JPH0521520A - Ｉｃ実装方法 - Google Patents
Ｉｃ実装方法Info
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- JPH0521520A JPH0521520A JP3176615A JP17661591A JPH0521520A JP H0521520 A JPH0521520 A JP H0521520A JP 3176615 A JP3176615 A JP 3176615A JP 17661591 A JP17661591 A JP 17661591A JP H0521520 A JPH0521520 A JP H0521520A
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- chip
- circuit board
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- sealing resin
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- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子機器に用いられるＩＣチップを液晶パネ
ルなどの回路基板に接続する方法において、回路基板と
ＩＣチップとの間隙に充填する液状の封止樹脂の加熱時
の熱膨張によるＩＣチップ突き上げに起因する接続不良
とい課題を解決し、安定した電気的接続が得られるＩＣ
実装方法を提供する。 【構成】 ＩＣチップ１上の電極パッド２に形成したバ
ンプ（突起接点）３の頭頂部に導電性接着剤４膜を塗布
し、回路基板５の端子電極６と位置決め・圧接し加熱硬
化して接続した後、ＩＣチップ１と回路基板５の間隙に
液状の封止樹脂７を充填し、加圧治具８でもって封止樹
脂７の加熱時の熱膨張によるＩＣチップ１突き上げ力よ
り大きな荷重で加圧しながら、封止樹脂７を加熱硬化す
る。 【効果】 ＩＣチップ１突き上げより大きな荷重や圧力
を加えながら硬化することで、ＩＣチップ１突き上げに
よる接続不良をなくすことができる。
ルなどの回路基板に接続する方法において、回路基板と
ＩＣチップとの間隙に充填する液状の封止樹脂の加熱時
の熱膨張によるＩＣチップ突き上げに起因する接続不良
とい課題を解決し、安定した電気的接続が得られるＩＣ
実装方法を提供する。 【構成】 ＩＣチップ１上の電極パッド２に形成したバ
ンプ（突起接点）３の頭頂部に導電性接着剤４膜を塗布
し、回路基板５の端子電極６と位置決め・圧接し加熱硬
化して接続した後、ＩＣチップ１と回路基板５の間隙に
液状の封止樹脂７を充填し、加圧治具８でもって封止樹
脂７の加熱時の熱膨張によるＩＣチップ１突き上げ力よ
り大きな荷重で加圧しながら、封止樹脂７を加熱硬化す
る。 【効果】 ＩＣチップ１突き上げより大きな荷重や圧力
を加えながら硬化することで、ＩＣチップ１突き上げに
よる接続不良をなくすことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣチップに代表され
る電気マイクロ回路素子の入出力パッド上に形成された
突起接点と回路基板上に形成された電極端子とを導電性
接着剤を用いて電気接続するためのＩＣチップの実装方
法に関するものである。
る電気マイクロ回路素子の入出力パッド上に形成された
突起接点と回路基板上に形成された電極端子とを導電性
接着剤を用いて電気接続するためのＩＣチップの実装方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電気マイクロ回路素子の接点領域
と回路基板上の電極端子部との接続には半田付けが良く
利用されていた。しかしながら近年、例えばＩＣフラッ
トパッケージなど小型化と接続端子の増加により接続端
子間、いわゆるピッチ間隔が次第に狭くなり従来の半田
付け技術で対処することが困難になってきた。また最近
では電卓、電子時計、あるいは液晶ディスプレイなどに
あたっては裸のＩＣチップをガラス基板上の電極に直付
けして実装面積の効率的使用を図ろうとする動きがあり
半田付けに変わる有効かつ微細な電気的接続手段が強く
望まれていた。
と回路基板上の電極端子部との接続には半田付けが良く
利用されていた。しかしながら近年、例えばＩＣフラッ
トパッケージなど小型化と接続端子の増加により接続端
子間、いわゆるピッチ間隔が次第に狭くなり従来の半田
付け技術で対処することが困難になってきた。また最近
では電卓、電子時計、あるいは液晶ディスプレイなどに
あたっては裸のＩＣチップをガラス基板上の電極に直付
けして実装面積の効率的使用を図ろうとする動きがあり
半田付けに変わる有効かつ微細な電気的接続手段が強く
望まれていた。
【０００３】裸のＩＣチップを配線基板上の電極と電気
的に接続する方法としてはＩＣチップの電極パッド上に
形成した電気導電性の突起接点の頭頂部に導電性接着剤
を転写・塗布し、配線基板の電極端子に位置合わせし接
着硬化することでＩＣチップと配線基板の電気的接続を
図る技術がある（例えば、特公昭６２−２８５４４６号
公報）。この技術において、ＩＣチップを回路基板上に
実装し、導電性接着剤を加熱硬化した後、機械的補強と
信頼性確保のため液状の封止樹脂をＩＣチップと回路基
板の間隙に充填し、乾燥器で加熱硬化していた。
的に接続する方法としてはＩＣチップの電極パッド上に
形成した電気導電性の突起接点の頭頂部に導電性接着剤
を転写・塗布し、配線基板の電極端子に位置合わせし接
着硬化することでＩＣチップと配線基板の電気的接続を
図る技術がある（例えば、特公昭６２−２８５４４６号
公報）。この技術において、ＩＣチップを回路基板上に
実装し、導電性接着剤を加熱硬化した後、機械的補強と
信頼性確保のため液状の封止樹脂をＩＣチップと回路基
板の間隙に充填し、乾燥器で加熱硬化していた。
【０００４】以下図面を参照しながら上述した従来のＩ
Ｃチップの実装方法について説明する。図１〜図５と図
８は従来例のＩＣ実装工程を示したものである。図にお
いて１はＩＣチップであり、１５０μｍピッチで配置し
た約１５０個の電極パッド２上には高さ約７０μｍ、径
約８０μｍのバンプ（突起接点）３が形成してある。４
は導電性接着剤である。５は液晶パネルなどの回路基板
であり、ＩＣチップ１の電極パッド２と同数・同ピッチ
のＩＴＯ電極からなる電極端子６が形成されている。７
はエポキシ系の液状の封止樹脂である。９は膜形成ブレ
ード１１を用いて導電性接着剤４膜を作成するための支
持体である。
Ｃチップの実装方法について説明する。図１〜図５と図
８は従来例のＩＣ実装工程を示したものである。図にお
いて１はＩＣチップであり、１５０μｍピッチで配置し
た約１５０個の電極パッド２上には高さ約７０μｍ、径
約８０μｍのバンプ（突起接点）３が形成してある。４
は導電性接着剤である。５は液晶パネルなどの回路基板
であり、ＩＣチップ１の電極パッド２と同数・同ピッチ
のＩＴＯ電極からなる電極端子６が形成されている。７
はエポキシ系の液状の封止樹脂である。９は膜形成ブレ
ード１１を用いて導電性接着剤４膜を作成するための支
持体である。
【０００５】従来のＩＣ実装方法は、まず図１に示すよ
うにＩＣチップ１上の電極パッド２上にワイヤーボンデ
ィング法でもってＡｕ線を溶着しバンプ（突起接点）３
を形成し、形成後高さを揃えるためにバンプ３の頭頂部
を約４０μｍの高さに平たく成形している。
うにＩＣチップ１上の電極パッド２上にワイヤーボンデ
ィング法でもってＡｕ線を溶着しバンプ（突起接点）３
を形成し、形成後高さを揃えるためにバンプ３の頭頂部
を約４０μｍの高さに平たく成形している。
【０００６】つぎに、図２に示すように別に用意した支
持体１０上に膜形成ブレード１１を用いて約２５μｍの
均一な導電性接着剤６膜を作成する。そして、図３に示
すようにＩＣチップ１のバンプ３の頭頂部を支持体１０
上に形成した導電性接着剤４膜に３秒間浸積し、前記バ
ンプ３の頭頂部に導電性接着剤４を転写・塗布する。
持体１０上に膜形成ブレード１１を用いて約２５μｍの
均一な導電性接着剤６膜を作成する。そして、図３に示
すようにＩＣチップ１のバンプ３の頭頂部を支持体１０
上に形成した導電性接着剤４膜に３秒間浸積し、前記バ
ンプ３の頭頂部に導電性接着剤４を転写・塗布する。
【０００７】図４はＩＣチップ１のバンプ３の頭頂部に
導電性接着剤４の転写・塗布が終了した図である。その
後、図５に示すように導電性接着剤４が塗布されたＩＣ
チップ１を回路基板５の端子電極６と位置合わせ結合
し、１００℃３時間加熱することで導電性接着剤４を硬
化する。
導電性接着剤４の転写・塗布が終了した図である。その
後、図５に示すように導電性接着剤４が塗布されたＩＣ
チップ１を回路基板５の端子電極６と位置合わせ結合
し、１００℃３時間加熱することで導電性接着剤４を硬
化する。
【０００８】そして、その後、図８に示すようにＩＣチ
ップ１と回路基板５との間隙に液状のエポキシ系封止樹
脂７を充填し、１００℃２時間加熱して封止樹脂７を硬
化させてＩＣチップ１の実装が完了する。
ップ１と回路基板５との間隙に液状のエポキシ系封止樹
脂７を充填し、１００℃２時間加熱して封止樹脂７を硬
化させてＩＣチップ１の実装が完了する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法では、封止樹脂の硬化時に封止樹脂の熱膨張に
よってＩＣチップが突き上げられ、封止樹脂硬化後のＩ
Ｃチップと回路基板の接続が不安定となり、接続抵抗増
大やオープン現象が多発するという課題があった。
来の方法では、封止樹脂の硬化時に封止樹脂の熱膨張に
よってＩＣチップが突き上げられ、封止樹脂硬化後のＩ
Ｃチップと回路基板の接続が不安定となり、接続抵抗増
大やオープン現象が多発するという課題があった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のＩＣ実装方法は、封止樹脂硬化時に機械的
に加圧をしながら硬化するものである。
め、本発明のＩＣ実装方法は、封止樹脂硬化時に機械的
に加圧をしながら硬化するものである。
【００１１】あるいは、加熱した圧縮空気や圧縮ガスを
ＩＣチップ裏面に吹きつけながら硬化するものである。
ＩＣチップ裏面に吹きつけながら硬化するものである。
【００１２】
【作用】したがって上記第１の手段によれば、封止樹脂
の熱膨張によるＩＣチップ突き上げ力より大きな荷重で
機械的に加圧することで、ＩＣチップの突き上げをなく
しＩＣチップと回路基板の接続が安定し、接続抵抗増大
やオープン現象をなくすことができる。
の熱膨張によるＩＣチップ突き上げ力より大きな荷重で
機械的に加圧することで、ＩＣチップの突き上げをなく
しＩＣチップと回路基板の接続が安定し、接続抵抗増大
やオープン現象をなくすことができる。
【００１３】また、上記第２の手段によれば、封止樹脂
の熱膨張によるＩＣチップ突き上げ力より大きな圧力の
加熱した圧縮空気や圧縮ガスをＩＣチップ裏面に直接吹
きつけるために、第１の手段におけると同様の効果が得
られる。
の熱膨張によるＩＣチップ突き上げ力より大きな圧力の
加熱した圧縮空気や圧縮ガスをＩＣチップ裏面に直接吹
きつけるために、第１の手段におけると同様の効果が得
られる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例について同一機能を
有するものには同一番号を付して詳しい説明を省略し、
相違する点について説明する。
有するものには同一番号を付して詳しい説明を省略し、
相違する点について説明する。
【００１５】（実施例１）本発明のＩＣ実装方法の第１
の実施例では、図１〜図５まで従来例と同一の工程であ
る。そして、本実施例では、図５の工程に引続き、図６
の封止樹脂の充填・硬化工程を実施する。図６において
８はＩＣチップ１を押圧する測定プローバ等の弾性体突
起９を設けてある重量約２００gのステンレス製の加圧
冶具である。 即ち、本実施例では、まず図１に示すよ
うにＩＣチップ１上の電極パッド２上にワイヤーボンデ
ィング法でもってＡｕ線を溶着しバンプ（突起接点）３
を形成し、形成後高さを揃えるためにバンプ３の頭頂部
を約４０μｍの高さに平たく成形している。
の実施例では、図１〜図５まで従来例と同一の工程であ
る。そして、本実施例では、図５の工程に引続き、図６
の封止樹脂の充填・硬化工程を実施する。図６において
８はＩＣチップ１を押圧する測定プローバ等の弾性体突
起９を設けてある重量約２００gのステンレス製の加圧
冶具である。 即ち、本実施例では、まず図１に示すよ
うにＩＣチップ１上の電極パッド２上にワイヤーボンデ
ィング法でもってＡｕ線を溶着しバンプ（突起接点）３
を形成し、形成後高さを揃えるためにバンプ３の頭頂部
を約４０μｍの高さに平たく成形している。
【００１６】つぎに、図２に示すように別に用意した支
持体１０上に膜形成ブレード１１を用いて約２５μｍの
均一な導電性接着剤６膜を作成する。そして、図３に示
すようにＩＣチップ１のバンプ３の頭頂部を支持体１０
上に形成した導電性接着剤４膜に３秒間浸積し、前記バ
ンプ３の頭頂部に導電性接着剤４を転写・塗布する。
持体１０上に膜形成ブレード１１を用いて約２５μｍの
均一な導電性接着剤６膜を作成する。そして、図３に示
すようにＩＣチップ１のバンプ３の頭頂部を支持体１０
上に形成した導電性接着剤４膜に３秒間浸積し、前記バ
ンプ３の頭頂部に導電性接着剤４を転写・塗布する。
【００１７】図４はＩＣチップ１のバンプ３の頭頂部に
導電性接着剤４の転写・塗布が終了した図である。その
後、図５に示すように導電性接着剤４が塗布されたＩＣ
チップ１を回路基板５の端子電極６と位置合わせ結合
し、１００℃３時間加熱することで導電性接着剤４を硬
化する。
導電性接着剤４の転写・塗布が終了した図である。その
後、図５に示すように導電性接着剤４が塗布されたＩＣ
チップ１を回路基板５の端子電極６と位置合わせ結合
し、１００℃３時間加熱することで導電性接着剤４を硬
化する。
【００１８】そして、図６に示すようにＩＣチップ１と
回路基板５との間隙に液状のエポキシ系封止樹脂７を充
填した後、加圧冶具９の弾性体突起１０でＩＣチップ１
の裏面を押圧しながら、乾燥器内で１００℃２時間加熱
して封止樹脂７を硬化させてＩＣチップ１の実装が完了
する。
回路基板５との間隙に液状のエポキシ系封止樹脂７を充
填した後、加圧冶具９の弾性体突起１０でＩＣチップ１
の裏面を押圧しながら、乾燥器内で１００℃２時間加熱
して封止樹脂７を硬化させてＩＣチップ１の実装が完了
する。
【００１９】封止樹脂の加熱時の熱膨張によるＩＣチッ
プの突き上げ力はいまのところ確かな測定法がなく不明
であるため、実際に荷重を変えながら突き上げ力を確認
した。評価に用いたＩＣはサイズが１０mm×２mm、電極
パッド数が１５０個である。このＩＣチップを導電性接
着剤で回路基板に接続したときのせん断強度は約５００
gである。ＩＣチップの裏面に載せる荷重は５０〜５０
０gの範囲で実施した。
プの突き上げ力はいまのところ確かな測定法がなく不明
であるため、実際に荷重を変えながら突き上げ力を確認
した。評価に用いたＩＣはサイズが１０mm×２mm、電極
パッド数が１５０個である。このＩＣチップを導電性接
着剤で回路基板に接続したときのせん断強度は約５００
gである。ＩＣチップの裏面に載せる荷重は５０〜５０
０gの範囲で実施した。
【００２０】その結果１００g以上であれば効果がある
ことがわかった。本実施例において、封止樹脂の硬化時
の熱膨張によるＩＣチップ突き上げ力より大きな荷重で
ＩＣチップ裏面を押圧しながら硬化することでＩＣチッ
プの突き上げがなくなり、接続抵抗の増大やオープン現
象がないことを確認した。
ことがわかった。本実施例において、封止樹脂の硬化時
の熱膨張によるＩＣチップ突き上げ力より大きな荷重で
ＩＣチップ裏面を押圧しながら硬化することでＩＣチッ
プの突き上げがなくなり、接続抵抗の増大やオープン現
象がないことを確認した。
【００２１】（実施例２）本発明の第２の実施例におい
ては、図１〜図５まで従来例と同一の工程である。そし
て、本実施例では、図５の工程に引き続いて図７の封止
樹脂の充填・硬化工程を実施する。図７において１２は
ＩＣチップ１裏面温度が１００℃になるように加熱した
圧縮空気であり、１３は前記圧縮空気１２を加熱するヒ
ータ１４を内蔵した加熱装置である。
ては、図１〜図５まで従来例と同一の工程である。そし
て、本実施例では、図５の工程に引き続いて図７の封止
樹脂の充填・硬化工程を実施する。図７において１２は
ＩＣチップ１裏面温度が１００℃になるように加熱した
圧縮空気であり、１３は前記圧縮空気１２を加熱するヒ
ータ１４を内蔵した加熱装置である。
【００２２】即ち、本実施例の実装方法では、まず図１
に示すようにＩＣチップ１上の電極パッド２上にワイヤ
ーボンディング法でもってＡｕ線を溶着しバンプ（突起
接点）３を形成し、形成後高さを揃えるためにバンプ３
の頭頂部を約４０μｍの高さに平たく成形している。
に示すようにＩＣチップ１上の電極パッド２上にワイヤ
ーボンディング法でもってＡｕ線を溶着しバンプ（突起
接点）３を形成し、形成後高さを揃えるためにバンプ３
の頭頂部を約４０μｍの高さに平たく成形している。
【００２３】つぎに、図２に示すように別に用意した支
持体１０上に膜形成ブレード１１を用いて約２５μｍの
均一な導電性接着剤６膜を作成する。そして、図３に示
すようにＩＣチップ１のバンプ３の頭頂部を支持体１０
上に形成した導電性接着剤４膜に３秒間浸積し、前記バ
ンプ３の頭頂部に導電性接着剤４を転写・塗布する。
持体１０上に膜形成ブレード１１を用いて約２５μｍの
均一な導電性接着剤６膜を作成する。そして、図３に示
すようにＩＣチップ１のバンプ３の頭頂部を支持体１０
上に形成した導電性接着剤４膜に３秒間浸積し、前記バ
ンプ３の頭頂部に導電性接着剤４を転写・塗布する。
【００２４】図４はＩＣチップ１のバンプ３の頭頂部に
導電性接着剤４の転写・塗布が終了した図である。その
後、図５に示すように導電性接着剤４が塗布されたＩＣ
チップ１を回路基板５の端子電極６と位置合わせ結合
し、１００℃３時間加熱することで導電性接着剤４を硬
化する。
導電性接着剤４の転写・塗布が終了した図である。その
後、図５に示すように導電性接着剤４が塗布されたＩＣ
チップ１を回路基板５の端子電極６と位置合わせ結合
し、１００℃３時間加熱することで導電性接着剤４を硬
化する。
【００２５】そして、引き続いて、図７に示すようにＩ
Ｃチップ１と回路基板５との間隙に液状のエポキシ系封
止樹脂７を充填した後、ＩＣチップ１の裏面が１００℃
になるように加熱装置１３のヒーター１４で加熱した圧
力が２kg／cm2の圧縮空気１２をＩＣチップ３から約５m
mの距離から２時間直接吹きつけて硬化させＩＣチップ
１の実装が完了する。
Ｃチップ１と回路基板５との間隙に液状のエポキシ系封
止樹脂７を充填した後、ＩＣチップ１の裏面が１００℃
になるように加熱装置１３のヒーター１４で加熱した圧
力が２kg／cm2の圧縮空気１２をＩＣチップ３から約５m
mの距離から２時間直接吹きつけて硬化させＩＣチップ
１の実装が完了する。
【００２６】本実施例においても、封止樹脂の硬化時の
熱膨張によるＩＣチップ突き上げ力より大きな圧力の加
熱した圧縮空気ででＩＣチップ裏面に直接吹きつけなが
ら硬化することでＩＣチップの突き上げをなくなり、接
続抵抗の増大やオープン現象がないことを確認した。
熱膨張によるＩＣチップ突き上げ力より大きな圧力の加
熱した圧縮空気ででＩＣチップ裏面に直接吹きつけなが
ら硬化することでＩＣチップの突き上げをなくなり、接
続抵抗の増大やオープン現象がないことを確認した。
【００２７】このように上記実施例によれば、封止樹脂
の熱膨張によるＩＣチップの突き上げ力より大きな荷重
や圧力でＩＣチップ裏面を押圧しながら加熱することで
ＩＣチップの突き上げがなくなり、接続抵抗増大やオー
プン現象が皆無となった。
の熱膨張によるＩＣチップの突き上げ力より大きな荷重
や圧力でＩＣチップ裏面を押圧しながら加熱することで
ＩＣチップの突き上げがなくなり、接続抵抗増大やオー
プン現象が皆無となった。
【００２８】
【発明の効果】上記実施例から明らかなように、本発明
は封止樹脂の熱膨張によるＩＣチップ突き上げ力より大
きな荷重を機械的に加えながら硬化する（第１の方法）
ことや、ＩＣチップ突き上げ力より大きな圧力の加熱し
た圧縮空気や圧縮ガスをＩＣチップ裏面に吹きつけなが
ら硬化する（第２の方法）ことによって、ＩＣチップ突
き上げをなくすことができ、接続抵抗増大やオープン現
象のない安定した電気的接続を得ることができる。
は封止樹脂の熱膨張によるＩＣチップ突き上げ力より大
きな荷重を機械的に加えながら硬化する（第１の方法）
ことや、ＩＣチップ突き上げ力より大きな圧力の加熱し
た圧縮空気や圧縮ガスをＩＣチップ裏面に吹きつけなが
ら硬化する（第２の方法）ことによって、ＩＣチップ突
き上げをなくすことができ、接続抵抗増大やオープン現
象のない安定した電気的接続を得ることができる。
【図１】本発明のＩＣ実装方法の第１、第２の実施例及
び従来の実装方法に共通な、バンプ（突起接点）の形成
工程図
び従来の実装方法に共通な、バンプ（突起接点）の形成
工程図
【図２】本発明のＩＣ実装方法の第１、第２の実施例及
び従来の実装方法に共通な、導電性接着剤の膜作成工程
図
び従来の実装方法に共通な、導電性接着剤の膜作成工程
図
【図３】本発明のＩＣ実装方法の第１、第２の実施例及
び従来の実装方法に共通な、導電性接着剤の塗布工程図
び従来の実装方法に共通な、導電性接着剤の塗布工程図
【図４】本発明のＩＣ実装方法の第１、第２の実施例及
び従来の実装方法に共通な、導電性接着剤の塗布完了状
態図
び従来の実装方法に共通な、導電性接着剤の塗布完了状
態図
【図５】本発明のＩＣ実装方法の第１、第２の実施例及
び従来の実装方法に共通な、ＩＣチップの位置合わせ・
結合の工程図
び従来の実装方法に共通な、ＩＣチップの位置合わせ・
結合の工程図
【図６】本発明の第１の実施例における封止樹脂の充填
・硬化工程図
・硬化工程図
【図７】本発明の第２の実施例における封止樹脂の充填
・硬化工程図
・硬化工程図
【図８】従来例における封止樹脂の充填・硬化工程図
１ ＩＣチップ
２ 電極パッド
３ バンプ（突起接点）
４ 導電性接着剤
５ 回路基板
６ 端子電極
７ 封止樹脂
８ 加圧治具
９ 弾性体突起
１０ 支持体
１１ 膜形成ブレード
１２ 圧縮空気
１３ 加熱装置
１４ ヒーター
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 中村 真治
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】ＩＣチップ上の電極パッドに突起接点を形
成する工程と、支持体上に膜形成ブレードでもって一定
厚に形成された導電性接着剤膜に、前記ＩＣチップ上の
電極パッドに形成した突起接点を浸積し前記導電性接着
剤を突起接点に転写する工程と、前記導電性接着剤を突
起接点に転写したＩＣチップを回路基板の端子電極に位
置決めし圧接したのち加熱硬化する工程と、前記ＩＣチ
ップと回路基板の間隙に液状の封止樹脂を充填したのち
加圧しながら加熱硬化する工程からなるＩＣ実装方法。 - 【請求項２】封止樹脂の加熱硬化の工程における加圧力
が封止樹脂の熱膨張力以上である請求項１記載のＩＣ実
装方法。 - 【請求項３】封止樹脂の加熱硬化の工程において、ＩＣ
チップが機械的に加圧される請求項１記載のＩＣ実装方
法。 - 【請求項４】ＩＣチップを１点以上でかつ弾性部を介し
て加圧する請求項３記載のＩＣ実装方法。 - 【請求項５】封止樹脂の加熱硬化の工程が、加熱した圧
縮空気もしくは圧縮ガスをＩＣチップ裏面に吹きつけな
がら行なわれる請求項１記載のＩＣ実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3176615A JP2833272B2 (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | Ｉｃ実装方法 |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6271058B1 (en) | 1998-01-06 | 2001-08-07 | Nec Corporation | Method of manufacturing semiconductor device in which semiconductor chip is mounted facedown on board |
| US6631692B1 (en) * | 1999-03-18 | 2003-10-14 | Asm Japan K.K. | Plasma CVD film-forming device |
| US6761771B2 (en) | 2000-10-19 | 2004-07-13 | Asm Japan K.K. | Semiconductor substrate-supporting apparatus |
| CN102396106A (zh) * | 2009-04-16 | 2012-03-28 | 旭硝子株式会社 | 车辆用玻璃天线及车辆用窗玻璃以及车辆用玻璃天线的供电结构 |
-
1991
- 1991-07-17 JP JP3176615A patent/JP2833272B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6271058B1 (en) | 1998-01-06 | 2001-08-07 | Nec Corporation | Method of manufacturing semiconductor device in which semiconductor chip is mounted facedown on board |
| US6631692B1 (en) * | 1999-03-18 | 2003-10-14 | Asm Japan K.K. | Plasma CVD film-forming device |
| US6740367B2 (en) | 1999-03-18 | 2004-05-25 | Asm Japan K.K. | Plasma CVD film-forming device |
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| CN102396106A (zh) * | 2009-04-16 | 2012-03-28 | 旭硝子株式会社 | 车辆用玻璃天线及车辆用窗玻璃以及车辆用玻璃天线的供电结构 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP2833272B2 (ja) | 1998-12-09 |
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