JP2001192238A - ディスプレイ用ガラス基板 - Google Patents
ディスプレイ用ガラス基板Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パターニングされた電極膜の付着力が強く、
電極膜の剥離の問題のないディスプレイ用ガラス基板を
提供する。 【解決手段】 表面が平滑な基板ガラス１上に、凹凸を
付与するための結晶性を有する金属酸化物の下地膜２
と、該下地膜２の凹凸を反映する膜厚の非晶質の絶縁性
連続膜３と、パターニングされた電極膜４とがこの順序
で成膜されたディスプレイ用ガラス基板。パターニング
された電極膜４は、その付着力がＪＩＳ Ｒ３２５５−
１９９７「ガラスを基板とした薄膜の付着性試験」で規
定される１５ｍＮ以上である。
電極膜の剥離の問題のないディスプレイ用ガラス基板を
提供する。 【解決手段】 表面が平滑な基板ガラス１上に、凹凸を
付与するための結晶性を有する金属酸化物の下地膜２
と、該下地膜２の凹凸を反映する膜厚の非晶質の絶縁性
連続膜３と、パターニングされた電極膜４とがこの順序
で成膜されたディスプレイ用ガラス基板。パターニング
された電極膜４は、その付着力がＪＩＳ Ｒ３２５５−
１９９７「ガラスを基板とした薄膜の付着性試験」で規
定される１５ｍＮ以上である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はディスプレイ用ガラ
ス基板に関し、詳しくは、表面が平滑な基板ガラスと非
晶質の絶縁性連続膜との間に凹凸を付与するための結晶
性を有する金属酸化物の下地膜を設けることにより、こ
れらの上層に形成した電極膜の剥離を防止したディスプ
レイ用ガラス基板に関するものである。
ス基板に関し、詳しくは、表面が平滑な基板ガラスと非
晶質の絶縁性連続膜との間に凹凸を付与するための結晶
性を有する金属酸化物の下地膜を設けることにより、こ
れらの上層に形成した電極膜の剥離を防止したディスプ
レイ用ガラス基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）やフィ
ールドエミッションディスプレイ（ＦＢＤ）、液晶ディ
スプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンスディス
プレイ（ＥＬＤ）等の平面型ディスプレイでは、通常２
枚の基板ガラス上に電極等の部材を形成した後、貼り合
わせて使用されるが、前面ガラスにはＩＴＯ、ＳｉＯ２
等の透明電極が使用されている。また、特に大型のディ
スプレイでは電極の配線抵抗を下げるために、Ａｇ、Ｃ
ｒ／Ｃｕ／Ｃｒ等の金属が補助電極として使用されてい
る。また、背面ガラスにはＡｇ、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ等の
金属が単独で電極として使用されている。
ールドエミッションディスプレイ（ＦＢＤ）、液晶ディ
スプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンスディス
プレイ（ＥＬＤ）等の平面型ディスプレイでは、通常２
枚の基板ガラス上に電極等の部材を形成した後、貼り合
わせて使用されるが、前面ガラスにはＩＴＯ、ＳｉＯ２
等の透明電極が使用されている。また、特に大型のディ
スプレイでは電極の配線抵抗を下げるために、Ａｇ、Ｃ
ｒ／Ｃｕ／Ｃｒ等の金属が補助電極として使用されてい
る。また、背面ガラスにはＡｇ、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ等の
金属が単独で電極として使用されている。
【０００３】電極としてＡｇ電極を形成する場合、一般
に、Ａｇ粒子を分散させた、有機バインダー、ガラスフ
リット、及び溶剤等を含んだ塗布液（Ａｇペースト）が
使用される。このＡｇペーストにおいて、ガラスフリッ
トは、該Ａｇペーストを基板ガラスに塗布して焼成する
ことにより融着させた際、Ａｇ電極膜の剥離を防止する
役割を持っている。また、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極では、
下地Ｃｒ膜が密着層としての機能を果たしている。
に、Ａｇ粒子を分散させた、有機バインダー、ガラスフ
リット、及び溶剤等を含んだ塗布液（Ａｇペースト）が
使用される。このＡｇペーストにおいて、ガラスフリッ
トは、該Ａｇペーストを基板ガラスに塗布して焼成する
ことにより融着させた際、Ａｇ電極膜の剥離を防止する
役割を持っている。また、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極では、
下地Ｃｒ膜が密着層としての機能を果たしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ガラスフリ
ットを含むＡｇペーストを使用したＡｇ電極やＣｒ／Ｃ
ｕ／Ｃｒ電極を用いたときでも、基板ガラスのわずかな
汚れやパターニング時のエッチング工程条件の変動等に
よって、電極の剥離が生じることがある。
ットを含むＡｇペーストを使用したＡｇ電極やＣｒ／Ｃ
ｕ／Ｃｒ電極を用いたときでも、基板ガラスのわずかな
汚れやパターニング時のエッチング工程条件の変動等に
よって、電極の剥離が生じることがある。
【０００５】本発明の目的は、パターニングされた電極
膜の付着力が強く、電極膜の剥離の問題のないディスプ
レイ用ガラス基板を提供することにある。
膜の付着力が強く、電極膜の剥離の問題のないディスプ
レイ用ガラス基板を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のディスプレイ用
ガラス基板は、表面が平滑な基板ガラス上に凹凸を付与
するための結晶性を有する金属酸化物の下地膜と、該下
地膜の凹凸を反映する膜厚の非晶質の絶縁性連続膜と、
パターニングされた電極膜とがこの順序で成膜されたデ
ィスプレイ用ガラス基板であって、前記パターニングさ
れた電極膜は、その付着力がＪＩＳ Ｒ３２５５−１９
９７「ガラスを基板とした薄膜の付着性試験」で規定さ
れる１５ｍＮ以上であることを特徴とする。
ガラス基板は、表面が平滑な基板ガラス上に凹凸を付与
するための結晶性を有する金属酸化物の下地膜と、該下
地膜の凹凸を反映する膜厚の非晶質の絶縁性連続膜と、
パターニングされた電極膜とがこの順序で成膜されたデ
ィスプレイ用ガラス基板であって、前記パターニングさ
れた電極膜は、その付着力がＪＩＳ Ｒ３２５５−１９
９７「ガラスを基板とした薄膜の付着性試験」で規定さ
れる１５ｍＮ以上であることを特徴とする。
【０００７】一般に、基板ガラス上に膜を形成すると、
膜の面内方向に圧縮応力や引っ張り応力が生じる。これ
らの応力は、膜が平滑な面上に形成されたときには膜と
基板と界面に対して平行な方向を持っており、パターニ
ング時に膜に加わる応力が、膜の付着力より大きい場合
には膜剥離が発生する。
膜の面内方向に圧縮応力や引っ張り応力が生じる。これ
らの応力は、膜が平滑な面上に形成されたときには膜と
基板と界面に対して平行な方向を持っており、パターニ
ング時に膜に加わる応力が、膜の付着力より大きい場合
には膜剥離が発生する。
【０００８】本発明では、下地膜により微細な凹凸を付
与した面上に膜を形成するため、膜応力の方向が微視的
には膜／基板界面と平行ではなくなるため、上記のよう
な剥離防止に効果があると考えられる。即ち、絶縁性連
続膜は非晶性であり単独で成膜しても表面に凹凸を形成
することはできないため、本発明では、絶縁性連続膜の
下地層として結晶性の下地膜を成膜して剥離防止のため
の凹凸を形成する。
与した面上に膜を形成するため、膜応力の方向が微視的
には膜／基板界面と平行ではなくなるため、上記のよう
な剥離防止に効果があると考えられる。即ち、絶縁性連
続膜は非晶性であり単独で成膜しても表面に凹凸を形成
することはできないため、本発明では、絶縁性連続膜の
下地層として結晶性の下地膜を成膜して剥離防止のため
の凹凸を形成する。
【０００９】なお、サンドブラスト法や化学エッチング
法などにより平滑な基板ガラスの表面を機械的に凹凸面
に加工することも考えられるが、基板ガラスが大面積で
あることを考慮すると、それらの方法は量産には不向き
であり、好ましくない。
法などにより平滑な基板ガラスの表面を機械的に凹凸面
に加工することも考えられるが、基板ガラスが大面積で
あることを考慮すると、それらの方法は量産には不向き
であり、好ましくない。
【００１０】本発明において、下地膜が、ＣＶＤ法で成
膜されたＳｎＯ２膜、Ｉｎ２Ｏ３膜、ＴｉＯ２膜又はＺ
ｎＯ膜であることが好ましく、その膜厚は１５〜２００
ｎｍであることが好ましい。
膜されたＳｎＯ２膜、Ｉｎ２Ｏ３膜、ＴｉＯ２膜又はＺ
ｎＯ膜であることが好ましく、その膜厚は１５〜２００
ｎｍであることが好ましい。
【００１１】また、絶縁性連続膜としては膜厚２５〜１
００ｎｍのＳｉＯ２膜が好ましい。
００ｎｍのＳｉＯ２膜が好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明のデ
ィスプレイ用ガラス基板の実施の形態について説明す
る。
ィスプレイ用ガラス基板の実施の形態について説明す
る。
【００１３】図１（ａ）は本発明の実施の形態に係るデ
ィスプレイ用ガラス基板の表面部分の断面図であり、図
１（ｂ）は図１（ａ）のＡ部の拡大図である。
ィスプレイ用ガラス基板の表面部分の断面図であり、図
１（ｂ）は図１（ａ）のＡ部の拡大図である。
【００１４】この実施の形態では、基板ガラス１上に下
地膜２が形成され、この下地膜２上に絶縁性連続膜３が
形成され、更に絶縁性連続膜３上にパターニングされた
電極膜４が形成されている。
地膜２が形成され、この下地膜２上に絶縁性連続膜３が
形成され、更に絶縁性連続膜３上にパターニングされた
電極膜４が形成されている。
【００１５】基板ガラス１には任意のものを使用するこ
とができるが、本発明では絶縁性連続膜３よりなるアル
カリバリア連続膜を形成することから、アルカリ含有ガ
ラスであって良く、ソーダライムガラスや高歪み点ガラ
スを使用できる。特に、ソーダライムガラスのように、
生産性が高いフロート法で製造可能なガラスが好まし
い。
とができるが、本発明では絶縁性連続膜３よりなるアル
カリバリア連続膜を形成することから、アルカリ含有ガ
ラスであって良く、ソーダライムガラスや高歪み点ガラ
スを使用できる。特に、ソーダライムガラスのように、
生産性が高いフロート法で製造可能なガラスが好まし
い。
【００１６】結晶性を有する金属酸化物の下地膜２とし
ては、ＳｎＯ２膜、Ｉｎ２Ｏ３膜、ＴｉＯ２膜又はＺｎ
Ｏ膜が好適である。この下地膜２の膜厚は電極膜４に十
分な付着力を与え得る表面粗さを実現する膜厚であれば
任意であるが、１５ｎｍ未満では凹凸が不十分で付着力
の向上効果が乏しく、２００ｎｍ程度を超えると表面の
凹凸が粗大化し、付着力は緩やかに低下する傾向にあ
る。特に、この凹凸のサイズが極端に大きくなると、剥
離防止効果がかえって小さくなるばかりでなく、透過光
が散乱され解像度が落ちて表示が見にくくなることか
ら、ディスプレイ用基板として好ましくない。経済性、
製品品質と付着力のバランスから、この下地膜２の膜厚
は、一般的には１５〜２００ｎｍ、特に１５〜５０ｎｍ
とするのが微細な凹凸面を形成して十分な剥離防止効果
を得る上で好ましい。
ては、ＳｎＯ２膜、Ｉｎ２Ｏ３膜、ＴｉＯ２膜又はＺｎ
Ｏ膜が好適である。この下地膜２の膜厚は電極膜４に十
分な付着力を与え得る表面粗さを実現する膜厚であれば
任意であるが、１５ｎｍ未満では凹凸が不十分で付着力
の向上効果が乏しく、２００ｎｍ程度を超えると表面の
凹凸が粗大化し、付着力は緩やかに低下する傾向にあ
る。特に、この凹凸のサイズが極端に大きくなると、剥
離防止効果がかえって小さくなるばかりでなく、透過光
が散乱され解像度が落ちて表示が見にくくなることか
ら、ディスプレイ用基板として好ましくない。経済性、
製品品質と付着力のバランスから、この下地膜２の膜厚
は、一般的には１５〜２００ｎｍ、特に１５〜５０ｎｍ
とするのが微細な凹凸面を形成して十分な剥離防止効果
を得る上で好ましい。
【００１７】この下地膜２は熱ＣＶＤ法で成膜すること
が望ましい。即ち、熱ＣＶＤ法では結晶性の良い膜が形
成され易く、表面に適度な凹凸が付与されるため、十分
な付着力を得ることができる。
が望ましい。即ち、熱ＣＶＤ法では結晶性の良い膜が形
成され易く、表面に適度な凹凸が付与されるため、十分
な付着力を得ることができる。
【００１８】この下地膜２上に形成する絶縁性連続膜３
は、ＳｉＯ２膜であることが好ましく、その膜厚は、下
地膜２の凹凸を十分に反映することができるような薄さ
であり、かつ、パターニングされた電極膜４内でのリー
ク電流を防止するために、高絶縁性の連続膜を形成し得
ることが必要とされる。このような条件を満たすため
に、絶縁性連続膜３の膜厚は２５〜１００ｎｍであるこ
とが望ましい。この膜厚が２５ｎｍ未満では絶縁性が不
足し、１００ｎｍを超えると膜厚が厚過ぎて下地膜２の
凹凸を十分に反映し得なくなる。
は、ＳｉＯ２膜であることが好ましく、その膜厚は、下
地膜２の凹凸を十分に反映することができるような薄さ
であり、かつ、パターニングされた電極膜４内でのリー
ク電流を防止するために、高絶縁性の連続膜を形成し得
ることが必要とされる。このような条件を満たすため
に、絶縁性連続膜３の膜厚は２５〜１００ｎｍであるこ
とが望ましい。この膜厚が２５ｎｍ未満では絶縁性が不
足し、１００ｎｍを超えると膜厚が厚過ぎて下地膜２の
凹凸を十分に反映し得なくなる。
【００１９】この絶縁性連続膜３上に形成する電極膜４
としては、ＩＴＯ、ＳｎＯ２等の透明電極膜や、Ａｇや
Ｃｕ等の電気伝導度の高い金属電極膜が用いられ、その
厚さは通常の場合、０．１〜１５μｍ程度である。この
ような電極膜４のパターニングは常法に従って行われ
る。
としては、ＩＴＯ、ＳｎＯ２等の透明電極膜や、Ａｇや
Ｃｕ等の電気伝導度の高い金属電極膜が用いられ、その
厚さは通常の場合、０．１〜１５μｍ程度である。この
ような電極膜４のパターニングは常法に従って行われ
る。
【００２０】本発明において各膜を作製する方法は、真
空蒸着法、スパッタリング法、ゾルゲル法、液相析出
法、焼き付き法、スプレー法、ＣＶＤ法など任意である
が、高温のガラス上に原料を供給し、ガラスのもつ熱を
利用して成膜させる熱分解スプレー法又はＣＶＤ法が有
効である。
空蒸着法、スパッタリング法、ゾルゲル法、液相析出
法、焼き付き法、スプレー法、ＣＶＤ法など任意である
が、高温のガラス上に原料を供給し、ガラスのもつ熱を
利用して成膜させる熱分解スプレー法又はＣＶＤ法が有
効である。
【００２１】この場合、予め成形された基板ガラスを加
熱して高温にしてもよいが、フロートガラス製造時のフ
ロートバスやフロートバスから出てきた高温ガラス表面
に原料を供給して成膜させる、所謂オンライン成膜法を
利用すると、加熱装置を別に設ける必要が無く、また大
面積への成膜が可能となるため、より好ましい。
熱して高温にしてもよいが、フロートガラス製造時のフ
ロートバスやフロートバスから出てきた高温ガラス表面
に原料を供給して成膜させる、所謂オンライン成膜法を
利用すると、加熱装置を別に設ける必要が無く、また大
面積への成膜が可能となるため、より好ましい。
【００２２】以下に、図２を参照して、オンライン成膜
法を説明する。図２は、本発明のディスプレイ用ガラス
基板をオンラインＣＶＤ法で成膜する際に好適な成膜装
置の一例を示し、溶融窯１１から供給されるガラス１０
は、フロートガラス作製のためのフロートバス１２内に
導入される。フロートバス１２内には複数（ここでは２
台）の熱分解ＣＶＤ成膜装置１６（１６ａ，１６ｂ）が
組み込まれており、フロートバス１２内で成膜処理され
たガラスはローラ１７より徐冷炉１３へ導かれる。
法を説明する。図２は、本発明のディスプレイ用ガラス
基板をオンラインＣＶＤ法で成膜する際に好適な成膜装
置の一例を示し、溶融窯１１から供給されるガラス１０
は、フロートガラス作製のためのフロートバス１２内に
導入される。フロートバス１２内には複数（ここでは２
台）の熱分解ＣＶＤ成膜装置１６（１６ａ，１６ｂ）が
組み込まれており、フロートバス１２内で成膜処理され
たガラスはローラ１７より徐冷炉１３へ導かれる。
【００２３】この装置では、ガラス１０がフロートバス
１２内で所定の厚さに成形された後、即ちガラス温度が
６００〜７５０℃の範囲で、熱分解ＣＶＤ法により成膜
を行う。凹凸を付与するための下地膜、例えばＳｎＯ２
膜は、成膜装置１６ａにて、窒素で希釈されたジメチル
錫ジクロライド、酸素、及び水をガラス１０表面に供給
して形成される。絶縁性連続膜、例えばＳｉＯ２膜は、
成膜装置１６ｂにて、窒素で希釈されたモノシラン、エ
チレン及び酸素をガラス１０表面に供給して形成され
る。
１２内で所定の厚さに成形された後、即ちガラス温度が
６００〜７５０℃の範囲で、熱分解ＣＶＤ法により成膜
を行う。凹凸を付与するための下地膜、例えばＳｎＯ２
膜は、成膜装置１６ａにて、窒素で希釈されたジメチル
錫ジクロライド、酸素、及び水をガラス１０表面に供給
して形成される。絶縁性連続膜、例えばＳｉＯ２膜は、
成膜装置１６ｂにて、窒素で希釈されたモノシラン、エ
チレン及び酸素をガラス１０表面に供給して形成され
る。
【００２４】成膜後、ガラスは徐冷炉１３で徐冷され、
洗浄・切断工程を経て所定の大きさのガラス基板とさ
れ、更に電極膜の形成及びパターニングが行われる。
洗浄・切断工程を経て所定の大きさのガラス基板とさ
れ、更に電極膜の形成及びパターニングが行われる。
【００２５】なお、各膜の成膜には、前記熱分解法と他
の製法を組み合わせて作製する方法、例えばＳｎＯ２を
熱分解法にて作製し、ＳｉＯ２膜をスパッタリング法や
ゾルゲル法で作製するような方法でもよい。
の製法を組み合わせて作製する方法、例えばＳｎＯ２を
熱分解法にて作製し、ＳｉＯ２膜をスパッタリング法や
ゾルゲル法で作製するような方法でもよい。
【００２６】熱分解法によって下地膜２のＳｎＯ２膜を
形成する場合に使用する原料としては、例えば四塩化錫
などの無機化合物、モノメチル錫トリクロライド、モノ
ブチル錫トリクロライド、ジメチル錫ジクロライド、ジ
ブチル錫ジクロライド、テトラメチル錫、テトラブチル
錫、ジブチル錫ジアセテート、ジオクチル錫ジアセテー
トなどがあり、ＳｎＯ２を得るための酸素源としては、
乾燥空気、酸素、水蒸気、オゾンなどが挙げられる。
形成する場合に使用する原料としては、例えば四塩化錫
などの無機化合物、モノメチル錫トリクロライド、モノ
ブチル錫トリクロライド、ジメチル錫ジクロライド、ジ
ブチル錫ジクロライド、テトラメチル錫、テトラブチル
錫、ジブチル錫ジアセテート、ジオクチル錫ジアセテー
トなどがあり、ＳｎＯ２を得るための酸素源としては、
乾燥空気、酸素、水蒸気、オゾンなどが挙げられる。
【００２７】また、下地膜２のＩｎ２Ｏ３膜を形成する
ための原料としては、三酸化インジウムなどがあり、ま
たＺｎＯ膜を形成するための原料としては、ジメチル亜
鉛などがある。更にＴｉＯ２膜を形成するための原料と
しては、四塩化チタン、チタンイソプロポキシドなどが
ある。
ための原料としては、三酸化インジウムなどがあり、ま
たＺｎＯ膜を形成するための原料としては、ジメチル亜
鉛などがある。更にＴｉＯ２膜を形成するための原料と
しては、四塩化チタン、チタンイソプロポキシドなどが
ある。
【００２８】一方、熱分解法により、絶縁性連続膜３の
ＳｉＯ２膜を形成する場合に使用するケイ素原料として
は、例えばモノシランガスやジシランガスなどのシラン
ガス、ジクロロシラン、四塩化ケイ素などの無機化合
物、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、ジ
ブトキシジアセトキシシランなどの有機化合物が挙げら
れる。また酸素源としては、酸素、オゾン、アセトン、
二酸化炭素などがある。シランガスを使用する場合、エ
チレン、アセチレン、トルエン、エタン等を添加すると
ＳｉＯ２膜を安定して成膜できる。
ＳｉＯ２膜を形成する場合に使用するケイ素原料として
は、例えばモノシランガスやジシランガスなどのシラン
ガス、ジクロロシラン、四塩化ケイ素などの無機化合
物、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、ジ
ブトキシジアセトキシシランなどの有機化合物が挙げら
れる。また酸素源としては、酸素、オゾン、アセトン、
二酸化炭素などがある。シランガスを使用する場合、エ
チレン、アセチレン、トルエン、エタン等を添加すると
ＳｉＯ２膜を安定して成膜できる。
【００２９】電極膜４として透明導電膜例えばＳｎＯ２
膜を形成する場合、ＳｎＯ２の導電性を高めるためにド
ーピング材を添加するが、ドーピング材としては、フッ
化水素、トリフルオロ酢酸、ブロモトリフルオロメタ
ン、クロルジフルオロメタンなどによるフッ素の添加、
あるいは五塩化アンチモン、三塩化アンチモンなどによ
るアンチモンの添加が行われる。
膜を形成する場合、ＳｎＯ２の導電性を高めるためにド
ーピング材を添加するが、ドーピング材としては、フッ
化水素、トリフルオロ酢酸、ブロモトリフルオロメタ
ン、クロルジフルオロメタンなどによるフッ素の添加、
あるいは五塩化アンチモン、三塩化アンチモンなどによ
るアンチモンの添加が行われる。
【００３０】このように、基板ガラス上に凹凸を付与す
るための結晶性を有する金属酸化物の下地膜を介して、
この下地膜の凹凸を反映する膜厚の非晶質の絶縁性連続
膜を形成し、この絶縁性連続膜上に電極膜を形成した本
発明のディスプレイ用ガラス基板であれば、電極膜の付
着力として、ＪＩＳ Ｒ３２５５−１９９７「ガラスを
基板とした薄膜の付着性試験」で規定される１５ｍＮ以
上、好ましくは２０ｍＮ以上を達成することができ、パ
ターニングによる電極膜の剥離は防止される。
るための結晶性を有する金属酸化物の下地膜を介して、
この下地膜の凹凸を反映する膜厚の非晶質の絶縁性連続
膜を形成し、この絶縁性連続膜上に電極膜を形成した本
発明のディスプレイ用ガラス基板であれば、電極膜の付
着力として、ＪＩＳ Ｒ３２５５−１９９７「ガラスを
基板とした薄膜の付着性試験」で規定される１５ｍＮ以
上、好ましくは２０ｍＮ以上を達成することができ、パ
ターニングによる電極膜の剥離は防止される。
【００３１】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。
り具体的に説明する。
【００３２】実施例１〜７、比較例１，２ 図２に示すオンライン成膜装置を用い、上記の方法で、
下地膜及び絶縁性連続膜の種類及び膜厚を表１に示すよ
うに変えて成膜を行い、絶縁性連続膜上に更にＡｇペー
ストを印刷し、５５０℃で１時間焼成して厚さ１０μｍ
のＡｇ電極を形成して数種類の試料を作製した。なお、
下地膜及び絶縁性連続膜の膜厚の変更は、供給する原料
の濃度を変更することで調整した。
下地膜及び絶縁性連続膜の種類及び膜厚を表１に示すよ
うに変えて成膜を行い、絶縁性連続膜上に更にＡｇペー
ストを印刷し、５５０℃で１時間焼成して厚さ１０μｍ
のＡｇ電極を形成して数種類の試料を作製した。なお、
下地膜及び絶縁性連続膜の膜厚の変更は、供給する原料
の濃度を変更することで調整した。
【００３３】得られた各試料について、電極膜の付着力
を調べ、結果を表１に示した。なお、電極膜の付着力
は、ＪＩＳ Ｒ３２５５−１９９７「ガラスを基板とし
た薄膜の付着性試験方法」に基づく測定値であり、測定
装置としては、レスカ社製スクラッチ試験機（ＣＳＲ−
０２）にダイヤモンド製の直径５μｍの測定端子を取り
付けたものを使用した。光学顕微鏡写真より、膜表面に
何らかの変化（剥離開始と推定される変化）が生じたと
きの測定端子にかかっている荷重が付着力である。
を調べ、結果を表１に示した。なお、電極膜の付着力
は、ＪＩＳ Ｒ３２５５−１９９７「ガラスを基板とし
た薄膜の付着性試験方法」に基づく測定値であり、測定
装置としては、レスカ社製スクラッチ試験機（ＣＳＲ−
０２）にダイヤモンド製の直径５μｍの測定端子を取り
付けたものを使用した。光学顕微鏡写真より、膜表面に
何らかの変化（剥離開始と推定される変化）が生じたと
きの測定端子にかかっている荷重が付着力である。
【００３４】また、ＪＩＳ Ｃ２１４１−１９９４に従
って、各試料の表面抵抗を測定し、結果を表１に示し
た。平面ディスプレイでは種々の電極が使用されるが、
ガラス基板の表面抵抗が低すぎると電極間にリーク電流
が流れて、消費電力の増大、表面品位の劣化、電極の破
壊などの不都合が起るため、表面抵抗を１０８Ω／□程
度以上にするのが一般的である。従って、表面抵抗が１
０８Ω／□よりも大きいものであれば、品質特性に優れ
ていると判断される。
って、各試料の表面抵抗を測定し、結果を表１に示し
た。平面ディスプレイでは種々の電極が使用されるが、
ガラス基板の表面抵抗が低すぎると電極間にリーク電流
が流れて、消費電力の増大、表面品位の劣化、電極の破
壊などの不都合が起るため、表面抵抗を１０８Ω／□程
度以上にするのが一般的である。従って、表面抵抗が１
０８Ω／□よりも大きいものであれば、品質特性に優れ
ていると判断される。
【００３５】更に、電極膜をフォトレジストを用いたエ
ッチングにより幅／間隙＝１１０μｍ／２３０μｍにパ
ターニングし、このパターニング後の電極膜の剥離の有
無を調べ、結果を表１に示した。
ッチングにより幅／間隙＝１１０μｍ／２３０μｍにパ
ターニングし、このパターニング後の電極膜の剥離の有
無を調べ、結果を表１に示した。
【００３６】
【表１】
【００３７】表１より、下地膜の凹凸を反映する膜厚の
非晶質の絶縁性連続膜を介して電極膜を形成することに
より、電極膜の付着力が強く、パターニングによる電極
膜の剥離の問題がなく、また品質特性にも優れたディス
プレイ用ガラス基板が得られることが明らかである。
非晶質の絶縁性連続膜を介して電極膜を形成することに
より、電極膜の付着力が強く、パターニングによる電極
膜の剥離の問題がなく、また品質特性にも優れたディス
プレイ用ガラス基板が得られることが明らかである。
【００３８】なお、比較例１では、絶縁性連続膜のＳｉ
Ｏ２膜の膜厚が厚過ぎるために下地膜の凹凸が反映され
ないことから、電極膜の付着力が弱く、電極膜の剥離が
起こる。逆に、比較例２では、絶縁性連続膜のＳｉＯ２
膜の膜厚が薄過ぎて、絶縁性が不足するために、表面抵
抗が低く、品質特性に劣る。
Ｏ２膜の膜厚が厚過ぎるために下地膜の凹凸が反映され
ないことから、電極膜の付着力が弱く、電極膜の剥離が
起こる。逆に、比較例２では、絶縁性連続膜のＳｉＯ２
膜の膜厚が薄過ぎて、絶縁性が不足するために、表面抵
抗が低く、品質特性に劣る。
【００３９】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のディスプレ
イ用ガラス基板によれば、表面が平滑な基板ガラスと非
晶質の絶縁性連続膜との間に、凹凸を付与するための結
晶性を有する金属酸化物の下地膜を設けることにより、
これらの上層に位置する電極膜の剥離を有効に防止する
ことができる。
イ用ガラス基板によれば、表面が平滑な基板ガラスと非
晶質の絶縁性連続膜との間に、凹凸を付与するための結
晶性を有する金属酸化物の下地膜を設けることにより、
これらの上層に位置する電極膜の剥離を有効に防止する
ことができる。
【図１】図１（ａ）は、本発明の実施の形態に係るディ
スプレイ用ガラス基板の表面部分の断面図であり、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ部の拡大図である。
スプレイ用ガラス基板の表面部分の断面図であり、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＡ部の拡大図である。
【図２】オンラインＣＶＤ法による成膜に好適な成膜装
置の一例を示す断面図である。
置の一例を示す断面図である。
【符号の説明】 １ 基板ガラス ２ 下地膜 ３ 絶縁性連続膜 ４ 電極膜 １０ ガラス １１ 溶融窯 １２ フロートバス １３ 徐冷炉 １６ 熱分解ＣＶＤ成膜装置 １７ ローラ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 兵藤 正人 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 清原 康一郎 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 市来 聖敬 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 水野 俊明 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 Ｆターム(参考） 4G059 AA08 AC01 EA01 EA02 EA03 EA04 EB02 GA01 GA02 GA04 GA05 GA12 4K030 BA11 BA42 BA45 BA46 BA47 BB02 BB12 CA06 LA18 5C094 AA32 AA36 AA42 AA43 AA54 DA13 DB01 EB02 FA02 FB02 FB12 FB15 GB10 JA20
Claims (4)
- 【請求項１】 表面が平滑な基板ガラス上に、凹凸を付
与するための結晶性を有する金属酸化物の下地膜と、該
下地膜の凹凸を反映する膜厚の非晶質の絶縁性連続膜
と、パターニングされた電極膜とがこの順序で成膜され
たディスプレイ用ガラス基板であって、前記パターニン
グされた電極膜は、その付着力がＪＩＳＲ３２５５−１
９９７「ガラスを基板とした薄膜の付着性試験」で規定
される１５ｍＮ以上であることを特徴とするディスプレ
イ用ガラス基板。 - 【請求項２】 請求項１において、該下地膜が、ＣＶＤ
法で成膜されたＳｎＯ２膜、Ｉｎ２Ｏ３膜、ＴｉＯ２膜
又はＺｎＯ膜であることを特徴とするディスプレイ用ガ
ラス基板。 - 【請求項３】 請求項２において、該下地膜の膜厚が１
５〜２００ｎｍであることを特徴とするディスプレイ用
ガラス基板。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれか１項におい
て、該絶縁性連続膜が、膜厚２５〜１００ｎｍのＳｉＯ
２膜であることを特徴とするディスプレイ用ガラス基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000001001A JP2001192238A (ja) | 2000-01-06 | 2000-01-06 | ディスプレイ用ガラス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000001001A JP2001192238A (ja) | 2000-01-06 | 2000-01-06 | ディスプレイ用ガラス基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001192238A true JP2001192238A (ja) | 2001-07-17 |
Family
ID=18530263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000001001A Pending JP2001192238A (ja) | 2000-01-06 | 2000-01-06 | ディスプレイ用ガラス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001192238A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006195075A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| US7846641B2 (en) * | 2005-12-20 | 2010-12-07 | Asahi Glass Company, Limited | Glass substrate having circuit pattern and process for producing the same |
| JP2012523074A (ja) * | 2009-04-02 | 2012-09-27 | サン−ゴバン グラス フランス | テクスチャ表面を備える構造体を有する有機発光ダイオード装置を製造する方法、およびその結果得られるテクスチャ表面を備える構造体を有するｏｌｅｄ |
| JP2015108836A (ja) * | 2008-01-30 | 2015-06-11 | オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯＳＲＡＭ ＯＬＥＤ ＧｍｂＨ | カプセル封入ユニットを有する装置 |
-
2000
- 2000-01-06 JP JP2000001001A patent/JP2001192238A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006195075A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| US7846641B2 (en) * | 2005-12-20 | 2010-12-07 | Asahi Glass Company, Limited | Glass substrate having circuit pattern and process for producing the same |
| JP2015108836A (ja) * | 2008-01-30 | 2015-06-11 | オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯＳＲＡＭ ＯＬＥＤ ＧｍｂＨ | カプセル封入ユニットを有する装置 |
| US9647186B2 (en) | 2008-01-30 | 2017-05-09 | Osram Oled Gmbh | Method for producing an electronic component and electronic component |
| US10026625B2 (en) | 2008-01-30 | 2018-07-17 | Osram Oled Gmbh | Device comprising an encapsulation unit |
| US10297469B2 (en) | 2008-01-30 | 2019-05-21 | Osram Oled Gmbh | Method for producing an electronic component and electronic component |
| JP2012523074A (ja) * | 2009-04-02 | 2012-09-27 | サン−ゴバン グラス フランス | テクスチャ表面を備える構造体を有する有機発光ダイオード装置を製造する方法、およびその結果得られるテクスチャ表面を備える構造体を有するｏｌｅｄ |
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