JPH11330318A

JPH11330318A - 半導体装置の実装体の製造方法

Info

Publication number: JPH11330318A
Application number: JP10152117A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Tomura; 善広戸村; Minehiro Itagaki; 峰広板垣; Sei Yuhaku; 祐伯　　聖; Yoshihiro Bessho; 芳宏別所
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-05-14
Filing date: 1998-05-14
Publication date: 1999-11-30
Anticipated expiration: 2018-05-14
Also published as: JP2967080B1

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は前記課題を解決するもので、熱膨張
係数の大きい回路基板や平坦性の悪い（反りやうねりの
大きい）回路基板へ半導体装置をフェースダウンで接続
する場合において、封止樹脂注入前の接続不良を低減さ
せ、また、封止樹脂注入硬化後の接続信頼性を向上させ
ることが可能で、歩留りの高い半導体装置の実装体とそ
の製造方法を提供することにある。【解決手段】回路基板２と、回路基板２にフェースダ
ウンで実装された半導体装置４と、回路基板２と半導体
装置４との間隙に配置され、回路基板２および半導体装
置４と接着することにより前記間隙を保持する、絶縁性
樹脂からなる補強部９を備え、補強部９の回路基板２と
の接着面積および半導体装置４との接着面積は、補強部
９一つあたりそれぞれ、実質的に直径が２．２ｍｍの円
の面積以下とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置をフェ
ースダウンで回路基板に実装する際の半導体装置の実装
体とその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子機器の小型化や薄型化などに
伴い、ＬＳＩチップの高速化、高集積化、多ピン化と同
時に、ＬＳＩチップを高密度に回路基板に実装するため
の高密度実装技術が進んできている。そのため、ＬＳＩ
チップのパッケージもさまざまな形状や構造が提案され
ている（日経エレクトロニクス１９９３年８−２号Ｎ
ｏ．５８７掲載『ＬＳＩパッケージ最前線高密度実装を
後押し』Ｐ９３〜９９）。フェ−スダウンによる実装構
造もそのうちの一つである。

【０００３】半導体装置を回路基板に接続するに際し、
あらかじめ半導体装置の電極パッド上に密着金属や拡散
防止金属の蒸着膜とこの上にメッキにより形成した半田
層とからなる電極構造を有する半導体装置を下向き（フ
ェースダウン）にして、高温に加熱して半田を回路基板
の端子電極に融着する実装構造が、接続後の機械的強度
が強く、接続が一括にできることなどから有効な方法で
あるとされている（例えば、工業調査会、１９８０年１
月１５日発行、日本マイクロエレクトロニクス協会編、
『ＩＣ化実装技術』）。

【０００４】以下、図面を参照しながら、上述した従来
の半導体装置の実装体とその製造方法の一例について説
明する。

【０００５】図２１は従来のフェースダウンで実装され
た半導体装置の実装体の概略断面図である。また、図２
２〜図２５は従来の半導体装置の実装体の製造工程毎に
おける概略断面図である。

【０００６】図２１〜図２５において、１は端子電極、
２は回路基板、４は半導体装置、、５は突起電極６は封
止樹脂、７は封止樹脂中のフィラー、８は電極パッド、
１１は半田接合部、１２はパッシベーション膜、１３は
拡散防止金属膜、１４は密着金属膜である。

【０００７】以上のように構成された従来のフェースダ
ウンで実装された半導体装置の実装体とその製造方法に
ついて、その工程にしたがって、図２２、図２３、図２
４、図２５の順にその概略を説明する。

【０００８】図２２は、突起電極形成工程を示す概略断
面図である。まず、半導体装置４の電極パッド８上にＣ
ｒなどの拡散防止金属膜１３およびＣｕ等の密着金属膜
１４を蒸着により形成する。その後、電極部以外をフォ
トレジストで覆い、メッキ法により密着金属膜１４上に
数μｍ〜数十μｍの半田を析出させ突起電極５を形成す
る。また、半田リフローすることにより球状の突起電極
を形成することもできる。

【０００９】図２３は、載置工程を示す概略断面図であ
る。図２２において形成した突起電極５を有する半導体
装置を、回路基板２上の端子電極１の所定の位置に位置
合わせを行ってフェースダウンで載置する。

【００１０】図２４は、接続工程を示す概略断面図であ
る。２００〜３００℃の高温に加熱して突起電極５を溶
融し、回路基板２上の端子電極１に融着することによっ
て、半導体装置４の電極パッド８は、回路基板２の端子
電極１と半田接合部１１を介して電気的に接続される。

【００１１】図２５は、封止樹脂充填工程を示す概略断
面図である。半導体装置４と回路基板２との間隙と周辺
部に絶縁性の封止樹脂６を充填、被覆することで、図２
１のような半導体装置の実装体を得るものである。

【００１２】なお、最近では半導体装置の電極パッド上
に形成したＡｕ突起電極を導電性接着剤を介して回路基
板の端子電極に接続する実装体も考案されている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような半導体装置の実装体とその製造方法においては、
以下のような課題を有している。

【００１４】まず、第一の課題は、高温に加熱して半田
を溶融して端子電極と接続しているため、熱膨張係数の
大きい回路基板または厚みの薄い回路基板を用いると、
高温下において回路基板が変形し、反りやうねりが生
じ、室温に戻ったときに、接合部に歪み（ストレス）が
発生することである。

【００１５】次に、第二の課題は、半田によって接続し
ているために、長期間の高温または熱サイクル（衝撃）
にさらされると、半田接合部が疲労し、もろくなる恐れ
があるということである。

【００１６】上記課題を解決する方法として、特開平０
９−３２１０８２号公報および特開平１０−７９５７１
号公報に記載の半導体装置の実装体およびその製造方法
が提案されている。図２６は、特開平０９−３２１０８
２号公報に記載の半導体装置の実装体の一例の概略断面
図である。図２６に示すように、１は端子電極、２は回
路基板、３は接合層、４は半導体装置、５は突起電極、
６は封止樹脂、７は封止樹脂中のフィラー、８は電極パ
ッド、９は補強部、１０は補強部中のフィラー、１５は
補強部の広がり径、１６はランドである。半導体装置４
の素子表面上の電極パッド８上に２段突起形状の突起電
極５が形成されている。半導体装置４はフェースダウン
で回路基板２上に載置されており、突起電極５の先端部
と回路基板２上の端子電極１とは、導電性接着剤からな
る接合層３を用いて電気的に接続されている。半導体装
置４と回路基板２との間隙には、絶縁性樹脂を用いた補
強部９を設けている。さらに、半導体装置４と回路基板
２との間隙と周辺部に絶縁性の封止樹脂６を充填、被覆
することで半導体装置の実装体を形成している。

【００１７】本半導体装置の実装体は、補強部９を備え
ていることにより、半導体装置４の突起電極５と回路基
板２の端子電極１との電気的な接続を機械的に補強する
ことによって、上述した課題を解決しようとするもので
ある。しかし、本半導体装置の実装体においては、以下
に説明するような課題が生じている。

【００１８】図２７は、上述した半導体装置の実装体の
概略平面透過図である。図２７に示すように、１は端子
電極、２は回路基板、４は半導体装置、６は封止樹脂、
９は補強部、１５は補強部の広がり径、１７は接続部、
１８はバイア部、２２はボイドである。半導体装置４は
フェースダウンで回路基板２上に載置されており、接続
部１７（図２６の接合層３の部分に相当する）で電気的
に接続されている。また、半導体装置４と回路基板２と
の間隙には、絶縁性樹脂を用いた補強部９を設けてい
る。さらに、半導体装置４と回路基板２との間隙と周辺
部に絶縁性の封止樹脂６を充填、被覆することで半導体
装置の実装体を得ようとしているものである。しかし、
この場合、半導体装置４が回路基板２にフェースダウン
で載置されたときに、補強部９内に巻き込みによるボイ
ド２２が発生しやすいことが確認されている。巻き込ま
れたボイド２２は半導体装置４の搭載時の圧力により、
周辺に広がる。また、補強部９がボイド２２を含んでい
るため、封止樹脂６注入前の接続が不安定である。ま
た、封止樹脂６の注入時においても、補強部９での巻き
込みによるボイド２２が、封止樹脂の封入方向に対して
補強部９の下流側に発生してしまい、封止樹脂６硬化後
に接続信頼性を低下させ、当該実装体の性能のばらつき
を助長させることになってしまう。したがって、所定の
性能を満足する実装体を得るためには、品質管理工程を
強化する必要があり、製品としての歩留りも悪くなり、
その結果、製造コストの上昇を招いていた。

【００１９】本発明は、従来の半導体装置の実装体とそ
の製造方法が有する上述した課題を考慮し、熱膨張係数
の大きい回路基板や厚みの薄い回路基板、または平坦性
の悪い（反りやうねりの大きい）回路基板へ半導体装置
をフェースダウンで接続する場合において、封止樹脂注
入前の接続不良を低減させ、また、封止樹脂注入硬化後
の接続信頼性を向上させることが可能で、歩留りの高い
半導体装置の実装体とその製造方法を提供することを目
的とするものである。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
には、絶縁性樹脂を用いた補強部を備えた場合におい
て、半導体装置が回路基板にフェースダウンで載置され
たときに、補強部内にボイドが発生しないようにするこ
とである。ボイド発生に影響を及ぼす諸要因（例えば、
絶縁性樹脂の温度、粘着性等）について検討を重ねた結
果、補強部の回路基板との接着面積および補強部の半導
体装置との接着面積が、ボイド発生を左右する要因であ
り、接着面積が所定の面積（直径２．２ｍｍの円の面
積）より小さい場合にはボイドが発生しないことが確認
された。

【００２１】すなわち、上記課題を解決するために、第
１の本発明（請求項１に記載の本発明に対応）は、回路
基板と、前記回路基板にフェースダウンで実装された半
導体装置と、前記回路基板と前記半導体装置との間隙に
配置され、前記回路基板および前記半導体装置と接着す
ることにより前記間隙を保持する、絶縁性樹脂からなる
少なくとも一つの補強部を備え、前記補強部の前記回路
基板との接着面積および前記半導体装置との接着面積
は、前記補強部一つあたりそれぞれ、実質的に直径が
２．２ｍｍの円の面積以下であることを特徴とする半導
体装置の実装体である。

【００２２】第２の本発明（請求項２に記載の本発明に
対応）は、前記半導体装置が、その素子表面上の電極パ
ッド上に形成され、前記回路基板の端子電極と電気的に
接続されている突起電極を有することを特徴とする第１
の本発明の半導体装置の実装体である。

【００２３】第３の本発明（請求項３に記載の本発明に
対応）は、前記回路基板が、その端子電極上に形成さ
れ、前記半導体装置の素子表面上の電極パッドと電気的
に接続されている突起電極を有することを特徴とする第
１の本発明の半導体装置の実装体である。

【００２４】なお、第２または第３の本発明において、
前記突起電極の材質が、半田または導電性接着剤である
ことを特徴とする半導体装置の実装体としてもよい。こ
れにより、半田接合部の歪みによる金属疲労を補強部に
よって緩和することができる。

【００２５】第４の本発明（請求項４に記載の本発明に
対応）は、前記突起電極と、前記端子電極または前記電
極パッドとの電気的接続は、接合層を介して行われてい
ることを特徴とする第２または第３の本発明の半導体装
置の実装体である。

【００２６】なお、第４の本発明において、前記突起電
極の材質が、金、銀、銅、ニッケル、その他の合金のう
ちのいずれかを主成分とすることを特徴とする半導体装
置の実装体としてもよい。

【００２７】また、第４の本発明において、前記接合層
が、半田または導電性接着剤からなることを特徴とする
半導体装置の実装体としてもよい。これにより、半田接
合部の歪みによる金属疲労を補強部によって緩和するこ
とができる。

【００２８】第５の本発明（請求項５に記載の本発明に
対応）は、前記絶縁性樹脂の硬化反応開始温度が、前記
接合層の硬化温度以下であること、および／または、前
記絶縁性樹脂の硬化時間が、前記接合層の硬化時間より
短いものであることを特徴とする第４の本発明の半導体
装置の実装体である。

【００２９】第６の本発明（請求項６に記載の本発明に
対応）は、前記絶縁性樹脂が、その硬化収縮力が前記接
合層の硬化収縮力よりも大きいものであることを特徴と
する第４または第５の本発明の半導体装置の実装体であ
る。

【００３０】第７の本発明（請求項７に記載の本発明に
対応）は、前記半導体装置と前記回路基板との間隙に充
填され、さらにその周辺部を被覆する絶縁性の封止樹脂
を備えることを特徴とする第１〜第６のいずれかの本発
明の半導体装置の実装体である。

【００３１】第８の本発明（請求項８に記載の本発明に
対応）は、前記絶縁性樹脂の弾性率が、前記封止樹脂の
弾性率以下であることを特徴とする第７の本発明の半導
体装置の実装体である。

【００３２】なお、請求項１〜８のいずれかの本発明に
おいて、前記絶縁性樹脂が、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹
脂、光硬化性樹脂、または、これらのいずれかを含んだ
複合樹脂であることを特徴とする半導体装置の実装体と
してもよい。

【００３３】また、請求項１〜８のいずれかの本発明に
おいて、前記絶縁性樹脂の硬化前の粘度が、３５Ｐａ・
ｓ以上であることを特徴とする半導体装置の実装体とし
てもよい。

【００３４】さらに、請求項１〜８のいずれかの本発明
において、前記絶縁性樹脂が、ゴム成分（エラストマ
ー）を含む複合樹脂であることを特徴とする半導体装置
の実装体としてもよい。これにより、半導体装置と回路
基板とが接続固着された際に、ゴム成分（エラストマ
ー）の弾性が接合部にかかる歪み（ストレス）を緩和さ
せることができ、また、封止樹脂が硬化する際に硬化収
縮させることができ、これによって、半導体装置と回路
基板とをより密接に接続させ、封止樹脂の硬化後の接続
信頼性を向上させることが可能となる。

【００３５】第９の本発明（請求項９に記載の本発明に
対応）は、前記補強部が、前記半導体装置の素子面内
で、前記補強部が備えられていない場合において、前記
半導体装置の歪みまたはストレスが大きくなると予想さ
れる位置に配置されていることを特徴とする第１〜第８
のいずれかの本発明の半導体装置の実装体である。

【００３６】第１０の本発明（請求項１０に記載の本発
明に対応）は、前記補強部が、複数個備えられており、
前記半導体装置の素子面内の角部に少なくとも配置され
ていることを特徴とする第１〜第８のいずれかの本発明
の半導体装置の実装体である。

【００３７】第１１の本発明（請求項１１に記載の本発
明に対応）は、半導体装置をフェースダウンで回路基板
に実装する半導体装置の実装体の製造方法において、前
記回路基板または前記半導体装置の少なくとも一方に絶
縁性樹脂からなる補強部を少なくとも１カ所形成する補
強部形成工程と、前記補強部形成工程の後、前記半導体
装置を位置合わせした後に前記回路基板に搭載し、前記
半導体装置と前記回路基板とを前記補強部によって接着
保持させる仮止め工程と、前記仮止め工程の後、前記補
強部の前記絶縁性樹脂を硬化させる補強工程と、前記仮
止め工程または前記補強工程と同時、またはこれらの後
に、前記半導体装置の電極パッドと前記回路基板の端子
電極とを電気的に接続する接続工程とを含み、前記補強
部形成工程においては、前記補強工程後の前記補強部の
前記回路基板との接着面積および前記半導体装置との接
着面積が、前記補強部１カ所あたりそれぞれ、実質的に
直径が２．２ｍｍの円の面積以下となるように、前記補
強部を形成することを特徴とする半導体装置の実装体の
製造方法である。

【００３８】第１２の本発明（請求項１２に記載の本発
明に対応）は、前記半導体装置の電極パッド上または前
記回路基板の端子電極上に突起電極を形成する突起電極
形成工程と、前記突起電極形成工程の後、前記突起電極
の先端付近に接合層を形成する接合層形成工程とを、前
記仮止め工程の前に含み、前記補強工程と同時に、前記
接合層を硬化させる接合層硬化工程を含み、前記接続工
程は、前記仮止め工程と同時に、前記突起電極と前記接
合層とを介して、前記半導体装置の電極パッドと前記回
路基板の端子電極とを電気的に接続する工程であること
を特徴とする第１１の本発明の半導体装置の実装体の製
造方法である。

【００３９】第１３の本発明（請求項１３に記載の本発
明に対応）は、前記半導体装置の電極パッド上または前
記回路基板の端子電極上突起電極を形成する突起電極形
成工程を、前記仮止め工程の前に含み、前記接続工程
は、前記補強工程と同時に、前記半導体装置または前記
回路基板を加熱し、前記突起電極を溶融させることによ
って、前記突起電極を介して、前記半導体装置の電極パ
ッドと前記回路基板の端子電極とを電気的に接続する工
程であることを特徴とする第１１の本発明の半導体装置
の実装体の製造方法である。

【００４０】第１４の本発明（請求項１４に記載の本発
明に対応）は、前記絶縁性樹脂の硬化反応開始温度が、
前記接合層の硬化温度以下であること、および／また
は、前記絶縁性樹脂の硬化時間が、前記接合層の硬化時
間より短いものであることを特徴とする第１２の本発明
の半導体装置の実装体の製造方法である。

【００４１】第１５の本発明（請求項１５に記載の本発
明に対応）は、前記絶縁性樹脂が、その硬化収縮力が前
記接合層の硬化収縮力よりも大きいものであることを特
徴とする第１２または第１４の本発明の半導体装置の実
装体の製造方法である。

【００４２】第１６の本発明（請求項１６に記載の本発
明に対応）は、前記補強部形成工程の前に、前記回路基
板を平坦に保持する回路基板保持工程と、他の全工程が
終了した後、前記回路基板保持工程において平坦に保持
された前記回路基板の保持を解除する回路基板保持解除
工程とを含むことを特徴とする第１１〜第１５のいずれ
かの本発明の半導体装置の実装体の製造方法である。

【００４３】第１７の本発明（請求項１７に記載の本発
明に対応）は、前記接続工程の後、前記半導体装置と前
記回路基板との間隙と周辺部に絶縁性の封止樹脂を注
入、充填、被覆した後、前記封止樹脂を硬化する封止樹
脂充填工程とを含み、前記補強工程における前記絶縁性
樹脂の硬化は、少なくとも、前記封止樹脂充填工程にお
ける前記封止樹脂の硬化の完了より前に完了しているこ
とを特徴とする第１１〜第１６のいずれかの本発明の半
導体装置の実装体の製造方法である。

【００４４】第１８の本発明（請求項１８に記載の本発
明に対応）は、前記絶縁性樹脂の弾性率が、前記封止樹
脂の弾性率以下であることを特徴とする第１７の本発明
の半導体装置の実装体の製造方法である。

【００４５】なお、第１１〜第１８のいずれかの本発明
において、前記絶縁性樹脂の硬化前の粘度が、３５Ｐａ
・ｓ以上であることを特徴とする半導体装置の実装体の
製造方法としてもよい。

【００４６】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。

【００４７】まず、図６、７を用いて、以下で説明する
各実施の形態における半導体装置の実装体の全体構造を
説明する。図６は、多層の回路基板２上に半導体装置４
が複数個実装されているもの（マルチチップモジュー
ル）の断面図であり、図７は、回路基板２上に半導体装
置４が単体で実装されているもの（チップスケール（サ
イズ）パッケージ）の断面図である。図６の実装体は、
フェ−スダウンで複数の半導体装置４が多層の回路基板
２上に実装されているものである。半導体装置４と多層
の回路基板２との間隙と周辺部は、封止樹脂６によって
充填、被覆封止されている。図７の実装体は、フェ−ス
ダウンで単体の半導体装置４が回路基板２上に実装され
ている。半導体装置４と回路基板２との間隙と周辺部部
は、封止樹脂６によって充填、被覆封止されているもの
である。

【００４８】以下で説明する各実施の形態における半導
体装置の実装体は、図６の実装体、図７の実装体双方に
適用可能であるが、便宜上、図７の実装体を例にとっ
て、図示等を行う。

【００４９】（第１の実施の形態）まず、本発明の第１
の実施の形態を図面を参照して説明する。

【００５０】図１は、本発明の第１の実施の形態におけ
る半導体装置の実装体の概略断面図である。図１に示す
ように、１は端子電極、２は回路基板、３は接合層、４
は半導体装置、５は突起電極、６は封止樹脂、７は封止
樹脂中のフィラー、８は電極パッド、９は補強部、１０
は補強部中のフィラー、１５は補強部の広がり径、１６
はランドである。

【００５１】半導体装置４の素子表面上の電極パッド８
上に２段突起形状の突起電極５が形成されている。半導
体装置４はフェースダウンで回路基板２上に載置されて
おり、突起電極５の先端部と回路基板２上の端子電極１
とは、導電性接着剤からなる接合層３を介して電気的に
接続されている。半導体装置４と回路基板２との間隙に
は、絶縁性樹脂を用いた補強部９を設けている。さら
に、半導体装置４と回路基板２との間隙および周辺部
は、絶縁性の封止樹脂６により充填、被覆されている。
なお、補強部９と半導体装置４または回路基板２との接
着面は、実質的に円形をしており、その直径すなわち広
がり径１５が２．２ｍｍ以下となるように、調整されて
いる。

【００５２】以上のように、本実施の形態においては、
半導体装置４と回路基板２との間隙に接着面積の直径す
なわち広がり径１５が２．２ｍｍ以下の絶縁性樹脂を用
いた補強部９を１カ所以上設けることにより、半導体装
置４が回路基板２に実装されたときに、補強部９にボイ
ドの発生が起こらず、それによって、半導体装置４と回
路基板２とが安定して仮固着されるため、接合層３や封
止樹脂６の硬化時における回路基板２の反りやうねりを
抑制し、接合部にかかる歪み（ストレス）を緩和させる
ことができ、このことによって封止樹脂６注入前の接続
不良を低減させ、良品歩留りを高くすることができる。
さらに、封止樹脂６注入時においても、補強部９での巻
き込みによるボイドの発生を抑え、封止樹脂６硬化後の
接続信頼性を向上させることが可能となる。

【００５３】なお、図１において、突起電極５の材質と
しては、金の他、銀、銅、ニッケル、合金等を用いるこ
とができる。また、突起電極５の形状は、２段突起形状
であることが望ましいが、ストレート型、テーパー型、
マッシュルーム型であってもかまわない。

【００５４】また、接合層３は導電性接着剤からなり、
その導電性接着剤の材質はエポキシ系、ポリアリルエー
テル系、ポリアミド系、ポリエステル系、ポリイミド系
等、熱可塑性を有するか添加されたものであれば材質は
問わない。その接合層３に用いられる樹脂は、溶剤型の
熱可塑性樹脂からなることが望ましい。

【００５５】また、導電性接着剤に含まれる導電粉の材
質としては、一般に用いられているものであれば何でも
良く、例えば、銀、金、パラジウム等の貴金属粉、ニッ
ケル、銅等の卑金属、半田、銀パラジウム等の合金粉、
銀メッキ銅粉等のような複合粉、さらにカーボンのよう
な導電性を有する卑金属粉等が使用できる。これらの導
電粉は単独でも２種類以上の混合でも使用可能である。
また、これら導電粉はその粒径、形状は特に限定される
ものではない。

【００５６】また、補強部９の絶縁性樹脂は、シリンジ
ノズル等ポッティング供給可能なものであれば良い。補
強部９の材質は、エポキシ樹脂系の熱硬化性樹脂または
熱可塑性樹脂または光硬化性樹脂またはこれらのいずれ
かの複合樹脂等が使用可能できる。特に、熱硬化性樹脂
に熱可塑性樹脂もしくはエラストマー（弾性）成分が添
加混合された混合型樹脂、熱硬化性樹脂をゴム変性また
はシリコーン変性したもの等、可撓性を有し絶縁性で低
熱膨張で弾性率が小さいものが望ましい。また、補強部
９に含まれる充填剤はシリカ等の絶縁性で低熱膨張なも
のが望ましい。粒径は、シリンジノズル等から微量塗布
ができるよう１０μｍ以下の微小な粉体が望ましい。充
填量は封止樹脂６の熱膨張係数を考慮して決められる。
本実施の形態においては、通常、補強部９と封止樹脂６
の熱膨張係数は３０ｐｐｍ前後に調整されている。

【００５７】さらに、補強部９の絶縁性樹脂は、硬化前
の粘度が３５Ｐａ・ｓ以上のものを用いることにより、
容易に、広がり径１５が２．２ｍｍ以下の補強部９を形
成することができる。

【００５８】封止樹脂６は、接合層３と補強部９とを含
むように半導体装置４と回路基板２との間隙と周辺部に
形成されている。図１では半導体装置４の面積が回路基
板２よりも小さいが、回路基板２の面積が半導体装置４
よりも小さくても良い。封止樹脂６は、室温程度の低温
でも半導体装置４と回路基板との間隙への注入が速やか
に行われるため、室温で低粘度で低チクソトロピー指数
またはダイラタンシー型のものが望ましい（例えば、１
０Ｐａ・ｓ／５０ｒｐｍ以下）。封止樹脂６の材質は、
一般に用いられているものであれば何でも良く、例え
ば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂とノボラック
型フェノール樹脂等と充填剤を混合したものや、ポリエ
ポキシド（通常エポキシ樹脂またはエポキシ化合物）と
酸無水物樹脂（メチルテトラハイドロフタル酸無水物、
メチルヘキサハイドロフタル酸無水物等の環状脂肪族
系）と充填剤を混合したものからなるものがある。ま
た、封止樹脂６中の充填剤は粒径が５０μｍ以下の粉体
であればかまわないが、シリカ、アルミナ等の酸化化合
物や窒化アルミ等の窒化化合物、炭化珪素系の炭化化合
物、珪化化合物等、熱的に安定で、低熱膨張率のものが
望ましい。

【００５９】なお、図１では、補強部９の断面形状はつ
づみ型としているが、太鼓型をしていても良い。

【００６０】なお、半導体装置４と樹脂からなる回路基
板２の組み合わせでは、補強部９の直径すなわち広がり
径１５は、通常、０．５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下の範囲
で塗布制御するものとする。

【００６１】また、半導体装置４と回路基板２との間隙
寸法は、一般的な半導体装置の実装体の標準的な値であ
る６５ｍｍ〜８０ｍｍの範囲としている。

【００６２】（第２の実施の形態）次に、本発明の第２
の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態
が上述した第１の実施の形態と異なるのは、本発明の突
起電極が回路基板側に備えられていることに関する点で
ある。したがって、本実施の形態において、第１の実施
の形態と同様の物については、同一符号を付与し、説明
を省略する。また、特に説明のないものについては、第
１の実施の形態と同じとする。

【００６３】図２は、本発明の第２の実施の形態におけ
る半導体装置の実装体の概略断面図である。図２に示す
ように、１は端子電極、２は回路基板、３は接合層、４
は半導体装置、５は突起電極、６は封止樹脂、７は封止
樹脂中のフィラー、８は電極パッド、９は補強部、１０
は補強部中のフィラー、１５は補強部の広がり径、１６
はランドである。

【００６４】本実施の形態における半導体装置の実装体
では、回路基板２の端子電極１上に突起電極５が形成さ
れている。また、回路基板２の端子電極１上に形成され
た突起電極５は、２段突起形状であってもよい。突起電
極５の材質は銅、銀、金等、導電性のものであれば良
い。

【００６５】以上のように、本実施の形態においては、
半導体装置４と回路基板２との間隙に接着面積の直径す
なわち広がり径１５が２．２ｍｍ以下の絶縁性樹脂を用
いた補強部９を１カ所以上設けることにより、回路基板
２が半導体装置４に実装されたときに、補強部９にボイ
ドの発生が起こらず、それによって、上述した第１の実
施の形態と同様の効果が得られる。

【００６６】（第３の実施の形態）次に、本発明の第３
の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態
が上述した第１の実施の形態と異なるのは、本発明の突
起電極が半田接合部であることに関する点である。した
がって、本実施の形態において、第１の実施の形態と同
様の物については、同一符号を付与し、説明を省略す
る。また、特に説明のないものについては、第１の実施
の形態と同じとする。

【００６７】図３は、本発明の第３の実施の形態におけ
る半導体装置の実装体の概略断面図である。図３に示す
ように、１は端子電極、２は回路基板、４は半導体装
置、６は封止樹脂、７は封止樹脂中のフィラー、８は電
極パッド、９は補強部、１０は補強部中のフィラー、１
１は半田接合部、１２はパッシベーション膜、１３は拡
散防止金属膜、１４は密着金属膜、１５は補強部の広が
り径、１６はランドである。

【００６８】本実施の形態における半導体装置の実装体
では、半導体装置４の素子表面上の電極パッド８上にＣ
ｒなどの拡散防止金属膜１３およびＣｕ等の密着金属膜
１４が形成されている。また、密着金属膜１４と回路基
板２の端子電極１とは半田接合部１１によって電気的に
接続されている。

【００６９】以上のように、本実施の形態においては、
半導体装置４と回路基板２との間隙に接着面積の直径す
なわち広がり径１５が２．２ｍｍ以下の絶縁性樹脂を用
いた補強部９を１カ所以上設けることにより、回路基板
２が半導体装置４に実装されたときに、補強部９にボイ
ドの発生が起こらず、それによって、上述した第１の実
施の形態と同様の効果が得られる。

【００７０】（第４の実施の形態）次に、本発明の第４
の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態
が上述した第１の実施の形態と異なるのは、本発明の補
強部の平面的な配置が特定されていることに関する点で
ある。したがって、本実施の形態において、第１の実施
の形態と同様の物については、同一符号を付与し、説明
を省略する。また、特に説明のないものについては、第
１の実施の形態と同じとする。

【００７１】図４は、本発明の第４の実施の形態におけ
る半導体装置の実装体の概略平面透過図である。図４に
示すように、１は端子電極、２は回路基板、４は半導体
装置、６は封止樹脂、９は補強部、１７は接続部、１８
はバイア部、１９は導体パターンである。

【００７２】本実施の形態における半導体装置の実装体
では、回路基板２の内層または表層に導体パターン１９
が形成されている。導体パターン１９は銅が一般的であ
り、その熱膨張係数は約１７ｐｐｍと大きい。前記導体
パターン１９上で半導体装置４と回路基板２との間隙に
補強部９が形成されている。補強部９は、半導体装置４
の素子面内でかつ、補強部９が備えられていない場合に
おいて、半導体装置４の歪みまたはストレスが大きくな
ると予想される位置に配置されている。

【００７３】以上のように、本実施の形態においては、
補強部９が半導体装置４の素子面内でかつ、補強部９が
備えられていない場合において、半導体装置４の歪みま
たはストレスが大きくなると予想される位置に配置され
ていることによって、半導体装置４と回路基板２との熱
膨張係数差による接続部１７に与える歪みダメージを補
強部９によって吸収・緩和させることができ、このこと
によって封止樹脂６注入前の接続不良を低減させ、良品
歩留りを高くすることができる。また、封止樹脂６の注
入、硬化後においても、接続信頼性を向上させることが
可能となる。

【００７４】なお、本実施の形態における半導体装置の
実装体は、上記で説明した以外は、第１の実施の形態に
おける半導体装置の実装体に倣うものとして説明した
が、これに限るものではなく、例えば、第２または第３
の実施の形態における半導体装置の実装体に倣うもので
あってもよい。

【００７５】（第５の実施の形態）次に、本発明の第５
の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態
が上述した第１の実施の形態と異なるのは、本発明の補
強部の平面的な配置が特定されていることに関する点で
ある。したがって、本実施の形態において、第１の実施
の形態と同様の物については、同一符号を付与し、説明
を省略する。また、特に説明のないものについては、第
１の実施の形態と同じとする。

【００７６】図５は、本発明の第５の実施の形態におけ
る半導体装置の実装体の概略平面透過図である。図５に
示すように、１は端子電極、２は回路基板、４は半導体
装置、６は封止樹脂、９は補強部、１７は接続部、１８
はバイア部である。

【００７７】本実施の形態における半導体装置の実装体
では、図５（ａ）に示すように、半導体装置４の素子面
内で端子電極１の存在しない４隅の空き領域に補強部９
が半導体装置４の中心から同一距離に均等に配置形成さ
れている。

【００７８】以上のように、本実施の形態では補強部９
が半導体装置４の素子面内でかつ、中心から同一距離に
ある四隅部分に均等に配置形成されることによって、半
導体装置４と回路基板２との熱膨張係数差による接続部
１７に与える歪みダメージを補強部９によって吸収・緩
和させることができ、このことによって封止樹脂６注入
前の接続不良を低減させ、良品歩留りを高くすることが
できる。また、封止樹脂６の注入、硬化後においても、
接続信頼性を向上させることが可能となる。

【００７９】なお、補強部９の平面的な配置は、図５
（ａ）に示したものに限るものではなく、図５（ｂ）に
示すように、半導体装置４の素子面内で端子電極１で囲
われた４隅に補強部９が半導体装置４の中心から同一距
離に均等に配置形成されてもよい。要するに、補強部
が、半導体装置の素子面内の角部に少なくとも配置され
ておれば、程度に差はあるものの、上述した効果と同様
な効果が得られる。

【００８０】また、本実施の形態における半導体装置の
実装体は、上記で説明した以外は、第１の実施の形態に
おける半導体装置の実装体に倣うものとして説明した
が、これに限るものではなく、例えば、第２または第３
の実施の形態における半導体装置の実装体に倣うもので
あってもよい。

【００８１】（第６の実施の形態）次に、本発明の第６
の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態
が上述した第１の実施の形態と異なるのは、本発明の補
強部の材質に関する点である。したがって、本実施の形
態において、第１の実施の形態と同様の物については、
同一符号を付与し、説明を省略する。また、特に説明の
ないものについては、第１の実施の形態と同じとする。

【００８２】本実施の形態における半導体装置の実装体
について、補強部の材質以外の構成は、第１の実施の形
態における半導体装置の実装体と同じであるので、図１
を参照して説明する。

【００８３】補強部９の絶縁性樹脂は、その硬化反応開
始温度が接合層３の硬化温度と同じかそれよりも低く、
かつ、補強部９の絶縁性樹脂の硬化時間が接合層３の硬
化時間より短いものとなっている。以上のように、本実
施の形態においては、補強部９の絶縁性樹脂の硬化反応
開始温度を接合層の硬化温度と同じかそれよりも低く、
補強部９の絶縁性樹脂の硬化時間が接合層３の硬化時間
より短くすることにより、補強部９を接合層と同じ温度
で硬化でき、かつ、短時間で機械的な補強を行うことが
できる。このことによって、第１の実施の形態の効果に
加え、封止樹脂６注入前の接続不良を低減させ、良品歩
留りを高くするとともに、生産性も向上させることがで
きる。また、補強部９の絶縁樹脂の硬化温度で処理し、
低温で半導体装置４と回路基板２とを安定に仮固着さ
せ、接合層を電気的に接続させ、検査することも可能と
なる。

【００８４】本実施の形態における半導体装置の実装体
を製造する際、接合層３の導電性接着剤の標準硬化条件
は１２０℃×２ｈであり、補強部９の硬化反応開始温度
が１１０〜１１５℃である。また、補強部９の絶縁性樹
脂の硬化時間は１ｈ以下である。

【００８５】なお、本実施の形態における半導体装置の
実装体は、上記で説明した以外は、第１の実施の形態に
おける半導体装置の実装体に倣うものとして説明した
が、これに限るものではなく、例えば、第２〜第５の実
施の形態における半導体装置の実装体のいずれかに倣う
ものであってもよい。

【００８６】（第７の実施の形態）次に、本発明の第７
の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態
が上述した第１の実施の形態と異なるのは、本発明の補
強部の材質に関する点である。したがって、本実施の形
態において、第１の実施の形態と同様の物については、
同一符号を付与し、説明を省略する。また、特に説明の
ないものについては本実施の形態における半導体装置の
実装体について、補強部の材質以外の構成は、第１の実
施の形態における半導体装置の実装体と同じであるの
で、図１を参照して説明する。

【００８７】補強部９の絶縁性樹脂は、その弾性率がは
封止樹脂６の弾性率と同じかそれよりも小さいものとな
っている。

【００８８】以上のように、本実施の形態においては、
補強部９の絶縁性樹脂の弾性率が封止樹脂６の弾性率と
同じかそれよりも小さいことにより、封止樹脂６の硬化
収縮力により、半導体装置４と回路基板２との間隙にあ
る補強部９と接合層３の接続状態をより安定して密着固
着されるため、接合部にかかる歪み（ストレス）を緩和
させることができる。このことによって、第１の実施の
形態の効果に加え、封止樹脂６硬化後の接続信頼性を向
上させることが可能となる。

【００８９】本実施の形態において用いる封止樹脂６の
弾性率は、一般的なものの例を挙げると、約１０ＧＰａ
である。

【００９０】なお、本実施の形態における半導体装置の
実装体は、上記で説明した以外は、第１の実施の形態に
おける半導体装置の実装体に倣うものとして説明した
が、これに限るものではなく、例えば、第２〜第６の実
施の形態における半導体装置の実装体のいずれかに倣う
ものであってもよい。

【００９１】（第８の実施の形態）次に、本発明の第８
の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態
が上述した第１の実施の形態と異なるのは、本発明の補
強部の材質に関する点である。したがって、本実施の形
態において、第１の実施の形態と同様の物については、
同一符号を付与し、説明を省略する。また、特に説明の
ないものについては、第１の実施の形態と同じとする。

【００９２】本実施の形態における半導体装置の実装体
について、補強部の材質以外の構成は、第１の実施の形
態における半導体装置の実装体と同じであるので、図１
を参照して説明する。

【００９３】補強部９の絶縁性樹脂は、ゴム成分（エラ
ストマー）を含む複合樹脂からなっている。

【００９４】以上のように、本実施の形態においては、
補強部９の絶縁性樹脂がゴム成分（エラストマー）を含
む複合樹脂からなることにより、半導体装置４と回路基
板２とが接続固着された際に、ゴム成分（エラストマ
ー）の弾性が接合部にかかる歪み（ストレス）を緩和さ
せることができ、また、封止樹脂６が硬化の際に硬化収
縮させることができる。これによって、第１の実施の形
態の効果に加え、半導体装置４と回路基板２とをより密
接に接続させ、封止樹脂６の硬化後の接続信頼性を向上
させることが可能となる。

【００９５】本実施の形態において用いるゴム成分（エ
ラストマー）の一般的なものとしては、加硫ゴムと熱可
塑性エラストマーで、弾性率は約１０の６乗から７乗Ｐ
ａのものである。

【００９６】なお、本実施の形態における半導体装置の
実装体は、上記で説明した以外は、第１の実施の形態に
おける半導体装置の実装体に倣うものとして説明した
が、これに限るものではなく、例えば、第２〜第７の実
施の形態における半導体装置の実装体のいずれかに倣う
ものであってもよい。

【００９７】（第９の実施の形態）次に、本発明の第９
の実施の形態を図面を参照して説明する。

【００９８】図８〜図１４は、本発明の第９の実施の形
態における半導体装置の実装体の製造方法の工程を示す
概略断面図である。図８〜図１４において、１は端子電
極、２は回路基板、３は接合層、４は半導体装置、５は
突起電極、６は封止樹脂、７は封止樹脂中のフィラー、
８は電極パッド、９は補強部、１０は補強部中のフィラ
ー、１５は広がり径、１６はランド、２０は接着シー
ト、２１は基板固定治具である。

【００９９】以上のように構成された半導体装置の実装
体の製造方法について、その工程にしたがって、図８、
図９、図１０、図１１、図１２、図１３、図１４の順に
説明する。

【０１００】まず、図８は、突起電極形成工程を示す概
略断面図である。図８に示すように、半導体装置４の複
数の電極パッド８の各々に突起電極５を形成する。この
とき、突起電極５は２段突起形状または凸状をしている
ことが望ましいがストレート型であってもよい。突起電
極５は公知のフォトエッチング法やメッキ法やボールボ
ンディング法により形成することができ、材質としては
金の他、ニッケル、銅等を用いることができる。図８に
示すように、２段突起形状の突起電極を使用することに
より、図１２のように接合層に導電性接着剤を使用する
際において、接合層の横方向への広がりを抑制すること
ができるため、実装密度の大幅な向上を図ることができ
る。なお、突起電極５は所定の高さにレベリングされて
も良い。

【０１０１】なお、本実施の形態においては、半導体装
置４の電極パッド８上に突起電極５が形成されていると
したが、回路基板２の端子電極１上に突起電極５が形成
されていても良い。

【０１０２】図９は、回路基板保持工程を示す概略断面
図である。ガラスやセラミックまたはＳＵＳでできた平
坦な基板固定治具２１上に剥離タイプの接着シート２０
を貼り付け、その上に、反りやうねりのある回路基板２
を貼付け平坦化する。それによって、回路基板２への半
導体装置４の実装部分１０ｍｍ□の反りは約１０μｍ以
下に抑えられる。ただし、半導体装置４の大きさは１０
ｍｍ□のものを使用する。接着シート２０はエポキシが
主成分のものを使用する。また、反りやうねりのある回
路基板２を上記の平坦な基板固定治具２１と平坦な基板
抑え治具とで挟めて平坦化しても良い。前記基板抑え治
具の半導体装置４の実装部分は半導体装置４が搭載でき
るよう、窓がくり抜かれている。

【０１０３】なお、本回路基板保持工程においては、上
述したような基板固定治具の使用に限定されるものでは
なく、単純に吸着穴または溝を設けた平坦な治具で回路
基板２を吸着し、平坦に保持する方法を用いてもよい。

【０１０４】図１０は、接続層形成工程を示す概略断面
図である。半導体装置４の突起電極５の形成側を下方に
向けた状態で、接合層３として導電性接着剤の転写膜に
下降させ、突起電極５を導電性接着剤中に浸漬した後、
半導体装置４を上方に引き上げ、各突起電極５の先端付
近に接合層３である導電性接着剤を一括して転写形成す
る。

【０１０５】図１１は、補強部形成工程を示す概略断面
図である。後述する補強工程後に、補強部９の回路基板
２との接着面積および半導体装置４との接着面積が、補
強部１カ所あたりそれぞれ、実質的に直径が２．２ｍｍ
の円の面積以下となるように、回路基板２上に絶縁性樹
脂を用いた補強部９を形成する。補強部９はシリンジノ
ズル等ポッティング供給可能なもので形成される。ノズ
ル内径０．３３〜０．１９ｍｍのものを使用することに
よって、容易に上記接着面の条件を満たすように補強部
９を形成することができる。

【０１０６】また、補強部９用の絶縁性樹脂は、硬化前
の粘度が３５Ｐａ・ｓ以上のものを用いることにより、
容易に上記接着面の条件を満たすように補強部９を形成
することができる。

【０１０７】なお、補強部９を半導体装置４側に形成す
るとしても良い。

【０１０８】図８および図１０の工程と、図９および図
１１の工程とは、互いに独立した工程であり、必ずしも
図番の順に行う必要はない。要するに、図１２で示す工
程の前に、図１０および図１１の工程が完了しておりさ
えすればよい。

【０１０９】図１２は、仮止め工程、接続工程、補強工
程および接合層硬化工程を示す概略断面図である。半導
体装置４を位置合わせした後にフェースダウンで回路基
板２に搭載し、接合層３によって半導体装置４の突起電
極５と回路基板２の端子電極１とを接続すると同時に半
導体装置４と回路基板２とを仮接着保持させるその後、
接合層３を硬化すると同時に補強部９の絶縁性樹脂も硬
化させ、半導体装置４と回路基板２とを補強固定する。
半導体装置４を回路基板２に載置されるときは室温で行
われる。半導体装置４を回路基板２へ載置するときの荷
重は突起電極一つ当たり約１ｇ程度で十分である。

【０１１０】導電性接着剤を用いた接合層３の硬化条件
は１２０℃×２ｈとする。この硬化条件で硬化された後
の接続抵抗値の値は、補強部９無しのときよりも安定し
ており、補強部９の硬化により、接続部がより安定して
仮固着されたと考えられる。これにより、封止樹脂注入
前の接続不良を低減させ、歩留りを高くすることができ
る。また、封止樹脂注入前の検査が行いやすくなる。

【０１１１】また、補強部９と接合層３の両方の硬化温
度よりも高い温度で硬化してもよい。例えば、１５０℃
×１５〜２０ｍｉｎである。これによって、硬化時間が
短縮化され、生産性を向上させることができる。

【０１１２】図１３は、封止樹脂充填工程を示す概略断
面図である。半導体装置４と回路基板２との間隙と周辺
部に絶縁性の封止樹脂を注入、充填、被覆した後、前記
封止樹脂６を硬化する。本実施の形態においては、例え
ば、回路基板２に樹脂基板を使用し、封止樹脂６の注入
温度は４５℃とする。そのときの、封止樹脂６の硬化条
件は、１２０℃×２ｈ＋１５０℃×２ｈとする。

【０１１３】図１４は、回路基板保持解除工程を示す概
略断面図である。平坦化に保持された回路基板２を取り
外すものである。半導体装置４の実装体は、接着シート
２０を約１５０℃に加熱し、接着シートを軟化させたの
ち、簡単に取り外すことができる。

【０１１４】以上のように、本実施の形態においては、
補強工程後に、補強部９の回路基板２との接着面積およ
び半導体装置４との接着面積が、補強部１カ所あたりそ
れぞれ、実質的に直径が２．２ｍｍの円の面積以下とな
るように、絶縁性樹脂を用いた補強部９を形成すること
により、半導体装置４が回路基板２に実装されたとき
に、補強部９にボイドの発生が起こらず、半導体装置４
と回路基板２とが安定して仮固着されるため、接合層３
や封止樹脂６の硬化時における回路基板２の反りやうね
りを抑制し、接合部にかかる歪み（ストレス）を緩和さ
せることができ、このことによって封止樹脂６注入前の
接続不良を低減させ、良品歩留りを高くすることができ
る。さらに、封止樹脂６注入時においても、補強部９で
の巻き込みによるボイドの発生を抑え、封止樹脂６硬化
後の接続信頼性を向上させることが可能となる。

【０１１５】なお、半導体装置４と樹脂からなる回路基
板２の組み合わせでは、補強部９の直径すなわち広がり
径１５は、通常、０．５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下の範囲
で塗布制御するものとする。

【０１１６】また、半導体装置４と回路基板２との間隙
寸法は、一般的な半導体装置の実装体の標準的な値であ
る６５ｍｍ〜８０ｍｍの範囲としている。

【０１１７】なお、本実施の形態における半導体装置の
実装体の製造方法は、上述した全ての工程を含むもので
あるとして説明したが、これに限るものではなく、少な
くとも、本発明の補強部形成工程と、仮止め工程と、補
強工程と、接続工程とを含むものであればよい。

【０１１８】（第１０の実施の形態）次に、本発明の第
１０の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の
形態が上述した第９の実施の形態と異なるのは、本発明
の突起電極が半田接合部であり、本発明の接合層に係る
工程を含んでいないことに関する点である。したがっ
て、本実施の形態において、第９の実施の形態と同様の
物については、同一符号を付与し、説明を省略する。ま
た、特に説明のないものについては、第９の実施の形態
と同じとする。

【０１１９】図１５〜図２０は、本発明の第１０の実施
の形態における半導体装置の実装体の製造方法の工程を
示す概略断面図である。図１５〜図２０において、１は
端子電極、２は回路基板、４は半導体装置、５は突起電
極、６は封止樹脂、７は封止樹脂中のフィラー、８は電
極パッド、９は補強部、１０は補強部中のフィラー、１
１は半田接合部、１２はパッシベーション膜、１３は拡
散防止金属膜、１４は密着金属膜、１５は広がり径、１
６はランド、２０は接着シート、２１は基板固定治具で
ある。

【０１２０】以上のように構成された半導体装置の実装
体の製造方法について、その工程にしたがって、図１
５、図１６、図１７、図１８、図１９、図２０の順に説
明する。

【０１２１】まず、図１５は、突起電極形成工程を示す
概略断面図である。半導体装置４の複数の電極パッド８
上にＣｒなどの拡散防止金属膜１３およびＣｕ等の密着
金属膜１４を蒸着により形成する。その後、電極部以外
をフォトレジストで覆い、メッキ法により密着金属膜１
４上に数μｍ〜数十μｍの半田を析出させ、半田リフロ
ーすることにより半球状の半田の突起電極５を形成す
る。

【０１２２】図１６は、回路基板保持工程を示す概略断
面図である。本工程については、上述した第９の実施の
形態の回路基板保持工程と同じである。

【０１２３】図１７は、補強部形成工程を示す概略断面
図である。本工程についても、上述した第９の実施の形
態の補強部形成工程と同じである。

【０１２４】図１８は、仮止め工程、補強工程および接
続工程を示す概略断面図である。半導体装置４を位置合
わせした後に回路基板２に搭載し、半導体装置４または
回路基板２を加熱させることによって、突起電極５を溶
融させ、半導体装置４の突起電極５と回路基板２の端子
電極１とを接続すると同時に補強部９の絶縁性樹脂も硬
化させ、半導体装置４と回路基板２とを補強固定する。
半田の突起電極の溶融温度は、通常、２００〜３００℃
に設定する。

【０１２５】図１９は、封止樹脂充填工程を示す概略断
面図である。本工程についても、上述した第９の実施の
形態の封止樹脂充填工程と同じである。

【０１２６】図２０は、回路基板保持解除工程を示す概
略断面図である。本工程についても、上述した第９の実
施の形態の回路基板保持解除工程と同じである。

【０１２７】以上のように、本実施の形態においては、
補強工程後に、補強部９の回路基板２との接着面積およ
び半導体装置４との接着面積が、補強部１カ所あたりそ
れぞれ、実質的に直径が２．２ｍｍの円の面積以下とな
るように、絶縁性樹脂を用いた補強部９を形成すること
により、半導体装置４が回路基板２に実装されたとき
に、補強部９にボイドの発生が起こらず、半導体装置４
と回路基板２とが安定して仮固着されるため、接合層３
や封止樹脂６の硬化時における回路基板２の反りやうね
りを抑制し、接合部にかかる歪み（ストレス）を緩和さ
せることができ、このことによって封止樹脂６注入前の
接続不良を低減させ、良品歩留りを高くすることができ
る。さらに、封止樹脂６注入時においても、補強部９で
の巻き込みによるボイドの発生を抑え、封止樹脂６硬化
後の接続信頼性を向上させることが可能となる。

【０１２８】なお、本実施の形態における半導体装置の
実装体の製造方法は、上述した全ての工程を含むもので
あるとして説明したが、これに限るものではなく、少な
くとも、本発明の補強部形成工程と、仮止め工程と、補
強工程と、接続工程とを含むものであればよい。

【０１２９】

【実施例】以下に、本発明の実施例を説明する。

【０１３０】以下に述べる実施例１〜４は、第９の実施
の形態における半導体装置の実装体の製造方法にしたが
って製造された、補強部の接着面の直径が１〜２．２ｍ
ｍの円である半導体装置の実装体であり、比較例１〜３
は、同様の製造方法にしたがって製造された、補強部の
接着面の直径が２．７〜４．８ｍｍの円である半導体装
置の実装体である。

【０１３１】すなわち、図８〜図１４で示された工程に
したがって、長さ１０ｍｍ×幅１０ｍｍ×厚さ０．４ｍ
ｍの半導体装置４をフェースダウンで、長さ１１ｍｍ×
幅１１ｍｍ×厚さ０．１５ｍｍの回路基板２に実装した
ものである。なお、半導体装置４は、２６８個の突起電
極５を有しており、これら全てを回路基板２の各端子電
極１と接続した。また、補強部９は、回路基板２の中央
位置に１個形成した。また、実装体完成後の半導体装置
４と回路基板２との間隙寸法は、０．０７５ｍｍとなる
ようにした。

【０１３２】図２８は、実施例１（補強部の接着面の直
径；１ｍｍ）の半導体装置の実装体を完成後に補強部の
位置で水平に切断したものの拡大写真である。図２８に
おいて、格子状に配置された小円部は、回路基板のバイ
ア部（バイア径；０．４ｍｍ）であり、中央部付近のバ
イア部の一つに重なっている、周辺部よりやや色の濃い
円状の部分が、補強部である。補強部以外の部分は充填
された封止樹脂である。本実施例においては、補強部内
および封止樹脂内にボイドの発生は認められない。

【０１３３】図２９は、実施例２（補強部の接着面の直
径；１．６ｍｍ）の半導体装置の実装体を完成後に補強
部の位置で水平に切断したものの拡大写真である。図２
９において、格子状に配置された小円部は、回路基板の
バイア部であり、中央部付近のバイア部二つに重なって
いる、周辺部よりやや色の濃い円状の部分が、補強部で
ある。補強部以外の部分は充填された封止樹脂である。
本実施例においても補強部内および封止樹脂内にボイド
の発生は認められない。

【０１３４】図３０は、実施例３（補強部の接着面の直
径；１．９ｍｍ）の半導体装置の実装体を完成後に補強
部の位置で水平に切断したものの拡大写真である。図３
０において、格子状に配置された小円部は、回路基板の
バイア部であり、中央部付近のバイア部四つに重なって
いる、周辺部よりやや色の濃い円状の部分が、補強部で
ある。補強部以外の部分は充填された封止樹脂である。
本実施例においても補強部内および封止樹脂内にボイド
の発生は認められない。

【０１３５】図３１は、実施例４（補強部の接着面の直
径；２．２ｍｍ）の半導体装置の実装体を完成後に補強
部の位置で水平に切断したものの拡大写真である。図３
１において、格子状に配置された小円部は、回路基板の
バイア部であり、中央部付近のバイア部九つに重なって
いる、周辺部よりやや色の濃い円状の部分が、補強部で
ある。補強部以外の部分は充填された封止樹脂である。
本実施例においても補強部内および封止樹脂内にボイド
の発生は認められない。

【０１３６】図３２は、比較例１（補強部の接着面の直
径；２．７ｍｍ）の半導体装置の実装体を完成後に補強
部の位置で水平に切断したものの拡大写真である。図３
２において、格子状に配置された小円部は、回路基板の
バイア部であり、中央部付近のバイア部の１１個に重な
っている、周辺部よりやや色の濃い円状の部分が、補強
部である。補強部以外の部分は充填された封止樹脂であ
る。本比較例においては、補強部内にボイドの発生が認
められる。

【０１３７】図３３は、比較例２（補強部の接着面の直
径；４．８ｍｍ）の半導体装置の実装体を完成後に補強
部の位置で水平に切断したものの拡大写真である。図３
３において、格子状に配置された小円部は、回路基板の
バイア部であり、中央部付近のバイア部の２８個に重な
っている、周辺部よりやや色の濃い円状の部分が、補強
部である。補強部以外の部分は充填された封止樹脂であ
る。本比較例においても、補強部内にボイドの発生が認
められる。

【０１３８】図３４、図３５は、比較例３（補強部の接
着面の直径；２．８ｍｍ）の半導体装置の実装体を完成
後に補強部の位置で水平に切断したものの拡大写真であ
り、図２８〜図３３に比べて倍率を上げて拡大したもの
である。図３４、図３５において、格子状に配置された
小円部は、回路基板のバイア部であり、中央部から上部
にかけての、周辺部よりやや色の濃い部分が、補強部で
ある。補強部以外の部分は充填された封止樹脂である。
本比較例においては、補強部内のみならず、封止樹脂内
（補強部に隣接した部分）にもボイドの発生が認められ
る。比較のため、実施例２（補強部の接着面の直径；
１．６ｍｍ）を同倍率で拡大したものを図３６に示す。
拡大してみても、本実施例においては、補強部内および
封止樹脂内にボイドの発生は認められない。

【０１３９】以上により、補強部の回路基板との接着面
積および半導体装置との接着面積が、前記補強部一つあ
たりそれぞれ、実質的に直径が２．２ｍｍの円の面積以
下であれば、半導体装置が回路基板に実装されたとき
に、補強部にボイドの発生が起こらず、封止樹脂注入時
においても、補強部での巻き込みによるボイドを発生を
抑えれることが確認された。

【０１４０】

【発明の効果】以上説明したところから明らかなよう
に、本発明は、熱膨張係数の大きい回路基板や厚みの薄
い回路基板、または平坦性の悪い（反りやうねりの大き
い）回路基板へ半導体装置をフェースダウンで接続する
場合において、封止樹脂注入前の接続不良を低減させ、
また、封止樹脂注入硬化後の接続信頼性を向上させるこ
とが可能で、歩留りの高い半導体装置の実装体とその製
造方法を提供することができる。すなわち、半導体装置
が回路基板に実装されたときに、補強部にボイドの発生
が起こらず、それによって、半導体装置と回路基板とが
安定して仮固着されるため、接合層や封止樹脂の硬化時
における回路基板の反りやうねりを抑制し、接合部にか
かる歪み（ストレス）を緩和させることができ、このこ
とによって封止樹脂注入前の接続不良を低減させ、良品
歩留りを高くすることができる。さらに、封止樹脂注入
時においても、補強部での巻き込みによるボイドを発生
を抑え、封止樹脂硬化後の接続信頼性を向上させること
ができる。

【０１４１】請求項９の本発明は、回路基板面の部分的
に熱膨張係数が大きい箇所における歪み（ストレス）を
緩和、吸収することができる。

【０１４２】請求項１０の本発明は、半導体装置の４隅
部分にかかる歪み（ストレス）を緩和、吸収することが
でき、半導体装置のサイズが大きくなればよりこの効果
は大きくなり、半導体装置の４隅部分の接続信頼性を向
上させることができる。

【０１４３】請求項５、１４の本発明は、補強部を接合
層と同じ温度で硬化でき、かつ、短時間で硬化させるこ
とができる。

【０１４４】請求項６、１５の本発明は、補強部の絶縁
性樹脂の硬化収縮力が接合層の硬化収縮力よりも大きく
することにより、接合層の電気的な接続を良好かつ安定
にし、また、半導体装置と回路基板とを機械的に保持す
ることができる。

【０１４５】請求項８、１８の本発明は、補強部の絶縁
性樹脂が硬化した後に封止樹脂を注入し硬化した際に、
補強部の絶縁性樹脂の弾性率が封止樹脂の弾性率よりも
小さいため、歪み（ストレス）が生じたときに緩和、吸
収することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における半導体装置
の実装体の概略断面図である。

【図２】本発明の第２の実施の形態における半導体装置
の実装体の概略断面図である。

【図３】本発明の第３の実施の形態における半導体装置
の実装体の概略断面図である。

【図４】本発明の第４の実施の形態における半導体装置
の実装体の概略平面透過図である。

【図５】本発明の第５の実施の形態における半導体装置
の実装体の概略平面透過図である。

【図６】多層の回路基板上に半導体装置が複数個実装さ
れているもの（マルチチップモジュール）の概略断面図
である。

【図７】回路基板上に半導体装置が単体で実装されてい
るもの（チップスケールパッケージまたはチップサイズ
パッケージ）の概略断面図である。

【図８】本発明の第９の実施の形態における半導体装置
の実装体の製造方法の突起電極形成工程を示す概略断面
図である。

【図９】本発明の第９の実施の形態における半導体装置
の実装体の製造方法の回路基板保持工程を示す概略断面
図である。

【図１０】本発明の第９の実施の形態における半導体装
置の実装体の製造方法の接続層形成工程を示す概略断面
図である。

【図１１】本発明の第９の実施の形態における半導体装
置の実装体の製造方法の補強部形成工程を示す概略断面
図である。

【図１２】本発明の第９の実施の形態における半導体装
置の実装体の製造方法の仮止め工程、接続工程、補強工
程および接合層硬化工程を示す概略断面図である。

【図１３】本発明の第９の実施の形態における半導体装
置の実装体の製造方法の封止樹脂充填工程を示す概略断
面図である。

【図１４】本発明の第９の実施の形態における半導体装
置の実装体の製造方法の回路基板保持解除工程を示す概
略断面図である。

【図１５】本発明の第１０の実施の形態における半導体
装置の実装体の製造方法の突起電極形成工程を示す概略
断面図である。

【図１６】本発明の第１０の実施の形態における半導体
装置の実装体の製造方法の回路基板保持工程を示す概略
断面図である。

【図１７】本発明の第１０の実施の形態における半導体
装置の実装体の製造方法の補強部形成工程を示す概略断
面図である。

【図１８】本発明の第１０の実施の形態における半導体
装置の実装体の製造方法の仮止め工程、補強工程および
接続工程を示す概略断面図である。

【図１９】本発明の第１０の実施の形態における半導体
装置の実装体の製造方法の封止樹脂充填工程を示す概略
断面図である。

【図２０】本発明の第１０の実施の形態における半導体
装置の実装体の製造方法の回路基板保持解除工程を示す
概略断面図である。

【図２１】従来の半田接合層を有する半導体装置の実装
体の概略断面図である。

【図２２】従来の半田接合層を有する半導体装置の製造
方法の突起電極形成工程を示す概略断面図である。

【図２３】従来の半田接合層を有する半導体装置の製造
方法の載置工程を示す概略断面図である。

【図２４】従来の半田接合層を有する半導体装置の製造
方法の接続工程を示す概略断面図である。

【図２５】従来の半田接合層を有する半導体装置の製造
方法の封止樹脂充填工程を示す概略断面図である。

【図２６】補強部を備えた従来の半導体装置の実装体の
概略断面図である。

【図２７】補強部を備えた従来の半導体装置の実装体の
概略平面透過図である。

【図２８】本発明の実施例１（補強部の接着面の直径；
１ｍｍ）の半導体装置の実装体を完成後に補強部の位置
で水平に切断したものの拡大写真であり、ディスプレイ
上に表示した中間調画像をプリンターから出力したもの
であり、図面に代わる写真である。

【図２９】本発明の実施例２（補強部の接着面の直径；
１．６ｍｍ）の半導体装置の実装体を完成後に補強部の
位置で水平に切断したものの拡大写真であり、ディスプ
レイ上に表示した中間調画像をプリンターから出力した
ものであり、図面に代わる写真である。

【図３０】本発明の実施例３（補強部の接着面の直径；
１．９ｍｍ）の半導体装置の実装体を完成後に補強部の
位置で水平に切断したものの拡大写真であり、ディスプ
レイ上に表示した中間調画像をプリンターから出力した
ものであり、図面に代わる写真である。

【図３１】本発明の実施例４（補強部の接着面の直径；
２．２ｍｍ）の半導体装置の実装体を完成後に補強部の
位置で水平に切断したものの拡大写真であり、ディスプ
レイ上に表示した中間調画像をプリンターから出力した
ものであり、図面に代わる写真である。

【図３２】本発明の比較例１（補強部の接着面の直径；
２．７ｍｍ）の半導体装置の実装体を完成後に補強部の
位置で水平に切断したものの拡大写真であり、ディスプ
レイ上に表示した中間調画像をプリンターから出力した
ものであり、図面に代わる写真である。

【図３３】本発明の比較例２（補強部の接着面の直径；
４．８ｍｍ）の半導体装置の実装体を完成後に補強部の
位置で水平に切断したものの拡大写真であり、ディスプ
レイ上に表示した中間調画像をプリンターから出力した
ものであり、図面に代わる写真である。

【図３４】本発明の比較例３（補強部の接着面の直径；
２．８ｍｍ）の半導体装置の実装体を完成後に補強部の
位置で水平に切断したものの拡大写真であり、ディスプ
レイ上に表示した中間調画像をプリンターから出力した
ものであり、図面に代わる写真である。

【図３５】本発明の比較例３（補強部の接着面の直径；
２．８ｍｍ）の半導体装置の実装体を完成後に補強部の
位置で水平に切断したものの拡大写真であり、ディスプ
レイ上に表示した中間調画像をプリンターから出力した
ものであり、図面に代わる写真である。

【図３６】本発明の実施例２（補強部の接着面の直径；
１．６ｍｍ）の半導体装置の実装体を完成後に補強部の
位置で水平に切断したものの拡大写真であり、ディスプ
レイ上に表示した中間調画像をプリンターから出力した
ものであり、図面に代わる写真である。

【符号の説明】

１端子電極２回路基板３接合層４半導体装置５突起電極６封止樹脂７封止樹脂中のフィラー８電極パッド９補強部１０補強部中のフィラー１１半田接合部１２パッシベーション膜１３拡散防止金属膜１４密着金属膜１５広がり径１６ランド１７接続部１８バイア部１９導体パターン２０接着シート２１基板固定治具２２ボイド

【手続補正書】

【提出日】平成１１年４月２８日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正内容】

【書類名】明細書

【発明の名称】半導体装置の実装体の製造方法

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体装置をフェースダウンで回路基板
に実装する半導体装置の実装体の製造方法において、前
記回路基板を平坦に保持する回路基板保持工程と、前記
回路基板または前記半導体装置の少なくとも一方に絶縁
性樹脂からなる補強部を少なくとも１カ所形成する補強
部形成工程と、前記補強部形成工程の後、前記半導体装
置を位置合わせした後に前記回路基板に搭載し、前記半
導体装置と前記回路基板とを前記補強部によって接着保
持させる仮止め工程と、前記仮止め工程の後、前記補強
部の前記絶縁性樹脂を硬化させる補強工程と、前記仮止
め工程または前記補強工程と同時、またはこれらの後
に、前記半導体装置の電極パッドと前記回路基板の端子
電極とを電気的に接続する接続工程と、前記回路基板保
持工程において平坦に保持された前記回路基板の保持を
解除する回路基板保持解除工程とを含み、前記補強部形
成工程においては、前記補強工程後の前記補強部の前記
回路基板との接着面積および前記半導体装置との接着面
積が、前記補強部１カ所あたりそれぞれ、実質的に直径
が２．２ｍｍの円の面積以下となるように、前記補強部
を形成することを特徴とする半導体装置の実装体の製造
方法。

【請求項２】前記半導体装置の電極パッド上または前
記回路基板の端子電極上に突起電極を形成する突起電極
形成工程と、前記突起電極形成工程の後、前記突起電極
の先端付近に接合層を形成する接合層形成工程とを、前
記仮止め工程の前に含み、前記補強工程と同時に、前記
接合層を硬化させる接合層硬化工程を含み、前記接続工
程は、前記仮止め工程と同時に、前記突起電極と前記接
合層とを介して、前記半導体装置の電極パッドと前記回
路基板の端子電極とを電気的に接続する工程であること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置の実装体の製
造方法。

【請求項３】前記半導体装置の電極パッド上または前
記回路基板の端子電極上突起電極を形成する突起電極形
成工程を、前記仮止め工程の前に含み、前記接続工程
は、前記補強工程と同時に、前記半導体装置または前記
回路基板を加熱し、前記突起電極を溶融させることによ
って、前記突起電極を介して、前記半導体装置の電極パ
ッドと前記回路基板の端子電極とを電気的に接続する工
程であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置
の実装体の製造方法。

【請求項４】前記絶縁性樹脂の硬化反応開始温度は、
前記接合層の硬化温度以下であること、および／また
は、前記絶縁性樹脂の硬化時間は、前記接合層の硬化時
間より短いものであることを特徴とする請求項１に記載
の半導体装置の実装体の製造方法。

【請求項５】前記絶縁性樹脂は、その硬化収縮力が前
記接合層の硬化収縮力よりも大きいものであることを特
徴とする請求項２または４に記載の半導体装置の実装体
の製造方法。

【請求項６】前記接続工程の後、前記半導体装置と前
記回路基板との間隙と周辺部に絶縁性の封止樹脂を注
入、充填、被覆した後、前記封止樹脂を硬化する封止樹
脂充填工程とを含み、前記補強工程における前記絶縁性
樹脂の硬化は、少なくとも、前記封止樹脂充填工程にお
ける前記封止樹脂の硬化の完了より前に完了しているこ
とを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体
装置の実装体の製造方法。

【請求項７】前記絶縁性樹脂の弾性率は、前記封止樹
脂の弾性率以下であることを特徴とする請求項６に記載
の半導体装置の実装体の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置をフェ
ースダウンで回路基板に実装する際の半導体装置の実装
体の製造方法に関するものである。

【０００２】

【００１３】

【００１９】本発明は、従来の半導体装置の実装体とそ
の製造方法が有する上述した課題を考慮し、熱膨張係数
の大きい回路基板や厚みの薄い回路基板、または平坦性
の悪い（反りやうねりの大きい）回路基板へ半導体装置
をフェースダウンで接続する場合において、封止樹脂注
入前の接続不良を低減させ、また、封止樹脂注入硬化後
の接続信頼性を向上させることが可能で、歩留りの高い
半導体装置の実装体の製造方法を提供することを目的と
するものである。

【００２０】

【００２１】すなわち、上記課題を解決するために、第
１の本発明（請求項１に記載の本発明に対応）は、半導
体装置をフェースダウンで回路基板に実装する半導体装
置の実装体の製造方法において、前記回路基板を平坦に
保持する回路基板保持工程と、前記回路基板または前記
半導体装置の少なくとも一方に絶縁性樹脂からなる補強
部を少なくとも１カ所形成する補強部形成工程と、前記
補強部形成工程の後、前記半導体装置を位置合わせした
後に前記回路基板に搭載し、前記半導体装置と前記回路
基板とを前記補強部によって接着保持させる仮止め工程
と、前記仮止め工程の後、前記補強部の前記絶縁性樹脂
を硬化させる補強工程と、前記仮止め工程または前記補
強工程と同時、またはこれらの後に、前記半導体装置の
電極パッドと前記回路基板の端子電極とを電気的に接続
する接続工程と、前記回路基板保持工程において平坦に
保持された前記回路基板の保持を解除する回路基板保持
解除工程とを含み、前記補強部形成工程においては、前
記補強工程後の前記補強部の前記回路基板との接着面積
および前記半導体装置との接着面積が、前記補強部１カ
所あたりそれぞれ、実質的に直径が２．２ｍｍの円の面
積以下となるように、前記補強部を形成することを特徴
とする半導体装置の実装体の製造方法である。

【００３８】第２の本発明（請求項２に記載の本発明に
対応）は、前記半導体装置の電極パッド上または前記回
路基板の端子電極上に突起電極を形成する突起電極形成
工程と、前記突起電極形成工程の後、前記突起電極の先
端付近に接合層を形成する接合層形成工程とを、前記仮
止め工程の前に含み、前記補強工程と同時に、前記接合
層を硬化させる接合層硬化工程を含み、前記接続工程
は、前記仮止め工程と同時に、前記突起電極と前記接合
層とを介して、前記半導体装置の電極パッドと前記回路
基板の端子電極とを電気的に接続する工程であることを
特徴とする第１の本発明の半導体装置の実装体の製造方
法である。

【００３９】第３の本発明（請求項３に記載の本発明に
対応）は、前記半導体装置の電極パッド上または前記回
路基板の端子電極上突起電極を形成する突起電極形成工
程を、前記仮止め工程の前に含み、前記接続工程は、前
記補強工程と同時に、前記半導体装置または前記回路基
板を加熱し、前記突起電極を溶融させることによって、
前記突起電極を介して、前記半導体装置の電極パッドと
前記回路基板の端子電極とを電気的に接続する工程であ
ることを特徴とする第１の本発明の半導体装置の実装体
の製造方法である。

【００４０】第４の本発明（請求項４に記載の本発明に
対応）は、前記絶縁性樹脂の硬化反応開始温度が、前記
接合層の硬化温度以下であること、および／または、前
記絶縁性樹脂の硬化時間が、前記接合層の硬化時間より
短いものであることを特徴とする第１の本発明の半導体
装置の実装体の製造方法である。

【００４１】第５の本発明（請求項５に記載の本発明に
対応）は、前記絶縁性樹脂が、その硬化収縮力が前記接
合層の硬化収縮力よりも大きいものであることを特徴と
する第２または第４の本発明の半導体装置の実装体の製
造方法である。

【００４２】第６の本発明（請求項６に記載の本発明に
対応）は、前記接続工程の後、前記半導体装置と前記回
路基板との間隙と周辺部に絶縁性の封止樹脂を注入、充
填、被覆した後、前記封止樹脂を硬化する封止樹脂充填
工程とを含み、前記補強工程における前記絶縁性樹脂の
硬化は、少なくとも、前記封止樹脂充填工程における前
記封止樹脂の硬化の完了より前に完了していることを特
徴とする第１〜第５のいずれかの本発明の半導体装置の
実装体の製造方法である。

【００４４】第７の本発明（請求項７に記載の本発明に
対応）は、前記絶縁性樹脂の弾性率が、前記封止樹脂の
弾性率以下であることを特徴とする第６の本発明の半導
体装置の実装体の製造方法である。

【００４４】第８の本発明（請求項８に記載の本発明に
対応）は、第１〜７のいずれかの製造方法によって製造
された半導体装置の実装体である。

【００４５】なお、第１〜第８のいずれかの本発明にお
いて、前記絶縁性樹脂の硬化前の粘度が、３５Ｐａ・ｓ
以上であることを特徴とする半導体装置の実装体の製造
方法としてもよい。

【００４６】

【００４７】まず本発明の半導体装置の実装体の製造方
法を説明する前に、種々の半導体装置の実装体について
説明する。以下に、図６、７を用いて半導体装置の実装
体の全体構造を説明する。図６は、多層の回路基板２上
に半導体装置４が複数個実装されているもの（マルチチ
ップモジュール）の断面図であり、図７は、回路基板２
上に半導体装置４が単体で実装されているもの（チップ
スケール（サイズ）パッケージ）の断面図である。図６
の実装体は、フェ−スダウンで複数の半導体装置４が多
層の回路基板２上に実装されているものである。半導体
装置４と多層の回路基板２との間隙と周辺部は、封止樹
脂６によって充填、被覆封止されている。図７の実装体
は、フェ−スダウンで単体の半導体装置４が回路基板２
上に実装されている。半導体装置４と回路基板２との間
隙と周辺部部は、封止樹脂６によって充填、被覆封止さ
れているものである。

【００４８】以下で説明する半導体装置の実装体は、図
６の実装体、図７の実装体双方に適用可能であるが、便
宜上、図７の実装体を例にとって、図示等を行う。

【００４９】（第１の例）まず、本発明の第１の例を図
面を参照して説明する。

【００５０】図１は、本発明の第１の例における半導体
装置の実装体の概略断面図である。図１に示すように、
１は端子電極、２は回路基板、３は接合層、４は半導体
装置、５は突起電極、６は封止樹脂、７は封止樹脂中の
フィラー、８は電極パッド、９は補強部、１０は補強部
中のフィラー、１５は補強部の広がり径、１６はランド
である。

【００５２】以上のように、本例においては、半導体装
置４と回路基板２との間隙に接着面積の直径すなわち広
がり径１５が２．２ｍｍ以下の絶縁性樹脂を用いた補強
部９を１カ所以上設けることにより、半導体装置４が回
路基板２に実装されたときに、補強部９にボイドの発生
が起こらず、それによって、半導体装置４と回路基板２
とが安定して仮固着されるため、接合層３や封止樹脂６
の硬化時における回路基板２の反りやうねりを抑制し、
接合部にかかる歪み（ストレス）を緩和させることがで
き、このことによって封止樹脂６注入前の接続不良を低
減させ、良品歩留りを高くすることができる。さらに、
封止樹脂６注入時においても、補強部９での巻き込みに
よるボイドの発生を抑え、封止樹脂６硬化後の接続信頼
性を向上させることが可能となる。

【００５６】また、補強部９の絶縁性樹脂は、シリンジ
ノズル等ポッティング供給可能なものであれば良い。補
強部９の材質は、エポキシ樹脂系の熱硬化性樹脂または
熱可塑性樹脂または光硬化性樹脂またはこれらのいずれ
かの複合樹脂等が使用可能できる。特に、熱硬化性樹脂
に熱可塑性樹脂もしくはエラストマー（弾性）成分が添
加混合された混合型樹脂、熱硬化性樹脂をゴム変性また
はシリコーン変性したもの等、可撓性を有し絶縁性で低
熱膨張で弾性率が小さいものが望ましい。また、補強部
９に含まれる充填剤はシリカ等の絶縁性で低熱膨張なも
のが望ましい。粒径は、シリンジノズル等から微量塗布
ができるよう１０μｍ以下の微小な粉体が望ましい。充
填量は封止樹脂６の熱膨張係数を考慮して決められる。
本例においては、通常、補強部９と封止樹脂６の熱膨張
係数は３０ｐｐｍ前後に調整されている。

【００６２】（第２の例）次に、本発明の第２の例を図
面を参照して説明する。本例が上述した第１の例と異な
るのは、本発明の突起電極が回路基板側に備えられてい
ることに関する点である。したがって、本例において、
第１の例と同様の物については、同一符号を付与し、説
明を省略する。また、特に説明のないものについては、
第１の例と同じとする。

【００６３】図２は、本発明の第２の例における半導体
装置の実装体の概略断面図である。図２に示すように、
１は端子電極、２は回路基板、３は接合層、４は半導体
装置、５は突起電極、６は封止樹脂、７は封止樹脂中の
フィラー、８は電極パッド、９は補強部、１０は補強部
中のフィラー、１５は補強部の広がり径、１６はランド
である。

【００６４】本例における半導体装置の実装体では、回
路基板２の端子電極１上に突起電極５が形成されてい
る。また、回路基板２の端子電極１上に形成された突起
電極５は、２段突起形状であってもよい。突起電極５の
材質は銅、銀、金等、導電性のものであれば良い。

【００６５】以上のように、本例においては、半導体装
置４と回路基板２との間隙に接着面積の直径すなわち広
がり径１５が２．２ｍｍ以下の絶縁性樹脂を用いた補強
部９を１カ所以上設けることにより、回路基板２が半導
体装置４に実装されたときに、補強部９にボイドの発生
が起こらず、それによって、上述した第１の例と同様の
効果が得られる。

【００６６】（第３の例）次に、本発明の第３の例を図
面を参照して説明する。本例が上述した第１の例と異な
るのは、本発明の突起電極が半田接合部であることに関
する点である。したがって、本例において、第１の例と
同様の物については、同一符号を付与し、説明を省略す
る。また、特に説明のないものについては、第１の例と
同じとする。

【００６７】図３は、本発明の第３の例における半導体
装置の実装体の概略断面図である。図３に示すように、
１は端子電極、２は回路基板、４は半導体装置、６は封
止樹脂、７は封止樹脂中のフィラー、８は電極パッド、
９は補強部、１０は補強部中のフィラー、１１は半田接
合部、１２はパッシベーション膜、１３は拡散防止金属
膜、１４は密着金属膜、１５は補強部の広がり径、１６
はランドである。

【００６８】本例における半導体装置の実装体では、半
導体装置４の素子表面上の電極パッド８上にＣｒなどの
拡散防止金属膜１３およびＣｕ等の密着金属膜１４が形
成されている。また、密着金属膜１４と回路基板２の端
子電極１とは半田接合部１１によって電気的に接続され
ている。

【００６９】以上のように、本例においては、半導体装
置４と回路基板２との間隙に接着面積の直径すなわち広
がり径１５が２．２ｍｍ以下の絶縁性樹脂を用いた補強
部９を１カ所以上設けることにより、回路基板２が半導
体装置４に実装されたときに、補強部９にボイドの発生
が起こらず、それによって、上述した第１の例と同様の
効果が得られる。

【００７０】（第４の例）次に、本発明の第４の例を図
面を参照して説明する。本例が上述した第１の例と異な
るのは、本発明の補強部の平面的な配置が特定されてい
ることに関する点である。したがって、本例において、
第１の例と同様の物については、同一符号を付与し、説
明を省略する。また、特に説明のないものについては、
第１の例と同じとする。

【００７１】図４は、本発明の第４の例における半導体
装置の実装体の概略平面透過図である。図４に示すよう
に、１は端子電極、２は回路基板、４は半導体装置、６
は封止樹脂、９は補強部、１７は接続部、１８はバイア
部、１９は導体パターンである。

【００７２】本例における半導体装置の実装体では、回
路基板２の内層または表層に導体パターン１９が形成さ
れている。導体パターン１９は銅が一般的であり、その
熱膨張係数は約１７ｐｐｍと大きい。前記導体パターン
１９上で半導体装置４と回路基板２との間隙に補強部９
が形成されている。補強部９は、半導体装置４の素子面
内でかつ、補強部９が備えられていない場合において、
半導体装置４の歪みまたはストレスが大きくなると予想
される位置に配置されている。

【００７３】以上のように、本例においては、補強部９
が半導体装置４の素子面内でかつ、補強部９が備えられ
ていない場合において、半導体装置４の歪みまたはスト
レスが大きくなると予想される位置に配置されているこ
とによって、半導体装置４と回路基板２との熱膨張係数
差による接続部１７に与える歪みダメージを補強部９に
よって吸収・緩和させることができ、このことによって
封止樹脂６注入前の接続不良を低減させ、良品歩留りを
高くすることができる。また、封止樹脂６の注入、硬化
後においても、接続信頼性を向上させることが可能とな
る。

【００７４】なお、本例における半導体装置の実装体
は、上記で説明した以外は、第１の例における半導体装
置の実装体に倣うものとして説明したが、これに限るも
のではなく、例えば、第２または第３の例における半導
体装置の実装体に倣うものであってもよい。

【００７５】（第５の例）次に、本発明の第５の例を図
面を参照して説明する。本例が上述した第１の例と異な
るのは、本発明の補強部の平面的な配置が特定されてい
ることに関する点である。したがって、本例において、
第１の例と同様の物については、同一符号を付与し、説
明を省略する。また、特に説明のないものについては、
第１の例と同じとする。

【００７６】図５は、本発明の第５の例における半導体
装置の実装体の概略平面透過図である。図５に示すよう
に、１は端子電極、２は回路基板、４は半導体装置、６
は封止樹脂、９は補強部、１７は接続部、１８はバイア
部である。

【００７７】本例における半導体装置の実装体では、図
５（ａ）に示すように、半導体装置４の素子面内で端子
電極１の存在しない４隅の空き領域に補強部９が半導体
装置４の中心から同一距離に均等に配置形成されてい
る。

【００７８】以上のように、本例では補強部９が半導体
装置４の素子面内でかつ、中心から同一距離にある四隅
部分に均等に配置形成されることによって、半導体装置
４と回路基板２との熱膨張係数差による接続部１７に与
える歪みダメージを補強部９によって吸収・緩和させる
ことができ、このことによって封止樹脂６注入前の接続
不良を低減させ、良品歩留りを高くすることができる。
また、封止樹脂６の注入、硬化後においても、接続信頼
性を向上させることが可能となる。

【００８０】また、本例における半導体装置の実装体
は、上記で説明した以外は、第１の例における半導体装
置の実装体に倣うものとして説明したが、これに限るも
のではなく、例えば、第２または第３の例における半導
体装置の実装体に倣うものであってもよい。

【００８１】（第６の例）次に、本発明の第６の例を図
面を参照して説明する。本例が上述した第１の例と異な
るのは、本発明の補強部の材質に関する点である。した
がって、本例において、第１の例と同様の物について
は、同一符号を付与し、説明を省略する。また、特に説
明のないものについては、第１の例と同じとする。

【００８２】本例における半導体装置の実装体につい
て、補強部の材質以外の構成は、第１の例における半導
体装置の実装体と同じであるので、図１を参照して説明
する。

【００８３】補強部９の絶縁性樹脂は、その硬化反応開
始温度が接合層３の硬化温度と同じかそれよりも低く、
かつ、補強部９の絶縁性樹脂の硬化時間が接合層３の硬
化時間より短いものとなっている。以上のように、本例
においては、補強部９の絶縁性樹脂の硬化反応開始温度
を接合層の硬化温度と同じかそれよりも低く、補強部９
の絶縁性樹脂の硬化時間が接合層３の硬化時間より短く
することにより、補強部９を接合層と同じ温度で硬化で
き、かつ、短時間で機械的な補強を行うことができる。
このことによって、第１の例の効果に加え、封止樹脂６
注入前の接続不良を低減させ、良品歩留りを高くすると
ともに、生産性も向上させることができる。また、補強
部９の絶縁樹脂の硬化温度で処理し、低温で半導体装置
４と回路基板２とを安定に仮固着させ、接合層を電気的
に接続させ、検査することも可能となる。

【００８４】本例における半導体装置の実装体を製造す
る際、接合層３の導電性接着剤の標準硬化条件は１２０
℃×２ｈであり、補強部９の硬化反応開始温度が１１０
〜１１５℃である。また、補強部９の絶縁性樹脂の硬化
時間は１ｈ以下である。

【００８５】なお、本例における半導体装置の実装体
は、上記で説明した以外は、第１の例における半導体装
置の実装体に倣うものとして説明したが、これに限るも
のではなく、例えば、第２〜第５の例における半導体装
置の実装体のいずれかに倣うものであってもよい。

【００８６】（第７の例）次に、本発明の第７の例を図
面を参照して説明する。本例が上述した第１の例と異な
るのは、本発明の補強部の材質に関する点である。した
がって、本例において、第１の例と同様の物について
は、同一符号を付与し、説明を省略する。また、特に説
明のないものについては本例における半導体装置の実
装体について、補強部の材質以外の構成は、第１の例に
おける半導体装置の実装体と同じであるので、図１を参
照して説明する。

【００８８】以上のように、本例においては、補強部９
の絶縁性樹脂の弾性率が封止樹脂６の弾性率と同じかそ
れよりも小さいことにより、封止樹脂６の硬化収縮力に
より、半導体装置４と回路基板２との間隙にある補強部
９と接合層３の接続状態をより安定して密着固着される
ため、接合部にかかる歪み（ストレス）を緩和させるこ
とができる。このことによって、第１の例の効果に加
え、封止樹脂６硬化後の接続信頼性を向上させることが
可能となる。

【００８９】本例において用いる封止樹脂６の弾性率
は、一般的なものの例を挙げると、約１０ＧＰａであ
る。

【００９０】なお、本例における半導体装置の実装体
は、上記で説明した以外は、第１の例における半導体装
置の実装体に倣うものとして説明したが、これに限るも
のではなく、例えば、第２〜第６の例における半導体装
置の実装体のいずれかに倣うものであってもよい。

【００９１】（第８の例）次に、本発明の第８の例を図
面を参照して説明する。本例が上述した第１の例と異な
るのは、本発明の補強部の材質に関する点である。した
がって、本例において、第１の例と同様の物について
は、同一符号を付与し、説明を省略する。また、特に説
明のないものについては、第１の例と同じとする。

【００９２】本例における半導体装置の実装体につい
て、補強部の材質以外の構成は、第１の例における半導
体装置の実装体と同じであるので、図１を参照して説明
する。

【００９４】以上のように、本例においては、補強部９
の絶縁性樹脂がゴム成分（エラストマー）を含む複合樹
脂からなることにより、半導体装置４と回路基板２とが
接続固着された際に、ゴム成分（エラストマー）の弾性
が接合部にかかる歪み（ストレス）を緩和させることが
でき、また、封止樹脂６が硬化の際に硬化収縮させるこ
とができる。これによって、第１の例の効果に加え、半
導体装置４と回路基板２とをより密接に接続させ、封止
樹脂６の硬化後の接続信頼性を向上させることが可能と
なる。

【００９５】本例において用いるゴム成分（エラストマ
ー）の一般的なものとしては、加硫ゴムと熱可塑性エラ
ストマーで、弾性率は約１０の６乗から７乗Ｐａのもの
である。

【００９６】なお、本例における半導体装置の実装体
は、上記で説明した以外は、第１の例における半導体装
置の実装体に倣うものとして説明したが、これに限るも
のではなく、例えば、第２〜第７の例における半導体装
置の実装体のいずれかに倣うものであってもよい。

【００９７】（第１の実施の形態）次に、本発明の第１
の実施の形態を図面を参照して説明する。

【００９８】図８〜図１４は、本発明の第１の実施の形
態における半導体装置の実装体の製造方法の工程を示す
概略断面図である。図８〜図１４において、１は端子電
極、２は回路基板、３は接合層、４は半導体装置、５は
突起電極、６は封止樹脂、７は封止樹脂中のフィラー、
８は電極パッド、９は補強部、１０は補強部中のフィラ
ー、１５は広がり径、１６はランド、２０は接着シー
ト、２１は基板固定治具である。

【０１１８】（第２の実施の形態）次に、本発明の第２
の実施の形態を図面を参照して説明する。本実施の形態
が上述した第１の実施の形態と異なるのは、本発明の突
起電極が半田接合部であり、本発明の接合層に係る工程
を含んでいないことに関する点である。したがって、本
実施の形態において、第９の実施の形態と同様の物につ
いては、同一符号を付与し、説明を省略する。また、特
に説明のないものについては、第９の実施の形態と同じ
とする。

【０１１９】図１５〜図２０は、本発明の第２の実施の
形態における半導体装置の実装体の製造方法の工程を示
す概略断面図である。図１５〜図２０において、１は端
子電極、２は回路基板、４は半導体装置、５は突起電
極、６は封止樹脂、７は封止樹脂中のフィラー、８は電
極パッド、９は補強部、１０は補強部中のフィラー、１
１は半田接合部、１２はパッシベーション膜、１３は拡
散防止金属膜、１４は密着金属膜、１５は広がり径、１
６はランド、２０は接着シート、２１は基板固定治具で
ある。

【０１２９】

【実施例】以下に、本発明の実施例を説明する。

【０１３０】以下に述べる実施例１〜４は、第１の実施
の形態における半導体装置の実装体の製造方法にしたが
って製造された、補強部の接着面の直径が１〜２．２ｍ
ｍの円である半導体装置の実装体であり、比較例１〜３
は、同様の製造方法にしたがって製造された、補強部の
接着面の直径が２．７〜４．８ｍｍの円である半導体装
置の実装体である。

【０１４０】

【発明の効果】以上説明したところから明らかなよう
に、本発明は、熱膨張係数の大きい回路基板や厚みの薄
い回路基板、または平坦性の悪い（反りやうねりの大き
い）回路基板へ半導体装置をフェースダウンで接続する
場合において、封止樹脂注入前の接続不良を低減させ、
また、封止樹脂注入硬化後の接続信頼性を向上させるこ
とが可能で、歩留りの高い半導体装置の実装体の製造方
法を提供することができる。すなわち、半導体装置が回
路基板に実装されたときに、補強部にボイドの発生が起
こらず、それによって、半導体装置と回路基板とが安定
して仮固着されるため、接合層や封止樹脂の硬化時にお
ける回路基板の反りやうねりを抑制し、接合部にかかる
歪み（ストレス）を緩和させることができ、このことに
よって封止樹脂注入前の接続不良を低減させ、良品歩留
りを高くすることができる。さらに、封止樹脂注入時に
おいても、補強部での巻き込みによるボイドを発生を抑
え、封止樹脂硬化後の接続信頼性を向上させることがで
きる。

【０１４１】また、回路基板面の部分的に熱膨張係数が
大きい箇所における歪み（ストレス）を緩和、吸収する
ことができる。

【０１４２】また、半導体装置の４隅部分にかかる歪み
（ストレス）を緩和、吸収することができ、半導体装置
のサイズが大きくなればよりこの効果は大きくなり、半
導体装置の４隅部分の接続信頼性を向上させることがで
きる。

【０１４３】また、補強部を接合層と同じ温度で硬化で
き、かつ、短時間で硬化させることができる。

【０１４４】また、補強部の絶縁性樹脂の硬化収縮力が
接合層の硬化収縮力よりも大きくすることにより、接合
層の電気的な接続を良好かつ安定にし、また、半導体装
置と回路基板とを機械的に保持することができる。

【０１４５】また、補強部の絶縁性樹脂が硬化した後に
封止樹脂を注入し硬化した際に、補強部の絶縁性樹脂の
弾性率が封止樹脂の弾性率よりも小さいため、歪み（ス
トレス）が生じたときに緩和、吸収することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１例における半導体装置の実装体の
概略断面図である。

【図２】本発明の第２例における半導体装置の実装体の
概略断面図である。

【図３】本発明の第３例における半導体装置の実装体の
概略断面図である。

【図４】本発明の第４例における半導体装置の実装体の
概略平面透過図である。

【図５】本発明の第５例における半導体装置の実装体の
概略平面透過図である。

【図８】本発明の第１の実施の形態における半導体装置
の実装体の製造方法の突起電極形成工程を示す概略断面
図である。

【図９】本発明の第２の実施の形態における半導体装置
の実装体の製造方法の回路基板保持工程を示す概略断面
図である。

【図１０】本発明の第１の実施の形態における半導体装
置の実装体の製造方法の接続層形成工程を示す概略断面
図である。

【図１１】本発明の第１の実施の形態における半導体装
置の実装体の製造方法の補強部形成工程を示す概略断面
図である。

【図１２】本発明の第１の実施の形態における半導体装
置の実装体の製造方法の仮止め工程、接続工程、補強工
程および接合層硬化工程を示す概略断面図である。

【図１３】本発明の第１の実施の形態における半導体装
置の実装体の製造方法の封止樹脂充填工程を示す概略断
面図である。

【図１４】本発明の第１の実施の形態における半導体装
置の実装体の製造方法の回路基板保持解除工程を示す概
略断面図である。

【図１５】本発明の第２の実施の形態における半導体装
置の実装体の製造方法の突起電極形成工程を示す概略断
面図である。

【図１６】本発明の第２の実施の形態における半導体装
置の実装体の製造方法の回路基板保持工程を示す概略断
面図である。

【図１７】本発明の第２の実施の形態における半導体装
置の実装体の製造方法の補強部形成工程を示す概略断面
図である。

【図１８】本発明の第２の実施の形態における半導体装
置の実装体の製造方法の仮止め工程、補強工程および接
続工程を示す概略断面図である。

【図１９】本発明の第２の実施の形態における半導体装
置の実装体の製造方法の封止樹脂充填工程を示す概略断
面図である。

【図２０】本発明の第２の実施の形態における半導体装
置の実装体の製造方法の回路基板保持解除工程を示す概
略断面図である。

【符号の説明】１端子電極２回路基板３接合層４半導体装置５突起電極６封止樹脂７封止樹脂中のフィラー８電極パッド９補強部１０補強部中のフィラー１１半田接合部１２パッシベーション膜１３拡散防止金属膜１４密着金属膜１５広がり径１６ランド１７接続部１８バイア部１９導体パターン２０接着シート２１基板固定治具２２ボイド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者別所芳宏大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】回路基板と、前記回路基板にフェースダ
ウンで実装された半導体装置と、前記回路基板と前記半
導体装置との間隙に配置され、前記回路基板および前記
半導体装置と接着することにより前記間隙を保持する、
絶縁性樹脂からなる少なくとも一つの補強部を備え、前
記補強部の前記回路基板との接着面積および前記半導体
装置との接着面積は、前記補強部一つあたりそれぞれ、
実質的に直径が２．２ｍｍの円の面積以下であることを
特徴とする半導体装置の実装体。
【請求項２】前記半導体装置は、その素子表面上の電
極パッド上に形成され、前記回路基板の端子電極と電気
的に接続されている突起電極を有することを特徴とする
請求項１に記載の半導体装置の実装体。
【請求項３】前記回路基板は、その端子電極上に形成
され、前記半導体装置の素子表面上の電極パッドと電気
的に接続されている突起電極を有することを特徴とする
請求項１に記載の半導体装置の実装体。
【請求項４】前記突起電極と、前記端子電極または前
記電極パッドとの電気的接続は、接合層を介して行われ
ていることを特徴とする請求項２または３に記載の半導
体装置の実装体。
【請求項５】前記絶縁性樹脂の硬化反応開始温度は、
前記接合層の硬化温度以下であること、および／また
は、前記絶縁性樹脂の硬化時間は、前記接合層の硬化時
間より短いものであることを特徴とする請求項４に記載
の半導体装置の実装体。
【請求項６】前記絶縁性樹脂は、その硬化収縮力が前
記接合層の硬化収縮力よりも大きいものであることを特
徴とする請求項請求項４または５に記載の半導体装置の
実装体。
【請求項７】前記半導体装置と前記回路基板との間隙
に充填され、さらにその周辺部を被覆する絶縁性の封止
樹脂を備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれか
に記載の半導体装置の実装体。
【請求項８】前記絶縁性樹脂の弾性率は、前記封止樹
脂の弾性率以下であることを特徴とする請求項７に記載
の半導体装置の実装体。
【請求項９】前記補強部は、前記半導体装置の素子面
内で、前記補強部が備えられていない場合において、前
記半導体装置の歪みまたはストレスが大きくなると予想
される位置に配置されていることを特徴とする請求項１
〜８のいずれかに記載の半導体装置の実装体。
【請求項１０】前記補強部は、複数個備えられてお
り、前記半導体装置の素子面内の角部に少なくとも配置
されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに
記載の半導体装置の実装体。
【請求項１１】半導体装置をフェースダウンで回路基
板に実装する半導体装置の実装体の製造方法において、
前記回路基板または前記半導体装置の少なくとも一方に
絶縁性樹脂からなる補強部を少なくとも１カ所形成する
補強部形成工程と、前記補強部形成工程の後、前記半導
体装置を位置合わせした後に前記回路基板に搭載し、前
記半導体装置と前記回路基板とを前記補強部によって接
着保持させる仮止め工程と、前記仮止め工程の後、前記
補強部の前記絶縁性樹脂を硬化させる補強工程と、前記
仮止め工程または前記補強工程と同時、またはこれらの
後に、前記半導体装置の電極パッドと前記回路基板の端
子電極とを電気的に接続する接続工程とを含み、前記補
強部形成工程においては、前記補強工程後の前記補強部
の前記回路基板との接着面積および前記半導体装置との
接着面積が、前記補強部１カ所あたりそれぞれ、実質的
に直径が２．２ｍｍの円の面積以下となるように、前記
補強部を形成することを特徴とする半導体装置の実装体
の製造方法。
【請求項１２】前記半導体装置の電極パッド上または
前記回路基板の端子電極上に突起電極を形成する突起電
極形成工程と、前記突起電極形成工程の後、前記突起電
極の先端付近に接合層を形成する接合層形成工程とを、
前記仮止め工程の前に含み、前記補強工程と同時に、前
記接合層を硬化させる接合層硬化工程を含み、前記接続
工程は、前記仮止め工程と同時に、前記突起電極と前記
接合層とを介して、前記半導体装置の電極パッドと前記
回路基板の端子電極とを電気的に接続する工程であるこ
とを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の実装体
の製造方法。
【請求項１３】前記半導体装置の電極パッド上または
前記回路基板の端子電極上突起電極を形成する突起電極
形成工程を、前記仮止め工程の前に含み、前記接続工程
は、前記補強工程と同時に、前記半導体装置または前記
回路基板を加熱し、前記突起電極を溶融させることによ
って、前記突起電極を介して、前記半導体装置の電極パ
ッドと前記回路基板の端子電極とを電気的に接続する工
程であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装
置の実装体の製造方法。
【請求項１４】前記絶縁性樹脂の硬化反応開始温度
は、前記接合層の硬化温度以下であること、および／ま
たは、前記絶縁性樹脂の硬化時間は、前記接合層の硬化
時間より短いものであることを特徴とする請求項１２に
記載の半導体装置の実装体の製造方法。
【請求項１５】前記絶縁性樹脂は、その硬化収縮力が
前記接合層の硬化収縮力よりも大きいものであることを
特徴とする請求項１２または１４に記載の半導体装置の
実装体の製造方法。
【請求項１６】前記補強部形成工程の前に、前記回路
基板を平坦に保持する回路基板保持工程と、他の全工程
が終了した後、前記回路基板保持工程において平坦に保
持された前記回路基板の保持を解除する回路基板保持解
除工程とを含むことを特徴とする請求項１１〜１５のい
ずれかに記載の半導体装置の実装体の製造方法。
【請求項１７】前記接続工程の後、前記半導体装置と
前記回路基板との間隙と周辺部に絶縁性の封止樹脂を注
入、充填、被覆した後、前記封止樹脂を硬化する封止樹
脂充填工程とを含み、前記補強工程における前記絶縁性
樹脂の硬化は、少なくとも、前記封止樹脂充填工程にお
ける前記封止樹脂の硬化の完了より前に完了しているこ
とを特徴とする請求項１１〜１６のいずれかに記載の半
導体装置の実装体の製造方法。
【請求項１８】前記絶縁性樹脂の弾性率は、前記封止
樹脂の弾性率以下であることを特徴とする請求項１７に
記載の半導体装置の実装体の製造方法。