TWI571168B - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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TWI571168B
TWI571168B TW104121146A TW104121146A TWI571168B TW I571168 B TWI571168 B TW I571168B TW 104121146 A TW104121146 A TW 104121146A TW 104121146 A TW104121146 A TW 104121146A TW I571168 B TWI571168 B TW I571168B
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坂倉真之
永井雅晴
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半導體能源研究所股份有限公司
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Description

顯示裝置及其製造方法
本發明係關於一種用藉由使用在電極之間插入發光材料且藉由在電極之間施加電流而發光的元件(發光元件)而形成的顯示裝置，尤其係關於這種顯示裝置中發光元件的密封結構。
近年來，已經積極的研發了使用發光元件的薄而輕的顯示器。發光元件是藉由在一對電極之間插入施加電流而發光的發光材料來形成的。由於不像液晶顯示器的情況，發光元件自身發光，並且元件本身也很輕，所以不需要光源，例如背光。因此，極有利於形成薄且輕的顯示器。
儘管發光元件的發光材料包括有機的和無機的，但是通常認為使用由低電壓驅動的有機材料的發光元件是較佳的。具有使用有機材料的發光元件的顯示器的驅動電壓是從5V到10V，可以理解的是，和使用需要100V到200V的驅動電壓的無機材料的電發光裝置相比，它可以用很低的電壓驅動。值得讚賞的低能耗的液晶顯示器的驅動電壓 近似於從5V到15.5V，還可以理解的是具有使用無機材料的發光元件的顯示器可以用等於或者低於液晶顯示器的電壓驅動。
然而，具有這種優點但還沒有實際應用的背景就是因為可靠性的問題。由於潮濕，使採用有機材料的發光元件經常損壞，而且具有不能保持長久可靠性的缺點。由於潮濕而損壞的發光元件導致發光減少或者不發光。可以想像的是這在使用發光元件的顯示裝置中引起暗點(黑點)和收縮(從顯示裝置的邊緣部分發光減少)。
習知技藝提出了不同的對策以抑制這種損壞(例如，參考文獻1：日本專利特開平9-148066，以及參考文獻2：日本專利特開平13-203076)。
然而，當採用這些對策時，仍然沒有獲得足夠的可靠性，因此，期望在可靠性上得到進一步改善。
本發明的目的就是提供一種密封結構，該密封結構可以阻止從外部進入的破壞因素例如水或者氧氣材料，並且在使用有機或者無機發光元件的顯示器中獲得足夠的可靠性。
鑒於上述目的，根據本發明，藉由阻止水從中間層絕緣膜進入，抑制了發光元件的損壞，並且得到了足夠的可靠性。在本發明中，在具有在基底之間插入發光元件而構成的圖素部分的發光裝置中，至少基底的一側是透光的。
本發明的一種結構是包括在一對基底間插入發光元件的發光裝置，至少一個基底是透光的，其中形成發光元件以與第一中間層絕緣膜和第二中間層絕緣膜的一個或者兩個接觸，第一中間層絕緣膜和第二中間層絕緣膜的邊緣部分包含：穿過第一中間層絕緣膜的第一開口；覆蓋第一開口和在第一開口中的第一中間層絕緣膜的第一不可滲透保護膜；以及穿過第二中間層絕緣膜的第二開口。
本發明的另一種結構是包括在一對基底之間插入發光元件的發光裝置，至少一個基底是透光的，其中形成發光元件以與第一中間層絕緣膜和第二中間層絕緣膜的一個或者兩個接觸，第一中間層絕緣膜和第二中間層絕緣膜的邊緣部分包含：穿過第一中間層絕緣膜的第一開口；覆蓋第一開口和在第一開口中的第一中間層絕緣膜的第一不可滲透保護膜；以及穿過第二中間層絕緣膜的第二開口；和覆蓋第二開口的和在第二開口中的第二中間層絕緣膜的第二不可滲透保護膜，且該第二不可滲透保護膜在第二開口的底面上和第一不可滲透保護膜接觸。
本發明的另一種結構是包括在一對基底之間插入發光元件的發光裝置，其中的至少一個基底是透光的，形成發光元件以與第一中間層絕緣膜和第二中間層絕緣膜的一個或者兩個接觸，第一中間層絕緣膜和第二中間層絕緣膜的邊緣部分包含：穿過第一中間層絕緣膜的第一開口；覆蓋第一開口和在第一開口中的第一中間層絕緣膜的第一不可滲透保護膜；以及穿過第二中間層絕緣膜的第二開口；和 覆蓋第二開口和在第二開口中的第二中間層絕緣膜的第二不可滲透保護膜，且該第二不可滲透保護膜在第二開口的底面上和第一不可滲透保護膜接觸，並且在具有第一開口和第二開口的區域或者在該區域的外側用不可滲透組成將該基底對彼此固定在一起。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中第二不可滲透保護膜由與發光元件的陽極和陰極相同的材料構成。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中發光元件裝配有連接到薄膜電晶體上的圖素部分。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中第一不可滲透保護膜是由和薄膜電晶體的源極和汲極相同的材料構成的。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中在第一開口的較低部分中形成半導體薄膜。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中在第一開口的較低部分中形成金屬膜。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中在第一開口的較低部分中形成半導體膜，以及半導體膜是由和薄膜電晶體的主動層相同的材料構成。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中在第一開口的較低部分中形成金屬膜，以及金屬膜是由和薄膜電晶體的閘極相同的材料構成。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其 中至少第一開口的底面的部分和第二開口的底面的部分是形成在基底表面的相同部分。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中第一開口的底面的部分和第二開口的底面的部分是形成在基底表面的不同部分。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中形成多個第一開口和第二開口。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中至少第一中間層絕緣膜和第二中間層絕緣膜的一層由有機材料構成。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中至少第一中間層絕緣膜和第二中間層絕緣膜的一層由無機材料構成。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中至少第一中間層絕緣膜和第二中間層絕緣膜的一層由矽氧烷膜構成。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中有機材料是丙烯酸或者聚醯亞胺。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中第一不可滲透保護膜或者第二不可滲透保護膜是氮化矽膜。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中第一不可滲透保護膜和第二不可滲透保護膜是氮化矽膜。
本發明的另一種結構是，發光裝置包括插入一對基底之間的發光元件，至少其中一個基底是透光的，其中形成發光元件以和中間層絕緣膜接觸，形成在內部沒有到達基底邊緣部分的中間層絕緣膜的側邊緣部分被處理成錐型。
本發明的另一種結構是，發光裝置包括插入一對基底之間的發光元件，至少其中一個基底是透光的，其中形成發光元件以和中間層絕緣膜接觸，形成在內部沒有到達基底邊緣部分的中間層絕緣膜的側邊緣部分被處理成錐型，以及不可滲透保護膜形成在中間層絕緣膜側邊緣部分。
本發明的另一種結構是，發光裝置包括插入一對基底之間的發光元件，其中至少一個基底是透光的，其中形成發光元件以和中間層絕緣膜接觸，形成在內部沒有到達基底邊緣部分的中間層絕緣膜的側邊緣部分被處理成錐型，以及形成在中間層絕緣膜側邊緣部分的不可滲透保護膜，並且在中間層絕緣膜的側邊緣部分區域或者在該區域的外側區域用不可滲透組成將該基底對彼此固定在一起。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中發光元件裝配有連接到薄膜電晶體上的圖素部分。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中在從中間層絕緣膜的底部到基底的邊緣部分形成半導體膜。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中在從中間層絕緣膜的較低部分到基底的邊緣部分形成金屬膜。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中在從中間層絕緣膜的底部到基底的邊緣部分形成半導體膜，並且該半導體膜是由和薄膜電晶體的主動層相同的材料構成的。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中在從中間層絕緣膜的較低部分到基底的邊緣部分形成金屬膜，以及金屬膜是由和薄膜電晶體的閘極相同的材料構成的。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中中間層絕緣膜是由有機材料構成的。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中中間層絕緣膜是由無機材料構成的。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中中間層絕緣膜是由矽氧烷構成的。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中有機材料是丙烯酸或者聚醯亞胺。
根據上述結構，本發明的另一種結構是發光裝置，其中不可滲透保護膜是氮化矽膜。
本發明的另一種結構是，發光裝置包括：在一對基底之間插入發光元件構成的圖素部分，至少其中一個基底是透光的；接收外部訊號的外部連接部分；和連接圖素部分和外部連接部分的多條接線，其中在圖素部分和外部連接部分之間用不可滲透組成將基底對彼此固定在一起，形成發光元件以和中間層絕緣膜接觸，中間層絕緣膜的一部分 位於多條接線中的相鄰接線線之間，以及在用不可滲透組成將基底彼此固定在一起的部分的較低部分或者在其內部，該線厚實的設置有多個彎曲。
根據上述結構，可以抑制場致發光裝置中發光元件的損壞。而且，可靠性也得到了徹底地提高。
藉由和附圖一起閱讀下述具體說明下，本發明的這些和其他目的、特徵和優點將更顯而易見。
1‧‧‧中間層絕緣膜
2‧‧‧端面
3‧‧‧密封劑
4‧‧‧發光元件
10‧‧‧中間層絕緣膜移除部份
11‧‧‧中間層絕緣膜保留部份
12‧‧‧步階
13‧‧‧蝕刻殘渣
14‧‧‧接線
15‧‧‧中間層絕緣膜
16‧‧‧中間層絕緣膜
17‧‧‧端面
18‧‧‧中間層絕緣膜
20‧‧‧蝕刻阻止膜
21‧‧‧錐形邊緣
22‧‧‧位置
23‧‧‧蝕刻阻止膜
100‧‧‧基底
101‧‧‧底絕緣膜
102‧‧‧第一中間層絕緣膜
103‧‧‧第一保護膜
104‧‧‧第二中間層絕緣膜
105‧‧‧第二保護膜
106‧‧‧凹槽形開口
107‧‧‧密封劑
108‧‧‧相對基底
120‧‧‧中間層絕緣膜移除部份
130‧‧‧蝕刻阻止膜
131‧‧‧蝕刻阻止膜
132‧‧‧半導體層
133‧‧‧閘極電極
134‧‧‧接線
135‧‧‧陽極
136‧‧‧隔離物
137‧‧‧發光層
138‧‧‧陰極
200‧‧‧基底
201‧‧‧底絕緣膜
203‧‧‧n通道薄膜電晶體
204‧‧‧p通道薄膜電晶體
205‧‧‧開關電晶體
206‧‧‧電流控制電晶體
207-210‧‧‧半導體層
211‧‧‧閘極絕緣膜
212a-215a‧‧‧第一導電層
212b-215b‧‧‧第二導電層
216‧‧‧第一雜質區
217‧‧‧第二雜質區
218、219‧‧‧第三雜質區
220、221‧‧‧第四雜質區
222、223‧‧‧第五雜質區
224‧‧‧第一鈍化膜
225‧‧‧第一中間層絕緣膜
226‧‧‧接觸孔
227‧‧‧凹槽形開口
228‧‧‧中間層絕緣膜移除部份
229-235‧‧‧源/汲極電極
236‧‧‧圖素電極
237‧‧‧第一保護膜
238‧‧‧第二中間層絕緣膜
239‧‧‧接觸孔
240‧‧‧凹槽形開口
241‧‧‧中間層絕緣膜移除部份
242‧‧‧保護膜
243‧‧‧絕緣體
244‧‧‧發光層
245‧‧‧第二電極
246‧‧‧發光元件
247‧‧‧密封劑
248‧‧‧相對基底
250‧‧‧蝕刻阻止膜
251‧‧‧中間層絕緣膜
252‧‧‧第一電極
255‧‧‧電極
260a-260c‧‧‧電極
300‧‧‧基底
301‧‧‧底絕緣膜
302‧‧‧蝕刻阻止膜
303‧‧‧絕緣膜
304‧‧‧第一中間層絕緣膜
305‧‧‧中間層絕緣膜移除部份
306‧‧‧金屬膜
307‧‧‧接線
308‧‧‧位置
309‧‧‧蝕刻阻止膜
400‧‧‧源極線
401‧‧‧驅動TFT閘極線
402‧‧‧陽極線
403‧‧‧抹除閘極線
404‧‧‧寫入閘極線
405‧‧‧可抹除TFT
406‧‧‧寫入TFT
407‧‧‧驅動TFT
408‧‧‧顯示TFT
409‧‧‧AC驅動二極體
410‧‧‧電容器
411‧‧‧汲極電極
412‧‧‧驅動TFT閘極線
413‧‧‧發光元件
500‧‧‧移位暫存器
501‧‧‧第一鎖存器電路
502‧‧‧第二鎖存器電路
504‧‧‧時鐘脈衝
505‧‧‧啟始脈衝
601‧‧‧要被處理的物件
602‧‧‧掩模材料
603‧‧‧光罩
604‧‧‧光罩
605‧‧‧狹縫
700‧‧‧光罩
701‧‧‧部份
702‧‧‧圖案
2001‧‧‧底座
2003‧‧‧顯示部份
2004‧‧‧揚聲器部份
2101‧‧‧主機
2102‧‧‧顯示部份
2103‧‧‧影像接收部份
2104‧‧‧操作鍵
2105‧‧‧外部連接埠
2106‧‧‧快門
2201‧‧‧主機
2202‧‧‧底座
2203‧‧‧顯示部份
2204‧‧‧鍵盤
2205‧‧‧外部連接埠
2206‧‧‧滑鼠
2301‧‧‧主機
2302‧‧‧顯示部份
2303‧‧‧開關
2304‧‧‧操作鍵
2305‧‧‧紅外線埠
2401‧‧‧底座
2402‧‧‧顯示部份
2403‧‧‧揚聲器部份
2404‧‧‧操作鍵
2405‧‧‧記錄媒體插入部份
圖1A到1C顯示實施例模式1。
圖2A到2B顯示習知結構。
圖3是場致發光裝置的頂視圖。
圖4A和4B顯示實施例模式1的變形。
圖5A到5B顯示實施例模式2。
圖6A到6C顯示實施例模式3。
圖7A和7B顯示實施例模式3。
圖8A到8C顯示習知結構。
圖9A到9C顯示實施例模式4。
圖10A到10F顯示實施例模式4。
圖11A和11B顯示實施例模式5。
圖12A到12C顯示實施例模式6。
圖13A到13D顯示實施例模式6。
圖14A和14B顯示實施例1。
圖15A和15B顯示實施例1。
圖16A和16B顯示實施例1。
圖17顯示實施例2。
圖18A至18I顯示實施例2。
圖19A和19B顯示實施例3。
圖20顯示實施例4。
圖21A至21J顯示實施例5。
圖22A至22D是顯示實施例5的SEM圖和圖案。
圖23A到23E顯示電子裝置的例子。
以下說明實施本發明的模式。注意，圖中相同的數字表示相同的部分或者類似的部分。並且省略相同部分的說明。
(實施例模式1)
在場致發光裝置中，經常使用絕緣膜、如氧化矽膜、氮化矽膜、丙烯酸膜、聚醯亞胺膜或者矽氧烷膜作為中間層絕緣膜。特別地，丙烯酸膜或者矽氧烷膜是較佳材料，是因為它可以藉由塗覆形成，並且它具有很高的平面性。然而，在其他方面，它有相當高的滲透性。
圖2A和2B是沿圖3中線b-b’的橫截面圖。在圖2A和2B所示的習知結構的情況下，中間層絕緣膜1的端面2總是暴露到外部大氣中。因此，存在一種情況是，即使當其上面的部件被不可滲透密封劑3覆蓋使得發光元件 4沒有暴露於外部空氣中時，但是水可經由中間層絕緣膜進入並且導致發光元件損壞。
因此，參考圖1A到1C說明本發明一種用於解決該問題的結構。圖1A到1C顯示藉由用不可滲透膜(以下稱作保護膜)覆蓋形成在中間層絕緣膜週邊上的凹槽內部，減少水經由中間層絕緣膜進入的例子。例如，圖1A到1C對應於沿圖3中線d-d’的橫截面圖。注意，在圖1A和1B中省略了由不可滲透材料製成的密封劑和相對基底。圖中顯示場致發光裝置的週邊的狀態。參考數字100表示基底；101，底絕緣膜；102，第一中間層絕緣膜；103，第一保護膜；104，第二中間層絕緣膜；以及105，第二保護膜。
在這種結構中，假定第一中間層絕緣膜102和第二中間層絕緣膜104具有相當高的可滲透性。在這些高滲透性的膜中，在厚度方向上形成穿透每個膜的凹槽形開口106。形成保護膜103和105以至少覆蓋凹槽的內部(以連續地覆蓋露出的中間層絕緣膜的端面和較低部分的膜)。而且，保護膜103和105在開口106彼此接觸。
當使用這種結構時，藉由形成在凹槽形開口106的端面上的不可滲透保護膜103和105阻止了從中間層絕緣膜102和104進入的水的進一步進入。由於形成的凹槽形開口106在厚度方向上穿透，所以不提供保護膜就能阻斷水的進入路徑。因此，根據所需的可靠度，單獨提供凹槽形開口變成了由於水而使發光元件損壞的對策。
當環繞滲透性膜的週邊連續地形成凹槽形開口106時，凹槽形開口106是最有效的。然而，當這不可能實現時，可以期望藉由僅在一側或者部分地形成開口而達到某種程度的效果，因為至少可以減少水從一部分進入。
在圖1A到1C中，雖然從中間層絕緣膜的週邊到裝配有發光元件的區域反復地提供有凹槽形開口106，但是也可以僅僅提供一個凹槽形開口106。然而，藉由反復地採用這種方法，可進一步提高可靠度。
當保護膜103和105由接線材料構成時，它們可以用作能設置在外部邊界的引出接線。而且，圖1A和圖1B之間的區別就是在每個開口中保護膜103和105是獨立的或不是獨立的區別。當如圖1B所示在每個開口應用這種獨立結構時，在每個開口中保護膜可以被用作獨立接線。
藉由這種凹槽形開口和保護膜抑制水進入的其他結構也是可以想到的，在圖4A和4B中提供它們的一些例子。圖4A和4B中顯示的橫截面圖也對應於圖3中線d-d’等。而且，省略了不可滲透材料製成的密封劑和相對基底。
圖1A到1C顯示在第一中間層絕緣膜102中形成的第一開口和在第二中間層絕緣膜中形成的第二開口的位置相同的例子；然而，圖4A和4B顯示在第一中間層絕緣膜102中形成的第一開口和在第二中間層絕緣膜中形成的第二開口的位置不同的例子。甚至這種結構也能獲得和圖1A到1C所示的結構相似的效果，以及由於第二開口比圖 1A到1C的第二開口更淺，所以可以在短時間形成。另外，由於位準差異變小，因此不需要特別關注步階間的斷開。在圖4A和圖4B中，形成開口的位置是不同的。
另外，用不可滲透材料構成的密封劑107將裝配有發光元件的基底100固定到相對基底108，從外面密封發光元件。當密封劑形成在凹槽的開口106的上部時，密封劑更有效地抑制水進入。
在這個實施例模式中，說明了兩層中間層絕緣膜的情況；然而，本發明也能應用於一層的情況。
(實施例模式2)
在這個實施例模式中，參考圖5A和5B說明藉由將基底的週邊上的滲透性膜從基底週邊移到一定距離以阻止水進入的結構的例子。這裏，假定滲透性膜是中間層絕緣膜。然而，物件不限於中間層絕緣膜，並且本發明可以被用作滲透性膜的對策。橫截面圖對應於圖3中線e-e’。
參考數字120表示圖5A中基底的端面上移除了中間層絕緣層102和104的部分。在實施例模式1中，中間層絕緣膜102和104的端面暴露於外部空氣中。然後，在這個實施例模式中，移除基底端面上中間層絕緣膜102和104的適當距離，它們的端面用保護膜103和105塗覆。因此，可以防止滲透性膜的端面暴露於外部空氣中；由此，可以阻斷水自己進入。
當不可滲透材料製成的密封劑107形成在覆蓋有保護 膜的中間層絕緣膜端面的外邊或者形成為在固定的相對基底108中覆蓋中間層絕緣膜的整個端面時，可以進一步阻止水進入。因此，可以期望可靠性得到提高。
另外，在這個實施例中的其他結構也是可以想像的，它們中的一個例子示於圖5B中。圖5B和圖5A之間的區別是在基底端面上中間層絕緣膜102和104的移除的位置。圖5A顯示第二中間層絕緣膜104的端面位於比第一中間層絕緣膜102的端面離基底的外邊更遠的結構。
注意，在這個實施例模式中使用了兩層中間層絕緣膜；然而，本發明可以應用於具有一層中間層絕緣膜的場致發光裝置。
此外，當和實施例模式1組合時，這個實施例更有效。
(實施例模式3)
參考圖6A到6C可以顯而易見，在製造本發明的密封結構的情況中，在基底端面上可以在形成開口106和中間層絕緣膜移除部分120同時，在中間層絕緣膜102和104中形成接觸孔的開口，這是有效的。
然而，在使用矽半導體層作為蝕刻阻止器蝕刻中間層絕緣膜和閘極絕緣膜的條件下蝕刻接觸孔。在開口106和蝕刻阻止器不存在位置上的的中間層絕緣膜移除部分120，可以產生蝕刻殘渣或者可以削尖底絕緣膜101，由此，在蝕刻第一中間層絕緣膜102中產生不平坦。
圖7A是樣品的SEM圖，其中矽氧烷膜形成在底膜之上作為中間層絕緣膜，氮化矽膜形成在其上，在接觸孔的開口狀態下移除中間層絕緣膜，然後進行接線。由“C”和“c”表示的區域是中間層絕緣膜被移除的區域，區域“a”、“b”和“c”裝配有接線。區域“A”是沒有被蝕刻的最初表面，“B”是中間層絕緣膜的端面，以及“C”是底絕緣膜的表面。
明顯可見的是，在接觸孔開口的狀態下，中間層絕緣膜中形成的接觸孔到達基底絕緣膜時，產生了區域“C”中所示的小的不平坦。然後，藉由在那之上形成接線產生區域“c”中所示的大的不平坦。由形成在區域“a”之上的接線的不平坦明顯可見的是，在形成開口之後由底絕緣膜上的不平坦引起的這種不平坦。接線可以用作保護膜，以及這可以導致在保護膜上產生不平坦。而且，接線本身的覆蓋變的相當差。
當產生這種大的不平坦時，形成在其上由不可滲透材料構成的密封劑的粘接性受到極大地影響。這是因為當密封劑的粘接性差時，甚至當密封劑本身的滲透性差時，水從粘接性差的部分進入。
如圖7A，圖7B是樣品的SEM圖，其中矽氧烷膜形成在底絕緣膜之上作為中間層絕緣膜，在接觸孔打開的條件下移除中間層絕緣膜，然後進行接線。圖7A中區域“C”對應於圖7B的區域“D”，區域“D”是在基底上按順序形成底絕緣膜和中間層絕緣膜之後，在接觸孔打開 的條件下移除中間層絕緣膜的表面。圖7A中區域“c”對應於圖7B中的區域“E”，區域“E”是在圖7B中區域“D”上形成接線的表面。
另一方面，圖7B中的區域“F”是在接觸孔打開的條件下移除中間層絕緣膜的部分的表面類似於圖7B中在基底上按順序形成底絕緣膜、矽膜、和中間層絕緣膜之後圖7B中的區域“D”，也就是，在底絕緣膜上形成作為蝕刻阻止器矽膜並且在其上形成中間層絕緣膜。簡要地，它具有圖7B中配置有矽膜的蝕刻阻止器的區域“D”的結構。由於在“E”中形成接線時藉由蝕刻移除區域“F”中的矽膜，所以可以看到與圖7B中區域“D”相類似的矽膜。和中間層絕緣膜下面沒有形成矽膜的“D”相比，區域“F”具有很平的表面。
這是因為矽膜充當蝕刻阻止膜，並且抑制在蝕刻中間層絕緣膜中產生中間層絕緣膜的殘渣和由底絕緣膜的圓槽導致產生不平坦。
基於這點，在這種實施例模式中，在設置圖1A到1C中的開口106和在圖5A和5B(圖6A)中移除部分120的中間層絕緣膜的位置上預先形成蝕刻阻止膜130和131。圖6A到6C中顯示的橫截面圖對應於沿圖3線f-f’的橫截面圖。
在這種實施例模式中，說明了藉由使用形成薄膜電晶體(TFT)的半導體膜132的矽膜形成這種蝕刻阻止膜130和131的例子。其中薄膜電晶體(TFT)是在驅動電 路部分或圖素部分形成的。然而，可以使用任何膜作為蝕刻制動膜130和131，只要它能當成到開口106和在移除中間層絕緣膜時移除部分120的中間層絕緣膜的蝕刻阻止器。在這種實施例模式中，它可以由和半導體層132相同的材料構成，和半導體層132同時形成；它可以由和閘極133相同的材料構成，和閘極同時形成；或者它可以單獨的由其他材料構成。當它和半導體層132或者閘極絕緣膜同時形成時，由於沒有增加處理過程，所以這是有利的。
開口106和中間層絕緣膜移除部份120與用於接線的接觸孔開口同時形成。在這種情況，蝕刻阻止膜130和131(矽膜)形成在本發明的發光裝置中開口106和中間層絕緣膜移除部份120的較低部分。因此，沒有產生由於中間層絕緣膜的蝕刻殘渣或者圓槽引起的不平坦。如果形成後續將形成的接線134以覆蓋開口106的內部和被移除部分120的中間層絕緣膜中的端面，它也會作用當成保護膜103。當用蝕刻阻止膜130和131移除中間層絕緣膜時，在較低膜上沒有產生蝕刻殘渣或者圓槽。因此，可以阻止保護膜103粘性的降低，可以抑制在保護膜上產生不平坦。
在這個實施例模式中，保護膜103是由和用於接線134相同的金屬膜材料構成，並且可以用形成接線的步驟同時形成。然而，它可以以不同的步驟由其他材料構成。
而且，保護膜103還可以被後面將形成的圖素部分的開關TFT上用於發光元件陽極的材料塗覆。可以期望的 是可以進一步抑制水進入(圖6B)。
在形成發光元件之後，用由不可滲透材料構成的密封劑107固定相對基底108。藉由將密封劑施加到凹槽形開口106上和/或基底週邊上的中間層絕緣膜移除部份120上，可以阻斷水的進入路徑。因此，密封劑對於抑制發光元件損壞是高效的。發光元件是藉由將發光層137插在陽極135和陰極138之間形成的，並且發光元件藉由隔離物136與每個元件隔開(圖6C)。
當應用這個實施例模式時，抑制了凹槽形開口106和基底週邊上的中間層絕緣膜移除部份120上的保護膜103產生不平坦。因此，可以阻止密封劑的粘性降低，並且可以抑制水從具有很差粘性的部分進入，這提高了可靠性。
這種實施例模式可以和實施例模式1或2自由組合。當組合時，進一步阻止了水從外部進入；因此，場致發光裝置的可靠性得到進一步提高。
(實施例模式4)
在這種實施例模式中，說明了一種結構，該結構可以抑制在很難移除整個中間層絕緣膜的結構中經由中間層絕緣膜進入的水的影響。
如實施例模式2和3中所說明的，移除基底週邊上的中間層絕緣膜以及藉由用保護膜103(和105)和密封劑107塗覆中間層絕緣膜的端面而盡可能的不將中間層絕緣膜的端面露出到外部空氣中是一種十分有效的阻止水進入 的方法。然而，可能有一種情況是，由於取決於結構，所以移除整個中間層絕緣膜是困難的。
例如，考慮連接到外部端子和內部電路的接線部分(圖3中的區域“c”)。當使用其中移除了基底週邊上的中間層絕緣膜的結構(形成中間層絕緣膜移除部份120的結構：實施例模式2和3)時，藉由移除基底週邊上的中間層絕緣膜、形成金屬膜作為接線以及蝕刻金屬膜以具有接線所需的形狀來形成接線。
然而，於此存在第12步階，即中間層絕緣膜的端面形成在從移除中間層絕緣膜15的部分10和保留了中間層絕緣膜的部分11之間。有一種情況是，形成在這個位置的金屬膜沒有被充分蝕刻掉並殘留。這種蝕刻殘渣13使得鄰近的線14短路並引起故障。
如圖9所示對留在線14之間的中間層絕緣膜16進行測量以減少露在外面空氣中的中間層絕緣膜同時防止短路。因此，藉由阻止將大多數中間層絕緣膜露到外面空氣中，可以阻止由於上述的短路引起的故障。然而，不能移除留在接線之間的中間層絕緣膜並總是暴露到外部空氣中；因此不能阻止水從部分進入。當從長期可靠性的觀點考慮時，水從殘留在接線之間的中間層絕緣膜進入可以有負作用。
膜中水的擴散現象使得水經由中間層絕緣膜進入。至於擴散現象，假定到達某位置的時間和距離的平方成比例，這可以藉由擴散公式得到。也就是，當只有留在接線 之間的中間層絕緣膜是水的進入通道時，藉由在留在電極之間的絕緣膜中擴散進入的水到達場致發光裝置內部的時間，可以藉由使距離盡可能長的而得到有效地增長。
通常地，如圖10A所示，除了在佈置方面必須是彎曲的地方，例如拐角之外，連接外端子和內電路的接線部分是直線。接線14密密地設置有圖10B所示的多個彎曲部。
然後可以增長存在於接線之間的中間層絕緣膜16的基本長度，並且水在中間層絕緣膜中到達場致發光裝置內部之前的擴散距離變得更長。因此，可以在很大程度上獲得開始破壞的時間，以及可以確保比以前更長時間的可靠性。
圖10C到10F顯示實現這種實施例模式的其他可想像得出的結構的例子。當接線中間的中間層絕緣膜的長度變得更長時，甚至比圖10A中習知結構只稍長時，和以前相比可以進一步延遲水進入。根據需要可以形成想要的圖案。
當應用這種實施例模式時，當從發光裝置的上面看時，接線之間的中間層絕緣膜的面積變大。因此，在不暴露到外部空氣的這個位置中設置接線的彎曲部是不可能的，也就是，在由不可滲透材料構成的密封劑的內部或者在密封劑得較低部分。
可以藉由和實施例模式1到3適當地組合來應用這種實施例模式。根據它的位置，藉由分別應用實施例模式有 效地阻止水進入是可能的，例如將這種實施例模式應用到場致發光裝置的連接外部端子和內部電路的接線部分(圖3等中的區域“c”)，實施例模式1和2應用到其他週邊部分。而且，在這種實施例模式中，在形成接線部分中，具有移除中間層絕緣膜的步驟。當在那個時候應用實施例模式中的結構時，可以抑制在接線上產生不平坦。因此，提高了由不可滲透材料構成的密封劑的粘性，以及減少水從密封劑和接線之間的介面進入。
(實施例模式5)
在這種實施例模式中，參考圖11A和11B說明了可以移除中間層絕緣膜並且阻止水經由中間層絕緣膜進入的方式，該中間層絕緣膜是在基底週邊上也在連接到外部端子和內部電路的接線部分中(圖3C中區域“c”等)。
如圖8所示，僅在步階12中，因為中間層絕緣膜15的端面不能被蝕刻，所以在那產生了蝕刻殘渣。由於中間層絕緣膜的端面是陡斜的，所以接線材料並不能被用於形成接線的各向異性乾燥蝕刻法蝕刻，並且可以留在這個部分上。在這個接線部分中，根據接線的邊緣，使用以濕蝕刻為代表的各向同性蝕刻是困難的。
因此，在這種實施例模式中，中間層絕緣膜18的端面17被處理成緩錐形。因此，即使在中間層絕緣膜的端面17上接線也一定可以被蝕刻，並且可以阻止產生蝕刻殘渣；因此移除接線14之間的中間層絕緣膜變得沒有必 要了(圖11A和11B)。
因此，可以自在連接到外部端子和內部電路的接線部分中(圖3C中區域“c”等)徹底地移除基底週邊上的中間層絕緣膜。而且，藉由用不可滲透密封劑覆蓋比存在有中間層絕緣膜的位置更向外的整個週邊位置，可以完全阻斷穿過中間層絕緣膜的水通路。
注意，中間層絕緣膜的錐形端面可以用惰性氣體例如氬氣處理。這樣增加了接線的表面密度，和沒有處理的情況比較，還具有使雜質如水更難以進入的效果。而且，較佳的是，還形成氮化膜例如氮化矽膜以覆蓋中間層絕緣膜的錐形端面，因為可以類似地抑制水從端面進入。
這種實施例模式可以適當地和實施例模式1和2結合使用。根據它的位置和必要性，可以藉由單獨應用實施例模式有效阻止水進入，例如，將這種實施例模式應用到連接到場致發光裝置的外部端子和內部電路，並且實施例模式1和2應用到另一週邊部分。
(實施例模式6)
在這種實施例模式中說明了實施例模式5和實施例模式3組合的例子。
在這種實施例模式5和實施例模式3組合的實施例模式中，蝕刻阻止膜20形成在為了抑制在蝕刻中間層絕緣膜時引起不平坦的產生而移除了中間層絕緣膜的部分10中。在這種情況下，為了將中間層絕緣膜的端面形成為錐 形，根據邊緣21在保留中間層絕緣膜15的低端部分形成用作蝕刻阻止器作用的膜(圖12A)。
蝕刻阻止膜20形成在中間層絕緣膜移除部份10的整個表面上，並在其上形成接線14。因此，當蝕刻阻止膜20導電時，形成在中間層絕緣膜移除部份上的所有接線短路。然而，在蝕刻中，蝕刻沒形成接線的位置22中的蝕刻阻止膜，並且連同不需要的金屬膜一起將其移除，或者在藉由接線蝕刻不能將其蝕刻的情況下再次進行適當的蝕刻以移除。因此，沒必要擔心該部分中接線之間的短路。然而，位於上述保留下來的中間層絕緣膜的較低部分中蝕刻阻止膜23(在錐形邊緣21部分中的蝕刻阻止膜20)並沒有移除而保留了下來，由於它覆蓋有中間層絕緣膜。當該膜導電時，引來了接線藉由該部分短路的問題(參見圖12B)。
當蝕刻阻止器由絕緣膜構成時，不會產生這種問題。 然而，在沒有增加步驟而形成蝕刻阻止器時，尤其會產生這種問題，因為可以想像得到的膜是用於半導體層的矽膜或者用於閘極的金屬膜，並且兩者都有導電性。
在這種實施例模式中，形成在中間層絕緣膜下面的所有蝕刻阻止膜中，從頭開始蝕刻阻止膜並沒有形成在接線之間(圖13A到13D)。形成在中間層絕緣膜下面的所有蝕刻阻止膜中，蝕刻阻止膜形成為與位於接線較低部分中的蝕刻阻止膜隔開(圖18F到18I)。
當應用這種結構時，在連接到外部端子和內部電路的 接線部分中也能抑制移除中間層絕緣膜時產生不平坦，並且也能抑制接線的不平坦。因此，也能阻止由於較低膜的不平坦所引起的密封劑粘性的降低，並且可以徹底降低水從粘性差的密封劑部分的進入。因此，場致發光裝置的可靠性得到了極大地提高。
〔實施例1〕
在這個實施例中，參考圖14A和14B、15A和15B、16A和16B說明實施例模式1和實施例模式2的具體實施例。
第一層中間層絕緣膜225形成在設置有底絕緣膜201、驅動電路電晶體(僅僅是圖中所示的n通道薄膜電晶體203和p通道薄膜電晶體204)和圖素部分(僅僅是圖中所示的開關電晶體205和電流控制電晶體206)中的薄膜電晶體的基底200上。
絕緣基底例如玻璃基底、石英基底或者水晶玻璃、陶瓷基底、不銹鋼基底、金屬基底(鉭、鎢、鉬等)、半導體基底、塑膠基底(聚醯亞胺、丙烯酸、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸脂、多芳基化合物、聚醚碸(polyethersulfone)等等)等等都可以用作基底200，只要其至少能抵抗處理的過程中產生的熱的材料。在這個實施例中，使用玻璃基底。
二氧化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜等等可以用作底絕緣膜201。藉由已知的方法例如濺射、低壓CVD、電漿 CVD等等形成這些膜。在這個實施例中，氮氧化矽膜形成的厚度為100nm。
因此，形成了非晶半導體膜。非晶半導體膜可以由矽或者含矽材料作為它的主要構成成分(例如SixGel-x等等)並具有所需的厚度。作為製造方法，可以使用已知的例如濺射、低壓CVD、電漿CVD。在這個實施例中，非晶半導體膜由非晶矽形成為50nm的厚度。
而後，將非晶矽結晶。在這個實施例中說明藉由熱處理在添加促使結晶化的元素後進行雷射結晶和結晶的步驟。
在半導體膜的表面上用旋轉器塗敷重量濃度為5ppm到10ppm含鎳硝酸鎳，形成鎳溶液的薄膜。可以藉由濺射代替塗敷將鎳元素濺射在半導體膜的整個表面上。作為催化元素，可以使用元素例如鐵(Fe)、鈀(Pd)、錫(Sn)、鉛(Pb)、鈷(Co)、鉑(Pt)、銅(Cu)、和金(Au)中的一種或多種以及鎳(Ni)。
隨後，藉由熱處理使非晶半導體膜結晶化。由於使用了催化元素，所以該熱處理過程可以在500℃到600℃的溫度下進行大約4到24小時。按照這種結晶化技術，半導體膜變成了結晶半導體膜。
然後，藉由雷射進行結晶化以改善結晶度。對於雷射結晶過程，可以使用脈衝振蕩或者連續振蕩氣體、固體或者金屬雷射振蕩裝置。藉由使用光學系統從雷射振蕩裝置中振蕩出的雷射可以線性發射。
如這個實施例中藉由使用催化結晶化的金屬而結晶的半導體膜包含用於膜中結晶的金屬元素。因為這種殘渣可以引來多個缺點，所以需要使用吸起法降低其濃度。
首先，用臭氧水對結晶的半導體膜進行處理，然後形成具有從1nm到5nm厚度的遮罩膜，在其上藉由濺射形成吸氣的位置。藉由蒸發包含氬元素的50nm厚的無機矽膜形成吸氣的位置。然後，藉由使用燈退火裝置在750℃退火3分鐘進行吸氣以移除吸氣位置。
在吸氣後，結晶化半導體膜被蝕刻成所需形狀的半導體層207到210。然後，形成閘極絕緣膜211。藉由低壓CVD、電漿CVD、濺射等等可以形成近似115nm厚的含矽絕緣膜。在這個實施例中形成氧化矽膜。
在閘極絕緣膜211上形成30nm厚的氮化鉭(TaN)膜作為第一導電層，以及形成370nm厚的鎢(W)膜作為第二導電膜。注意，在這個實施例中，第一導電層是30nm厚的TaN，第二導電層是370nm厚的W膜，然而，本發明不限於此。第一和第二導電層可以由選自於Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu、Cr和Nd或者合金或者具有上述元素作為主成分構成的化合材料。而且，可以使用摻有雜質元素例如磷的多晶矽代表的半導體膜。可以形成20nm到100nm厚的第一導體層，和形成100nm到400nm厚的第二導體層。在這個實施例中，使用兩層的疊層結構，可以使用單層結構，或者還可以層疊三層或更多層。
為了藉由蝕刻導體層形成電極和接線，用光微影法藉 由曝光形成掩模的抗蝕劑。在第一和第二蝕刻條件下進行蝕刻處理。用抗蝕劑構成的掩模進行蝕刻以形成閘極和接線。蝕刻條件可以由各個情況來決定。
在這種方法中，使用ICP(感應耦合電漿)蝕刻。作為第一蝕刻條件，將氣流比為25/25/10(sccm)和壓力為1.0Pa的CF4、Cl2、O2用作蝕刻氣體，500W的RF(13.56MKz)電源施加在線圈電極上產生用於蝕刻的電漿。150W的RF(13.56MHz)電源施加在基底側(樣品階段)提供足夠的負自偏壓。在第一蝕刻條件下蝕刻W膜使第一導電層的邊緣部分成錐形。在第一蝕刻條件下蝕刻W膜的速率是200.39nm/min，TaN膜上蝕刻的速率是80.32nm/min，W相對於TaN的選擇比率接近2.5。而且，在第一蝕刻條件下W膜的錐角大約26°。
接下來，在第二蝕刻條件下進行蝕刻。用抗蝕劑剩下的作為掩模進行蝕刻15秒，藉由使用氣流比為30/30(sccm)和壓力為1.0Pa的CF4和Cl2作蝕刻氣體，以及500W的RF(13.56MHz)電源施加在線圈電極上產生用於蝕刻的電漿。20W的RF(13.56MHz)電源施加在基底側(樣品階段)提供足夠的負自偏壓。在混合了CF4和Cl2的第二蝕刻條件下，W膜和TaN膜都被蝕刻了同樣的程度。由於施加到基底的負偏壓使得在第一蝕刻中第一和第二導電層的邊緣部分變成了錐形。
在沒有移除作為掩模的抗蝕劑時進行第二蝕刻。使用氣流比為24/12/24(sccm)和壓力為1.3Pa的SF6、Cl2和 O2作蝕刻氣體，以及700W的RF(13.56MHz)電源施加在線圈電極上產生用於蝕刻25秒的電漿。10W的RF(13.56MHz)電源施加在基底側(樣品階段)提供足夠的負自偏壓。在這個蝕刻條件下，對W膜有選擇性地蝕刻以形成在第二形狀的導電層。此時第一導電層很難被蝕刻掉。藉由第一和第二蝕刻形成了包括有第一導電層212a到215a和第二導電層212b到215b的閘極。
在沒有移除作為掩模的抗蝕劑時進行第一摻雜。因此，將低濃度N型雜質摻雜到晶體半導體層中。可以藉由離子摻雜或者離子注入進行第一摻雜。用從1×1013atoms/cm2到5×1014atoms/cm2的分量和從40kV到80kV的催化電壓進行離子摻雜。N型雜質可以是由磷(p)或者砷(As)代表的屬於元素周期表15族的元素。 在這個實施例中使用磷(P)。第一導電層被用作掩模以自校準的方式形成雜質區域(N-區域)，低濃度的雜質被摻雜。
其後，移除作為掩模的抗蝕劑。然後，重新形成抗蝕劑構成的掩模並在比第一摻雜更高的加速電壓下進行第二摻雜。同樣在第二摻雜將N型雜質摻雜。用從1×1013atoms/cm2到3×1015atoms/cm2的分量和從60kV到120kV的加速電壓進行離子摻雜。在這個實施例中，用從3.0×1015atoms/cm2的分量和65kV的加速電壓進行離子摻雜。進行第二摻雜，使得藉由使用第二導電劑層作為掩模對抗雜質元素，將雜質元素摻雜到第一導電層下的半導體 層中。
藉由第二摻雜，第二雜質區(N-區域，Lov區域)形成在沒有和第二導體層重疊的部分或者在第一導電層與結晶半導體重疊的部分中沒有被掩模覆蓋的部分。濃度範圍在1×1018atoms/cm3到5×1019atoms/cm3的N型雜質摻雜到第二雜質區域中。而且，用1×1019atoms/cm3到5×1021atoms/cm3的高濃度N型雜質對露出的部分(第三雜質區域：N+區域)摻雜，該露出部分既沒有被第一形狀的導體層也沒有被掩模覆蓋。半導體層只有一部分被掩模覆蓋的N+區域。這部分的N型雜質濃度沒有從第一摻雜的雜質濃度改變。因此，事實上這部分被稱作第一雜質區(N-區域)。
注意，在這個實施例中，藉由兩種摻雜處理形成每個雜質區；然而，本發明不唯一地局限於此。根據每種情況決定藉由一種或多種摻雜形成具有所需雜質濃度的雜質區域。
其後，移除作為掩模的抗蝕劑，重新在第三摻雜中形成由抗蝕劑構成的掩模。藉由第三摻雜，形成第四雜質區(P+區域)和第五雜質區(P-區域)，其中該區域中有與第一和第二的導電率相反的雜質元素被添加到作為P溝TFT的半導體層。
第四雜質區(P+區域)形成在沒有被作為掩模的抗蝕劑覆蓋和沒有與第一導電層重疊的部分，第五雜質區(P-區域)形成在沒有被作為掩模的抗蝕劑覆蓋、沒有與第一 導電層重疊和沒有與第二導電層重疊的部分。P型雜質元素可以是硼(B)、鋁(Al)、或者鎵(Ga)，其中的每個都屬於元素周期表中的13族。
在這個實施例中，藉由使用乙硼烷(B2H6)的離子摻雜，用硼作為P型雜質元素以形成第四和第五雜質區。用1×1016atoms/cm2的分量和80kV的加速電壓進行離子摻雜。
注意，在第三摻雜中用於形成P通道TFT的半導體層207和209由抗蝕劑構成的掩模覆蓋。
藉由第一和第二摻雜，第四雜質區(P+區域)和第五雜質區(P-區域)由不同濃度的磷摻雜。然而，在第四雜質區(P+區域)和第五雜質區(P-區域)兩個區域中進行第三摻雜，使得P型雜質元素的濃度為1×1019atoms/cm2到5×1021atoms/cm2。因此，第四雜質區(P+區域)和第五雜質區(P-區域)用作P通道TFT的源區和汲區而沒有問題。
可以注意到第四雜質區(P+區域)和第五雜質區(P-區域)是藉由一次第三摻雜形成的；然而，本發明不僅僅局限於此。第四雜質區(P+區域)和第五雜質區(P-區域)可以根據各自條件藉由多次摻雜處理而形成。
藉由上述的摻雜處理，形成了第一雜質區(N-區域)216、第二雜質區(N-區域，Lov區域)217、第三雜質區(N+區域)218和219、第四雜質區(P+區域)220和221、和第五雜質區(P-區域)222和223。
其後，在閘極和閘極絕緣膜上形成第一鈍化膜224。 氮化矽膜、氧氮化矽膜、或包含氫的氮氧化矽膜形成為第一鈍化膜。
其後，形成第一中間層絕緣膜225。在將矽氧烷聚合物整個用作第一中間層絕緣膜之後，藉由在50℃到200℃的溫度下10分鐘的熱處理以及在300℃到450℃的溫度下進行1個小時到12個小時的烘乾處理乾燥第一中間層絕緣膜。藉由烘乾在整個表面形成厚1μm的矽氧烷膜，其中骨架結構由矽(Si)和氧(O)組成。這個步驟可以藉由包含在第一鈍化膜224中的氫使半導體層氫化，也可以烘乾矽氧烷聚合物；從而，可以減少處理步驟的數量，可以簡化處理過程。
由已知方法、如CVD方法形成的無機絕緣膜、有機材料樹脂、低-K材料等可以用作第一中間層絕緣膜。
其後，可以由CVD方法形成的氮化矽氧化物膜或氮氧化矽膜覆蓋在第一中間層絕緣膜225上。當蝕刻隨後形成的導電膜時，這層膜可以起到蝕刻阻止器的功能並且可以防止中間層絕緣膜受到過度蝕刻。此外，可以藉由濺射在其上形成氮化矽膜。氮化矽膜具有抑制鹼性金屬離子移動的功能。因此，可以防止隨後形成圖素電極中的金屬離子例如鋰元素或者鈉元素移動到半導體薄膜。
其後，對第一中間層絕緣膜構圖和蝕刻，以形成延伸到薄膜電晶體203到206的接觸孔226、凹槽形開口227和在基底週邊的中間層絕緣膜移除部份228。
藉由使用CF4、O2和He的混合氣體蝕刻矽氧烷，然後使用CHF3氣體蝕刻並去掉作為閘極絕緣膜的氧化矽膜，可以形成接觸孔226、開口227和中間層絕緣膜移除部份228。
其後，在接觸孔226裏層疊金屬膜並且構圖以形成源極和汲極。在這個實施例中，包含氮原子的鈦膜、鈦鋁合金膜和鈦膜分別以100nm/350nm/100nm的厚度層疊。然後，將該膜構圖並蝕刻成所需的形狀以形成三層的源/汲極電極229至235和圖素電極236。
以鈦為靶，用為1：1的流量比率設置的氮和氬濺射，在第一層中形成包含氮原子的鈦膜。當上述包含氮原子的鈦膜形成在由矽氧烷膜構成的中間層絕緣膜上時，可以形成接線，該接線很難剝落並且與半導體區域相連的阻抗低。
在這個實施例中，頂閘極多晶矽TFT同時形成在驅動電路部分和圖素部分中；然而，圖素部分中的TFT可以是使用非晶矽作為主動層的TFT或者是使用微晶矽作為主動層的TFT。另外，當然可以使用底閘極TFT。
在形成源極和汲極的同時，用相同材料構成第一保護膜237以覆蓋在凹槽形開口227內部和基底週邊中間層絕緣膜移除部份228的端。
其後，在基底的整個表面上形成第二中間層絕緣膜238。第二中間層絕緣膜238可以用與第一中間層絕緣膜225相同的材料構成。在這個實施例中，第二中間層絕緣 膜238是用與第一中間層絕緣膜相同的矽氧烷膜構成的。
其後，在與蝕刻第一中間層絕緣膜的相同條件下形成連接到圖素電極上的接觸孔239、凹槽形開口240和基底週邊上的中間層絕緣膜移除部份241。
在這個實施例中，第一中間層絕緣膜225和第二中間層絕緣膜238都是由矽氧烷膜構成的；然而，中間層絕緣膜的結構不局限於此。可以適當將該結構改變成：用於第一中間層絕緣膜的有機膜和用於第二中間層絕緣膜的無機膜的組合、其相反的組合、有機膜和有機膜的組合、無機膜和無機膜的組合等等。取決於所選擇的層間膜的滲透性，保護膜只可以形成在第一中間層絕緣膜上或第二中間層絕緣膜上。
在第二中間層絕緣膜238上形成接觸孔之後，作為發光元件陽極的第一電極連續地形成在與圖素電極相連的接觸孔239內和第二中間層絕緣膜238上。發光元件的電極是Al-Si(260a)/TiN(260b)/ITSO(260c)構成的疊層。這裏，Al-Si是包含大約1atomic%到5atomic%的矽的鋁，以及ITSO是一種ITO與SiO2混合的材料。
在形成發光元件之陽極的同時，凹槽形開口240和位於基底週邊上的中間層絕緣膜238的移除部分241之端面的內部由保護膜242覆蓋。用發光元件的電極260a到260b可以形成保護膜。可以使用從260a到260c的全部三層，或者使用其中的一層或兩層。
其後，形成絕緣體243以覆蓋第一電極的端面。絕緣 體243可以由無機或有機材料構成。例如氧化矽、氧氮化矽、矽氧烷、丙烯酸、聚醯亞胺等等。較佳的，藉由使用感光有機材料來形成絕緣體243，因為開口的形狀變成蒸發發光層時很難發生曲率半徑的連續改變和步階間的斷開等等這樣的形狀。
然後，藉由使用一種蒸發設備隨著蒸發源的移動進行蒸發。例如，在一個被抽真空到5×10-3Torr(0.665Pa)或更小、最好10-4Torr至10-6Torr的膜形成室中進行蒸發。 藉由電阻加熱，先將有機化合物蒸發並且在蒸發中打開隔板時沿基底方向飛散。蒸發的有機化合物向上飛散並且藉由為金屬掩模設置的開口被蒸發到基底上以形成發光層244(包括電洞傳輸層、電洞注入層、電子傳輸層和電子注入層)。
在這個實施例中，藉由蒸發形成發光層；因此，使用低分子量的發光材料。然而，也可以藉由使用高分子量的材料和具有性質介於低分子量材料和高分子量材料之間的中間分子量材料形成發光層。藉由將高分子材料溶解到溶液中使用旋轉塗覆或者噴墨而使用高分子量材料。另外，同樣可以使用有機材料和無機材料組合的材料。
假定發光元件的發光機構以這種方式發光，當對插在一對電極之間的有機化合物層施加電壓時，藉由位於有機化合物層的光發射中心的重組，從陰極注入的電子和從陽極注入的電洞形成一個由分子構成的電子電洞對，而且當由分子構成的電子電洞對恢復到基態時釋放用於光發射的 能量。已知的激發狀態包括單一激發狀態和三重激發狀態，藉由任一個激發狀態都可以發光。
發光層典型地具有層疊結構。典型的層疊結構是由“電洞傳輸層、場致發光層和電子傳輸層”組成。這種結構具有高的發光效率以至於最近研究和發展的發光裝置主要採用這種結構。可以使用以電洞注入層、電洞傳輸層、場致發光層和電子傳輸層這樣的順序層疊在陽極上的結構，或者同樣也可以使用以電洞注入層、電洞傳輸層、場致發光層、電子傳輸層和電子注入層的發光層這樣的順序層疊在陽極上的結構。可以將熒光顏料等摻雜到場致發光層中。
其後，在發光層上形成第二電極245作為陰極。第二電極245可以由包含具有低功函數的金屬(Li、Mg或Cs)的薄膜構成。另外，較佳的，第二電極由透明導電膜(ITO(氧化銦錫)、氧化銦鋅(In2O3-ZnO)、氧化鋅(ZnO)、等等)層疊在包含鋰、鎂、銫等的薄膜上的疊層膜構成。此外，雖然可以近似地確定膜的厚度以作為陰極，但是藉由電子束蒸發可以形成0.01μm到1μm厚的第二電極。
藉由選擇和排列發光層，這樣的發光元件既可以單色顯示又可以多色顯示。對於單色顯示，所有的發光元件都是藉由使用一種材料製造的；可是，對於多色顯示卻有幾種方法。一種是分別著色法。分別著色法是藉由分別使發光層著色而實現多色顯示，這些發光層在需要的部分發射 出目標色彩的光。另一種是色彩轉換法。發光層由一種材料構成，並且僅在需要的部分設置色彩轉換層。藉由色彩轉換層從發光層發射出的光被轉換成需要的顏色，從而實現了多色顯示。另一種方法是在白光發射元件上裝置濾色器。這種方法藉由在全部圖素部分上形成發射白光的發光層和藉由濾色器來實現多色顯示。在所有的這些方法中，在全色彩顯示的狀況下形成發光層使得在每一個圖素上設置RGB光三原色。因而，發光裝置可以進行單色顯示、多色顯示和全色顯示。
在以這種方式形成發光元件246後，以由不可滲透材料構成的密封劑247將相對基底248固定在基底上。當該密封劑形成並覆蓋在有保護膜覆蓋的中間層絕緣膜的端面時，由不可滲透材料構成的密封劑247進一步穩固地阻止水入口和進入的通道，該中間層絕緣膜覆蓋有圍繞設置有保護膜的槽形開口227和240中和在基底週邊之中間層絕緣膜中之移除部分228和241中的絕緣膜，該密封劑對提高可靠性起到了很好的作用。防紫外線滲透的固化樹脂可以使用當成不可滲透材料構成的密封劑247。
根據上述步驟，可以生產抵抗由於外部的水進入引起損壞的場致發光裝置，並且可以徹底地提高場致發光裝置的可靠性。注意到在這個實施例中，在密封部分中中間層絕緣膜周圍只設置了一個凹槽形開口；然而，可以設置多個開口。藉由設置多個開口可以進一步提高可靠性。
〔實施例2〕
在這個實施例中，參考圖17和18A至18I說明關於實施例模式5和實施例模式6的實施例。在圖17中，中間層絕緣膜為單層結構；然而，它可以被看作具有與實施例1相同的結構。發光元件中第一電極的結構是不同的，但是下面說明該結構。
圖17是沿圖3中線f-f′的橫截面圖。在圖17中，在中間層絕緣膜週邊的凹槽形開口和基底週邊上的中間層絕緣膜移除部份中形成蝕刻阻止膜250。在驅動電路部分或者圖素部分中，蝕刻阻止膜250可以與電晶體的半導體層同時形成。蝕刻阻止膜250的功能是：在蝕刻中間層絕緣膜251的過程中作為蝕刻阻止器，並且具有藉由減少蝕刻殘餘物或不均勻性的產生來改善由不可滲透材料構成的密封劑的粘性的作用。
除了具有蝕刻阻止膜250之外，源極和汲極的製造與上面實施例1是相同的，因此省略其說明。源極和汲極形成後，形成發光元件的第一電極252與圖素部分中轉換TFT的電極255接觸。在這個實施例中，在設置有源極和汲極中間層絕緣膜上製造出發光元件的第一電極252。因此，不必製造第二中間層絕緣膜。與實施例1中的第一電極相同的材料可以被用作第一電極252等的材料，並且製造第一電極後的過程與實施例1相同，所以省略其說明。
這裏，當第一電極是由ITO代表的透明導電膜構成時，光可以從基底200的方向發出。另外，當第二電極也 同樣是由透明材料構成時，光可以從基底200和相對基底248這兩個方向發出。
圖18A至18I顯示製造圖3中區域“c”的方法。圖18A至18E是沿圖3線a-a′的橫截面圖，圖18F至18I是圖3中區域“c”的俯視圖。圖18A至18E和圖18F至18I彼此相鄰，分別顯示了同一步階的方塊。在圖18A至18I中，左側是FPC的方向，右側是顯示部分的方向。因為圖18F至18I具有與圖3中區域“c”不同的方向，所以這一點需要加以注意。
在這個實施例中，當在顯示部分中形成電晶體和第一中間層絕緣膜時，在與外部端子和內部電路相連的接線部分中，在整個基底300上形成底絕緣膜301。在底膜301上移除了中間層膜的部分形成蝕刻阻止膜302(矽膜)；形成作為閘極絕緣膜的絕緣膜303以覆蓋在蝕刻阻止膜302(矽膜)和底絕緣膜301上；然後，形成第一中間層絕緣膜304同樣用來覆蓋。可以使用丙烯酸膜或矽氧烷膜作為中間層膜；可是，在這個實施例中使用了矽氧烷膜(圖18A至18F)。
其後，蝕刻和移除第一中間層絕緣膜304以在端面具有錐形形狀，由此在基底週邊上形成中間層絕緣膜移除部份305。作為蝕刻阻止器的蝕刻阻止膜302(矽膜)預先形成在中間層絕緣膜移除部份305上。因此，在清除後中間層絕緣膜移除部份305的表面是平坦的，並且不會出現由於底膜的蝕刻殘渣或鑿槽引起的不平坦(圖18B和 18G)。
其後，形成作為接線的金屬膜306。金屬膜可以由與驅動電路或圖素部分中的源極和汲極相同的材料構成。具體的材料與實施例1中源極和汲極使用的材料相同(圖18C至18H)。
為了形成接線307，金屬膜306的蝕刻與形成源極和汲極的蝕刻同時進行。此時，藉由蝕刻移除沒有被形成在中間層絕緣膜移除部份305上的蝕刻阻止膜302(矽膜)的接線307覆蓋的部分。當預先形成沒有位於接線307下而且形成在剩餘的中間層絕緣膜304下面位置308的蝕刻阻止膜302，並且其形狀與位於接線蝕刻後的接線307下面的蝕刻阻止膜309(矽膜)相分離時，彼此相鄰的接線不會短路，即使蝕刻阻止膜302是由導電材料(圖18D，18E和18I)構成的。
可以避免中間層絕緣膜移除部份305上不平坦的產生，並且其後形成的接線上的大的不平坦的產生也可以藉由形成作為蝕刻阻止器的蝕刻阻止膜302(矽膜)來抑制。可以保持形成在其上的由不可滲透材料構成的密封劑的粘性，以及減少水從密封劑的粘性變差的部分進入。
當應用這樣的結構時，也可以移除與外部端子部分(比如FPC)和內部電路相連的接線部分中的中間層絕緣膜，並且可以防止中間層絕緣膜暴露於外部空氣。因此，可以徹底減少水的進入，這樣有利於提高場致發光裝置的可靠性。
在移除基底週邊上第一中間層絕緣膜以便在其端面形成錐形形狀之後和在形成作為接線的金屬之前，為了防止濕氣從端面(未顯示)進入藉由CVD在其上形成氮化物膜比如氮化矽膜或氮化碳膜是有用的。藉由形成這樣的氮化物膜可以獲得更高的可靠性。
在這個實施例中，在圖素部分和驅動電路部分上藉由與打開接觸孔的相同步驟移除基底週邊上第一中間層絕緣膜。因此，在圖素部分和驅動電路部分中，當移除第一中間層絕緣膜後形成氮化物膜時，較低層中的接線等和將要藉由接觸孔在第一中間層絕緣膜上形成的接線之間可以不導電。因此，在需要與較低部分進行電連接的部分，最好在形成作為接線的金屬前移除該部分的氮化物膜。當在第一中間層絕緣膜上形成氮化物膜時，在這樣的接觸孔部分裏可以防止濕氣從中間層絕緣膜的端面進入。因此，可以獲得更高的可靠性。
〔實施例3〕
在這個實施例中，參考圖19A和19B說明將本發明的結構應用於場致發光裝置中的圖素結構中的例子。
圖19A和19B顯示一個圖素的元件結構。藉由將多個這樣的圖素排列成矩陣形成圖3中的顯示部分。當然，這種圖素結構只不過是一個例子，任何其他想得到的圖素結構都可以使用。
在圖19A和19B中，採用了一種頂部發光結構。一 個圖素包含源極線400、驅動TFT閘極線401、陽極線402、可抹除閘極線403、寫入閘極線404、可抹除TFT405、寫入TFT406、驅動TFT407、顯示TFT408、AC驅動二極體409、電容器410、驅動TFT的汲極411和驅動TFT閘極線412。
然後，藉由絕緣膜在上面部分形成發光元件413，發光元件的陽極或陰極與驅動TFT的汲極411相連。
〔實施例4〕
在這個實施例中，參考圖20說明場致發光裝置中顯示影像所需的源驅動器結構。
在閘極訊號線被選中的行中，從與時鐘脈衝504和啟始脈衝505相對應的第一階段開始，移位暫存器500(SR)連續地輸出採樣脈衝。第一鎖存器電路501隨著採樣脈衝的輸入及時接受視頻訊號，每一階段接受的視頻訊號被儲存在第一鎖存器電路501中。
根據從一個移位暫存器500輸出的採樣脈衝，第一鎖存器電路501中三個鎖存器電路A、B和C接收分別從視頻線DATA 01至20、DATA 21至40、DATA 41至60中接受輸入的訊號。在第一階段從移位暫存器500中輸出的採樣脈衝接受用於在從S01到S1920的所有源訊號線中的從S01到S60的源訊號線中被充電和放電的視頻訊號。在在第一階段中第一鎖存器電路接受移位暫存器500的採樣脈衝回應的視頻訊號，在其中鎖存器電路A儲存從S01 到S20源訊號線的視頻訊號；B，從S21到S40；C，從S41到S60。其後，接受在第二階段中接收從移位暫存器輸出的採樣脈衝的回應視頻訊號的第一鎖存器電路接受從S61到S120源訊號線的視頻訊號。鎖存器電路A、B和C分別儲存從S61到S80、從S81到S100、從S101到S120源訊號線的視頻訊號。類似地，在第32個階段移位暫存器接受並儲存從S1861到S1920源訊號線的視頻訊號；於是，就完成了接受一行的視頻訊號。
在完成一行視頻訊號的接受之後，輸出鎖存器脈衝(LAT)506時，儲存在第一鎖存器電路501中的所有視頻訊號立刻被轉移到第二鎖存器電路502中，並且立刻對所有的訊號線充電和放電。從可以根據需要適當的設置用於使第二鎖存器電路502輸出所需大小的位準移位器和緩衝器。
從第一行到最後一行重復上面提到的操作，由此完成了一框畫面的寫入。隨後，重復同樣的操作以顯示影像。
注意到具有這種結構的源驅動器僅僅是一個實例，即使使用任何其他結構的源驅動器也可以應用本發明。
〔實施例5〕
在這個實施例中說明了如在實施例模式5中所述的將絕緣膜的端面形成為錐形的方法。
當可以進行各向同性的蝕刻例如濕蝕刻，並且在蝕刻中存在邊緣和一定膜厚度時，可以很容易的得到錐形。
在這個實施例中說明了藉由各向異性的乾蝕刻將絕緣膜形成為錐形的方法。
首先，參考圖21A至21E說明藉由使用預先由習知方法生產出的蝕刻掩模的乾蝕刻將物件處理成所需形狀的方法。
藉由塗覆等在要被處理的物件601的整個表面形成掩模材料602例如感光抗蝕劑或聚醯亞胺(圖21A)。在這個說明中提出了正抗蝕劑的例子。
因此，在低溫下進行用於蒸發和穩定抗蝕劑中的材料預先焙燒；其後，在希望的形狀中藉由光罩603使抗蝕劑部分曝光(圖21B)。
當藉由曝光而曝光的部分溶解在顯影劑裏並被移除之後(圖21C)，為了改善抗蝕劑的粘性和改善用於下一步驟中的蝕刻劑的抵抗力進行焙燒。到此為止形成了用於物件的蝕刻掩模。到此為止的步驟被稱作光微影法。
藉由使用掩模和適當的蝕刻劑來蝕刻物件，可以將物件處理成所需的形狀(圖21D)。
這裏，蝕刻掩模的端面與位於較低部分的物件成很大的角度。因此，當進行各向異性的蝕刻例如乾蝕刻時，位於較低部分的物件的端面變成與刻掩模的端面相對應的陡峭形狀。當移除位於基底週邊上的中間層絕緣膜並且以這種方式形成接線時，在中間層絕緣膜的端面產生了如在實施例模式4或5中所述接線的蝕刻殘渣，由於接線短路導致故障。
其次，在藉由光微影法形成的掩模中，在較佳的為錐形的光罩604的端面上形成用於曝光的狹縫605，該狹縫605具有比光微影裝置解析度更窄的寬度。藉由狹縫和具有比光微影裝置的解析度更窄寬度的圖案曝光的掩模材料例如抗蝕劑不完全在該部分中曝光。膜厚度減少的掩模保留下來，即使在移除了具有顯影劑的曝光部分之後。
藉由這樣形成寬度等於或小於光罩中光微影裝置的曝光解析度的狹縫或者孔，在感光罩材料例如抗蝕劑中沒曝光的部分和完全曝光的部分之間設置不完全曝光部分。因此，蝕刻掩模的端面形成為錐形。
在較低層和掩模中的物件都被蝕刻的條件下，使用錐形的蝕刻膜進行由乾蝕刻為代表的各向異性蝕刻時。在蝕刻物件的同時其厚度薄的蝕刻掩膜消失。根據蝕刻掩模的消失，依次蝕刻重新曝光到蝕刻大氣中的物件，由此，得到形狀基本上與蝕刻掩模的形狀相對應的物件(圖21F到21J)。
藉由使用其端面為錐形的蝕刻掩模得到其端面具有類似的錐形的物件(在實施例模式5中的中間層絕緣膜)。
在曝光中，根據的光罩的狹縫、圖案和孔的形狀可以隨意的形成顯影後感光材料的形狀可以自由地形成。圖22A到22D顯示其例子。圖22A圖和22C是樣品的SEM圖，其中矽氧烷膜形成在基底上，抗蝕劑應用在其上，用光罩700曝光，以及用乾蝕刻法蝕刻，圖22B和22D是光罩的示意圖。SEM圖顯示了用具有如圖22B或22D所 示光罩700的圖案的光罩對抗蝕劑進行曝光。
雖然，使用典型的光罩只是對部分701曝光，在圖22A到圖22D中，藉由形成等於或小於光罩中光微影裝置極限解析度的圖案702，可以得到如SEM圖中所示的橫截面形狀。
如圖22A到22D所示，藉由改變等於或小於光微影裝置的極限解析度的圖案702的形狀，物件可以具有各種各樣的形狀。具有以前不能形成的形狀的物件可以藉由適當的改變物件材料和使用由此形成的蝕刻掩膜的蝕刻條件來生產。
〔實施例6〕
以下提出可以應用本發明的電子裝置的例子，諸如視頻相機、數位相機、護目型顯示器(頂部安裝型顯示器)、導航系統、答錄機(車載音響、音頻元件等等)、攜帶型個人電腦、遊戲機、個人數位助理(移動電腦、行動電話、攜帶型遊戲機、電子書等等)，和包括記錄媒體的影像再生裝置(尤其是，在諸如數位化視頻光碟(DVD)的記錄媒體中具有處理資料的能力和具有能夠顯示數位影像的顯示器的裝置)。這些電子裝置的應用實例在圖23A到23E中顯示。
圖23A顯示一種牆面安裝型顯示裝置，該裝置包括底座2001、顯示部分2003、揚聲器部分2004等。本發明應用於顯示部分2003的製造。藉由使用本發明可以保證更 長期的可靠性。
圖23B顯示一種數位相機，包括主機2101、顯示部分2102、影像接收部分2103、操作鍵2104、外部連接埠2105、快門2106等。本發明可以應用於顯示部分2102。 雖然數位照相經常用於戶外並且容易被置於比戶內更惡劣的環境中，藉由使用本發明即使在相當惡劣的環境中也能得到更長期的可靠性。
圖23C顯示一種攜帶型個人電腦，包括主機2201底座2202、顯示部分2203、鍵盤2204、外部連接埠2205、滑鼠2206等。本發明可以應用於顯示部分2203。可以想像地，與桌上電腦不同的是，攜帶型個人電腦可以四處攜帶並使用。類似於數位相機，由於被四處攜帶，與桌上電腦監視器相比增加了在更為不利的環境中使用的可能性。 藉由使用本發明即使在這種環境中也可以保證更長期的可靠性。
圖23D顯示一種移動電腦，包括主機2301、顯示部分2302、開關2303、操作鍵2304、紅外線埠2305等。 本發明可以應用於顯示部分2302。雖然移動電腦經常用於戶外並且容易被置於比戶內更惡劣的環境中，藉由使用本發明即使在相當惡劣的環境中也能得到更長期的可靠性。
圖23E顯示一種攜帶型遊戲機，包括底座2401、顯示部分2402、揚聲器部分2403、操作鍵2404、記錄媒體插入部分2405等。本發明可以應用於顯示部分2402。雖 然攜帶型遊戲機經常用於戶外並且容易被置於比戶內更惡劣的環境中，藉由使用本發明即使在相當惡劣的環境中也能得到更長期的可靠性。
如上所述，本發明的應用範圍是很大，使得本發明可以應用於不同領域的電子裝置中。另外，由於生產的可靠性提高，因此製造商的可靠性也得到了改善。
儘管參考附圖藉由例子已經全面地說明了本發明，但是可以理解的是，多種變化和改變對於本領域技術人員來說是顯而易見的。因此，除非這種變化和改變超出了本發明在後面限定的範圍，否則它們應當解釋為包括在其中。
245‧‧‧第二電極
246‧‧‧發光元件
247‧‧‧密封劑
248‧‧‧相對基底

Claims (10)

  1. 一種發光裝置，包含：相鄰半導體層的閘極，在該閘極與該半導體層之間插入有閘極絕緣層；在該半導體層和該閘極上的第一絕緣層；在該第一絕緣層上的接線，該接線電連接至該半導體層；在該接線上的第二絕緣層；在該第二絕緣層上的第一電極，該第一電極透過該第二絕緣層的開口電連接至該接線；在該第一電極上的第三絕緣層；在該第一電極和該第三絕緣層上的發光層；在該發光層上的第二電極；在該第一絕緣層上的第一導電層，該第一導電層包含與該接線相同的材料；及在該第二絕緣層上的第二導電層，該第二導電層包含與該第一電極相同的材料，其中該第二導電層覆蓋該第二絕緣層的邊緣部分，且其中該第二絕緣層的一部分位在該第一導電層與該第二導電層之間。
  2. 一種發光裝置，包含：相鄰半導體層的閘極，在該閘極與該半導體層之間插入有閘極絕緣層；在該半導體層和該閘極上的第一絕緣層； 在該第一絕緣層上的接線，該接線電連接至該半導體層；在該接線上的第二絕緣層；在該第二絕緣層上的第一電極，該第一電極透過該第二絕緣層的開口電連接至該接線；在該第一電極上的第三絕緣層；在該第一電極和該第三絕緣層上的發光層；在該發光層上的第二電極；在該第一絕緣層上的第一導電層，該第一導電層包含與該接線相同的材料；在該第二絕緣層上的第二導電層，該第二導電層包含與該第一電極相同的材料；及與該第一導電層和該第二導電層重疊的密封劑，其中該第二導電層覆蓋該第二絕緣層的邊緣部分，且其中該第二絕緣層的一部分位在該第一導電層與該第二導電層之間。
  3. 一種發光裝置，包含：第一基底；在該第一基底上的半導體層；相鄰該半導體層的閘極，在該閘極與該半導體層之間插入有閘極絕緣層；在該半導體層和該閘極上的第一絕緣層；在該第一絕緣層上的接線，該接線電連接至該半導體層； 在該接線上的第二絕緣層；在該第二絕緣層上的第一電極，該第一電極透過該第二絕緣層的開口電連接至該接線；在該第一電極上的第三絕緣層；在該第一電極和該第三絕緣層上的發光層；在該發光層上的第二電極；在該第一絕緣層上的第一導電層，該第一導電層包含與該接線相同的材料；在該第二絕緣層上的第二導電層，該第二導電層包含與該第一電極相同的材料；及與該第一導電層和該第二導電層重疊的密封劑，其中該第二導電層覆蓋該第二絕緣層的邊緣部分，且其中該第二絕緣層的一部分位在該第一導電層與該第二導電層之間。
  4. 如申請專利範圍第3項的發光裝置，其中該第一基底包含塑膠。
  5. 如申請專利範圍第1至3項任一項的發光裝置，其中該閘極被設置在該半導體層上。
  6. 如申請專利範圍第1至3項任一項的發光裝置，其中該半導體層包含多晶矽。
  7. 如申請專利範圍第1至3項任一項的發光裝置，其中該第一電極包含透明導電膜。
  8. 如申請專利範圍第1至3項任一項的發光裝置，其中該接線包含鈦。
  9. 如申請專利範圍第1至3項任一項的發光裝置，其中該第一絕緣層與該第二絕緣層之至少一者包含無機材料。
  10. 如申請專利範圍第1至3項任一項的發光裝置，其中該第一絕緣層與該第二絕緣層之至少一者包含有機材料。
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Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG142140A1 (en) * 2003-06-27 2008-05-28 Semiconductor Energy Lab Display device and method of manufacturing thereof
US7928654B2 (en) * 2003-08-29 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
JP4741177B2 (ja) * 2003-08-29 2011-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
KR100561646B1 (ko) * 2003-10-23 2006-03-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US7619258B2 (en) * 2004-03-16 2009-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7183147B2 (en) * 2004-03-25 2007-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method for manufacturing thereof and electronic appliance
KR20050113045A (ko) 2004-05-28 2005-12-01 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
KR100681022B1 (ko) * 2004-06-16 2007-02-09 엘지전자 주식회사 유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법
US8148895B2 (en) * 2004-10-01 2012-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method of the same
ATE476757T1 (de) * 2004-10-21 2010-08-15 Lg Display Co Ltd Organische elektrolumineszente vorrichtung und herstellungsverfahren
JP4870933B2 (ja) * 2005-03-04 2012-02-08 東北パイオニア株式会社 自発光パネルおよび自発光パネルの製造方法
US20060214564A1 (en) * 2005-03-24 2006-09-28 Hsi-Ming Chang Organic electroluminescent display and method for fabricating the same
KR100645533B1 (ko) * 2005-05-27 2006-11-14 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시소자 및 그의 제조 방법
KR101147991B1 (ko) * 2005-06-23 2012-05-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시자치용 어레이 기판과 그 제조방법
KR100695169B1 (ko) * 2006-01-11 2007-03-14 삼성전자주식회사 평판표시장치
KR100673765B1 (ko) 2006-01-20 2007-01-24 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100635514B1 (ko) * 2006-01-23 2006-10-18 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR100671647B1 (ko) * 2006-01-26 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시 장치
JP4555258B2 (ja) * 2006-01-26 2010-09-29 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光表示装置
JP5207670B2 (ja) * 2006-07-19 2013-06-12 キヤノン株式会社 表示装置
TWI367565B (en) * 2008-02-05 2012-07-01 Chimei Innolux Corp Double-layered active area structure with a polysilicon layer and a microcrystalline silicon layer, method for manufactruing the same and its application
KR100897157B1 (ko) 2008-02-28 2009-05-14 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
JP2010257957A (ja) * 2009-04-01 2010-11-11 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置
JP5322805B2 (ja) * 2009-06-26 2013-10-23 三菱電機株式会社 画像表示素子及びその製造方法
JP5271172B2 (ja) * 2009-06-26 2013-08-21 三菱電機株式会社 画像表示素子及びその製造方法
US8766269B2 (en) 2009-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and electronic device
US9000442B2 (en) * 2010-01-20 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device
TWI589042B (zh) * 2010-01-20 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置，撓性發光裝置，電子裝置，照明設備，以及發光裝置和撓性發光裝置的製造方法
US20120074434A1 (en) * 2010-09-24 2012-03-29 Jun Seok Park Light emitting device package and lighting apparatus using the same
KR101223724B1 (ko) * 2010-10-25 2013-01-17 삼성디스플레이 주식회사 전자소자용 보호막 및 그 제조 방법
KR20130025717A (ko) * 2011-09-02 2013-03-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101876540B1 (ko) * 2011-12-28 2018-07-10 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치 및 가요성 표시 장치의 제조 방법
US9203047B2 (en) 2012-03-12 2015-12-01 Panasonic Corporation Organic electroluminescent element
CN104012173B (zh) * 2012-07-26 2016-08-24 松下电器产业株式会社 有机el装置
KR101965257B1 (ko) * 2012-10-08 2019-04-04 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 표시 장치
KR102047729B1 (ko) * 2013-04-30 2019-11-22 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR102153394B1 (ko) * 2013-07-29 2020-09-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
JP6234898B2 (ja) * 2013-09-25 2017-11-22 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法
KR102114316B1 (ko) * 2013-10-02 2020-05-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102116896B1 (ko) * 2013-10-14 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102216672B1 (ko) * 2013-10-22 2021-02-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102117109B1 (ko) * 2013-10-22 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102159149B1 (ko) * 2013-12-23 2020-09-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치용 원장 기판 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102085961B1 (ko) * 2013-12-24 2020-03-06 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102360783B1 (ko) 2014-09-16 2022-02-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102284756B1 (ko) 2014-09-23 2021-08-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102456654B1 (ko) * 2014-11-26 2022-10-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
US9991326B2 (en) 2015-01-14 2018-06-05 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device comprising flexible substrate and light-emitting element
JP6608201B2 (ja) 2015-07-10 2019-11-20 株式会社ジャパンディスプレイ 自発光表示装置
KR102381285B1 (ko) * 2015-08-06 2022-03-31 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102430819B1 (ko) * 2015-08-19 2022-08-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102427249B1 (ko) * 2015-10-16 2022-08-01 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP2017168308A (ja) * 2016-03-16 2017-09-21 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置
KR102550322B1 (ko) * 2016-03-22 2023-07-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102628849B1 (ko) * 2016-03-24 2024-01-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR102559837B1 (ko) * 2016-06-02 2023-07-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US20180040638A1 (en) * 2016-08-05 2018-02-08 Innolux Corporation Display device
KR102553910B1 (ko) 2016-08-31 2023-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시장치와 그의 검사방법
KR102479020B1 (ko) * 2017-11-28 2022-12-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102520016B1 (ko) * 2018-02-02 2023-04-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치
TWI697810B (zh) 2018-05-10 2020-07-01 宏碁股份有限公司 具備手勢感測功能之三維顯示器
CN109243305B (zh) * 2018-09-17 2021-10-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制造方法
CN111370439A (zh) * 2018-12-07 2020-07-03 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
KR102656092B1 (ko) * 2019-07-15 2024-04-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20210086897A (ko) * 2019-12-31 2021-07-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1383352A (zh) * 2001-04-23 2002-12-04 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
TW519606B (en) * 2000-07-25 2003-02-01 Semiconductor Energy Lab Display device
TW521237B (en) * 2000-04-18 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US20030080338A1 (en) * 2001-10-26 2003-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05299177A (ja) 1992-04-22 1993-11-12 Sharp Corp 薄膜エレクトロ・ルミネッセンス素子
US6559256B2 (en) 1994-12-28 2003-05-06 Cambridge Display Technology Ltd. Polymers for use in optical devices
JPH09148066A (ja) 1995-11-24 1997-06-06 Pioneer Electron Corp 有機ｅｌ素子
TW477907B (en) * 1997-03-07 2002-03-01 Toshiba Corp Array substrate, liquid crystal display device and their manufacturing method
JP3774897B2 (ja) 1997-06-03 2006-05-17 ソニー株式会社 有機電界発光素子
US6413656B1 (en) 1998-09-14 2002-07-02 The University Of Southern California Reduced symmetry porphyrin molecules for producing enhanced luminosity from phosphorescent organic light emitting devices
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
US6451455B1 (en) 1998-04-01 2002-09-17 The Trustees Of Princeton University Metal complexes bearing both electron transporting and hole transporting moieties
US6469437B1 (en) 1997-11-03 2002-10-22 The Trustees Of Princeton University Highly transparent organic light emitting device employing a non-metallic cathode
EP1044586B1 (en) 1997-10-09 2006-02-01 The Trustees of Princeton University Method for fabricating highly transparent non-metallic cathodes
US6030715A (en) 1997-10-09 2000-02-29 The University Of Southern California Azlactone-related dopants in the emissive layer of an OLED
US6150043A (en) 1998-04-10 2000-11-21 The Trustees Of Princeton University OLEDs containing thermally stable glassy organic hole transporting materials
US6420031B1 (en) 1997-11-03 2002-07-16 The Trustees Of Princeton University Highly transparent non-metallic cathodes
TW476227B (en) * 1997-10-09 2002-02-11 Univ Princeton Optoelectronic devices containing highly transparent non-metallic cathodes
JPH11202349A (ja) * 1998-01-12 1999-07-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP3646510B2 (ja) 1998-03-18 2005-05-11 セイコーエプソン株式会社 薄膜形成方法、表示装置およびカラーフィルタ
US6387544B1 (en) 1998-04-10 2002-05-14 The Trustees Of Princeton University OLEDS containing thermally stable glassy organic hole transporting materials
JP3883706B2 (ja) * 1998-07-31 2007-02-21 シャープ株式会社 エッチング方法、及び薄膜トランジスタマトリックス基板の製造方法
JP2000173766A (ja) * 1998-09-30 2000-06-23 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
US7288420B1 (en) * 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
KR100335462B1 (ko) * 1999-08-11 2002-05-04 구본준, 론 위라하디락사 액정표시패널
US7112115B1 (en) * 1999-11-09 2006-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US6633121B2 (en) * 2000-01-31 2003-10-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence display device and method of manufacturing same
AU3483001A (en) 2000-02-04 2001-08-14 Corixa Corp Compositions and methods for the therapy and diagnosis of ovarian cancer
TW525305B (en) * 2000-02-22 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Self-light-emitting device and method of manufacturing the same
JP2001357973A (ja) 2000-06-15 2001-12-26 Sony Corp 表示装置
US7223643B2 (en) * 2000-08-11 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP3480444B2 (ja) * 2000-12-26 2003-12-22 日本電気株式会社 Ｇｆｐフレーム転送装置およびｇｆｐフレーム転送方法
SG143945A1 (en) * 2001-02-19 2008-07-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
US6992439B2 (en) * 2001-02-22 2006-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with sealing structure for protecting organic light emitting element
US6952023B2 (en) * 2001-07-17 2005-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
CN100380673C (zh) * 2001-11-09 2008-04-09 株式会社半导体能源研究所 发光设备及其制造方法
US7042024B2 (en) 2001-11-09 2006-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
JP4515022B2 (ja) 2001-11-16 2010-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US6822264B2 (en) * 2001-11-16 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4101511B2 (ja) * 2001-12-27 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
CN1184995C (zh) 2002-01-08 2005-01-19 郑国升 强肾助孕冲剂
JP2003297552A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル
AU2003221089A1 (en) * 2002-03-29 2003-10-13 Miyadera, Toshiyuki Organic electroluminescence display panel
JP3989763B2 (ja) * 2002-04-15 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
US7221093B2 (en) * 2002-06-10 2007-05-22 Institute Of Materials Research And Engineering Patterning of electrodes in OLED devices
CN101882668B (zh) * 2002-12-19 2012-05-09 株式会社半导体能源研究所 显示装置
KR100972148B1 (ko) * 2002-12-31 2010-07-23 엘지디스플레이 주식회사 씰패턴 하부의 적층구조에 특징을 가지는 액정표시장치
KR100675630B1 (ko) * 2002-12-31 2007-02-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시패널 및 그 제조방법
JP4417027B2 (ja) * 2003-05-21 2010-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
SG142140A1 (en) * 2003-06-27 2008-05-28 Semiconductor Energy Lab Display device and method of manufacturing thereof
JP4741177B2 (ja) * 2003-08-29 2011-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US7928654B2 (en) * 2003-08-29 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US7619258B2 (en) * 2004-03-16 2009-11-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7791270B2 (en) * 2004-09-17 2010-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Light-emitting device with reduced deterioration of periphery
KR100635514B1 (ko) * 2006-01-23 2006-10-18 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP5299177B2 (ja) 2009-09-01 2013-09-25 トヨタ自動車株式会社 内燃機関の燃焼制御装置
KR20150033195A (ko) * 2013-09-23 2015-04-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102160813B1 (ko) * 2014-01-07 2020-09-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그의 제조방법
KR102264651B1 (ko) * 2015-02-03 2021-06-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW521237B (en) * 2000-04-18 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
TW519606B (en) * 2000-07-25 2003-02-01 Semiconductor Energy Lab Display device
CN1383352A (zh) * 2001-04-23 2002-12-04 株式会社半导体能源研究所 显示装置及其制造方法
US20030080338A1 (en) * 2001-10-26 2003-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device

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