JP2012042490A - 液晶表示用パネル及び液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 シール材の内側と外側とで基板間の距離を均一化することによって、セル厚ムラが生じず、表示領域全体で表示の均質化を図ることができる液晶表示用パネル及びそれを備える液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタ基板とそれに対向する対向基板がシール材で貼り合わされ、該シール材で囲まれた領域の内側に液晶層が挟持された液晶表示用パネルであって、
該液晶表示用パネルは、シール材で囲まれた領域の内側及び外側にスペーサーが配置され、該薄膜トランジスタ基板は、スペーサーと重畳する領域に配置されたパネル構成部材の厚みが、シール材で囲まれた領域の内側と外側とで実質的に等しい液晶表示用パネル。
【選択図】 図１

Description

本発明は、液晶表示用パネル及び液晶表示装置に関する。より詳しくは、外部接続端子部に外部部品を実装する液晶表示装置に好適に用いることができる液晶表示用パネル及び液晶表示装置に関するものである。

近年の情報化社会において、液晶表示装置、有機エレクトロルミネセンス表示装置等の表示装置の需要は高まっており、様々な分野において使用されている。このような表示装置の中でも、液晶表示装置は、薄型かつ低消費電力の表示装置であるため、パーソナルコンピュータ等のＯＡ機器、電子手帳や携帯電話機等の携帯情報端末機器、カメラ一体型ＶＴＲのモニタ等の製品に広く用いられており、多様化した情報化社会に適合するための要求を満たすべく、盛んに開発が行われている。

液晶表示用パネルは、通常、二枚の基板をシール材で貼り合わせた構造を有し、その表示品位を優れたものとするためには、表示領域のセル厚を一定に保つことが重要である。そのため、表示領域にスペーサーを配置することでセル厚を制御する方法が一般的に用いられているが、更に表示品位を優れたものとするためには改善の余地が残っていた。

また、液晶表示用パネルでは外部と接続するための端子を設け、その端子にフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）やＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）を異方性導電膜によって接続する形態が適用されている。例えば、従来の液晶表示装置としては、図１１で示されるように、表示領域において、基板５２０上に、ソース電極５１１、ドレイン電極５１２、ゲート電極５１３、アモルファスシリコン膜５１４、オーミックコンタクト層５１５及びゲート絶縁膜５１６が形成されて薄膜トランジスタが構成され、そして、その上に有機絶縁膜５１６、反射電極５１７が形成されている。そして、ＣＯＧ等と接続する周辺領域においては、図１２で示されるように、有機絶縁膜５１６に開口部を形成し、そこに導電膜５１８ａ、５１８ｂ及び５１８ｃによって構成されるパッド５１８が、ＣＯＧのバンプ５２２と接続する形態であった。このような形態においては、パッド５１８部分と有機絶縁膜５１６との段差によって、開口部の内部で連結不良が発生しやすく、これによって動作しなくなったり、誤動作を引き起こすおそれがあった。そこで、このようなことを防止するため、有機絶縁膜を除去することによって、パッド周辺部の段差を最小化し、連結安定性を向上させる技術が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。また、外部接続端子とＣＯＧ等との接触を改善する技術としては、上述したように有機絶縁膜を除去し、外部接続端子上に有機絶縁膜を設け、その上にパッドを形成し、外部接続端子とパッドをコンタクトホールによって接続する方法が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
特開２００２−２２９０５８号公報（第１〜２頁） 特開２００２−２４４１５１号公報（第１〜２頁）

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、シール材の内側と外側とで基板間の距離を均一化することによって、セル厚ムラが生じず、表示領域全体で表示の均質化を図ることができる液晶表示用パネル及びそれを備える液晶表示装置を提供することを目的とするものである。

本発明者は、液晶表示装置のセル厚ムラを抑制し、表示品位を改善するための技術について種々検討したところ、シール材により囲まれた内側と外側との基板間距離に着目し、スペーサーを表示領域と端子領域の両方に設けることを思料した。しかしながら、上述したように、パッド（外部接続端子）周辺部の段差をなくすように有機絶縁膜を除去した形態では、端子領域の液晶表示用パネルを構成する部材の高さが内側と外側とで異なることによって、基板間距離に相違が生じ、表示ムラを引き起こすことを見いだした。そこで、シール材で囲まれた領域の内側及び外側にスペーサーを配置し、薄膜トランジスタ基板のスペーサーと重畳する領域に配置されたパネル構成部材の厚みが、シール材で囲まれた領域の内側と外側とで実質的に等しい液晶表示用パネルとすることで、セル厚ムラにより生じる表示ムラを抑制し、表示領域全面で均一な表示を行うことができることを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。

すなわち、本発明は、薄膜トランジスタ基板とそれ（薄膜トランジスタ基板）に対向する対向基板がシール材で貼り合わされ、該シール材で囲まれた領域の内側に液晶層が挟持された液晶表示用パネルであって、該液晶表示用パネルは、シール材で囲まれた領域の内側及び外側にスペーサーが配置され、上記薄膜トランジスタ基板は、スペーサーと重畳する領域に配置されたパネル構成部材の厚みが、シール材で囲まれた領域の内側と外側とで実質的に等しい液晶表示用パネルである。
以下に本発明を詳述する。

本発明の液晶表示用パネルは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｅｒ）基板とそれに対向する対向基板がシール材で貼り合わされ、該シール材で囲まれた領域の内側に液晶層が挟持されたものである。上記ＴＦＴ基板は、ガラス基板等の基板上にＴＦＴ、外部接続端子等を含むパネル構成部材を備える基板である。ＴＦＴ基板としては、例えば、シール材で囲まれた領域の内側に表示領域を有し、外側に外部接続端子が配置された端子領域を有するものであることが好ましい形態である。また、上記対向基板は、例えば、ガラス基板上にカラーフィルタ等を備えるカラーフィルタ（ＣＦ：Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）基板が挙げられるが、それに限定されるものではない。

上記シール材は、表示領域を囲んで配置されるものであり、通常、ＴＦＴ基板、ＣＦ基板等の外縁部に配置され、２枚の基板を貼り合わせるものである。そして、シール材によって貼り合わされた一対の基板の間には液晶材料が封入され、シール材よりも内側が表示領域となる。

上記液晶表示用パネルは、シール材で囲まれた領域の内側及び外側にスペーサーが配置されたものである。すなわち、シール材で囲まれた領域の内側と外側の両方にスペーサーが配置されたものである。上記スペーサーは、ビーズ等の粒子状スペーサーであってもよいし、硬化性樹脂等をパターニングすること等によって成型したものであってもよく、特に限定されるものではない。上記スペーサーは、一対の基板の基板間距離を均一化するために用いられるものであり、光硬化性樹脂等で形成されるフォトスペーサーや、スペーサー用のビーズ等が好ましく用いられる。上記スペーサーは、ＴＦＴ基板上に設けられていてもよいし、対向基板上に設けられていてもよい。また、上記スペーサーの高さ（厚み）は特に限定されるものではないが、液晶層の厚みを均一にするために用いられるものであるため、通常は、液晶層の厚みと略同等の厚みで形成されるものであることが好ましい。平面視したときのスペーサーの面積は、表示パネルのサイズや画素のサイズによって適宜調整されればよいが、１０〜５０００μｍ^２の面積であることが好ましい。

上記ＴＦＴ基板は、シール材で囲まれた領域の内側及び外側にパネル構成部材が配置されたものである。上記パネル構成部材の形態としては、特に限定されるものではなく、種々の形態が挙げられるが、例えば、シール材で囲まれた領域の内側に配置されるパネル構成部材を構成する部材としては、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、ゲート絶縁膜、半導体層等から構成されるＴＦＴや、平坦化膜、層間膜、画素電極、補助容量電極、配向膜等のガラス基板上に形成される部材が挙げられる。また、シール材で囲まれた領域の外側においては、外部からの信号を伝達するための外部接続端子、該外部接続端子に信号を伝達するための配線、平坦化膜等が挙げられる。画素を駆動させるための回路等を実装したフルモノリシック型の液晶表示装置である場合には、ドライバ回路、電源回路、静電気放電（ＥＳＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）保護回路等の種々の回路を構成する部材が挙げられる。なお、本明細書中で「パネル構成部材」という場合、ＴＦＴ基板に設けられたパネルを構成する部材をまとめた集合体を指す。

上記薄膜トランジスタ基板は、スペーサーと重畳する領域に配置されたパネル構成部材の厚みが、シール材で囲まれた領域の内側と外側とで実質的に等しいものである。上記スペーサーと重畳する領域に配置されたパネル構成部材のガラス基板等の基板からの高さが、シール材で囲まれた領域の内側と外側とで実質的に等しいことによって、該内側と外側とで基板間距離が実質的に等しくなる。これにより、液晶層の厚みが一定となり、表示品位を優れたものとすることができる。例えば、内側（例えば、表示領域）と外側（例えば、端子領域）との基板間距離が異なる場合には、基板の貼り合わせ時にギャップ差によるストレスで端子領域のシール近傍でセル厚ムラを生じ、表示品位を劣化させるおそれがある。

なお、「実質的に等しい」とは、セル厚ムラを抑制して充分に表示品位を改善することができる程度に等しいものであればよいが、例えば、シール材の外側（例えば、端子領域）に配置されたスペーサーと重畳する領域のパネル構成部材の厚みが、内側に配置されたスペーサーと重畳する領域の厚みに対して、１５％以内、すなわち、８５〜１１５％の厚みであるものを含む。この程度の差異であれば、基板間距離の相違による表示ムラを充分に抑制し、優れた表示品位の液晶表示用パネルとすることができる。また、スペーサーと重畳する領域のパネル構成部材の厚みは、内側と外側とで実質的に等しくない部分があってもよく、例えば、シール材に囲まれる領域の内側と外側とのそれぞれに複数のスペーサーが配置される場合、内側に配置されたスペーサーの少なくとも一つと重畳する領域のパネル構成部材の厚みが、外側に配置されたスペーサーの少なくとも一つと重畳する領域のパネル構成部材の厚みと実質的に等しい形態も含むものである。

本発明の液晶表示用パネルの構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素を含んでいても含んでいなくてもよく、特に限定されるものではない。例えば、対向基板（例えば、カラーフィルタ基板）上に配置された部材の合計の高さは、シール材で囲まれた領域の内側と外側とで実質的に等しいことが好ましい。また、反射表示領域を有する透過反射両用型の液晶表示装置である場合には、反射表示領域に反射膜が配置されていてもよいし、反射表示領域における液晶層の厚みを調整するための部材（例えば、ホワイトカラーフィルタ等）が、透過表示領域における液晶層の厚みの約１／２となるように設けられていてもよい。
本発明の液晶表示用パネルにおける好ましい形態について以下に詳しく説明する。

上記薄膜トランジスタ基板は、シール材で囲まれた領域の外側に外部接続端子を備え、かつシール材で囲まれた領域の内側及び外側のスペーサーと重畳する領域に、平坦化膜が配置され、該平坦化膜は、外部接続端子が配置された領域の少なくとも一部で除去されていることが好ましい。例えば、上記平坦化膜は、ＴＦＴ基板の端子領域において、ＦＰＣやＣＯＧ等と接続する外部接続端子が配置された領域の少なくとも一部が除去され、該外部接続端子が配置されていない領域に残されて配置される。そして、その残した平坦化膜が配置された領域にスペーサーが配置されることによって、基板間距離を均一化することができる。このように、シール材で囲まれた領域の外側で、平坦化膜の一部を除去する形態であっても、スペーサーが配置される領域で、シール材で囲まれる領域の内側と外側とでパネル構成部材の厚みが実質的に等しいため、セル厚ムラが生じることを抑制し、表示品位を向上させることができる。
上記平坦化膜は、通常、パネル構成部材を構成する他の部材（例えば、ＴＦＴを構成する部材等）よりも厚く形成される。そのため、この平坦化膜がシール材で囲まれた領域の外側のスペーサーと重畳する領域に存在しない場合、パネル構成部材の厚み（ガラス基板等からの高さ）が内側と外側とで著しく相違することとなり、シール材の内側と外側とで基板間距離が大きく変化する。このため、セル厚ムラが生じることとなり、表示品位が低下するおそれがある。
平坦化膜の代わりに他の部材を配置することも考えられるが、平坦化膜と同程度の厚みの膜を形成するためには、工程を増加させることとなり、生産性が低下する。

上記平坦化膜は、画素電極の直下に配置された膜であることが好ましい。例えば、画素電極の直下の構造が大きな凹凸を有するものである場合、その直上に形成された画素電極も該凹凸を反映した形状となるおそれがある。そのような場合、画素電極の凹凸により液晶層の厚みが変化することとなるため、表示品位の劣化を招くおそれがある。そこで、上記平坦化膜を画素電極の直下に配置することによって、該画素電極を平坦なものとすることができ、表示品位を優れたものとすることができる。なお、本明細書中で、「画素電極の直下に配置される」とは、画素電極の下面の少なくとも一部に接して配置されていることを意味する。

上記平坦化膜は、パネル構成部材の厚みを均一化するために配置される膜である。平坦化膜を形成する材料は特に限定されるものではないが、例えば、有機絶縁材料から形成される有機絶縁膜、メチル含有ポリシロキサン（ＭＳＱ）系材料などから形成されるＳＯＧ（スピン オン グラス）膜等が挙げられる。また、これらの材料を積層して使用してもよい。平坦化膜を用いることによって、該平坦化膜の下層に配置された部材によって凹凸が形成されている場合にも平坦化膜の上面を平坦なものとすることができる。

上記平坦化膜は、厚みが０．５μｍ以上の膜であることが好ましい。通常、ＴＦＴ基板等に配置されるＴＦＴ等を形成すると、０．５μｍ程度の凹凸が形成される場合がある。このようにして形成された凹凸を平坦化膜によって補償する場合、０．５μｍ以上の厚みを有する平坦化膜であることが好ましい。また、上記平坦化膜は、厚みが４μｍ以下の膜であることが好ましい。４μｍを超える膜である場合には、例えば、コンタクトホールを形成する場合に、その面積が広くなる、エッチング時間を長く要する、感光性材料の場合、塗布時に膜ムラになる、露光不足になるなどのおそれがある。

上記薄膜トランジスタ基板は、シール材で囲まれた領域の外側に外部接続端子を備え、該外部接続端子は、端部が平坦化膜の直下に配置されていることが好ましい。一般的に、外部接続端子に用いる導電性材料の一つとしてアルミニウムが多く用いられているが、アルミニウムは大気中に曝されていると、水分や酸素により腐食を生じるおそれがある。また、例えば、画素電極を酸化インジウム錫によって形成し、そのエッチングを行う場合、アルミニウムが露出していると、電食反応が生じるおそれがある。そのため、外部接続端子を構成するアルミニウム膜上に腐食しにくい導電膜（例えば、チタン膜等）を配置して、アルミニウム膜が大気中に曝されないようにすることが好ましい形態である。しかしながら、アルミニウム膜上に設けた導電膜とアルミニウム膜とを同一のエッチングによってパターニングすると、アルミニウム膜の上面は腐食されにくい導電膜によって被覆されていたとしても、端部の断面はアルミニウムが露出した形態になる。そこで、この断面を被覆するため、異なる工程でパターニングした導電膜（例えば、画素電極を形成する透明導電膜等）によってアルミニウム膜が露出した断面とその上面に配置された導電膜を被覆して、外部接続端子とする方法が考えられる。しかしながら、通常、透明導電膜は、チタン膜等の導電膜よりも抵抗が高いため、上面に透明導電膜が配置された外部接続端子では、外部と接続する際のコンタクト抵抗が高くなるおそれがある。そこで、外部接続端子の端部が平坦化膜の直下に配置される、すなわち、平坦化膜により外部接続端子の端部が被覆された形態とすることによって、外部接続端子の端部に腐食しやすい導電膜が露出していたとしても、腐食を抑制することができる。このような形態は、外部接続端子がアルミニウム等の腐食しやすい導電膜を含む場合に特に好ましい形態である。より詳細には、外部接続端子が、アルミニウム等の腐食しやすい導電膜と、チタン膜や窒化チタンなどのチタン合金膜等の腐食に強い導電膜とを含み、腐食しやすい導電膜の上面が腐食に強い導電膜に被覆されており、かつ腐食しやすい導電膜の断面が腐食に強い導電膜に被覆されていない形態において特に有効である。

上記外部接続端子は、透明導電膜を含まないことが好ましい。より詳しくは、上記外部接続端子は、透明導電膜によって他の導電膜が被覆されていない形態であることが好ましい。上述のように、アルミニウム膜等の腐食しやすい導電膜の端部を平坦化膜の直下に配置することによって、透明導電膜を設けなくとも腐食を抑制することができる。また、通常、透明導電膜は金属膜よりも抵抗率が高いため、これを外部接続端子の表面を構成する導電膜とするとコンタクト抵抗が増加することとなるが、透明導電膜によって外部接続端子の上層が被覆されていない形態とすることによって、コンタクト抵抗を低減することができる。なお、透明導電膜とは、例えば、酸化インジウム錫膜、酸化インジウム亜鉛膜等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

上記薄膜トランジスタ基板の好ましい形態としては、シール材で囲まれた領域の内側に、第一導電膜、第一平坦化膜、第二導電膜、第二平坦化膜がこの順に配置された多層配線構造を有し、上記外部接続端子は、第二導電膜を形成する工程で形成される導電膜を含まない形態が挙げられる。例えば、第二導電膜を形成する導電膜には、モリブデン膜／アルミニウム膜のような構造の積層膜が好ましく用いられるが、上層に配置される膜がモリブデン膜のような、チタン膜等と比較して耐水性が低く、腐食しやすい膜である場合には、このモリブデン膜を用いて外部接続端子を形成すると、腐食等によりその信頼性に問題を生じるおそれがある。そこで、外部接続端子に第二導電膜を形成する工程で形成される導電膜を含まない構造とすることにより、第二導電膜に比較的腐食しやすい金属材料を用いていたとしても、外部接続端子が第二導電膜と同じ工程で形成される導電膜を含まないため、外部接続端子の特性劣化を抑制することができ、信頼性が向上したものとなる。なお、「第二導電膜を形成する工程で形成される導電膜」とは、第二導電膜と同じ蒸着工程、パターニング工程で形成された導電膜のことである。

上記多層配線構造を有する形態である場合、例えば、第一導電膜と第二導電膜とを配線として用いることによって、第一導電膜と第二導電膜とを第一平坦化膜を介して一部を重畳させて配置することができるため、配線を配置することにより占められる面積を小さくすることができる。例えば、第一導電膜としては、回路内の薄膜トランジスタのソース配線、ドレイン配線等のローカル配線として用い、第二導電膜は、ドライバや電源回路などの電源配線、信号配線の共通配線等として用いることができる。また、第一導電膜の上層をチタン膜として、この第一導電膜と同じ工程で形成された導電膜を外部接続端子に用い、更に第二導電膜を外部接続端子を構成する膜として用いなければ、多層配線構造のエッチング時にソース電極の上層のチタン膜をウェットエッチングのエッチングストッパとして使用することができると共に、ソース電極端部のアルミニウムは平坦化膜の下層に配置されているため、エッチング時に同時にエッチングされる問題がないことから好ましい。

また、上記薄膜トランジスタ基板の好ましい形態としては、シール材で囲まれた領域の内側に、第一導電膜、第一平坦化膜、第二導電膜、第二平坦化膜がこの順に配置された多層配線構造を有し、上記外部接続端子は、第二導電膜を形成する工程で形成される導電膜を含まない形態も挙げられる。例えば、第一導電膜として比較的腐食しやすい金属材料を用いており、第二導電膜として腐食に強い金属材料を用いている場合には、第一導電膜を形成する工程で形成される導電膜を、外部接続端子が含まないことによって、外部接続端子の腐食を抑制することができる。

上記外部接続端子は、外部（例えば、ＦＰＣ等の外付け部材）からの信号を薄膜トランジスタ基板に設けられた配線に伝達するために用いられる端子又は薄膜トランジスタ基板からの信号を外部に伝達するために用いられる端子であり、導電性を有するものである。外部接続端子の構成は特に限定されず、例えば、単層の導電膜からなる単層膜でもよいし、複数の導電膜が積層された積層膜等であってもよい。

上記外部接続端子は、シール材で囲まれた領域の外側である端子領域に設けられることとなり、また、該端子領域には平坦化膜が配置されることとなる。外部接続端子は外付け部材と接続されるものであるため、上記薄膜トランジスタ基板は、外部接続端子の周辺の段差により、接触不良が生じないように平坦化膜が配置されている形態が好ましい。このような形態とするためには、平坦化膜が、例えば、外部接続端子の近傍（外部接続端子が配置された領域及びその周囲）では、ＣＯＧのバンプ、ＦＰＣの外部接続配線の面積（平面視したときの面積）に対して、１０％以上広い面積を除去した形態であることが好ましい。より好ましくは、２０％以上広い面積を除去した形態である。このようにすることで、外付け部材との接触不良を抑制する、すなわち、連結安定性を改善することができ、製造歩留りを改善することができる。

上記外部接続端子は、異方性導電膜によって外付け部材と接続されるものであることが好ましい。上記異方性導電膜は、面外方向（基板平面に対して法線方向）には導電性を有するが、面内方向（基板平面方向）には導電性を有しない膜である。これにより、外部接続端子と外付け部材とを容易に接続することができる。また、異方性導電膜は、外部接続端子と外付け部材とを物理的に接着するものであるため、接着性を有するものであることが好ましい。このような異方性導電膜は、通常、絶縁材料中に含まれる導電粒子を介することにより、外部接続端子と外付け部材とを導通するものである。上記導電粒子の形状は、特に限定されるものではなく、立方体状、八面体状等でもよいが、通常は、球状である。

上記異方性導電膜に接続される外付け部材としては、特に限定されないが、例えば、抵抗器、コンデンサ、コイル、コネクタ、ダイオード、トランジスタ等の電子部品、あるいは、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）、上記回路素子及び配線を含む集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）が形成されたチップ（ＣＯＧ：Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）又は樹脂フィルム（ＣＯＦ：Ｃｈｉｐ Ｏｎ ｆｉｌｍ）が挙げられる。また、その他には、プリント配線板（ＰＷＢ：Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｗｉｒｉｎｇ Ｂｏａｒｄ）、プリント回路板（ＰＣＢ：Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ：Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が挙げられる。このような外付け部材が異方性導電膜を介して外部接続端子と電気的に接続されることとなる。上記外付け部材は、外部接続端子と重なる領域に導電性突起物を備えることが好ましい。このような導電性突起物を「外部接続配線」や「バンプ」ともいう。このような導電性突起物が異方性導電膜を介して外部接続端子と接続されることとなる。

本発明はまた、上記液晶表示用パネルを備える液晶表示装置でもある。上述のようにセル厚ムラの発生を抑制することができる液晶表示用パネルを備えることで、優れた表示品位の液晶表示装置とすることができる。液晶表示装置は、液晶表示用パネルに、偏光板等の部材が実装されたものである。

本発明の液晶表示用パネルによれば、セル厚ムラが生じず、表示領域全体で表示の均質化を図ることができるため、より表示品位の高い液晶表示装置とすることができる。また、外部接続端子と外付け部材との接続不良を改善することができるため、より信頼性に優れた液晶表示装置とすることができる。

以下に実施例を掲げ、本発明を図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

（実施例１）
図１は、実施例１に係る液晶表示用パネルのシール材に囲まれた領域の内側である、表示領域を示す断面模式図である。図２は、実施例１に係る液晶表示用パネルのシール材に囲まれた領域の外側である、端子領域を示す断面模式図である。図３は、実施例１に係る液晶表示用パネルの平面模式図であり、図４は、図３中で点線によって囲まれている領域を拡大した平面模式図である。図５は、ＴＦＴ基板の端子領域において外部接続端子と、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）とを異方性導電膜によって貼り合わせたときの構造を示す断面模式図である。実施例１に係る液晶表示用パネルは、ＴＦＴ、画素電極等が設けられたＴＦＴ基板とカラーフィルタ等が設けられたカラーフィルタ基板がシール材により貼り合わされた構造を有するものである。
通常、液晶表示用パネルを製造する場合、１枚の大型ガラス基板に複数の液晶表示用パネルを形成するための部材を形成し、２枚の大型ガラス基板（例えば、複数のＴＦＴ基板を構成する部材が形成された大型ガラス基板と、複数のカラーフィルタ基板を構成する部材が形成された大型ガラス基板）をシール材で貼り合わせた後、各液晶表示用パネルに分断する。
図１及び２は、各液晶表示用パネルへ分断する前の形態を示す断面模式図であり、図３〜５は、分断した後の形態を示す断面模式図又は平面模式図である。

まず、表示領域におけるＴＦＴ基板の構成について述べる。図１に示すように、基板１１０上に、厚みが５０ｎｍのシリコン酸窒化膜と厚みが１００ｎｍのＴＥＯＳ膜（酸化シリコン膜）が積層された下地層１１１が設けられ、その上には半導体層１１２ａ、１１２ｂ及び１１２ｃが島状に設けられている。この上には、ゲート絶縁膜となる第一絶縁膜１１３が設けられ、その上には、ゲート配線１１４ｂ、補助容量電極１１４ａ及び１１４ｃが設けられている。この補助容量電極１１４ａ及び１１４ｃは、それぞれ半導体層１１２ａ及び１１２ｃと重畳して配置されることで、補助容量を形成する。ゲート配線１１４ｂ、補助容量電極１１４ａ及び１１４ｃ上には、キャップＴＥＯＳ膜、ＳｉＮｘ膜、ＴＥＯＳ膜である積層層間膜１１５が形成され、その上には、ソース・ドレイン配線１２３が形成されている。ソース・ドレイン配線１２３は、厚み１００ｎｍのチタン膜、厚み３５０ｎｍのアルミニウム膜及び厚み１００ｎｍのチタン膜がこの順に積層された構造である。ソース・ドレイン配線１２３は第一絶縁膜１１３及び積層層間膜１１５に形成されたコンタクトホールを介して半導体層１１２ｂに接続される。これにより、画素のスイッチング素子となるＴＦＴが構成される。ソース・ドレイン配線１２３上には、有機絶縁膜である平坦化膜１１６Ａが形成されており、その上には酸化インジウム錫からなる画素電極１１７が配置されている。画素電極１１７は、平坦化膜１１６Ａに形成されたコンタクトホールを介してソース・ドレイン配線１２３のドレイン側と接続されている。また、画素領域１４０の一部では、平坦化膜１１６Ａの一部に凹凸が形成されており、該凹凸が形成された領域には、厚み５０ｎｍのモリブデン膜、厚み１００ｎｍのアルミニウム膜及び厚み３０ｎｍの酸化インジウム亜鉛膜が積層された反射膜１１９が配置されている。反射膜１１９及び画素電極１１７上には配向膜１１８が配置されている。

次に、ＴＦＴ基板と対向するカラーフィルタ基板について説明する。カラーフィルタ基板の表示領域では、基板１３０上にカラーフィルタ１３１が配置され、その上にはオーバーコート層１３２が配置されている。表示領域１４０においては、オーバーコート層１３２上の反射表示領域（反射膜１１９が配置された領域に対向する領域）に厚み２μｍのホワイトカラーフィルタ１３６が配置されている。オーバーコート層１３２及びホワイトカラーフィルタ１３６上には、酸化インジウム錫で形成された共通電極１３３が基板全面に配置され、画素の境界領域１５０には、高さ４μｍのフォトスペーサー１３５が配置されており、対向するＴＦＴ基板の境界領域１５０に形成された配向膜１１８と接している。

次に、端子領域のＴＦＴ基板の構成について述べる。図２は、実施例１に係る液晶表示用パネルのシール材に囲まれた領域の外側である、端子領域を示す断面模式図である。図２は、パネル化分断前での外部接続端子部分のカラーフィルタ基板とＴＦＴ基板とが対向している部分の断面模式図である。図２に示すように、端子領域の基板１１０上には、表示領域と同様に、下地層１１１、第一絶縁膜１１３がこの順に配置され、その上には、ゲート配線１１４ｂと同じ工程で形成される導電膜１２０ａ、ソース・ドレイン配線１２３と同じ工程で形成される積層膜１２０ｂ、画素電極１１７と同じ工程で形成される透明導電膜１２０ｃがパターニングされて配置されており、これらが積層された外部接続端子１２０が設けられている。外部接続端子１２０が配置されていない領域には積層層間膜１１５が配置されており（外部接続端子１２０の端部と積層層間膜１１５の端部とは一部重畳している）、そして、積層層間膜１１５上には、露光、現像処理によりパターニングされた感光性有機平坦化膜１１６Ｂが配置されており、その上には、パターニングされた透明導電膜１１７及び配向膜１１８が平坦化膜１１６Ｂの上部に積層されている。このとき、外部接続端子１２０の周囲に設けられる平坦化膜１１６Ｂは、外部接続端子の端部から５〜１０μｍ離れた領域に配置される。これにより、ＣＯＧのバンプ等と外部接続端子とを接続する際に、平坦化膜によって接触不良等が生じることをより抑制することができる。

カラーフィルタ基板の端子領域では、表示領域と同様に、基板１３０上にカラーフィルタ１３１、オーバーコート層１３２、共通電極１３３及び配向膜１３４がこの順に配置され、ＴＦＴ基板において外部接続端子と重畳しないようにパターニングされた平坦化膜１１６Ｂ、透明導電膜１１７及び配向膜１１８がこの順に配置された領域と対向する領域に、高さ４μｍのフォトスペーサー１３５が配置されている。このとき、表示領域及び端子領域においてスペーサー１３５と対向する領域のパネル構成部材１２１の基板１１０からの高さについては、画素電極よりも下層に配置されている部材の厚みは平坦化膜により平均化されているため、実質的に同様の高さとなる。このような形態とすることによって、表示領域と端子領域との基板間距離を均一化することができるため、表示領域におけるセル厚ムラを抑制することができる。そして、優れた表示品位の液晶表示用パネルとすることができる。なお、端子領域の平坦化膜上に設けられる透明導電膜、配向膜は基板間距離を均一なものとするためには配置されていた方がよいが、平坦化膜と比較すると薄い膜であるため、これらがなくとも基板間距離は充分に均一化されるものとなるため、配置されていなくともよい。

図３に示すように、大型ガラス基板から分断した後の実施例１に係る液晶表示用パネルは、ＴＦＴ基板上に表示領域１６０の周りを囲んだシール材１６１が配置され、シール材１６１で囲まれた領域の外側の端子領域には、コンデンサ等の電子部品１６２、フレキシブルプリント基板１６６、回路素子及び配線を含む集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）が形成されたチップ（ＣＯＧ：Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）１６７が配置されている。そして、図３中の点線で囲まれた領域では、図４で示すように、ＣＯＧ１６７と接続するための外部接続端子１２０Ａ、ＦＰＣ１６６の外部接続配線１６６ａと接続するための外部接続端子１２０Ｂが設けられている。ＦＰＣ１６６と接続するための外部接続端子１２０Ｂでは、外部接続配線１６６ａと外部接続端子１２０Ｂが異方性導電膜１６５中の導電粒子１６５ａによって導通している。また、ＣＯＧ１６４も同様に異方性導電膜１６５によって外部接続端子１２０Ａと接続されている。また、図５で示すように、ＣＯＧ１６７との接続部分では、ＣＯＧ１６７のバンプと重畳して接触不良が生じない程度に平坦化膜１１６Ｂが除去されているため、接触不良も抑制されることとなる。

なお、カラーフィルタ基板は、シール印刷、貼り合せ、パネル化分断（端子出し）までは、シール材１６１の外側に配置された外部接続端子と重畳する位置まで設けられ、端子領域においてカラーフィルタ基板とＴＦＴ基板とは重なっている。その後、パネル化分断され、ＣＦ基板と対向していた、ＦＰＣと接続する外部接続端子部とＣＯＧと接続される外部接続端子部が剥き出しの構造となる。
分断前である図２中では、ＴＦＴ基板に形成された外部接続端子とカラーフィルタ基板とが対向する位置に配置されているが、分断後である図３〜５では、ＴＦＴ基板に形成された外部接続端子と対向する位置にはカラーフィルタ基板は配置されていない。セル厚ムラの原因は、貼り合せ工程時の圧力によるシール材の外側と内側のスペーサー密度分布の差に起因して生じるものであり、パネル化分断後は、外部接続端子周辺には対向するスペーサーが存在しないが問題にならない。ただし、分断後においても、シール材の外側（端子領域）におけるシール材近傍には、カラーフィルタ基板とＴＦＴ基板とが対向する部分があり、該対向する部分にスペーサーが配置される。これは、後述する実施例２〜３に係る液晶表示用パネルについても同様である。

以下に、実施例１に係る表示装置用パネルの製造方法について説明する。
まず、ＴＦＴ基板について説明する。基板１１０に対して、前処理として、洗浄とプレアニールとを行う。次に、以下（１）〜（１０）の工程を行う。

（１）下地層の形成工程
基板１１０上に、プラズマ化学気相成長（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＥＣＶＤ）法等によりＳｉＯＮ膜及びＳｉＯ_ｘ膜を成膜し、下地層１１１を形成する。ＳｉＯＮ膜形成のための原料ガスとしては、モノシラン（ＳｉＨ_４）、亜酸化窒素ガス（Ｎ_２Ｏ）及びアンモニア（ＮＨ_３）の混合ガス等が挙げられる。なお、ＳｉＯ_ｘ膜は、原料ガスとして正珪酸四エチル（Ｔｅｔｒａ Ｅｔｈｙｌ Ｏｒｔｈｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ：ＴＥＯＳ）ガスを用いて形成されることが好ましい。また、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ_４）及びアンモニア（ＮＨ_３）の混合ガス等を用いた窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜等を用いてもよい。

（２）半導体層の形成工程
ＰＥＣＶＤ法により、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成する。ａ−Ｓｉ膜形成の原料ガスとしては、例えば、ＳｉＨ_４、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）等が挙げられる。ＰＥＣＶＤ法により形成したａ−Ｓｉ膜には水素が含まれているため、約５００℃でａ−Ｓｉ層中の水素濃度を低減する処理（脱水素処理）を行う。また、この後、金属触媒を塗布して、連続粒界結晶シリコン（ＣＧ−シリコン）化するための前処理を行ってもよい。続いて、レーザアニールを行い、ａ−Ｓｉ膜を溶融、冷却、固化させることにより、ｐ−Ｓｉ膜とする。レーザアニールには、例えば、エキシマレーザを用いる。ｐ−Ｓｉ膜の形成には、レーザアニールの前処理として、固相結晶化の熱処理を行ってもよい。次に、四フッ化炭素（ＣＦ_４）ガスによるドライエッチングを行い、ｐ−Ｓｉ膜をパターニングし、半導体層１１２ａ、１１２ｂ及び１１２ｃが形成される。なお、半導体層には、後述するように第一絶縁膜を形成した後、イオンドーピング工程、不純物注入工程や、ゲート電極の形成後に、イオンドーピング法等を用いてソース領域、ドレイン領域、チャネル領域等を形成することが好ましい。

（３）第一絶縁膜（ゲート絶縁膜）の形成工程
次に、原料ガスとしてＴＥＯＳガスを用いて、酸化シリコンからなる第一絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１３を形成する。また、第一絶縁膜（ゲート絶縁膜）としては、他の材料で形成された膜でもよく、例えば、ＳｉＮ_ｘ膜、ＳｉＯＮ膜等を用いてもよい。ＳｉＮ_ｘ膜及びＳｉＯＮ膜形成のための原料ガスとしては、下地層の形成工程で述べたものと同様の原料ガスが挙げられる。また、第一絶縁膜（ゲート絶縁膜）は、上記複数の材料からなる積層体等でもよい。

（４）ゲート配線及び外部接続端子の導電膜の形成工程
次に、スパッタリング法を用いて、窒化タンタル（ＴａＮ）膜、及び、タングステン（Ｗ）膜を成膜する。次に、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターン形成した後、アルゴン（Ａｒ）、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）、四フッ化炭素（ＣＦ_４）、酸素（Ｏ_２）、塩素（Ｃｌ_２）等の混合ガス分量を調整したエッチングガスを用いてドライエッチングを行い、ゲート配線３１４ｂ、補助容量電極３１４ａ及び３１４ｃを形成する。また、端子領域においては、外部接続端子１２０を構成する導電膜１２０ａを形成する。ゲート配線、補助容量電極及び導電膜に用いられる金属としては、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデンタングステン（ＭｏＷ）、アルミニウム（Ａｌ）等の低抵抗金属、表面が平坦で特性の安定した高融点金属等が挙げられる。また、ゲート配線、補助容量電極及び導電膜は、上記複数の材料からなる積層体等であってもよい。

（５）層間膜の形成工程
次に、ＴＦＴ基板の全面にＰＥＣＶＤ法により、ＳｉＮ_ｘ膜、ＴＥＯＳ膜成膜することで積層層間膜１１５を形成する。積層層間膜１１５としては、ＳｉＯＮ膜等を用いてもよい。また、トランジェント劣化等によるＴＦＴ特性の信頼性向上、及び、電気特性の安定化のため、層間膜の下の階層に５０ｎｍ程度の薄いキャップ膜（例えば、ＴＥＯＳ膜等）を形成してもよい。

（６）層間膜のコンタクトホールの形成及び外部接続端子を形成する領域の除去工程
次に、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニング後、フッ酸系のエッチング溶液を用いて第一絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１３及び積層層間膜１１５のウェットエッチングを行い、ソース・ドレイン配線１２３と半導体層１１２ｂとを接続するためのコンタクトホールを形成する。また、同時に、端子領域における外部接続端子１２０の導電膜１２０ａの表面が露出するように、パターニングを行う。なお、エッチングには、ドライエッチングを用いてもよい。

（７）ソース・ドレイン配線、外部接続端子の積層膜の形成工程
次に、スパッタ法等で、チタン（Ｔｉ）膜、アルミニウム（Ａｌ）膜、Ｔｉ膜をこの順で形成する。次に、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターン形成した後、ドライエッチングによりＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの金属積層膜をパターニングし、ソース・ドレイン配線１２３及び外部接続端子１２０の積層膜１２０ｂを形成する。このとき、ソース・ドレイン配線１２３と半導体層１１２ｂのソース領域又はドレイン領域とが第一絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１３及び積層層間膜１１５に形成されるコンタクトホールを介して導通される。また、ソース・ドレイン配線を構成する金属としては、Ａｌに代えてＡｌ−Ｓｉ合金等を用いてもよい。なお、ここでは、配線の低抵抗化のためにＡｌを用いたが、高耐熱性が必要で抵抗値のある程度の増加が許される短い配線構造にする場合は、上述したゲート配線材料（Ｔａ、Ｍｏ、ＭｏＷ、Ｗ、ＴａＮ等）を用いてもよい。

（８）平坦化膜とコンタクトホールの形成工程
次に、基板全面に、スピンコート法等を用いて感光性樹脂である有機絶縁膜材料を塗布し、光露光、現像、消色、ベークすることによって、平坦化膜１１６とコンタクトホールを同時形成する。原料としては、感光性アクリル樹脂、感光性エポキシ樹脂等を用いることができる。また、原料ガスとしてＴＥＯＳガスを用いたＰＥＣＶＤ法等によって、酸化シリコンからなる平坦化膜を形成してもよいが、生産性の観点からは有機絶縁材料を用いたスピンコート法により感光性又は非感光性のポリアルキルシロキサン系やポリシラザン系の樹脂等を用いてもよい。その他、メチル含有ポリシロキサン（ＭＳＱ）系材料や多孔質ＭＳＱ系材料も挙げられる。

（９）画素電極及び外部接続端子の形成工程
平坦化膜１１６上に、スパッタリング法等によって、ＩＴＯ膜を形成し、フォトリソグラフィ法によって所望の形状にパターニングし、画素電極１１７、及び、外部接続端子１２０を構成する透明導電膜１２０ｃを形成する。このとき、透明導電膜１２０ｃは、積層膜１２０ｂの上面及び断面を被覆して形成される。これにより、積層膜１２０ｂの断面に露出しているアルミニウム膜の腐食を防止することができる。
（１０）反射膜の形成
スパッタ法等を用いることによって、反射表示領域にモリブデン膜、アルミニウム膜及び酸化インジウム錫膜を積層し、パターニングを行うことにより反射膜１１９を形成する。

その後、オフセット印刷法等を用いることによって配向膜を形成（印刷）する。
次に、ラビングを行い、シール材をＴＦＴ基板上に形成（印刷）し、カラーフィルタ等を形成したカラーフィルタ基板とを貼り合わせる。これにより、図２で示す形態となる。シール材としては、特に限定されず、紫外線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂等を用いることができる。そして、貼り合せた基板をパネル化分断、液晶材をパネルに注入し、封止し、更に、偏光板を貼り付ける。その後、外部接続端子部材であるＦＰＣ１６６に異方性導電膜１６５を貼り付けた後、熱圧着により、外部接続端子とＦＰＣ１６６を貼り合わせる。また、ＣＯＧを外部接続端子と接続する場合、ＣＯＧと外部接続端子とを接続するためのバンプと外部接続端子とを異方性導電膜によって貼り合わせる。カラーフィルタ基板の製造方法については、通常の方法により製造することができるため省略するが、フォトスペーサー１３５は、感光性樹脂をスピンコート法等によって全面に塗布し、フォトリソグラフィ法等を用いることによって、パターニングして形成することができる。スペーサーとしては、ビーズを散布する方法等を用いて、基板上に配置してもよい。
なお、液晶材については、シール材の印刷の後、滴下注入してもよい。その場合、滴下注入後に、貼り合せ、パネル化分断（端子出し）等を行うことになる。

（実施例２）
図６は、実施例２に係る液晶表示用パネルのシール材に囲まれた領域の外側である、端子領域を示す断面模式図である。実施例２に係る液晶表示用パネルにおいて、シール材に囲まれた領域の内側の画素領域の構成、端子領域におけるカラーフィルタ基板の構成については、実施例１と実質的に同様の構成である。図６についても、実施例１の図２と同様に、パネル分断前の形態である。
端子領域のＴＦＴ基板の構成について述べる。端子領域では、基板２１０上に、下地層２１１、第一絶縁膜２１３がこの順に配置され、その上には、ゲート配線と同じ工程で形成される導電膜２２０ａと、ソース・ドレイン配線と同じ工程で形成される積層膜２２０ｂが配置されて外部接続端子２２０を構成している。また、第一絶縁膜２１３上には積層層間膜２１５が、外部接続端子が配置されていない領域に配置されている（外部接続端子の端部においては一部重畳して配置されている。）。また、積層層間膜２１５上には、平坦化膜２１６が配置されているが、外部接続端子２２０を構成する積層膜２２０ｂの端部は平坦化膜２１６下に配置されている。また、平坦化膜２１６上には、透明導電膜２１７及び配向膜２１８が配置されている。このとき、端子領域のパネル構成部材２２２の高さと画素領域におけるパネル構成部材の高さは実質的に同様である。

シール材に囲まれた領域の内側と外側とで、スペーサーに対向する領域のパネル構成部材の高さを揃えているため、実施例１と同様に表示品位を改善することができる。更に、実施例２の形態では、外部接続端子２２０が透明導電膜を用いていない形態であるため、外部と接続する際のコンタクト抵抗を低減することができる。積層膜２２０ｂは、チタン／アルミニウム／チタンの積層膜であり、腐食を生じやすいアルミニウム膜の上面及び下面はチタン膜に被覆された形態であるが、チタン膜とアルミニウム膜とは同じ工程でエッチングするため、積層膜２２０ｂの断面ではアルミニウム膜が露出することとなる。実施例１では、積層膜１２０ｂの断面を透明導電膜１２０ｃにより被覆する形態とすることで、アルミニウム膜の腐食を防止していたが、実施例２では、積層膜２２０ｂの端部を平坦化膜２１６下に配置することで、アルミニウム膜の断面が露出することを防止して腐食を抑制している。

（実施例３）
図７は、実施例３に係る液晶表示用パネルのシール材に囲まれた領域の内側である、表示領域を示す断面模式図である。図８は、実施例３に係る液晶表示用パネルのシール材に囲まれた領域の外側である、端子領域を示す断面模式図である。図７及び８についても、実施例１の図１及び図２と同様に、パネル分断前の形態である。実施例３に係る液晶表示用パネルの画素領域は平坦化膜を２層設け、この２層の平坦化膜の間に配線を設けた多層配線構造を有していること以外は、実施例１及び２に係る液晶表示用パネルと実質的に同様である。また、シール材に囲まれた領域の外側である端子領域においては、スペーサーに対向する領域に、２層の平坦化膜が設けられていること以外は実施例２に係る液晶表示用パネルと実質的に同様の構成である。すなわち、ＴＦＴ基板においては、実施例１と同様に、基板３１０上に、下地層３１１、半導体層３１２ａ、３１２ｂ並びに３１２ｃ、第一絶縁膜３１３、ゲート配線３１４ｂ、補助容量電極３１４ａ並びに３１４ｃ、積層層間膜３１５が設けられている。その上にはソース・ドレイン配線３２３が形成され、半導体層３１２ｂとコンタクトホールを介して接続されている。ソース配線３２３上には厚み２．５μｍの第一平坦化膜３１６Ａ、厚み２．５μｍの第二平坦化膜３２４Ａが設けられ、その間には、厚み３５０ｎｍのアルミニウム膜と厚み５０ｎｍのモリブデン膜とが積層された導電配線３２６が配置されている。また、第二平坦化膜３２４Ａ上には、画素電極３１７、反射膜３１９及び配向膜３１８が配置されてＴＦＴ基板を構成している。

画素領域においてＴＦＴ基板に対向するカラーフィルタ基板の構成は、実施例１及び２に係る液晶表示用パネルの構成と実質的に同様であり、基板３３０上に、カラーフィルタ３３１、オーバーコート層３３２、ホワイトカラーフィルタ３３６、共通電極３３３及び配向膜３３４が配置され、境界領域３５０には高さ４μｍのフォトスペーサー３３５が配置されている。

次に端子領域におけるＴＦＴ基板の構成について説明する。端子領域におけるＴＦＴ基板の構成は、平坦化膜が２層積層され、その上に、透明導電膜及び配向膜が配置されていること以外は、実質的に実施例２に係る液晶表示用パネルと同様である。すなわち、端子領域のＴＦＴ基板は、基板３１０上に、下地層３１１、第一絶縁膜３１３、積層層間膜３１５、外部接続端子３２０が形成された形態である。外部接続端子３２０は、ゲート配線３１４ｂと同じ工程で形成される導電膜３２０ａ、ソース・ドレイン配線３２３と同じ工程で形成される積層膜３２０ｂが積層された構造であり、積層膜３２０ｂの端部は平坦化膜３１６下に配置され、断面部分が被覆された形態である。

端子領域におけるカラーフィルタ基板の構成は、実施例１及び２に係る液晶表示用パネルのカラーフィルタ基板と実質的に同様の構成であり、基板３３０上にカラーフィルタ３３１、オーバーコート層３３２、共通電極３３３及び配向膜３３４がこの順に配置され、共通電極３３３上には高さ４μｍのフォトスペーサー３３５が配置されている。

実施例３に係るＴＦＴ基板の画素領域におけるパネル構成部材３２１の高さと、端子領域におけるパネル構成部材の高さは実質的に同様にである。このように、画素領域と端子領域とのパネル構成部材の高さを揃えることにより、セル厚ムラを抑制することができ、表示品位が優れた液晶表示用パネルとすることができる。また、端子領域の外部接続端子上には透明導電膜が配置されていないため、コンタクト抵抗の低抵抗化を図ることができる。更に、外部接続端子の積層膜３２０ｂの端部は平坦化膜下に配置されているため、透明導電膜が配置されていなくとも外部接続端子が腐食することを抑制することができる。また、導電配線３２６と同様の工程で形成された導電膜は、外部接続端子に含まれていない、すなわち、耐水性が低いモリブデン膜は外部接続端子の上面では使用されていないため、信頼性が改善されるものとなる。

（比較例１）
図９は、比較例１に係る液晶表示用パネルのシール材に囲まれた領域の外側である、端子領域を示す断面模式図である。図９についても、実施例１の図２と同様に、パネル分断前の形態である。比較例１に係る液晶表示用パネルは、実施例１に係る液晶表示用パネルの端子領域において、スペーサーに対向する領域に、平坦化膜１１６Ｂ、透明導電膜１１７及び配向膜１１８が積層された構造を有していない形態であり、表示領域よりも基板間距離が小さくなっていること以外は実施例１の構成と実質的に同様である。すなわち、端子領域のＴＦＴ基板は、基板４１０上に、下地層４１１、第一絶縁膜４１３、積層層間膜４１５、外部接続端子４２０が形成された形態である。外部接続端子４２０は、ゲート電極と同じ工程で形成される導電膜４２０ａ、ソース・ドレイン配線と同じ工程で形成される積層膜４２０ｂ、画素電極と同じ工程で形成される透明導電膜４２０ｃが配置された形態である。

ＴＦＴ基板と対向するカラーフィルタ基板は、実施例１に係る液晶表示用パネルのカラーフィルタ基板と実質的に同様の構成であり、基板４３０上にカラーフィルタ３１、オーバーコート層４３２、共通電極４３３及び配向膜４３４がこの順に配置され、共通電極３３上には高さ４μｍのフォトスペーサー４３５が配置されている。

比較例１において、端子領域においてスペーサーと対向する領域のパネル構成部材４２３の高さは平坦化膜が設けられていないため、表示領域よりも小さいものとなる。このように、シール材の内側と外側とで、スペーサーと重畳する領域のパネル構成部材の高さが大きく異なる場合、画素領域においてセル厚ムラが発生して表示品位が優れたものとならないおそれがある。

図１０は、比較例１に係る液晶表示用パネルにおいて、ＴＦＴ基板の端子領域において外部接続端子と、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）とを異方性導電膜によって貼り合わせたときの構造を示す断面模式図である。図１０で示すように、ＦＰＣ４６６は外部接続配線４６６ａと異方性導電膜４６５中の導電粒子４６５ａによって接続される。この場合、２個以上の導電粒子の連結により、外部接続端子間が短絡（リーク）するおそれがある。

実施例１に係る液晶表示用パネルのシール材に囲まれた領域の内側である、画素領域を示す断面模式図である。 実施例１に係る液晶表示用パネルのシール材に囲まれた領域の外側である、端子領域を示す断面模式図である。 実施例１に係る液晶表示用パネルの平面模式図である。 図３中で点線によって囲まれている領域を拡大した平面模式図である。 実施例１に係る液晶表示用パネルにおいて、ＴＦＴ基板の端子領域において外部接続端子と、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）とを異方性導電膜によって貼り合わせたときの構造を示す断面模式図である。 実施例２に係る液晶表示用パネルのシール材に囲まれた領域の外側である、端子領域を示す断面模式図である。 実施例３に係る液晶表示用パネルのシール材に囲まれた領域の内側である、画素領域を示す断面模式図である。 実施例３に係る液晶表示用パネルのシール材に囲まれた領域の外側である、端子領域を示す断面模式図である。 比較例１に係る液晶表示用パネルのシール材に囲まれた領域の外側である、端子領域を示す断面模式図である。 比較例１に係る液晶表示用パネルにおいて、ＴＦＴ基板の端子領域において外部接続端子と、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）とを異方性導電膜によって貼り合わせたときの構造を示す断面模式図である。 従来技術において液晶表示用パネルの画素領域を示す断面模式図である。 従来技術において液晶表示用パネルの端子領域を示す断面模式図である。

符号の説明

１１０、１３０、２１０、２３０、３１０、３３０、４１０、４３０、５２０：基板
１１１、２１１、３１１、４１１：下地層
１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、３１２ａ、３１２ｂ、３１２ｃ：半導体層
１１３、２１３、３１３、４１３：第一絶縁膜（ゲート絶縁膜）
１１４ａ、１１４ｃ、３１４ａ、３１４ｃ：補助容量電極
１１４ｂ、３１４ｂ：ゲート配線
１１５、２１５、３１５、４１５：積層層間膜
１１６Ａ、１１６Ｂ、２１６：平坦化膜
１１７、１２０ｃ、２１７、３１７、４２０ｃ：透明導電膜
１１８、１３４、２１８、２３４、３１８、３３４、４３４：配向膜
１２０、１２０Ａ、１２０Ｂ、２２０、３２０、４２０：外部接続端子
１２０ａ、２２０ａ、３２０ａ、４２０ａ、５１８ａ、５１８ｂ、５１８ｃ：導電膜
１２０ｂ、２２０ｂ、３２０ｂ、４２０ｂ：積層膜
１２１、１２２、２２２、３２１、３２２、４２２：パネル構成部材
１３１、２３１、３３１、４３１：カラーフィルタ
１３２、２３２、３３２、４３２：オーバーコート層
１３３、２３３、３３３、４３３：共通電極
１３５、２３５、３３５、４３５：フォトスペーサー
１４０、３４０：画素領域
１５０、３５０：境界領域
１６０：表示領域
１６１：シール材
１６２：電子部品
１６５、４６５：異方性導電膜
１６５ａ、４６５ａ、５２１：導電粒子
１６５ｂ、４６５ｂ：絶縁材料
１６６、４６６：フレキシブルプリント基板
１６６ａ、４６６ａ：外部接続配線
１６６ｂ、４６６ｂ：ＦＰＣ基材
１６７：ＣＯＧ
３１６Ａ、３１６Ｂ：第一平坦化膜
３２４Ａ、３２４Ｂ：第二平坦化膜
５１１：ソース電極
５１２：ドレイン電極
５１３：ゲート電極、
５１４：アモルファスシリコン膜
５１５：オーミックコンタクト層
５１６：ゲート絶縁膜
５６０：薄膜トランジスタ
５１６：有機絶縁膜
５１７：反射電極
５１８：パッド

Claims (7)

1. 薄膜トランジスタ基板とそれに対向する対向基板がシール材で貼り合わされ、該シール材で囲まれた領域の内側に液晶層が挟持された液晶表示用パネルであって、
   該液晶表示用パネルは、シール材で囲まれた領域の内側及び外側にスペーサーが配置され、
   該薄膜トランジスタ基板は、スペーサーと重畳する領域に配置されたパネル構成部材の厚みが、シール材で囲まれた領域の内側と外側とで実質的に等しいことを特徴とする液晶表示用パネル。
2. 前記薄膜トランジスタ基板は、シール材で囲まれた領域の外側に外部接続端子を備え、かつシール材で囲まれた領域の内側及び外側のスペーサーと重畳する領域に、平坦化膜が配置された構造を有し、
   該平坦化膜は、外部接続端子が配置された領域の少なくとも一部で除去されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示用パネル。
3. 前記平坦化膜は、画素電極の直下に配置された膜であることを特徴とする請求項２記載の液晶表示用パネル。
4. 前記薄膜トランジスタ基板は、シール材で囲まれた領域の外側に外部接続端子を備え、
   該外部接続端子は、端部が平坦化膜下に配置されていることを特徴とする請求項２又は３記載の液晶表示用パネル。
5. 前記外部接続端子は、透明導電膜を含まないことを特徴とする請求項４記載の液晶表示用パネル。
6. 前記薄膜トランジスタ基板は、シール材で囲まれた領域の内側に、第一導電膜、第一平坦化膜、第二導電膜、第二平坦化膜がこの順に配置された多層配線構造を有し、
   前記外部接続端子は、第二導電膜を形成する工程で形成される導電膜を含まないことを特徴とする請求項４又は５記載の液晶表示用パネル。
7. 請求項１〜６のいずれかに記載の液晶表示用パネルを備える液晶表示装置。

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