CN110703520B - 显示面板母板及其制作方法、显示面板 - Google Patents

显示面板母板及其制作方法、显示面板 Download PDF

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Abstract

本申请提出了一种显示面板母板及其制作方法、显示面板，所述制作方法包括：在基板母板的中心区域形成第一类过孔、及在边缘区域形成第二类过孔，并将第一类过孔及第二类过孔的接触阻抗的比值与预设阈值进行对比，以设计出符合要求的显示面板母板。本申请通过调整显示面板母板中间区域及边缘区域的接触孔与基板的夹角，以改善显示面板的接触过孔阻值的均匀性，保证显示面板电路的稳定性，提高显示面板的品质。

Description

显示面板母板及其制作方法、显示面板
技术领域
本申请涉及显示领域，特别涉及一种显示面板母板及其制作方法、显示面板。
背景技术
阵列基板栅极驱动(Gate Driver on Array，GOA)技术是直接将栅极驱动电路(Gate Driver ICs)制作在阵列基板上。
而随著影像品质的提升，GOA电路运用了多颗薄膜晶体管(TFT)中。由于蚀刻工艺的精度问题，以及制程上讯号搭接的各接触过孔的阻值大小不一，导致TFT中的开启电压(Vgh)变异，影响整个电路的运作功能正常与稳定性。
因此，目前亟需一种显示面板以解决上述问题。
发明内容
本申请提供一种显示面板母板及其制作方法、显示面板，以解决现有显示面板电路稳定性差的技术问题。
为解决上述技术问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供了一种显示面板母板的制作方法，包括至少两个显示面板，其中，所述显示面板母板的制作方法包括：
提供一基板母板，在所述基板母板的第一区域形成第一类过孔、以及在所述基板母板的第二区域形成第二类过孔；
获取所述第一类过孔的第一接触阻值、及所述第二类过孔的第二接触阻值；
当所述第一接触阻值与所述第二接触阻值的比值大于预设阈值时，对所述第一类过孔或/和所述第二类过孔进行加工；
当所述第一接触阻值与所述第二接触阻值的比值小于预设阈值时，在所述基板母板上形成像素电极层，以形成阵列基板母板。
在本申请的制作方法中，
所述基板母板包括衬底和位于所述衬底上的薄膜晶体管层；
获取所述第一类过孔的第一接触阻值、及所述第二类过孔的第二接触阻值的步骤包括：
获取所述第一类过孔的斜面与所述衬底的第一夹角；
获取所述第二类过孔的斜面与所述衬底的第二夹角；
根据所述第一夹角获取所述第一夹角对应的第一接触阻值；
根据所述第二夹角获取所述第二夹角对应的第二接触阻值。
在本申请的制作方法中，
当所述第一接触阻值与所述第二接触阻值的比值大于预设阈值时，利用蚀刻工艺减小所述第一类过孔的所述第一夹角；
当所述第一接触阻值与所述第二接触阻值的比值大于预设阈值时，利用蚀刻工艺增加所述第二类过孔的所述第二夹角。
在本申请的制作方法中，
当所述第一接触阻值与所述第二接触阻值的比值大于预设阈值时，利用蚀刻工艺减小所述第一类过孔的所述第一夹角、及增加所述第二类过孔的所述第二夹角。
在本申请的制作方法中，
所述第一类过孔位于靠近所述基板母板中心区域的所述显示面板上，所述第二类过孔位于靠近所述基板母板边缘区域的所述显示面板上；或者
所述第一类过孔位于靠近所述基板母板中心区域的相邻两所述显示面板之间，所述第二类过孔位于靠近所述基板母板边缘区域的非所述显示面板上；或者
所述第一类过孔位于靠近所述基板母板中心区域的所述显示面板上，所述第二类过孔位于靠近所述基板母板边缘区域的非所述显示面板上；或者
所述第一类过孔位于靠近所述基板母板中心区域的相邻两所述显示面板之间，所述第二类过孔位于靠近所述基板母板边缘区域的所述显示面板上；
本申请还提出了一种显示面板母板，包括至少两个显示面板，其中，所述显示面板母板包括阵列基板母板；
所述阵列基板母板包括位于所述阵列基板母板第一区域的第一类过孔、以及位于所述阵列基板母板第二区域的第二类过孔；
其中，所述第一类过孔的第一接触阻值与所述第二类过孔的第二接触阻值的比值小于预设阈值。
在本申请的显示面板母板中，
所述第一类过孔位于靠近所述阵列基板母板中心区域的所述显示面板上，所述第二类过孔位于靠近所述阵列基板母板边缘区域的所述显示面板上；
所述第一类过孔位于靠近所述阵列基板母板中心区域的相邻两所述显示面板之间，所述第二类过孔位于靠近所述阵列基板母板边缘区域的非所述显示面板上；
所述第一类过孔可以位于靠近所述阵列基板母板中心区域的所述显示面板上。所述第二类过孔可以位于靠近所述阵列基板母板边缘区域的非所述显示面板上；
所述第一类过孔可以位于靠近所述阵列基板母板中心区域的相邻两所述显示面板之间，所述第二类过孔可以位于靠近所述阵列基板母板边缘区域的所述显示面板上。
在本申请的显示面板母板中，
所述第一类过孔包括第一过孔和第二过孔；
所述第一过孔贯穿所述阵列基板母板中的钝化层及间绝缘层，所述第二过孔贯穿部分所述钝化层；
所述第二类过孔包括第三过孔和第四过孔；
所述第三过孔贯穿所述阵列基板母板中的所述钝化层及所述间绝缘层，所述第四过孔贯穿部分所述钝化层。
本申请还提出了一种显示面板，所述显示面板由上述显示面板母板切割而成，其包括：
位于所述显示面板中心区域的第三类过孔及位于所述显示面板边缘区域的第四类过孔；
其中，所述第三类过孔的第一接触阻值与所述第四类过孔的第二接触阻值的比值小于预设阈值。
在本申请的显示面板中，
所述第一区域为所述显示面板的中心区域。
所述第二区域为所述显示面板的边缘区域。
有益效果：本申请通过调整显示面板母板中间区域及边缘区域的接触孔与基板的夹角，以改善显示面板的接触过孔阻值的均匀性，保证显示面板电路的稳定性，提高显示面板的品质。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请显示面板母板制作方法的步骤图；
图2为本申请基板母板的平面示意图；
图3为图2中截面A-A的膜层结构图；
图4为图2中截面B-B的膜层结构图；
图5为本申请显示面板的仿真电路图；
图6为本申请阵列基板母板的膜层结构图；
图7为本申请显示面板母板的平面示意图；
图8为图7中截面C-C的膜层结构图；
图9为图7中截面D-D的膜层结构图；
图10为本申请显示面板的平面示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
请参阅图1，图1为本申请显示面板母板制作方法的步骤图。
所述显示面板的制作方法包括：
S10、提供一基板母板，在所述基板母板的第一区域形成第一类过孔、以及在所述基板母板的第二区域形成第二类过孔。
请参阅图2，图2为本申请基板母板100的平面示意图。
所述基板母板100包括多个子区域10，每一子区域10对应一显示面板。
在本步骤中，利用蚀刻工艺在所述基板母板100的第一区域11形成多个第一类过孔12，利用蚀刻工艺在所述基板母板100的第二区域13形成多个第二类过孔14。
在本实施例中，所述第一类过孔12及所述第二类过孔14包括深度不同过孔。
在本实施例中，所述第一区域11为所述基板母板100的中心区域。
在本实施例中，所述第二区域13为所述基板母板100的边缘区域。
请参阅图3，图3为图2中截面A-A的膜层结构图。
请参阅图4，图4为图2中截面B-B的膜层结构图。
所述基板母板100包括衬底101和位于所述衬底上的薄膜晶体管层15。
在本实施例中，当所述显示面板母板为刚性面板时，所述衬底可以为玻璃基板、石英基板、树脂基板等中的一种。当所述显示面板母板为柔性面板时，所述衬底可以由柔性材料构成，例如聚酰亚胺。
所述薄膜晶体管层15可以包括蚀刻阻挡层型、背沟道蚀刻型、底栅薄膜晶体管型或顶栅薄膜晶体管型结构，具体没有限制。
本申请以底栅薄膜晶体管型为例进行说明，所述底栅薄膜晶体管可以包括依次堆叠的缓冲层(未画出)、有源层(未画出)、栅绝缘层(未画出)、栅极层151、间绝缘层152、源漏极层153以及钝化层154。
请参阅图3，所述第一类过孔12包括第一过孔121和第二过孔122。
所述第一过孔121贯穿所述薄膜晶体管层15中的所述钝化层154及间绝缘层152，使所述第一过孔121所对应的部分所述栅极层151裸露。所述第二过孔122贯穿部分所述钝化层154，使部分所述源漏极层153裸露。
请参阅图4，所述第二类过孔14包括第三过孔141和第四过孔142。
所述第三过孔141贯穿所述薄膜晶体管层15中的所述钝化层154及间绝缘层152，使所述第三过孔141所对应的部分所述栅极层151裸露。所述第四过孔142贯穿部分所述钝化层154，使部分所述源漏极层153裸露。
由于蚀刻工艺精度的问题，在形成所述第一类过孔12及所述第二类过孔14时，该接触孔的斜面与所述衬底形成的平面呈一定角度。不同角度对应所述第一类过孔12及所述第二类过孔14不同的接触阻抗。
S20、获取所述第一类过孔的第一接触阻值、及所述第二类过孔的第二接触阻值。
步骤S20具体包括：
S201、获取所述第一类过孔的斜面与所述衬底的第一夹角；
S202、获取所述第二类过孔的斜面与所述衬底的第二夹角；
S203、根据所述第一夹角获取所述第一夹角对应的第一接触阻值；
S204、根据所述第二夹角获取所述第二夹角对应的第二接触阻值；
在本步骤中，所述第一夹角为x1，所述第二夹角为x2，所述第一接触阻值为R1，所述第二接触阻值为R2.
在本实施例中，根据函数关系式R＝f(x)，获得所述第一夹角x1所对应的第一接触阻值R1、及所述第二夹角x2所对应的第二接触阻值R2。
最后计算所述第一接触阻值与所述第二接触阻值的比值，并与预设阈值进行对比。
在本实施例中，为了保证测量的准确性，所述第三过孔141及所述第四过孔142的接触阻值也需要进行测量。对于所述基板母板100的中心区域，以第一过孔121和所述第二过孔122的作为参考。对于所述基板母板100的边缘区域，以所述第三过孔141和所述第四过孔142作为参考。
所述第一类过孔12及所述第二类过孔14的接触阻值还可以通过电阻测量设备进行测量，该接触过孔的倾斜角作为辅助参考。
在本实施例中，R＝f(x)中的R与x呈正比例关系。R为所述第一类过孔12或所述第二类过孔14的接触阻值，x为所述第一类过孔12或所述第二类过孔14的斜面与所述衬底的夹角。
所述接触过孔与所述衬底的夹角越大，所述接触过孔的接触阻值越大。
在本实施例中，图3中所述第一类过孔12的第一夹角x1，大于图4中第二类过孔14的第二夹角x2，即R1大于R2。
请参阅图5，图5为本申请显示面板的仿真电路图。
所述仿真电路200包括时钟信号输入端201、时钟信号总线202、时钟信号输出端203及电容C。
所述时钟信号输出端203包括第一输出端2031和第二输出端2032。所述时钟信号总线202与所述第一输出端2031设置有第一电阻r1，所述时钟信号总线202与所述第二输出端2032设置有第二电阻r2。
本申请通过调节所述第一电阻r1与所述第二电阻r2的阻值，获得TFT中Vgh的值。与未连接所述第一电阻及所述第二电阻的电路对比，获得TFT中Vgh的变化率。
在本实施例中，当所述第一电阻r1与所述第二电阻r2的比值不大于3时，TFT中打Vgh的变化率在GOA电路允许范围内。
S30、当所述第一接触阻值与所述第二接触阻值的比值大于预设阈值时，对所述第一类过孔或/和所述第二类过孔进行加工。
在本步骤中，例如所述预设阈值为3。
当所述第一接触阻值与所述第二接触阻值的比值大于预设阈值时，利用蚀刻工艺减小所述第一类过孔12的所述第一夹角。
当所述第一接触阻值与所述第二接触阻值的比值大于预设阈值时，利用蚀刻工艺增加所述第二类过孔14的所述第二夹角。
当所述第一接触阻值与所述第二接触阻值的比值大于预设阈值时，利用蚀刻工艺减小所述第一类过孔12的所述第一夹角、及增加所述第二类过孔14的所述第二夹角。
在工艺上，由于主要利用蚀刻工艺对所述第一类过孔12或所述第二类过孔14进行加工。相比减小该接触过孔的夹角，增加该接触过孔的夹角的工艺更复杂。因此本实施例主要采用减小所述第一类过孔12的所述第一夹角对所述第一接触阻值与所述第二接触阻值的比值进行调整。
在本实施例中，所述第一类过孔12还可以通过调整成膜速率、气体流量比例、及环境压力等方式进行调节。
在本实施例中，所述第一接触阻值与所述第二接触阻值的比值越小，TFT中Vgh的变化率越小，显示面板的电路越稳定。
S40、当所述第一接触阻值与所述第二接触阻值的比值小于预设阈值时，在所述基板母板上形成像素电极层，以形成阵列基板母板。
请参阅图6，图6为本申请阵列基板母板的膜层结构图。
当所述第一接触阻值与所述第二接触阻值的比值小于预设阈值时，进行所述基板母板的后续工艺。
以图3或图4中的图案为例进行说明。
在所述基板母板100的钝化层154上涂覆一像素电极层16，经图案化处理，形成图6所示的预定图案，完成所述阵列基板母板100的制备工艺。
在本实施例中，所述像素电极层16通过所述第一过孔121及所述第三过孔141与所述薄膜晶体管层15中的栅极层151电连接。所述像素电极层16通过所述第二过孔122及所述第四过孔142与所述薄膜晶体管层15中的源漏极层153电连接。
在本实施例中，所述像素电极层16为透明金属材料。
在本实施例中，所述像素电极层16可以为铟锡氧化物(ITO)。
S50、将阵列基板母板与彩膜基板母板对位，并在阵列基板母板与彩膜基板母板之间注入液晶。
本步骤主要为所述显示面板母板中的成盒工艺。
当所述显示面板母板为OLED显示面板母板时，在所述阵列基板母板上形成发光器件层及封装层。
所述显示面板母板的类型本申请不作具体的限制。
所述显示面板母板包括至少两个显示面板。
在本申请的显示面板母板中，所述第一类过孔12可以位于靠近所述基板母板100中心区域的所述显示面板上。所述第二类过孔14可以位于靠近所述基板母板100边缘区域的所述显示面板上。
在本申请的显示面板母板中，所述第一类过孔12可以位于靠近所述基板母板100中心区域的相邻两所述显示面板之间。所述第二类过孔14可以位于靠近所述基板母板100边缘区域的非所述显示面板上。
在本申请的显示面板母板中，所述第一类过孔12可以位于靠近所述基板母板100中心区域的所述显示面板上。所述第二类过孔14可以位于靠近所述基板母板100边缘区域的非所述显示面板上。
在本申请的显示面板母板中，所述第一类过孔12可以位于靠近所述基板母板100中心区域的相邻两所述显示面板之间。所述第二类过孔14可以位于靠近所述基板母板100边缘区域的所述显示面板上。
本申请通过调整显示面板母板中间区域及边缘区域的接触孔与基板的夹角，以改善显示面板的接触过孔阻值的均匀性，保证显示面板电路的稳定性，提高显示面板的品质。
请参阅图7，图7为本申请显示面板母板的平面示意图。
请参阅图8，图8为图7中截面C-C的膜层结构图。
请参阅图9，图9为图7中截面D-D的膜层结构图。
所述显示面板母板包括至少两个显示面板。
所述显示面板母板包括阵列基板母板400、彩膜基板母板及位于所述阵列基板母板400与所述彩膜基板母板之间的液晶。
所述阵列基板母板400包括衬底401、位于所述衬底401上的薄膜晶体管层45、及位于所述薄膜晶体管层45上的像素电极层46。
所述阵列基板母板400包括多个子区域40，每一子区域40对应一显示面板。
在本实施例中，当所述显示面板母板为刚性面板时，所述衬底401可以为玻璃基板、石英基板、树脂基板等中的一种。当所述显示面板母板为柔性面板时，所述衬底401可以由柔性材料构成，例如聚酰亚胺。
所述薄膜晶体管层45可以包括蚀刻阻挡层型、背沟道蚀刻型、底栅薄膜晶体管型或顶栅薄膜晶体管型结构，具体没有限制。
本申请以底栅薄膜晶体管型为例进行说明，所述底栅薄膜晶体管可以包括依次堆叠的缓冲层(未画出)、有源层(未画出)、栅绝缘层(未画出)、栅极层451、间绝缘层452、源漏极层453以及钝化层454。
所述阵列基板母板400还包括位于所述阵列基板母板400第一区域41的多个第一类过孔42和位于所述阵列基板母板400第二区域43的多个第二类过孔44。
在本实施例中，所述第一类过孔42及所述第二类过孔44包括深度不同过孔。
在本实施例中，所述第一区域41为所述阵列基板母板400的中心区域。
在本实施例中，所述第二区域43为所述阵列基板母板400的边缘区域。
请参阅图9，所述第一类过孔42包括第一过孔421和第二过孔422。
所述第一过孔421贯穿所述薄膜晶体管层45中的所述钝化层454及间绝缘层452，使所述第一过孔421所对应的部分所述栅极层451裸露。所述第二过孔422贯穿部分所述钝化层454，使部分所述源漏极层453裸露。
请参阅图9，所述第二类过孔44包括第三过孔441和第四过孔442。
所述第三过孔441贯穿所述薄膜晶体管层45中的所述钝化层454及间绝缘层452，使所述第三过孔441所对应的部分所述栅极层451裸露。所述第四过孔442贯穿部分所述钝化层454，使部分所述源漏极层453裸露。
由于蚀刻工艺精度的问题，在形成所述第一类过孔42及所述第二类过孔44时，该接触孔的斜面与所述衬底401形成的平面呈一定角度。不同角度对应所述第一类过孔42及所述第二类过孔44不同的接触阻抗。
在本实施例中，所述第一类过孔42的斜面与所述衬底401的第一夹角x1。所述第一夹角x1为所述第一过孔421与所述第二过孔422与所述衬底401的平均夹角。
在本实施例中，所述第二类过孔44的斜面与所述衬底401的第二夹角x2。所述第二夹角x2为所述第三过孔441与所述第四过孔442与所述衬底401的平均夹角。
所述第一夹角x1根据函数关系式R＝f(x)，获得所述第一夹角所对应的第一接触阻值R1。所述第二夹角x2根据函数关系式R＝f(x)，获得所述第二夹角x2所对应的第二接触阻值R2。
最后计算所述第一接触阻值与所述第二接触阻值的比值，并与预设阈值进行对比。
在本实施例中，为了保证测量的准确性，因此所述第三过孔441及所述第四过孔442的接触阻值也需要进行测量。对于所述基板母板的中心区域，以第一过孔421和所述第二过孔422的作为参考。对于所述阵列基板母板400的边缘区域，以所述第三过孔441和所述第四过孔442作为参考。
所述第一类过孔42及所述第二类过孔44的接触阻值还可以通过电阻测量设备进行测量，该接触过孔的倾斜角作为辅助参考。
在本实施例中，R＝f(x)中的R与x呈正比例关系。R为所述第一类过孔42或所述第二类过孔44的接触阻值，x为所述第一类过孔42或所述第二类过孔44的斜面与所述衬底401的夹角。
所述接触过孔与所述衬底401的夹角越大，所述接触过孔的接触阻值越大。
在本实施例中，图8中所述第一类过孔42的第一夹角x1，大于图4中第二类过孔44的第二夹角x2，即R1大于R2。
在本实施例中，所述预设阈值根据图5中的仿真电路图获得。
在本实施例中，所述预设阈值不大于3。
在本实施例中，所述第一接触阻值与所述第二接触阻值的比值越小，TFT中Vgh的变化率越小，显示面板的电路越稳定。
在本实施例中，所述像素电极层46通过所述第一过孔421及所述第三过孔441与所述薄膜晶体管层45中的栅极层451电连接。所述像素电极层46通过所述第二过孔422及所述第四过孔442与所述薄膜晶体管层45中的源漏极层453电连接。
在本实施例中，所述像素电极层46为透明金属材料。
在本实施例中，所述像素电极层46可以为铟锡氧化物(ITO)。
所述显示面板母板还可以为OLED显示面板母板。
所述显示面板母板的类型本申请不作具体的限制。
所述显示面板母板包括至少两个显示面板。
在本申请的显示面板母板中，所述第一类过孔42可以位于靠近所述阵列基板母板400中心区域的所述显示面板上。所述第二类过孔44可以位于靠近所述阵列基板母板400边缘区域的所述显示面板上。
在本申请的显示面板母板中，所述第一类过孔42可以位于靠近所述阵列基板母板400中心区域的相邻两所述显示面板之间。所述第二类过孔44可以位于靠近所述阵列基板母板400边缘区域的非所述显示面板上。
在本申请的显示面板母板中，所述第一类过孔42可以位于靠近所述阵列基板母板400中心区域的所述显示面板上。所述第二类过孔44可以位于靠近所述阵列基板母板400边缘区域的非所述显示面板上。
在本申请的显示面板母板中，所述第一类过孔42可以位于靠近所述阵列基板母板400中心区域的相邻两所述显示面板之间。所述第二类过孔44可以位于靠近所述阵列基板母板400边缘区域的所述显示面板上。
请参阅图10，图10为本申请显示面板的平面示意图。
本申请还提出了一种显示面板500，所述显示面板500由上述显示面板母板切割而成。
所述显示面板500还包括位于所述显示面板500第一区域51的第三类过孔52及位于所述显示面板500第二区域53的第四类过孔54。
所述第三类过孔52的第一接触阻值与所述第四类过孔54的第二接触阻值的比值小于预设阈值。
在本实施例中，所述第一区域51为所述显示面板500的中心区域。
在本实施例中，所述第二区域53为所述显示面板500的边缘区域。
在本实施例中，所述第三类过孔52及所述第四类过孔54位于所述显示面板500上。
因此需要对所述显示面板母板中的每一显示面板上的第三类过孔52及第四类过孔54的接触阻抗进行测量，调整每一显示面板中的第三类过孔52及第四类过孔54斜面与衬底的夹角，以保证每一显示面板中的电路结构的稳定。
因此本实施例中所述第三类过孔52及所述第四类过孔54的工艺难度及测量难度要大于图8中的所述第一类过孔42及所述第二类过孔44的工艺难度。
本实施例中的所述第三类过孔52及所述第四类过孔54的调整方式及原理与图8中的实施例相同或相似，本申请不再赘述。
本申请提出了一种显示面板母板及其制作方法、显示面板，所述制作方法包括：在基板母板的中心区域形成第一类过孔、及在边缘区域形成第二类过孔，并将第一类过孔及第二类过孔的接触阻抗的比值与预设阈值进行对比，以设计出符合要求的显示面板母板。本申请通过调整显示面板母板中间区域及边缘区域的接触孔与基板的夹角，以改善显示面板的接触过孔阻值的均匀性，保证显示面板电路的稳定性，提高显示面板的品质。
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种显示面板母板的制作方法，包括至少两个显示面板，其特征在于，所述显示面板母板的制作方法包括：
提供一基板母板，在所述基板母板的第一区域形成第一类过孔、以及在所述基板母板的第二区域形成第二类过孔；
获取所述第一类过孔的第一接触阻值、及所述第二类过孔的第二接触阻值；
当所述第一接触阻值与所述第二接触阻值的比值大于预设阈值时，对所述第一类过孔或/和所述第二类过孔进行加工；
当所述第一接触阻值与所述第二接触阻值的比值小于预设阈值时，在所述基板母板上形成像素电极层，以形成阵列基板母板。
2.根据权利要求1所述的显示面板母板的制作方法，其特征在于，
所述基板母板包括衬底和位于所述衬底上的薄膜晶体管层；
获取所述第一类过孔的第一接触阻值、及所述第二类过孔的第二接触阻值的步骤包括：
获取所述第一类过孔的斜面与所述衬底的第一夹角；
获取所述第二类过孔的斜面与所述衬底的第二夹角；
根据所述第一夹角获取所述第一夹角对应的第一接触阻值；
根据所述第二夹角获取所述第二夹角对应的第二接触阻值。
3.根据权利要求2所述的显示面板母板的制作方法，其特征在于，
当所述第一接触阻值与所述第二接触阻值的比值大于预设阈值时，利用蚀刻工艺减小所述第一类过孔的所述第一夹角；或者
当所述第一接触阻值与所述第二接触阻值的比值大于预设阈值时，利用蚀刻工艺增加所述第二类过孔的所述第二夹角。
4.根据权利要求2所述的显示面板母板的制作方法，其特征在于，
当所述第一接触阻值与所述第二接触阻值的比值大于预设阈值时，利用蚀刻工艺减小所述第一类过孔的所述第一夹角、及增加所述第二类过孔的所述第二夹角。
5.根据权利要求1所述的显示面板母板的制作方法，其特征在于，
所述第一类过孔位于靠近所述基板母板中心区域的所述显示面板上，所述第二类过孔位于靠近所述基板母板边缘区域的所述显示面板上；或者
所述第一类过孔位于靠近所述基板母板中心区域的相邻两所述显示面板之间，所述第二类过孔位于靠近所述基板母板边缘区域的非所述显示面板上；或者
所述第一类过孔位于靠近所述基板母板中心区域的所述显示面板上，所述第二类过孔位于靠近所述基板母板边缘区域的非所述显示面板上；或者
所述第一类过孔位于靠近所述基板母板中心区域的相邻两所述显示面板之间，所述第二类过孔位于靠近所述基板母板边缘区域的所述显示面板上。
6.一种显示面板母板，包括至少两个显示面板，其特征在于，所述显示面板母板包括阵列基板母板；
所述阵列基板母板包括位于所述阵列基板母板第一区域的第一类过孔、以及位于所述阵列基板母板第二区域的第二类过孔；
其中，所述第一类过孔的第一接触阻值与所述第二类过孔的第二接触阻值的比值小于预设阈值。
7.根据权利要求6所述的显示面板母板，其特征在于，
所述第一类过孔位于靠近所述阵列基板母板中心区域的所述显示面板上，所述第二类过孔位于靠近所述阵列基板母板边缘区域的所述显示面板上；
所述第一类过孔位于靠近所述阵列基板母板中心区域的相邻两所述显示面板之间，所述第二类过孔位于靠近所述阵列基板母板边缘区域的非所述显示面板上；
所述第一类过孔位于靠近所述阵列基板母板中心区域的所述显示面板上，所述第二类过孔位于靠近所述阵列基板母板边缘区域的非所述显示面板上；
所述第一类过孔位于靠近所述阵列基板母板中心区域的相邻两所述显示面板之间，所述第二类过孔位于靠近所述阵列基板母板边缘区域的所述显示面板上。
8.根据权利要求6所述的显示面板母板，其特征在于，
所述第一类过孔包括第一过孔和第二过孔，所述第一过孔贯穿所述阵列基板母板中的钝化层及间绝缘层，所述第二过孔贯穿部分所述钝化层；
所述第二类过孔包括第三过孔和第四过孔，所述第三过孔贯穿所述阵列基板母板中的所述钝化层及所述间绝缘层，所述第四过孔贯穿部分所述钝化层。
9.一种显示面板，由权利要求6～8中任一项的所述显示面板母板切割而成，其特征在于，包括位于所述显示面板中心区域的第三类过孔及位于所述显示面板边缘区域的第四类过孔；
其中，所述第三类过孔的第一接触阻值与所述第四类过孔的第二接触阻值的比值小于预设阈值。
10.根据权利要求9的显示面板，其特征在于，所述显示面板的第一区域为所述显示面板的中心区域，所述显示面板的第二区域为所述显示面板的边缘区域。
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