JPH06316442A - 導電性を有する多層反射防止膜 - Google Patents
導電性を有する多層反射防止膜Info
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- JPH06316442A JPH06316442A JP3996994A JP3996994A JPH06316442A JP H06316442 A JPH06316442 A JP H06316442A JP 3996994 A JP3996994 A JP 3996994A JP 3996994 A JP3996994 A JP 3996994A JP H06316442 A JPH06316442 A JP H06316442A
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- multilayer antireflection
- tin oxide
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
Abstract
(57)【要約】
【構成】ガラス基板側からλo ／４の第１層膜、λ0 ／
４の第２層膜を順次積層した多層反射防止膜において、
前記第２層膜は高屈折率膜と低屈折率膜の組合わせから
なる積層膜であり、かつ、ガラス基板側から最も外側の
膜は導電性を有する膜である導電性を有する多層反射防
止膜。 【効果】透過率が高く、生産性の高い常圧ＣＶＤ法で製
膜可能であり、タッチパネルなどに有用である。
４の第２層膜を順次積層した多層反射防止膜において、
前記第２層膜は高屈折率膜と低屈折率膜の組合わせから
なる積層膜であり、かつ、ガラス基板側から最も外側の
膜は導電性を有する膜である導電性を有する多層反射防
止膜。 【効果】透過率が高く、生産性の高い常圧ＣＶＤ法で製
膜可能であり、タッチパネルなどに有用である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はタッチパネルや太陽電
池等の電気部品の窓層部材として用いられる導電性を有
する多層反射防止膜に関する。
池等の電気部品の窓層部材として用いられる導電性を有
する多層反射防止膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ガラスなどの透明光学部材を液晶
表示素子、プラズマ表示パネルなどの電気光学素子、太
陽電池等の光電変換素子またはタッチパネルなどに直接
あるいは間接的に窓層部材として用いる場合には、視認
性や変換効率を向上させることが重要であった。このた
め、これら光学部材表面での反射損失を低減して透過率
を向上させる方法として、表面に反射防止膜を設けて部
材背面側への透過光量を高めることが知られている。
表示素子、プラズマ表示パネルなどの電気光学素子、太
陽電池等の光電変換素子またはタッチパネルなどに直接
あるいは間接的に窓層部材として用いる場合には、視認
性や変換効率を向上させることが重要であった。このた
め、これら光学部材表面での反射損失を低減して透過率
を向上させる方法として、表面に反射防止膜を設けて部
材背面側への透過光量を高めることが知られている。
【０００３】反射防止膜の膜構成は従来から光干渉を利
用した単層または２層以上の多層膜からなり、ＴｉＯ
2 、ＺｒＯ2 、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 などの電気絶縁性
材料が用いられており、導電性を付与した多層反射防止
膜に関する例は少ない。
用した単層または２層以上の多層膜からなり、ＴｉＯ
2 、ＺｒＯ2 、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 などの電気絶縁性
材料が用いられており、導電性を付与した多層反射防止
膜に関する例は少ない。
【０００４】一方、導電性を与えるための透明かつ高屈
折率で導電性を有する薄膜材料としてはＩＴＯ、酸化ス
ズ、酸化亜鉛が知られている。ＩＴＯ、酸化亜鉛は主と
して真空蒸着法あるいはスパッタ法などの真空を用いた
方法で製膜される。一方、酸化スズについては、真空法
は光学的／電気的特性の制御性が悪いため、一般的には
粉末あるいは液体原料を用いたスプレー法あるいは原料
を気化させるＣＶＤ法など大気圧下の熱分解反応を用い
ることが知られている。
折率で導電性を有する薄膜材料としてはＩＴＯ、酸化ス
ズ、酸化亜鉛が知られている。ＩＴＯ、酸化亜鉛は主と
して真空蒸着法あるいはスパッタ法などの真空を用いた
方法で製膜される。一方、酸化スズについては、真空法
は光学的／電気的特性の制御性が悪いため、一般的には
粉末あるいは液体原料を用いたスプレー法あるいは原料
を気化させるＣＶＤ法など大気圧下の熱分解反応を用い
ることが知られている。
【０００５】すなわち、前述のように膜材料によって最
適な製膜法が異なり、膜材料によって数種類の製膜装置
を備えることは設備費および生産性に大きく影響し、コ
スト面で大きな障害となる。
適な製膜法が異なり、膜材料によって数種類の製膜装置
を備えることは設備費および生産性に大きく影響し、コ
スト面で大きな障害となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、低コストで
効率よく製造される生産性の高い電気光学素子用、光電
変換素子用あるいはタッチパネル用の新規な透明導電性
多層反射防止膜の提供を目的とする。
効率よく製造される生産性の高い電気光学素子用、光電
変換素子用あるいはタッチパネル用の新規な透明導電性
多層反射防止膜の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガラス基板側
からλo ／４の第１層膜、λ0 ／４の第２層膜を順次積
層した多層反射防止膜において、前記第２層膜は高屈折
率膜と低屈折率膜の組合わせからなる積層膜であり、か
つ、ガラス基板側から最も外側の膜は導電性を有する膜
であることを特徴とする導電性を有する多層反射防止膜
である。
からλo ／４の第１層膜、λ0 ／４の第２層膜を順次積
層した多層反射防止膜において、前記第２層膜は高屈折
率膜と低屈折率膜の組合わせからなる積層膜であり、か
つ、ガラス基板側から最も外側の膜は導電性を有する膜
であることを特徴とする導電性を有する多層反射防止膜
である。
【０００８】本発明の多層反射防止膜の製膜法は、真空
蒸着法、スパッタ法、スプレー法、液相のゾルゲル法な
どいろいろな方法が可能であるが、設備費が安価で生産
性の高い常圧ＣＶＤ法が好ましい。
蒸着法、スパッタ法、スプレー法、液相のゾルゲル法な
どいろいろな方法が可能であるが、設備費が安価で生産
性の高い常圧ＣＶＤ法が好ましい。
【０００９】本発明における第１層膜は、導電性材料で
も非導電性材料でもよいが、絶縁性に近い特性であるこ
とが望ましい。すなわち、電気光学素子、光電変換素子
またはタッチパネルの窓層部材用に用いられる場合に
は、最外層に導電性が要求されるが、この最外層の導電
性に影響を及ぼさないようにすることが重要である。
も非導電性材料でもよいが、絶縁性に近い特性であるこ
とが望ましい。すなわち、電気光学素子、光電変換素子
またはタッチパネルの窓層部材用に用いられる場合に
は、最外層に導電性が要求されるが、この最外層の導電
性に影響を及ぼさないようにすることが重要である。
【００１０】また、本発明において第２層膜に用いる導
電性を有する膜としては、酸化スズ、ＩＴＯまたは酸化
亜鉛などが挙げられる。
電性を有する膜としては、酸化スズ、ＩＴＯまたは酸化
亜鉛などが挙げられる。
【００１１】常圧下での製膜法で製膜しやすく光学的お
よび電気的特性を制御しやすいという観点から、第１層
膜に比較的導電性の低い酸化スズ、第２層膜は第１層膜
側から、低屈折率の酸化ケイ素および高屈折率かつ導電
性の酸化スズを順次積層する構成が好ましい。
よび電気的特性を制御しやすいという観点から、第１層
膜に比較的導電性の低い酸化スズ、第２層膜は第１層膜
側から、低屈折率の酸化ケイ素および高屈折率かつ導電
性の酸化スズを順次積層する構成が好ましい。
【００１２】本発明における第１層膜および第２層膜の
それぞれの膜厚ｄは、設計波長λoおよび屈折率ｎに対
して、λo ／４＝ｎｄを満足するように与えられる。設
計波長λo の範囲を３００〜８００ｎｍとすると、第１
層膜の膜厚は４０〜１００ｎｍ、また第２層膜における
酸化ケイ素の膜厚は５〜１４０ｎｍ、導電性酸化スズの
膜厚は５〜１００ｎｍが好ましい。特に、可視光線の反
射率を効果的に低減するには、設計波長λo をおよそ５
５０ｎｍにすることが好ましく、したがって、第１層膜
の膜厚が５０〜８０ｎｍ、また第２層膜における酸化ケ
イ素の膜厚が３０〜８０ｎｍ、導電性酸化スズが２０〜
６０ｎｍであることが好ましい。
それぞれの膜厚ｄは、設計波長λoおよび屈折率ｎに対
して、λo ／４＝ｎｄを満足するように与えられる。設
計波長λo の範囲を３００〜８００ｎｍとすると、第１
層膜の膜厚は４０〜１００ｎｍ、また第２層膜における
酸化ケイ素の膜厚は５〜１４０ｎｍ、導電性酸化スズの
膜厚は５〜１００ｎｍが好ましい。特に、可視光線の反
射率を効果的に低減するには、設計波長λo をおよそ５
５０ｎｍにすることが好ましく、したがって、第１層膜
の膜厚が５０〜８０ｎｍ、また第２層膜における酸化ケ
イ素の膜厚が３０〜８０ｎｍ、導電性酸化スズが２０〜
６０ｎｍであることが好ましい。
【００１３】本発明の多層反射防止膜のシート抵抗値は
特に限定されないが、電気光学素子、光電変換素子また
はタッチパネルの窓層部材用の用途としては、３００〜
５０００Ω／□であることが好ましく、特に、タッチパ
ネル用としては第１層膜のシート抵抗値が１０００Ω／
□以上、第２層膜における導電性酸化スズのシート抵抗
値が３００〜５０００Ω／□であることが好ましい。
特に限定されないが、電気光学素子、光電変換素子また
はタッチパネルの窓層部材用の用途としては、３００〜
５０００Ω／□であることが好ましく、特に、タッチパ
ネル用としては第１層膜のシート抵抗値が１０００Ω／
□以上、第２層膜における導電性酸化スズのシート抵抗
値が３００〜５０００Ω／□であることが好ましい。
【００１４】本発明による導電性多層反射防止膜をタッ
チパネルに応用するうえでタッチパネルの構成は特に限
定されないが、ガラスに当該導電性反射防止膜を被覆し
た基板上を導電性のペン等で接触することにより、縦方
向および横方向について導電膜端部から接触点までの抵
抗を測定して接触点の位置座標を検知するタイプのタッ
チパネル、または、ガラスに当該導電性反射防止膜を被
覆した基板上にスペーサを介して導電膜付きプラスチッ
クフィルムからなる電極を対向させて配置し、フィルム
側からペン等で押すことにより対向する導電膜を接触さ
せ、縦方向および横方向について導電膜端部から押し位
置間の抵抗を測定して押した位置の座標を検知するタイ
プのタッチパネルなどを用いることができる。
チパネルに応用するうえでタッチパネルの構成は特に限
定されないが、ガラスに当該導電性反射防止膜を被覆し
た基板上を導電性のペン等で接触することにより、縦方
向および横方向について導電膜端部から接触点までの抵
抗を測定して接触点の位置座標を検知するタイプのタッ
チパネル、または、ガラスに当該導電性反射防止膜を被
覆した基板上にスペーサを介して導電膜付きプラスチッ
クフィルムからなる電極を対向させて配置し、フィルム
側からペン等で押すことにより対向する導電膜を接触さ
せ、縦方向および横方向について導電膜端部から押し位
置間の抵抗を測定して押した位置の座標を検知するタイ
プのタッチパネルなどを用いることができる。
【００１５】
【作用】ガラス基板側からλo ／４の第１層膜、λ0 ／
４の第２層膜を順次積層し、この第２層膜は高屈折率膜
と低屈折率膜の組合わせからなる積層膜であり、かつ、
ガラス基板側から最も外側の膜は導電性を有する本発明
の多層反射防止膜は、導電性を有し、透過率が高く、視
認性の向上が要求される電気表示素子、光電変換素子ま
たはタッチパネルに有用である。
４の第２層膜を順次積層し、この第２層膜は高屈折率膜
と低屈折率膜の組合わせからなる積層膜であり、かつ、
ガラス基板側から最も外側の膜は導電性を有する本発明
の多層反射防止膜は、導電性を有し、透過率が高く、視
認性の向上が要求される電気表示素子、光電変換素子ま
たはタッチパネルに有用である。
【００１６】
［実施例１］ソーダライムガラスを５００℃に加熱し、
３ケ所に製膜部を有する常圧ＣＶＤ装置を用いて、四塩
化スズ、水およびメタノールを原料として膜厚６２ｎｍ
の第１層膜として酸化スズ膜（屈折率は２. ０）を形成
した。次に第２層膜として、モノシランおよび酸素を原
料として４６ｎｍの酸化ケイ素膜（屈折率は１. ４５）
を、四塩化スズ、水、メタノールおよびフッ酸を原料と
して２７ｎｍのフッ素を含有する酸化スズ膜（屈折率は
２. ０）を第１層膜の上に順次積層した。
３ケ所に製膜部を有する常圧ＣＶＤ装置を用いて、四塩
化スズ、水およびメタノールを原料として膜厚６２ｎｍ
の第１層膜として酸化スズ膜（屈折率は２. ０）を形成
した。次に第２層膜として、モノシランおよび酸素を原
料として４６ｎｍの酸化ケイ素膜（屈折率は１. ４５）
を、四塩化スズ、水、メタノールおよびフッ酸を原料と
して２７ｎｍのフッ素を含有する酸化スズ膜（屈折率は
２. ０）を第１層膜の上に順次積層した。
【００１７】この試料について透過率を測定したとこ
ろ、波長５５０ｎｍにおいて９４％であり、卓越した透
明性を示し、また反射率は５％であった。また、多層反
射防止膜のシート抵抗値は１０００Ω／□であった。
ろ、波長５５０ｎｍにおいて９４％であり、卓越した透
明性を示し、また反射率は５％であった。また、多層反
射防止膜のシート抵抗値は１０００Ω／□であった。
【００１８】［実施例２］ソーダライムガラスを５００
℃に加熱し、３ケ所に製膜部を有する常圧ＣＶＤ装置を
用いて、四塩化スズ、水、メタノールおよびフッ酸を原
料として膜厚６２ｎｍの第１層膜としてフッ素を含有す
る酸化スズ膜（屈折率は２. ０）を形成した。次に第２
層膜として、モノシランおよび酸素を原料として４６ｎ
ｍの酸化ケイ素膜（屈折率は１. ４５）を、四塩化ス
ズ、水、メタノールおよびフッ酸を原料として２７ｎｍ
の酸化スズ膜（屈折率は２. ０）を第１層膜の上に順次
積層した。
℃に加熱し、３ケ所に製膜部を有する常圧ＣＶＤ装置を
用いて、四塩化スズ、水、メタノールおよびフッ酸を原
料として膜厚６２ｎｍの第１層膜としてフッ素を含有す
る酸化スズ膜（屈折率は２. ０）を形成した。次に第２
層膜として、モノシランおよび酸素を原料として４６ｎ
ｍの酸化ケイ素膜（屈折率は１. ４５）を、四塩化ス
ズ、水、メタノールおよびフッ酸を原料として２７ｎｍ
の酸化スズ膜（屈折率は２. ０）を第１層膜の上に順次
積層した。
【００１９】この試料について透過率を測定したとこ
ろ、波長５５０ｎｍにおいて９５％であり、卓越した透
明性を示し、また反射率は５％であった。また、多層反
射防止膜のシート抵抗値は１０００Ω／□であった。
ろ、波長５５０ｎｍにおいて９５％であり、卓越した透
明性を示し、また反射率は５％であった。また、多層反
射防止膜のシート抵抗値は１０００Ω／□であった。
【００２０】［比較例１］ソーダライムガラスを５００
℃に加熱し、２ケ所に製膜部を有する常圧ＣＶＤ装置を
用いて、モノシランおよび酸素を原料として４０ｎｍの
酸化ケイ素膜および四塩化スズ、水、メタノールおよび
フッ酸を原料として２７ｎｍの酸化スズ膜を順次積層し
た。
℃に加熱し、２ケ所に製膜部を有する常圧ＣＶＤ装置を
用いて、モノシランおよび酸素を原料として４０ｎｍの
酸化ケイ素膜および四塩化スズ、水、メタノールおよび
フッ酸を原料として２７ｎｍの酸化スズ膜を順次積層し
た。
【００２１】この試料について透過率を測定したとこ
ろ、波長５５０ｎｍにおいて８９％であり、また反射率
は１１％であった。また、多層反射防止膜のシート抵抗
値は１０００Ω／□であった。
ろ、波長５５０ｎｍにおいて８９％であり、また反射率
は１１％であった。また、多層反射防止膜のシート抵抗
値は１０００Ω／□であった。
【００２２】［比較例２］ソーダライムガラスを５００
℃に加熱し、１ケ所に製膜部を有する常圧ＣＶＤ装置を
用いて、四塩化スズおよび水を原料として２７ｎｍの酸
化スズ膜を製膜した。
℃に加熱し、１ケ所に製膜部を有する常圧ＣＶＤ装置を
用いて、四塩化スズおよび水を原料として２７ｎｍの酸
化スズ膜を製膜した。
【００２３】この試料について透過率を測定したとこ
ろ、波長５５０ｎｍにおいて８６％であり、また反射率
は１０％であった。また、多層反射防止膜のシート抵抗
値は２０００Ω／□であった。
ろ、波長５５０ｎｍにおいて８６％であり、また反射率
は１０％であった。また、多層反射防止膜のシート抵抗
値は２０００Ω／□であった。
【００２４】
【発明の効果】本発明の多層反射防止膜は透過率が高
く、生産性の高い常圧ＣＶＤ法で製膜可能であり、視認
性の向上が要求される液晶表示素子、プラズマ表示など
の電気表示素子、変換効率の向上が要求される太陽電池
などの光電変換素子またはタッチパネルに有用である。
く、生産性の高い常圧ＣＶＤ法で製膜可能であり、視認
性の向上が要求される液晶表示素子、プラズマ表示など
の電気表示素子、変換効率の向上が要求される太陽電池
などの光電変換素子またはタッチパネルに有用である。
Claims (11)
- 【請求項１】ガラス基板側からλo ／４の第１層膜、λ
0 ／４の第２層膜を順次積層した多層反射防止膜におい
て、前記第２層膜は高屈折率膜と低屈折率膜の組合わせ
からなる積層膜であり、かつ、ガラス基板側から最も外
側の膜は導電性を有する膜であることを特徴とする導電
性を有する多層反射防止膜。 - 【請求項２】第１層膜および第２層膜が常圧ＣＶＤ法を
用いて製造されてなる請求項１の多層反射防止膜。 - 【請求項３】第１層膜が酸化スズであり、第２層膜が第
１層膜側から酸化ケイ素および導電性の酸化スズを順次
積層したものである請求項１または２の多層反射防止
膜。 - 【請求項４】第１層膜の酸化スズおよび／または第２層
膜中の酸化スズは、水、メタノールおよびフッ酸から選
ばれる少なくとも１種と、塩化スズとを原料として形成
されるものである請求項３の多層反射防止膜。 - 【請求項５】第１層膜の酸化スズの膜厚が４０〜１００
ｎｍであり、第２層膜の酸化ケイ素の膜厚が５〜１４０
ｎｍおよび酸化スズの膜厚が５〜１００ｎｍである請求
項３または４の多層反射防止膜。 - 【請求項６】第１層膜の酸化スズの膜厚が５０〜８０ｎ
ｍであり、第２層膜の酸化ケイ素の膜厚が３０〜８０ｎ
ｍおよび酸化スズの膜厚が２０〜６０ｎｍである請求項
５の多層反射防止膜。 - 【請求項７】多層反射防止膜のシート抵抗値が３００〜
５０００Ω／□である請求項１〜６のいずれか１項の多
層反射防止膜。 - 【請求項８】第１層膜の酸化スズ膜のシート抵抗値が１
０００Ω／□以上である請求項３〜７のいずれか１項の
多層反射防止膜。 - 【請求項９】第２層膜を構成する酸化スズ膜のシート抵
抗値が３００〜５０００Ω／□である請求項３〜８のい
ずれか１項の多層反射防止膜。 - 【請求項１０】電気光学素子または光電変換素子の窓層
部材の少なくとも一部に用いられる請求項１〜９のいず
れか１項の多層反射防止膜。 - 【請求項１１】導電膜付きプラスチックフィルム、スペ
ーサ、および導電膜付きガラスの一部または全部から構
成されるタッチパネルにおいて、前記導電膜付きガラス
に請求項１〜９のいずれか１項の多層反射防止膜が用い
られることを特徴とするタッチパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3996994A JPH06316442A (ja) | 1993-03-12 | 1994-03-10 | 導電性を有する多層反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7890393 | 1993-03-12 | ||
| JP5-78903 | 1993-03-12 | ||
| JP3996994A JPH06316442A (ja) | 1993-03-12 | 1994-03-10 | 導電性を有する多層反射防止膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06316442A true JPH06316442A (ja) | 1994-11-15 |
Family
ID=26379378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3996994A Withdrawn JPH06316442A (ja) | 1993-03-12 | 1994-03-10 | 導電性を有する多層反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06316442A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6657271B2 (en) | 2001-05-01 | 2003-12-02 | Nidek Company, Limited | Transparent substrate with multilayer antireflection film having electrical conductivity |
| WO2004102677A1 (ja) * | 2003-05-13 | 2004-11-25 | Asahi Glass Company, Limited | 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法 |
| US6958748B1 (en) | 1999-04-20 | 2005-10-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Transparent board with conductive multi-layer antireflection films, transparent touch panel using this transparent board with multi-layer antireflection films, and electronic equipment with this transparent touch panel |
-
1994
- 1994-03-10 JP JP3996994A patent/JPH06316442A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6958748B1 (en) | 1999-04-20 | 2005-10-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Transparent board with conductive multi-layer antireflection films, transparent touch panel using this transparent board with multi-layer antireflection films, and electronic equipment with this transparent touch panel |
| US6657271B2 (en) | 2001-05-01 | 2003-12-02 | Nidek Company, Limited | Transparent substrate with multilayer antireflection film having electrical conductivity |
| WO2004102677A1 (ja) * | 2003-05-13 | 2004-11-25 | Asahi Glass Company, Limited | 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法 |
| JPWO2004102677A1 (ja) * | 2003-05-13 | 2006-07-13 | 旭硝子株式会社 | 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法 |
| JP2011181975A (ja) * | 2003-05-13 | 2011-09-15 | Asahi Glass Co Ltd | 太陽電池用透明導電性基板の製造方法 |
| JP5068946B2 (ja) * | 2003-05-13 | 2012-11-07 | 旭硝子株式会社 | 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040608 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Effective date: 20040617 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 |