JP2001167706A

JP2001167706A - ディスプレイ用ガラス基板

Info

Publication number: JP2001167706A
Application number: JP34783099A
Authority: JP
Inventors: Takuji Aida; 拓司合田; Masaki Nakamura; 真記中村; Masahiro Hirata; 昌宏平田; Toshiaki Mizuno; 俊明水野
Original assignee: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Current assignee: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Priority date: 1999-12-07
Filing date: 1999-12-07
Publication date: 2001-06-22

Abstract

(57)【要約】【課題】ガラス基板に含有されるアルカリ成分による
影響を排除した表面抵抗の制御が可能で、かつ、電極と
してＡｇを用いた場合に着色の起こらない高透過率のデ
ィスプレイ用ガラス基板を提供する。【解決手段】アルカリ含有ガラス基板１の表面に、酸
化スズを主成分とする下地膜２と絶縁膜３とをこの順に
形成したガラス基板であって、酸化スズを主成分とする
下地膜２の塩素及びフッ素の含有量が合計で５０ｐｐｍ
以下であるディスプレイ用ガラス基板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ディスプレイ用ガ
ラス基板に関し、詳しくは、ガラス基板に含有されるア
ルカリ成分による影響を排除した表面抵抗の制御が可能
で、かつ、電極としてＡｇを用いた場合に着色の起こら
ない高透過率のディスプレイ用ガラス基板に関する。さ
らに詳しくはプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）やフィー
ルドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）等の平面型デ
ィスプレイ用ガラス基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）やフィ
ールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）、液晶ディ
スプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネセンスディスプ
レイ（ＥＬＤ）等の平面型ディスプレイでは、通常、２
枚のガラス基板上に電極等の部材を形成した後、貼り合
わせて使用されるが、特に、前面側ガラス基板にはＩＴ
Ｏ、ＳｎＯ_２等の透明電極が使用されている。また、特
に大型のディスプレイでは電極の配線抵抗を下げるため
にＡｇ、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ等の金属が補助電極として使
用されている。

【０００３】従来、ＰＤＰ用のガラス基板としては、
１．５〜３．５ｍｍの厚さの板状に成形されたソーダラ
イムシリケートガラス基板、もしくは高歪点のアルカリ
含有ガラスが用いられている。通常、このようなガラス
は、大量生産に向き、平滑性に優れたフロート法によっ
て成形される。フロートガラスは、成形過程で水素雰囲
気に晒されるため、ガラス表面に数ミクロンの還元層が
生成し、この層には溶融Ｓｎ由来のＳｎ^２＋が存在する
ことが一般に知られている。

【０００４】一方、ＰＤＰの製造工程においては、一般
に、ガラス基板表面に透明電極を介してＡｇがバス電極
として塗布された後、５５０〜６００℃で２０〜６０分
保持するという熱処理が数回繰り返される。

【０００５】この熱処理工程において、Ａｇ^＋イオンが
透明電極内に拡散してガラス表面に至り、ガラス中のＮ
ａ^＋イオンとの間でイオン交換が生じる。そして、その
結果、ガラス中にＡｇ^＋イオンが侵入し、侵入したＡｇ
^＋イオンは還元層に存在するＳｎ^２＋によって還元さ
れ、金属Ａｇのコロイドを生成する。このため、このＡ
ｇコロイドによって基板ガラスに黄色の着色が生じると
いう不具合がある。

【０００６】なお、ソーダライムガラスではアルカリの
含有量が十数％と多く、ＰＤＰのような同一表面に配置
されている電極間で通電を行うディスプレイの場合、ア
ルカリの移動により電極間でリーク電流が生じる。ま
た、ＦＥＤのような電子ビームを発生させる素子が基板
表面に配置されているディスプレイの場合には、基板表
面が帯電し、素子寿命が短くなる。

【０００７】ところで、Ａｇイオンのガラス基板への拡
散を防止するために、ガラス基板表面に、ＳｉＯ_２、Ｚ
ｒＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３又はＴｉＯ_２の金属酸化物膜を設け
ること（特開平１０−３０２６４８号公報）、あるいは
ＺｎＯ膜を設けること（同１１−１３０４７１号公報）
が提案されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】このような金属酸化物
膜として酸化スズ（ＳｎＯ_２）膜も好適であるが、この
ＳｎＯ_２膜をＣＶＤ法等の熱分解法によって形成する場
合、ＳｎＯ_２膜中に塩素（Ｃｌ）又はフッ素（Ｆ）が存
在すると、ガラス中のＮａとの反応によりＮａＣｌ，Ｎ
ａＦが局所的に析出する。そして、このＮａＣｌ，Ｎａ
Ｆの析出部分にはＳｎＯ_２が成膜されないために、Ｓｎ
Ｏ_２膜にピンホールが生じ、このピンホールを通してＡ
ｇが拡散し、ガラス基板が着色するという不具合があ
る。また、このピンホールからＮａＣｌ，ＮａＦ等のア
ルカリ成分が絶縁膜側へ拡散し、絶縁膜の表面抵抗値に
影響を及ぼし、絶縁膜の抵抗値の制御が困難になるとい
う不具合もある。

【０００９】本発明は、かかるピンホールが防止され、
Ａｇの基板側への拡散及びＮａＣｌ，ＮａＦ等のアルカ
リ成分の絶縁側への拡散が確実に防止されたディスプレ
イ用ガラス基板、即ち、ガラス基板に含有されるアルカ
リ成分による影響を排除した表面抵抗の制御が可能で、
かつ、電極としてＡｇを用いた場合に着色の起こらない
高透過率のディスプレイ用ガラス基板を提供することを
目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明のディスプレイ用
ガラス基板は、アルカリ含有ガラス基板の表面に、酸化
スズを主成分とする下地膜と絶縁膜とをこの順に形成し
たガラス基板であって、前記酸化スズを主成分とする下
地膜の塩素及びフッ素の含有量が合計で５０ｐｐｍ以下
であることを特徴とするものである。

【００１１】このようにＣｌ及びＦの含有量の少ないＳ
ｎＯ_２系下地膜では、ピンホールの発生が防止され、Ａ
ｇ拡散によるガラス基板の黄色着色を確実に防止するこ
とができる。また、ＮａＣｌ，ＮａＦ等のアルカリ成分
の拡散による抵抗値の変動を確実に防止して、比較的高
い表面抵抗値を容易に制御することができる。

【００１２】本発明では、この下地膜の上に形成する絶
縁膜の表面抵抗値をＰＤＰ用ガラス基板の場合で１．０
×１０^１５Ω／□以上、ＦＥＤ用ガラス基板の場合で
１．０×１０^６〜１．０×１０^１２Ω／□とすることに
より、上述のＰＤＰにおけるリーク電流や、ＦＥＤにお
ける基板の帯電の問題を解消できる。

【００１３】本発明においては、特に、基板のアルカリ
成分の拡散による抵抗への影響を防止することができる
ため、上記所望の表面抵抗を容易に実現することができ
る。

【００１４】この絶縁膜の表面抵抗は、Ａｇ電極形成時
等の一般的な焼成条件である５５０℃、１時間の熱処理
後も上記の範囲にあることが好ましい。

【００１５】また、この絶縁膜の屈折率を下地膜の屈折
率よりも低いものとすることにより、このディスプレイ
用ガラス基板の光彩が防止され、ディスプレイ用ガラス
基板の光透過率がさらに高いものとなる。

【００１６】特に、ＰＤＰ用途のディスプレイ用ガラス
基板においては、この絶縁膜上に透明導電膜としてＦを
含有する酸化スズ膜を形成してもよく、この膜の上にＡ
ｇを含む電極を形成してもよい。また、絶縁膜上に直接
Ａｇを含む電極を形成しても良い。

【００１７】これらの膜は、ＣＶＤ法等の熱分解反応に
より、好ましくはガラス製造工程で形成されるのが望ま
しい。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の好
ましい実施の形態について説明する。

【００１９】図１は本発明の実施の形態に係るディスプ
レイ用ガラス基板の断面図であり、ガラス基板１上にＳ
ｎＯ_２を主成分とする下地膜２が形成され、この下地膜
２上に絶縁膜３が形成されている。

【００２０】このガラス基板１はアルカリ含有ガラスよ
りなる。このアルカリ含有ガラスの好適な主要組成とし
ては次が例示される。

【００２１】ＳｉＯ_２５０〜７３重量％Ａｌ_２Ｏ_３０〜１５重量％Ｒ_２Ｏ６〜２４重量％Ｒ’Ｏ６〜２７重量％なお、Ｒ_２ＯはＬｉ_２Ｏ，Ｎａ_２Ｏ，Ｋ_２Ｏの合計であ
り、Ｒ’ＯはＣａＯ，ＭｇＯ，ＳｒＯ，ＢａＯの合計で
ある。

【００２２】下地膜２はＳｎＯ_２を主成分としており、
Ｃｌ及びＦの含有量が合計で５０ｐｐｍ以下である。こ
の下地膜中のＣｌ及びＦの合計含有量が５０ｐｐｍを超
えるとＳｎＯ_２系下地膜のピンホールが発生し易くな
り、Ａｇによる着色、アルカリ成分による表面抵抗値へ
の影響を防止し得ない。下地膜２は特にＣｌ及びＦを実
質的に含有しない膜であることが好ましい。

【００２３】この下地膜２の膜厚は、Ａｇ及びアルカリ
成分の拡散の防止の観点からは厚い方が好ましいが、過
度に厚くてもそれ以上の効果はなく、徒にコスト高とな
ることから、５〜２００ｎｍ、特に５０〜２００ｎｍの
範囲とするのが好ましい。

【００２４】絶縁膜３は、表面抵抗が１．０×１０^６〜
１．０×１０^１６Ω／□の範囲、特に、リーク電流が問
題となるＰＤＰ用としては１．０×１０^１５Ω／□以上
の高抵抗、例えば１．０×１０^１５〜１．０×１０^１６
Ω／□、基板の帯電が問題となるＦＥＤ用としては１．
０×１０^６〜１．０×１０^１２Ω／□、好ましくは１．
０×１０^８〜１．０×１０^１２Ω／□の範囲とするのが
好ましい。

【００２５】なお、これらの用途において、リーク電流
や基板の帯電はディスプレイとしての使用時に問題とな
るため、上記表面抵抗は、パネル製造工程における処理
温度の影響、例えばＡｇ電極の焼成条件等においても変
化せず、上記範囲を維持することが好ましく、５５０
℃、１時間の熱処理後においても上記範囲内であること
が望まれる。

【００２６】このような絶縁膜３の膜厚は過度に厚いと
クラック発生やコスト高の問題があり、過度に薄いと安
定した表面抵抗を得ることができないことから２５〜２
００ｎｍの範囲とするのが好ましい。

【００２７】なお、絶縁膜３の膜材質としては、所望の
表面抵抗を実現できるものであれば良く、特に制限はな
いが、特にＰＤＰ用途の場合、この絶縁膜３は、下地膜
２よりも屈折率が低い材料で形成することにより、ディ
スプレイ用ガラス基板の光彩が防止され、ディスプレイ
用ガラス基板の光透過率がより一層高くなり、ディスプ
レイの品質を向上させることができ、好ましい。

【００２８】なお、図１に示すディスプレイ用ガラス基
板は本発明のディスプレイ用ガラス基板の実施の形態の
一例であって、本発明はその要旨を超えない限り、何ら
図示のものに限定されるものではない。

【００２９】例えば、本発明のディスプレイ用ガラス基
板は更に他の層が形成されていても良く、具体的にはガ
ラス基板１と下地膜２との間にＳｉＯ_２，ＴｉＯ_２やＡ
ｌ_２Ｏ_３等の酸化物膜が形成されていても良い。

【００３０】本発明のディスプレイ用ガラス基板はＰＤ
Ｐ等のディスプレイ用途の場合、絶縁膜３上に更に透明
導電膜が形成され、場合によって更にこの透明導電膜上
にＡｇ等の金属電極が形成される。また、絶縁膜３上に
直接Ａｇ等の金属電極が形成される場合もある。

【００３１】この場合、透明導電膜としては、ＳｎＯ_２
を主成分とする膜、具体的には、Ｆなどの不純物を例え
ば４００〜２５００ｐｐｍ程度ドープしたＳｎＯ_２膜が
好適である。Ｆ含有ＳｎＯ_２膜が用いられる場合、透明
導電膜は、Ｆ以外に他の成分を含んでいても構わない。
例えば、導電性を向上させるために、アンチモンをドー
プしても良い。また、この膜には、シリコン、アルミニ
ウム、亜鉛、銅、インジウム、ビスマス、カリウム、ホ
ウ素、バナジウム、マンガン、ジルコニウムなど他の微
量成分が含まれていても構わない。ただし、これらの微
量成分の濃度は０．０２重量％以下とすることが好まし
い。

【００３２】この透明導電膜の膜厚は、ディスプレイの
種類によって必要とする抵抗により適宜定めればよい
が、導電性とパターンのし易さから、１００〜４００ｎ
ｍ、特に１００〜２５０ｎｍの範囲とすることが好まし
い。

【００３３】また、このような透明導電膜上又は絶縁膜
上にＡｇ等の金属電極を形成する場合、その膜厚は３〜
１２μｍ程度とするのが好ましい。

【００３４】本発明のディスプレイ用ガラス基板のガラ
ス基板上の各積層膜の成膜には、スパッタリング法、イ
オンプレーティング法、真空蒸着法などのいわゆる物理
蒸着法を用いてもよいが、化学気相法（以下、「ＣＶＤ
法」という）やスプレー法などのいわゆる化学蒸着法を
用いることが好ましい。即ち、物理蒸着法では、膜厚の
均一性には優れているが、量産時の製造効率や被膜の耐
久性を考慮すると、原料の熱分解反応を伴う化学蒸着法
が優れている。

【００３５】スプレー法としては、金属化合物を含む溶
液を高温のガラス板上に噴霧する溶液スプレー法、上記
溶液に代えて金属化合物の微粒子を液体に分散させた分
散液を用いる分散液スプレー法、上記溶液に代えて金属
化合物の粉末を用いる粉末スプレー法などが挙げられ
る。

【００３６】これに対し、ＣＶＤ法では、成膜用の原料
蒸気が用いられる。

【００３７】スプレー法は、比較的簡便な装置で実施で
きるという利点があるが、液滴の制御や排気されるべき
生成物（反応生成物、未分解生成物など）の制御が難し
いために均一な膜厚を得にくい。またガラスの歪みも大
きくなる。

【００３８】このため、上記各膜の成膜法としては、総
合的にはＣＶＤ法が優れている。

【００３９】ＣＶＤ法による各積層膜の成膜は、所定の
大きさに切断し、加熱したガラス板にガス状の原料が吹
きつけることにより行うことができる。例えば、ガラス
板をメッシュベルトに乗せて加熱炉を通過させる間に原
料ガスを供給し、高温のガラス板の表面で原料を反応さ
ることにより成膜することができる。

【００４０】しかし、ＣＶＤ法による成膜は、フロート
法によるガラス製造工程における高温のガラスリボン上
に直接原料ガスを供給し、ガラス成形時の熱エネルギー
を利用して成膜する方法が好ましい。この好ましい成膜
法は、大面積の膜の成膜には有利である。ＣＶＤ法をス
ズフロート槽空間で行えば、軟化点以上の温度を有する
ガラス表面で成膜が行えるので、膜の性能及び成膜反応
速度、成膜反応効率の向上が可能となる。更に、ピンホ
ール（膜抜け）などの欠陥も抑制されるという利点があ
る。

【００４１】以下に、このフロート法におけるガラスリ
ボン上に、ＣＶＤ法により各積層膜を成膜する方法を図
２を参照して説明する。図２に示す装置では、溶融炉
（フロート窯）１１からスズフロート槽１２内に流れ出
し、スズ浴１５上を帯状に移動するガラスリボン１０の
表面から所定距離を隔てた位置に所定個数のコータ１６
（図示した形態では３つのコータ１６ａ，１６ｂ，１６
ｃ）が配置されている。これらのコータ１６からは、ガ
ス状の原料が供給され、ガラスリボン１０上に連続的に
被膜が形成されていく。このように、複数のコータを利
用すれば、ガラスリボン１０上に、下地膜となるＳｎＯ
_２膜、絶縁膜、更には必要に応じて透明導電膜を、ＣＶ
Ｄ法により連続的に形成することができる。各膜が形成
されたガラスリボン１０は、ローラ１７により引き上げ
られて、徐冷窯１３へと送り込まれる。この徐冷窯１３
で徐冷されたガラス板は、図示を省略するフロート法汎
用の切断装置により切断され、所定の大きさのガラス板
となる。

【００４２】なお、ガラスリボン上への成膜は、ＣＶＤ
法とスプレー法とを併用して行ってもよい。例えば、Ｃ
ＶＤ法とスプレー法とをこの順に実施することにより
（例えば、スズフロート槽空間内においてＣＶＤ法によ
る成膜を実施し、スズフロート槽空間よりガラスリボン
進行方向下流側においてスプレー法による成膜を実施す
ることにより）、所定の積層構造を実現しても良い。

【００４３】なお、ＣＶＤ法による成膜において使用さ
れるスズ原料としては、四塩化スズ、ジメチルスズジク
ロライド、ジブチルスズジクロライド、テトラメチルス
ズ、テトラブチルスズ、ジオクチルスズジクロライド、
モノブチルスズトリクロライドなどが挙げられるが、本
発明において、下地膜２のＳｎＯ_２系膜を形成する場
合、好ましくはＣｌ及びＦを実質的に含有しない膜を成
膜することから、下地膜用スズ原料としては、テトラメ
チルスズ、テトラブチルスズなどのＣｌ及びＦを含まな
い有機スズ化合物を用いる。

【００４４】また、絶縁膜３としてＳｉＯ_２膜を成膜す
る場合、シリコン原料としては、モノシラン、ジシラ
ン、トリシラン、モノクロロシラン、ジクロロシラン、
１，２−ジメチルシラン、１，１，２−トリメチルジシ
ラン、１，１，２，２−テトラメチルジシラン、テトラ
メチルオルソシリケート、テトラエチルオルソシリケー
トなどが挙げられ、Ａｌ_２Ｏ_３膜を成膜する場合、アル
ミニウム原料としては、トリメチルアルミニウム、アル
ミニウムトリイソポプロポキサイド、塩化ジエチルアル
ミニウム、アルミニウムアセチルアセトネート、塩化ア
ルミニウムなどが挙げられる。

【００４５】更に、透明導電膜として例えばＦ含有Ｓｎ
Ｏ_２膜を成膜する場合には，スズ原料としては、ジメチ
ルスズジクロライド、モノブチルスズトリクロライド等
の有機スズ塩化物が好適に使用され、フッ素原料として
は、フッ化水素、トリフルオロ酢酸、ブロモトリフルオ
ロメタン、クロロジフルオロメタンなどが挙げられる。
また、更にアンチモンを添加する場合には、五塩化アン
チモン、三塩化アンチモンなどを用いても良い。

【００４６】いずれの成膜原料においても酸化原料とし
て、酸素、水蒸気、乾燥空気、二酸化炭素、一酸化炭
素、二酸化窒素、オゾンなどが使用される。なお、シラ
ンを使用した場合にガラス表面に到達するまでにシラン
の反応を防止する目的で、エチレン、アセチレン、トル
エンなどの不飽和炭化水素ガスを併用しても構わない。

【００４７】

【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。

【００４８】実施例１〜４図２に示すフロート法によるガラス製造工程において、
ＣＶＤ法により、ソーダライムガラス上にＳｎＯ_２膜、
ＳｉＯ_２膜及びＦ含有ＳｎＯ_２膜（Ｆ含有量５００ｐｐ
ｍ）をこの順で形成した。即ち、ＳｎＯ_２膜の成膜に
は、テトラメチルスズ、酸素、窒素及び水蒸気の混合ガ
スを、ＳｉＯ_２膜の成膜にはモノシラン、エチレン、酸
素及び窒素からなる混合ガスを、Ｆ含有ＳｎＯ_２膜の成
膜にはジメチルスズジクロライド、酸素、窒素及び水蒸
気からなる混合ガスを、６００〜６５０℃に加熱された
ガラス表面にそれぞれ供給してそれぞれ表１に示す厚さ
に成膜を行った。

【００４９】次に、Ｆ含有ＳｎＯ_２膜上にＡｇペースト
を印刷し、５５０℃で１時間焼成して厚さ１０μｍのＡ
ｇ電極を形成した後、ガラスの着色の程度を目視により
観察し、結果を表１に示した。

【００５０】なお、絶縁膜としてのＳｉＯ_２膜表面抵抗
値は表１に示す通りであった。

【００５１】実施例５絶縁膜の成膜に当たり、トリメチルアルミニウム、酸
素、窒素及び水蒸気からなる混合ガスを供給してＡｌ_２
Ｏ_３膜を形成したこと以外は実施例１と同様にして成膜
及び電極の形成を行い、絶縁膜の表面抵抗値とガラスの
着色の程度を調べ、結果を表１に示した。

【００５２】比較例１下地膜の成膜に当たり、ジメチルスズジクロライド、酸
素、窒素及び水蒸気からなる混合ガスを供給してＣｌ含
有ＳｎＯ_２膜（Ｃｌ含有量１００ｐｐｍ）を成膜したこ
と以外は実施例１と同様にして成膜及び電極の形成を行
い、絶縁膜の表面抵抗値とガラスの着色の程度を調べ、
結果を表１に示した。

【００５３】比較例２下地膜の成膜に当たり、フッ化水素、ジメチルスズジク
ロライド、酸素、窒素及び水蒸気からなる混合ガスを供
給してＣｌ，Ｆ含有ＳｎＯ_２膜（Ｃｌ含有量２００ｐｐ
ｍ，Ｆ含有量５０ｐｐｍ）を成膜したこと以外は実施例
１と同様にして成膜及び電極の形成を行い、絶縁膜の表
面抵抗値とガラスの着色の程度を調べ、結果を表１に示
した。

【００５４】

【表１】

【００５５】表１より、本発明によれば、Ａｇによる着
色がなく、幅広い表面抵抗値を有するディスプレイ用ガ
ラス基板を得ることができることがわかる。

【００５６】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、ガ
ラス基板に含有されるアルカリ成分による影響を排除し
た表面抵抗の制御が可能で、かつ、電極としてＡｇを用
いた場合に着色の起こらない高透過率のディスプレイ用
ガラス基板が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係るディスプレイ用ガラ
ス基板の断面図である。

【図２】フロート法によるガラス製造工程におけるＣＶ
Ｄ法による成膜方法を示す断面図である。

【符号の説明】

１ガラス基板２下地膜３絶縁膜１０ガラスリボン１１溶融炉１２スズフロート槽１３徐冷窯１５スズ浴１６コータ１７ローラ

フロントページの続き (72)発明者平田昌宏大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号日本板硝子株式会社内 (72)発明者水野俊明大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号日本板硝子株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】アルカリ含有ガラス基板の表面に、酸化
スズを主成分とする下地膜と絶縁膜とをこの順に形成し
たガラス基板であって、前記酸化スズを主成分とする下
地膜の塩素及びフッ素の含有量が合計で５０ｐｐｍ以下
であることを特徴とするディスプレイ用ガラス基板。
【請求項２】前記絶縁膜の表面抵抗が１．０×１０
^１５Ω／□以上であることを特徴とする請求項１に記載
のディスプレイ用ガラス基板。
【請求項３】前記絶縁膜の表面抵抗が１．０×１０^６
〜１．０×１０^１２Ω／□であることを特徴とする請求
項１に記載のディスプレイ用ガラス基板。
【請求項４】前記絶縁膜の表面抵抗が、５５０℃、１
時間の熱処理後も前記の範囲にあることを特徴とする請
求項２又は３に記載のディスプレイ用ガラス基板。
【請求項５】前記絶縁膜上にＡｇを含む電極を形成し
たことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に
記載のディスプレイ用ガラス基板。
【請求項６】前記絶縁膜上にフッ素を含有する酸化ス
ズ膜を形成したことを特徴とする請求項２又は４に記載
のディスプレイ用ガラス基板。
【請求項７】前記絶縁膜の屈折率が該下地膜の屈折率
よりも低いことを特徴とする請求項２，４，５又は６に
記載のディスプレイ用ガラス基板。
【請求項８】前記各膜が熱分解反応により形成された
ものであることを特徴とする請求項１ないし７のいずれ
か１項に記載のディスプレイ用ガラス基板。
【請求項９】前記フッ素含有酸化スズ膜上にＡｇを含
む電極を形成したことを特徴とする請求項６ないし８の
いずれか１項に記載のディスプレイ用ガラス基板。