JPH027180B2 - - Google Patents

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JPH027180B2
JPH027180B2 JP59118423A JP11842384A JPH027180B2 JP H027180 B2 JPH027180 B2 JP H027180B2 JP 59118423 A JP59118423 A JP 59118423A JP 11842384 A JP11842384 A JP 11842384A JP H027180 B2 JPH027180 B2 JP H027180B2
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metal
wiring
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体素子の電極パツドと外部回路
とを簡便に接続する方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点 近年、半導体素子を多数個用いるデバイス、機
器の開発が促進されてきている。例えば、メモリ
ーカード、液晶やELデイスプレイパネル等があ
り、これらは、いずれも多数個のIC、LSIを一定
の面積を有する基板に、高密度にしかも薄型に搭
載しなければならない。IC、LSIの実装手段とし
て、フイルムキヤリヤ方式や、フリツプチツプ方
式が公知であるが、次の様な問題がある。
前記フイルムキヤリヤ方式もフリツプチツプ方
式のいずれも半導体素子の電極パツド上に金属突
起を形成するが、フリツプチツプ方式において
は、配線基板上の配線パターンと半導体素子の金
属突起とを位置合せし、加熱せしめて、半田づけ
固定するものである。したがつてフリツプチツプ
方式の場合は、電気的接続と、配線基板上への半
導体素子の固定とを半田づけ固定した位置で行な
うもので、外部からの熱や機械的歪により、配線
基板が膨張したりそつたりした場合には、半田づ
け位置が強固に固定されているので、その変化に
充分に対応できなくなり、接続部や半導体素子自
体の破損をまねいていた。
またフイルムキヤリヤ方式においては、半導体
素子上の金属突起とフイルムリードとを接続し、
フイルムリードを配線基板の配線パターンと接続
するため、前述した配線基板のそりや膨張等の変
化に充分に対応できるものの、フイルムリードを
必要とするため、実装コストが高価になつたり、
フイルムリード部分が半導体素子からはみ出た状
態で回路基板に固定されるために、実装面積が大
きくなるという欠点がある。
ところで、本発明者は、半導体素子の電極と回
路基板の配線パターンの接続において、電気的接
続を行なわせる部分と、前記半導体素子を回路基
板上に機械的に固定する部分とを分離させるとい
うことに着目することにより、前述した回路基板
の膨張そりによる接続不要や、コスト高を一掃で
きるということを見い出した。
発明の目的 本発明はこのような従来の問題に鑑み、回路基
板の膨張やそりに対応し接続不良の発生しない、
安価な接続方法を提供することを目的とする。
発明の構成 本発明は、半導体素子の電極パツド上に金属突
起を形成し、これと前記金属突起と相対する配線
パターンを有する配線基板との間に光硬化もしく
は熱硬化型の樹脂を介在せしめ、前記半導体素子
の金属突起を配線基板の配線パターンに圧接し、
前記樹脂を硬化さす事により、前記半導体素子の
金属突起と配線基板と配線パターンとを接続する
構成である。
実施例の説明 第１の実施例を第１図で説明する。半導体素子
１の電極パツド２に、Cr−Cu、Ti−Pd等の多層
金属膜を被着せしめて、電解メツキ法により金属
突起３を形成する。金属突起３は、Au、Ag、Cu
半田等の材料で３〜30μｍの厚さに構成される。
一方、回路基板４は、ガラス、セラミツク、樹
脂もしくは金属酸化物を表面に被覆した金属等５
の平面に、少なくとも半導体素子１の金属突起３
と対応した位置に配線パターン６を形成してあ
る。配線パターン６は、Cu、Al、Au、ito等を
母体にし、酸化しやすい材質例えばCuであれば、
Auメツキ、Snメツキ、半田メツキ等の処理を施
してある。前記回路基板４面上かもしくは半導体
素子の金属突起を形成した面上に樹脂７を塗布載
置する（第１図ａ）。樹脂７は、液状もしくはシ
ート状であつて、光もしくは熱によつて硬化する
ものである。
次いで、半導体素子上の金属突起３と回路基板
４上の配線パターン６とを位置合せし、両者を圧
接８せしめる。この圧接８により、樹脂７は、押
し拡げられ、前記金属突起３と配線パターン６と
は、電気的接続を得る。この状態で、樹脂７に対
し、光もしくは熱を加えれば、樹脂７は硬化樹脂
７′となり、樹脂７′により、半導体素子１と回路
基板４とは、金属突起３と配線パターン６との電
気的導通を継続したまま固定されることになる。
この状態を第１図ｂに示す。すなわち、半導体
素子１の金属突起３と配線基板上の配線パターン
６との電気的接続は圧接で行なわれ、半導体素子
１と配線基板４との固定は硬化した樹脂７′によ
つてなされるものである。
次に他の実施例を第２図で説明する。この構成
においては、半導体素子１上の金属突起３と配線
基板４の配線パターン６との間に低融点金属９を
形成したもので、低融点金属９は、In・Ga系の
合金もしくはPd・Sn系の合金からなり、前記半
導体素子の使用温度領域で、その粘性が温度によ
り変化しかつ柔らかい材料の組成で構成されるも
のである。すなわち半導体素子および回路基板を
含めて温度上昇や機械的応力が作用しても、低融
点金属９により充分に吸収でき、半導体素子上の
金属突起３と配線パターン６との電気的接続を継
続できるものである。また、樹脂７を半導体素子
周縁まではみ出させ、硬化させれば、電極パツド
の保護としての効果も得られ、信頼性の高い半導
体装置を得ることができる。
さらに、本発明は、半導体素子の電極パツド上
に金属突起を形成しているために、配線基板の配
線パターンに圧接しても、半導体素子の金属突起
以外の部分例えば半導体素子の端部が配線パター
ンに接触してしまい、電気的短絡を発生させるこ
とがないものである。
発明の効果 (1) 本発明は、半導体素子の金属突起と配線基板
の配線パターンとの電気的接続は圧接、半導体
素子と回路基板との固定は樹脂で行なわれるた
めに、温度による回路基板の膨張による歪、機
械的歪等が半導体素子自体に直接作用しないの
で、半導体素子を損傷したり、電気的接続不良
を発生させることがない。
(2) 半導体素子の金属突起と配線基板の配線パタ
ーンとは単に圧接しているのみであるから、配
線パターンの材質を特定の材料に選択したり、
多層構成にする必要がない。すなわち、合金を
作りにくい配線パターン材料や処理をしにくい
配線パターン例えばTi、ito等の材料とでも、
電気的接続を容易に得ることができる。
(3) 本発明は、圧接し、樹脂を光もしくは熱によ
つて硬化せしめるものであるから、例えば光で
前記樹脂を硬化せしめれば、回路基板および半
導体素子には全く熱が加わらないし、熱硬化す
る場合でもせいぜい150℃以下であつて、従来
の如く半田づけやAu・Sn合金のように300℃
以上の温度を加える必要がない。これにより、
構成材料の熱歪を小さくすることができ、信頼
度の高い接続を得ることができる。
(4) また、本発明は、従来の如く、半田づけや合
金による接続を行なわないため、接続時に発生
する余剰の半田や、合金等による電極パツド間
や配線パターン間の電気的短絡を発生させるこ
とがない。
(5) 更にまた、本発明は、圧接し、樹脂を硬化さ
せるのみであるから実装のコストも低減できる
ものである。
【図面の簡単な説明】
第１図ａ，ｂは本発明の一実施例の半導体装置
の製造工程を示す断面図、第２図は同他の実施例
にかかる装置を示す断面図である。 １……半導体素子、２……電極パツド、３……
金属突起、４……配線基板、６……配線パター
ン、７……樹脂、９……低融点金属。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 電極パツド上に金属突起を有する半導体素子
    と前記電極パツドと相対する配線パターンを有す
    る配線基板との間に光または熱硬化性樹脂を介在
    させ、前記半導体素子上の金属突起と配線基板上
    の配線パターンとを位置合せしかつ加圧せしめた
    後、前記樹脂を光もしくは熱によつて硬化せしめ
    たことを特徴とする半導体装置の製造方法。 ２ 樹脂が半導体素子周縁を覆つたことを特徴と
    する特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置の
    製造方法。 ３ 半導体素子の金属突起と配線基板上の配線パ
    ターンとの間のみに金属層を介在させたことを特
    徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体装
    置の製造方法。
JP11842384A 1984-06-08 1984-06-08 半導体装置の製造方法 Granted JPS60262430A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11842384A JPS60262430A (ja) 1984-06-08 1984-06-08 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11842384A JPS60262430A (ja) 1984-06-08 1984-06-08 半導体装置の製造方法

Publications (2)

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