CN107329341B - Goa阵列基板及tft显示大板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种GOA阵列基板及TFT显示大板。本发明的GOA阵列基板，将部分GOA单元中电容结构的第二电极设置为TFT测试键，该TFT测试键包括第一测试部、第二测试部、及连接所述第一测试部和第二测试部的第三连接部，其中，所述第一测试部和第二测试部分别对应TFT结构中的源极单元的形状和漏极单元的形状设置，所述第一测试部和第二测试部所构成的图形与所述TFT结构中的至少一个源漏极单元组的图形相同，本发明区分了TFT测试键位于基板内外监控可靠性的差异，将用于监控的TFT测试键设置于GOA电路中，能够精确监控GOA电路中TFT的沟道长度与源漏极最终蚀刻完成值，从而找出最佳的制程设计值。

Description

GOA阵列基板及TFT显示大板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种GOA阵列基板及TFT显示大板。
背景技术
在显示技术领域，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)等平板显示器已经逐步取代CRT显示器，广泛的应用于液晶电视、手机、个人数字助理、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。显示面板是LCD和OLED的重要组成部分。不论是LCD的显示面板，还是OLED的显示面板，通常都具有一薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板。以LCD的显示面板为例，其主要是由一TFT阵列基板、一彩色滤光片(Color Filter，CF)基板、以及配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在TFT阵列基板与CF基板上施加驱动电压来控制液晶层中液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。
随着显示技术的发展，人们对消费性电子产品的要求已经不单单局限于功能性，同时也更转向于设计性、艺术性以及具有良好的视觉体验性方面，比如当前盛行的窄边框显示产品，那么顾名思义，窄边框即将传统的显示面板的边框进一步缩窄，进一步的扩大显示区域(Active Area，AA)的面积，进而达到更高阶的视觉体验和产品设计美感。
GOA(Gate Driver on Array)技术即阵列基板行驱动技术，是利用薄膜晶体管阵列制程将栅极扫描驱动电路制作在TFT阵列基板上，以实现逐行扫描的驱动方式，具有降低生产成本和实现面板窄边框设计的优点，为多种显示器所使用。GOA电路具有两项基本功能：第一是输出栅极扫描驱动信号，驱动面板内的栅极线，打开显示区内的TFT，以对像素进行充电；第二是移位寄存功能，当一个栅极扫描驱动信号输出完成后，通过时钟控制进行下一个栅极扫描驱动信号的输出，并依次传递下去。GOA技术能减少外接IC的焊接(Bonding)工序，有机会提升产能并降低产品成本，而且可以使液晶显示面板更适合制作窄边框的显示产品。
一般在显示面板的产品制造阶段，为监控显示器面板产品的有效发光区的特性值，会在排列有多个显示基板的大板四周或显示面板四周设计测试元件组(TEG，TestElement Group)，其包含多个测试键(Test key)，这些测试键用于监控如显示面板的电路中的TFT(薄膜晶体管)/Rs(线电阻或面电阻)/Rc(不同导体间的接触电阻)/C(电容)等各种组件的RC特性。
位于显示面板外围区域的GOA电路中包含了多颗TFT器件，各TFT器件的沟道长度、源漏极最终蚀刻完成值攸关整个GOA电路的运作功能与稳定性，如图1所示，多个阵列基板11同时制作于同一大板10上，待阵列基板11制作完成后通过对大板10进行切割得到独立的多个阵列基板11，因此，在阵列基板11的制作过程中，通常会在大板10的各个阵列基板11之间的区域上制作相应的TFT测试键20，以对TFT器件进行监控找出补偿值，但是由于该TFT测试键20摆放在大板10的各个阵列基板11之间，而非制作在阵列基板11上，而GOA电路15制作于阵列基板11的显示区域的相对两侧上，由于TFT测试键20同GOA电路15中的TFT器件的摆放位置不同以及制程上负载效应(Loading Effect)的差异，会导致该TFT测试键15的监测效果不准确。
发明内容
本发明的目的在于提供一种GOA阵列基板，区分了测试键位于基板内外监控可靠性的差异，将TFT测试键设置于GOA电路中，能够对GOA电路中的TFT进行精确监控。
本发明的另一目的在于提供一种TFT显示大板，包括多个上述的GOA阵列基板，将TFT测试键设置于GOA电路中，能够对GOA电路中的TFT进行精确监控。
为实现上述目的，本发明提供一种GOA阵列基板，包括：
衬底基板，包括位于中部的显示区域以及位于所述显示区域外围的非显示区域；
GOA驱动电路，设于所述衬底基板的非显示区域上，包括多个各级联的GOA单元，每一所述GOA单元均包括相连接的电容结构和TFT结构；
每一所述TFT结构均包括一对同层且相间隔的源极和漏极，其中，所述源极包括并列相连的多个源极单元，所述漏极包括多个并列相连的且与所述多个源极单元一一对应的漏极单元，每一源极单元与其对应的漏极单元构成源漏极单元组，每一源极单元与其对应的漏极单元之间构成沟道区单元；
每一所述电容结构均包括与所述源极和漏极同层设置的第二电极；
所述多个GOA单元的电容结构中至少有一个电容结构为测试电容结构，该测试电容结构的第二电极为TFT测试键，该TFT测试键包括第一测试部、第二测试部、及连接所述第一测试部和第二测试部的第三连接部，其中，所述第一测试部和第二测试部分别对应所述TFT结构中的源极单元的形状和漏极单元的形状设置，所述第一测试部和第二测试部所构成的图形与所述TFT结构中的至少一个源漏极单元组的图形相同。
所述的GOA阵列基板还包括设于所述衬底基板的显示区域上的TFT阵列结构，所述TFT阵列结构包括多条相平行的扫描线；所述GOA驱动电路用于对所述TFT阵列结构的多条扫描线进行驱动。
所述多个GOA单元分为多个正常GOA单元和多个虚拟GOA单元；其中，所述多个正常GOA单元与所述显示区域上的多条扫描线一一对应的连接，分别用以向对应的扫描线输出扫描信号；所述多个虚拟GOA单元分别用于向正常GOA单元输出复位信号。
所述测试电容结构为所述虚拟GOA单元的电容结构。
所述多个虚拟GOA单元的电容结构均为测试电容结构。
所述测试电容结构为所述正常GOA单元的电容结构。
每一电容结构还包括设于所述第二电极下方的绝缘层以及设于所述绝缘层下方的第一电极；
每一TFT结构还包括位于所述衬底基板上的栅极以及设于所述栅极上的栅极绝缘层；
所述第一电极与所述栅极同层设置，所述绝缘层与所述栅极绝缘层同层设置。
所述TFT测试键与所述源极和漏极通过采用光罩在同一黄光制程中蚀刻制得。
所述GOA电路左右对称的设于所述显示区域两侧。
本发明还提供一种TFT显示大板，包括多个相互间隔排列的如上所述的GOA阵列基板。
本发明的有益效果：本发明提供的GOA阵列基板，将部分GOA单元中电容结构的第二电极设置为TFT测试键，该TFT测试键包括第一测试部、第二测试部、及连接所述第一测试部和第二测试部的第三连接部，其中，所述第一测试部和第二测试部分别对应TFT结构中的源极单元的形状和漏极单元的形状设置，所述第一测试部和第二测试部所构成的图形与所述TFT结构中的至少一个源漏极单元组的图形相同，本发明区分了TFT测试键位于基板内外监控可靠性的差异，将用于监控的TFT测试键设置于GOA电路中，能够精确监控GOA电路中TFT的沟道长度与源漏极最终蚀刻完成值，从而找出最佳的制程设计值。本发明提供的TFT显示大板，将用于监控的TFT测试键设置于GOA阵列基板的GOA电路中，能够精确监控GOA电路中TFT的沟道长度与源漏极最终蚀刻完成值，从而找出最佳的制程设计值。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有TFT测试键设置于大板的各个阵列基板之间区域上的示意图；
图2为本发明的GOA阵列基板的平面示意图；
图3为本发明的GOA阵列基板的测试电容结构中TFT测试键及其相连的源漏极的示意图；
图4为本发明的GOA阵列基板的正常电容结构中第二电极及其相连的源漏极的示意图；
图5为本发明的TFT显示大板的平面示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2至图4，本发明提供一种GOA阵列基板，包括：
衬底基板100，包括位于中部的显示区域101以及位于所述显示区域外围的非显示区域102；
TFT阵列结构，设于所述衬底基板100的显示区域101上，包括多条相平行的扫描线301；
GOA驱动电路200，设于所述衬底基板100的非显示区域102上，用于对所述TFT阵列结构的多条扫描线301进行驱动，包括多个各级联的GOA单元，每一所述GOA单元均包括相连接的电容结构和TFT结构；
每一所述TFT结构均包括一对同层且相间隔的源极211和漏极212，其中，所述源极211包括并列相连的多个源极单元2111，所述漏极212包括多个并列相连的且与所述多个源极单元2111一一对应的漏极单元2121，每一源极单元2111与其对应的漏极单元2121构成源漏极单元组，每一源极单元2111与其对应的漏极单元2121之间构成沟道区单元；
每一所述电容结构均包括与所述源极211和漏极212同层设置的第二电极221；
所述多个GOA单元的电容结构中至少有一个电容结构为测试电容结构，而其他的电容结构为正常电容结构，如图3所示，该测试电容结构的第二电极221为TFT测试键2210，该TFT测试键2210包括第一测试部2211、第二测试部2212、及连接所述第一测试部2211和第二测试部2212的第三连接部2213，其中，所述第一测试部2211和第二测试部2212分别对应所述TFT结构中的源极单元2111的形状和漏极单元2121的形状设置，所述第一测试部2211和第二测试部2212所构成的图形与所述TFT结构中的至少一个源漏极单元组的图形相同，所述第三连接部2213将第一测试部2211和第二测试部2212连接起来形成一整体结构而使得TFT测试键2210仍然具有电容电极板的作用；如图4所示，而正常电容结构的第二电极221与现有GOA电路中电容结构的电极相同，仍为整面结构。
具体地，所述多个GOA单元分为多个正常GOA单元201和多个虚拟GOA单元202；其中，所述多个正常GOA单元201与所述显示区域101上的多条扫描线301一一对应的连接，分别用以向对应的扫描线301输出扫描信号；而所述多个虚拟GOA单元202并不与所述显示区域101上的扫描线301连接，只分别用于向正常GOA单元201输出复位信号。
具体地，所述测试电容结构可以为所述虚拟GOA单元202的电容结构，也可以为述正常GOA单元201的电容结构；由于虚拟GOA单元202不连接显示区域101上的扫描线301，其结构较正常GOA单元201的结构简单，即使其电容结构为测试电容结构，也较容易控制其电容值，优选地，所述测试电容结构为所述虚拟GOA单元202的电容结构。
进一步地，所述多个虚拟GOA单元202的电容结构均为测试电容结构。
具体地，每一电容结构还包括设于所述第二电极221下方的绝缘层以及设于所述绝缘层下方的第一电极；每一TFT结构还包括位于所述衬底基板上的栅极以及设于所述栅极上的栅极绝缘层；所述第一电极与所述栅极同层设置，所述绝缘层与所述栅极绝缘层同层设置。
进一步地，所述测试电容结构的电容值根据电容的计算公式C＝εS/d进行调整，例如调整第二电极221的面积，使得该测试电容结构即能够作为TFT测试键而具有TFT监控的作用，又同时能够作为GOA电路中的电容而能够正常实现GOA单元功能的作用。
具体地，所述TFT测试键2210与所述源极211和漏极212通过采用光罩在同一黄光制程中蚀刻制得，由于TFT测试键2210和GOA电路中的TFT结构都位于衬底基板100的GOA电路中，不存在设置位置和制程负载效应的差异，因此可以精确监控GOA电路中TFT的沟道长度与源漏极最终蚀刻完成值，从而找出最佳的制程设计值，如最佳的光罩设计值。
具体地，所述GOA电路200左右对称的设于所述显示区域101两侧。
本发明的GOA阵列基板，将用于监控的TFT测试键2210设置于GOA电路200中，能够精确监控GOA电路200中TFT的沟道长度与源漏极最终蚀刻完成值，从而找出最佳的制程设计值。
请参阅图5，本发明还提供一种TFT显示大板，包括多个相互间隔排列的如上述的GOA阵列基板10，其中所述GOA阵列基板10为上述的GOA阵列基板，其具体结构在此不再赘述。
本发明提供的TFT显示大板，将用于监控的TFT测试键2210设置于GOA阵列基板的GOA电路200中，能够精确监控GOA电路200中TFT的沟道长度与源漏极最终蚀刻完成值，从而找出最佳的制程设计值。
综上所述，本发明提供的GOA阵列基板，将部分GOA单元中电容结构的第二电极设置为TFT测试键，该TFT测试键包括第一测试部、第二测试部、及连接所述第一测试部和第二测试部的第三连接部，其中，所述第一测试部和第二测试部分别对应TFT结构中的源极单元的形状和漏极单元的形状设置，所述第一测试部和第二测试部所构成的图形与所述TFT结构中的至少一个源漏极单元组的图形相同，本发明区分了TFT测试键位于基板内外监控可靠性的差异，将用于监控的TFT测试键设置于GOA电路中，能够精确监控GOA电路中TFT的沟道长度与源漏极最终蚀刻完成值，从而找出最佳的制程设计值。本发明提供的TFT显示大板，将用于监控的TFT测试键设置于GOA阵列基板的GOA电路中，能够精确监控GOA电路中TFT的沟道长度与源漏极最终蚀刻完成值，从而找出最佳的制程设计值。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种GOA阵列基板，包括：
衬底基板(100)，包括位于中部的显示区域(101)以及位于所述显示区域外围的非显示区域(102)；
GOA驱动电路(200)，设于所述衬底基板(100)的非显示区域(102)上，包括多个各级联的GOA单元；
其特征在于，每一所述GOA单元均包括相连接的电容结构和TFT结构；
每一所述TFT结构均包括一对同层且相间隔的源极(211)和漏极(212)，其中，所述源极(211)包括并列相连的多个源极单元(2111)，所述漏极(212)包括多个并列相连的且与所述多个源极单元(2111)一一对应的漏极单元(2121)，每一源极单元(2111)与其对应的漏极单元(2121)构成源漏极单元组，每一源极单元(2111)与其对应的漏极单元(2121)之间构成沟道区单元；
每一所述电容结构均包括与所述源极(211)和漏极(212)同层设置的第二电极(221)；
所述多个GOA单元的电容结构中至少有一个电容结构为测试电容结构，该测试电容结构的第二电极(221)为TFT测试键(2210)，该TFT测试键(2210)包括第一测试部(2211)、第二测试部(2212)、及连接所述第一测试部(2211)和第二测试部(2212)的第三连接部(2213)，其中，所述第一测试部(2211)和第二测试部(2212)分别对应所述TFT结构中的源极单元(2111)的形状和漏极单元(2121)的形状设置，所述第一测试部(2211)和第二测试部(2212)所构成的图形与所述TFT结构中的至少一个源漏极单元组的图形相同。
2.如权利要求1所述的GOA阵列基板，其特征在于，还包括设于所述衬底基板(100)的显示区域(101)上的TFT阵列结构，所述TFT阵列结构包括多条相平行的扫描线(301)；所述GOA驱动电路(200)用于对所述TFT阵列结构的多条扫描线(301)进行驱动。
3.如权利要求2所述的GOA阵列基板，其特征在于，所述多个GOA单元分为多个正常GOA单元(201)和多个虚拟GOA单元(202)；其中，所述多个正常GOA单元(201)与所述显示区域(101)上的多条扫描线(301)一一对应的连接，分别用以向对应的扫描线(301)输出扫描信号；所述多个虚拟GOA单元(202)分别用于向正常GOA单元(201)输出复位信号。
4.如权利要求3所述的GOA阵列基板，其特征在于，所述测试电容结构为所述虚拟GOA单元(202)的电容结构。
5.如权利要求4所述的GOA阵列基板，其特征在于，所述多个虚拟GOA单元(202)的电容结构均为测试电容结构。
6.如权利要求3所述的GOA阵列基板，其特征在于，所述测试电容结构为所述正常GOA单元(201)的电容结构。
7.如权利要求1所述的GOA阵列基板，其特征在于，每一电容结构还包括设于所述第二电极(221)下方的绝缘层以及设于所述绝缘层下方的第一电极；
每一TFT结构还包括位于所述衬底基板上的栅极以及设于所述栅极上的栅极绝缘层；
所述第一电极与所述栅极同层设置，所述绝缘层与所述栅极绝缘层同层设置。
8.如权利要求1所述的GOA阵列基板，其特征在于，所述TFT测试键(2210)与所述源极(211)和漏极(212)通过采用光罩在同一黄光制程中蚀刻制得。
9.如权利要求1所述的GOA阵列基板，其特征在于，所述GOA驱动电路(200)左右对称的设于所述显示区域(101)两侧。
10.一种TFT显示大板，其特征在于，包括多个相互间隔排列的如权利要求1-9中任一项所述的GOA阵列基板。
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