JP4858337B2

JP4858337B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法

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Description

本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法に関する。さらに詳細には、本発明は外光の反射が防止され且つ発光輝度が高い有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子は、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置等の表示装置の光源としての応用が期待されている。有機エレクトロルミネッセンス素子の例としては、陽極となる正孔注入電極と陰極となる電子注入電極との間に正孔輸送層と発光材料層とが形成された構造（ＳＨ−Ａ構造）のもの、正孔注入電極と電子注入電極との間に発光材料層と電子輸送層とが形成された構造（ＳＨ−Ｂ構造）のもの、又は正孔注入電極と電子注入電極との間に、正孔輸送層と発光材料層と電子輸送層とが形成された構造（ＤＨ構造）のものがある。

いずれの構造の場合でも、有機エレクトロルミネッセンス素子は正孔注入電極（陽極）から注入された正孔と電子注入電極（陰極）から注入された電子が、発光材料層と正孔（または電子）輸送層の界面、および発光材料層内で再結合して発光するという原理で作動する。従って、発光機構が衝突勃起型発光である無機エレクトロルミネッセンス素子と比べて、有機エレクトロルミネッセンス素子は低電圧で発光が可能といった特長を持っており、これからの有機エレクトロルミネッセンス素子として非常に有望である。

図１に典型的なエレクトロルミネッセンス素子の構成例を示す。図１に示す有機エレクトロルミネッセンス素子は、透明基板１１０、下部電極層１１１、発光材料層１１２、上部電極層１１３、封止層１１４とから構成されている。従来の有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光材料層１１２で発光した光を透明基板１１０側から出光させる方式（ボトムエミッション方式）であったが、透明基板側には薄膜トランジスタが設置されるため、出光面積が小さくなる。そこで最近では、発光材料層１１２から見て透明基板１１０の反対側から出光させる方式（トップエミッション方式）が、十分な出光面積を得ることができるということで、注目されている。

有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた発光素子の輝度は、電流量に比例して大きくなる。しかしながら電流量を高めると消費電力が大きくなることに加え、有機エレクトロルミネッセンス素子に経時的な特性劣化を招き、有機エレクトロルミネッセンス素子の寿命を短くする。発光材料層で発光した光を効率的に外に取り出すことができれば、低電流量でも高輝度にすることができる。

光の取り出し効率を高めるために、例えば、特許文献１には、透明基板上に複数のアノード電極、有機エレクトロルミネッセンス層及びカソード電極をこの順に積層してなる有機エレクトロルミネッセンス表示素子において、前記透明基板上に位置的にランダムなドット状の凹凸が形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示素子が開示されている。
特開２０００−４０５８４号公報

特許文献２には、絶縁性を有する基板上に形成されたエレクトロルミネッセンス素子を含むエレクトロルミネッセンス表示装置において、前記基板上に凹凸が形成されており、前記凹凸の凹部または凸部の少なくとも一部が所定の規則に従って配置され、任意の互いに平行な直線断面における前記凹凸形状が不規則であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置が開示されている。特許文献１及び２に開示されている凹凸は点状または円状の凸部または凹部が散在したものである。
特開２００３−２４３１５２号公報

また、特許文献３には、基板上に第１の電極と発光部と第２の電極との積層体からなるエレクトロルミネッセンス素子が形成されたエレクトロルミネッセンス装置において、前記発光部は、光の出射面側へ隆起した複数の凸部を備え、優先的に発光させるようにされた複数の優先発光領域を有し、各優先発光領域は、少なくとも凸部の裾を含むように設定されたエレクトロルミネッセンス装置が開示されている。特許文献３における凸部は散在した点状またはストライプ状を成している。
特開２００５−４４５２８号公報

本発明の目的は、外光の反射が防止され映りこみが無く且つ発光輝度が高い有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法を提供することにある。

本発明者は、前記課題を解決すべく鋭意検討した結果、フィルム基材の少なくとも一方の表面に有機エレクトロルミネッセンス層を形成して積層体を得、次いで該積層体を面内の少なくとも一つの軸方向に収縮させて有機エレクトロルミネッセンス層を褶曲させることによって、基層と有機エレクトロルミネッセンス層との界面が褶曲しており、該有機エレクトロルミネッセンス層の表面に褶曲に対応する起伏を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を、容易に大面積で得ることができ、しかも、外光の反射が防止され映りこみが無く且つ発光輝度が高くなることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は、以下の態様を含む。
（１）基層と有機エレクトロルミネッセンス層とを含む積層体からなり、基層と有機エレクトロルミネッセンス層との界面が褶曲しており、該有機エレクトロルミネッセンス層の表面に褶曲に対応する起伏を有し、該起伏は、頂点間距離の平均値Ｘｐが０．１〜２０μｍであり、頂点間距離の標準偏差σｐがＸｐに対してσｐ／Ｘｐ＝０．１〜０．９である、有機エレクトロルミネッセンス素子。
（２）有機エレクトロルミネッセンス層の表面の起伏は、凸部の高さと頂点間距離との比の平均値が０．１〜４．０である、（１）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
（３）有機エレクトロルミネッセンス層の表面の起伏は、稜線の長さと凸部の幅との比（長さ／幅）の平均値が５以上である、（１）または（２）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
（４）さらに封止層を含む、（１）〜（３）のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

（５）フィルム基材の少なくとも一方の表面に有機エレクトロルミネッセンス層を形成して積層フィルムを得る工程、および該積層フィルムを面内の少なくとも一つの軸方向に収縮させて有機エレクトロルミネッセンス層を褶曲させる工程を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、外光の反射が防止され映りこみが無く且つ発光輝度が高い。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置等の表示装置の光源として有用である。

従来の有機エレクトロルミネッセンス素子の構造の断面例を示す模式図本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の起伏面の表面走査型電子顕微鏡写真像の一例を示す図本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の起伏面の表面走査型電子顕微鏡写真像の別の一例を示す図本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の起伏面の表面走査型電子顕微鏡写真像の別の一例を示す図本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の構造の断面例を示す模式図

符号の説明

１１０、２１０：基層（フィルム基材）
１１１、２１１：下部電極層
１１２、２１２：発光材料層
１１３、２１３：上部電極層
１１４：封止層

〔有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）〕
図５は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の垂直断面例を示す模式図である。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、基層（２１０）と有機エレクトロルミネッセンス層（２１１、２１２、２１３）とを含む積層体からなり、基層と有機エレクトロルミネッセンス層との界面が褶曲しており、該有機エレクトロルミネッセンス層の表面に褶曲に対応する起伏を有するものである。
ものである。

有機エレクトロルミネッセンス層と基層との界面は褶曲している。褶曲は、しわを寄せたように波形に曲がった状態のことである。この波形は、頂点間の平均距離が０．１〜２０μｍであることが好ましい。この波形の頂点は尾根状に連なっており、途中に分岐が存在してもよい。またこの波形の稜線は一つの方向に略平行に配置されたものになっていてもよいし、フラクタルのような不規則図形になっていてもよい。
波形の頂点間の距離の変動係数は、１０〜９０％となっていることが好ましい。なお、この変動係数は、頂点間の距離の平均値に対する該距離の標準偏差の割合（＝標準偏差／平均値×１００）である。

基層は、通常、樹脂や、ゴム若しくはエラストマーで形成されている。基層の平均厚さは、通常５μｍ〜１ｍｍ、好ましくは２０〜２００μｍである。基層は、４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が、５０％以上であり、かつ電極や該素子の各層を形成する際に変質しないものであるのが好ましい。

有機エレクトロルミネッセンス層は、下部電極層、発光材料層及び上部電極層を最小構成単位として有するものある。

上部電極層を構成する材料は、特に制限されず、例えば、導電性の金属酸化物や半透明の金属またはその積層体が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる透明導電性物質（ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、中でもＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。

上部電極層の平均厚さは、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、通常１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは１００〜５００ｎｍである。
本発明の有機ＥＬ素子においては、上部電極層が透明又は半透明であることが、発光の取出し効率がよく好都合である。上部電極層の作成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、金属薄膜を熱圧着するラミネート法などが挙げられる。

発光材料層を構成する材料は、特に制限はなく、有機ＥＬ素子における発光材料として公知のものを用いることができる。このような発光材料としては、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤や、金属キレート化オキシノイド化合物、スチリルベンゼン系化合物、ジスチリルピラジン誘導体、芳香族ジメチリジン化合物などが挙げられる。

発光材料層の平均厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、通常は１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍである。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、発光材料層に２種類以上の発光材料を混合して使用してもよく、２層以上の発光材料層が積層されていてもよい。発光材料層の作成方法としては、真空蒸着法、キャスト法などが挙げられる。

下部電極層を構成する材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましく、発光材料層から下部電極層側に向かう発光光を反射させ、封止層側に向かわせるため鏡面体であることがさらに好ましい。具体的には、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、およびこれらから選ばれる２つ以上の金属の合金、若しくはこれらから選ばれる１つ以上の金属と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、及び錫の中から選ばれる１つ以上の金属との合金、グラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。

合金の具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。下部電極層は２層以上の積層構造としてもよい。下部電極層の作成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法などが挙げられる。
下部電極層の平均厚さは、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、通常１０ｎｍ〜１０μｍ、好ましくは１００〜５００ｎｍである。

有機エレクトロルミネッセンス層は、下部電極層、発光材料層及び上部電極層以外に他の層を含んでいてもよい。他の層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層が挙げられる。
正孔注入層とは、陽極に隣接して設ける層であり、陽極からの正孔注入効率を改善する機能を有する層をいう。正孔注入層の平均厚さは、通常１ｎｍ〜１００ｎｍ、好ましくは２ｎｍ〜５０ｎｍである。

正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層をいう。正孔輸送層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。したがって、正孔輸送層の平均厚さは、通常１ｎｍ〜１μｍ、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍである。
正孔注入層や正孔輸送層に用いる材料としては、従来の有機ＥＬ素子において用いられている正孔伝達化合物として公知のものが挙げられる。

電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層をいう。
電子輸送層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。したがって、電子輸送層の平均厚さは、通常１ｎｍ〜１μｍ、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍである。
電子注入層とは、陰極に隣接して設ける層であって、陰極からの電子注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものをいう。
電子注入層の平均厚さは、通常１ｎｍ〜１００ｎｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５０ｎｍである。
電子輸送層、電子注入層に用いる材料としては、従来有機ＥＬ素子における電子伝達化合物として公知のものが挙げられる。
これらその他の層の作成方法としては、スピンコート法、キャスト法、真空蒸着法などが挙げられる。

本発明の有機ＥＬ素子は、有機エレクトロルミネッセンス層の表面が基層と有機エレクトロルミネッセンス層との界面の褶曲に対応して起伏している。有機エレクトロルミネッセンス層の表面の起伏は、褶曲の波形に対応して形成されているので、起伏中の凸部の形状、配置状態などは、前述した界面における波形の形状、配置状態などに対応している。したがって、起伏の頂点は尾根状に連なっており、途中に分岐が存在してもよい。またこの起伏の稜線は一つの方向に略平行に配置されたものになっていてもよいし、フラクタルのような不規則図形になっていてもよい。本発明においては、起伏の高さ及び幅、頂点間距離、稜線が伸びる方向が一定しておらず、ある程度の分布を有していることが好ましい。

有機エレクトロルミネッセンス層の起伏は、頂点間距離の平均値Ｘｐが０．１〜２０μｍ、好ましくは１〜１０μｍである。起伏は、頂点間距離の標準偏差σｐがＸｐに対してσｐ／Ｘｐ＝０．１〜０．９、好ましくは０．３〜０．７である。前記範囲にすることにより、外光の反射光を効果的に拡散できるようになるため、像の映り込みを低減することができる。

起伏の頂点間距離の平均値Ｘｐ及び標準偏差σｐは、有機エレクトロルミネッセンス素子の周期性が最も強い方向の垂直断面を走査型電子顕微鏡で観察し、該観察像から隣接する凸部間の距離を計測して求める。なお、有機エレクトロルミネッセンス素子の短手方向に１０ｃｍ以上離れた場所から最低２箇所選択し、さらに有機エレクトロルミネッセンス素子の長手方向に１０ｃｍ以上離れた場所から最低２箇所選択し、選択した箇所の断面形状からそれぞれ３０点以上の距離を計測する。

起伏中の凸部の高さは、好ましくは５ｎｍ〜５０μｍの範囲から選択され、より好ましくは５０ｎｍ〜１０μｍの範囲から選択される。起伏中の凸部の幅（高さの半分の場所の幅）は、好ましくは５ｎｍ〜１０μｍであり、より好ましくは５０ｎｍ〜１０μｍである。またアスペクト比は、通常０．１〜４．０である。アスペクト比は起伏中の凸部の高さと頂点間距離との比の平均値で定義される。アスペクト比は有機エレクトロルミネッセンス層の膜質、有機エレクトロルミネッセンス層の膜厚、フィルム基材の収縮率等を制御することで調整することができる。
有機エレクトロルミネッセンス層の表面の起伏は、稜線の長さと凸部の幅との比（長さ／幅）の平均値が、好ましくは５以上、より好ましくは１０以上である。稜線の長さと凸部の幅の比を前記範囲にすることにより、凹凸構造の圧縮強度が向上するため、他部材との積層が容易になる。

起伏は、フィルム表面の走査型電子顕微鏡写真像を２次元フーリエ変換して得られる空間周波数のパワースペクトルが一つの方向に分布していることが好ましい。前記パワースペクトルが一つの方向に分布していると、有機エレクトロルミネッセンス素子の光学特性に異方性を持たせることができる。図２または図３は、パワースペクトルが一つの方向に分布している有機エレクトロルミネッセンス素子表面の走査顕微鏡写真の一例を示す図である。

本発明の有機ＥＬ素子にはさらに封止層が含まれていることが好ましい。封止層を構成する材料は、水蒸気透過率の低い材料から選択される。例えば、シクロオレフィンポリマー；パーフルオロオレフィンなどのフッ素樹脂、樹脂膜とシリコン窒化酸化物膜との積層構造体；Ｓｉ₃Ｎ₄やダイアモンド様炭素膜；シクロオレフィンポリマー、パーフルオロオレフィンなどの樹脂をターゲットとして用いたＣＶＤ膜；フッ素化合物若しくは脂環式構造含有重合体と金属の単体若しくは金属化合物とを原料としてなる有機膜、金属の単体又は金属化合物を原料としてなる無機膜および透明樹脂基材からなる積層体；ガラス板などが挙げられる。封止層の水蒸気透過率は、０．００５ｇ／ｍ²・Ｄａｙ以下（２５℃、７５％ＲＨ）であることが好ましい。

〔有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法〕
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、フィルム基材の少なくとも一方の表面に有機エレクトロルミネッセンス層を形成して積層フィルムを得る工程、及び該積層フィルムを面内の少なくとも一つの軸方向に収縮させて有機エレクトロルミネッセンス層を褶曲させる工程を含むものである。

（フィルム基材）
本発明の製造方法に用いるフィルム基材は、有機エレクトロルミネッセンス層を積層させた後に、面内の少なくとも一つの軸方向に収縮させることができるものであれば特に限定されない。例えば、フィルム基材自身が加熱などの手段によって収縮するものであってもよいし、一軸延伸させたときに延伸方向に直交する方向が収縮するものであってもよい。

フィルム基材の収縮前の平均厚さは、ハンドリングの観点から通常５μｍ〜１ｍｍ、好ましくは２０〜２００μｍである。

フィルム基材は、通常、樹脂や、ゴム若しくはエラストマーで形成されている。
樹脂としては、スチレン系樹脂、アクリル樹脂、メタクリル系樹脂、有機酸ビニルエステル系樹脂、ビニルエーテル系樹脂、ハロゲン含有樹脂、オレフィン系樹脂、脂環式オレフィン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、熱可塑性ポリウレタン樹脂、ポリスルホン系樹脂（例えば、ポリエーテルスルホン、ポリスルホンなど）、ポリフェニレンエーテル系樹脂（例えば、２，６−キシレノールの重合体など）、セルロース誘導体（例えば、セルロースエステル類、セルロースカーバメート類、セルロースエーテル類など）、シリコーン樹脂（例えば、ポリジメチルシロキサン、ポリメチルフェニルシロキサンなど）などが挙げられる。

なお、脂環式オレフィン樹脂としては、特開平０５−３１０８４５号公報や米国特許第５１７９１７１号公報に記載されている環状オレフィンランダム共重合体、特開平０５−９７９７８号公報や米国特許第５２０２３８８号公報に記載されている水素添加重合体、特開平１１−１２４４２９号公報や国際公開９９／２０６７６号公報に記載されている熱可塑性ジシクロペンタジエン系開環重合体及びその水素添加物等が挙げられる。

また、ゴム／エラストマーとしては、ポリブタジエン、ポリイソプレンなどのジエン系ゴム、スチレン−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリルゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴムなどが挙げられる。
フィルム基材の材料は、これらのうち、製造が容易な点から熱可塑性樹脂が好ましい。

フィルム基材を構成する熱可塑性樹脂は、特に限定されないが、加工の容易さの観点からガラス転移温度が６０〜２００℃であるものが好ましく、１００〜１８０℃であるものがより好ましい。なお、ガラス転移温度は示差走査熱量分析（ＤＳＣ）により測定することができる。

また、フィルム基材を構成する熱可塑性樹脂は、ポリスチレン換算の重量平均分子量が、好ましくは５，０００〜５００，０００、より好ましくは８，０００〜２００，０００、特に好ましくは１０，０００〜１００，０００である。重量平均分子量がこの範囲にあることにより成形加工性が良好となり、機械的強度を向上させることができる。この重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーにより測定することができる。

フィルム基材を構成する樹脂や、ゴム又はエラストマーは、顔料や染料のごとき着色剤、蛍光増白剤、分散剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、酸化防止剤、塩素捕捉剤、難燃剤、結晶化核剤、ブロッキング防止剤、防曇剤、離型剤、有機又は無機の充填剤、中和剤、滑剤、分解剤、金属不活性化剤、汚染防止剤、蛍光増白剤、抗菌剤、拡散粒子、熱可塑性エラストマーその他の配合剤が適宜配合されたものであってもよい。

フィルム基材は、その製法によって特に制限されない。フィルム基材の原反は、前述の樹脂等を公知のフィルム成形法で形成すること等によって得られる。フィルム成形法としては、キャスト成形法、押出成形法、インフレーション成形法などが挙げられる。

加熱などの手段によってそれ自身が収縮するフィルム基材は、例えば、前述の樹脂等を公知の成形法で原反フィルムに形成し、該原反フィルムを延伸することによって得ることができる。また、延伸処理の代わりに、磁場や電場を掛けて又はラビング処理して分子を配向させ収縮性を示すフィルム基材とすることができる。ゴム又はエラストマーを公知の成形法で弾性フィルムに形成し、該弾性フィルムを面内方向に引っ張った状態にすることで、弾性による復元力を利用した収縮性を示すフィルム基材とすることができる。さらに硬化性樹脂からなるフィルムをあらかじめ溶剤等で膨潤させ、該膨潤フィルムが乾燥する時に生じる収縮を利用して本発明に用いるフィルム基材とすることができる。これらのうち、原反フィルムを延伸することによって得られる収縮性を示すフィルム基材が好ましい。

原反フィルムを延伸することによって得られる収縮性を示すフィルム基材は、一軸延伸法、二軸延伸法のいずれで延伸したものであってもよい。二軸延伸の場合は、通常、フィルム面内の二つの方向に収縮することになる。
延伸処理する方法としては、ロール側の周速の差を利用して縦方向に一軸延伸する方法；テンター延伸機を用いて横方向に一軸延伸する方法等の一軸延伸法；固定するクリップの間隔を開いての縦方向の延伸と同時に、ガイドレールの広がり角度により横方向に延伸する同時二軸延伸法や、ロール間の周速の差を利用して縦方向に延伸した後、その両端部をクリップ把持してテンター延伸機を用いて横方向に延伸する逐次二軸延伸法などの二軸延伸法；横又は縦方向に左右異なる速度の送り力若しくは引張り力又は引取り力を付加できるようにしたテンター延伸機を用いてフィルムの幅方向に対して任意の角度θの方向に連続的に斜め延伸する方法；などが挙げられる。

主たる収縮方向の収縮率が大幅に高くなると、主たる収縮方向に直交する方向に伸びが生じることがあり、その伸びによって起伏面に亀裂が生じることがある。この収縮時の亀裂発生を抑制することができるという観点から、（ｉ）延伸時の縦方向の収縮を好ましくは２０％以下、より好ましくは１５％以下に抑えて横方向に一軸延伸する（横一軸延伸法）か、（ｉｉ）縦方向及び横方向に二軸延伸するの（二軸延伸法）が好ましい。
延伸に用いる装置として、例えば、縦一軸延伸機、テンター延伸機、バブル延伸機、ローラー延伸機等が挙げられる。

延伸時の温度は、フィルム基材を構成する材料のガラス転移温度をＴｇとしたときに、好ましくは（Ｔｇ−３０℃）と（Ｔｇ＋６０℃）の間、より好ましくは（Ｔｇ−１０℃）と（Ｔｇ＋５０℃）の間の温度から選択される。
延伸倍率は、使用するフィルムの引張り特性に応じて、起伏中の凸部が所望するアスペクト比になるように適宜選択すればよい。

高アスペクト比の凸部を得たい場合には、有機エレクトロルミネッセンス層の膜質や厚さにもよるが、おおむね延伸倍率を高く設定する。低アスペクト比の凸部を得たい場合には、延伸倍率を低く設定する。具体的には、主たる延伸方向の倍率Ｒ１を、通常１．０１〜３０倍、より好ましくは１．０１〜１０倍、より好ましくは１．０５〜５倍にする。主たる方向の延伸倍率Ｒ１が１．０１倍より小さい倍率では、起伏が生じず、３０倍より大きい倍率では、フィルム強度が低下する恐れがある。

（有機エレクトロルミネッセンス層）
次に、フィルム基材の少なくとも一方の表面に下部電極層、発光材料層、上部電極層などを順次積層し、有機エレクトロルミネッセンス層を形成する。有機エレクトロルミネッセンス層の収縮率は、フィルム基材を収縮させる条件下において、フィルム基材の収縮率の２０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがさらに好ましい。有機エレクトロルミネッセンス層の収縮率が大きすぎると褶曲が生じず、表面に起伏を形成しない場合がある。

有機エレクトロルミネッセンス層の収縮前の平均厚さは、１０ｎｍ〜５μｍであることが好ましい。有機エレクトロルミネッセンス層の厚さは、透過電子顕微鏡にて、有機エレクトロルミネッセンス層の垂直断面を写真撮影し、該写真像から厚さの平均値を求める。

有機エレクトロルミネッセンス層の各層の形成方法は、特に制限されず、真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリング、ＣＶＤ（化学蒸着）等の蒸着法；スピンコート法、ディッピング法、ロールコート法、スプレー法、ベーパー法、グラビアコータやブレードコータなどのコータ法、スクリーン印刷法、インクジェット法等の塗布法；無電解めっき法、電解めっき法などが挙げられる。

（褶曲誘起構造）
本発明の製造方法においては、フィルム基材表面に有機エレクトロルミネッセンス層を形成する前に、有機エレクトロルミネッセンス層と基層との界面に褶曲を引き起こさせるための構造（褶曲誘起構造）をフィルム基材の表面に形成しても良い。

該褶曲誘起構造は、基材が収縮したときに有機エレクトロルミネッセンス層の褶曲を引き起こさせる構造であれば特に限定されず、例えば、ラビング処理やその他の方法で表面に付けた傷、インクジェットプリンターや印刷機等で載せたインク印、エンボス加工やインプリントなどで付与した凹凸などが挙げられる。
褶曲誘起構造は一定間隔の位置に形成されることが好ましい。褶曲誘起構造の間隔は、所望する起伏の頂点間の距離とは直接に関係無いので、所望の起伏頂点間の距離よりも狭くても、広くても良いが、起伏の頂点間の所望距離の０．０５倍〜１００倍の褶曲誘起構造の間隔にすることが好ましい。

褶曲誘起構造として有機物質または無機物質で形成された薄膜層（プライマー層）を用いることができる。
無機物質としては、金属酸化物や金属窒化物などの金属化合物、非金属酸化物や非金属窒化物などの非金属化合物などが挙げられ、具体的には、珪素、パラジウム、亜鉛、錫、ニッケル、アンチモン、イットリウム、ステンレス鋼、クロム、チタン、タンタル、ジルコニウム、ニオブ、ランタン、セリウム、等の金属若しくは非金属；またはこれらの酸化物や窒化物；又はそれらの混合物が挙げられる。これらのうち、可視光を透過する無機物質を選択することが好ましく、その具体的な例としてＳｎＯ₂、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂等が挙げられる。これらのうち、薄膜の柔軟性という観点からＳｉＯ₂が好ましい。

有機物質としては、硬化性樹脂が挙げられる。
硬化性樹脂には、熱硬化性のものと、エネルギー線硬化性のものとがある。なお、エネルギー線とは、可視光線、紫外線、電子線、などのことをいう。
前記熱硬化性樹脂の具体例としては、フェノール樹脂、尿素樹脂、ジアリルフタレート樹脂、メラミン樹脂、グアナミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アミノアルキッド樹脂、メラミン−尿素共縮合樹脂、珪素樹脂、ポリシロキサン樹脂等が挙げられる。

前記エネルギー線硬化性樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ラジカル重合性不飽和基及び／又はカチオン重合性基を有する低分子量化合物、又は樹脂等が挙げられ、所望の特性によって適宜選択できる。なお、ラジカル重合性不飽和基及び／又はカチオン重合性基は、１分子中に２以上含んでいてもよい。

前記ラジカル重合性不飽和基を有する低分子量化合物としては、エチレン、プロピレン等のα−オレフィン；ブタジエン、イソプレン等の共役ジエン化合物；スチレン、α−メチルスチレン、ｔ−ブチルスチレン、ジビニルベンゼン、ピニルナフタレン、4−ビニルピリジン等のラジカル反応性芳香族化合物；アクリル酸、メタクリル酸、フマール酸、マレイン酸、エンド−ビシクロ［２．２．１］−５−ヘプテン−２，８−ジカルボン酸（エンディック酸）、テトラヒドロフタル酸、イタコン酸、シトラコン酸、クロトン酸、イソクロトン酸等の不飽和カルボン酸：アクリル酸クロライド、メタクリル酸クロライド、マイイン酸クロライド等の前記不飽和カルボン酸のハライド；アクリルアミド、メタクリルアミド、マレイミド等の、前記不飽和カルボン酸のアミド若しくはイミド誘導体；無水マレイン酸、無水エンディック酸、無水シトラコン酸等の前記不飽和カルボン酸の無水物；マレイン酸モノメチル、マレイン酸ジメチル、（メタ）アクリル酸アミド、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、アリル（メク）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、フエノキシエチル（メタ）アクリレート、へキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメチロールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントソ（メタ）アクリレート、プロピオン酸・ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、プロピオン酸・ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールへキサ（メタ）アクリレート等の前記不飽和カルボン酸のエステル誘導体；ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシトリエトキシシラン等のラジカル反応不飽和基を有するシラン化合物；等が挙げられる。

前記カチオン重合性基を有する低分子化合物としては、ジシクロペンタジエンジオキサイド、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ビス（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテル、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）アジペート、（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシル）メチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アセタール、エチレングリコールのビス（３，４−エポキシシクロヘキシル）エーテル、エチレングリコールの３，４−エポキシシクロヘキサンカルボン酸ジエステル等の脂環式エポキシ基を含有する化合物；エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、ジグリセリンテトラグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、スピログリコールジグリシジルエーテル等のグリシジル基を含有するエポキシ化合物；３−エチル−３−メトキシメチルオキセタン、３−エチル−３−エトキシメチルオキセタン、３−エチル−３−ブトキシメチルオキセタン、３−エチル−３−アリルオキシメチルオキセタン、３−メチル−３−ヒドロキシメチルオキセタン、３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタン、３−エチル−３−（２’−ヒドロキシエチル）オキシメチルオキセタン、３−エチル−３−（２’−ヒドロキシ−３’−フェノキシプロピル）オキシメチルオキセタン、３−エチル−３−（２’−ヒドロキシ−３’−ブトキシプロピル）オキシメチルオキセタン、３−エチル−３−［２’−（２”−エトキシエチル）オキシメチル］オキセタン等のオキセタン環を含有する化合物；等が挙げられる。

前記ラジカル重合性不飽和基又はカチオン重合性基を有する樹脂としては、低分子量のポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、アルキッド樹脂、スピロアセタール樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリチオールポリエン樹脂等の側鎖にラジカル重合性不飽和基又はカチオン重合性基を有する樹脂が挙げられる。

エネルギー線として紫外線や可視光線を用いる場合には、硬化性樹脂の中に光重合開始剤、光増感剤などを含ませる。光重合開始剤としては、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ミヒラーベンゾイルベンゾエート、α−アミロキシムエステル、テトラメチルチウラムモノサルファイド、チオキサントン類等が挙げられる。光増感剤としてｎ−ブチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン等が挙げられる。

硬化性樹脂からなるプライマー層には、架橋剤、重合開始剤等の硬化剤、重合促進剤、溶剤、粘度調整剤等の配合剤が含まれていてもよい。
プライマー層の平均厚さは特に制限は無いが、褶曲を効果的に発現させる観点から、１００ｎｍ〜２０μｍであることが好ましい。

本発明の製造方法においては、次に前記有機エレクトロルミネッセンス層が表面に積層されたフィルム基材を収縮させ、有機エレクトロルミネッセンス層を褶曲させる。フィルム基材を収縮させる方法は、フィルム基材の種類に応じて適宜選択すればよい。

フィルム基材の収縮率は、フィルム基材の収縮によって有機エレクトロルミネッセンス層が褶曲したときに有機エレクトロルミネッセンス層に亀裂などが生じないようにするために、主たる収縮方向の収縮率ΔＬ、および主たる収縮方向に直交する方向の収縮率ΔＭが、式〔３〕および式〔４〕を満たすことが好ましい。なお、ΔＬ及びΔＭは式〔１〕及び式〔２〕でそれぞれ定義される。

式〔１）：ΔＬ＝（Ｌ０−Ｌ１）／Ｌ０×１００（Ｌ０：主たる収縮方向の収縮前の長さ、Ｌ１：主たる収縮方向の収縮後の長さ）
式〔２）：ΔＭ＝（Ｍ０−Ｍ１）／Ｍ０×１００（Ｍ０：主たる収縮方向に直交する方向の収縮前の長さ、Ｍ１：主たる収縮方向に直交する方向の収縮後の長さ）
式〔３〕：ΔＬ＞０
式〔４〕：−（ΔＬ×０．３）≦ΔＭ≦ΔＬ

起伏の異方性を強くしたい場合、すなわち、空間周波数のパワースペクトルを一つの方向に分布させたい場合には、式〔３〕及び式〔５〕を満たすことが好ましい。
式〔５〕：−（ΔＬ×０．２）≦ΔＭ≦（ΔＬ×０．２）

本発明の製造方法は、このように収縮条件を変更するだけで、頂点間距離、アスペクト比等を任意に調整できるので本発明の有機ＥＬ素子の製造に好適である。

なお、主たる収縮方向は、収縮する度合い（収縮率）が最も大きい方向である。例えば、熱可塑性樹脂からなるフィルムを延伸して得られたフィルム基材は加熱によって収縮する。フィルムの延伸を一軸方向にだけ行った場合には、通常、該延伸方向が主たる収縮方向になる。また二軸方向に延伸を行った場合には、通常、延伸した二つの方向のうち延伸倍率の大きい方向が主たる収縮方向になる。

熱可塑性樹脂からなるフィルムを一軸延伸すると、延伸時に延伸方向に直交する方向にフィルムが収縮する。この延伸時の収縮を利用したフィルム基材では、延伸方向に直交する方向が主たる収縮方向である。なお、主たる収縮方向に直交する方向の収縮率ΔＭの値がマイナスのときは、収縮処理においてフィルムが伸びたことを表す。主たる収縮方向にフィルムが収縮したときに、主たる収縮方向に直交する方向の伸びが大きくなりすぎると有機エレクトロルミネッセンス層に亀裂が生じやすくなる。
主たる収縮方向に直交する方向の収縮率は、１％〜９０％であることが好ましく、１％〜５０％であることがより好ましい。

以下に実施例、比較例を挙げて、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

（表面に形成された起伏のサイズ）
電界放出形走査電子顕微鏡（Ｓ−４７００、日立製作所製）にて、素子表面に形成された構造を撮影し、画像解析ソフト（ＡｎｌｙＳＩＳ、ＳｏｆｔＩｍａｇｉｎｇＳｙｓｔｅｍ製）を用い２次元高速フーリエ変換を実施して、空間周波数のパワースペクトル解析から周期性の強い方向を読み取った。この方向にウルトラミクロトームを用い切断し、走査型電子顕微鏡（日立製作所製、Ｓ−４７００）にて断面を写真撮影した。この作業をフィルム幅方向および流れ方向に少なくとも１０ｃｍ以上離れた点で、３箇所実施し、３０点の測定データーに基づいて各特性を求めた。

（製造例１）フィルム基材の製造
脂環式オレフィン樹脂（日本ゼオン社製、ＺＥＯＮＯＲ１０６０Ｒ、ガラス転移温度１００℃）のペレットを、窒素を流通させた熱風乾燥機を用いて、８０℃で４時間乾燥した。次いでこのペレットを、５０ｍｍφのスクリューを備えたＴダイ式フィルム溶融押出成形機を使用して、溶融樹脂温度２００℃で押出し成形することにより、幅６５０ｍｍ、厚さ１８８μｍのフィルムを製造し、両端２５ｍｍずつをトリミングして幅６００ｍｍの脂環式オレフィン樹脂からなる原反フィルムを得た。

（フィルム基材１）
幅６００ｍｍの原反フィルムの両端をクリップに把持させて、テンター延伸機内に導入し、温度１０５℃でフィルム幅方向に１．２倍、フィルム流れ方向に１倍の延伸倍率になるように横一軸延伸し、延伸機から出た延伸フィルムをクリップから外し、両端を連続的にトリミングして幅７００ｍｍのフィルム基材１を得た。

（フィルム基材２）
幅６００ｍｍの原反フィルムを、縦一軸延伸装置を用い、温度１０５℃で縦方向に１．１倍に延伸した。この延伸フィルムの両端をクリップに把持させて、テンター延伸機内に導入し、温度１００℃でフィルム幅方向に１．３倍、フィルム流れ方向に１倍の延伸倍率になるように横一軸延伸し、延伸機から出た延伸フィルムをクリップから外し、両端を連続的にトリミングしてフィルム基材２を得た。

（製造例２）紫外線硬化性樹脂溶液の製造
ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート（ＮＫエステルＡＤ−ＴＭＰ、新中村化学社製）９０重量部、光重合開始剤（イルガキュア−９０７、チバガイギー社製）１０重量部、および酢酸ブチル９００重量部をホモジナイザーで混合し均一な溶液を得、これを１μｍのフィルタで濾過して、紫外線硬化性樹脂溶液を調製した。

実施例１
製造例１で得たフィルム基材１の片面側に、厚さ５０ｎｍのＡｇ蒸着膜を形成し、次いで、Ｍｇ１ｎｍ／ｓ、Ａｇ０．１ｎｍ／ｓの蒸着速度で共蒸着し、厚さ１００ｎｍのＭｇ・Ａｇ共蒸着膜（反射性電極〔陰極〕）を形成した。
フォトレジストを用いて、反射性電極をエッチングし、５０×５０ｍｍの発光面積になるようなパターンを形成した。該パターンを超音波洗浄し、さらに、低圧紫外線ランプによるオゾン洗浄を行った。
パターニングされた反射性電極面上に、式（４）で表されるＡｌｑを蒸着速度０．３ｎｍ／ｓの真空蒸着法で９０ｎｍの厚さに積層し電子輸送層を形成した。その上に、式（３）で表されるＴＡＺを蒸着速度０．３ｎｍ／ｓの真空蒸着法で１５ｎｍの厚さに積層し正孔ブロック層を形成した。次いで、式（２）で表されるＴＰＤを蒸着速度０．３ｎｍ／ｓの真空蒸着法で４０ｎｍの厚さに積層し正孔輸送性青色発光層を形成し、式（１）で表されるＣｕＰｃを蒸着速度０．３ｎｍ／ｓの真空蒸着法で１５ｎｍの厚さに積層し正孔注入層を形成した。
さらに、ＩＴＯセラミツクターゲット（Ｉｎ₂Ｏ₃：ＳｎＯ₂＝９０重量％：１０重量％）を使用しスパッタリング法にて、厚さ１００ｎｍのＩＴＯを積層し透明電極（陽極）を形成した。

上記のようにして得られた積層体を温度１０５℃の温風を循環させた温風乾燥機内に放置し、フィルム基材を収縮させ有機ＥＬ積層体を得た。表面のＳＥＭ写真を図２に示した。全面に褶曲に対応する起伏が形成されており、起伏の稜線の長さと凸部の幅との比が５以上であった。また、頂点間距離の平均値Ｘｐは０．１８μｍ、頂点間距離の標準偏差（σｐ）は０．０２２μｍ、σｐ／Ｘｐは０．１２２であった。

作製した有機ＥＬ積層体の両面に紫外線硬化性エポキシ樹脂を滴下し、その上に厚さ１ｍｍのガラスを被せ、十分にエポキシ樹脂が広がった時点で紫外線を照射（積算光量１５０ｍＪ／ｃｍ²）し、エポキシ樹脂を硬化させて封止層を形成した。
作製した有機ＥＬ素子を透明電極側から見たところ、金属電極の鏡面反射による像の写り込みは見られなかった。次に、陽極層と陰極層の間に５Ｖの電圧をかけ５００時間発光させた。発光から５００時間経過時の発光ムラの有無を目視で確認した。また、発光開始時と５００時間経過時の正面輝度をＰｒｏｍｅｔｒｉｃ社製輝度計にて測定した。発光ムラは全く見られなかった。また正面輝度は５００時間発光後も発光開始時と変わらない値を示した。

実施例２
フィルム基材１をコロナ処理により表面改質し、製造例２で作製した紫外線硬化性樹脂溶液をグラビアコーターを用いて、基材フィルム１上に乾燥膜厚５．０μｍになるように塗布し、８０℃で５分間乾燥させ、超高圧水銀ランプを用いて紫外線を照射（積算光量４００ｍＪ／ｃｍ²）し、樹脂を硬化させ、薄膜（プライマー層）が形成された積層フィルムを得た。
次いで、該積層フィルム上に、実施例１と同様にして、反射性電極、電子輸送層、正孔ブロック層、正孔輸送性青色発光層、正孔注入層、透明電極を形成した。得られた積層体を温度１０５℃の温風を循環させた温風乾燥機内に放置し、フィルムを収縮させ有機ＥＬ積層体を得た。作製した有機ＥＬ積層体のＳＥＭ写真を図３に示した。全面に褶曲に対応する起伏が形成されており、起伏の稜線の長さと凸部の幅との比が５以上であった。また、頂点間距離の平均値Ｘｐは１９．０μｍ、頂点間距離の標準偏差（σｐ）は５．４７μｍ、σｐ／Ｘｐは０．２８８であった。

実施例３
フィルム基材２の片面に、スパッタリング法にて、厚さ５ｎｍのＳｉＯ₂膜を形成した。次いで、該積層フィルム上に、実施例１と同様にして、反射性電極、電子輸送層、正孔ブロック層、正孔輸送性青色発光層、正孔注入層、透明電極を形成した。得られた積層体を温度１０５℃の温風を循環させた温風乾燥機内に放置し、フィルムを収縮させ有機ＥＬ積層体を得た。作製した有機ＥＬ積層体のＳＥＭ写真を図４に示した。全面に褶曲に対応する起伏が形成されており、起伏の稜線の長さと凸部の幅との比が５以上であった。また、頂点間距離の平均値Ｘｐは０．４５μｍ、頂点間距離の標準偏差（σｐ）は０．３８７μｍ、σｐ／Ｘｐは０．８６０であった。

比較例
エポキシ樹脂（ＹＤＰＮ−６０１、東都化成製）３９０重量部及びアクリル酸１０８重量部を１，６−ヘキサンジオールアクリレート７５０重量部中に溶解させ、ハイドロキノン０．５重量部及びメチルエチルアンモニウムアイオダイド３重量部の存在下に、１００〜１５０℃で２時間反応させた。次いで、無水マレイン酸２７９重量部を添加し、１００〜１５０℃で２時間反応させて、水溶性光重合性オリゴマーを得た。

得られた水溶性光重合性オリゴマー１００重量部、非水溶性光重合性オリゴマーとしてフェノールノボラック型エポキシ樹脂（ＹＤＣＮ−６０２：東都化成（株）製）４０重量部、光重合性モノマーとしてトリメチロールプロパントリアクリレート２０重量部、光重合開始剤としてイルガキュア−６５１（チバガイギー社製）５重量部、光硬化用触媒前駆体としてジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート０．５重量部及び重合禁止剤としてハイドロキノン０．１重量部を酢酸ブチルセロソルブ１０００重量部中で混合して、ネガ型感光性樹脂溶液を得た。

次に、厚さ１ｍｍのガラス基板上に前記ネガ型感光性樹脂溶液をスピンコート法で塗布し、７０℃で３０分間乾燥し膜厚１．６μｍの感光性樹脂膜を形成した。次いで、直径８μｍのドットパターンが一面にランダムに配置されているフォトマスクを用いて、感光性樹脂膜を５０ｍＪ／ｃｍ²の露光量で露光し、１５０℃で１時間加熱し、ドット状の凹凸樹脂膜を形成した。ドット状の凹凸樹脂膜表面を観察したところ高さ約２μｍのドット状の凹凸形状が形成されていた。

次いで、該積層フィルム上に、実施例１と同様にして、反射性電極、電子輸送層、正孔ブロック層、正孔輸送性青色発光層、正孔注入層、透明電極を形成した。透明電極面に紫外線硬化性エポキシ樹脂を滴下し、その上に厚さ１ｍｍのガラスを被せ、十分にエポキシ樹脂が広がった時点で紫外線を照射（積算光量１５０ｍＪ／ｃｍ²）し、エポキシ樹脂を硬化させて封止層を形成した。

作製した有機ＥＬ素子を透明電極側から見たところ、金属電極の鏡面反射による像の写り込みは見られなかった。次に、陽極層と陰極層の間に５Ｖの電圧をかけ５００時間発光させた。発光から５００時間経過時の発光ムラの有無を目視で確認した。また、発光開始時と５００時間経過時の正面輝度をＰｒｏｍｅｔｒｉｃ社製輝度計にて測定した。発光ムラが顕著に見られた。また５００時間発光後の正面輝度は発光開始時に比べ大幅に低下していた。

Claims

基層と有機エレクトロルミネッセンス層とを含む積層体からなり、
基層と有機エレクトロルミネッセンス層との界面が褶曲しており、
該有機エレクトロルミネッセンス層の表面に褶曲に対応する起伏を有し、
該起伏は、頂点間距離の平均値Ｘｐが０．１〜２０μｍであり、頂点間距離の標準偏差σｐがＸｐに対してσｐ／Ｘｐ＝０．１〜０．９である、有機エレクトロルミネッセンス素子。
有機エレクトロルミネッセンス層の表面の起伏は、凸部の高さと頂点間距離との比（高さ／間隔）の平均値が０．１〜４．０である、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
有機エレクトロルミネッセンス層の表面の起伏は、稜線の長さと凸部の幅との比（長さ／幅）の平均値が５以上である、請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
さらに封止層を含む、請求項１〜３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
フィルム基材の少なくとも一方の表面に有機エレクトロルミネッセンス層を形成して積層フィルムを得る工程、および該積層フィルムを面内の少なくとも一つの軸方向に収縮させて有機エレクトロルミネッセンス層を褶曲させる工程を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。