KR20110098706A - 터치 패널 디스플레이 어셈블리에 이용하기 위한 ｉｔｏ 코팅된 아티클, 및/또는 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 특정 실시예들은 열처리된 유리 기판에 의해 지지되는 투명 도전성 인듐주석산화물(ITO) 필름을 포함하는 코팅된 아티클를 제조하기 위한 기술에 관한 것이다. 실질적으로 아산화된 ITO 또는 금속 인듐주석(InSn) 필름은 실온에서 유리 기판상에 스퍼터링되어 배치된다. 증착된 상태의 필름을 포함하는 유리 기판은 고온에 놓여진다. 열적 템퍼링 또는 가열 강화는 상기 증착된 상태의 필름이 결정질의 투명 도전성 ITO 필름으로 변형되도록 한다. 유리하게, 이는 금속-모드에서 ITO 증착률이 높기 때문에 터치 패널 어셈블리의 비용을 감소시킬 수 있다. 터치 패널 어셈블리의 비용은 플로트 유리(float glass)의 이용을 통해 감소될 수 있다.

Description

터치 패널 디스플레이 어셈블리에 이용하기 위한 ＩＴＯ 코팅된 아티클, 및/또는 그의 제조 방법 {ITO-COATED ARTICLE FOR USE WITH TOUCH PANEL DISPLAY ASSEMBLIES, AND/OR METHOD OF MAKING THE SAME}
본 발명의 특정 실시예들은 인듐주석산화물(ITO) 코팅된 아티클, 및/또는 그의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명의 특정 실시예들은 실온 또는 실온에 가까운 온도에서 플로트 유리(float glass) 기판에 인듐주석(InSn) 타겟으로부터 실질적으로 아산화된 ITO 또는 금속 인듐-주석 필름을 스퍼터 증착(sputter depositing)하고, 그것을 열처리하여 플로트 유리 기판을 기반으로 하는 ITO 코팅된 아티클을 제조하는 기술에 관한 것이다. ITO 코팅된 아티클은 예를 들어, 터치 패널 디스플레이 어셈블리로 만들어질 수 있다.
터치 패널 디스플레이는 알려져 있다. 예를 들어, U.S 특허 Nos. 7,436,393; 7,372,510; 7,215,331; 6,204,897; 6,177,918; 5,650,597을 보면, 각각의 전체 내용은 참조로 여기에 포함된다. 실제로, 현재 다양한 타입의 터치 패널 디스플레이, 예를 들어, 저항성 및 용량성 터치 패널 디스플레이를 포함하여 이용할 수 있다.
일반적으로, 용량성 터치 스크린들은 한 쌍의 유리층들 사이에 얇은 도전성 필름을 포함한다. 좁은 전극 패턴들은 유리층들 사이에 위치된다. 상기 도전성 필름은 예를 들어, 인듐주석산화물(ITO) 또는 얇은 와이어 메쉬(wire mesh)로 패터닝될 수 있다. 일반적으로, 상기 스크린의 각 코너에 부착된 오실레이터 회로는 코팅으로 저전압 전기장을 유도한다. 유리 스크린이 터치되는 경우, 전기장 특성이 변화한다. 터치 스크린의 컨트롤러는 복수의 전극에서 전기장의 상대적인 변화(relative changes)를 측정함으로써 스크린에 포함된 접점의 좌표를 산출하도록 구성되어 있다.
유사하게, 일반적으로, 저항성 터치 스크린은 실질적으로 단단한 기판과 플렉서블한(flexible) 커버를 포함하며, 이들 각각은 투명 도전성 물질, 대개, 인듐주석산화물(ITO)로 코팅된 표면을 갖는다. 기판 및 커버는 서로 마주한 도전성 표면에 접합되나, 표면의 일면 상에 배치된 투명한 절연체의 패턴에 의해 생성된 에어 갭을 통해 분리된다. 유저가 플렉서블한 커버를 가압하는 경우, 커버가 변형되어 도전성 표면들은 접촉한다. 컨트롤러는 접촉이 발생된 지점의 좌표를 확인하기 위해 도전성 층들 사이의 접촉에 의해 회로에서 전압 강하를 측정하도록 구성되어 있다.
일반적으로, 저항성 및 용량성 촉각 시스템은 기초(underlying) 전자 디스플레이의 스크린 또는 디스플레이 표면의 전면에 배치된 투명한 촉각 패널로 제공된다. 예를 들어, 촉각 시스템은 공통적으로 몇 개 종류의 디스플레이, 예를 들어, 음극 선관(CRTs, cathod ray tubes) 및 액정 디스플레이(LCDs, liquid crystal display)와 연결되어 이용된다.
도 1은 기존의 저항성 터치 패널 어셈블리(100)의 단면도이다. 유리 기판(102)이 제공된다. 대각선으로 15"(inch)보다 큰 디스플레이 사이즈에 대하여, 유리 기판은 일반적으로 1.7㎜정도의 두께를 갖는다. 상술한 관점에서, 저항성 또는 용량성 터치 패널 어셈블리의 기본 구성 중 하나는 제1 투명 도전성 산화물층(104), 일반적으로 ITO로 코팅된 유리 기판이 될 수 있다. 또한, ITO 코팅된 유리 기판(102)은 예를 들어, 하나 이상의 스페이서(106)를 통해 다른 ITO 코팅된 아티클과 분리된다. 일반적으로 스페이서(106)는 실질적으로 균일한 간격으로 떨어져 있는 연속적인 유리 비즈들(glass beads)을 포함하나, 때때로 다른 종류의 스페이서가 이용될 수 있다. 일반적으로, 두 번째 ITO 코팅된 아티클은 예를 들어, ITO의 제2 투명 도전성 산화물층(112)으로 코팅된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethylene terephthalate)와 같은 플렉서블한 플라스틱 필름(108)이다. 제2 투명 도전성 산화물층(112)은 하드코트(hardcoat)(110)를 통해 상부로부터 보호된다. 일반적으로 하드코트(110)는 기계적 내구성(예를 들어, 적어도 어느 정도의 스크레치 저항성)뿐만 아니라 사람의 손에 의해 터치되는 경우, 표시가 감소되어 나타나는 실질적으로 투명층으로 제공된다. LCD(114) 또는 다른 적합한 디스플레이 장치는 유리 기판(102) "아래(below)"에 제공된다.
터치 패널 디스플레이가 제조되어 상업적으로 성공을 이루더라도 여전히 개선의 가능성이 있다. 예를 들어, 일반적으로 그런 장치들에 이용되는 유리 기판은 코닝 유리와 같은 비싼 붕규산염(borosilicate)이다. 다양한 어플리케이션을 위하여, 터치 패널의 유리 성분은 플로트 소다석회(soda-lime) 유리의 열적 템퍼링하는 것에 대한 대안적 방법으로, 인장 응력이 향상되도록 화학 처리를 통해 강화된다.
또한, 일반적으로 ITO층은 반응성 모드에서 스퍼터 증착(sputter deposition)에 의해 형성될 수 있으며, 예를 들어, 산소 가스가 존재하는 곳에서 이온화된 아르곤에 의해 금속 인듐주석(InSn) 타겟이 충돌되는 경우, 실질적으로 균일하고 거의 화학량론적(nearly stoichiometric)인 ITO로 유리 기판을 코팅한다. 인듐주석산화물을 스퍼터하는 다른 방안은 타겟이 이미 화학량론적(already stoichiometric) ITO으로 만들어진 경우, 세라믹 타겟을 이용하는 것이다. 후자의 경우, 세라믹 타겟의 비용이 보다 높아 제조 비용이 증가된다. 그러나, 두 경우 모두, 특히 세라믹 타켓의 경우에서 ITO의 증착률은 낮은 것으로 알려져 있으며, 따라서 제조 비용이 증가한다.
또한, 좋은 품질의 스퍼터된 ITO를 얻기 위해서, 기판은 증착하는 동안 보통 100~250℃에서 가열되고, 특별한 코터 설계(special coater design)를 요구한다.
따라서, 터치 패널 디스플레이를 위한 ITO 코팅률을 향상시키기 위한 기술이 필요한 것으로 인정될 수 있다. 또한, 가열 강화 또는 열적 템퍼링될 수 있으며, 보다 낮은 비용의 유리 기판을 포함하는 보다 낮은 비용의 ITO 코팅된 아티클에 대응하는 제조 기술이 필요한 것으로 인정될 수 있다. 어느 경우에도, 여기에 기재된 기술은 다양한 어플리케이션에(예를 들어, 다른 터치 패널 디스플레이) 적합한 코팅된 아티클과 관련하여 이용될 수 있다.
특정 실시예들에서, 코팅된 아티클(coated article)의 제조 방법이 제공된다. 실질적으로 투명한 기판이 제공된다. 실질적으로 아산화된(sub-oxidized) 인듐주석산화물(ITO) 및/또는 금속-모드 인듐주석 필름은 인듐-주석(InSn) 타겟을 통해 상기 기판상에 직접 또는 간접적으로 스퍼터링된다. 상기 스퍼터링은 실온 또는 실온에 가까운 온도에서 실행된다. 상기 실질적으로 아산화된 ITO 및/또는 금속-모드 인듐주석 필름을 포함하는 상기 기판은 상기 실질적으로 아산화된 ITO 및/또는 금속-모드 인듐주석 필름의 층이 실질적으로 투명하고 전기적 도전성 결정성 결과물인 ITO 필름으로 변형되도록 열처리된다.
특정 실시예들에서, 코팅된 아티클의 제조 방법이 제공된다. 실질적으로 투명한 소다-석회(soda-lime) 플로트 유리(float glass) 기판이 제공된다. 중간 필름은 인듐-주석(InSn) 타겟을 통해 상기 기판상에 직접 또는 간접적으로 스퍼터링된다. 중간 필름은 실질적으로 아산화된 인듐주석산화물(ITO) 및/또는 금속-모드 인듐주석 필름을 포함한다. 상기 스퍼터링은 실온 또는 실온에 가까운 온도에서 실행된다. 상기 중간 필름을 포함하는 상기 기판은 전기적 도전성 및 결정성 결과물인 ITO 필름을 제조하도록 가열 강화 또는 열적 템퍼링된다. 상기 중간 필름은 0<y<0.5이고 x=1-x인 (InSn)xOy를 포함한다. 상기 스퍼터링은 0 내지 0.4, 보다 바람직하게는 0 내지 0.1의 산소-아르곤 비율을 갖는 분위기에서 실행된다.
특정 실시예들에서, 터치 패널 디스플레이 시스템의 제조 방법이 제공된다. 디스플레이 패널(예를 들어, LCD 또는 다른 적합한 디스플레이)가 제공된다. ITO 코팅을 포함하는 코팅된 아티클이 제공되고, 코팅된 아티클은 인듐-주석(InSn) 타겟을 통해 상기 기판상에 직접 또는 간접적으로 스퍼터링된 중간 필름을 포함한다. 상기 중간 필름은 실질적으로 아산화된 인듐주석산화물(ITO) 및/또는 금속-모드 인듐주석 필름을 포함한다. 상기 스퍼터링은 실온 또는 실온에 가까운 온도에서 실행된다. 상기 기판 및 상기 중간 필름은 전기적 도전성 및 결정성 결과물인 ITO 필름을 제조하기 위하여 열처리된다. 상기 중간 필름은 0<y<0.5이고 x=1-y인 (InSn)xOy를 포함한다. 상기 스퍼터링은 0 내지 0.4, 보다 바람직하게는 0 내지 0.1의 산소-아르곤 비율을 갖는 분위기에서 실행된다.
여기에 기재된 상기의 특징들, 측면들, 이점들 및 실시예들은 또 다른 실시예들을 구현하기 위하여 결합될 수 있다.
이것 및 다른 특징들, 그리고 이점들은 도면과 함께 후속하는 구체적인 설명의 실시예들을 참조하여 보다 완전하게 이해될 수 있다.
도 1은 기존의 저항성 터치 패널 어셈블리의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 코팅된 아티클을 제조하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 몇 가지 예의 증착 물질들의 x-선 회절(XRD)을 나타내는 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리에 따른 증착 물질의 x-선 회절(XRD)를 나타내는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리에 따른 증착 물질의 광학 상수를 나타내는 그래프이다.
본 발명의 특정 실시예들은 플로트 유리(float glass) 기판상에 스퍼터 증착된, 실질적으로 아산화된 ITO 또는 금속-모드 인듐-주석 필름을 에어에서 열처리한 결과로 형성된 인듐인듐주석산화물(ITO)의 투명 도전성 산화물층(TCO, Transparent conductive oxide)을 포함하는 코팅된 아티클을 제조하는 기술에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 특정 실시예들은 가열 강화(heat strengthened)되거나 템퍼링된(tempered) 터치 패널 어셈블리용 유리 기판에 의해 지지되는 투명 도전성 인듐주석산화물(ITO) 필름을 포함하는 코팅된 아티클을 제조하는 기술에 관한 것이다. 처음에, 실질적으로 아산화된 ITO 또는 금속 인듐-주석(InSn) 필름은 실온 또는 실온에 가까운 온도에서 유리 기판상에 스퍼터 증착된다. 그리고 나서 증착된 상태(as-deposited)의 필름을 포함하는 유리 기판은 고온(elevated temperatures)에 놓여질 수 있다. 열적 템퍼링(tempering) 또는 가열 강화(heat strengthening)는 증착된 상태의 필름(as-deposited film)이 결정질 투명 도전성 ITO 필름으로 변형되도록 한다. 유리하게, 이는 금속-모드에서 ITO 증착률이 보다 높이기 때문에 어셈블리의 비용을 감소시킬 수 있다. 터치 패널 어셈블리의 비용은 플로트 유리의 이용을 통해 보다 감소될 수 있다.
현재 보다 구체적으로 동반되는 도면을 참조하면, 유사한 참조 번호들은 몇 개의 도면을 통해 유사한 부분들/층들을 나타내며, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 코팅된 아티클을 제조하는 방법을 나타내는 흐름도이다. S202 단계에서, 실질적으로 투명한 기판이 제공된다. 실질적으로 투명한 기판은 특정 실시예들에서 유리 기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 특정 실시예들에서 실질적으로 투명한 기판은 소다-석회(soda-lime) 플로트 유리(float glass)가 될 수 있다. 물론, 특정 실시예와 관련하여 실질적으로 투명한 다른 기판이 이용될 수 있다. 실제로, 특정 실시예에서 환원 철(reduced iron) 성분을 포함하는 플로트 유리 기판이 이용될 수 있다.
S204 단계에서, 실질적으로 아산화된(sub-oxidized) ITO 및/또는 금속-모드 인듐주석 필름은 인듐-주석(InSn) 타켓을 스퍼터링하는 것을 통해 유리 기판상에 증착된다. 특정 실시예들에서, 타겟에서 인듐(In)/주석(Sn) 비율은 약 95/5 내지 80/20, 보다 바람직하게는 90/10이 될 수 있다. 스퍼터링하는 단계는 실온 또는 실온에 가까운 온도, 예를 들어, 약 17-25℃의 온도에서 수행될 수 있으며, 보다 바람직하게는 약 20℃에서 수행될 수 있다. 증착 프로세스(process)는 다양한 분위기에서 실행될 수 있다. 예를 들어, 특정 실시예들에서 증착 프로세스는 실질적으로 순수 아르곤(Ar) 분위기에서 실행되지만, 특정 실시예들에서 증착 프로세스는 산소를 포함하는 분위기(예를 들어, 산소 및 아르곤의 혼합물)에서 실행될 수 있다. 후자의 실시예에서, 산소-아르곤 비율은 약 0 내지 1, 바람직하게는 약 0 내지 0.4로 달라질 수 있으며, 보다 바람직하게는 약 0 내지 0.1이 될 수 있다.
실온에서 스퍼터-증착된(sputter-deposited) 경우, 실질적으로 아산화된 ITO 또는 금속 인듐주석(InSn)은 가시광선 광 흡수와 관련하여 상당히 높으며, 높은 시트 저항을 갖는다. 그러나, 이하에서 보다 구체적으로 설명된 것에 따르면, 가시광선 광 흡수 및 시트 저항은 열 처리에 따라 감소될 수 있다.
타겟의 초기 성분에 따라, 증착된 물질(예를 들어, 실질적으로 아산화된 ITO 또는 금속 인듐주석(InSn) 필름)은 비정질, 인듐(In) 및 주석(Sn)의 혼합물이 될 수 있으며, 또는 다양한 방향의 ITO 결정성을 가질 수 있다. 이 점과 관련하여, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 몇 가지 예의 증착 물질의 x-선 회절(XRD)을 나타내는 그래프이다. 도 3에 도시된 그래프는 증착된 물질의 결정성 방향을 나타낸다. "특징들(signatures)"(예를 들어, 광자를 포함하는 라인들의 형상 또는 특정 각도에서 판독된 광선, 피크들 사이의 폭 등)에 근거하여, (a)는 비정질 결정성 구조를 나타내고, (b)는 인듐(In) 및 주석(Sn)의 혼합물을 나타내며, (c) 및 (d)는 다양한 방향의 ITO 결정성을 나타낸다. 이 같이, 스퍼터링하는 것에 의해 (InSn)xOy를 포함하는 물질이 증착될 수 있으며, x=1-y이고, y는 0 내지 0.5, 보다 바람직하게는 0.1 내지 0.3 및 또한 바람직하게는 약 0.2가 될 수 있다.
특정 실시예들에서 이 중간 필름은 하나 이상의 추가적인 층들 상에 스퍼터 증착될 수 있는 것으로 여겨질 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 단계로 도시되어 있지 않으나, 중간 필름은 예를 들어, 중간 필름과 유리 기판 사이에 제공될 수 있는 절연체와 같은 버퍼 필름상에 스퍼터 코팅될 수 있다. 특정 실시예들에서, 실리콘 질화물(silicon nitride) 또는 실리콘 산질화물(silicon oxy-nitride)과 같은 절연체는 유리(예를 들어, 소다 석회 유리로부터의 알칼리 성분)에서 투명 도전성 산화물(TCO) ITO층으로 성분 이동이 감소하는 것을 돕는다.
S206 단계에서, 스퍼터-코팅된 유리 기판은 실질적으로 아산화된 ITO 및/또는 금속-모드 인듐-주석 필름이 실질적으로 투명하고, 전기적 도전성 결정성의 ITO 필름으로 변형되도록 열 처리될 수 있다. 다시 말해, 열 처리 프로세스는 이전에 증착된 필름의 산화를 향상시킬 수 있다. 여기에 기재된 열 처리는 예를 들어, 가열 강화 및 열적 템퍼링을 포함한다. 이 같이, 특정 실시예들에서, 증착된 상태의 인듐주석 또는 인듐주석산화물 필름을 포함하는 기판은 적절한 사이즈로 절단될 수 있고 그 후에, 강화된 유리 기판상에 도전성 및 투명한 ITO 필름을 형성하도록 600℃를 초과하는 온도에서 열적으로 템퍼링한 후 공기 담금질(air quenching)할 수 있다. 열적 템퍼링은 템퍼링 노(furnace)에서 적어도 약 580℃, 보다 바람직하게는 적어도 약 600℃, 및 보통 적어도 약 620 또는 640℃의 온도로, 증착된 상태의 필름을 포함하는 유리 기판을 가열하는 것을 포함할 수 있다. 본 발명의 특정 실시예들에서, 필름을 포함하는 유리 기판은 템퍼링 노(tempering furnace)에서 적어도 약 2분, 바람직하게는 적어도 약 5분 동안 가열될 수 있다.
유사하게, 본 발명의 특정 실시예들에서, 증착된 상태의 인듐주석 또는 인듐주석산화물 필름을 포함하는 유리 기판은 약 600℃의 온도에서 가열 강화될 수 있으며, 그 후에 강화된 유리 기판상에 도전성 및 투명한 ITO 필름을 형성하도록 적절한 사이즈로 절단(또는 열처리 전에 적절한 사이즈로 절단)될 수 있다.
열 처리(예를 들어, 열적 템퍼링 또는 가열 강화)는 증착된 상태의 필름이 현재 제조된 ITO와 유사한 광학 상수를 갖는 결정질의 투명 도전성 필름으로 변형되도록 한다. 예를 들어, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리에 따른 증착 물질의 x-선 회절(XRD)를 나타내는 그래프이다. 도 4에 도시된 그래프는 일반적인 TCO 및 특히 ITO의 결정성 구조 타입과 유사하다. 또한, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리에 따른 증착 물질의 광학 상수를 나타내는 그래프이다. 예를 들어, 도 5에서, 굴절률(n)은 실질적으로 모든 가시광선 스펙트럼(예를 들어, 약 400~700㎚ 파장으로부터) 및 근적외선(NIR) 스펙트럼(예를 들어, 약 700~1100㎚ 파장으로부터)에 걸쳐 약 2가 되고, 반면, 흡광 계수(k)는 실질적으로 모든 가시관성 스펙트럼 및 NIR 스펙트럼에 걸쳐 0에 가까운 값으로 급격하게 떨어짐으로써 높아진다. 다시 말해서, 열 처리 후에 TIO 물질의 댐핑(damping) 또는 흡수 영향은 매우 낮다.
실제로, 특정 실시예들에서, ITO의 굴절률(n)은 바람직하게 약 1.8~2.2가 될 수 있으며, ITO의 흡수 계수(k)는 바람직하게 0.5보다 작고, 보다 바람직하게는 0.3보다 작으며, 그 보다 바람직하게는 0.2보다 작을 수 있다. 상술한 바와 같이, 코팅된 ITO는 시트 저항 및 가시광성 투과율이 감소될 수 있다. 즉, 특정 실시예들에서 시트 저항은 약 70옴(ohms)/스퀘어(square)(Ω/□)보다 낮게 감소될 수 있고, 보다 바람직하게는 약 50옴(ohms)/스퀘어(square)(Ω/□)보다 낮게 감소될 수 있으며, 반면 ITO(및/또는 그것과 관련하여 제공된 다른 추가적인 층)은 적어도 약 70%가 될 수 있으며, 보다 바람직하게는 적어도 약 75%, 또한 보다 바람직하게는 적어도 약 80%가 될 수 있다.
층(layer), 필름 또는 물질은 다른 층, 필름 또는 물질 "상에(on)" 있거나, 다른 층, 필름 또는 물질"에 의해 지지될(supported by)" 수 있으며, 다른 추가적인 층, 필름 및/또는 물질은 그것들 사이에 제공될 수 있다. 다시 말해, 층, 필름 또는 물질은 서로 옆에 직접적으로 위치되는 두 개의 층, 필름 또는 물질없이 다른 층, 필름 또는 물질 "상에(on)" 또는 다른 층, 필름 또는 물질"에 의해 지지될(supported by)" 수 있다.
또한, 특정 실시예들은 터치 패널 디스플레이와 관련하여 설명되어 있으나, 여기에 기재된 기술은 다른 어플리케이션에 적용될 수 있다. 예를 들어, 중간 필름을 증착하는 기술은 직접 또는 간접적으로 기판상에 실질적으로 아산화된 ITO 및/또는 금속-모드 인듐주석 필름을 포함하고, 그 후에 다양한 어플리케이션과 관련하여 이용될 수 있는 ITO를 포함하는 결과물인 필름을 제조하기 위하여 중간 필름을 열처리하는 것을 포함한다.
도면에서 다양한 층들로 나타낸 상기 물질들은 본 발명의 특정 실시예들에서 선호하는 물질이 될 수 있으나, 명확히 청구되지 않은 경우에는 한정되지 않는다. 다른 물질은 본 발명의 대안적인 실시예들에서 도면에 나타난 물질을 변경하여 이용될 수 있다. 게다가, 본 발명의 선택적인 실시예들에서 특정 층들은 제거될 수 있고, 다른 층들이 추가될 수 있다. 또한, 도시된 두께는 명확히 청구되지 않은 경우에는 한정되지 않는다.
본 발명은 가장 실용적이고 바람직한 실시예와 관련하여 기재되었으나, 본 발명은 개시된 실시예에 한정되지 않으며, 반대로 첨부된 청구항들의 사상 및 범위 내에 포함된 다양한 변형 및 동등한 방식으로 보호될 수 있음이 이해되어야 한다.
100 : 터치 패널 어셈블리
102 : 유리 기판
104 : 제1 투명 도전성 산화물층
106 : 스페이서
108 : 플렉서블한 플라스틱 필름
110 : 하트코트
112 : 제2 투명 도전성 산화물출
114 : LCD

Claims (21)

  1. 코팅된 아티클(coated article)의 제조 방법에 있어서,
    실질적으로 투명한 기판을 제공하는 단계;
    인듐-주석(InSn) 타켓을 통해 상기 기판상에 직접 또는 간접적으로, 실질적으로 아산화된(sub-oxidized) 인듐주석산화물(ITO) 및/또는 금속-모드 인듐주석 필름을 스퍼터링하는 단계 - 상기 스퍼터링하는 단계는 실온 또는 실온에 가까운 온도에서 수행됨 - ; 및
    상기 실질적으로 아산화된 ITO 및/또는 금속-모드 인듐주석 필름의 층이 실질적으로 투명하고 전기적 도전성 결정성 결과물인 ITO 필름으로 변형되도록 상기 실질적으로 아산화된 ITO 및/또는 금속-모드 인듐주석 필름을 열처리하는 단계
    를 포함하는 코팅된 아티클의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 환원 철(reduced iron) 소다-석회(soda-lime) 플로트 유리(float glass)인 코팅된 아티클의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 스퍼터링하는 단계에 따라 상기 실질적으로 아산화된 인듐주석산화물(ITO) 및/또는 금속-모드 인듐주석 필름은 비정질 또는 부분 결정성이 되는 코팅된 아티클의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 인듐-주석(InSn) 타겟은,
    인듐(In)/주석(Sn)의 중량비가 95/5 내지 80/20인 코팅된 아티클의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 결과물인 ITO 필름은,
    약 70옴(ohms)/스퀘어(square)(Ω/□)보다 작은 시트 저항을 갖는 코팅된 아티클의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 결과물인 ITO 필름은,
    약 50옴(ohms)/스퀘어(square)(Ω/□)보다 작은 시트 저항을 갖는 코팅된 아티클의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 열처리하는 단계는,
    적어도 약 600℃의 온도에서 상기 비정질 또는 상기 부분 결정성의 ITO 필름 또는 인듐주석 필름을 포함하는 상기 유리 기판을 열적으로 템퍼링(tempering)하는 것에 의해 더 실행되는 코팅된 아티클의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 열처리하는 단계는,
    약 600℃의 온도에서 상기 비정질 또는 상기 부분 결정성의 ITO 필름 또는 인듐주석 필름을 포함하는 상기 유리 기판을 가열 강화(heat strengthening)하는 것에 의해 더 실행되는 코팅된 아티클의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 기판과 상기 실질적으로 아산화된 인듐주석산화물(ITO) 및/또는 금속-모드 인듐주석 필름 사이에 버퍼층을 배치하는 단계
    를 더 포함하는 코팅된 아티클의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 버퍼층은,
    절연 물질을 포함하는 코팅된 아티클의 제조 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 기판과 상기 실질적으로 아산화된 인듐주석산화물(ITO) 및/또는 금속-모드 인듐주석 필름 사이에 실리콘 질화물을 포함하는 층(layer)을 배치하는 단계
    를 더 포함하는 코팅된 아티클의 제조 방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 결과물인 ITO 필름은,
    적어도 약 70%의 가시광선 투과율(visible transmission)을 갖는 코팅된 아티클의 제조 방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 결과물인 ITO 필름은,
    적어도 약 75%의 가시광선 투과율(visible transmission)을 갖는 코팅된 아티클의 제조 방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 실질적으로 아산화된 인듐주석산화물(ITO) 및/또는 상기 금속-모드 인듐주석 필름은,
    (InSn)xOy을 포함하고, 0<y<0.5, x=1-y인 코팅된 아티클의 제조 방법.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 실질적으로 아산화된 인듐주석산화물(ITO) 및/또는 상기 금속-모드 인듐주석 필름은,
    (InSn)xOy을 포함하고 0.1<y<0.3, x=1-y인 코팅된 아티클의 제조 방법.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 스퍼터링하는 단계는,
    실질적으로 순수 아르곤 분위기에서 실행하는 코팅된 아티클의 제조 방법.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 스퍼터링하는 단계는,
    0 내지 0.4, 보다 바람직하게는 0 내지 0.1의 산소-아르곤 비율을 갖는 분위기에서 실행되는 코팅된 아티클의 제조 방법.
  18. 코팅된 아티클의 제조 방법에 있어서,
    실질적으로 투명한 소다-석회(soda-lime) 플로트 유리 기판을 제공하는 단계;
    인듐-주석(InSn) 타겟을 통해 상기 기판상에 직접 또는 간접적으로 중간 필름을 스퍼터링하는 단계 - 상기 중간 필름은 실질적으로 아산화된(sub-oxidized) 인듐주석산화물(ITO) 및/또는 금속-모드 인듐주석 필름을 포함하고, 상기 스퍼터링하는 단계는 실온 또는 실온에 가까운 온도에서 실행됨 - ;
    상기 중간 필름과 함께 상기 기판을 가열 강화 또는 열적으로 템퍼링하여 전기적 도전성 결정성 결과물인 ITO 필름을 제조하는 단계
    를 포함하고,
    상기 중간 필름은 (InSn)xOy를 포함하고, 0<y<0.5, x=1-x이며,
    상기 스퍼터링하는 단계는 0 내지 0.4, 보다 바람직하게는 0 내지 0.1의 산소-아르곤 비율을 갖는 분위기에서 실행되는 코팅된 아티클의 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 기판과 상기 중간 필름 사이에 절연 버퍼층을 배치하는 단계
    를 더 포함하는 코팅된 아티클의 제조 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 절연 버퍼층을 포함하는 상기 결과물인 ITO 필름은,
    적어도 약 70%의 가시광선 투과율(visible transmission)을 갖는 코팅된 아티클의 제조 방법.
  21. 터치 패널 디스플레이 시스템의 제조 방법에 있어서,
    디스플레이 패널을 제공하는 단계; 및
    ITO 코팅을 포함하는 코팅된 아티클을 제공하는 단계 - 상기 코팅된 아티클은 인듐-주석(InSn) 타겟을 통해 기판상에 직접 또는 간접적으로 스퍼터링된 중간 필름을 포함하고, 상기 중간 필름은 실질적으로 아산화된(sub-oxidized) 인듐주석산화물(ITO) 및/또는 금속-모드 인듐주석 필름을 포함하며, 상기 스퍼터링하는 단계는 실온 또는 실온에 가까운 온도에서 수행되고, 상기 기판 및 상기 중간 필름은 열처리되어 전기적 도전성 결정성의 결과물인 ITO 필름을 제조함 - ;
    을 포함하고
    상기 중간 필름은 (InSn)xOy를 포함하며, 0<y<0.5, x=1-y이고,
    상기 스퍼터링하는 단계는 0 내지 0.4, 보다 바람직하게는 0 내지 0.1의 산소-아르곤 비율을 갖는 분위기에서 실행되는 터치 패널 디스플레이 시스템의 제조 방법.
KR1020117003074A 2008-11-18 2009-10-13 터치 패널 디스플레이 어셈블리에 이용하기 위한 ｉｔｏ 코팅된 아티클, 및/또는 그의 제조 방법 KR20110098706A (ko)

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