JP3227777B2 - 回路基板の接続方法 - Google Patents

回路基板の接続方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主回路基板上に形成さ
れた電極に半導体部品や従回路基板を接続する回路基板
の接続方法に関するものであって、例えば液晶表示パネ
ルに形成された電極に、液晶駆動用ＩＣを接続したり、
ＩＣチップなどの電子部品を搭載したガラス基板やフィ
ルムキャリア基板などを接続する際に適用されるもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、回路基板の接続方法、例えば液晶
表示パネルに液晶駆動用ＩＣを実装する方法としては、
フェイスダウンによる半田付けが一般的であったが、こ
のような半田付けによる接続方法では、融点を越えるま
で半田を加熱する必要があるので、この加熱によって液
晶表示パネルが劣化するという問題を有していた。この
ため、半田付け方法を用いないで、液晶表示パネルに液
晶駆動用ＩＣを実装する方法が望まれており、このよう
な方法として、例えば特開昭６３−５５５２７号公報に
示されたものがある。図９は、この従来の接続方法にて
半導体部品が接続された液晶表示装置の接続部を示す断
面図である。図において、１はガラス等の透明基板から
なる液晶表示パネル、２はこの液晶表示パネル１上に形
成された電極、３は樹脂球の表面にニッケル又は金等の
金属によってメッキされた導電性微小粒子で、例えばミ
クロパール（商品名、積水ファインケミカル社製）であ
る。４は基板１上に取り付けられた例えば液晶駆動用Ｉ
Ｃ等の半導体部品で、その電極５が導電性微小粒子３を
介して上記電極２と電気的に接続されている。６は液晶
表示パネル１に液晶駆動ＩＣ４を固定する接着層で、紫
外線硬化樹脂等にて形成されている。
【０００３】以下、このように構成された従来の液晶表
示装置における液晶表示パネル１と液晶駆動用ＩＣ４の
接続方法について説明する。まず、電極２が形成された
液晶表示パネル１表面に導電性微小粒子３をエアーガン
により吹き付け、一定量分散させる。このとき、液晶表
示パネル１上に分散させる導電性微小粒子３の量は、電
極２と半導体部品４の電極５とが電気的に導通し、液晶
表示パネル１の電極２の相互間は導通しないように選定
される。次に、電極５が形成された液晶駆動ＩＣ４面に
紫外線樹脂を塗布する。次に、電極２及び電極５を対向
させて、液晶表示パネル１と液晶駆動ＩＣ４を圧着し、
この状態で液晶表示パネル１の背面より紫外線を照射
し、接着層６である紫外線樹脂を硬化させて、上記液晶
表示パネル１に半導体部品４を固着する。
【０００４】また、液晶表示パネルと液晶駆動用ＩＣを
搭載したガラスからなる回路基板の接続方法について
は、例えばミクロ技術研究所の技術資料に掲載されたＣ
ＯＧ−Ｓtick方式のものがあり、絶縁樹脂に上述の液晶
駆動用ＩＣの接続の場合と同様の導電性微小粒子を分散
させた異方性接着剤による接続が一般的であった。すな
わち、液晶表示パネルの画素端子上に異方性接着剤を印
刷技術などによって塗布し、次に液晶表示パネルの画素
端子と回路基板の接続端子を相対向し、両者の端子を位
置合わせして重ね合わせ、回路基板の背面側より加熱加
圧し異方性接着剤を硬化させ接続していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の接続方法では、導電性微小粒子３が液晶表
示パネル１上に偏って存在することがあり、液晶表示パ
ネル１の電極２間に残存する導電性微粒子３によって、
電極２相互間が導通するという問題点があった。
【０００６】本発明は係る課題を解決するためなされた
ものであって、同一基板にある電極相互間の導通を防い
で半導体部品または従回路基板と主回路基板とを確実に
接続することができる回路基板の接続方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る回路基板の
接続方法は、電極が形成された主回路基板上に感光性樹
脂を塗布する工程と、この感光性樹脂を選択的に露光
し、上記電極部の感光性樹脂を除去する工程と、上記感
光性樹脂の除去部に球状導電性微小粒子を充填する工程
と、上記球状導電性微小粒子を介して上記主回路基板上
の電極と半導体部品または従回路基板の電極とを接触さ
せ、上記主回路基板上の感光性樹脂の少なくとも一部と
これと対向する上記半導体部品または従回路基板とを接
着用樹脂を用いて接着する工程とを備えたものである。
【０００８】
【作用】本発明の回路基板の接続方法においては、電極
が形成された基板上に球状導電性微小粒子を含む感光性
樹脂を塗布し、この感光性樹脂を選択的に露光すること
によって、上記電極上以外の感光性樹脂を除去する。こ
の時、この感光性樹脂とともに導電性微小粒子も除去さ
れ、上記電極上以外の球状導電性微小粒子はなくなり、
基板上の電極間で短絡が生じることはない。また、感光
性樹脂から突出している球状導電性微小粒子を介して主
回路基板上の電極と半導体部品または従回路基板の電極
とを確実に接触させることができる。
【０００９】
【実施例】実施例１． 以下、本発明の一実施例を図１に基づいて説明する。図
１は、本発明の回路基板の接続方法を示す製造工程図
で、液晶表示装置の接続部断面を示す。図において、７
は多数の導電性微小粒子３が混入されたポジ型の感光性
樹脂、８はこの感光性樹脂７を露光する露光装置、９は
紫外線硬化樹脂を硬化させる紫外線照射装置である。
【００１０】まず、図１（ａ）に示されるように、液晶
表示パネル１の実装部の表面に、導電性微小粒子３を混
入させたポジ型の感光性樹脂７をスピンコ−ト法や印刷
法などによって、感光性樹脂７の塗布厚が導電性微小粒
子３の粒径よりも薄くなるように、約数μｍの膜厚に塗
布する。次に、この液晶表示パネル１を９０℃程度に加
熱して、上記ポジ型の感光性樹脂７をプリベ−クする。
次に図１（ｂ）に示されるように、液晶表示パネル１の
実装部におけるポジ型の感光性樹脂７を液晶表示パネル
１の背面より露光装置８によって露光する。このとき、
液晶表示パネル１の電極２等の配線パターンはアルミ膜
等の遮光効果を有するものによって形成されているの
で、マスク機能を果たすこととなる。従って、露光後現
像を行うことによって、図１（ｃ）に示されるように、
導電性微小粒子３が電極２上に選択的に配されることと
なる。次に図１（ｄ）に示されるように液晶表示パネル
１の液晶駆動用ＩＣ４の実装部に部分的に紫外線硬化樹
脂６を塗布し、液晶駆動用ＩＣ４を液晶表示パネル１上
に位置合わせした後、加圧する。このとき、導電性微小
粒子３の下にあったポジ型感光性樹脂７は、電極２上よ
り押し出され、液晶表示パネル１の電極２および液晶駆
動用ＩＣ４の電極５は導電性微小粒子３を介して接触
し、電気的に接続されることとなる。この状態を保持し
て図１（ｅ）に示されるように、紫外線照射装置９によ
って液晶表示パネル１の背面より紫外線を照射し、紫外
線硬化樹脂６を硬化させ、液晶表示パネル１上に液晶駆
動用ＩＣ４を固着する。
【００１１】以上のような回路基板の接続方法において
は、液晶表示パネル１における電極２間の導電性微小粒
子３が除去されることとなるので、電極２相互間で導通
が生じるようなことはない。また、導電性微小粒子３を
含む感光性樹脂７がスピンコート又は印刷法により均一
な膜厚で、感光性樹脂７の塗布厚が導電性微小粒子３の
粒径よりも薄くなるように、塗布されるので、導電性微
小粒子３は液晶表示パネル１の全面に均一に分散される
こととなる。従って、電極２上に導電性微小粒子３が配
されずに十分な導通がとれない箇所や、導電性微小粒子
３が電極２上に重なり各電極２上の導電性微小粒子３の
高さが異なることにより、電極２と半導体部品４の電極
５が接触せず、導通しない箇所は発生することがない。
さらに、フォトリソグラフィ技術を適用して、液晶表示
パネル１の電極２上に選択的に導電性微小粒子３を高精
度に配置することができるため、ファインピッチ、多端
子化する傾向にある液晶表示パネル１と液晶駆動用ＩＣ
４の接続に容易に対応できるという効果を有する。
【００１２】また、この実施例において、電極２上に配
される導電性微小粒子３の数は、スピンコートの回転数
及び感光性樹脂液中に混入させる導電性微小粒子３数に
よって容易に制御できる。また、液晶表示パネル１が透
明な基板により構成されているので、液晶表示パネル１
の実装部の電極２等の配線パタ−ンを露光用マスクとし
て用いることができるため、感光性樹脂を露光するため
のマスクを製作する必要はなく、かつ、マスクの位置合
わせ工程が省かれるので、感光性樹脂７を除去するため
に製造コストが増加することはない。さらに、露光工程
において、マスクを必要としないので、マスクと液晶表
示パネル１の位置合わせの必要がないために、位置ずれ
により不良が発生することはなく歩留りが向上する。
【００１３】また、この実施例においては、液晶表示パ
ネル１と液晶駆動用ＩＣ４の固定に紫外線硬化樹脂６を
用いているために、液晶表示パネル１を高温に加熱する
工程を省くことができ、熱によって液晶表示パネル１が
劣化せず、液晶表示装置の信頼性を向上させることがで
きる。
【００１４】さらに、液晶表示パネル１の電極２と液晶
駆動用ＩＣ４の電極５とは、導電性微小粒子３を介して
接続されるので、液晶駆動用ＩＣ４の電極５上にはんだ
などによって突起電極を形成する必要がなく、液晶駆動
用ＩＣ４の製造コストを低減することができる。また、
突起電極の有無にかかわらず、本発明は適用可能であ
り、全ての液晶駆動用ＩＣ４に対応できることは言うま
でもない。
【００１５】また、このように構成された液晶表示装置
においては、液晶表示パネル１の電極２と液晶駆動用Ｉ
Ｃ４の電極５は、導電性微小粒子３を介して接触してい
るので、熱または機械的なストレスが液晶表示パネル１
あるいは液晶駆動用ＩＣ４に作用しても、液晶駆動用Ｉ
Ｃ４は横方向にスライドすることが可能であるため、は
んだ付けにありがちな接続部の破断が発生するようなこ
とはない。
【００１６】また、図２（ａ）に示すように紫外線硬化
樹脂６を液晶表示パネル１の液晶駆動用ＩＣ４の実装部
全面に、電極２を覆うように塗布することにより、図２
（ｂ）に示されるように、紫外線硬化樹脂６が液晶表示
パネル１と液晶駆動用ＩＣ４の隙間に完全に充填され、
液晶駆動用ＩＣ４の保護モ−ルドの役割を果たすことと
なる。従って、液晶駆動用ＩＣ４を保護するための樹脂
モ−ルド工程が削減できることとなるので生産性が向上
するとともに、高信頼の樹脂モ−ルドとすることができ
る。
【００１７】実施例２． 図３は本発明の他の実施例を示す。この図において、１
はセラミック等からなる不透明な基板からなる液晶表示
パネル、６は加熱硬化樹脂等で形成された接着層で、例
えばＸＮＲ５１５２（商品名、日本チバガイギ製）、１
０はこの液晶表示パネルに形成された接続端子部と同一
形状のパターン１１が遮光材料にて形成されたマスクで
ある。
【００１８】以下、上記のような不透明な基板によって
形成された液晶表示パネル１に半導体部品を実装する場
合について説明する。まず図３（ａ）に示されるよう
に、上記実施例１と同様に液晶表示パネル１上に導電性
微小粒子３が混入されたポジ型の感光性樹脂をスピンコ
ート法等によって、約数μｍの膜厚に塗布し、約９０℃
でプリベークを行う。次に図３（ｂ）に示されるよう
に、液晶表示パネル１の上面とマスク１０を位置合わせ
し、マスク１０上面より露光装置よって露光する。その
後、感光性樹脂を現像して、液晶表示パネルの電極２上
に選択的に導電性微小粒子３を残す。次に、液晶表示パ
ネル１の液晶駆動用ＩＣ４の実装部に加熱硬化樹脂６を
塗布し、この液晶表示パネル１上に液晶駆動用ＩＣ４を
位置合わせした後、これらを加圧した状態で、１２０℃
の雰囲気中にて約１時間放置することによって、加熱硬
化樹脂を硬化させ、液晶表示パネル１上に液晶駆動用Ｉ
Ｃ４を固着させる。
【００１９】この実施例２では、実施例１と異なり液晶
用表示パネル１を形成する基板が光を通さないので、こ
の基板上面よりマスク１０を介して露光することによっ
て、電極２間の感光性樹脂７を除去し、導電性微小粒子
３を電極２上に選択的に配することができる。従って、
実施例１と同様にファインピッチに電極２が形成された
液晶用表示装置にも適応できる。
【００２０】なお、この実施例においては、ポジ型の感
光性樹脂７を用いたが、上記マスク１０の反転型のマス
クを用いることによって、ネガ型の感光性樹脂を用いる
ことができることは言うまでもない。
【００２１】実施例３． なお、上記実施例においては、主回路基板である液晶表
示パネル１に半導体部品である液晶駆動用ＩＣ４を接続
する場合について説明したが、ＩＣチップなどの電子部
品を搭載したガラス基板やフィルムキャリア基板などの
従回路基板を接続する場合にも適用でき、半導体部品と
従回路基板の両方を接続することもできる。図４は液晶
表示パネル１に従回路基板１４を接続した場合を示す断
面図であり、接続方法は図２の場合と同様である。
【００２２】実施例４． 以下、本発明の別の発明の一実施例を図５に基づいて説
明する。 図５は本発明の別の発明による回路基板の接
続方法を示す製造工程図で、液晶表示装置の接続部断面
を示す。 図において、１７はネガ型の感光性樹脂、８
はこの感光性樹脂を露光する露光装置、９は紫外線硬化
樹脂を硬化させる紫外線照射装置である。
【００２３】まず、図５（ａ）に示されるように、液晶
表示パネル１の実装部の表面に、ネガ型の感光性樹脂１
７をスピンコ−ト法や印刷法などによって塗布する。次
に図５（ｂ）に示されるように、液晶表示パネル１の実
装部におけるネガ型の感光性樹脂１７を液晶表示パネル
１の背面より露光装置８によって露光する。このとき、
液晶表示パネル１の電極２などの配線パタ−ンはアルミ
膜などの遮光効果を有するものによって形成されている
ので、マスク機能を果たすこととなる。従って、露光後
現像を行なうことによって、図５（ｃ）に示されるよう
に、電極２部上の感光性樹脂１７が除去される。次に図
５（ｄ）に示されるように、この感光性樹脂１７の除去
部に導電性微小粒子３を充填することによって、導電性
微小粒子３が電極２上に選択的に配されることとなる。
次に図５（ｅ）に示されるように液晶表示パネル１の液
晶駆動用ＩＣ４の実装部に部分的に紫外線硬化樹脂６を
塗布し、液晶駆動用ＩＣ４を液晶表示パネル１上に位置
合わせした後、加圧する。この状態を保持して図５
（ｆ）に示されるように、紫外線照射装置９によって液
晶表示パネル１の背面より紫外線を照射し、紫外線硬化
樹脂６を硬化させ、液晶表示パネル１上に液晶表示駆動
用ＩＣ４を固着する。
【００２４】以上のような回路基板の接続方法において
は、液晶表示パネル１における電極２間に導電性微小粒
子はなく、かつ絶縁性の感光性樹脂１７が存在するた
め、電極２相互間で導通が生じるようなことはない。ま
た、フォトリソグラフィ技術を適用して、液晶表示パネ
ル１の電極２上の感光性樹脂１７を除去し、この除去部
に導電性微小粒子３を充填するので、電極２上に選択的
に導電性微小粒子３を高精度に配置することができるた
め、ファインピッチ、多端子化する傾向にある液晶表示
パネル１と液晶駆動用ＩＣ４の接続に容易に対応できる
という効果を有する。
【００２５】また、この実施例においては、液晶表示パ
ネル１が透明な基板により構成されているので、液晶表
示パネル１の実装部の電極２などの配線パタ−ンを露光
用マスクとして用いることができるため、感光性樹脂を
露光するためのマスクを製作する必要はなく、かつ、マ
スクの位置合わせ工程が省かれるので、感光性樹脂１７
を除去するために製造コストが増加することはない。さ
らに、露光工程において、マスクを必要としないので、
マスクと液晶表示パネル１の位置合わせの必要がないた
めに、マスクの位置ずれにより不良が発生することはな
く歩留りが向上する。
【００２６】さらに、この実施例においては、液晶表示
パネル１と液晶駆動用ＩＣ４の固定に紫外線硬化樹脂６
を用いるために、液晶表示パネル１を高温に加熱する工
程を省くことができ、熱によって液晶表示パネル１が劣
化せず、液晶表示装置の信頼性を向上させることができ
る。
【００２７】また、液晶表示パネル１の電極２と液晶駆
動用ＩＣ４の電極５とは、導電性微小粒子３を介して接
続されるので、液晶駆動用ＩＣ４の電極５上に、この電
極５に固着するように、はんだなどによって突起電極を
形成する必要がなく、液晶駆動用ＩＣ４の製造工程を低
減することができる。また、突起電極の有無にかかわら
ず、本発明は適用可能であり、全ての液晶駆動用ＩＣに
対応できることは言うまでもない。
【００２８】さらにまた、このように構成された液晶表
示装置においては、液晶表示パネル１の電極２と液晶駆
動用ＩＣ４の電極５は、導電性微小粒子３を介して接触
しているので、熱または機械的なストレスが液晶表示パ
ネル１あるいは液晶駆動用ＩＣ４に作用しても、液晶駆
動用ＩＣ４は横方向にスライドすることが可能であるた
めに、はんだ付けにありがちな接続部の破断が発生する
ようなことはない。
【００２９】また、図６（ａ）に示すように、紫外線硬
化樹脂６を液晶表示パネル１の液晶駆動用ＩＣ４の実装
部全面に、電極２上の導電性微小粒子３を覆うように塗
布することにより、図６（ｂ）に示されるように、紫外
線硬化樹脂６が液晶表示パネル１と液晶駆動用ＩＣ４の
隙間に完全に充填され、液晶駆動用ＩＣ４の保護モ−ル
ドの役割を果たすこととなる。従って、液晶駆動用ＩＣ
４を保護するための樹脂モ−ルド工程が削減できること
となるので生産性が向上するとともに、高信頼の樹脂モ
−ルドとすることができる。このとき、導電性微小粒子
３の上の紫外線硬化樹脂６は、液晶駆動用ＩＣ４を液晶
表示パネル１に押し付ける圧力によって、導電性微小粒
子３上より押し出され、液晶表示パネル１の電極２およ
び液晶駆動用ＩＣ４の電極５は導電性微小粒子３を介し
て電気的に接続されることとなる。
【００３０】実施例５． 図７は本発明の別の発明の他の実施例を示す。この図に
おいて、１はシリコンやセラミックなどの不透明な基板
からなる液晶表示パネル、６は加熱硬化樹脂などで形成
された接着層で、例えばＸＮＲ５１５２（商品名、日本
チバガイギ製）、１０はこの液晶表示パネルに形成され
た接続端子部と同一形状パタ−ン１１が遮光材料にて形
成されたマスクである。
【００３１】以下、上記のような不透明な基板によって
形成された液晶表示パネル１に半導体部品を実装する場
合について説明する。まず図７（ａ）に示されるよう
に、上記実施例と同様に液晶表示パネル１上に感光性樹
脂をスピンコ−ト法などによって塗布する。次に図７
（ｂ）に示されるように、液晶表示パネル１の上面とマ
スク１０を位置合わせし、マスク１０上面より露光装置
によって露光する。その後、感光性樹脂１７を現像し
て、電極２上の感光性樹脂７を除去し、この除去部に導
電性微小粒子３を充填する。次に、液晶表示パネル１の
液晶駆動用ＩＣ４の実装部に加熱硬化樹脂６を塗布し、
この液晶表示パネル１上に液晶駆動用ＩＣ４を位置合わ
せした後、液晶駆動用ＩＣ４を加圧した状態で、１２０
℃の雰囲気中にて約１時間放置することによって、加熱
硬化樹脂６を硬化させ、液晶表示パネル１上に液晶駆動
用ＩＣ４を固着させる。
【００３２】この実施例５では、上記実施例４と異なり
液晶表示パネル１を形成する基板が光を通さないので、
この基板上面よりマスク１０を介して露光することによ
って、電極２上の感光性樹脂を除去し、この除去部に導
電性微小粒子３を充填することによって、導電性微小粒
子３を電極２上に選択的に配すことができる。従って、
上記実施例４と同様にファインピッチに電極２が形成さ
れた液晶表示装置にも適応できる。
【００３３】なお、この実施例においては、ネガ型の感
光性樹脂１７を用いたが、上記マスク１０の反転型のマ
スクを用いることによって、ポジ型の感光性樹脂を用い
ることができることは言うまでもない。
【００３４】また、上記各実施例においては液晶表示パ
ネル１と液晶駆動用ＩＣ４の固定用接着層６として加熱
硬化樹脂を適用しているが、一般に加熱硬化樹脂の硬化
温度は１００〜１３０℃程度であるので、液晶表示パネ
ル１の信頼性を低下させるようなことはない。
【００３５】さらに、常温硬化樹脂である例えばアロン
アルフア（商品名、東亜合成化学製）を用いれば、液晶
表示パネル１を接着する際に加熱する工程が省略できる
ので、信頼性および生産性はなお一層向上する。
【００３６】実施例６． なお、上記実施例においては、主回路基板である液晶表
示パネル１に半導体部品である液晶駆動用ＩＣ４を接続
する場合について説明したが、ＩＣチップなどの電子部
品を搭載したガラス基板やフィルムキャリア基板などの
従回路基板を接続する場合にも適用でき、半導体部品と
従回路基板の両方を接続することもできる。図８は液晶
表示パネル１に従回路基板を接続した場合を示す断面図
であり、接続方法は図６の場合と同様である。
【００３７】なお、上記実施例においては、液晶表示装
置の場合についてのみ説明したが、密着イメ−ジセンサ
またはサ−マルヘッド等に半導体部品や従回路基板を接
続する場合においても適用できることは言うまでもな
い。
【００３８】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、電極が
形成された主回路基板上に感光性樹脂を塗布する工程
と、この感光性樹脂を選択的に露光し、上記電極部の感
光性樹脂を除去する工程と、上記感光性樹脂の除去部に
球状導電性微小粒子を充填する工程と、上記球状導電性
微小粒子を介して上記主回路基板上の電極と半導体部品
または従回路基板の電極とを接触させ、上記主回路基板
上の感光性樹脂の少なくとも一部とこれと対向する上記
半導体部品または従回路基板とを接着用樹脂を用いて接
着する工程とを備えたので、同一基板上の電極相互間の
導通を防いで半導体部品や従回路基板と主回路基板とを
電気的に確実に接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例である回路基板の接続方法
を説明する製造工程図である。
【図２】 本発明の他の実施例である回路基板の接続方
法を説明するための製造工程図である。
【図３】 本発明のさらに他の実施例である回路基板の
接続方法を説明するための製造工程図である。
【図４】 本発明のさらに他の実施例である回路基板の
接続方法を説明するための断面図である。
【図５】 本発明の別の発明の一実施例である回路基板
の接続方法を説明する製造工程図である。
【図６】 本発明の別の発明の他の実施例である回路基
板の接続方法を説明するための製造工程図である。
【図７】 本発明の別の発明のさらに他の実施例である
回路基板の接続方法を説明するための製造工程図であ
る。
【図８】 本発明の別の発明のさらに他の実施例である
回路基板の接続方法を説明するための断面図である。
【図９】 従来の回路基板の接続方法を説明するための
断面図である。
【符号の説明】
１ 主回路基板 ２ 電極 ３ 導電性微小粒子 ４ 半導体部品 ５ 電極 ７ 感光性樹脂 １４ 従回路基板 １７ 感光性樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松川 文雄 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 材料デバイス研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−9130（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−119737（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−236248（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−131089（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−54827（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−36755（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1345 H05K 3/32 H01L 21/60 G09F 9/00 - 9/46

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電極が形成された主回路基板上に感光性
    樹脂を塗布する工程と、この感光性樹脂を選択的に露光
    し、上記電極部の感光性樹脂を除去する工程と、上記感
    光性樹脂の除去部に球状導電性微小粒子を充填する工程
    と、上記球状導電性微小粒子を介して上記主回路基板上
    の電極と半導体部品または従回路基板の電極とを接触さ
    せ、上記主回路基板上の感光性樹脂の少なくとも一部と
    これと対向する上記半導体部品または従回路基板とを接
    着用樹脂を用いて接着する工程とを備えた回路基板の接
    続方法。
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JPH10319875A (ja) * 1997-05-20 1998-12-04 Sony Corp プラズマアドレス表示装置の製造方法
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