JPS59100488A - 表示パネル - Google Patents
表示パネルInfo
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- JPS59100488A JPS59100488A JP57209543A JP20954382A JPS59100488A JP S59100488 A JPS59100488 A JP S59100488A JP 57209543 A JP57209543 A JP 57209543A JP 20954382 A JP20954382 A JP 20954382A JP S59100488 A JPS59100488 A JP S59100488A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- display
- substrate
- scattering
- display panel
- convex pattern
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、集積回路技術によってスイッチング用トラン
ジスターをマトソンクス状に形成した半導体基板と５例
えば透明ガラス板の間に液晶を封入してなる画像表示用
デ、イ２クグレイの表示パネルに関する。
ジスターをマトソンクス状に形成した半導体基板と５例
えば透明ガラス板の間に液晶を封入してなる画像表示用
デ、イ２クグレイの表示パネルに関する。
例えは、携帯用の液晶テレビ等の表示ノくネルは第１図
の如く、数千〜紋万個の画素が配置された半導体基樺１
とスペーサー１０．をばさんだ透明ガラヌ板乙の間に液
晶４を封入させ、これをプリント基板２等へ固定し、外
部の同期回路、電源等へワイヤボンディング８等で接続
１１周辺をモールｍ１１している。５は偏光板、？はプ
リント基板配線、７１は表示（画素）電極である。第２
図に一画素当。りの等価回路を示すが５．ソース、ドレ
インで選択されたＭＯＳトラン、ジメタ−１２がＯＮし
て画素コンデンサー１５に電圧が印加され、封入さｉ″
した液晶１６の、分子配列が変化し表示を行なう。
の如く、数千〜紋万個の画素が配置された半導体基樺１
とスペーサー１０．をばさんだ透明ガラヌ板乙の間に液
晶４を封入させ、これをプリント基板２等へ固定し、外
部の同期回路、電源等へワイヤボンディング８等で接続
１１周辺をモールｍ１１している。５は偏光板、？はプ
リント基板配線、７１は表示（画素）電極である。第２
図に一画素当。りの等価回路を示すが５．ソース、ドレ
インで選択されたＭＯＳトラン、ジメタ−１２がＯＮし
て画素コンデンサー１５に電圧が印加され、封入さｉ″
した液晶１６の、分子配列が変化し表示を行なう。
・ 例えば電圧印加、、時に液晶分子が元の入射方向に
配列する様にしておけは入射光は表示電極に到達して白
色散乱光が見え、電圧○：Ｆ’Ｆ’時には液晶で光吸収
ＶＣよる発光色となり、コントラストを生じ従来；用い
られている牟導体基板ば例えば第３図の如く、Ｉ Ｓｉ
基板２０．の表面に散乱反射面を形成する為、２〜１０
μ程度の楕円あるいは長方形のパターンを不規則に配列
したマスクでＬＯＯＯ８法で酸化膜を成長させ５その後
全面エッチで凹凸パターン２１をつけである。フィール
ド酸化膜２２でアクテイフ゛１′Ｍ′域を形成後ゲート
酸化膜２５を成長し更にＰｏ、＋、ｙ’−８１模２′４
を気オ目成長させフォトエッチでゲート電極ある□いは
コンデンサー電極としである。その後、ソヨス・ドレイ
ン等の拡散層２５を形成した上に５ｉｏ２＠を気相成長
させ第１層絶縁嘆〒６とし・・夕、り１−ツチ後Ｍ等で
なる第１配線２７は第２層間絶縁膜２８を介して、アク
ティブ領警の光遮蔽、と表示電極を兼ねた椰２配線２９
に導通され、表面に１はパンベージラン膜３０が形成さ
れＰａ、ｄの穴明けがなされている。
配列する様にしておけは入射光は表示電極に到達して白
色散乱光が見え、電圧○：Ｆ’Ｆ’時には液晶で光吸収
ＶＣよる発光色となり、コントラストを生じ従来；用い
られている牟導体基板ば例えば第３図の如く、Ｉ Ｓｉ
基板２０．の表面に散乱反射面を形成する為、２〜１０
μ程度の楕円あるいは長方形のパターンを不規則に配列
したマスクでＬＯＯＯ８法で酸化膜を成長させ５その後
全面エッチで凹凸パターン２１をつけである。フィール
ド酸化膜２２でアクテイフ゛１′Ｍ′域を形成後ゲート
酸化膜２５を成長し更にＰｏ、＋、ｙ’−８１模２′４
を気オ目成長させフォトエッチでゲート電極ある□いは
コンデンサー電極としである。その後、ソヨス・ドレイ
ン等の拡散層２５を形成した上に５ｉｏ２＠を気相成長
させ第１層絶縁嘆〒６とし・・夕、り１−ツチ後Ｍ等で
なる第１配線２７は第２層間絶縁膜２８を介して、アク
ティブ領警の光遮蔽、と表示電極を兼ねた椰２配線２９
に導通され、表面に１はパンベージラン膜３０が形成さ
れＰａ、ｄの穴明けがなされている。
この時表示電極として（はＮ、６るいはＭ合金が用いら
れるが、入射偏光軸がずれず、広い視野角を持つ事が必
要とされ、従って表面が２ラントな場合は鏡面反射とな
り、正反射視野角のみ高反射となる為、前述説明の如＜
Ｓｉ基板に凹凸パターン、をつけこれを表示電極９寸で
反映させ散乱反射面としている。
れるが、入射偏光軸がずれず、広い視野角を持つ事が必
要とされ、従って表面が２ラントな場合は鏡面反射とな
り、正反射視野角のみ高反射となる為、前述説明の如＜
Ｓｉ基板に凹凸パターン、をつけこれを表示電極９寸で
反映させ散乱反射面としている。
しかしながら、従来の牛導体基板に於ける表示電極の赦
乱面では、凹凸パターンのテーパー角が２０〜５０度位
しか得られず、実際に例えばゲヌトタイプの液晶を纒い
ぞ表示パネルとした場合。
乱面では、凹凸パターンのテーパー角が２０〜５０度位
しか得られず、実際に例えばゲヌトタイプの液晶を纒い
ぞ表示パネルとした場合。
コントラスト、明るさも悪く、視野角も狭いもので必９
．実用域のものは得がたい。父、製造工程中でｄ：、凹
凸パターンのチーしく一面からフォトエラ勺升露、・元
時に・・訝−ンヨリが起こり易く、デザイン、ルールあ
るいはトランジスター等のアクティブ素子の特性が制−
さ、れて、、すう。
．実用域のものは得がたい。父、製造工程中でｄ：、凹
凸パターンのチーしく一面からフォトエラ勺升露、・元
時に・・訝−ンヨリが起こり易く、デザイン、ルールあ
るいはトランジスター等のアクティブ素子の特性が制−
さ、れて、、すう。
しかるに本発明は、係、る欠点を除去し、表示特性の、
優オした表示バネ、ルを安定供給するものであり。
優オした表示バネ、ルを安定供給するものであり。
以下実施例に基づき詳細に、脱型する。
実施例−１
牛導体基板は、第４図に於いて、ｐ（１ｏｏ）５〜１０
Ω□□□Ｓ１基板６２表面にＭ’ ＯＳ ＋−ランジヌ
ター６６のアクアイブ領域を除いて、済乱反射面を形成
する為５６〜１２μの長方形パターンを不規則に配列し
、Ｓ１３ Ｎ４１．Ｉｉ％マスクで選択酸化し、この酸
化膜を全面エッチする事によ、ｊ７ｓｉ基板３２に凹凸
パターン５４を形成したイオン打込みでストンバー領域
６５形成後、再び選択酸化により、１，４μのフィール
ド酸化膜３６を成長させ、次にｑ ｏ ｃｈＸのゲート
酵化膜３９、更にＰ ｏ ’ｌ ｙ −８１膜４Ｇを気
相成長させフォトエッチでゲート電極、コンデンサー゛
電極とする。次にソーヌ、ドレイン等のリン拡散層５７
を形成した後、ａｍｏｔ係程度の高濃度リンガラス（ｐ
ＳＧ）＠を約１．０μ気相成長させ第１層ｉ＝ｊ絶縁暎
３８とし、電極取り出しの寒明けをしてから１０５０℃
で３０分間のりフロー処理をした。この上にスパッタＡ
Ａ −Ｓ ｉでなる第１配線４′ｉは気相成長５１０２
でなる第２層間絶縁１摸４２を介して表示電極及びｆ、
遮蔽板となるＡ、ｉ！−８ｉ第２配線４６へ導通をとっ
てあり、表面ニはバシベーンヨン瞑４４として気相成長
５ｉＱ２：換を成長ぢぜ、Ｐａ１ｌｄ 部の穴明けをし
である。この時表示電極の凹凸ノ々ターン散乱反射面の
テーパー角は約１０° であった。又、こΩ他すフロ一
温度を１０００℃と１１００℃に変えたものは各々テー
パー角が約１６°、７．□０° であった。又、いずれ
も凹凸パターンからの・・レーションも・なく、ヌイツ
チング用ＭＯＳトランジヌタの接合副圧、応答性も従来
に比べ向上した。
Ω□□□Ｓ１基板６２表面にＭ’ ＯＳ ＋−ランジヌ
ター６６のアクアイブ領域を除いて、済乱反射面を形成
する為５６〜１２μの長方形パターンを不規則に配列し
、Ｓ１３ Ｎ４１．Ｉｉ％マスクで選択酸化し、この酸
化膜を全面エッチする事によ、ｊ７ｓｉ基板３２に凹凸
パターン５４を形成したイオン打込みでストンバー領域
６５形成後、再び選択酸化により、１，４μのフィール
ド酸化膜３６を成長させ、次にｑ ｏ ｃｈＸのゲート
酵化膜３９、更にＰ ｏ ’ｌ ｙ −８１膜４Ｇを気
相成長させフォトエッチでゲート電極、コンデンサー゛
電極とする。次にソーヌ、ドレイン等のリン拡散層５７
を形成した後、ａｍｏｔ係程度の高濃度リンガラス（ｐ
ＳＧ）＠を約１．０μ気相成長させ第１層ｉ＝ｊ絶縁暎
３８とし、電極取り出しの寒明けをしてから１０５０℃
で３０分間のりフロー処理をした。この上にスパッタＡ
Ａ −Ｓ ｉでなる第１配線４′ｉは気相成長５１０２
でなる第２層間絶縁１摸４２を介して表示電極及びｆ、
遮蔽板となるＡ、ｉ！−８ｉ第２配線４６へ導通をとっ
てあり、表面ニはバシベーンヨン瞑４４として気相成長
５ｉＱ２：換を成長ぢぜ、Ｐａ１ｌｄ 部の穴明けをし
である。この時表示電極の凹凸ノ々ターン散乱反射面の
テーパー角は約１０° であった。又、こΩ他すフロ一
温度を１０００℃と１１００℃に変えたものは各々テー
パー角が約１６°、７．□０° であった。又、いずれ
も凹凸パターンからの・・レーションも・なく、ヌイツ
チング用ＭＯＳトランジヌタの接合副圧、応答性も従来
に比べ向上した。
実施例−２
実施例−１と同様Ｍ、 Ｏ１’８トランジスターのソー
□ス・ドレイン等の拡散層５７まで形成する。
□ス・ドレイン等の拡散層５７まで形成する。
次に耐熱ポリイミド系樹脂を約１．０μヌピンコ一ト第
イ層間絶縁膜６８とし、ブレペイジ後コンタクトホール
を形成り、 ４．’、、００℃Ｎ２ キュアーしで
ある。
イ層間絶縁膜６８とし、ブレペイジ後コンタクトホール
を形成り、 ４．’、、００℃Ｎ２ キュアーしで
ある。
次に７バツタＡ１．− Ｓ ｉで第１配線４１を形成し
再びポリイミド系樹脂をヌピンコー＋−Ｌ第２層間絶縁
膜４２とし第２配線（表示電極）４３と導通をとってあ
υ、パシベーション膜４４″も同様にボリイミド樹詩を
スピンコード、キュアーしたものである。この時の凹凸
パターン散乱反射面のテーパー角は５〜７° を得た。
再びポリイミド系樹脂をヌピンコー＋−Ｌ第２層間絶縁
膜４２とし第２配線（表示電極）４３と導通をとってあ
υ、パシベーション膜４４″も同様にボリイミド樹詩を
スピンコード、キュアーしたものである。この時の凹凸
パターン散乱反射面のテーパー角は５〜７° を得た。
実施例−６′
実施例−１と、同じ（、ｎＯｓ トラン、ジメイーのソ
ース・ドレイン等の拡散層６７まで形成後、硅素化合物
とリン酸化物を主剤にしたメタノール溶液をスピン塗布
してから４００℃でアニールしてリンガラス膜を形成さ
せ、これを第１層間絶縁膜５８トシ、コングクトホール
エツチしである。次に再び９５０° アニール後絹１配
線４１は、気相成長Ｓ ｉ ’０２の第２層間絶縁膜４
２を介して第２配線（表示電栃）４．３へ導通をとり、
０，４μのバシで一ジョン瞑４４をかけ、Ｐａ、、、ｄ
の穴明けをしである。この時、表示電極の凹凸パターン
のテーパー角は約１０° であった。
ース・ドレイン等の拡散層６７まで形成後、硅素化合物
とリン酸化物を主剤にしたメタノール溶液をスピン塗布
してから４００℃でアニールしてリンガラス膜を形成さ
せ、これを第１層間絶縁膜５８トシ、コングクトホール
エツチしである。次に再び９５０° アニール後絹１配
線４１は、気相成長Ｓ ｉ ’０２の第２層間絶縁膜４
２を介して第２配線（表示電栃）４．３へ導通をとり、
０，４μのバシで一ジョン瞑４４をかけ、Ｐａ、、、ｄ
の穴明けをしである。この時、表示電極の凹凸パターン
のテーパー角は約１０° であった。
以上実施例で示した半導体基板の表示反吋特；全第５図
、第６図で示した。５図中４５ム≦半導体基板であり表
示電極を下側に向けてあル％ ４６は白色入射光源とし
てのハロゲンランプで入射角θは可変でるり。４７は反
射強度測定用フォトトランジスターで、第６図は固定入
射角θ（２０°）に対して受光角αとの反射残置を測定
したデーターである。５１（グ、散乱）くターンのない
鏡面状態の品物のデーク：二でα−２０° の鏡面反射
光しか得られず、５２は、酸化マグネジニームでなる標
準白色板のデータであシ、５６は従来方式の表示電衝を
持つ基板のデーターである。５４〜５６が実施例−１，
５７が実施例−２で５８が実施例−５のチーターであり
、い・ずれも従来方式以上の反射残置、視野角が得られ
た。又、これらの基板を組み込んだ携帯用液晶テレビを
製造したが、従来のものに比ベコントラスト、視野角の
点で優れた鮮明な画像を得る事を出来、量豐製造面でも
高歩留り安定化が図れる様になった。
、第６図で示した。５図中４５ム≦半導体基板であり表
示電極を下側に向けてあル％ ４６は白色入射光源とし
てのハロゲンランプで入射角θは可変でるり。４７は反
射強度測定用フォトトランジスターで、第６図は固定入
射角θ（２０°）に対して受光角αとの反射残置を測定
したデーターである。５１（グ、散乱）くターンのない
鏡面状態の品物のデーク：二でα−２０° の鏡面反射
光しか得られず、５２は、酸化マグネジニームでなる標
準白色板のデータであシ、５６は従来方式の表示電衝を
持つ基板のデーターである。５４〜５６が実施例−１，
５７が実施例−２で５８が実施例−５のチーターであり
、い・ずれも従来方式以上の反射残置、視野角が得られ
た。又、これらの基板を組み込んだ携帯用液晶テレビを
製造したが、従来のものに比ベコントラスト、視野角の
点で優れた鮮明な画像を得る事を出来、量豐製造面でも
高歩留り安定化が図れる様になった。
以上本発明は、半導体回路基板に於ける表示電極の散乱
反射面を形成する凹凸ノくターンのチータ（−角を平渭
イヒする事により、表示特性。電気特性の優７した表示
パイルを安定併給させるものであシ。
反射面を形成する凹凸ノくターンのチータ（−角を平渭
イヒする事により、表示特性。電気特性の優７した表示
パイルを安定併給させるものであシ。
実施例に示した単チャンネルＭＯ８トランジスタを有す
るものに限らず、相補ＭＯ８トランジスタータイプのも
のでも良く、更にはＳｉ基板に限らず石英９ガラヌ。ア
ルミナ等の絶縁基板や一般半導体基板に回路を持つ表示
、＜ネルにも応用が出来る。
るものに限らず、相補ＭＯ８トランジスタータイプのも
のでも良く、更にはＳｉ基板に限らず石英９ガラヌ。ア
ルミナ等の絶縁基板や一般半導体基板に回路を持つ表示
、＜ネルにも応用が出来る。
第１図は１表示パネルの組立概略図、第２図は画素等価
回路、第３図は従来の、第４図は本発明に係わる半導体
回、路基板で、第５図は散乱反射特性評価装置光学釆の
隆図で、第６図は散乱反射特性である。 １゜４５・・・・・・半導体回路基板 ２・・・・・・プリント基板 ３・・・・・・透明ガ
ラス４．１６・・・・・・’／（Ｉ晶１’ ２ 、 ５
５・・・・・・トラン２０．３４・・・・・・ｓｉ−基
板 ジヌター２１．５４・・・・・・凹
凸パターン ２２．３６・・・・・・フィールド陪化１摸２５．５９
・・・・・・ゲートｉ化！摸２４．４０・・・・・・Ｐ
ｏ１ｙ−８ｉ嗅２５．５７・・・・・・拡散層 ２６、’５Ｂ・・・・・第１１＠間絶縁膜２’７．４１
・・・・・・第１配線 ２８、’４２・・・・・・第２層間絶縁膜２９゜４５・
・・・・・第２配線（表示電極）５０．４４・・・・・
・パシベーション暎５１・・・・・・鏡面光反射特性 ５２・・・・・・標準白色板の光反射特性５６・・・・
・・従来品の光反射特性 ５４〜５８・・・・・・本発明による元反射特性以
上 □ 出願人 株式会社諏訪精工舎 □ 代理人 弁理士 最 上 務 ！；リ １１ｖ″７Ｆ 第２日 第３０
回路、第３図は従来の、第４図は本発明に係わる半導体
回、路基板で、第５図は散乱反射特性評価装置光学釆の
隆図で、第６図は散乱反射特性である。 １゜４５・・・・・・半導体回路基板 ２・・・・・・プリント基板 ３・・・・・・透明ガ
ラス４．１６・・・・・・’／（Ｉ晶１’ ２ 、 ５
５・・・・・・トラン２０．３４・・・・・・ｓｉ−基
板 ジヌター２１．５４・・・・・・凹
凸パターン ２２．３６・・・・・・フィールド陪化１摸２５．５９
・・・・・・ゲートｉ化！摸２４．４０・・・・・・Ｐ
ｏ１ｙ−８ｉ嗅２５．５７・・・・・・拡散層 ２６、’５Ｂ・・・・・第１１＠間絶縁膜２’７．４１
・・・・・・第１配線 ２８、’４２・・・・・・第２層間絶縁膜２９゜４５・
・・・・・第２配線（表示電極）５０．４４・・・・・
・パシベーション暎５１・・・・・・鏡面光反射特性 ５２・・・・・・標準白色板の光反射特性５６・・・・
・・従来品の光反射特性 ５４〜５８・・・・・・本発明による元反射特性以
上 □ 出願人 株式会社諏訪精工舎 □ 代理人 弁理士 最 上 務 ！；リ １１ｖ″７Ｆ 第２日 第３０
Claims (2)
- （１） 半導体回路を有する基板上に封入さ、れた液
晶を駆動してなる画像表示ディスプレイに於いて。 該基板は表示電極の光散乱反射面を構成すべく凹凸パタ
ーンを持ち、リフロー処理されたリンガラス膜おるいは
２ピノ塗布さ′ｉ″した絶縁膜を少なくとも一層以上持
つずによシ、光散乱反射面の凹凸パターンのテーパー角
を下地のテーパー角より低くした事を特徴とする表示パ
ネル。 - （２）半導体回路基板の同一面に形成された少なくとも
トランジスタ・−菓子等のアクティブ領域には、表示電
極のうし散乱反射面全構成すべく凹凸パターンを配置し
ない事を特徴とする特許請求の範囲第１項の表示パネル
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57209543A JPS59100488A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57209543A JPS59100488A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 表示パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59100488A true JPS59100488A (ja) | 1984-06-09 |
Family
ID=16574543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57209543A Pending JPS59100488A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59100488A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0627481A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Sharp Corp | 反射型アクティブマトリクス基板及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
| US5940154A (en) * | 1996-11-05 | 1999-08-17 | Nec Corporation | Reflection type liquid crystal display and method of fabricating the same |
-
1982
- 1982-11-30 JP JP57209543A patent/JPS59100488A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0627481A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Sharp Corp | 反射型アクティブマトリクス基板及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
| US5940154A (en) * | 1996-11-05 | 1999-08-17 | Nec Corporation | Reflection type liquid crystal display and method of fabricating the same |
| US6061112A (en) * | 1996-11-05 | 2000-05-09 | Nec Corporation | Method of fabricating a reflection type liquid crystal display in which the surface of a substrate is roughened, a metal film is formed on the roughened surface, and a non-polarizing, transparent dielectric film is form on the metal film |
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