CN110928033A - 硅基液晶器件及其制造方法和硅基液晶显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种硅基液晶器件及其制造方法和硅基液晶显示面板，所述硅基液晶器件包括：反射层，形成于一衬底上；增反射层，形成于所述反射层上；以及，像素电极，形成于所述增反射层上，所述像素电极和所述反射层电性连接，且所述像素电极的材质为透光材料。本发明的技术方案使得驱动电压保持不变或略有降低以及反射率得到提高，进而使得硅基液晶显示面板的亮度得到提高且功耗得到降低。

Description

硅基液晶器件及其制造方法和硅基液晶显示面板
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种硅基液晶器件及其制造方法和硅基液晶显示面板。
背景技术
硅基液晶(Liquid Crystal on silicon，LCOS)显示面板是一种反射式液晶微型面板，其是采用半导体硅晶技术控制液晶进而“投射”彩色画面，具有光利用效率高、体积小、开口率高、制造技术成熟等特点，其可以很容易实现高分辨率和充分的色彩表现。
硅基液晶显示面板通常包括硅基液晶器件和透明盖板，硅基液晶器件和透明盖板之间通过框胶粘合在一起，并将液晶材料封装在内。其中，硅基液晶器件的结构和性能对硅基液晶显示面板的性能具有很大的影响。常规的硅基液晶器件上的像素电极和反射层均由金属材质的像素电极充当，反射率较低，导致背光亮度较高，功耗加大。若在金属材质的像素电极的表面增镀增反膜，虽然会使得反射率提升，但是对比度会明显降低。
因此，如何对现有的硅基液晶器件的结构进行改进，以提高反射率、降低功耗是目前亟需解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种硅基液晶器件及其制造方法和硅基液晶显示面板，使得驱动电压保持不变或略有降低以及反射率得到提高，进而使得硅基液晶显示面板的亮度得到提高且功耗得到降低。
为实现上述目的，本发明提供了一种硅基液晶器件，包括：
反射层，形成于一衬底上；
增反射层，形成于所述反射层上；以及，
像素电极，形成于所述增反射层上，所述像素电极和所述反射层电性连接，且所述像素电极的材质为透光材料。
可选的，所述像素电极或所述反射层穿过所述增反射层，以使得所述像素电极和所述反射层电性连接。
可选的，所述反射层的材质为金属材料，所述金属材料包括镁、铜、铝、钛、钽、金、锌和银中的至少一种；所述增反射层的材质包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、五氧化二钽、氧化铪、氮化钛、氮化钽、氧化锌和氟化镁中的至少一种，所述增反射层为单层膜结构或至少两层膜堆叠而成的复合结构；所述透光材料包括氧化铟锡和/或氧化铟锌。
可选的，所述硅基液晶器件还包括：电介质层，形成于所述反射层和所述衬底之间。
可选的，所述硅基液晶器件包括至少两个像素电极，所述硅基液晶器件还包括：绝缘阻隔层、绝缘钝化层和配向层，其中，所述绝缘阻隔层填充在相邻两个所述像素电极之间以将相邻两个所述像素电极绝缘隔离开，所述绝缘钝化层和配向层依次覆盖于所述像素电极和所述绝缘阻隔层上。
本发明还提供了一种硅基液晶器件的制造方法，包括：
形成反射层于一衬底上；
形成增反射层于所述反射层上；以及，
形成像素电极于所述增反射层上，所述像素电极和所述反射层电性连接，且所述像素电极的材质为透光材料。
可选的，所述像素电极或所述反射层穿过所述增反射层，以使得所述像素电极和所述反射层电性连接。
可选的，在形成所述反射层于所述衬底上之前，先形成电介质层于所述衬底上。
可选的，形成至少两个像素电极于所述增反射层上；在形成至少两个所述像素电极于所述增反射层上之后，还包括：填充绝缘阻隔层于相邻两个所述像素电极之间以将相邻两个所述像素电极绝缘隔离开，以及，依次覆盖绝缘钝化层和配向层于所述像素电极和所述绝缘阻隔层上。
本发明还提供了一种硅基液晶显示面板，包括本发明提供的所述硅基液晶器件，所述硅基液晶显示面板还包括液晶层和透明盖板，所述硅基液晶器件和所述透明盖板之间通过框胶粘合在一起，所述液晶层夹持于所述硅基液晶器件和所述透明盖板之间。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：
1、本发明的硅基液晶器件，由于包括形成于一衬底上的反射层，形成于所述反射层上的增反射层，以及形成于所述增反射层上的像素电极，所述像素电极和所述反射层电性连接，且所述像素电极的材质为透光材料，使得驱动电压保持不变或略有降低以及反射率得到提高，进而使得硅基液晶显示面板的亮度得到提高且功耗得到降低。
2、本发明的硅基液晶器件的制造方法，通过形成反射层于一衬底上，形成增反射层于所述反射层上，以及形成像素电极于所述增反射层上，所述像素电极和所述反射层电性连接，且所述像素电极的材质为透光材料，使得驱动电压保持不变或略有降低以及反射率得到提高，进而使得硅基液晶显示面板的亮度得到提高且功耗得到降低。
3、本发明的硅基液晶显示面板，由于包括本发明提供的所述硅基液晶器件，使得硅基液晶显示面板的亮度得到提高且功耗得到降低。
附图说明
图1a～1e是本发明一实施例的硅基液晶器件的剖面结构示意图；
图2是本发明一实施例的硅基液晶器件的制造方法的流程图；
图3a～3h是图2所示的硅基液晶器件的制造方法中的器件剖面结构示意图；
图4a～4h是图2所示的硅基液晶器件的制造方法中的另一器件剖面结构示意图。
其中，附图1a～4h的附图标记说明如下：
10-衬底；11-反射层；12-增反射层；121-第一增反射层；122-第二增反射层；123-第三增反射层；124-第四增反射层；13-像素电极；14-绝缘阻隔层；15-电介质层；16-绝缘钝化层；17-配向层；18-导电插栓；20-衬底；21-电介质层；211-电介质材料层；22-反射层；221-反射材料层；222-第一开口；23-增反射层；231-增反射材料层；232-第二开口；24-像素电极；241-像素电极材料层；242-第三开口；25-绝缘阻隔层；26-绝缘钝化层；27-配向层；30-衬底；31-电介质层；311-电介质材料层；32-反射层；321-反射材料层；322-沟槽；323-第一开口；33-增反射层；34-像素电极；341-像素电极材料层；342-第二开口；35-绝缘阻隔层；36-绝缘钝化层；37-配向层。
具体实施方式
为使本发明的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图1a～4h对本发明提出的硅基液晶器件及其制造方法和硅基液晶显示面板作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明一实施例提供一种硅基液晶器件，如图1a～1e所示，所述硅基液晶器件包括反射层11、增反射层12和像素电极13，所述反射层11形成于一衬底10上；所述增反射层12形成于所述反射层11上；所述像素电极13形成于所述增反射层12上，所述像素电极13和所述反射层11电性连接，且所述像素电极13的材质为透光材料。
下面参阅图1a～1e更为详细的介绍本实施例提供的硅基液晶器件。
所述反射层11形成于一衬底10上。所述反射层11和所述衬底10之间还可形成有电介质层15。
所述衬底10的材质可以为本领域技术人员熟知的任意合适的底材，例如可以是以下所提到的材料中的至少一种：硅、锗、锗硅、碳硅、碳锗硅、砷化铟、砷化镓、磷化铟或者其它III/V化合物半导体，还包括这些半导体构成的多层结构等，或者为绝缘体上硅、绝缘体上层叠硅、绝缘体上层叠锗化硅、绝缘体上锗化硅以及绝缘体上锗，或者还可以为双面抛光硅片，也可为氧化铝等的陶瓷基底、石英或玻璃基底等。所述衬底10内包含有电路和MOS晶体管等结构。
所述反射层11的材质为金属材料，所述金属材料可以包括镁、铜、铝、钛、钽、金、锌和银中的至少一种，所述电介质层15的材质可以包括氧化钛、五氧化二钽、氧化铪、氮化钛、氮化钽、氧化锌和氟化镁中的至少一种。需要说明的是，所述反射层11和所述电介质层15的材质不仅限于上述的种类。
所述增反射层12形成于所述反射层11上。所述增反射层12能够提高所述反射层11的全反射的效果，从而提高反射率。所述增反射层12可以为单层膜结构，如图1a至图1c所示；或者，所述增反射层12可以为至少两层膜堆叠而成的复合结构，如图1d和图1e所示，所述增反射层12包括从下向上依次堆叠的第一增反射层121、第二增反射层122、第三增反射层123和第四增反射层124。
所述增反射层12的材质可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、五氧化二钽、氧化铪、氮化钛、氮化钽、氧化锌和氟化镁中的至少一种。需要说明的是，所述增反射层12的材质不仅限于上述的种类。
所述像素电极13形成于所述增反射层12上，所述像素电极13和所述反射层11电性连接。所述增反射层12位于所述反射层11和像素电极13之间，使得所述增反射层12在提高反射率的同时，还能够提高与所述反射层11和像素电极13之间的粘附性，进而提高产品的可靠性。
其中，所述像素电极13和所述反射层11电性连接的方式可以包括：所述像素电极13穿过所述增反射层12，以使得所述像素电极13和所述反射层11电性连接，如图1a和图1d所示；或者，所述反射层11穿过所述增反射层12，以使得所述像素电极13和所述反射层11电性连接，如图1b和图1e所示；或者，所述增反射层12中形成有导电插栓18，所述像素电极13和所述反射层11之间通过所述导电插栓18实现电性连接，如图1c所示。
所述硅基液晶器件可以包括至少两个像素电极13，所述硅基液晶器件还包括绝缘阻隔层14，其中，所述绝缘阻隔层14填充在相邻两个所述像素电极13之间以将相邻两个所述像素电极13绝缘隔离开。所述反射层11的图案与所述像素电极13的图案及所述像素电极13的排布有关，每个所述像素电极13的下方均形成有所述反射层11，相邻两个所述像素电极13之间的反射层11断开并通过相应的所述增反射层12隔开，如图1a至图1c所示，相邻两个所述像素电极13下方的所述反射层11之间通过所述增反射层12隔开；如图1d和图1e所示，相邻两个所述像素电极13下方的所述反射层11之间通过所述第一增反射层121隔开。
所述像素电极13的材质为透光材料，以使得所述像素电极13在具备电极的功能的同时，还能使得光线能够穿过所述像素电极13后到达所述反射层11的表面，进而使得所述反射层11对光线进行反射。所述透光材料可以包括氧化铟锡和/或氧化铟锌，或者也可以是其他合适的透明导电性材料。
当所述增反射层12包括从下向上依次堆叠的第一增反射层121、第二增反射层122、第三增反射层123和第四增反射层124，且所述第一增反射层121和第三增反射层123的材质为氧化硅、所述第二增反射层122和第四增反射层124的材质为氧化钛以及所述像素电极13的材质为氧化铟锡时，在绿光和部分红光区域的反射率得到明显提高。
所述硅基液晶器件还可包括绝缘钝化层16和配向层17，其中，所述绝缘钝化层16和配向层17依次覆盖于所述像素电极13和所述绝缘阻隔层14上。所述绝缘钝化层16用于保护所述像素电极13免受环境及后续工艺步骤的影响；所述配向层17用于控制液晶层的转向。所述绝缘钝化层16的材质可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一种，或者也可以是其他合适的绝缘材料。所述配向层17的材质可以为聚合物，例如是聚酰亚胺。
由上述介绍可知，由于所述像素电极13位于所述反射层11的上方，且所述像素电极13和所述反射层11电性连接，使得驱动电压保持不变或略有降低；同时，由于在所述反射层11和像素电极13之间增加了增反射层12，使得反射率得到提高。因此，使得硅基液晶显示面板的亮度得到提高，功耗得到降低，提高了产品的竞争力。
综上所述，本发明提供的硅基液晶器件，包括：反射层，形成于一衬底上；增反射层，形成于所述反射层上；以及，像素电极，形成于所述增反射层上，所述像素电极和所述反射层电性连接，且所述像素电极的材质为透光材料。本发明的硅基液晶器件使得硅基液晶显示面板的亮度得到提高且功耗得到降低。
本发明一实施例提供一种硅基液晶器件的制造方法，参阅图2，图2是本发明一实施例的硅基液晶器件的制造方法的流程图，所述硅基液晶器件的制造方法包括：
步骤S1、形成反射层于一衬底上；
步骤S2、形成增反射层于所述反射层上；
步骤S3、形成像素电极于所述增反射层上，所述像素电极和所述反射层电性连接，且所述像素电极的材质为透光材料。
下面参阅图3a～4h更为详细的介绍本实施例提供的硅基液晶器件的制造方法，图3a～3h是图2所示的硅基液晶器件的制造方法中的器件剖面结构示意图；图4a～4h是图2所示的硅基液晶器件的制造方法中的另一器件剖面结构示意图。
按照步骤S1，形成反射层于一衬底上。在形成所述反射层于所述衬底上之前，可以先形成电介质层于所述衬底上。所述衬底的材质可以为本领域技术人员熟知的任意合适的底材。所述衬底内包含有电路和MOS晶体管等结构。所述反射层的材质为金属材料，所述金属材料可以包括镁、铜、铝、钛、钽、金、锌和银中的至少一种，所述电介质层的材质可以包括氧化钛、五氧化二钽、氧化铪、氮化钛、氮化钽、氧化锌和氟化镁中的至少一种。需要说明的是，所述反射层和所述电介质层的材质不仅限于上述的种类。
形成所述电介质层和反射层于所述衬底上的步骤可以包括：首先，如图3a所示，依次覆盖电介质材料层211和反射材料层221于所述衬底20上；然后，如图3b所示，对所述电介质材料层211和反射材料层221进行刻蚀，以在所述衬底20上形成图形化的电介质层21和反射层22，图形化的所述电介质层21和反射层22中具有暴露出所述衬底20的部分顶表面的第一开口222。
或者，形成所述电介质层和反射层于所述衬底上的步骤可以包括：首先，如图4a所示，依次覆盖电介质材料层311和反射材料层321于所述衬底30上；然后，如图4b所示，对所述反射材料层321进行刻蚀，以在所述反射材料层321中形成沟槽322；接着，如图4c所示，对所述沟槽322的部分底部的反射材料层321和电介质材料层311进行刻蚀，以在所述沟槽322底部的反射材料层321和电介质材料层311中形成第一开口323，所述第一开口323暴露出所述衬底30的部分顶表面，进而在所述衬底30上形成图形化的电介质层31和反射层32。
按照步骤S2，形成增反射层于所述反射层上。所述增反射层能够提高所述反射层的全反射的效果，从而提高反射率。所述增反射层可以为单层膜结构；或者，所述增反射层可以为至少两层膜堆叠而成的复合结构，例如，所述增反射层包括从下向上依次堆叠的第一增反射层、第二增反射层、第三增反射层和第四增反射层。
所述增反射层的材质可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、五氧化二钽、氧化铪、氮化钛、氮化钽、氧化锌和氟化镁中的至少一种。需要说明的是，所述增反射层的材质不仅限于上述的种类。
以所述增反射层为单层膜结构为例，形成所述增反射层于所述反射层上的步骤可以包括：首先，如图3c所示，覆盖增反射材料层231于所述衬底20上，所述增反射材料层231将所述第一开口222填满且将所述电介质层21和反射层22掩埋在内；然后，如图3d所示，对所述反射层22上的增反射材料层231进行刻蚀，以形成增反射层23，所述增反射层23中具有暴露出所述反射层22的部分顶表面的第二开口232。或者，形成所述增反射层于所述反射层上的步骤也可以包括：如图4d所示，覆盖增反射层33于所述衬底30上，所述增反射层33将所述第一开口323和所述沟槽322填满且将所述电介质层31和反射层32掩埋在内，可以再采用化学机械研磨工艺对所述增反射层33的表面进行平坦化处理，以使得所述增反射层33的顶表面与所述沟槽322的侧壁上的所述反射层32的顶表面齐平。
按照步骤S3，形成像素电极于所述增反射层上，所述像素电极和所述反射层电性连接。所述增反射层位于所述反射层和像素电极之间，使得所述增反射层在提高反射率的同时，还能够提高与所述反射层和像素电极之间的粘附性，进而提高产品的可靠性。所述像素电极的材质为透光材料，以使得所述像素电极在具备电极的功能的同时，还能使得光线能够穿过所述像素电极后到达所述反射层的表面，进而使得所述反射层对光线进行反射。所述透光材料可以包括氧化铟锡和/或氧化铟锌，或者也可以是其他合适的透明导电性材料。形成透光的所述像素电极的方法可以为本领域人员所熟知的成膜工艺，例如原子层沉积工艺(Atom Layer Deposition，ALD)。
当所述增反射层包括从下向上依次堆叠的第一增反射层、第二增反射层、第三增反射层和第四增反射层，且所述第一增反射层和第三增反射层的材质为氧化硅、所述第二增反射层和第四增反射层的材质为氧化钛以及所述像素电极的材质为氧化铟锡时，在绿光和部分红光区域的反射率得到明显提高。
可以形成至少两个像素电极于所述增反射层上，在形成至少两个所述像素电极于所述增反射层上之后，可以填充绝缘阻隔层于相邻两个所述像素电极之间以将相邻两个所述像素电极绝缘隔离开。
其中，所述像素电极和所述反射层电性连接的方式可以包括：所述像素电极穿过所述增反射层，以使得所述像素电极和所述反射层电性连接；或者，所述反射层穿过所述增反射层，以使得所述像素电极和所述反射层电性连接；或者，所述增反射层中形成有导电插栓，所述像素电极和所述反射层之间通过所述导电插栓实现电性连接。
以所述像素电极穿过所述增反射层为例，形成所述像素电极于所述增反射层上以及填充绝缘阻隔层于相邻两个所述像素电极之间的步骤可以包括：首先，如图3e所示，覆盖像素电极材料层241于所述增反射层23上，且所述像素电极材料层241将所述第二开口232填满，以使得所述像素电极材料层241的底部与所述反射层22的顶部电性连接；然后，如图3f所示，对所述像素电极材料层241进行刻蚀，以形成至少两个像素电极24，每个所述像素电极24对应位于所述反射层22的上方，相邻两个所述像素电极24之间形成暴露出所述增反射层23的部分顶表面的第三开口242，所述第三开口242对应位于所述第一开口222的上方，使得每个所述像素电极24与下方对应的反射层22电性连接；接着，如图3g所示，填充绝缘阻隔层25于相邻两个所述像素电极24之间的所述第三开口242中，以将相邻两个所述像素电极24绝缘隔离开。
或者，以所述反射层穿过所述增反射层为例，形成所述像素电极于所述增反射层上以及填充绝缘阻隔层于相邻两个所述像素电极之间的步骤可以包括：首先，如图4e所示，覆盖像素电极材料层341于所述增反射层33和所述反射层32上，以使得所述像素电极材料层341的底部与所述反射层32电性连接；然后，如图4f所示，对所述像素电极材料层341进行刻蚀，以形成至少两个像素电极34，每个所述像素电极34对应位于所述反射层32的上方，相邻两个所述像素电极34之间形成暴露出所述增反射层33的部分顶表面的第二开口342，所述第二开口342对应位于所述第一开口323的上方，使得每个所述像素电极34与下方对应的反射层32电性连接；接着，如图4g所示，填充绝缘阻隔层35于相邻两个所述像素电极34之间的所述第二开口342中，以将相邻两个所述像素电极34绝缘隔离开。
另外，在填充绝缘阻隔层于相邻两个所述像素电极之间之后，所述硅基液晶器件的制造方法还包括：依次覆盖绝缘钝化层和配向层于所述像素电极和所述绝缘阻隔层上，如图3h所示，依次覆盖绝缘钝化层26和配向层27于所述像素电极24和所述绝缘阻隔层25上；如图4h所示，依次覆盖绝缘钝化层36和配向层37于所述像素电极34和所述绝缘阻隔层35上。其中，所述绝缘钝化层用于保护所述像素电极免受环境及后续工艺步骤的影响；所述配向层用于控制液晶层的转向。所述绝缘钝化层的材质可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一种，或者也可以是其他合适的绝缘材料。所述配向层的材质可以为聚合物，例如是聚酰亚胺。
由上述步骤可知，由于所述像素电极形成于所述反射层的上方，且所述像素电极和所述反射层电性连接，使得驱动电压保持不变或略有降低；同时，由于在所述反射层和像素电极之间形成了增反射层，使得反射率得到提高。因此，使得硅基液晶显示面板的亮度得到提高，功耗得到降低，提高了产品的竞争力。
综上所述，本发明提供的硅基液晶器件的制造方法，包括：形成反射层于一衬底上；形成增反射层于所述反射层上；以及，形成像素电极于所述增反射层上，所述像素电极和所述反射层电性连接，且所述像素电极的材质为透光材料。本发明的硅基液晶器件的制造方法使得硅基液晶显示面板的亮度得到提高且功耗得到降低。
本发明一实施例提供一种硅基液晶显示面板，包括本发明提供的所述硅基液晶器件。所述硅基液晶显示面板还包括液晶层和透明盖板，所述硅基液晶器件和所述透明盖板之间通过框胶粘合在一起，所述液晶层夹持于所述硅基液晶器件和所述透明盖板之间。
所述液晶层具有液晶分子，所述液晶层通过所述硅基液晶器件中的配向层进行配向。所述透明盖板的材质可以包括玻璃、氧化硅、塑料等透光性的材料。所述框胶除了将所述硅基液晶器件和所述透明盖板粘合在一起外，还能够抵御水汽等外部外镜的影响。所述框胶的材质可以包括UV胶或玻璃胶等。
由于所述硅基液晶显示面板包括本发明提供的所述硅基液晶器件，而所述硅基液晶器件使得驱动电压保持不变或略有降低以及使得反射率得到提高，进而使得所述硅基液晶显示面板的亮度得到提高且功耗得到降低。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (10)

1.一种硅基液晶器件，其特征在于，包括：
反射层，形成于一衬底上；
增反射层，形成于所述反射层上；以及，
像素电极，形成于所述增反射层上，所述像素电极和所述反射层电性连接，且所述像素电极的材质为透光材料。
2.如权利要求1所述的硅基液晶器件，其特征在于，所述像素电极或所述反射层穿过所述增反射层，以使得所述像素电极和所述反射层电性连接。
3.如权利要求1所述的硅基液晶器件，其特征在于，所述反射层的材质为金属材料，所述金属材料包括镁、铜、铝、钛、钽、金、锌和银中的至少一种；所述增反射层的材质包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、五氧化二钽、氧化铪、氮化钛、氮化钽、氧化锌和氟化镁中的至少一种，所述增反射层为单层膜结构或至少两层膜堆叠而成的复合结构；所述透光材料包括氧化铟锡和/或氧化铟锌。
4.如权利要求1所述的硅基液晶器件，其特征在于，还包括：电介质层，形成于所述反射层和所述衬底之间。
5.如权利要求1所述的硅基液晶器件，其特征在于，所述硅基液晶器件包括至少两个像素电极，所述硅基液晶器件还包括：绝缘阻隔层、绝缘钝化层和配向层，其中，所述绝缘阻隔层填充在相邻两个所述像素电极之间以将相邻两个所述像素电极绝缘隔离开，所述绝缘钝化层和配向层依次覆盖于所述像素电极和所述绝缘阻隔层上。
6.一种硅基液晶器件的制造方法，其特征在于，包括：
形成反射层于一衬底上；
形成增反射层于所述反射层上；以及，
形成像素电极于所述增反射层上，所述像素电极和所述反射层电性连接，且所述像素电极的材质为透光材料。
7.如权利要求6所述的硅基液晶器件的制造方法，其特征在于，所述像素电极或所述反射层穿过所述增反射层，以使得所述像素电极和所述反射层电性连接。
8.如权利要求6所述的硅基液晶器件的制造方法，其特征在于，在形成所述反射层于所述衬底上之前，先形成电介质层于所述衬底上。
9.如权利要求6所述的硅基液晶器件的制造方法，其特征在于，形成至少两个像素电极于所述增反射层上；在形成至少两个所述像素电极于所述增反射层上之后，还包括：填充绝缘阻隔层于相邻两个所述像素电极之间以将相邻两个所述像素电极绝缘隔离开，以及，依次覆盖绝缘钝化层和配向层于所述像素电极和所述绝缘阻隔层上。
10.一种硅基液晶显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至5中任一项所述的硅基液晶器件，所述硅基液晶显示面板还包括液晶层和透明盖板，所述硅基液晶器件和所述透明盖板之间通过框胶粘合在一起，所述液晶层夹持于所述硅基液晶器件和所述透明盖板之间。
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