JPH0437146A - 液晶表示装置の半導体チップの実装方法 - Google Patents
液晶表示装置の半導体チップの実装方法Info
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- JPH0437146A JPH0437146A JP2141594A JP14159490A JPH0437146A JP H0437146 A JPH0437146 A JP H0437146A JP 2141594 A JP2141594 A JP 2141594A JP 14159490 A JP14159490 A JP 14159490A JP H0437146 A JPH0437146 A JP H0437146A
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、液晶表示装置における半導体チップのフェー
スダウンボンディング実装方法に関するものである。
スダウンボンディング実装方法に関するものである。
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、例えば特開昭６
１−９４３３０号、特開昭６４−５４７３９号に記載さ
れるようなものがあった。
１−９４３３０号、特開昭６４−５４７３９号に記載さ
れるようなものがあった。
第２図はかかる従来の半導体チップの実装状態断面図、
第３図は従来の他の半導体チップの実装状態断面図であ
る。
第３図は従来の他の半導体チップの実装状態断面図であ
る。
第２図に示すように、基板材としてのガラス６゜６′間
の液晶部７から引き出された金属パターン５の上に、低
抵抗化のために形成した金属パターン４の所定の位置に
熱硬化タイプ導電性樹脂（エポキシ樹脂又はシリコーン
樹脂等を主成分とし、銀、金等の粉末を混入させた樹脂
）３をデイスペンサ法やスクリーン印刷法により供給し
、そこへ突起状の金（又はＣｒ、Ａｊ！等）バンプ電極
２を有する半導体チップ１を、フェイスダウンの状態で
位置合わせして搭載し、１２０〜１５０℃程度の温度で
、前記導電性樹脂３を加熱硬化させ、金属パターン４と
金バンブ電極２との電気的な接続を行うという実装方法
が用いられる。また、液晶部７と金属パターン５との間
にはシール８が設けられている。
の液晶部７から引き出された金属パターン５の上に、低
抵抗化のために形成した金属パターン４の所定の位置に
熱硬化タイプ導電性樹脂（エポキシ樹脂又はシリコーン
樹脂等を主成分とし、銀、金等の粉末を混入させた樹脂
）３をデイスペンサ法やスクリーン印刷法により供給し
、そこへ突起状の金（又はＣｒ、Ａｊ！等）バンプ電極
２を有する半導体チップ１を、フェイスダウンの状態で
位置合わせして搭載し、１２０〜１５０℃程度の温度で
、前記導電性樹脂３を加熱硬化させ、金属パターン４と
金バンブ電極２との電気的な接続を行うという実装方法
が用いられる。また、液晶部７と金属パターン５との間
にはシール８が設けられている。
なお、ここで、前記加熱硬化時には、液晶部７には８０
〜１００″Ｃ以上の熱が伝わらないようにする必要があ
る。
〜１００″Ｃ以上の熱が伝わらないようにする必要があ
る。
また、第３図に示すように、第２図の金属バンブ電極２
に代えて、半田バンブ電極２′を用い、液晶表示装置に
半導体チップエを、前記半田バンブ電極２′を加熱・溶
融させて金属パターン４と電気的な接続をとる実装方法
も用いられる。
に代えて、半田バンブ電極２′を用い、液晶表示装置に
半導体チップエを、前記半田バンブ電極２′を加熱・溶
融させて金属パターン４と電気的な接続をとる実装方法
も用いられる。
この場合、金属パターン４には、半田バンブ電極２′の
半田が濡れやすい金属膜を形成し、更に、半田が溶融し
た時に流出を防止する半田ダム９を形成するようにして
いる。
半田が濡れやすい金属膜を形成し、更に、半田が溶融し
た時に流出を防止する半田ダム９を形成するようにして
いる。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、以上述べた実装方法では、（１）液晶表
示装置の液晶部の耐熱温度が８０〜９０°Ｃと低いのに
対して、導電性樹脂を硬化させる方法や、半田を溶融す
る方法では、１２０〜１５０℃以上の加熱を必要とする
ため、液晶部への熱の遮断手段が必要となる。
示装置の液晶部の耐熱温度が８０〜９０°Ｃと低いのに
対して、導電性樹脂を硬化させる方法や、半田を溶融す
る方法では、１２０〜１５０℃以上の加熱を必要とする
ため、液晶部への熱の遮断手段が必要となる。
（２）更に、前記のような加熱を必要とする方法では、
加熱によって生じる熱ストレスにより、半導体チップと
液晶表示装置の基板材であるガラスに撓みが生じ、これ
が半導体チップを支持するバンブに応力となってかかる
ため、配線部としての金属パターン４の断線が生じ易い
。
加熱によって生じる熱ストレスにより、半導体チップと
液晶表示装置の基板材であるガラスに撓みが生じ、これ
が半導体チップを支持するバンブに応力となってかかる
ため、配線部としての金属パターン４の断線が生じ易い
。
（３）半導体チップと金属パターンを半田バンブ溶融で
接続する場合は、半田バンブ形状、特にバンブ高さのバ
ラツキにより、バンブ接続不良が発生する。
接続する場合は、半田バンブ形状、特にバンブ高さのバ
ラツキにより、バンブ接続不良が発生する。
といった問題点があった。
本発明は、上記問題点を除去するために、加熱をせず、
光照射により導電性樹脂を硬化させて、電気的接続をと
り、液晶部に機能障害を与えず、しかも半導体チップの
接続不良をなくした液晶表示装置の半導体チップの実装
方法を提供することを目的とする。
光照射により導電性樹脂を硬化させて、電気的接続をと
り、液晶部に機能障害を与えず、しかも半導体チップの
接続不良をなくした液晶表示装置の半導体チップの実装
方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記目的を達成するために、液晶表示装置に
半導体チップを実装する方法において、液晶部から引き
出される配線上に金属膜又は絶縁膜からなる上部層を形
成し、該上部層を取り除いて半導体チップのバンブ電極
形状より少し大きめの下地の配線が露出するパッド部を
形成し、該バンド部に光硬化型導電性樹脂を供給し、前
記半導体チップのバンブ電極を前記パッド部に位置合わ
せして搭載し、前記パッド部に光を照射し、前記光硬化
型導電性樹脂を硬化させ電気的接続を行うようにしたも
のである。
半導体チップを実装する方法において、液晶部から引き
出される配線上に金属膜又は絶縁膜からなる上部層を形
成し、該上部層を取り除いて半導体チップのバンブ電極
形状より少し大きめの下地の配線が露出するパッド部を
形成し、該バンド部に光硬化型導電性樹脂を供給し、前
記半導体チップのバンブ電極を前記パッド部に位置合わ
せして搭載し、前記パッド部に光を照射し、前記光硬化
型導電性樹脂を硬化させ電気的接続を行うようにしたも
のである。
（作用）
本発明によれば、上記したように、液晶部から引き出さ
れる配線上に金属膜又は絶縁膜からなる上部層を形成し
、該上部層を取り除いて半導体チップのバンブ電極形状
より少し大きめの下地の配線が露出するパッド部を形成
し、該パッド部に光硬化型導電性樹脂を供給し、前記半
導体チップのバンブ電極を前記パッド部に位置合わせし
て搭載し、前記パッド部に、例えば前記配線の裏側から
光を照射し、前記光硬化型導電性樹脂を硬化させ電気的
接続を行うようにしたので、液晶表示装置が加熱される
ことがなくなり、従来のように液晶部への熱の遮断手段
をとらなくてもよく、しかも熱ストレスによる配線部の
断線等の発生を防止することができる。
れる配線上に金属膜又は絶縁膜からなる上部層を形成し
、該上部層を取り除いて半導体チップのバンブ電極形状
より少し大きめの下地の配線が露出するパッド部を形成
し、該パッド部に光硬化型導電性樹脂を供給し、前記半
導体チップのバンブ電極を前記パッド部に位置合わせし
て搭載し、前記パッド部に、例えば前記配線の裏側から
光を照射し、前記光硬化型導電性樹脂を硬化させ電気的
接続を行うようにしたので、液晶表示装置が加熱される
ことがなくなり、従来のように液晶部への熱の遮断手段
をとらなくてもよく、しかも熱ストレスによる配線部の
断線等の発生を防止することができる。
更に、半導体チップの電極として半田バンブを使用した
場合は、バンブ形状、特に高さのバラツキが大きくても
、前記光硬化型導電性樹脂を硬化させることにより導通
を得られるため、バンブ接続不良をなくすことができる
。
場合は、バンブ形状、特に高さのバラツキが大きくても
、前記光硬化型導電性樹脂を硬化させることにより導通
を得られるため、バンブ接続不良をなくすことができる
。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の実施例を示す液晶表示装置の半導体チ
ップの実装工程図である。
ップの実装工程図である。
第１図（ａ）及び（ｂ）図においては液晶部１７は省略
されている。そこで、第１図（ｃ）に示すように、液晶
部１７から導出される配線としての透明電極膜１５、例
えば、ＩＴＯ膜やネサ膜上に低配線抵抗にするために１
層以上の金属ＩＩ！１４を形成する。
されている。そこで、第１図（ｃ）に示すように、液晶
部１７から導出される配線としての透明電極膜１５、例
えば、ＩＴＯ膜やネサ膜上に低配線抵抗にするために１
層以上の金属ＩＩ！１４を形成する。
まず、第１図（ａ）に示すように、半導体チップ１１の
バンブ電極１２と配線との接続箇所であるパッド部１９
は、バンブ電極１２の外形寸法より大きく、透明電極膜
１５を露出するように金属膜１４を除いて凹部をする。
バンブ電極１２と配線との接続箇所であるパッド部１９
は、バンブ電極１２の外形寸法より大きく、透明電極膜
１５を露出するように金属膜１４を除いて凹部をする。
そこで、該凹部に紫外線やＸ線等の光の照射により硬化
される液状樹脂に、銀や金、ニッケル等の金属粉末を混
入して作った光硬化型導電性樹脂１３をデイスペンサ法
やスクリーン印刷法により供給する。
される液状樹脂に、銀や金、ニッケル等の金属粉末を混
入して作った光硬化型導電性樹脂１３をデイスペンサ法
やスクリーン印刷法により供給する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、半導体チップ１１に
形成したバンブ電極１２を、例えば金バンプや半田バン
プ等、所定のパッドの位置に位置合わせを行って搭載し
、その状態のままで、配線の裏側からパッド部１９のみ
に選択的に光を照射して、前記光硬化型導電性樹脂１３
を硬化させ、液晶表示装置の配線と電気的接続が得られ
るようにする。
形成したバンブ電極１２を、例えば金バンプや半田バン
プ等、所定のパッドの位置に位置合わせを行って搭載し
、その状態のままで、配線の裏側からパッド部１９のみ
に選択的に光を照射して、前記光硬化型導電性樹脂１３
を硬化させ、液晶表示装置の配線と電気的接続が得られ
るようにする。
このようにして、第１図（ｃ）に示すように、液晶表示
装置に搭載する半導体チップ１１を実装することができ
る。
装置に搭載する半導体チップ１１を実装することができ
る。
なお、パッド部１９に対する光の照射は必ずしも配線の
裏側から行わな（とも、配線の上方の側面から行うよう
にしてもよい。
裏側から行わな（とも、配線の上方の側面から行うよう
にしてもよい。
また、前記透明電極１５上に形成する金属膜１４は、前
記光硬化型導電性樹脂の流出防止機能としてのみ必要と
するのであるならば、金属膜の代わりにレジスト等の絶
縁膜を用いるようにしてもよい。
記光硬化型導電性樹脂の流出防止機能としてのみ必要と
するのであるならば、金属膜の代わりにレジスト等の絶
縁膜を用いるようにしてもよい。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、半導体
チップのバンブ電極の接続部となるパッド部に、配線と
しての下地の透明電極膜が露出するように金属膜を取り
除いて凹部を形成し、そこへ、光硬化型導電性樹脂を供
給してバンブ電極を載せ、配線の裏面から光を照射して
、前記光硬化型導電性樹脂を硬化させ、半導体チップと
液晶部との電気的接続を行うようにしたので、液晶表示
装置を加熱することがなくなり、従来のように、液晶部
への熱の遮断手段をとらなくてもよく、しかも熱ストレ
スによる配線部の断線等の発生を防止することができる
。
チップのバンブ電極の接続部となるパッド部に、配線と
しての下地の透明電極膜が露出するように金属膜を取り
除いて凹部を形成し、そこへ、光硬化型導電性樹脂を供
給してバンブ電極を載せ、配線の裏面から光を照射して
、前記光硬化型導電性樹脂を硬化させ、半導体チップと
液晶部との電気的接続を行うようにしたので、液晶表示
装置を加熱することがなくなり、従来のように、液晶部
への熱の遮断手段をとらなくてもよく、しかも熱ストレ
スによる配線部の断線等の発生を防止することができる
。
更に、半導体チップの電極として、半田バンプを使用し
た場合は、バンプ形状のバラツキが大きくても、前記光
硬化型導電性樹脂を硬化させることにより導通を得られ
るため、バンプ接続不良をなくすことができる。
た場合は、バンプ形状のバラツキが大きくても、前記光
硬化型導電性樹脂を硬化させることにより導通を得られ
るため、バンプ接続不良をなくすことができる。
第１図は本発明の実施例を示す液晶表示装置の半導体チ
ップの実装工程図、第２図は従来の半導体チップの実装
状態断面図、第３図は従来の他の半導体チップの実装状
態断面図である。 １１・・・半導体チップ、１２・・・バンブ電極、１３
・・・光硬化型導電性樹脂、１４・・・金属膜、１５・
・・透明電極膜（配線）、１７・・・液晶部、１９・・
・パッド部。 本発明の清品茎じも装置の十碑不にし７ぬ寅牲工程図第
１図
ップの実装工程図、第２図は従来の半導体チップの実装
状態断面図、第３図は従来の他の半導体チップの実装状
態断面図である。 １１・・・半導体チップ、１２・・・バンブ電極、１３
・・・光硬化型導電性樹脂、１４・・・金属膜、１５・
・・透明電極膜（配線）、１７・・・液晶部、１９・・
・パッド部。 本発明の清品茎じも装置の十碑不にし７ぬ寅牲工程図第
１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 液晶表示装置に半導体チップを実装する方法において
、 （ａ）液晶部から引き出される配線上に金属膜又は絶縁
膜からなる上部層を形成し、 （ｂ）該上部層を取り除いて半導体チップのバンプ電極
形状より少し大きめの下地の配線が露出するパッド部を
形成し、 （ｃ）該パッド部に光硬化型導電性樹脂を供給し、（ｄ
）前記半導体チップのバンプ電極を前記パッド部に位置
合わせして搭載し、 （ｅ）前記パッド部に光を照射し、前記光硬化型導電性
樹脂を硬化させ電気的接続を行うことを特徴とする液晶
表示装置の半導体チップの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2141594A JPH0437146A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 液晶表示装置の半導体チップの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2141594A JPH0437146A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 液晶表示装置の半導体チップの実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0437146A true JPH0437146A (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=15295640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2141594A Pending JPH0437146A (ja) | 1990-06-01 | 1990-06-01 | 液晶表示装置の半導体チップの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0437146A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994024699A1 (en) * | 1993-04-08 | 1994-10-27 | Citizen Watch Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2002148652A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-22 | Rohm Co Ltd | 液晶表示装置の構造 |
| US6768533B2 (en) | 2000-05-25 | 2004-07-27 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, manufacturing method therefor, and electronic apparatus |
| US6798476B2 (en) | 2000-05-25 | 2004-09-28 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, method for making the same, and electronic apparatus |
| JP2011008052A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Ricoh Co Ltd | 画像表示装置および画像表示装置の製造方法 |
| JP2011022182A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Sony Corp | 横電界方式の液晶表示装置 |
-
1990
- 1990-06-01 JP JP2141594A patent/JPH0437146A/ja active Pending
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