 영역을 향하여 몇번이나 반복하여 설치하고 있지만, 홈형의 개구부(106)은 하나만이라도 괜찮다. 그러나, 이러한 대책은 몇번이나 반복하여 설치하면 보다 신뢰성이 향상한다.
또한, 보호막(103,105)을 배선재료로 형성한 경우, 외곽에 둘 수 있는 인출 배선으로서 이용하는 것도 가능하다. 또한, 도 1a와 도 1b의 차이는 보호막(103과 105)가 각 개구부에 대하여 독립하고 있는지 그렇지 않은지의 차이이지만, 도 1b와 같은 구성으로 하면, 각각의 개구부에서의 보호막을 따로따로의 배선으로서 사용하는 것이 가능하다.
이러한 홈형의 개구부와 보호막에 의해 물의 침입을 억제하는 구조는 그 외에도 생각할 수 있지만, 그 몇개의 예를 도 4a 및 4b에 든다. 도 4a 및 4b에 기재된 단면도 도 3의 d-d'등에 해당한다. 또한, 비투수성의 재료로 되는 실제 및 대향기판은 생략한다.
도 1a 내지 1c는 제 1 층간 절연막(102)에 형성된 제 1 개구 및 제 2 층간 절연막(104)에 형성된 제 2 개구의 위치가 같은 예를 도시한다. 반면, 도 4a 및 4b는 제 1 층간 절연막(102)에 형성된 제 1 개구 및 제2 층간 절연막(104) 에 형성된 제 2 개구의 위치가 다른 예를 도시한다. 그러한 구조가 도 1a 내지 1c 에 도시된 구조와 유사한 효과를 달성할 수 있고, 제 2 개구는 도 1a 내지 1c의 그것보다 더 얕기 때문에 짧은 시간에 형성될 수 있다. 또한, 단계간 연결되지 않음에 더 적은 주의가 레벨 차가 적기 때문에 필요로 한다. 도 4a 및 4b에서, 개구가 형성된 위치는 차이가 있다.
또한, 발광소자가 형성된 소자기판(100)은 대향기판(108)에 비투수성의 재료로 된 실제(107)를 사용하여 고착되고, 발광소자는 외계로부터 밀봉되지만, 밀봉재를 홈형의 개구부(106)의 상부에 형성함으로써 보다 물의 침입을 억제하는 효과를 발휘한다.
이때, 본 실시형태는, 층간절연막이 2층인 경우를 설명하였지만, 물론 1층인 경우에도 본 발명의 적용은 가능하다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서는, 기판 주변부의 투수성 막을 기판의 외주로부터 적당한 거리만 제거함으로써, 보다 물의 침입이 하기 어렵게 되는 구조로 한 예를 도 5a 및 5b를 참조하여 도시한다. 여기서 층간절연막을 투수성 막으로 상정한다. 그러나 투수성 막에 대한 대책으로서는 대상은 층간절연막에 한하지 않고 본 발명을 적용하는 것이 가능하다. 이것들의 단면도는 도 3의 e-e'등에 해당한다.
도 5a에서, 도면부호 120은 기판단면에 있어서 층간절연막(102,104)를 제거한 부분이다. 실시형태 1에서는 층간절연막(102,104)의 단면은 외기에 닿은 상태로 되어 있었다. 그래서, 본 실시형태에서는 기판단면에서의 층간절연막(102,104)를 적당한 거리만 제거하여, 그 단면을 보호막(103,105)으로 덮고 있다. 이에 따라, 투수성을 가지는 막의 단면이 외기에 닿는 것을 억제할 수 있기 때문에, 물의 침입 자체를 저지하는 것이 가능하다.
또한, 대향기판(108)을 고착할 때, 비투수성 재료로 된 실제(107)를 보호막으로 덮은 층간절연막의 단면보다 외측 또는 층간절연막 단면을 모두 덮도록 형성하면, 더욱 물의 침입을 저지하는 것이 가능해져, 신뢰성을 향상할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서의 다른 구성에 관해서는 그 외에도 생각할 수 있지만, 그 일례에 관해서 도 5b에 도시한다. 도 5b와 도 5a의 차이는 기판의 단면에 층간 절연막9102, 104)의 제거된 위치이다. 도 5a는 제 2 층간 절연막(104)의 단면이 제 1 층간 절연막(104)의 단면보다 기판의 더 외부 측면에 위치하는 구조를 보이고, 도 5b는 제 1 층간 절연막(102)의 단면이 제 2 층간 절연막(104)의 단면 보 다 기판의 더 외부 측면에 위치하는 구조를 도시한다.
이때, 본 실시형태의 층간절연막은 2층으로 되어 있지만, 층간절연막이 1층인 전계발광장치에도 적용하는 것이 가능하다.
또한, 본 실시형태는 실시형태 1과 조합하는 것에 따라 더욱 효과를 늘리는 것이다.
(실시형태 3)
본 발명의 구성의 밀봉구조를 제조하는 경우, 도 6a 내지 6c를 참조하여 알도록, 개구부(106) 및 기판단면의 층간절연막 제거부(120)는, 층간절연막(102,104)에 형성되는 콘택홀을 개구하는 것과 동시에 형성할 수 있어, 효율적이다.
그러나, 콘택홀의 개공조건은, 실리콘의 반도체층을 식각 스톱퍼로서 층간절연막 및 게이트절연막을 식각할 수 있는 조건으로 식각을 행하기 때문에, 식각 스톱퍼의 존재하지 않는 개구부(106) 및 층간절연막 제거부(120)에서는, 제 1 층간절연막(102)를 식각할 때, 찌꺼기가 발생하거나, 하지절연막(101)이 절삭할 수 있어 버리거나 함으로써 요철이 발생하는 경우가 있다.
도 7a는 하지절연막상에 층간절연막으로서 실록산계 막을 형성하고, 그 상부에 질화실리콘막을 형성한 것을, 콘택홀의 개공조건으로 하여 일부의 층간절연막을 제거한 뒤, 배선을 형성한 것의 SEM 사진이다. “C”와 “c”의 부분이 층간절연막을 제거한 부분이며, “a”, “b”, “c”에는 배선이 형성되어 있다. “A”는 식각되어 있지 않은 원래의 표면, “B”는 층간절연막의 단면, “C”가 하지절연막 표면이다.
이것을 보면 알 수 있듯이, 층간절연막을 콘택홀 개공조건으로 하여 하지절연막까지 개구하면, “C”에 보는 것과 같은 작은 요철이 된다. 그리고, 그 위에 배선을 막형성함으로써, “c”와 같이 대단히 큰 요철이 되어 버리는 것이다. 이 요철이 개구부를 연 뒤의 하지막상의 요철에 기인하는 것은, “a”상에 형성된 배선이 평탄하므로 명백하다. 이때, 배선은 보호막으로서도 사용할 수 있기 때문에, 보호막상에 요철이 발생하게도 된다. 또한, 배선 자체의 커버리지도 나빠진다.
이러한 큰 요철이 발생하여 버리면, 이 위에 형성하는 비투수성 재료로 된 실제의 밀착성에도 큰 영향이 미치게 되는 위험성이 있다. 실제의 밀착성이 나쁘면, 실제 자신의 투습성이 작았다고 해도, 그 밀착성이 나쁜 부분으로부터 물이 침입하여 와 버리기 때문이다.
그런데, 도 7b는 도 7a와 마찬가지로 하지절연막상에 층간절연막으로서 실록산계 막을 형성한 것을, 콘택홀의 개공조건으로 하여 층간절연막을 제거한 후, 배선을 형성한 것의 SEM 사진이다. 도 7a의 영역“C”가 7b의 “D”에 해당하고, 영역 “D”는 층간 절연막이 기판 위에 이 순서로 하지 절연막과 층간 절연막을 형성한 후에 콘택 홀 개공 조건하에 제거된 표면이다. 도 7a의 영역 “c”가 도 7b의 영역 “E”에 해당하고, 영역 “E”는 배선이 도 7b의 영역 “D” 위에 형성된 표면이다.
한편, 도 7b의 영역 “F”는 층간 절연막이 기판 위에 이 순서로 하지 절연막, 실리콘 막, 층간 절연막을 형성한 후에 도 7b의 영역 “D”와 유사하게 콘택홀 개공 조건하에 제거된 위치의 표면고, 즉 하지 절연막 위에 식각 스토퍼로서 역할 하는 실리콘 막을 형성하고, 그 위에 층간 절연막을 형성하는 것이다. 요약하여, 그것은 실리콘 막의 식각 스토퍼로 제공된 도 7b의 영역 “D”의 구조를 갖는다. 영역 “F”의 실리콘 막은 “E”이 배선을 형성할 때 식각에 의해 제거되기 때문에, 하지 절연막은 도 7b의 영역 “D”와 유사하게 보여질 수 있다. 영역 “F”는 실리콘 막이 층간 절연막 하에 형성되지 않는 “D”와 비교하여 매우 고른 표면을 갖는다.
이것은, 실리콘막이 식각 스톱퍼막이 되어, 층간절연막을 식각하였을 때의 층간절연막의 찌꺼기의 발생이나, 하지막의 도려냄에 의한 요철의 발생을 억제하였기 때문이다.
이것을 밟아, 본 실시형태에서는, 도 1a 내지 1c에서의 개구부(106) 및 도 5에서의 층간절연막 제거부(120)가 형성되는 위치에 미리 식각 스톱퍼막으로서 기능하는 막(130,131)를 형성해 둔다(도 6a). 이때, 도 6a 내지 6c에 나타낸 단면도는 도 3에서의 f-f'의 단면에 해당한다.
본 실시형태에서는 이러한 식각 스톱퍼막(130,131)를 구동회로부나 화소부에 제조되는 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층(132)을 형성하는 실리콘막을 사용하여 동시에 형성한 예에 관해서 나타내었다. 그러나, 식각 스톱퍼막(130,131)은 층간절연막제거시, 개구부(106)와 층간 절연막 제거부(120)의 식각 스톱퍼로서 기능하면 어떠한 막이라도 되고, 본 실시형태와 마찬가지로 반도체층(132)과 동일 재료로 반도체층(132)과 동시에 형성하여도 좋고, 게이트전극(133)과 같은 재료로 게이트전극 형성과 동시에 형성하여도 좋고, 또한, 별도의 재료로 별개로 형성하여도 괜찮 다. 단지, 반도체층(132) 또는 게이트절연막과 동시에 형성하면 프로세스 수가 증가하지 않아 유리하다.
계속해서, 배선용 콘택홀 개공과 동시에 개구부(106) 및 층간절연막 제거부(120)의 개구를 행한다. 이때, 본 발명의 발광 장치에서, 개구부(106) 및 층간절연막 제거부(120)의 하부에는 식각 스톱퍼막(130,131)(실리콘 막)이 형성되어 있기 때문에, 층간절연막의 찌꺼기나 도려냄에 의한 요철은 발생하지 않는다. 그 후, 배선(134)을 형성하여, 개구부(106)의 내측 및 층간절연막 제거부(120)의 층간절연막 단면에 형성하면, 그것은 보호막(103)으로 또한 기능한다. 이때, 식각 스톱퍼막(130,131)에 의해 층간절연막을 제거할 때에 아래의 막상에 찌꺼기나 도려냄이 생기지 않기 때문에 보호막의 밀착성의 악화를 막을 수 있어, 더욱 보호막상의 요철의 발생을 억제하는 것이 가능하다.
본 실시형태에서는, 보호막(103)은 배선(134)재료와 같은 금속막으로 형성하고, 배선형성의 스텝과 동시에 형성하는 것이 가능해지지만, 물론 별도의 스텝으로서 다른 재료로 형성하여도 된다.
이 다음, 보호막(103)은 후에 형성되는 화소부의 스위칭용 TFT에 발광소자의 양극(135)을 위한 재료로써 더 덮혀져도 된다. 물의 침입이 억제된다고 기대할 수 있다(도 6b).
대향 기판(108)은 발광 소자가 형성된 후에 비투수성 재료로 만들어진 실제(107)로 고정된다. 실제는 홈형의 개구부(106) 및/또는 기판 주변부의 층간절연막 제거부(120)에 도포함으로써, 물의 진입경로를 막을 수 있기 때문에 발광소자 의 열화를 억제하는 효과가 높다. 발광 소자는 양극91350 및 음극9138)의 사이에 발광층(137)을 삽입함에 의해 형성되고, 발광 소자는 분할91360에 의해 모든 소자로부터 분리된다(도 6c).
또한, 본 실시형태를 사용하면 홈형의 개구부(106) 및 기판 주변부에서의 층간절연막 제거부(120)의 위의 보호막(103)의 요철의 발생이 억제되기 때문에, 실제의 밀착성의 악화를 막을 수 있어, 밀착성이 나쁜 부분으로부터의 물의 침입을 억제하는 것이 가능해지므로 신뢰성이 향상한다.
본 실시형태는 실시형태1, 실시형태2와 자유롭게 조합할 수 있어, 조합함으로써 더욱 외부로부터의 물의 침입을 저지하는 것이 가능해지기 때문에, 전계발광장치가 더욱 신뢰성이 향상된다.
(실시형태 4)
본 실시형태에서는, 층간절연막 전체는 제거하는 것이 곤란해진 구조에 있어서, 층간절연막을 통해 침입하는 물의 영향을 상당히 억제할 수 있는 구조에 관해서 설명한다.
실시형태2 또는 실시형태3에서 서술한 것처럼, 기판 주변부의 층간절연막을 제거하여, 그 층간절연막의 단면을 보호막(103 및 105)과 밀봉재(107)로 덮는 것으로 단면을 극력 외기에 노출시키지 않도록 하는 것은, 물의 침입을 저지하는 데에 있어서 대단히 유효한 수단이 되지만, 구조에 따라서는 층간절연막 전체는 제거하는 것이 곤란해지는 경우가 있다.
예를 들면, 외부단자와 내부회로를 연결하는 배선부분을 생각한다(도 3c의 영역 “c”). 이 배선은, 기판 주변부의 층간절연막을 제거하는 구성(층간절연막 제거부(120)를 형성하는 구성: 실시형태2 및 실시형태3)을 적용한 경우, 기판 주변부의 층간절연막을 제거하여, 배선이 되는 금속막을 막형성하고, 그 금속막을 원하는 배선형상이 되도록 식각함으로써 형성된다.
그러나, 층간절연막(15)을 제거한 부분(10)과, 층간절연막이 남은 부분(11)의 사이에는 층간절연막의 단면이 만드는 단차(12)가 있고, 이 부분에 막형성된 금속막이 충분히 식각되지 않고, 남아 버리는 경우가 있다. 이러한 식각 나머지(13)는 인접하는 배선(14)끼리를 쇼트시켜, 불량의 원인이 된다.
이 쇼트를 막으면서, 될 수 있는 한 외기에 닿은 층간절연막을 적게 하기 위해서 도 9에 도시한 바와 같이 배선(14)과 배선(14)의 사이에 층간절연막을 남기는 (16)이라는 대책이 취해진다. 이에 따라, 대부분의 층간절연막이 외기에 닿는 것을 피하면서, 전술한 것과 같은 쇼트에 의한 불량을 방지하는 것이 가능하다. 그러나, 배선사이에 남긴 층간절연막은 제거할 수 없고, 항상 외기에 닿게 되어, 그 부분으로부터의 물의 침입을 방지할 수는 없다. 이 배선사이에 잔존하는 층간절연막으로부터의 물의 침입은 장기의 신뢰성을 생각한 경우에는 악영향을 미치게 하여 버리는 경우가 있다.
물의 층간절연막을 통한 침입은 막속에서 물의 확산현상이 발생하는 것에 의해 야기된다. 확산현상은, 확산 식으로부터 구해지는 것처럼, 소정 위치에까지 달하기 위한 시간은 거리의 2승에 비례한다고 한다. 즉, 배선사이에 남은 층간절연막만이 물의 진입경로인 경우, 그 거리를 될 수 있는 한 길게 함으로써, 전극사이에 잔존하는 층간절연막을 확산하여 침입하는 물이 전계발광장치 내부에 도달하기까지의 시간을 유효하게 길게하는 것이 가능하다.
그래서, 본 실시형태에서는, 종래, 이 외부단자와 내부회로를 연결하는 배선부분은 도 10a과 같이, 만곡각 등 레이아웃적으로 굴곡부가 필요한 곳 이외는 직선이지만, 배선(14)의 형상을 도 10b에 나타낸 바와 같이 복수의 굴곡부를 두껍게 설치한다.
그러면, 배선사이에 존재하는 층간절연막(16)의 실질적인 길이를 길게하는 것이 가능해져, 전계발광장치의 내부에 도달하기까지 물이 층간절연막을 확산하는 거리가 길게된다. 결과적으로, 열화가 시작될 때까지의 시간을 대폭 벌 수 있게 되어, 종래보다도 장기의 신뢰성을 확보할 수 있게 된다.
도 10c 내지 10f는, 본 실시형태를 실현하기 위한 다른 생각될 수 있는 구성의 예이다. 이와 같이 종래 구조의 도 10a보다 배선간의 층간절연막의 길이가 조금이라도 길게 되어 있으면 종래보다도 물의 침입을 그 만큼 늦추게 된다. 필요에 따라서 원하는 패턴을 붙이는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시형태를 사용하면, 발광장치 상면으로부터 본 경우의 배선간의 층간절연막의 면적은 넓게 되어 버리므로, 배선의 굴곡부는 외기에 노출되지 않은 곳, 즉, 비투수성의 재료로 된 실제가 형성된 내측이나, 해당 실제의 하부에 위치하도록 배치하는 것이 중요하다.
본 실시형태는 실시형태 1 내지 3과 적절히 조합하여 사용하는 것이 가능하고, 전계발광장치의 외부단자와 내부회로를 연결하는 배선부분(도 3의 영역 “c” 등)은 본 실시형태를, 그 밖의 외주부분에는 실시형태1 및 실시형태2를 사용하는 등, 장소에 따라서 구별지어 사용하는 것으로 보다 효율적으로 물의 침입을 막는 것이 가능하다. 또한, 본 실시형태에 있어서, 배선부분을 형성할 때에 층간절연막을 제거하는 공정이 있지만, 그 때에 실시형태3의 구성을 사용하면 배선상의 요철의 발생을 억제하는 것이 가능하기 때문에, 비투수성의 재료로 된 실제의 밀착성이 좋아져, 실제와 배선계면으로부터의 물의 침입을 대폭 감소시키는 것이 가능하게 된다.
(실시형태 5)
본 실시형태에서는, 외부단자와 내부회로를 연결하는 배선부분(도 3의 영역 “c” 등)에 있어서도 기판 외주부에의 층간절연막을 제거하여 층간절연막 경유의 물의 침입을 방지할 수 있는 형태에 관해서 도 11a 및 11b을 사용하여 설명한다.
도 8로부터도 알 수 있듯이, 식각이 되지 않고 식각 나머지가 발생하여 버리는 것은, 층간절연막(15)의 단면(12)뿐이다. 이 층간절연막의 단면이 잘려져 있기 때문에, 배선의 형성에 사용하는 이방성 건식식각으로는 이 부분에 배선재료가 식각되지 않고 남아 버리는 경우가 있다. 이러한 배선부분에서는, 습식식각으로 대표되는 등방성 식각은 배선의 가장자리로 사용이 곤란하다.
그래서, 본 실시형태에서는 층간절연막(18)의 단면(17)을 느슨한 테이퍼 형상으로 가공한다. 이에 따라서, 층간절연막 단면(17)이더라도 배선의 식각이 확실히 행해져, 찌꺼기가 발생하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 배선간(14)에 층간절 연막을 남길 필요가 없어진다(도 11a 및 11b).
결과적으로, 외부단자와 내부회로를 연결하는 배선부분(도 3의 영역 “c”등)에서도 기판 주변부에 위치하는 층간절연막을 모두 제거하는 것이 가능해져, 층간절연막이 존재하는 위치보다 외주부를 모두 비투습성 밀봉재로 덮음으로써 층간절연막을 경유하는 물의 경로를 모두 끊을 수 있어, 전계발광장치의 신뢰성을 대폭 향상하는 것이 가능하다.
이때, 이 테이퍼가 구비된 층간절연막 단면을 아르곤 등의 불활성기체로 처리하여도 된다. 이에 따라, 배선단면이 치밀화되어, 처리하지 않은 상태의 단면보다 물 등의 불순물이 침입하기 어렵게 되는 효과가 있다. 또한, 이 테이퍼가 구비된 층간절연막 단면 상에 질화실리콘막 등의 질화막으로 덮어도 마찬가지로 이 단면으로부터의 물의 침입이 억제되기 때문에 바람직하다.
본 실시형태는 실시형태 1, 실시형태 2와 적절히 조합하여 사용하는 것이 가능하고, 전계발광장치의 외부단자와 내부회로를 연결하는 배선부분은 본 실시형태를, 그 밖의 외주부분에는 실시형태 1, 실시형태 2를 사용하는 등, 장소와 필요에 따라서 구별지어 사용함으로써 보다 효율적으로 물의 침입을 막는 것이 가능하다.
(실시형태 6)
본 실시형태에서는 실시형태 5와 실시형태 3을 조합한 예에 관해서 설명한다.
실시형태 5와 실시형태 3을 조합한 본 실시형태에 있어서, 층간절연막의 식 각시에 생기는 요철의 발생을 억제하기 위해서, 층간절연막 제거부(10)에 식각 스톱퍼막(20)을 형성하는 경우, 층간절연막 단면에 테이퍼 형상을 형성하기 위한 가장자리(21)을 고려하면, 아무리 해도 잔존하는 층간절연막(15)의 하부에도 식각 스톱퍼로 된 막이 형성되어 버리게 된다(도 12a).
식각 스톱퍼막(20)은 층간절연막 제거부(10) 전체면에 형성되고, 그 위에 배선(14)이 형성되기 때문에, 식각 스톱퍼막(20)에 도전성이 있으면 그대로로는 층간절연막 제거부에 형성된 배선 모두가 쇼트하여 버리게 된다. 그러나, 배선이 형성되지 않은 위치(22)의 식각 스톱퍼막은, 배선형상 형성을 위한 식각시에 불필요한 금속막과 함께 식각되어 제거되거나, 또는 배선식각으로 제거할 수 없는 경우에는 그것에 알맞은 식각을 재차 행함으로써 제거되기 때문에, 그 부분에서의 배선간 쇼트는 걱정되지 않는다. 그런데, 전술한 잔존하는 층간절연막의 하부에 위치하는 식각 스톱퍼막(23)(테이퍼 형성 가장자리(21)의 위치에 있는 식각 스톱퍼막(20))은 층간절연막에 뒤덮혀 있기 때문에 제거되지 않고 잔존한다. 그리고, 해당 막에 도전성이 있으면 그 부분을 통해서 배선이 쇼트하여 버린다고 하는 문제가 생기게 된다(도 12b 참조).
공정수를 증가시키지 않고서 식각 스톱퍼막을 절연막으로 형성하게 되면, 고려될 수 있는 막은 반도체층에 사용한 실리콘막, 또는 게이트전극에 사용한 금속막이고, 그 어느쪽도 도전성을 가지기 때문에, 이 문제는 현저히 나타나는 문제이다.
그래서, 본 실시형태에서는, 층간절연막의 하부에 위치하는 식각 스톱퍼막중, 배선과 배선 사이에 위치하는 식각 스톱퍼막을 시작부터 형성하지 않는다(도 13a 내지 13d). 또는, 층간절연막의 하부에 위치하는 식각 스톱퍼막중, 배선과 배선 사이에 위치하는 식각 스톱퍼막이, 배선 아래에 위치하는 식각 스톱퍼막으로부터 분리되도록 한다(도 18f 내지 18i).
본 구성을 사용함으로써, 외부단자와 내부회로를 연결하는 배선부분에 있어서도 층간절연막을 제거할 때의 요철의 발생을 억제하여, 배선의 요철도 억제하는 것이 가능하다. 그 결과, 아래의 막의 요철에 의한 밀봉재의 밀착성의 저하를 막을 수 있어, 밀봉재의 밀착성이 나쁜 부분으로부터의 물의 침입을 대폭 감하는 것이 가능해지기 때문에, 전계발광장치에서의 신뢰성이 대단히 좋아진다.
[실시예 1]
본 실시예에서는 상기 실시형태 1과 실시형태 2의 상세한 예에 관해서 도 14a 및 14b, 도 15a 및 15b, 도 16a 및 16b를 사용하여 설명한다.
하지절연막201, 구동회로용 트랜지스터(본 도면에서는 n채널형 TFT(203), p채널형 TFT(204)만 도시한다.), 및 화소부의 트랜지스터(본 도면에서는 스위칭용 트랜지스터(205), 및 전류제어용 트랜지스터(206)만 도시한다.)가 형성된 기판(200)에 제 1 층간절연막(225)을 형성한다.
기판(200)으로서는, 유리기판, 석영기판, 결정성 유리 등의 절연성기판이나, 세라믹기판, 스테인레스기판, 금속기판(탄탈륨, 텅스텐, 몰리브덴 등), 반도체기판, 플라스틱기판(폴리이미드, 아크릴, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에텔술폰 등)등을 사용할 수 있지만, 적어도 처리중에 발 생하는 열에 저항할 수 있는 재료를 사용한다. 본 실시예에서는 유리기판을 사용한다.
하지절연막(201)으로서는 산화실리콘막, 질화실리콘막, 산화질화실리콘막 등을 사용할 수 있다. 이들은 스퍼터링법이나 감압 CVD법, 플라즈마 CVD 법등 공지의 방법을 사용하여 형성한다. 본 실시예에서는 질화산화실리콘막을 100nm로 형성하였다.
이어서, 비정질반도체막을 형성한다. 비정질반도체막은 실리콘 또는 실리콘을 주성분으로 하는 재료(예를 들면, SixGe1-x 등)으로 원하는 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 제조방법으로서는, 공지의 방법, 예를 들면 스퍼터링법, 감압 CVD법, 또는 플라즈마 CVD법 등을 사용할 수 있다. 본 실시예에서는, 비결정질 실리콘에 의해 막두께 50nm로 형성한다.
계속해서, 비결정질 실리콘의 결정화를 행한다. 본 실시예에서는, 결정화를 촉진하는 원소를 첨가하여, 열처리에 의해 결정화한 후, 레이저결정화를 행하는 공정을 설명한다.
우선, 중량환산으로 5ppm 내지 10ppm의 니켈을 포함하는 아세트산니켈염용액 또는 초산니켈염용액을 스피너로 도포하여, 반도체막 표면에 니켈용액이 얇은 막을 형성한다. 도포 대신에 스퍼터링법으로 니켈원소를 전체면에 살포하는 방법을 사용하여도 된다. 촉매원소로서는, 니켈(Ni) 이외에, 철(Fe), 파라듐(Pd), 주석(Sn), 납(Pb), 코발트(Co), 백금(Pt), 동(Cu), 금(Au)이라고 한 원소등 중 일종 또는 복수종을 사용할 수도 있다.
이어서, 가열처리를 행하여, 비정질반도체막을 결정화시킨다. 촉매원소를 사용하고 있기 때문에, 500℃～650℃로 4～24시간정도 행하면 된다. 이 결정화처리에 의해, 반도체막은 결정질 반도체막이 된다.
계속해서, 레이저에 의한 결정화를 행하여, 결정성을 향상시킨다. 레이저결정화법은, 레이저발진장치로서, 펄스발진형, 또는 연속발진형의 기체 또는 고체 또는 금속레이저 발진장치 등을 사용한다. 레이저발진장치에 의해 발진된 레이저는, 광학계를 사용하여 선형으로 하여 조사를 행하는 것이 바람직하다.
본 실시예와 같이 결정화를 촉진하는 금속을 사용하여 결정화된 반도체막은, 막중에 결정화에 사용한 금속원소가 포함되어 있고, 이것이 그대로 남으면 여러가지 불편함이 발생할 우려가 있기 때문에, 게터링(gettering)을 행하여 그 농도를 줄이는 공정이 필요해진다.
우선, 표면을 오존수로 처리하여, 1～5nm 정도의 장벽막을 형성하고 나서, 해당 장벽층상에 스퍼터링법으로 게터링 사이트를 형성한다. 게터링 사이트는 아르곤원소를 포함하는 비정질실리콘막을 막두께 50nm로 퇴적함으로써 형성한다. 그 후, 램프어닐링장치를 사용하여 750℃, 3분의 열처리를 행하고 게터링을 행하여, 게터링 사이트를 제거한다.
게터링을 행하면, 결정성반도체막을 식각에 의해 원하는 형상(207～210)으로 한다. 계속해서, 게이트절연막(211)을 형성한다. 막두께는 115nm 정도로 하여, 감압 CVD법 또는 플라즈마 CVD법, 스퍼터링법 등으로 실리콘을 포함하는 절연막을 형성하면 된다. 본 실시예에서는 산화실리콘막을 형성한다.
이어서, 게이트절연막(211) 상에 제 1 도전층으로서 막두께 30nm의 질화탄탈(TaN)과 그 위에 제 2 도전층으로서 막두께 370nm의 텅스텐(W)을 형성한다. 이때, 본 실시예에서는 제 1 도전층을 막두께 30nm의 TaN, 제 2 도전층을 막두께 370nm의 W로 하였지만, 이것에 한정되지 않고, 제 1 도전층과 제 2 도전층은 함께 Ta, W, Ti, Mo, Al, Cu, Cr, Nd로부터 선택된 원소, 또는 상기 원소를 주성분으로 하는 합금재료 또는 화합물재료로 형성하여도 된다. 또한, 인 등의 불순물원소를 도핑한 다결정실리콘막으로 대표되는 반도체막을 사용하여도 된다. 막두께는 제 1 도전층이 20～100nm, 제 2 도전층이 100～400nm의 범위로 형성하면 된다. 또한, 본 실시예에서는, 2층의 적층구조로 하였지만, 1층으로 하여도 되고, 또는 3층 이상의 적층구조로 하여도 된다.
다음에, 상기 도전층을 식각하여 전극 및 배선을 형성하기 위해서, 포토리소그래피에 의해 노광공정을 거쳐서 레지스트로 이루어진 마스크를 형성한다. 제 1 식각처리에서는 제 1 식각조건과 제 2 식각조건으로 식각을 행한다. 레지스트에 의한 마스크를 사용하여 식각하고, 게이트전극 및 배선을 형성한다. 식각조건은 각각의 경우에 적절히 선택하면 된다.
본 방법에서는, ICP(유도결합 플라즈마)식각법을 사용하였다. 제 1 식각조건으로서, 식각용 가스에 CF4, Cl2와 O2를 사용하여, 각각의 가스유량비를 25/25/10(sccm)로 하고, 1.0Pa의 압력으로 코일형 전극에 500W의 RF(13.56 MHz)전력을 투입하여 플라즈마를 생성하여 식각을 행한다. 기판측(시료 스테이지)에도 150W의 RF(13.56 MHz)전력을 투입하여, 실질적으로 부의 자기 바이어스 전압을 인 가한다. 이 제 1 식각조건에 의해 W 막을 식각하여 제 1 도전층의 단부를 테이퍼형상으로 한다. 제 1 식각조건에서의 W 막에 대한 식각속도는 200.39nm/min, TaN에 대한 식각속도는 80.32nm/min이며 TaN에 대한 W의 선택비는 약 2.5이다. 또한, 이 제 1 식각조건에 의해서, W 막의 테이퍼각은 26도가 된다.
계속해서, 제 2 식각조건으로 옮겨 식각을 행한다. 레지스트로 이루어진 마스크를 제거하지 않고, 남긴 채로, 식각용 가스에 CF4와 Cl2를 사용하고, 각각의 가스유량비를 30/30(sccm), 압력 1.0Pa에서 코일형의 전극에 500W의 RF(13.56 MHz)전력을 투입하여 플라즈마를 생성하여 약 15초정도의 식각을 행한다. 기판측(시료 스테이지)에도 20W의 RF(13.56 MHz)전력을 투입하여, 실질적으로 부의 자기바이어스전압을 인가한다. CF4와 Cl2를 혼합한 제 2 식각조건으로서는 W 막 및 TaN 막과도 같은 정도로 식각된다. 이 제 1 식각처리에서는, 기판측에 인가된 바이어스전압의 효과에 의해 제 1 도전층 및 제 2 도전층의 단부는 테이퍼형이 된다.
이어서, 레지스트로 이루어진 마스크를 제거하지 않고서 제 2 식각처리를 행한다. 제 2 식각처리에서는, 식각용의 가스에 SF6와 Cl2와 O2를 사용하여, 각각의 가스유량비를 24/12/24(sccm)로 하고, 1.3Pa의 압력으로 코일측의 전력에 700W의 RF(13.56 MHz)전력을 투입하여 플라즈마를 발생하여 25초정도 식각을 행한다. 기판측(시료 스테이지)에도 10W의 RF(13.56 MHz)전력을 투입하여, 실질적으로 부의 자기바이어스전압을 인가하였다. 이 식각조건으로서는 W 막이 선택적으로 식각되어, 제2 형상의 도전층을 형성하였다. 이때 제 1 도전층은 거의 식각되지 않는다. 제1, 제 2 식각처리에 의해서 제 1 도전층(212a～215a), 제 2 도전층(212b～215b)로 된 게이트전극이 형성된다.
그리고, 레지스트로 이루어진 마스크를 제거하지 않고, 제 1 도핑처리를 행한다. 이에 따라, 결정성반도체층에 N형을 부여하는 불순물이 저농도로 첨가된다. 제 1 도핑처리는 이온도핑법 또는 이온주입법으로 행하면 된다. 이온도핑법의 조건은 도우즈량이 1×1013～5×1014 atoms/cm2, 가속전압이 40～80kV에서 행하면 된다. 본 실시예에서는 가속전압을 50kV로서 행한다. N형을 부여하는 불순물원소로서는 15족에 속하는 원소를 사용할 수 있고, 대표적으로는 인(P) 또는 비소(As)가 사용된다. 본 실시예에서는 인(P)을 사용하였다. 그 때, 제 1 도전층을 마스크로 하여서, 자기 정합적으로 저농도의 불순물이 첨가되어 있는 제 1 불순물영역(N--영역)을 형성하였다.
이어서, 레지스트로 이루어진 마스크를 제거한다. 그리고 새롭게 레지스트로 이루어진 마스크를 형성하여 제 1 도핑처리보다도 높은 가속전압으로, 제 2 도핑처리를 행한다. 제 2 도핑처리도 N형을 부여하는 불순물을 첨가한다. 이온도핑법의 조건은 도우즈량을 1×1013～3×1015 atoms/cm2, 가속전압을 60～120kV라고 하면 된다. 본 실시예에서는 도우즈량을 3.0×1015 atoms/cm2로 하여, 가속전압을 65kV로서 행한다. 제 2 도핑처리는 제 2 도전층을 불순물원소에 대한 마스크로서 사용하여, 제 1 도전층의 아래쪽에 위치하는 반도체층에도 불순물원소가 첨가되도록 도핑을 행한다.
제 2 도핑을 행하면, 결정성반도체층의 제 1 도전층과 겹치고 있는 부분중, 제 2 도전층에 겹치고 있지 않은 부분 또는 마스크에 덮어져 있지 않은 부분에, 제 2 불순물영역(N-영역, Lov 영역)이 형성된다. 제 2 불순물영역에는 1×1018～5×1019 atoms/cm3의 농도범위로 N 형을 부여하는 불순물이 첨가된다. 또한, 결정성반도체막중, 제1 형상의 도전층에도 마스크에도 덮어져 있지 않고, 노출하고 있는 부분(제3 불순물영역: N+영역)에는 1×1019～5×1021 atom/cm3의 범위로 고농도로 N 형을 부여하는 불순물이 첨가된다. 또한, 반도체층에는 N+영역이 존재하지만, 일부 마스크에만 덮어져 있는 부분이 있다. 이 부분의 N형을 부여하는 불순물의 농도는 제 1 도핑처리로 첨가된 불순물 농도대로 있기 때문에, 계속해서 제 1 불순물영역(N--영역)이라고 부르기로 한다.
이때, 본 실시예에서는 2회의 도핑처리에 의해 각 불순물영역을 형성하였지만, 이것에 한정되지 않고, 각각의 경우에 적절히 조건을 설정하여, 일회 또는 복수회의 도핑에 의해서 원하는 불순물 농도를 갖는 불순물영역을 형성하면 된다.
이어서, 레지스트로 이루어진 마스크를 제거한 후, 새롭게 레지스트로 이루어진 마스크를 형성하여, 제3 도핑처리를 행한다. 제3 도핑처리에 의해, P채널형 TFT이 되는 반도체층에 상기 제 1 도전형 및 상기 제 2 도전형은, 반대의 도전형을 부여하는 불순물원소가 첨가된 제4 불순물영역(P+영역) 및 제5 불순물영역(P-영역)이 형성된다.
레지스트로 이루어진 마스크에 덮여 있지 않고, 또한 제 1 도전층과도 겹쳐 있지 않은 부분에, 제4 불순물영역(P+영역)이 형성되어, 레지스트로 이루어진 마스크에 덮여 있지 않고, 또한 제 1 도전층과 겹쳐 있고, 제 2 도전층과 겹쳐 있지 않은 부분에 제5 불순물영역(P-영역)이 형성된다. P형을 부여하는 불순물원소로서는, 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga)등 주기율표 제13족의 원소가 알려져 있다.
본 실시예에서는, 제4 불순물영역및 제5 불순물영역을 형성하는 P형의 불순물원소로서는 붕소(B)를 선택하여, 디보란(B2H6)을 사용한 이온도핑법으로 형성하였다. 이온도핑법의 조건으로서는, 도우즈량을 1×1016 atoms/cm2로 하여, 가속전압을 80 kV로 하였다.
이때, 제3 도핑처리시는, N 채널형 TFT을 형성하는 반도체층(207,209)는 레지스트로 이루어진 마스크로 덮여 있다.
여기서, 제1 및 제 2 도핑처리에 의해서, 제4 불순물영역(P+영역) 및 제5 불순물영역(P-영역)에는 각각 다른 농도로 인이 첨가되어 있다. 그러나, 제4 불순물영역(P+영역) 및 제5 불순물영역(P-영역)의 어느쪽의 영역에서도, 제3 도핑처리에 의해서, P형을 부여하는 불순물원소의 농도가 1×1019～5×1021 atoms/cm2가 되도록 도핑처리된다. 그 때문에, 제4 불순물영역(P+영역) 및 제5 불순물영역(P-영역)은, P 채널형 TFT의 소스영역 및 드레인영역으로서 문제없이 기능한다.
이때, 제3 도핑 1회로, 제4 불순물영역(P+영역) 및 제5 불순물영역(P-영역)을 형성하였지만, 이것에 한정되지 않는다. 도핑처리의 조건에 의해서 적절히 수회 의 도핑처리에 의해 제4 불순물영역(P+영역)및 제5 불순물영역(P-영역)을 형성하여도 된다.
이것들의 도핑처리에 의해서, 제 1 불순물영역(N--영역)(216), 제 2 불순물영역(N-영역, Lov 영역)(217), 제3 불순물영역(N+영역)(218,219), 제4 불순물영역(P+영역)(220,221), 및 제5 불순물영역(P-영역)(222,223)이 형성된다.
이 후, 게이트전극 및 게이트절연막 상에 제 1 패시베이션막(224)을 형성한다. 제 1 패시베이션막으로서는, 수소를 함유하는 질화실리콘막, 산화질화실리콘막 또는 질화산화실리콘막을 형성한다.
계속해서, 제 1 층간절연막(225)을 형성한다. 제 1 층간절연막으로서는, 실록산계폴리머를 전체면 도포한 후, 50～200℃, 10 분간의 열처리에 의해서 건조시키고, 300～450℃, 1～12시간의 소성처리를 행한다. 이 소성에 의해, 1㎛ 두께의 실리콘(Si)과 산소(O)와의 결합으로 골격구조가 구성되는 실록산계 막이 전체면에 막형성된다. 이 공정은, 실록산계 폴리머의 소성을 행함과 동시에, 제 1 패시베이션막(224) 중의 수소에 의해서, 반도체층을 수소화하는 것이 가능하기 때문에, 공정수를 삭감할 수 있고, 프로세스를 간략화하는 것이 가능하다.
또한, 제 1 층간절연막으로서는, CVD법 등의 공지의 수법에 의해 형성되는 무기절연막 또는 유기재료수지, low-k 재료 등을 사용할 수 있다.
이 후, 제 1 층간절연막(225)을 덮도록, CVD 법에 의해 질화산화실리콘막 또는 산화질화실리콘막을 형성하여도 된다. 이 막은, 후에 형성되는 도전막을 식각할 때에, 식각 스톱퍼로서 작용하여, 층간절연막의 과식각을 방지할 수 있다. 또한 그 위에, 스퍼터링법에 의해 질화실리콘막을 형성하여도 된다. 이 질화실리콘막은, 알칼리 금속이온의 이동을 억제하는 기능이 있기 때문에, 후에 형성되는 화소전극으로부터의 리튬원소, 나트륨 등의 금속이온이 반도체박막으로 이동하는 것을 억제할 수 있다.
다음에, 제 1 층간절연막의 패터닝 및 식각을 행하여, 박막트랜지스터(203～206)에 달하는 콘택홀(226)과, 홈형의 개구부(227), 기판 주변의 층간절연막 제거부(228)를 형성한다.
콘택홀(226) 및 개구부(227), 층간절연막 제거부(228)의 식각은, CF4과 O2와 He의 혼합가스를 사용하여 실록산계막을 식각하여, 계속해서 CHF3의 가스에 의해 게이트절연막인 산화실리콘막을 식각하여, 제거함으로써 형성한다.
계속해서, 콘택홀(226)중에 금속막을 적층하여, 패터닝하여 소스전극 및 드레인전극을 형성한다. 본 실시예에서는, 질소원소를 포함하는 티타늄막상에, 티타늄-알루미늄합금막과 티타늄막을 적층하여 각각 100nm/350nm/100nm로 적층한 후, 원하는 형상으로 패터닝 및 식각하여 3층으로 형성되는 소스/드레인전극(229～235)과 화소전극(236)을 형성한다.
첫 번째 층의 질소원자를 포함하는 티타늄막은 타깃을 티타늄으로 하고, 질소와 아르곤의 유량을 1:1로 하여서 스퍼터링법에 의해 형성한다. 상기와 같은 질소원소를 포함하는 티타늄막을, 실록산계의 막의 층간절연막상에 형성하면, 막은 벗겨지기 어렵고, 또한 반도체영역과 저저항 접속을 가지는 배선을 형성할 수 있다.
본 실시예에서는 톱게이트형 폴리실리콘 TFT을 구동회로부, 화소부를 함께 형성하였지만, 화소부의 TFT는 비결정질 실리콘을 활성층으로 하는 TFT나 미결정실리콘을 활성층으로 하는 TFT로 하여도 된다. 또한, 보텀게이트형 TFT를 사용하여도 당연히 실현은 가능하다.
소스전극 및 드레인전극을 형성함과 동시에, 같은 재료로 홈형의 개구부(227)의 내측과 기판 주변부에서의 층간절연막 제거부(228)의 단면을 덮고, 제 1 보호막(237)으로 한다.
다음에, 제 2 층간절연막(238)을 기판 전체면에 형성한다. 제 2 층간절연막(238)은 제 1 층간절연막(225)과 마찬가지의 재료로 형성할 수 있다. 본 실시예에서는, 제 1 층간절연막과 같은 실록산계 막에 의해 제 2 층간절연막(238)을 형성하였다.
계속해서, 제 1 층간절연막을 식각하는 조건과 같은 조건에서, 화소전극에 접속하는 콘택홀(239) 및 홈형 개구부(240) 그리고 기판 주변에서의 층간절연막 제거부(241)를 형성한다.
그런데, 본 실시예에서는 이들 제 1 층간절연막(225) 및 제 2 층간절연막(238)을 어느쪽도 실록산계의 막으로 형성하고 있지만, 층간절연막의 구성은 이것에 한하지 않고, 제 1 층간절연막을 유기막, 제 2 층간절연막을 무기막이라고 하는 조합이나 그 반대의 조합, 또한 유기와 유기의 조합, 무기와 무기의 조합 등 적절히 바꾸는 것은 가능하다. 선택한 층간막의 투수성에 따라서는 제 1 층간절연막과 제 2 층간절연막의 어느쪽인지 한쪽에만 보호막을 형성하여도 된다.
제 2 층간절연막(238)에 콘택홀을 형성한 후, 화소전극에 접속하고 제 2 층간 절연막(238) 위에는 콘택홀(239)에 발광소자의 양극이 된 제 1 전극을 형성한다. 발광소자의 전극은 Al-Si(260a)/TiN(260b)/ITSO(260c)의 적층으로 되어 있다. 여기서, Al-Si는 실리콘이 1～5atomic% 정도 포함되어 있는 알루미늄이고, ITSO란 ITO에 SiO2가 섞여 있는 재료이다.
발광소자의 양극형성과 동시에, 홈형의 개구부(240)의 내측 그리고 기판 주변에서의 층간절연막 제거부(241)에서의 층간절연막(238)의 단면을 보호막(242)으로 덮는다. 보호막은 발광소자의 전극(260a～260c)로 형성하면 좋고, 260a 내지 260c의 3층 모두를 사용하여도, 어느 한 층 또는 2층을 사용하여도 된다.
이어서, 제1 전극의 단면을 덮도록 절연물(243)을 형성한다. 절연물(243)은 무기 또는 유기의 재료로 형성할 수 있다. 산화실리콘, 산질화실리콘, 실록산계, 아크릴, 폴리이미드 등이 있다. 감광성 유기물을 사용하여 형성하면, 개구부의 형상이 곡률반경이 연속적으로 변화되는 형상이 되어 발광층을 증착할 때에 절단 등이 발생하기 어렵게 된다.
그리고, 증착장치를 사용하여, 증착원을 이동시키면서 증착을 행한다. 예를 들면, 진공도가 5×10-3 Torr(0.665 Pa)이하, 바람직하게는 10-4～1016 Torr까지 진공배기된 막형성실에서 증착을 행한다. 증착시, 저항가열에 의해, 미리 유기 화합물은 기화되어 있고, 증착시에 셔터가 열림으로써 기판 방향으로 비산한다. 기화된 유기 화합물은, 위쪽으로 비산하여, 금속마스크에 설치된 개구부를 통하여 기판에 증착되고, 발광층(244)(정공수송층, 정공주입층, 전자수송층, 전자주입층을 포함한 다)가 형성된다.
본 실시예에서는 증착에 의해 발광층을 형성하기 때문에, 저분자의 발광재료를 사용하지만, 발광층에는 그 외에 고분자나 저분자와 고분자의 사이의 성질을 가지는 중분자가 있고, 고분자재료는 용매에 용해시키는 것으로 스핀 코팅이나 잉크젯법에 의해 도포할 수 있다. 또한, 유기재료뿐만 아니라, 무기재료와의 복합재료도 사용할 수 있다.
발광소자의 발광기구는, 한 쌍의 전극사이에 유기 화합물층을 삽입하여 전압을 인가함에 의해, 음극으로부터 주입된 전자 및 양극으로부터 주입된 정공이 유기 화합물층중의 발광중심에서 재결합하여 분자 여기자를 형성하고, 그 만큼 여기자가 기저상태로 되돌아갈 때에 에너지를 방출하여 발광한다고 되어 있다. 여기상태에는 단일항 여기와 3중항 여기가 알려지고, 발광은 어느쪽의 여기상태를 거쳐서도 가능하다고 생각되고 있다.
발광층은 통상, 적층구조로 되어 있고, 이 적층구조는 “정공수송층, 전계발광층, 전자수송층”이라고 하는 구성이 대표적이다. 이 구조는 대단히 발광효율이 높기 때문에, 현재 연구개발이 진행되고 있는 발광장치는 거의 이 구조가 채용되어 있다. 또한, 그 외에도 양극상에 정공주입층, 정공수송층, 전계발광층, 전자수송층, 또는 정공주입층, 정공수송층, 전계발광층, 전자수송층, 전자주입층의 순차로 적층하는 구조가 바람직하다. 전계발광층에 대하여 형광성 색소 등을 도핑하여도 무방하다.
이어서, 상기 발광층상에, 제 2 전극(245)을 음극으로서 형성한다. 제 2 전 극(245)은, 일함수가 작은 금속(Li, Mg, 또는 Cs)를 포함하는 박막을 사용하여 형성하여도 된다. 또한, Li, Mg, Cs 등을 더 포함하는 박막상에 적층한 투명도전막(ITO(산화인듐산화주석합금), 산화인듐산화아연합금(In2O3-ZnO), 산화아연(ZnO)등)과의 적층막으로 형성하면 바람직하다. 막두께가 음극으로서 작용하도록 적절히 설정하면 좋지만, 0.01～1㎛ 정도의 두께로 전자빔증착법으로 제 2 전극을 형성하여도 된다.
이러한 발광소자는 발광층의 선택과 배치에 의해서 단색표시도 다색표시도 가능하다. 단색표시는 동일한 재료로 모든 발광소자를 제조하면 되지만, 다색표시에는 몇 개의 방법이 있다. 하나는 칠하여 나누는 방법이다. 나누어 칠하는 방법은 필요한 부분에 원하는 빛깔로 발광하는 발광층을 나누어 칠함으로써 다색표시로 한다. 또 하나는 색 변환법이다. 이것은 발광층은 하나의 재료로써 형성하고, 필요한 부분에만 색 변환층을 설치하여, 발광층으로부터의 빛을 색 변환층을 통과시킴으로써 원하는 색깔로 변환하여 다색표시를 얻는 것이다. 또 하나의 방법은 백색발광소자에 칼라필터를 설치하는 방법이다. 이것은 백색을 발광하는 발광층을 화소부 전체면에 형성하여, 칼라필터를 통과시키는 것에 따라 다색표시를 실현한다. 어떤 방법도 풀칼라표시로 하고 싶은 경우는 일화소마다 RGB의 빛의 삼원색이 존재하도록 형성한다. 이와 같이 함으로써 발광장치는 단색, 다색, 풀칼라표시를 행할 수 있다.
이와 같이 하여 발광소자(246)가 완성하면, 비투수성 재료로 된 실제(247)를 사용하여 대향기판(248)을 소자기판에 고착하여, 밀봉을 행한다. 비투수성 재료로 된 실제(247)는 보호막이 형성된 절연막 주변의 홈형 개구부(227,240)와, 기판 주변부의 층간절연막 제거부분(228,241)에서의, 보호막에 덮인 층간절연막의 단면을 덮도록 형성하면 물의 침입구, 진입경로를 보다 강력히 차단하기 때문에 신뢰성의 향상에 공헌하게 된다. 이 비투수성 재료로 된 실제(247)는 비투습성 자외선 경화수지 등을 사용하면 된다.
이상의 공정으로써, 외부로부터 침입하여 오는 물에 의한 열화에 강한 전계발광장치를 제조할 수 있어, 전계발광장치의 신뢰성을 대폭 향상시키는 것이 가능하다. 이때, 본 실시예에서 밀봉부에서의 층간절연막 주변의 홈형의 개구부는 하나밖에 설치되지 않지만 이것은 복수 설치하는 것도 가능하고, 복수 설치하는 것에 의해, 더욱 신뢰성이 향상된다.
[실시예 2]
본 실시예에서는 실시형태 5와 실시형태 6에 관한 실시예를 도 17, 도 18a 내지 18i를 참조하면서 설명한다. 도 17은 층간절연막이 1층의 구조이지만, 기본적으로는 실시예 1의 구성과 동일하다고 생각된다. 발광소자의 제 1 전극의 구조가 다르지만, 이것에 관해서는 후술한다.
도 17은 도 3에서의 f-f'의 단면도이다. 도 17에서는, 층간절연막 주변부의 홈형의 개구부 및 기판 주변부의 층간절연막 제거부에, 그것들을 형성하기 위한 식각을 행할 때에의 식각 스톱퍼막으로서 작용하는 막(250)이 형성되어 있다. 식각 스톱퍼막(250)은 구동회로부나 화소부의 트랜지스터에 있어서의 반도체층을 형성함 과 동시에 형성할 수 있다. 층간절연막(251)을 식각할 때의 식각 스톱퍼로서 작용하여, 찌꺼기나 요철이 발생하는 것을 감소함으로써 비투수성 재료로 된 실제의 밀착성을 높이는 작용이 있다.
이 식각 스톱퍼막(250)이 있는 것 이외, 소스전극 및 드레인전극을 제조하는 곳까지 실시예 1과 마찬가지이므로 생략한다. 소스전극 및 드레인전극이 형성되면, 화소부의 스위칭용 TFT의 전극(255)에 접하도록 발광소자의 제 1 전극(252)을 형성한다. 본 실시예에서는 소스전극 및 드레인전극이 형성된 층간절연막 상에 발광소자의 제 1 전극(252)을 제조하기 때문에, 제 2 층간절연막을 제조할 필요가 없다. 제 1 전극(252)의 재료 등은 실시예 1의 제 1 전극과 같은 것을 사용할 수 있고, 제 1 전극 제조 후의 처리는 실시예 1과 마찬가지이므로 생략한다.
여기서, 제 1 전극을 ITO로 대표되는 투명도전막으로 형성하면, 기판(200) 방향으로 빛을 추출할 수 있다. 또한, 제 2 전극도 동시에 투명한 재료로 제조하면, 기판(200)과 대향기판(248)의 양쪽 방향을 향하여 빛을 추출할 수 있다.
계속해서, 도 18a 내지 18i에 도 3의 영역“c”의 부분의 제조방법에 관해서 나타내었다. 도 18a 내지 18e는 도 3의 a-a'의 단면도이고, 도 18f 내지 18i는 도 3의 영역 “c”의 상면도이다. 인접하는 도 18a 내지 18e와 도 18f 내지 18i의 도면은 동일 공정의 도면을 보이고 있다. 도 18a 내지 18i는 좌측이 FPC방향, 오른쪽이 표시부방향으로 되어 있다. 도 18f 내지 18i는 도 3의 영역 “c”의 방향과 다르기때문에 주의하여야 한다.
본 실시예에 있어서 표시부에, 트랜지스터가 형성되고, 제 1 층간절연막까지 형성되면, 외부단자와 내부회로를 연결하는 배선부분에는 기판(300) 상에 하지절연막(301)이 형성되고, 하지절연막(301) 상의 층간이 제거된 부분에는 식각 스톱퍼막(실리콘막)(302)이, 식각 스톱퍼막(실리콘막)(302)와 하지절연막(301)을 덮어 게이트절연막으로서 기능하고 있는 절연막(303)이, 그리고 그것을 덮어 제 1 층간절연막(304)이 형성된다. 제 1 층간막으로서는 아크릴막이나 실록산계 막을 사용할 수 있지만, 본 실시예에서는 실록산계 막을 사용하기로 한다(도 18a 및 18f).
계속해서, 제 1 층간절연막(304)의 단면에 테이퍼 형상을 갖도록 식각하고, 층간막을 제거하여 기판 주변에서의 층간절연막 제거부(305)를 형성한다. 층간절연막 제거부(305)에는 미리 식각 스톱퍼로 역할하는 식각 스톱퍼막(실리콘막)(302)이 형성되어 있기 때문에, 제거 후의 층간절연막 제거부(305)의 표면은 평탄이고, 찌꺼기나 하지막의 도려내기에 의한 요철은 발생하지 않고 있다(도 18b).
다음에, 배선이 되는 금속막(306)을 형성한다. 이 금속막은 화소부나 구동회로부에서의 소스전극이나 드레인전극과 같은 재질의 것으로 형성하면 된다. 구체적인 재료에 관해서는 실시예 1의 소스전극이나 드레인전극의 재료와 마찬가지다(도 18c 및 18h).
금속막(306)은 소스전극이나 드레인전극을 형성하는 식각과 동시에 식각되어, 배선(307)이 된다. 이때, 층간절연막 제거부(305)에 형성되어 있는 식각 스톱퍼막(실리콘막)(302)중, 배선(307)에 덮여 있지 않은 부분에 관해서는 이 식각으로 제거된다. 또한, 식각 스톱퍼막(302)중, 배선(307)의 하부에 위치하고 있지 않고, 또한, 잔존하는 층간절연막(304)의 아래에 위치하는 것(308)은, 실리콘막(302)을 형성할 때의 형상을 미리 배선 식각후, 배선(307) 아래에 위치하는 식각 스톱퍼막(실리콘막)(309)과 분리하도록 형성하고 있기 때문에, 식각 스톱퍼막(302)이 도전성 물질으로 만들어져도 인접하는 배선끼리는 쇼트하지 않게 되어 있다(도 18d, 18e, 18i).
식각 스톱퍼로서 식각 스톱퍼막(실리콘막)(302)을 형성함으로써, 층간절연막 제거부(305)에 발생하는 요철을 막을 수 있고, 그 후에 형성하는 배선상의 큰 요철의 발생도 억제할 수 있기 때문에, 위에 형성되는 비투수성 재료로 된 실제의 밀착성이 유지되고, 실제의 밀착성이 나쁜 곳에서 침입하는 물을 감소시키는 것이 가능하다.
이러한 구성을 함으로써, 외부단자부(FPC 등)와 내부회로를 연결하는 배선부분에서도 층간절연막을 제거하여, 외기에 층간절연막을 닿지 않도록 할 수 있기 때문에, 물의 침입을 대폭 줄일 수 있어, 전계발광장치의 신뢰성의 향상에 공헌한다.
또한, 기판 주변부의 제 1 층간절연막을 그 단면에 테이퍼 형상을 갖게 제거한 후, 배선용 금속을 형성하기 전에 그 위에 CVD 법에 의해 질화실리콘막, 질화탄소막 등의 질화막을 형성하는 것은 단면으로부터 침입하는 수분을 막을 목적으로 유용하다. (미도시) 이러한 질화막을 형성함으로써, 보다 높은 신뢰성을 얻는 것이 가능하다.
본 실시예에 있어서 제 1 층간절연막의 기판 주변부에서의 제거는, 화소부 및 구동회로부의 콘택홀 개공과 동일한 공정으로 행하고 있고, 또한 배선금속도 동일하므로 제 1 층간절연막 제거 후에 질화막을 형성하면 화소부 및 구동회로부에서 의 배선의 콘택이 없어져 버릴 우려가 있다. 그래서, 배선용 금속을 형성하기 전에 하부와 전기적인 접촉이 필요한 장소에서는 해당 부분에서의 질화막의 제거를 행하는 것이 바람직하다. 또한, 제 1 층간절연막상에 질화막을 형성하면, 이러한 콘택홀 부분에서의 층간절연막의 단면으로부터의 수분의 침입도 동시에 막는 것이 가능해지기 때문에 보다 더욱 높은 신뢰성을 얻을 수 있다.
[실시예3]
본 실시예에서는, 본 발명의 구성이 사용되는 전계발광장치에서의 화소구조의 일례를 도 19a 및 19b를 참조하면서 설명한다.
도 19a 및 19b는, 일 화소분의 소자구조를 보이고 있다. 도 3에서의 표시부분은 이러한 화소가 매트릭스형으로 다수 배치되어 형성된다. 물론 이 화소행성은 일례이고, 다르게 고려할 수 있는 어떠한 화소구성으로 하여도 된다.
도 19a 및 19b에서는, 상면방출구조를 채용하였다. 일 화소는 소스선(400), 구동 TFT 게이트선(401), 양극선(402), 소거용 게이트선(403), 기록용 게이트선(404), 소거 TFT(405), 기록 TFT(406), 구동 TFT(407), 표시 TFT(408), 교류구동용 다이오드(409), 커패시터(410), 구동 TFT의 드레인전극(411), 구동 TFT 게이트선(412)으로 되어 있다.
그리고, 이 상부에 절연막을 통해 발광소자(413)가 형성되어 있고, 발광소자의 양극, 또는 음극은 구동 TFT의 드레인전극(411)에 접속된다.
[실시예 4]
본 실시예에서는, 전계발광장치에 있어서, 영상을 표시하기 위하여 필요한 소스 드라이버의 구성에 관해서 도 20을 사용하여 설명한다.
게이트신호선이 선택되고 있는 행에서, 시프트 레지스터(SR)(500)은 클록펄스(504), 스타트 펄스(505)에 따라서, 1번째 단으로부터 순차로 샘플링펄스를 출력한다. 제 1 래치회로(501)는 샘플링펄스가 입력되는 타이밍에서 영상신호의 인출을 행하여, 각 단에 받아들인 영상신호는 제 1 래치회로(501)에서 저장된다.
하나의 시프트 레지스터(500)로부터 출력된 샘플링펄스에 의해, 제 1 래치회로(501)에서의 A, B, C의 3개의 래치회로가 각각 DATA 01 내지 20, DATA 21 내지40, DATA 41 내지 60의 비디오선으로부터 입력되는 신호를 받아들인다. 1번째 단의 시프트 레지스터(500)로부터 출력되는 샘플링펄스에서는 S01～S1920까지 있는 소스신호선중, S01～S60까지의 소스신호선에 충전,방전되기 위한 영상신호가 받아들인다. 1번째 단의 시프트 레지스터(500)의 샘플링펄스를 받아 영상신호를 받아들이는 제 1 래치회로는, 래치회로 A가 S01～S20, B가 S21～S40, C가 S41～S60의 소스신호선 분의 영상신호를 저장한다. 이후, 2번째 단의 시프트 레지스터로부터 출력되는 샘플링펄스를 받아 영상신호를 받아들이는 제 1 래치회로는 S61～S120까지의 소스신호선 분의 영상신호를 받아들이고, A, B, C의 래치회로는 각각 S61～S80, S81～S100, S101～S120의 소스신호선 분의 영상신호를 저장하고, 마찬가지로 32번째 단의 시프트 레지스터가 S1861～S1920 분의 소스신호선 분의 영상신호를 받아들여, 저장한 시점에서 1행분의 받아들임이 종료하게 된다.
1행분의 영상신호의 인출이 완료한 후, 래치펄스(LAT)(506)이 출력되면, 제 1 래치회로(501)에서 저장되어 있던 영상신호는 일제히 제 2 래치회로(502)에 전송되어, 모든 신호선이 일제히 충방전된다. 제 2 래치회로(502)로부터의 출력을 원하는 크기로 하기 위한 레벨시프터 및 버퍼는 필요에 따라서 적절히 설치하면 된다.
이상의 동작이 1번째 행으로부터 맨 마지막 번째 행까지 반복되고, 1프레임의 기록이 완료한다. 이후, 마찬가지의 동작을 반복하여, 영상의 표시를 행한다.
이때, 본 구성의 소스 드라이버는 어디까지나 일례로, 어떠한 소스 드라이버의 구성을 사용하여도 본 발명의 적용은 가능하다.
[실시예 5]
본 실시예에서는, 실시예 5에 나타낸 것과 같은 절연막의 단면에 테이퍼 형상을 갖는 방법에 관해서 설명한다.
습식식각 등의 등방성 식각에 의해 식각을 행하는 것이 가능하면, 식각시의 가장자리와 어느 정도의 막두께가 있으면 간단히 테이퍼 형상을 얻을 수 있다.
본 실시예에서는, 이방성 건식식각에서, 절연막에 테이퍼형상을 형성하는 방법에 관해서 설명한다.
우선, 처음에 통상의 방법으로 제조한 식각용 마스크를 사용하여 건식식각에 의해 원하는 형상으로 목적물을 가공하는 방법에 관해서 도 21a 내지 21e를 사용하여 간단히 설명한다.
우선, 피가공물(601)상부 전면에 감광성 레지스트나 폴리이미드 등의 마스크 재료(602)도포 등으로 형성한다(도21a). 본 설명에서는 포지티브형 레지스트를 예로 들어 설명한다.
계속해서, 레지스트중의 용재를 증발시켜, 안정화시키기 위한 저온에서의 프리베이크를 거친 후, 원하는 형상의 포토마스크(603)를 통해 레지스트를 노광하여, 부분적으로 감광시킨다(도 21b).
노광으로부터 감광된 부분을 현상액으로 용해하여 제거(도 21c)한 후, 레지스트의 밀착성을 향상시켜, 다음 공정에서 사용하는 에쳔트(etchant)에의 내성을 향상시키기 위해서 베이크를 행한다. 여기까지로, 목적물을 식각하기 위한 에칭 마스크가 형성된다. 지금까지의 공정을 포토리소그래피라고 한다.
그리고, 이 마스크를 사용하여 적절한 에쳔트를 사용하여, 목적물의 식각을 행함으로써 목적물을 원하는 형상으로 가공할 수 있다(도 21d).
여기서, 이 식각용 마스크의 단면은 하부에 위치할 목적물에 대한 각도가 크기 때문에, 건식식각 등의 이방성의 식각을 행하면 그 형상을 반영하여 아래의 목적물의 단면도 잘린 형상으로 되어 버린다. 이러한 방법으로 기판 주변부의 층간절연막을 제거하여, 배선을 형성하여 사용하면 상기 실시형태 4, 5에서 서술한 것과 같은 배선의 식각 나머지가 층간절연막 단면에 발생하여, 배선 쇼트에 의한 불량을 야기하여 버린다.
그래서, 포토리소그래피에 의해 마스크를 형성할 때에, 테이퍼형상을 형성하고 싶은 부분의 포토마스크(604)의 단부에, 노광시에 사용하는 노광장치에서의 해상도의 한계보다 가는 폭의 슬릿(605)을 형성한다. 노광장치의 해상도보다 가는 폭 의 슬릿 및 패턴을 통해 노광된 레지스트 등의 마스크재료는 그 부분에서 완전하게는 노광되지 않는 현상액으로 노광부분을 제거한 후도 막두께의 감소된 마스크가 잔존한다.
이와 같이 노광장치의 노광해상도 이하의 폭의 슬릿 또는 구멍을 포토마스크에 형성함으로써, 레지스트 등의 감광성 마스크재료에서의 비노광부분과 완전노광부분의 사이에 상기와 같은 불완전 노광부분을 설치함으로써 식각용 마스크의 단면에 테이퍼형상을 형성할 수 있다.
이 테이퍼형상을 갖는 식각용 마스크를 사용하여, 하층의 목적물과 해당 마스크 양쪽을 식각하는 조건에서 건식식각으로 대표되는 이방성 식각을 행하면, 목적물을 식각함과 동시에 식각용 마스크는 그 막두께가 얇은 곳으로부터 소실하여 가서, 식각용 마스크가 소실하였으므로 새롭게 식각 분위기에 노출된 목적물이 순차로 식각되는 것에 의해 거의 식각용 마스크의 형상을 반영한 형상의 목적물을 얻을 수 있다(도 21f 내지 21j).
이에 따라, 그 단면에 테이퍼형상을 가지는 식각용 마스크를 사용함으로써 단면에 동일한 테이퍼 형상을 갖는 목적물(실시형태 5에서는 층간절연막)을 얻는 것이 가능하다.
그런데, 노광을 행할 때의 포토마스크의 슬릿, 패턴 및 구멍의 형상에 따라서는 현상 후의 감광성재료의 형상을 자유롭게 형성하는 것이 가능하다. 도 22a 내지 22d에 그 일례를 도시한다. 도 22a 및 22c는 기판상에 실록산계 막을 형성하고, 그 위에 레지스트를 도포하고 나서 포토마스크(700)로 노광한 뒤, 건식식각에 의해서 식각한 것의 SEM 사진과 포토마스크의 모식도이다. SEM 사진은 도 22b 및 22d에 나타낸 포토마스크(700)와 같은 패턴을 가지는 포토마스크에 의해 레지스트를 노광하고 있다.
통상의 포토마스크는 701 부분에서만 노광을 행하지만, 도 22a 내지 22d에서는 더욱 포토 마스크의 포토리소그래피 장치 해상도의 한계 이하의 패턴(702)을 형성함으로써 SEM 사진으로 나타낸 것과 같은 단면형상을 얻을 수 있다.
도 22a 및 22d에 도시한 바와 같이 포토리소그래피 장치의 해상도의 한계 이하의 패턴(702)의 형상을 바꿈으로써 목적물에 여러 가지의 형상을 갖게 하는 것이 가능하다. 이와 같이 형성한 식각용 마스크를 사용할 목적물과 식각조건을 적절히 변경함에 의해, 지금까지 제조할 수 없는 형상의 것을 제조할 수도 있게 된다.
[실시예 6]
본 발명이 적용되는 전자기기로서, 비디오카메라, 디지털 카메라, 고글형 디스플레이(헤드마운트 디스플레이), 네비게이션 시스템, 음향재생장치(카오디오, 오디오 콤포넌트 등), 노트형 퍼스널컴퓨터, 게임기기, 휴대정보단말(모바일 컴퓨터, 휴대전화, 휴대형 게임기 또는 전자서적 등), 기록매체를 구비한 화상재생장치(구체적으로는 Digital Versatile Disc(DVD) 등의 기록매체를 재생하여, 그 화상을 표시할 수 있는 디스플레이를 구비한 장치)등을 들 수 있다. 그것들의 전자기기의 실제예를 도 23a 내지 도 23e에 도시한다.
도 23a는 벽걸이 형 표시장치로, 케이스(2001), 표시부(2003), 스피커부(2004) 등을 포함한다. 본 발명은, 표시부(2003)의 제조에 적용된다. 본 발명을 사용함에 의해, 보다 장기적으로 신뢰성을 확보할 수 있다.
도 23b는 디지털 스틸 카메라로, 본체(2101), 표시부(2102), 화상수신부(2103), 조작키(2104), 외부접속포트(2105), 셔터(2106) 등을 포함한다. 본 발명은, 표시부(2102)에 적용할 수 있다. 디지털 스틸 카메라는 옥외에서 사용하는 일이 많아, 옥내에서 사용하는 것보다 가혹한 상황에 놓이는 일이 많지만 본 발명을 사용하는 것에 따라서 비교적 가혹한 상황에서도 장기적 신뢰성을 얻는 것이 가능하다.
도 23c는 노트형 퍼스널 컴퓨터로, 본체(2201), 케이스(2202), 표시부(2203), 키보드(2204), 외부접속포트(2205), 포인팅 마우스(2206) 등을 포함한다. 본 발명은, 표시부(2203)에 적용할 수 있다. 노트형 퍼스널컴퓨터는 데스크탑과 달리, 갖고 다니며 사용하는 것도 생각될 수 있다. 디지털 스틸 카메라와 같이 운반되어짐에 의해 데스크탑 퍼스널 컴퓨터의 모니터보다 악조건하의 사용의 가능성도 많아진다. 본 발명을 이용함으로써, 그와 같은 조건하에 있더라도 보다 장기적인 신뢰성을 확보하는 것이 가능하다.
도 23d는 모바일 컴퓨터로, 본체(2301), 표시부(2302), 스위치(2303), 조작키(2304), 적외선포트(2305) 등을 포함한다. 본 발명은, 표시부(2302)에 적용할 수 있다. 모바일 컴퓨터는 옥외에서 사용하는 것이 많고, 옥내에서 사용하는 것보다 가혹한 상황에 놓이는 일이 많지만 본 발명을 사용함으로써 비교적 가혹한 상황에서도 장기적인 신뢰성을 얻는 것이 가능하다.
도 23e는 휴대형 게임기로, 케이스(2401), 표시부(2402), 스피커부(2403), 조작키(2404), 기록매체 삽입부(2405) 등을 포함한다. 본 발명은 표시부(2402)에 적용할 수 있다. 휴대형 게임기는 옥외에서 사용하는 것도 많고, 옥내에서 사용하는 것보다 가혹한 상황에 마르는 것이 많지만 본 발명을 사용함으로써 비교적 가혹한 상황에서도 장기적인 신뢰성을 얻는 것이 가능하다.
이상과 같이, 본 발명의 적용범위는 매우 넓고, 모든 분야의 전자기기에 사용하는 것이 가능하다. 또한, 제품의 신뢰성도 향상하기 때문에 메이커로서의 신뢰도도 높일 수 있다.
본 발명은 첨부한 도면을 참조하여 예에 의해 충분히 설명되지만, 다양한 변경 및 수정이 본 기술이 속하는 분야에서 당업자에게 명백할 것이라는 것이 이해되어야 한다. 그러므로, 그러한 변경 및 수정이 이후 정의된 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않는다면, 그것들은 여기에 포함되는 것으로써 해석되어야 한다.
본 발명에 따르면, 유기 또는 무기 발광소자를 사용한 디스플레이에 있어서, 외부로부터의 물이나 산소 등의 열화 요인이 되는 물질의 침입을 막고, 충분한 신뢰성을 얻을 수 있는 밀봉구조를 제공할 수 있다.
Claims (159)
- 제 1 기판;상기 제 1 기판 위에 형성된 제 1 층간절연막;상기 제 1 층간절연막 위에 형성된 제 2 층간절연막;상기 제 2 층간절연막 위에 형성된 발광소자;상기 발광소자 위에 설치된 제 2 기판;상기 제 1 층간절연막의 외주부에 형성되어 상기 제 1 층간절연막을 관통하는 제 1 개구부;상기 제 1 개구부와 상기 제 1 층간절연막을 피복하는 제 1 보호막;상기 제 2 층간절연막의 외주부와 상기 제 1 개구부 내에 형성되어 상기 제 2 층간절연막을 관통하여 상기 제 1 보호막에 도달하는 제 2 개구부;상기 제 2 개구부와 상기 제 2 층간절연막을 피복하며, 상기 제 2 개구부의 저면에서 상기 제 1 보호막과 접촉하는 제 2 보호막; 및상기 제 2 개구부를 덮는 밀봉재를 구비하고,상기 제 1 기판의 외주에서, 상기 제 1 층간절연막과 상기 제 2 층간절연막이 제거된 부분이 있고, 상기 제 1 층간절연막의 측면이 상기 제 1 보호막에 의해 피복되어 있고, 상기 제 2 층간절연막의 측면이 상기 제 2 보호막에 의해 피복되어 있고, 상기 제 1 층간절연막과 상기 제 2 층간절연막이 제거된 부분에서 상기 제 1 보호막은 상기 제 2 보호막과 접촉되어 있고,상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 중 적어도 하나는 투광성인 것을 특징으로 하는 발광장치.
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- 제 1 기판;상기 제 1 기판 위에 형성된 제 1 층간절연막;상기 제 1 층간절연막 위에 형성된 제 2 층간절연막;상기 제 2 층간절연막 위에 형성된 발광소자;상기 발광소자 위에 설치된 제 2 기판;상기 제 1 층간절연막의 외주부에 형성되어 상기 제 1 층간절연막을 관통하는 제 1 개구부;상기 제 1 개구부와 상기 제 1 층간절연막을 피복하는 제 1 보호막;상기 제 2 층간절연막의 외주부와 상기 제 1 개구부 내에 형성되어 상기 제 2 층간절연막을 관통하여 상기 제 1 보호막에 도달하는 제 2 개구부;상기 제 2 개구부와 상기 제 2 층간절연막을 피복하며, 상기 제 2 개구부의 저면에서 상기 제 1 보호막과 접촉하는 제 2 보호막; 및상기 제 2 개구부를 덮는 밀봉재를 구비하고,상기 제 1 보호막과 상기 제 2 보호막은 금속막으로 형성되며,상기 제 1 기판의 외주에서, 상기 제 1 층간절연막과 상기 제 2 층간절연막이 제거된 부분이 있고, 상기 제 1 층간절연막의 측면이 상기 제 1 보호막에 의해 피복되어 있고, 상기 제 2 층간절연막의 측면이 상기 제 2 보호막에 의해 피복되어 있고, 상기 제 1 층간절연막과 상기 제 2 층간절연막이 제거된 부분에서 상기 제 1 보호막은 상기 제 2 보호막과 접촉되어 있고,상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 중 적어도 하나는 투광성인 것을 특징으로 하는 발광장치.
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- 제 19 항에 있어서,상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판은 상기 제 1 개구부와 상기 제 2 개구부가 형성되어 있는 제 1 영역 또는 상기 제 1 영역의 외부에 있는 제 2 영역에서 서로 고착되는 것을 특징으로 하는 발광장치.
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- 제 1 기판;상기 제 1 기판 위에 형성된 제 1 층간절연막;상기 제 1 층간절연막 위에 형성된 제 2 층간절연막;상기 제 2 층간절연막 위에 형성된 발광소자;상기 발광소자 위에 설치된 제 2 기판;상기 제 1 층간절연막의 외주부에 형성되며, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판이 밀봉재로 서로 고착된 영역에 형성되고, 상기 제 1 층간절연막을 관통하는 제 1 개구부;상기 제 1 개구부와 상기 제 1 층간절연막을 피복하는 제 1 보호막;상기 제 2 층간절연막의 외주부와 상기 제 1 개구부 내의 영역에 형성되어 상기 제 2 층간절연막을 관통하여 상기 제 1 보호막에 도달하는 제 2 개구부; 및상기 제 2 개구부와 상기 제 2 층간절연막을 피복하며, 상기 제 2 개구부의 저면에서 상기 제 1 보호막과 접촉하는 제 2 보호막을 구비하고,상기 제 1 기판의 외주에서, 상기 제 1 층간절연막과 상기 제 2 층간절연막이 제거된 부분이 있고, 상기 제 1 층간절연막의 측면이 상기 제 1 보호막에 의해 피복되어 있고, 상기 제 2 층간절연막의 측면이 상기 제 2 보호막에 의해 피복되어 있고, 상기 제 1 층간절연막과 상기 제 2 층간절연막이 제거된 부분에서 상기 제 1 보호막은 상기 제 2 보호막과 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는 발광장치.
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- 제 1 기판;상기 제 1 기판 위에 형성된 제 1 층간절연막;상기 제 1 층간절연막 위에 형성된 발광소자;상기 제 1 층간절연막 위에 형성된 제 2 층간절연막;상기 발광소자 위에 설치된 제 2 기판;상기 제 1 층간절연막의 외주부에 형성되며, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판이 밀봉재로 서로 고착된 영역에 형성되고, 상기 제 1 층간절연막을 관통하는 제 1 개구부;상기 제 1 개구부와 상기 제 1 층간절연막을 피복하는 제 1 보호막;상기 제 2 층간절연막의 외주부와 제 1 개구부 내의 영역에 형성되어 상기 제 2 층간절연막을 관통하여 상기 제 1 보호막에 도달하는 제 2 개구부; 및상기 제 2 개구부와 상기 제 2 층간절연막을 피복하며, 상기 제 2 개구부의 저면에서 상기 제 1 보호막과 접촉하는 제 2 보호막을 구비하고,상기 제 1 기판의 외주에서, 상기 제 1 층간절연막과 상기 제 2 층간절연막이 제거된 부분이 있고, 상기 제 1 층간절연막의 측면이 상기 제 1 보호막에 의해 피복되어 있고, 상기 제 2 층간절연막의 측면이 상기 제 2 보호막에 의해 피복되어 있고, 상기 제 1 층간절연막과 상기 제 2 층간절연막이 제거된 부분에서 상기 제 1 보호막은 상기 제 2 보호막과 접촉되어 있고,상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판이 상기 밀봉재에 의해 상기 서로 고착된 영역에서 상기 제 1 층간절연막의 측면이 테이퍼형으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 삭제
- 제 1 항, 제 19 항, 제 39 항, 제 120 항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광소자는 박막 트랜지스터에 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 1 항, 제 19 항, 제 39 항, 제 120 항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 층간절연막이 유기재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 1 항, 제 19 항, 제 39 항, 제 120 항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 층간절연막이 무기재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 1 항, 제 19 항, 제 39 항, 제 120항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 층간절연막이 실록산을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 132 항에 있어서,상기 유기재료는 아크릴인 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 132 항에 있어서,상기 유기재료는 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 1 항, 제 19 항, 제 39 항, 제 120 항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광장치는 표시장치, 카메라, 컴퓨터, 휴대용 정보 단말 및 게임기로 이루어진 그룹으로부터 선택된 전자기기에 내장되는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 1 항, 제 19 항, 제 39 항, 제 120 항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 층간절연막이 유기재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 1 항, 제 19 항, 제 39 항, 제 120 항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 층간절연막이 무기재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 1 항, 제 19 항, 제 39 항, 제 120 항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 층간절연막이 실록산을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 138 항에 있어서,상기 유기재료는 아크릴인 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 138 항에 있어서,상기 유기재료는 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 1 항, 제 19 항, 제 39 항, 제 120 항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 보호막은 비투수성인 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 1 항, 제 19 항, 제 39 항, 제 120 항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 보호막은 질화실리콘막인 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 1 항, 제 19 항, 제 39 항, 제 120 항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 보호막은 박막 트랜지스터의 소스전극 및 드레인 전극과 같은 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 19 항, 제 39 항, 제 120 항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 보호막은 비투수성인 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 19 항, 제 39 항, 제 120 항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 보호막은 질화실리콘막인 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 19 항, 제 39 항, 제 120 항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 보호막은 상기 발광소자의 양극 또는 음극과 같은 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 1 항, 제 19 항, 제 39 항, 제 120 항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 개구부의 하부에 반도체막이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 1 항, 제 19 항, 제 39 항, 제 120 항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 개구부의 하부에 반도체막이 형성되고, 상기 반도체막은 박막 트랜지스터의 활성층과 같은 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 1 항, 제 19 항, 제 39 항, 제 120 항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 층간절연막의 하부에서 상기 제 1 기판의 단부까지 반도체막이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 1 항, 제 19 항, 제 39 항, 제 120 항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 층간절연막의 하부에서 상기 제 1 기판의 단부까지 반도체막이 형성되고, 상기 반도체막은 박막트랜지스터의 활성층과 같은 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 1 항, 제 19 항, 제 39 항, 제 120 항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 개구부의 하부에 금속막이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 1 항, 제 19 항, 제 39 항, 제 120 항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 개구부의 하부에 금속막이 형성되고, 상기 금속막은 박막트랜지스터의 게이트 전극과 같은 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 1 항, 제 19 항, 제 39 항, 제 120 항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 층간절연막의 하부에서 상기 제 1 기판의 단부까지 금속막이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 1 항, 제 19 항, 제 39 항, 제 120 항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 층간 절연막의 하부에서 상기 제 1 기판의 단부까지 금속막이 형성되고, 상기 금속막은 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 동일한 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 1 항, 제 19 항, 제 39 항, 제 120 항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,적어도 상기 제 1 개구부의 저면의 일부와 상기 제 2 개구부의 저면의 일부는 상기 제 1 기판 위에서 같은 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 1 항, 제 19 항, 제 39 항, 제 120 항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 개구부의 저면과 상기 제 2 개구부의 저면은 상기 제 1 기판 위에서 상이한 위치에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광장치.
- 제 1 항, 제 19 항, 제 39 항, 제 120 항 또는 제 129 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 개구부는 상기 제 1 층간 절연막에 형성되고, 상기 제 2 개구부는 상기 제 2 층간 절연막에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광장치.
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| US7619258B2 (en) * | 2004-03-16 | 2009-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US7183147B2 (en) * | 2004-03-25 | 2007-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method for manufacturing thereof and electronic appliance |
| KR20050113045A (ko) | 2004-05-28 | 2005-12-01 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법 |
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| US8148895B2 (en) * | 2004-10-01 | 2012-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of the same |
| ATE476757T1 (de) * | 2004-10-21 | 2010-08-15 | Lg Display Co Ltd | Organische elektrolumineszente vorrichtung und herstellungsverfahren |
| JP4870933B2 (ja) * | 2005-03-04 | 2012-02-08 | 東北パイオニア株式会社 | 自発光パネルおよび自発光パネルの製造方法 |
| US20060214564A1 (en) * | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Hsi-Ming Chang | Organic electroluminescent display and method for fabricating the same |
| KR100645533B1 (ko) * | 2005-05-27 | 2006-11-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시소자 및 그의 제조 방법 |
| KR101147991B1 (ko) * | 2005-06-23 | 2012-05-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시자치용 어레이 기판과 그 제조방법 |
| KR100695169B1 (ko) * | 2006-01-11 | 2007-03-14 | 삼성전자주식회사 | 평판표시장치 |
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| KR100635514B1 (ko) * | 2006-01-23 | 2006-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100671647B1 (ko) * | 2006-01-26 | 2007-01-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 |
| JP4555258B2 (ja) * | 2006-01-26 | 2010-09-29 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機電界発光表示装置 |
| JP5207670B2 (ja) * | 2006-07-19 | 2013-06-12 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
| TWI367565B (en) * | 2008-02-05 | 2012-07-01 | Chimei Innolux Corp | Double-layered active area structure with a polysilicon layer and a microcrystalline silicon layer, method for manufactruing the same and its application |
| KR100897157B1 (ko) | 2008-02-28 | 2009-05-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
| JP2010257957A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-11-11 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
| JP5322805B2 (ja) * | 2009-06-26 | 2013-10-23 | 三菱電機株式会社 | 画像表示素子及びその製造方法 |
| JP5271172B2 (ja) * | 2009-06-26 | 2013-08-21 | 三菱電機株式会社 | 画像表示素子及びその製造方法 |
| US8766269B2 (en) | 2009-07-02 | 2014-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, lighting device, and electronic device |
| US9000442B2 (en) * | 2010-01-20 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device |
| TWI589042B (zh) * | 2010-01-20 | 2017-06-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置，撓性發光裝置，電子裝置，照明設備，以及發光裝置和撓性發光裝置的製造方法 |
| US20120074434A1 (en) * | 2010-09-24 | 2012-03-29 | Jun Seok Park | Light emitting device package and lighting apparatus using the same |
| KR101223724B1 (ko) * | 2010-10-25 | 2013-01-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자소자용 보호막 및 그 제조 방법 |
| KR20130025717A (ko) * | 2011-09-02 | 2013-03-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR101876540B1 (ko) * | 2011-12-28 | 2018-07-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치 및 가요성 표시 장치의 제조 방법 |
| US9203047B2 (en) | 2012-03-12 | 2015-12-01 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescent element |
| CN104012173B (zh) * | 2012-07-26 | 2016-08-24 | 松下电器产业株式会社 | 有机el装置 |
| KR101965257B1 (ko) * | 2012-10-08 | 2019-04-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉시블 표시 장치 |
| KR102047729B1 (ko) * | 2013-04-30 | 2019-11-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
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| KR102114316B1 (ko) * | 2013-10-02 | 2020-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
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| KR102159149B1 (ko) * | 2013-12-23 | 2020-09-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치용 원장 기판 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
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| KR102456654B1 (ko) * | 2014-11-26 | 2022-10-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 기기 |
| US9991326B2 (en) | 2015-01-14 | 2018-06-05 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device comprising flexible substrate and light-emitting element |
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| KR102381285B1 (ko) * | 2015-08-06 | 2022-03-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
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| KR102550322B1 (ko) * | 2016-03-22 | 2023-07-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
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| US20180040638A1 (en) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | Innolux Corporation | Display device |
| KR102553910B1 (ko) | 2016-08-31 | 2023-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치와 그의 검사방법 |
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| CN109243305B (zh) * | 2018-09-17 | 2021-10-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置和显示面板的制造方法 |
| CN111370439A (zh) * | 2018-12-07 | 2020-07-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| KR102656092B1 (ko) * | 2019-07-15 | 2024-04-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20210086897A (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030089991A1 (en) * | 2001-11-09 | 2003-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
| JP2003229250A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-08-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
Family Cites Families (57)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05299177A (ja) | 1992-04-22 | 1993-11-12 | Sharp Corp | 薄膜エレクトロ・ルミネッセンス素子 |
| US6559256B2 (en) | 1994-12-28 | 2003-05-06 | Cambridge Display Technology Ltd. | Polymers for use in optical devices |
| JPH09148066A (ja) | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Pioneer Electron Corp | 有機ｅｌ素子 |
| TW477907B (en) * | 1997-03-07 | 2002-03-01 | Toshiba Corp | Array substrate, liquid crystal display device and their manufacturing method |
| JP3774897B2 (ja) | 1997-06-03 | 2006-05-17 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子 |
| US6413656B1 (en) | 1998-09-14 | 2002-07-02 | The University Of Southern California | Reduced symmetry porphyrin molecules for producing enhanced luminosity from phosphorescent organic light emitting devices |
| US6303238B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-10-16 | The Trustees Of Princeton University | OLEDs doped with phosphorescent compounds |
| US6451455B1 (en) | 1998-04-01 | 2002-09-17 | The Trustees Of Princeton University | Metal complexes bearing both electron transporting and hole transporting moieties |
| US6469437B1 (en) | 1997-11-03 | 2002-10-22 | The Trustees Of Princeton University | Highly transparent organic light emitting device employing a non-metallic cathode |
| EP1044586B1 (en) | 1997-10-09 | 2006-02-01 | The Trustees of Princeton University | Method for fabricating highly transparent non-metallic cathodes |
| US6030715A (en) | 1997-10-09 | 2000-02-29 | The University Of Southern California | Azlactone-related dopants in the emissive layer of an OLED |
| US6150043A (en) | 1998-04-10 | 2000-11-21 | The Trustees Of Princeton University | OLEDs containing thermally stable glassy organic hole transporting materials |
| US6420031B1 (en) | 1997-11-03 | 2002-07-16 | The Trustees Of Princeton University | Highly transparent non-metallic cathodes |
| TW476227B (en) * | 1997-10-09 | 2002-02-11 | Univ Princeton | Optoelectronic devices containing highly transparent non-metallic cathodes |
| JPH11202349A (ja) * | 1998-01-12 | 1999-07-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP3646510B2 (ja) | 1998-03-18 | 2005-05-11 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜形成方法、表示装置およびカラーフィルタ |
| US6387544B1 (en) | 1998-04-10 | 2002-05-14 | The Trustees Of Princeton University | OLEDS containing thermally stable glassy organic hole transporting materials |
| JP3883706B2 (ja) * | 1998-07-31 | 2007-02-21 | シャープ株式会社 | エッチング方法、及び薄膜トランジスタマトリックス基板の製造方法 |
| JP2000173766A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-06-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
| US7288420B1 (en) * | 1999-06-04 | 2007-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an electro-optical device |
| KR100335462B1 (ko) * | 1999-08-11 | 2002-05-04 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시패널 |
| US7112115B1 (en) * | 1999-11-09 | 2006-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US6633121B2 (en) * | 2000-01-31 | 2003-10-14 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device and method of manufacturing same |
| AU3483001A (en) | 2000-02-04 | 2001-08-14 | Corixa Corp | Compositions and methods for the therapy and diagnosis of ovarian cancer |
| TW525305B (en) * | 2000-02-22 | 2003-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Self-light-emitting device and method of manufacturing the same |
| TW521237B (en) | 2000-04-18 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
| JP2001357973A (ja) | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Sony Corp | 表示装置 |
| US7019718B2 (en) | 2000-07-25 | 2006-03-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US7223643B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| JP3480444B2 (ja) * | 2000-12-26 | 2003-12-22 | 日本電気株式会社 | Ｇｆｐフレーム転送装置およびｇｆｐフレーム転送方法 |
| SG143945A1 (en) * | 2001-02-19 | 2008-07-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US6992439B2 (en) * | 2001-02-22 | 2006-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with sealing structure for protecting organic light emitting element |
| JP4801278B2 (ja) | 2001-04-23 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
| US6952023B2 (en) * | 2001-07-17 | 2005-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7488986B2 (en) * | 2001-10-26 | 2009-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| CN100380673C (zh) * | 2001-11-09 | 2008-04-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光设备及其制造方法 |
| US6822264B2 (en) * | 2001-11-16 | 2004-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP4101511B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2008-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
| CN1184995C (zh) | 2002-01-08 | 2005-01-19 | 郑国升 | 强肾助孕冲剂 |
| JP2003297552A (ja) | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル |
| AU2003221089A1 (en) * | 2002-03-29 | 2003-10-13 | Miyadera, Toshiyuki | Organic electroluminescence display panel |
| JP3989763B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2007-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置 |
| US7221093B2 (en) * | 2002-06-10 | 2007-05-22 | Institute Of Materials Research And Engineering | Patterning of electrodes in OLED devices |
| CN101882668B (zh) * | 2002-12-19 | 2012-05-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
| KR100972148B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2010-07-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 씰패턴 하부의 적층구조에 특징을 가지는 액정표시장치 |
| KR100675630B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2007-02-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시패널 및 그 제조방법 |
| JP4417027B2 (ja) * | 2003-05-21 | 2010-02-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| SG142140A1 (en) * | 2003-06-27 | 2008-05-28 | Semiconductor Energy Lab | Display device and method of manufacturing thereof |
| JP4741177B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2011-08-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
| US7928654B2 (en) * | 2003-08-29 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| US7619258B2 (en) * | 2004-03-16 | 2009-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US7791270B2 (en) * | 2004-09-17 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Light-emitting device with reduced deterioration of periphery |
| KR100635514B1 (ko) * | 2006-01-23 | 2006-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| JP5299177B2 (ja) | 2009-09-01 | 2013-09-25 | トヨタ自動車株式会社 | 内燃機関の燃焼制御装置 |
| KR20150033195A (ko) * | 2013-09-23 | 2015-04-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102160813B1 (ko) * | 2014-01-07 | 2020-09-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR102264651B1 (ko) * | 2015-02-03 | 2021-06-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
-
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-
2011
- 2011-04-18 US US13/088,578 patent/US8723417B2/en active Active
-
2012
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-
2014
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-
2018
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-
2019
- 2019-07-25 US US16/522,202 patent/US10903402B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030089991A1 (en) * | 2001-11-09 | 2003-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
| JP2003229250A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-08-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| EP1511081A2 (en) | 2005-03-02 |
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| KR20050021963A (ko) | 2005-03-07 |
| TW200518616A (en) | 2005-06-01 |
| US10367124B2 (en) | 2019-07-30 |
| US20050046346A1 (en) | 2005-03-03 |
| TWI407825B (zh) | 2013-09-01 |
| US7928654B2 (en) | 2011-04-19 |
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| CN101483186A (zh) | 2009-07-15 |
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