KR101492215B1 - RF/DC 동시인가 마그네트론 스퍼터링법을 이용한 ITO:Ce 초박막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 터치 패널 - Google Patents

RF/DC 동시인가 마그네트론 스퍼터링법을 이용한 ITO:Ce 초박막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 터치 패널 Download PDF

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Abstract

본 발명은 터치 패널에 이용되는 투명 전도성 초박막에 관한 것으로, 투명기판; 및 20 ~ 40 nm 의 두께, 50 ~ 150 Ω/sq 의 표면저항을 지니는 투명 전도성 초박막;으로 구성되는 투명 전도성 필름 및 이를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 패널을 제공한다. 상기 투명 전도성 초박막은 전자기장을 이용해 기판 부근의 플라즈마 밀도 및 스퍼터 원자의 확산에너지를 증가시켜 투명 전도성 초박막의 결정성 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있으며, 산화세륨을 포함함에 따라 매우 얇은 두께에서도 낮은 면저항을 나타내는 특성을 나타내어 터치 패널용으로 적용 가능한 장점을 제공한다.

Description

RF/DC 동시인가 마그네트론 스퍼터링법을 이용한 ITO:Ce 초박막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 터치 패널{ULTRATHIN ITO:Ce FILM DEPOSITED BY RF SUPERIMPOSED DC MAGNETRON SPUTTERING, A PREPARATION METHOD OF THE FILM AND A TOUCH PANEL INCLUDING THE SAME}
본 발명은 터치 패널에 이용되는 투명 전도성 초박막에 관한 것으로, 세륨산화물이 첨가되고 RF/DC 동시인가 마그네트론 스퍼터링법을 이용해 제조하는 터치 패널용 고품질 투명 전도성 초박막 및 이를 포함하는 터치 패널에 관한 것이다.
평판 디스플레이는 급속한 발전에 힘입어 TV, 노트북, 모바일 기기 등 정보 디스플레이 분야의 거의 대부분을 차지해왔다. 하지만 최근 스마트폰 산업이 발전함에 따라 정보 디스플레이 분야에서 디스플레이용 터치 스크린 패널(Touch Screen Panel, TSP)이 차지하는 비중 및 중요성이 급격히 증가하고 있으며, 고감도, 고해상도를 가지는 디스플레이용 터치 스크린 패널(TSP) 기술에 대한 요구 역시 증가하고 있다.
이러한 요구에 따라 차세대 디스플레이로 주목받고 있는 디스플레이용 터치 스크린 패널(TSP)은 저항막 방식, 정전용량 방식, 적외선 방식 및 초음파 방식 등의 다양한 방식이 있다. 그 중 정전용량 방식은 고투과율과 내구성, 고감도 등의 장점으로 최근 iphone(APPLE사)에 탑재되면서 디스플레이용 터치 스크린 패널(TSP)은 시장에서 그 비율이 증가하고 있는 추세에 있다. 정전용량 방식의 터치 스크린 패널(TSP)은 그 구성요소 중 커버렌즈가 32%로 가장 큰 원가비중을 차지하고 있고, 이를 제외한 나머지 구성요소 중 ITO 필름이 약 40%정도로 두 번째로 높은 원가비중을 차지하고 있다.
정전용량 방식의 터치 스크린 패널(TSP)은 멀티터치를 인식하기 위해서 반드시 ITO 박막에 패턴이 들어가게 되며, 처리해야 할 용량이 많아져 저저항이 요구된다. 또한 기존의 Flat Panel Display에 사용되고 있는 150~200nm 두께의 ITO 박막은 터치 스크린 패널(TSP)용으로 그대로 적용하기 어려우며, 약 30nm 이하의 매우 얇은 두께의 ITO 초박막의 증착이 요구된다.
일반적으로 휴대용 전화기와 같은 작은 면적의 디스플레이 기기의 경우 약 300 Ω/sq 이하의 면저항이 요구되나, TV 등의 대형 디스플레이 기기의 경우 약 100 Ω/sq이하, 60인치 이상의 디스플레이 기기의 경우 약 10 Ω/sq 이하의 면저항이 요구되는 것으로 알려져 있다. 하지만 ITO 박막의 면저항을 낮추기 위해서는 그 두께가 두꺼워지고, 이는 전체적인 가시광 투과율을 감소시키며, ITO를 패터닝 한 후에 ITO층과 언더코팅층 사이의 굴절률 차이를 유발함으로 인하여 시인성이 심각하게 떨어지는 문제점이 발생한다.
상기와 같은 문제점으로 인해 최근 터치 산업에서는 30nm 이하의 매우 얇은 두께의 ITO 초박막의 면저항을 낮추기 위한 연구가 활발히 진행 중에 있다.
이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하고자, 매우 얇은 두께를 지니면서도 낮은 면저항을 나타내는 고품질의 터치 패널용 투명 전도성 초박막, 이를 포함하는 투명 전도성 필름 및 터치 패널을 제공하는 것을 그 해결과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명은,
투명기판; 및 20 ~ 40 nm 의 두께, 50 ~ 150 Ω/sq 의 표면저항을 지니는 투명 전도성 초박막;으로 구성되는 투명 전도성 필름을 제공한다.
또한 본 발명은 상기 투명 전도성 필름상에 증착되는 투명 전도성 초박막은 RF/DC 동시인가 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 증착되고, 상기 투명 전도성 초박막의 증착시 RF 및 DC POWER는 각각 0 ~ 70W 이고, RF/(DC+RF) 비율(%)은 30 ~ 70%인 것을 특징으로 하는 투명 전도성 필름의 제조방법을 제공한다.
또한 본 발명은 상기 투명 전도성 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 패널을 제공한다.
본 발명에 따르면, 상기 투명 전도성 필름은 전자기장을 이용해 기판 부근의 플라즈마 밀도 및 스퍼터 원자의 확산에너지를 증가시켜 투명 전도성 초박막의 결정성 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있으며, 산화세륨을 포함함에 따라 매우 얇은 두께에서도 낮은 면저항을 지니는 특성을 나타내어 터치 패널용으로 적용 가능한 장점을 제공한다.
도 1은 본 발명에 사용된 고밀도 플라즈마 스퍼터링 시스템(RF/DC MATCHING BOX)의 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전도성 초박막의 면저항을 측정한 결과를 나타낸 도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전도성 초박막의 광학적 투과율을 나타낸 도이다.
이하 본 발명을 자세히 설명한다.
일 양태로서 본 발명은 투명기판, 투명 전도성 초박막이 순차적으로 적층되는 투명 전도성 필름을 제공한다.
본 발명에 있어서 상기 투명기판은 특별히 제한되지 않으나, 바람직하게는 유리기판, 강화유리기판, 폴리에스테르 수지, 아세테이트 수지, 폴리에테르 술폰산 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리비닐 염화 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리비닐 알코올 수지, 폴리알릴레이트 수지, 폴리페닐린 황화물 수지, 폴리비닐리딘 염화물 수지 및 아크릴 수지를 들 수 있다. 으며, 이 중에서 유리기판, 강화유리기판, 폴리에스테르 수지, 폴리카보네이트 수지 및 폴리올레핀 수지를 사용하는 것이 가장 바람직하다.
상기 투명기판은 2 ~ 200 ㎛ 인 것이 바람직하다. 상기의 두께범위를 만족하는 경우에 투명 전도성 필름으로서 적절한 투명성, 내찰상성 및 내굴곡성 등의 물리적인 특성을 지닐 수 있다.
본 발명에 있어서 상기 투명 전도성 초박막의 재료는 특별히 제한되지 않으나, 바람직하게는 인듐-주석-세륨 복합 산화물로 특정량의 산화주석(SnO2), 산화세륨(Ce02) 및 잔량의 산화인듐(In2O3)을 함유하는 복합 산화물인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 복합 산화물에 있어서, 산화주석(SnO2)의 함량은 1 내지 20 wt% 인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 5 내지 10 wt% 의 함량을 갖는다. 상기 산화주석(SnO2)의 함량이 20 wt% 를 초과하는 경우 투명 전도성 초박막의 결정성이 저하되어 투명도 및 전기전도성의 감소를 야기하는 문제점이 있어 바람직하지 못하다.
또한 상기 복합 산화물에 있어서, 산화세륨(Ce02)의 함량은 0.5 내지 5 wt% 인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 1 내지 3 wt% 의 함량을 갖는다. 상기 산화세륨(Ce02)의 함량이 0.5 wt% 이하인 경우 캐리어 밀도의 증가에 따른 전기적 특성의 향상효과가 부족하게 되는 문제점이 있고, 5 wt% 를 초과하는 경우 불순물 함량이 과도함에 따라 오히려 캐리어 밀도가 감소되어 전기적 특성이 저하되는 문제점이 있다.
상기 투명 전도성 초박막의 두께는 20 내지 40 nm 의 범위를 갖는 것이 적절하다. 두께가 20nm 미만인 경우 연속적인 초박막을 얻기가 어렵고 표면 저항치가 너무 높아지기 쉬운 문제점이 있고, 40 nm 를 초과하는 경우 투명 전도성 초박막의 가시광 투과율의 감소를 일으키는 문제점이 있어 바람직하지 못하다. 또한 상기 투명 전도성 초박막은 상기 두께 범위에서 50 내지 150 Ω/sq 의 표면저항을 나타내며, 바람직하게는 50 내지 100 Ω/sq 의 표면저항을 나타낸다.
또한 본 발명에 있어서 상기 투명 전도성 초박막은 4.00×1020 ~ 7.00×1020 ㎤ 의 캐리어 밀도 및 30.0 ~ 45.0 ㎠/V·s 의 홀 이동도를 나타내며, 더욱 바람직하게는 4.50×1020 ~ 6.00×1020 ㎤ 의 캐리어 밀도 및 35.0 ~ 40.0 ㎠/V·s 의 홀 이동도를 나타내는 것을 특징으로 할 수 있다. 투명 전도성 초박막의 캐리어 밀도 및 홀 이동도가 상기의 범위 내로 조절되는 경우 전기적 특성이 향상된 고품질의 터치 패널용 투명 전도성 초박막을 얻을 수 있다.
본 발명에 따른 상기 투명 전도성 초박막은 550nm의 파장을 기준으로 80% 이상의 광투과율을 나타내며, 더욱 바람직하게는 85% 이상의 광투과율을 나타내는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 투명 전도성 필름상에 증착되는 투명 전도성 초박막은 RF/DC 동시인가 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 증착되는 것을 특징으로 할 수 있다. RF/DC 동시인가 마그네트론 스퍼터링법에 의하는 경우, 투명기판 부근의 플라즈마 밀도 및 스퍼터 원자의 확산에너지를 증가시켜, 증착된 투명 전도성 초박막의 결정성 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 장점을 나타낸다.
상기 RF/DC 동시인가 마그네트론 스퍼터링 방법에 의해 투명 전도성 초박막을 증착함에 있어서, RF 및 DC POWER는 각각 0 내지 70 W 이고, 더욱 바람직하게는 20 내지 50 W 의 POWER를 갖는다. 또한 RF/(DC+RF) 비율(%)은 10 내지 90% 이며, 바람직하게는 30 내지 70%, 더욱 바람직하게는 40 내지 60%의 비율을 갖는다. RF/(DC+RF) 비율(%)이 상기 범위 내로 조절되는 경우 비저항, 면저항, 캐리어 밀도 및 홀 이동도 등의 전기적 특성이 향상된 고품질의 터치 패널용 투명 전도성 초박막을 얻을 수 있다.
또한 상기 RF/DC 동시인가 마그네트론 스퍼터링 방법에 의해 투명 전도성 초박막을 증착함에 있어서, 상기 투명기판의 기판온도는 100 내지 350 ℃ 인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 200 내지 350 ℃의 기판온도를 갖는다. 투명기판의 기판온도가 상기 하한에 이르지 못하는 경우 투명기판에 도달하는 스퍼터 원자들의 이동도가 감소하고, 그 결과 이들 원자들 사이의 상호작용이 감소하여 비정질 형태의 박막이 형성되는 문제점이 있고, 상기 상한을 초과하는 경우 투명기판으로 사용되는 강화유리 또는 고분자 수지의 물리적 손상을 초래하여 투명기판내의 불순물이 확산됨에 따라 투명 전도성 필름의 물리적 성질 전반이 저하되는 문제점이 있어서 바람직하지 못하다.
또한 본 발명에 따른 투명 전도성 필름은 하기 수학식 1에 따르는 것을 특징으로 할 수 있다.
[수학식 1]
-0.5 ≤
Figure 112013068064877-pat00001
≤ -0.25
상기 수학식 1에서,
ω1은 투명기판의 온도가 A 인 조건에서 증착된 투명 전도성 초박막의 표면저항을 나타내고, ω2은 투명기판의 온도가 B 인 조건에서 증착된 투명 전도성 초박막의 표면저항을 나타내며, ΔT는 A 와 B 간의 온도차를 나타내고, 상기 A 및 B는 각각 350℃, 200℃ 이다.
본 발명에 따른 RF/DC 동시인가 마그네트론 스퍼터링 방법에 의한 투명 전도성 초박막의 증착에 있어서, 스퍼터링 가스로는 아르곤 단일 가스를 사용하였으며, 초기진공도는 1.0×10-5 Torr까지 형성하고, 원하는 공정 압력에 도달하면 먼저 RF generator에 전압을 인가하여 플라즈마를 형성시킨 뒤 DC 전압을 인가하였다. 또한, Pre-sputtering을 5분간 수행하여 타겟 표면의 오염물질을 제거하고 플라즈마를 안정화 시킨 후 타겟 조성과 증착되는 박막의 조성이 평형상태가 되도록 하였으며, 스퍼터링 과정에서 투명기판을 회전시켜 전체적으로 균일한 두께의 투명 전도성 초박막이 증착 되도록 하였다.
본 발명에 따른 투명 전도성 필름은 필요에 따라, 투명기판의 외부표면에 시인성의 향상을 위한 안티글레어층 및 안티반사층, 외부표면의 보호를 목적으로 한 하드코팅 처리된 층을 포함할 수 있으며, 상기 하드코팅층은 멜라민 수지, 우레탄 수지, 알카이드 수지, 아크릴 수지 및 실리콘 수지 등이 바람직하게 사용될 수 있다.
또한 본 발명의 다른 양태로서, 본 발명은 상기 투명 전도성 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 패널을 제공한다.
이하, 본 발명을 실시예를 들어 보다 상세히 설명하나, 본 발명의 권리범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
<실시예>
하기 실시예 및 비교예의 막두께는 Reflectometer(케이맥사, ST-2000)를 사용하여 측정하였다.
실시예 1 내지 6
70㎛의 두께를 가지는 투명유리기판(Corning사, E2000)의 일면에 대하여, 인듐-주석-세륨 복합 산화물을 포함하는 투명 도전성 초박막을 RF/DC 동시인가 마그네트론 스퍼터링 방법에 의해 증착하여 투명 전도성 필름을 제조하였다. 실시예 1 내지 6에 있어서의 스퍼터링 조건, 투명 전도성 초박막의 조성 및 두께는 아래 표 1에 정리된 바와 같다.

항목		 스퍼터링조건 투명 전도성 초박막
DC
POWER
(W)		 RF
POWER
(W)		 RF/
(DC+RF)
(%)		 기판온도
(℃)		 SnO2함량
(wt%)		 CeO2함량
(wt%)		 두께
(nm)
실시예 1 35 35 50 200 10 1 30
실시예 2 35 35 50 300 10 1 30
실시예 3 35 35 50 350 10 1 30
실시예 4 35 35 50 200 10 3 30
실시예 5 35 35 50 300 10 3 30
실시예 6 35 35 50 350 10 3 30
비교예 1 내지 4
70㎛의 두께를 가지는 투명유리기판(Corning사, E2000)의 일면에 대하여, 인듐-주석 복합 산화물 또는 인듐-주석-세륨 복합 산화물을 포함하는 투명 도전성 초박막을 RF/DC 동시인가 마그네트론 스퍼터링 방법에 의해 증착하여 투명 전도성 필름를 제조하였다. 비교예 1 내지 4에 있어서의 스퍼터링 조건, 투명 전도성 초박막의 조성 및 두께는 아래 표 2에 정리된 바와 같다.

항목		 스퍼터링조건 투명 전도성 초박막
DC
POWER
(W)		 RF
POWER
(W)		 RF/
(DC+RF)
(%)		 기판온도
(℃)		 SnO2함량
(wt%)		 CeO2함량
(wt%)		 두께
(nm)
비교예 1 35 35 50 200 10 0 30
비교예 2 35 35 50 200 10 5 30
비교예 3 35 35 50 25 10 1 30
비교예 4 35 35 50 25 10 3 30
<실험예>
1. 전기적 특성 시험
상기 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4에서 제조된 투명 전도성 필름 의 전기적 특성을 시험하기 위하여, 비저항, 캐리어 밀도, 홀 이동도 및 면저항을 Hall effect measurement(ECOPIA사, HMS-3000)를 사용하여 측정하였다.
도 2는 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4에서 제조된 투명 전도성 필름의 면저항을 측정한 결과를 나타낸 도이다. 도 2를 참조하면, 산화세륨이 특정함량으로 첨가하고, 스퍼터링시 투명기판의 온도를 증가시킴에 따라 면저항이 낮아지는 특성을 나타냄을 확인할 수 있다. 이는 인듐원자에 비하여 결합에너지가 강한 세륨원자의 첨가로 인해 추가적인 산소공공이 발생하고, 투명기판의 온도가 증가함에 따라 증착된 투명 전도성 초박막의 결정화되면 활성화 되지 못했던 주석원자와 인듐원자의 치환이 활성화되어 다수의 캐리어 전자를 생성하여, 전반적으로 캐리어 밀도가 증가됨에 따라 전기적 특성이 향상되는 것으로 판단된다.
상기 실험예에 관한 결과를 하기 표 3에 정리하여 나타내었다.

항목
 비저항
(×10-4Ω·㎝)		 캐리어밀도
(×1020/㎝3)		 홀이동도
(㎝2/V·s)		 면저항
(Ω/sq)
실시예 1 4.60 4.16 31.4 153.3
실시예 2 3.30 4.77 36.0 110.0
실시예 3 2.40 5.92 43.0 80.0
실시예 4 3.28 5.43 34.1 109.3
실시예 5 2.35 6.31 42.3 78.3
실시예 6 2.00 6.73 45.1 66.7
비교예 1 4.80 3.20 40.2 160.0
비교예 2 5.79 3.64 29.5 193.0
비교예 3 6.19 2.60 38.5 206.3
비교예 4 5.99 2.12 48.9 199.7
표 3을 참조하면, 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4의 비교를 통하여, 스퍼터링시 투명기판의 온도가 200 내지 350℃의 범위로 조절되는 경우 전기적 특성이 향상됨을 확인할 수 있다. 이는 투명기판에 열처리를 가함으로써 비정질이었던 초박막을 결정화시키게 되면, 활성화 되지 못했던 주석원자와 인듐원자의 치환이 활성화되어 다수의 캐리어 전자를 생성하여 그 전기적 특성이 향상되는 결과로 판단된다.
또한 실시예 1, 4 및 비교예 1, 2의 비교를 통하여, 산화세륨의 함량이 1 내지 3 wt%의 범위로 조절되는 경우 전기적 특성이 향상됨을 확인할 수 있다. 이는 인듐원자에 비하여 결합에너지가 강한 세륨원자의 첨가로 인해 추가적인 산소공공이 발생하여 캐리어 밀도의 증가에 기인한 결과로 판단된다.
3. 광투과도의 측정
상기 실시예 4 내지 6 및 비교예 4에서 제조된 투명 전도성 필름의 광투과도를 UV-Visible spectrophotometer(Agilent사, HP 8453)를 사용하여 측정하였다.
상기 실험예에 관한 결과를 하기 표 4에 정리하여 나타내었다.

항목		 스퍼터링조건 투명 전도성 초박막 광학적 특성
RF/
(DC+RF)
(%)		 기판온도
(℃)		 SnO2함량
(wt%)		 CeO2함량
(wt%)		 광투과도
(%)
비교예 4 50 25 10 3 83.2
실시예 4 50 200 10 3 86.3
실시예 5 50 300 10 3 86.5
실시예 6 50 350 10 3 86.4
표 4를 참조하면, 투명기판의 온도가 증가함에 따라 광투과도가 증가되며, 특히 스퍼터링시 투명기판의 온도를 350℃로 한 실시예 6의 경우 상온에서 스퍼터링 한 비교예 4에 비하여 가시광 투과율이 약 3% 증가되었음을 확인할 수 있다.
상기에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 투명 전도성 필름의 경우 매우 얇은 두께의 투명 전도성 초박막이 증착되었음에도 불구하고 매우 우수한 전기적 특성 및 광학적 특성을 나타내고 있음을 확인할 수 있다.
이상에서 본 발명을 실시예를 중심으로 설명하였으나, 해당 분야의 통상의 기술자의 수준에서 다양한 변경을 가할 수 있음은 물론이며, 본 발명의 권리범위는 상기 실시예에 한정하여 해석될 수 없고, 이하에서 기재하는 특허청구범위에 의하여 해석되어야 한다.

Claims (8)

  1. 투명기판 및 투명 전도성 초박막으로 구성되는 투명 전도성 필름의 제조방법에 있어서,
    상기 투명기판은 200∼350℃의 범위로 가열되고, 상기 투명 전도성 초박막은 RF 및 DC POWER 각각 0~70W이고, RF/(DC+RF) 비율(%)이 30~70%인 RF/DC 동시인가 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 상기 가열된 투명기판 상에 증착되며,
    상기 증착된 투명 전도성 초박막은 SnO2의 함량이 5~10wt%이고, CeO2 함량은 1~3%인 인듐-주석-세륨의 복합 산화물로서, 20~40nm의 두께에서 50~150Ω/sq의 표면저항을 나타내고, 4.00×1020∼7.00×1020㎤의 캐리어 밀도 및 30.0∼45.0㎠/V.s의 홀 이동도를 나타내며,
    상기 투명 전도성 초박막의 증착시 투명기판의 온도는 하기 수학식 1에 따르는 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 필름의 제조방법 :
    [수학식 1]
    -0.5 ≤
    Figure 112014085523901-pat00006
    ≤ -0.25
    상기 수학식 1에서,
    ω1 = 투명기판의 온도가 A ℃인 조건에서 증착된 투명 전도성 초박막의 표면저항
    ω2 = 투명기판의 온도가 B ℃인 조건에서 증착된 투명 전도성 초박막의 표면저항
    ΔT = A - B
    A = 350℃
    B = 200℃
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명기판은 유리기판, 강화유리기판, 폴리에스테르 수지, 아세테이트 수지, 폴리에테르 술폰산 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리비닐 염화 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리비닐 알코올 수지, 폴리알릴레이트 수지, 폴리페닐린 황화물 수지, 폴리비닐리딘 염화물 수지 및 아크릴 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 필름의 제조방법
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명 전도성 필름은 550 nm의 파장을 기준으로 80% 이상의 광투과율을 지니는 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 필름의 제조방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는, 투명 전도성 필름.
  5. 제 4 항에 따른 투명 전도성 필름을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치 패널.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100606214B1 (ko) 1998-01-20 2006-07-28 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 전극 조립체 및 그 제조 방법
KR100669064B1 (ko) 1999-02-24 2007-01-15 데이진 가부시키가이샤 투명 도전 적층체, 그의 제조방법 및 그것을 사용한표시소자

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