JPH05166879A - Ｉｃ実装方法 - Google Patents
Ｉｃ実装方法Info
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- JPH05166879A JPH05166879A JP32873091A JP32873091A JPH05166879A JP H05166879 A JPH05166879 A JP H05166879A JP 32873091 A JP32873091 A JP 32873091A JP 32873091 A JP32873091 A JP 32873091A JP H05166879 A JPH05166879 A JP H05166879A
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- adhesive
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/118—Post-treatment of the bump connector
- H01L2224/1182—Applying permanent coating, e.g. in-situ coating
- H01L2224/11822—Applying permanent coating, e.g. in-situ coating by dipping, e.g. in a solder bath
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子機器に用いられるＩＣチップを導電性接
着剤を用いて液晶パネルなどの回路基板に接続する方法
において、ＩＣチップのバンプへの導電性接着剤の転写
量を安定させ回路基板との接続において導電性接着剤の
転写不良による拡がり小や接端子間ショート不良を解決
し、安定した電気的接続が得られるＩＣ実装方法を提供
する。 【構成】 ＩＣチップ１上の電極パッド２に形成したバ
ンプ（突起接点）３の頭頂部に、導電性接着剤膜４もし
くは絶縁性接着剤４を塗布した後、第２の支持体１０上
に作成した高粘度の第２の導電性接着剤５膜を塗布し、
回路基板の端子電極と位置決め・圧接し加熱硬化して接
続する。
着剤を用いて液晶パネルなどの回路基板に接続する方法
において、ＩＣチップのバンプへの導電性接着剤の転写
量を安定させ回路基板との接続において導電性接着剤の
転写不良による拡がり小や接端子間ショート不良を解決
し、安定した電気的接続が得られるＩＣ実装方法を提供
する。 【構成】 ＩＣチップ１上の電極パッド２に形成したバ
ンプ（突起接点）３の頭頂部に、導電性接着剤膜４もし
くは絶縁性接着剤４を塗布した後、第２の支持体１０上
に作成した高粘度の第２の導電性接着剤５膜を塗布し、
回路基板の端子電極と位置決め・圧接し加熱硬化して接
続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣチップに代表され
る電気マイクロ回路素子の入出力パッド上に形成された
突起接点と回路基板上に形成された電極端子とを導電性
接着剤を用いて電気接続するためのＩＣチップの実装方
法に関するものである。
る電気マイクロ回路素子の入出力パッド上に形成された
突起接点と回路基板上に形成された電極端子とを導電性
接着剤を用いて電気接続するためのＩＣチップの実装方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電気マイクロ回路素子の接点領域
と回路基板上の電極端子部との接続には半田付けが良く
利用されていた。しかしながら近年、例えばＩＣフラッ
トパッケージなど小型化と接続端子の増加により接続端
子間、いわゆるピッチ間隔が次第に狭くなり従来の半田
付け技術で対処することが困難になってきた。また最近
では電卓、電子時計、あるいは液晶ディスプレイなどに
あたっては裸のＩＣチップをガラス基板上の電極に直付
けして実装面積の効率的使用を図ろうとする動きがあり
半田付けに変わる有効かつ微細な電気的接続手段が強く
望まれていた。
と回路基板上の電極端子部との接続には半田付けが良く
利用されていた。しかしながら近年、例えばＩＣフラッ
トパッケージなど小型化と接続端子の増加により接続端
子間、いわゆるピッチ間隔が次第に狭くなり従来の半田
付け技術で対処することが困難になってきた。また最近
では電卓、電子時計、あるいは液晶ディスプレイなどに
あたっては裸のＩＣチップをガラス基板上の電極に直付
けして実装面積の効率的使用を図ろうとする動きがあり
半田付けに変わる有効かつ微細な電気的接続手段が強く
望まれていた。
【０００３】裸のＩＣチップを配線基板上の電極と電気
的に接続する方法としてはＩＣチップの電極パッド上に
形成した電気導電性の突起接点の頭頂部に導電性接着剤
を転写・塗布し、配線基板の電極端子に位置合わせし接
着硬化することでＩＣチップと配線基板の電気的接続を
図る技術がある（特公昭６２−２８５４４６）。この技
術において、ＩＣチップ上の突起接点に導電性接着剤を
いかに安定して転写・塗布するかが接続品質上重要とな
る。
的に接続する方法としてはＩＣチップの電極パッド上に
形成した電気導電性の突起接点の頭頂部に導電性接着剤
を転写・塗布し、配線基板の電極端子に位置合わせし接
着硬化することでＩＣチップと配線基板の電気的接続を
図る技術がある（特公昭６２−２８５４４６）。この技
術において、ＩＣチップ上の突起接点に導電性接着剤を
いかに安定して転写・塗布するかが接続品質上重要とな
る。
【０００４】以下図面を参照しながら上述した従来のＩ
Ｃチップの実装方法について説明する。
Ｃチップの実装方法について説明する。
【０００５】図１と図５〜図８は従来例のＩＣ実装工程
を示したものである。図において１はＩＣチップであ
り、１５０μｍピッチで配置した約１５０個の電極パッ
ド２上には高さ約７０μｍ、径約８０μｍのバンプ（突
起接点）３が形成してある。５はエポキシ樹脂にＡｇを
９４重量％含有し、粘度が６０Ｐａ．ｓの溶剤型の高粘
度の導電性接着剤である。６は液晶パネルなどの回路基
板であり、ＩＣチップ１の電極パッド２と同数・同ピッ
チのＩＴＯ電極からなる電極端子７が形成されている。
１０は膜形成ブレード１１を用いて導電性接着剤５膜を
作成するための支持体である。
を示したものである。図において１はＩＣチップであ
り、１５０μｍピッチで配置した約１５０個の電極パッ
ド２上には高さ約７０μｍ、径約８０μｍのバンプ（突
起接点）３が形成してある。５はエポキシ樹脂にＡｇを
９４重量％含有し、粘度が６０Ｐａ．ｓの溶剤型の高粘
度の導電性接着剤である。６は液晶パネルなどの回路基
板であり、ＩＣチップ１の電極パッド２と同数・同ピッ
チのＩＴＯ電極からなる電極端子７が形成されている。
１０は膜形成ブレード１１を用いて導電性接着剤５膜を
作成するための支持体である。
【０００６】従来のＩＣ実装方法は、まず図１に示すよ
うにＩＣチップ１上の電極パッド２上にワイヤーボンデ
ィング法でもってＡｕ線を溶着しバンプ（突起接点）３
を形成し、形成後高さを揃えるためにバンプ３の頭頂部
を約４０μｍの高さに平たく成形している。つぎに、図
５に示すように別に用意した支持体１０上に膜形成ブレ
ード１１を用いて約２５μｍの均一な導電性接着剤５膜
を作成する。そして、図６に示すようにＩＣチップ１の
バンプ３の頭頂部を支持体８上に形成した導電性接着剤
４膜に３秒間浸積し、前記バンプ３の頭頂部に導電性接
着剤５を転写・塗布する。図７はＩＣチップ１のバンプ
３の頭頂部に導電性接着剤５の転写・塗布が終了した図
である。その後、図８に示すように導電性接着剤５が塗
布されたＩＣチップ１を回路基板６の端子電極７と位置
合わせ結合し、１００℃３時間加熱することで導電性接
着剤５を硬化させＩＣチップ１の実装が完了する。
うにＩＣチップ１上の電極パッド２上にワイヤーボンデ
ィング法でもってＡｕ線を溶着しバンプ（突起接点）３
を形成し、形成後高さを揃えるためにバンプ３の頭頂部
を約４０μｍの高さに平たく成形している。つぎに、図
５に示すように別に用意した支持体１０上に膜形成ブレ
ード１１を用いて約２５μｍの均一な導電性接着剤５膜
を作成する。そして、図６に示すようにＩＣチップ１の
バンプ３の頭頂部を支持体８上に形成した導電性接着剤
４膜に３秒間浸積し、前記バンプ３の頭頂部に導電性接
着剤５を転写・塗布する。図７はＩＣチップ１のバンプ
３の頭頂部に導電性接着剤５の転写・塗布が終了した図
である。その後、図８に示すように導電性接着剤５が塗
布されたＩＣチップ１を回路基板６の端子電極７と位置
合わせ結合し、１００℃３時間加熱することで導電性接
着剤５を硬化させＩＣチップ１の実装が完了する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法では、導電性接着剤の導電粒子の含有量が高く
転写・塗布の中心となる樹脂分が少なくなるためＩＣチ
ップ上のバンプへの濡れ性が悪く転写・塗布が不安定と
なり、回路基板と接続した際、導電性接着剤が不足して
オープン不良が発生したり過剰となって隣接端子とのシ
ョート不良が発生するという課題があった。
来の方法では、導電性接着剤の導電粒子の含有量が高く
転写・塗布の中心となる樹脂分が少なくなるためＩＣチ
ップ上のバンプへの濡れ性が悪く転写・塗布が不安定と
なり、回路基板と接続した際、導電性接着剤が不足して
オープン不良が発生したり過剰となって隣接端子とのシ
ョート不良が発生するという課題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のＩＣ実装方法は、ＩＣチップのバンプに低
粘度の第１の導電性接着剤を転写・塗布した後、高粘度
の第２の導電性接着剤を転写塗布するものである。
め、本発明のＩＣ実装方法は、ＩＣチップのバンプに低
粘度の第１の導電性接着剤を転写・塗布した後、高粘度
の第２の導電性接着剤を転写塗布するものである。
【０００９】あるいは、ＩＣチップのバンプに導電粒子
が含有されない低粘度の接着剤を転写・塗布した後、高
粘度の導電性接着剤を転写塗布するものである。
が含有されない低粘度の接着剤を転写・塗布した後、高
粘度の導電性接着剤を転写塗布するものである。
【００１０】
【作用】したがって上記第１の手段によれば、ＩＣチッ
プのバンプへの濡れ性がよい低粘度の第１の導電性接着
剤を転写・塗布し未硬化の状態で高粘度の第２の導電性
接着剤を転写・塗布することで、ＩＣチップのバンプ表
面に高粘度の第２の導電性接着剤と濡れやすい低粘度の
導電性接着剤層が形成されるため、転写量が安定し、オ
ープン不良や隣接間ショートをなくすことができる。
プのバンプへの濡れ性がよい低粘度の第１の導電性接着
剤を転写・塗布し未硬化の状態で高粘度の第２の導電性
接着剤を転写・塗布することで、ＩＣチップのバンプ表
面に高粘度の第２の導電性接着剤と濡れやすい低粘度の
導電性接着剤層が形成されるため、転写量が安定し、オ
ープン不良や隣接間ショートをなくすことができる。
【００１１】また、上記第２の手段によれば、ＩＣチッ
プのバンプへの濡れ性がよい低粘度の接着剤を転写・塗
布し未硬化の状態で高粘度の導電性接着剤を転写・塗布
することで、ＩＣチップのバンプ表面に高粘度の導電性
接着剤と濡れやすい低粘度の絶縁性接着剤層が形成され
るため、転写量が安定し、第１の方法と同様の効果が得
られる。
プのバンプへの濡れ性がよい低粘度の接着剤を転写・塗
布し未硬化の状態で高粘度の導電性接着剤を転写・塗布
することで、ＩＣチップのバンプ表面に高粘度の導電性
接着剤と濡れやすい低粘度の絶縁性接着剤層が形成され
るため、転写量が安定し、第１の方法と同様の効果が得
られる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例について同一機能を
有するものには同一番号を付して詳しい説明を省略し、
相違する点について説明する。
有するものには同一番号を付して詳しい説明を省略し、
相違する点について説明する。
【００１３】（実施例１）本発明の第１の実施例は図１
と図５〜図８まで従来例と同一の工程である。図２〜図
４は本発明の第１の実施例のＩＣ実装方法を示す第１の
導電性接着剤膜の作成と転写・塗布工程図である。図２
〜図４において１はＩＣチップであり電極２上にＡｕバ
ンプ３が形成されている。４はエポキシ樹脂に平均粒径
約４μｍのＡｇ粒子を８５重量％含有し、粘度が４５Ｐ
ａ．ｓの溶剤型の第１の導電性接着剤（以後、低粘度導
電性接着剤という）であり、図５〜図６におけるエポキ
シ樹脂に平均粒径約４μｍのＡｇ粒子を９４重量％含有
した粘度が６０Ｐａ．ｓの第２の導電性接着剤５（以
降、高粘度導電性接着剤という）より低粘度となってい
る。８は第１の支持体、９は第２の膜形成ブレードであ
る。
と図５〜図８まで従来例と同一の工程である。図２〜図
４は本発明の第１の実施例のＩＣ実装方法を示す第１の
導電性接着剤膜の作成と転写・塗布工程図である。図２
〜図４において１はＩＣチップであり電極２上にＡｕバ
ンプ３が形成されている。４はエポキシ樹脂に平均粒径
約４μｍのＡｇ粒子を８５重量％含有し、粘度が４５Ｐ
ａ．ｓの溶剤型の第１の導電性接着剤（以後、低粘度導
電性接着剤という）であり、図５〜図６におけるエポキ
シ樹脂に平均粒径約４μｍのＡｇ粒子を９４重量％含有
した粘度が６０Ｐａ．ｓの第２の導電性接着剤５（以
降、高粘度導電性接着剤という）より低粘度となってい
る。８は第１の支持体、９は第２の膜形成ブレードであ
る。
【００１４】まず、図１に示すようにＩＣチップ１上の
電極パッド２上にワイヤーボンディング法でもってＡｕ
線を溶着し高さが約７０μｍ、径が約８０μｍのバンプ
（突起接点）３を形成し、形成後高さを揃えるためにバ
ンプ３の頭頂部を約４５μｍの高さに平たく成形してい
る。
電極パッド２上にワイヤーボンディング法でもってＡｕ
線を溶着し高さが約７０μｍ、径が約８０μｍのバンプ
（突起接点）３を形成し、形成後高さを揃えるためにバ
ンプ３の頭頂部を約４５μｍの高さに平たく成形してい
る。
【００１５】つぎに、図２に示すように第１の支持体８
上に第１の膜形成ブレード９を用いて約１５μｍの均一
な低粘度導電性接着剤４膜を作成する。
上に第１の膜形成ブレード９を用いて約１５μｍの均一
な低粘度導電性接着剤４膜を作成する。
【００１６】そして、図３に示すようにＩＣチップ１の
バンプ３の頭頂部を第１の支持体８上に形成した低粘度
導電性接着剤４膜に１秒間浸積し、前記バンプ３の頭頂
部に低粘度導電性接着剤４を転写・塗布する。
バンプ３の頭頂部を第１の支持体８上に形成した低粘度
導電性接着剤４膜に１秒間浸積し、前記バンプ３の頭頂
部に低粘度導電性接着剤４を転写・塗布する。
【００１７】図４はＩＣチップ１のバンプ３の頭頂部に
低粘度導電性接着剤４の転写・塗布が終了した図であ
る。
低粘度導電性接着剤４の転写・塗布が終了した図であ
る。
【００１８】つぎに、図５に示すように別に用意した第
２の支持体１０上に第２の膜形成ブレード１１を用いて
約２５μｍの均一な高粘度導電性接着剤５膜を作成す
る。
２の支持体１０上に第２の膜形成ブレード１１を用いて
約２５μｍの均一な高粘度導電性接着剤５膜を作成す
る。
【００１９】そして、図６に示すようにＩＣチップ１の
バンプ３の頭頂部を第２の支持体１０上に形成した高粘
度導電性接着剤５膜に３秒間浸積し、前記バンプ３の頭
頂部に先に転写・塗布した低粘度導電性接着剤４に重ね
て高粘度導電性接着剤５を転写・塗布する。
バンプ３の頭頂部を第２の支持体１０上に形成した高粘
度導電性接着剤５膜に３秒間浸積し、前記バンプ３の頭
頂部に先に転写・塗布した低粘度導電性接着剤４に重ね
て高粘度導電性接着剤５を転写・塗布する。
【００２０】図７はＩＣチップ１のバンプ３の頭頂部に
高粘度導電性接着剤５の転写・塗布が終了した図であ
る。
高粘度導電性接着剤５の転写・塗布が終了した図であ
る。
【００２１】その後、図８に示すようにバンプ３に高粘
度導電性接着剤５が塗布されたＩＣチップ１を回路基板
６の端子電極７と位置合わせ結合し、１００℃３時間加
熱することで導電性接着剤５を硬化してＩＣチップ１の
実装が完了する。
度導電性接着剤５が塗布されたＩＣチップ１を回路基板
６の端子電極７と位置合わせ結合し、１００℃３時間加
熱することで導電性接着剤５を硬化してＩＣチップ１の
実装が完了する。
【００２２】従来の方法と比較するためそれぞれ１００
個のＩＣチップを用いて回路基板に実装した。用いたＩ
Ｃサイズは１０ｍｍ×２ｍｍ、電極パッド数が１５０個
である。
個のＩＣチップを用いて回路基板に実装した。用いたＩ
Ｃサイズは１０ｍｍ×２ｍｍ、電極パッド数が１５０個
である。
【００２３】その結果、従来法では１００個中オープン
不良が５個、回路基板の隣接端子間のショートが１個発
生した。
不良が５個、回路基板の隣接端子間のショートが１個発
生した。
【００２４】それに対し、本実施例では１００個中オー
プン不良や隣接端子間のショート不良は発生せず効果が
大きいことが分かった。本実施例においてＩＣチップの
バンプに対して濡れ性の良い低粘度の導電性接着剤を微
量転写・塗布しバンプの表面を高粘度導電性接着剤が濡
れやすい低粘度の導電性接着剤層が形成されるため、高
粘度導電性接着剤の転写量が安定し、回路基板との接続
においてもオープン不良や隣接端子間のショート不良が
ないことを確認した。
プン不良や隣接端子間のショート不良は発生せず効果が
大きいことが分かった。本実施例においてＩＣチップの
バンプに対して濡れ性の良い低粘度の導電性接着剤を微
量転写・塗布しバンプの表面を高粘度導電性接着剤が濡
れやすい低粘度の導電性接着剤層が形成されるため、高
粘度導電性接着剤の転写量が安定し、回路基板との接続
においてもオープン不良や隣接端子間のショート不良が
ないことを確認した。
【００２５】（実施例２）本発明の第２の実施例は実施
例１と同一の工程である。
例１と同一の工程である。
【００２６】第１の実施例と第２の実施例の相違点は図
２における形成膜が第１の実施例では低粘度導電性接着
剤４であるのに対し第２の実施例ではＡｇなど導電粒子
をを含有せず、粘度が約４５Ｐａ．ｓであるエポキシ樹
脂などの溶剤型絶縁性接着剤４を用いていることであ
り、図５〜図６におけるエポキシ樹脂に平均粒径約４μ
ｍのＡｇ粒子を９４重量％含有した粘度が６０Ｐａ．ｓ
の導電性接着剤５（以降、高粘度導電性接着剤という）
より低粘度となっている。絶縁性接着剤４のエポキシ樹
脂と溶剤は高粘度導電性接着剤５と同一材料である。
２における形成膜が第１の実施例では低粘度導電性接着
剤４であるのに対し第２の実施例ではＡｇなど導電粒子
をを含有せず、粘度が約４５Ｐａ．ｓであるエポキシ樹
脂などの溶剤型絶縁性接着剤４を用いていることであ
り、図５〜図６におけるエポキシ樹脂に平均粒径約４μ
ｍのＡｇ粒子を９４重量％含有した粘度が６０Ｐａ．ｓ
の導電性接着剤５（以降、高粘度導電性接着剤という）
より低粘度となっている。絶縁性接着剤４のエポキシ樹
脂と溶剤は高粘度導電性接着剤５と同一材料である。
【００２７】まず、図１に示すようにＩＣチップ１上の
電極パッド２上にワイヤーボンディング法でもってＡｕ
線を溶着し高さが約７０μｍ、径が約８０μｍのバンプ
（突起接点）３を形成し、形成後高さを揃えるためにバ
ンプ３の頭頂部を約４５μｍの高さに平たく成形してい
る。
電極パッド２上にワイヤーボンディング法でもってＡｕ
線を溶着し高さが約７０μｍ、径が約８０μｍのバンプ
（突起接点）３を形成し、形成後高さを揃えるためにバ
ンプ３の頭頂部を約４５μｍの高さに平たく成形してい
る。
【００２８】つぎに、図２に示すように第１の支持体８
上に第１の膜形成ブレード９を用いて約１０μｍの均一
な絶縁性接着剤４膜を作成する。
上に第１の膜形成ブレード９を用いて約１０μｍの均一
な絶縁性接着剤４膜を作成する。
【００２９】そして、図３に示すようにＩＣチップ１の
バンプ３の頭頂部を第１の支持体８上に形成した絶縁性
接着剤４膜に１秒間浸積し、前記バンプ３の頭頂部に絶
縁性接着剤４を転写・塗布する。
バンプ３の頭頂部を第１の支持体８上に形成した絶縁性
接着剤４膜に１秒間浸積し、前記バンプ３の頭頂部に絶
縁性接着剤４を転写・塗布する。
【００３０】図４はＩＣチップ１のバンプ３の頭頂部に
絶縁性接着剤４の転写・塗布が終了した図である。
絶縁性接着剤４の転写・塗布が終了した図である。
【００３１】つぎに、図５に示すように別に用意した第
２の支持体１０上に第２の膜形成ブレード１１を用いて
約２５μｍの均一な高粘度導電性接着剤５膜を作成す
る。
２の支持体１０上に第２の膜形成ブレード１１を用いて
約２５μｍの均一な高粘度導電性接着剤５膜を作成す
る。
【００３２】そして、図６に示すようにＩＣチップ１の
バンプ３の頭頂部を第２の支持体１０上に形成した高粘
度導電性接着剤５膜に３秒間浸積し、前記バンプ３の頭
頂部に先に転写・塗布した絶縁性接着剤４に重ねて高粘
度導電性接着剤５を転写・塗布する。
バンプ３の頭頂部を第２の支持体１０上に形成した高粘
度導電性接着剤５膜に３秒間浸積し、前記バンプ３の頭
頂部に先に転写・塗布した絶縁性接着剤４に重ねて高粘
度導電性接着剤５を転写・塗布する。
【００３３】図７はＩＣチップ１のバンプ３の頭頂部に
高粘度導電性接着剤５の転写・塗布が終了した図であ
る。
高粘度導電性接着剤５の転写・塗布が終了した図であ
る。
【００３４】その後、図８に示すようにバンプ３に高粘
度導電性接着剤５が塗布されたＩＣチップ１を回路基板
６の端子電極７と位置合わせ結合し、１００℃３時間加
熱することで高粘度導電性接着剤５を硬化してＩＣチッ
プ１の実装が完了する。
度導電性接着剤５が塗布されたＩＣチップ１を回路基板
６の端子電極７と位置合わせ結合し、１００℃３時間加
熱することで高粘度導電性接着剤５を硬化してＩＣチッ
プ１の実装が完了する。
【００３５】第１の実施例と同様１００個のＩＣチップ
を回路基板に実装して評価したが、接着剤転写不良によ
るオープン不良や隣接端子間のショート不良の発生は無
かった。先にＡｇなど導電粒子を含有しない絶縁性接着
剤をＩＣチップのバンプに転写・塗布するため回路基板
との接続が懸念されたが、絶縁性接着剤は導電性接着剤
と同一材料であり、硬化していないことや微量であるこ
となどから次に転写・塗布する高粘度導電性接着剤と相
溶し安定した接続が得られることを確認した。
を回路基板に実装して評価したが、接着剤転写不良によ
るオープン不良や隣接端子間のショート不良の発生は無
かった。先にＡｇなど導電粒子を含有しない絶縁性接着
剤をＩＣチップのバンプに転写・塗布するため回路基板
との接続が懸念されたが、絶縁性接着剤は導電性接着剤
と同一材料であり、硬化していないことや微量であるこ
となどから次に転写・塗布する高粘度導電性接着剤と相
溶し安定した接続が得られることを確認した。
【００３６】本実施例においもＩＣチップのバンプに対
して濡れ性の良い低粘度の絶縁性接着剤を微量転写・塗
布することによりバンプの表面に高粘度導電性接着剤と
濡れやすい絶縁性接着剤層が形成されるため、高粘度導
電性接着剤の転写量が安定し、回路基板との接続におい
てもオープン不良や隣接端子間のショート不良ないこと
を確認した。
して濡れ性の良い低粘度の絶縁性接着剤を微量転写・塗
布することによりバンプの表面に高粘度導電性接着剤と
濡れやすい絶縁性接着剤層が形成されるため、高粘度導
電性接着剤の転写量が安定し、回路基板との接続におい
てもオープン不良や隣接端子間のショート不良ないこと
を確認した。
【００３７】このように上記実施例によれば、先にＩＣ
チップのバンプに対して濡れ性の良い低粘度の導電性接
着剤や絶縁性接着剤を微量転写・塗布することでバンプ
の表面に高粘度導電性接着剤と濡れやすい低粘度の導電
性接着剤層もしくは絶縁性接着剤層が形成されるため、
高粘度導電性接着剤の転写量が安定し、回路基板との接
続においてもオープン不良や隣接端子間のショート不良
が皆無となった。
チップのバンプに対して濡れ性の良い低粘度の導電性接
着剤や絶縁性接着剤を微量転写・塗布することでバンプ
の表面に高粘度導電性接着剤と濡れやすい低粘度の導電
性接着剤層もしくは絶縁性接着剤層が形成されるため、
高粘度導電性接着剤の転写量が安定し、回路基板との接
続においてもオープン不良や隣接端子間のショート不良
が皆無となった。
【００３８】
【発明の効果】上記実施例から明らかなように、本発明
はＩＣチップのバンプに低粘度の第１の導電性接着剤を
転写・塗布した後、高粘度の第２の導電性接着剤を転写
塗布する（第１の方法）ことや、ＩＣチップのバンプに
導電粒子が含有されない低粘度の絶縁性接着剤を転写・
塗布した後、導電性接着剤を転写塗布する（第２の方
法）ことにより、ＩＣチップのバンプへの導電性接着剤
の濡れ性がよくなり転写量が安定するため、回路基板と
の接続においてもオープン不良や隣接端子間のショート
不良のない安定した電気的接続を得ることができる。
はＩＣチップのバンプに低粘度の第１の導電性接着剤を
転写・塗布した後、高粘度の第２の導電性接着剤を転写
塗布する（第１の方法）ことや、ＩＣチップのバンプに
導電粒子が含有されない低粘度の絶縁性接着剤を転写・
塗布した後、導電性接着剤を転写塗布する（第２の方
法）ことにより、ＩＣチップのバンプへの導電性接着剤
の濡れ性がよくなり転写量が安定するため、回路基板と
の接続においてもオープン不良や隣接端子間のショート
不良のない安定した電気的接続を得ることができる。
【図１】本発明の第１および第２の実施例と従来例にお
けるバンプ（突起接点）形成済みＩＣチップの断面図
けるバンプ（突起接点）形成済みＩＣチップの断面図
【図２】本発明の第１の実施例における第１の導電性接
着剤と第２の実施例における絶縁性接着剤の膜作成工程
図
着剤と第２の実施例における絶縁性接着剤の膜作成工程
図
【図３】本発明の第１の実施例における第１の導電性接
着剤と第２の実施例における絶縁性接着剤の転写工程図
着剤と第２の実施例における絶縁性接着剤の転写工程図
【図４】本発明の第１の実施例における第１の導電性接
着剤と第２の実施例における絶縁性接着剤の転写完了図
着剤と第２の実施例における絶縁性接着剤の転写完了図
【図５】本発明の第１と第２の実施例及び従来例におけ
る導電性接着剤の膜作成工程図
る導電性接着剤の膜作成工程図
【図６】本発明の第１と第２の実施例及び従来例におけ
る導電性接着剤の転写工程図
る導電性接着剤の転写工程図
【図７】本発明の第１と第２の実施例及び従来例におけ
る導電性接着剤の転写完了図
る導電性接着剤の転写完了図
【図８】本発明の第１と第２の実施例及び従来例に実装
方法に共通なＩＣチップの位置合わせ・結合工程図
方法に共通なＩＣチップの位置合わせ・結合工程図
１ ＩＣチップ ２ 電極パッド ３ バンプ（突起接点） ４ 第１の導電性接着剤もしくは絶縁性接着剤 ５ 第２の導電性接着剤もしくは導電性接着剤 ６ 回路基板 ７ 端子電極 ８ 第１の支持体 ９ 第１の膜形成ブレード １０ 第２の支持体 １１ 第２の膜形成ブレード
Claims (6)
- 【請求項１】ＩＣチップ上の電極パッドに突起接点を形
成する工程と、第１の支持体上に膜形成ブレードで作成
した一定厚の第１の導電性接着剤膜に前記ＩＣチップ上
の突起接点を浸積し転写する工程と、第２の支持体上に
膜形成ブレードで作成した一定厚の第２の導電性接着剤
膜に前記ＩＣチップ上の突起接点を浸積し転写する工程
と、前記導電性接着剤を突起接点に転写したＩＣチップ
を回路基板の端子電極と位置決めし圧接した後加熱硬化
する工程からなるＩＣ実装方法。 - 【請求項２】第１の導電性接着剤の導電粒子含有量を第
２の導電性接着剤の導電粒子含有量より少なくした請求
項１記載のＩＣ実装方法。 - 【請求項３】第１の導電性接着剤の粘度を第２の導電性
接着剤の粘度より低くした請求項１記載のＩＣ実装方
法。 - 【請求項４】ＩＣチップ上の電極パッドに突起接点を形
成する工程と、第１の支持体上に膜形成ブレードで作成
した一定厚の絶縁性接着剤膜に前記ＩＣチップ上の突起
接点を浸積し転写する工程と、第２の支持体上に膜形成
ブレードで作成した一定厚の導電性接着剤膜に前記ＩＣ
チップ上の突起接点を浸積し転写する工程と、前記導電
性接着剤を突起接点に転写したＩＣチップを回路基板の
端子電極と位置決めし圧接した後加熱硬化する工程から
なるＩＣ実装方法。 - 【請求項５】絶縁性接着剤が導電性接着剤に用いる樹脂
材料と同一である請求項４記載のＩＣ実装方法。 - 【請求項６】絶縁性接着剤の粘度を導電性接着剤の粘度
より低くした請求項４記載のＩＣ実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32873091A JPH05166879A (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | Ｉｃ実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32873091A JPH05166879A (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | Ｉｃ実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166879A true JPH05166879A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18213538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32873091A Pending JPH05166879A (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | Ｉｃ実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05166879A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5844320A (en) * | 1996-03-06 | 1998-12-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor unit with semiconductor device mounted with conductive adhesive |
| JP2001298052A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-10-26 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 接着剤を用いた半導体素子のフリップチップアセンブリ方法 |
| WO2002071489A1 (en) | 2001-03-01 | 2002-09-12 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Image sensor and production method therefore |
| US6452280B1 (en) | 1996-03-06 | 2002-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Flip chip semiconductor apparatus with projecting electrodes and method for producing same |
-
1991
- 1991-12-12 JP JP32873091A patent/JPH05166879A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5844320A (en) * | 1996-03-06 | 1998-12-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor unit with semiconductor device mounted with conductive adhesive |
| US6103551A (en) * | 1996-03-06 | 2000-08-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor unit and method for manufacturing the same |
| US6452280B1 (en) | 1996-03-06 | 2002-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Flip chip semiconductor apparatus with projecting electrodes and method for producing same |
| JP2001298052A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-10-26 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 接着剤を用いた半導体素子のフリップチップアセンブリ方法 |
| WO2002071489A1 (en) | 2001-03-01 | 2002-09-12 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Image sensor and production method therefore |
| EP1365453A1 (en) * | 2001-03-01 | 2003-11-26 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Image sensor and production method therefore |
| EP1365453A4 (en) * | 2001-03-01 | 2008-04-30 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | IMAGE SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
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