JP3077957B2 - 反射型表示装置 - Google Patents
反射型表示装置Info
- Publication number
- JP3077957B2 JP3077957B2 JP18049093A JP18049093A JP3077957B2 JP 3077957 B2 JP3077957 B2 JP 3077957B2 JP 18049093 A JP18049093 A JP 18049093A JP 18049093 A JP18049093 A JP 18049093A JP 3077957 B2 JP3077957 B2 JP 3077957B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- display device
- light
- scattering layer
- light scattering
- reflective display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/13725—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on guest-host interaction
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/02—Function characteristic reflective
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、カラー表示も可能な反
射型表示装置に関する。
射型表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示装置は薄型・軽量である
ことから平面ディスプレイとして多方面に応用されてい
る。中でも、バックライトが不要な反射型液晶表示装置
は、消費電力を低くすることができるので注目されてい
る。このような反射型液晶表示装置の例として、例え
ば、ＳＩＤ（Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｉｎｆｏｒｍａｔ
ｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）９２（予稿集４３７ページ）
に報告されているようなＴＦＴ（薄膜トランジスタ）−
ＬＣＤ（液晶表示装置）が挙げられる。
ことから平面ディスプレイとして多方面に応用されてい
る。中でも、バックライトが不要な反射型液晶表示装置
は、消費電力を低くすることができるので注目されてい
る。このような反射型液晶表示装置の例として、例え
ば、ＳＩＤ（Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｉｎｆｏｒｍａｔ
ｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）９２（予稿集４３７ページ）
に報告されているようなＴＦＴ（薄膜トランジスタ）−
ＬＣＤ（液晶表示装置）が挙げられる。
【０００３】上記ＴＦＴ−ＬＣＤは、図８に示すよう
に、ＴＦＴ８１のドレイン電極８４とＡｌからなる画素
電極８２とを層間絶縁膜８３を介して接続させた構造を
有し、層間絶縁膜８３の表面に設けられた凹凸により画
素電極８２を反射板として機能させている。反射板（画
素電極）からの反射光は、２色性色素を含むゲスト・ホ
スト型液晶８５により変調され、カラーフィルタ８６に
よりカラー表示とされる。
に、ＴＦＴ８１のドレイン電極８４とＡｌからなる画素
電極８２とを層間絶縁膜８３を介して接続させた構造を
有し、層間絶縁膜８３の表面に設けられた凹凸により画
素電極８２を反射板として機能させている。反射板（画
素電極）からの反射光は、２色性色素を含むゲスト・ホ
スト型液晶８５により変調され、カラーフィルタ８６に
よりカラー表示とされる。
【０００４】また、特開平４−２６７２２０号公報に
は、図９に示すような反射型電気光学装置が開示されて
いる。この装置は、微粒子を分散させた有機膜により凹
凸９１を形成し、その凹凸表面に反射層として金属層９
２を設けたものである。金属層９２からの反射光は、ゲ
スト・ホスト型液晶９３により変調されて表示される。
は、図９に示すような反射型電気光学装置が開示されて
いる。この装置は、微粒子を分散させた有機膜により凹
凸９１を形成し、その凹凸表面に反射層として金属層９
２を設けたものである。金属層９２からの反射光は、ゲ
スト・ホスト型液晶９３により変調されて表示される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の層間絶
縁膜８３に凹凸を形成して画素電極８２に反射板として
の機能を与える方法では、製造工程が複雑であり、製造
コストが高くなるという問題があった。また、層間絶縁
膜８３に凹凸を形成する際に、ホトリソグラフィーの制
御が困難であった。さらに、μｍオーダーの微小な凹凸
形状を形成するのが困難であるので、良好な反射特性が
得られないという問題もあった。
縁膜８３に凹凸を形成して画素電極８２に反射板として
の機能を与える方法では、製造工程が複雑であり、製造
コストが高くなるという問題があった。また、層間絶縁
膜８３に凹凸を形成する際に、ホトリソグラフィーの制
御が困難であった。さらに、μｍオーダーの微小な凹凸
形状を形成するのが困難であるので、良好な反射特性が
得られないという問題もあった。
【０００６】上述の微粒子を分散させた有機膜により凹
凸９１を形成する方法では、比較的微小な凹凸形状を形
成しやすいが、表示のために金属層９２表面の反射光を
利用するのでギラツキが感じられ、ディスプレイとして
良好な白色を得られにくいという問題点があった。ま
た、この方法は、今後市場のニーズが高まると考えられ
るカラー表示については考慮されていない。
凸９１を形成する方法では、比較的微小な凹凸形状を形
成しやすいが、表示のために金属層９２表面の反射光を
利用するのでギラツキが感じられ、ディスプレイとして
良好な白色を得られにくいという問題点があった。ま
た、この方法は、今後市場のニーズが高まると考えられ
るカラー表示については考慮されていない。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するため
になされたものであり、反射特性が良好であり、ギラツ
キのない良好な白色表示とカラー表示とが得られ、簡単
な製造工程により安価に製造することができる反射型表
示装置を提供することを目的とする。
になされたものであり、反射特性が良好であり、ギラツ
キのない良好な白色表示とカラー表示とが得られ、簡単
な製造工程により安価に製造することができる反射型表
示装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の反射型表示装置
は、光の透過率を制御できる光変調層を挟んで対向配設
された一対の基板の各々に電極が形成され、該一対の基
板の一方である第１の基板上の電極と、他方である第２
の基板上の電極とが対向する部分が画素とされている反
射型表示装置において、第２の基板上の電極は透明であ
り、第１の基板上の電極は、担体中に導電性物質を含む
微粒子を分散させた光散乱層であり、第２の基板側から
入射される外部光を該光散乱層により散乱させて表示を
行い、そのことにより上記目的が達成される。
は、光の透過率を制御できる光変調層を挟んで対向配設
された一対の基板の各々に電極が形成され、該一対の基
板の一方である第１の基板上の電極と、他方である第２
の基板上の電極とが対向する部分が画素とされている反
射型表示装置において、第２の基板上の電極は透明であ
り、第１の基板上の電極は、担体中に導電性物質を含む
微粒子を分散させた光散乱層であり、第２の基板側から
入射される外部光を該光散乱層により散乱させて表示を
行い、そのことにより上記目的が達成される。
【０００９】
【００１０】前記画素毎に前記光散乱層の色が規定され
て着色されており、前記電極に与えられる所定の電気信
号に応じて前記光変調層が光を透過、半透過または非透
過とすることにより、該光散乱層の色が表示、半表示ま
たは非表示とされていてもよい。
て着色されており、前記電極に与えられる所定の電気信
号に応じて前記光変調層が光を透過、半透過または非透
過とすることにより、該光散乱層の色が表示、半表示ま
たは非表示とされていてもよい。
【００１１】前記画素毎に前記光散乱層の色が赤、緑ま
たは青の三原色のいずれかに規定されて着色されてお
り、各色に着色された領域が規則的に配列されていても
よい。前記微粒子は、酸化アルミニウム、酸化シリコ
ン、酸化チタン、酸化マンガン、酸化ジルコニウムまた
は酸化亜鉛から選択される酸化物あるいはフッ化マグネ
シウムまたは蛍石から選択されるフッ化物を含有してい
てもよい。
たは青の三原色のいずれかに規定されて着色されてお
り、各色に着色された領域が規則的に配列されていても
よい。前記微粒子は、酸化アルミニウム、酸化シリコ
ン、酸化チタン、酸化マンガン、酸化ジルコニウムまた
は酸化亜鉛から選択される酸化物あるいはフッ化マグネ
シウムまたは蛍石から選択されるフッ化物を含有してい
てもよい。
【００１２】前記担体は、ポリアミド、ポリイミド、ポ
リエステル、アクリル樹脂、エポキシ樹脂またはポリビ
ニルアルコールから選択される高分子化合物であっても
よい。
リエステル、アクリル樹脂、エポキシ樹脂またはポリビ
ニルアルコールから選択される高分子化合物であっても
よい。
【００１３】前記光散乱層の厚みは、１０００オングス
トローム以上１０μｍ以下であってもよい。
トローム以上１０μｍ以下であってもよい。
【００１４】前記光散乱層は、基板側に金属からなる反
射板が形成されていてもよい。
射板が形成されていてもよい。
【００１５】前記光散乱層の着色は、前記微粒子または
前記担体の着色によるものであってもよい。
前記担体の着色によるものであってもよい。
【００１６】前記光変調層は、２色性色素を含む液晶を
含有していてもよい。
含有していてもよい。
【００１７】
【作用】本発明においては、光変調層を間に挟んで対向
配設される一対の基板の内、第２の基板上に透明電極が
形成され、第１の基板上には、担体中に微粒子を分散さ
せた光散乱層が形成され、その上に透明電極が形成され
ている。第２の基板側から入射される外部光は、光散乱
層により散乱されて表示される。この光散乱層による散
乱光は、金属層による反射光のようにぎらつかないの
で、良好な白色表示が得られる。反射光を特に強くした
い場合には、第１の基板上に金属からなる反射板を形成
し、その上に光散乱層を形成してもよい。
配設される一対の基板の内、第２の基板上に透明電極が
形成され、第１の基板上には、担体中に微粒子を分散さ
せた光散乱層が形成され、その上に透明電極が形成され
ている。第２の基板側から入射される外部光は、光散乱
層により散乱されて表示される。この光散乱層による散
乱光は、金属層による反射光のようにぎらつかないの
で、良好な白色表示が得られる。反射光を特に強くした
い場合には、第１の基板上に金属からなる反射板を形成
し、その上に光散乱層を形成してもよい。
【００１８】光散乱層の形成はスピンコート成膜などに
より行うことができるので、製造コストを低下すること
ができる。担体中に微粒子を分散させることにより、μ
ｍオーダーの微小凹凸形状を形成することができるの
で、反射特性を良好にすることができる。
より行うことができるので、製造コストを低下すること
ができる。担体中に微粒子を分散させることにより、μ
ｍオーダーの微小凹凸形状を形成することができるの
で、反射特性を良好にすることができる。
【００１９】担体中に導電性物質を含む微粒子を分散さ
せると、光散乱層を電極として兼用することができる。
せると、光散乱層を電極として兼用することができる。
【００２０】担体または微粒子を着色させることにより
光散乱層を着色させることができ、カラー表示を行うこ
ともできる。
光散乱層を着色させることができ、カラー表示を行うこ
ともできる。
【００２１】光散乱層の厚みは、１０００オングストロ
ーム以上１０μｍ以下とすることができる。
ーム以上１０μｍ以下とすることができる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例について具体的に説明
する。尚、以下の実施例では、ＴＦＴ−ＬＣＤに本発明
を適用した。また、簡単のため、補助容量や補助容量用
電極線など、本発明に直接関係しない部分は省略した。
する。尚、以下の実施例では、ＴＦＴ−ＬＣＤに本発明
を適用した。また、簡単のため、補助容量や補助容量用
電極線など、本発明に直接関係しない部分は省略した。
【００２３】（実施例１）この反射型表示装置は、ガラ
スなどからなる一対の絶縁性基板が液晶層を間に挟んで
対向配設され、第２の基板側から入射される外部光を第
１の基板上に形成された光散乱層により散乱させて表示
を行うようになっている。
スなどからなる一対の絶縁性基板が液晶層を間に挟んで
対向配設され、第２の基板側から入射される外部光を第
１の基板上に形成された光散乱層により散乱させて表示
を行うようになっている。
【００２４】第１の基板においては、図１（ａ）に示す
ように、ガラス等からなる絶縁性基板３０上に、タンタ
ルなどからなる複数の走査電極線３１が互いに平行に設
けられ、それに交差するように信号電極線５１が互いに
平行に設けられている。走査電極線３１と信号電極線５
１との交差部には、ＴＦＴが形成されている。
ように、ガラス等からなる絶縁性基板３０上に、タンタ
ルなどからなる複数の走査電極線３１が互いに平行に設
けられ、それに交差するように信号電極線５１が互いに
平行に設けられている。走査電極線３１と信号電極線５
１との交差部には、ＴＦＴが形成されている。
【００２５】ＴＦＴ部分は、図１（ｂ）に示すように、
走査電極線３１の上に、基板のほぼ全面を覆うように窒
化シリコン等からなるゲート絶縁膜４１が形成され、そ
の上に、走査電極線３１と対向するように非ドープアモ
ルファスシリコン膜４２が形成されている。その上で分
断された状態で、ｎ+アモルファスシリコン膜からなる
コンタクト層４３が形成されている。一方のコンタクト
層４３の上には、チタン等からなる信号電極５１ａが信
号電極線５１に接続されて形成されている。他方のコン
タクト層４３の上には、チタン等からなるドレイン電極
５１ｂが形成されている。
走査電極線３１の上に、基板のほぼ全面を覆うように窒
化シリコン等からなるゲート絶縁膜４１が形成され、そ
の上に、走査電極線３１と対向するように非ドープアモ
ルファスシリコン膜４２が形成されている。その上で分
断された状態で、ｎ+アモルファスシリコン膜からなる
コンタクト層４３が形成されている。一方のコンタクト
層４３の上には、チタン等からなる信号電極５１ａが信
号電極線５１に接続されて形成されている。他方のコン
タクト層４３の上には、チタン等からなるドレイン電極
５１ｂが形成されている。
【００２６】その状態の基板３０のほぼ全面を覆うよう
に窒化シリコン等からなるパッシベーション膜６１が形
成され、その上に光散乱層６２が形成されている。光散
乱層６２の上にはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）等からなる画素電極１１が形成され、パッシベー
ション膜６１および光散乱層６２に形成されたコンタク
トホールを介してドレイン電極５１ｂと接続されてい
る。さらに、その上に、配向膜（図示せず）が形成され
ている。
に窒化シリコン等からなるパッシベーション膜６１が形
成され、その上に光散乱層６２が形成されている。光散
乱層６２の上にはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）等からなる画素電極１１が形成され、パッシベー
ション膜６１および光散乱層６２に形成されたコンタク
トホールを介してドレイン電極５１ｂと接続されてい
る。さらに、その上に、配向膜（図示せず）が形成され
ている。
【００２７】上記第１の基板と対向配設される第２の基
板上には、ＩＴＯ等からなる対向電極が形成され、その
上に配向膜が形成されている。
板上には、ＩＴＯ等からなる対向電極が形成され、その
上に配向膜が形成されている。
【００２８】この反射型表示装置の製造は、以下のよう
にして行うことができる。
にして行うことができる。
【００２９】まず、図３に示すように、ガラス基板３０
上に、スパッタリング法によタンタル薄膜を成膜し、こ
れをホトリソグラフィーによりパターニングして走査電
極線３１を形成する。
上に、スパッタリング法によタンタル薄膜を成膜し、こ
れをホトリソグラフィーによりパターニングして走査電
極線３１を形成する。
【００３０】次に、図４に示すように、プラズマＣＶＤ
法により窒化シリコン等からなるゲート絶縁膜４１、非
ドープアモルファスシリコン膜４２およびｎ+アモルフ
ァスシリコン膜を順次積層し、両アモルファスシリコン
膜４２、４３を島状にパターニングする。
法により窒化シリコン等からなるゲート絶縁膜４１、非
ドープアモルファスシリコン膜４２およびｎ+アモルフ
ァスシリコン膜を順次積層し、両アモルファスシリコン
膜４２、４３を島状にパターニングする。
【００３１】続いて、図５に示すように、スパッタリン
グ法によりチタン薄膜を成膜し、ｎ+アモルファスシリ
コン膜と共にパターニングして、コンタクト層４３、信
号電極線５１、ソース電極５１ａおよびドレイン電極５
１ｂを形成する。
グ法によりチタン薄膜を成膜し、ｎ+アモルファスシリ
コン膜と共にパターニングして、コンタクト層４３、信
号電極線５１、ソース電極５１ａおよびドレイン電極５
１ｂを形成する。
【００３２】その後、図６に示すように、プラズマＣＶ
Ｄ法により窒化シリコン膜を成膜し、パッシベーション
膜６１とする。その上に、担体としてのアクリル樹脂と
粒径０．１μｍの酸化チタン微粒子とを重量比１：１０
の割合で混合し、メチルエチルケトン溶媒に溶かした塗
料を、スピンコートにより厚み１μｍに塗布する。これ
を１５０℃で焼成して成膜し、例えば厚み１μｍ程度の
光散乱層６２とする。
Ｄ法により窒化シリコン膜を成膜し、パッシベーション
膜６１とする。その上に、担体としてのアクリル樹脂と
粒径０．１μｍの酸化チタン微粒子とを重量比１：１０
の割合で混合し、メチルエチルケトン溶媒に溶かした塗
料を、スピンコートにより厚み１μｍに塗布する。これ
を１５０℃で焼成して成膜し、例えば厚み１μｍ程度の
光散乱層６２とする。
【００３３】次に、図６に示すように、パッシベーショ
ン膜６１と光散乱層６２とに、コンタクトホール６４を
設ける。この時、画面周囲に存在する信号電極線５１端
子部上のパッシベーション膜６１と光散乱層とを同時に
除去する。
ン膜６１と光散乱層６２とに、コンタクトホール６４を
設ける。この時、画面周囲に存在する信号電極線５１端
子部上のパッシベーション膜６１と光散乱層とを同時に
除去する。
【００３４】続いて、図１に示すように、スパッタリン
グ法によりＩＴＯ膜を成膜し、パターニングして画素電
極１１とした。以上によりＴＦＴ基板（第１の基板）が
得られる。
グ法によりＩＴＯ膜を成膜し、パターニングして画素電
極１１とした。以上によりＴＦＴ基板（第１の基板）が
得られる。
【００３５】他方、ガラス基板上にＩＴＯ膜をスパッタ
リング法により成膜し、対向電極を形成して対向基板
（第２の基板）とする。
リング法により成膜し、対向電極を形成して対向基板
（第２の基板）とする。
【００３６】以上のようにして得られるＴＦＴ基板およ
び対向基板の電極形成側表面に、垂直配向膜を塗布す
る。この両基板を配向膜側を内側にして、間に直径１０
μｍのプラスティックビーズを挟んで対向させ、シール
樹脂を用いて貼り合わせる。その後、予めシール樹脂の
一部を開口させて設けておいた注入口から、２色性色素
とカイラル中心を有する光学活性物質とを含んだ液晶材
料を注入し、注入口を封止する。以上によりホワイトテ
ーラー型ゲストホストモード（例えば、日本学術振興会
第１４２委員会編「液晶デバイスハンドブック」参照）
の表示装置が得られる。
び対向基板の電極形成側表面に、垂直配向膜を塗布す
る。この両基板を配向膜側を内側にして、間に直径１０
μｍのプラスティックビーズを挟んで対向させ、シール
樹脂を用いて貼り合わせる。その後、予めシール樹脂の
一部を開口させて設けておいた注入口から、２色性色素
とカイラル中心を有する光学活性物質とを含んだ液晶材
料を注入し、注入口を封止する。以上によりホワイトテ
ーラー型ゲストホストモード（例えば、日本学術振興会
第１４２委員会編「液晶デバイスハンドブック」参照）
の表示装置が得られる。
【００３７】この反射型表示装置は、駆動用ＩＣと駆動
用回路とにより一般的な反射型液晶表示装置と同様にし
て画像表示を行うことができる。ＴＦＴを通じて画素電
極に与えられる電気信号に応じて液晶層が光を透過、半
透過または非透過とすることにより、白、灰色または黒
表示が得られ、ギラツキの無い良好な白色表示を得るこ
とができた。
用回路とにより一般的な反射型液晶表示装置と同様にし
て画像表示を行うことができる。ＴＦＴを通じて画素電
極に与えられる電気信号に応じて液晶層が光を透過、半
透過または非透過とすることにより、白、灰色または黒
表示が得られ、ギラツキの無い良好な白色表示を得るこ
とができた。
【００３８】上記実施例１において、光散乱層の比抵抗
が充分高く、また不純物等の溶出が無い場合には、パッ
シベーション膜６１の形成は省略することができる。
が充分高く、また不純物等の溶出が無い場合には、パッ
シベーション膜６１の形成は省略することができる。
【００３９】また、反射光を特に強くしたい場合には、
光散乱層６２とガラス基板３０との間の画素電極１１の
下部に当たる位置にアルミ等の金属からなる反射板を形
成してもよい。
光散乱層６２とガラス基板３０との間の画素電極１１の
下部に当たる位置にアルミ等の金属からなる反射板を形
成してもよい。
【００４０】（実施例２）この実施例では、着色微粒子
を用いることにより光散乱層を赤（Ｒ）、緑（Ｇ）およ
び青（Ｂ）の三原色に着色し、図２に示すようなカラー
表示装置とした。その他の構成は実施例１と同様なもの
とすることができる。
を用いることにより光散乱層を赤（Ｒ）、緑（Ｇ）およ
び青（Ｂ）の三原色に着色し、図２に示すようなカラー
表示装置とした。その他の構成は実施例１と同様なもの
とすることができる。
【００４１】この反射型表示装置の製造は、以下のよう
にして行うことができる。まず、実施例１と同様に、第
１の基板上にＴＦＴを形成し、パッシベーション膜を成
膜する。
にして行うことができる。まず、実施例１と同様に、第
１の基板上にＴＦＴを形成し、パッシベーション膜を成
膜する。
【００４２】次に、担体としてのアクリル樹脂と粒径
０．１μｍの酸化チタン微粒子とを重量比１：１０の割
合で混合し、この混合物に対して重量比１０：１の割合
で赤色顔料としてベンガラを混入する。これをメチルエ
チルケトン溶媒に溶かして塗料とし、実施例１と同様に
成膜することにより赤色の光散乱層が得られる。この光
散乱層を、図２に示すような３画素の繰り返し単位と
し、パッシベーション膜と光散乱層とにコンタクトホー
ルを設ける際に、３画素分の内の１画素目の部分のみを
残すようにパターニングする。次に、上記赤色顔料の代
わりに緑色顔料としてクロムグリーンを混入した塗料を
用いて緑色の光散乱層を形成し、上記と同様に３画素の
繰り返し単位の内、２画素目の部分のみを残すようにパ
ターニングする。最後に、上記赤色顔料の代わりに青色
顔料としてウルトラマリンを混入した塗料を用いて青色
の光散乱層を形成し、上記と同様に３画素の繰り返し単
位の内、３画素目の部分のみを残すようにパターニング
する。この後、ＩＴＯからなる画素電極を形成して、図
２に示すようなＲＧＢに着色された光散乱層の繰り返し
配列が得られる。
０．１μｍの酸化チタン微粒子とを重量比１：１０の割
合で混合し、この混合物に対して重量比１０：１の割合
で赤色顔料としてベンガラを混入する。これをメチルエ
チルケトン溶媒に溶かして塗料とし、実施例１と同様に
成膜することにより赤色の光散乱層が得られる。この光
散乱層を、図２に示すような３画素の繰り返し単位と
し、パッシベーション膜と光散乱層とにコンタクトホー
ルを設ける際に、３画素分の内の１画素目の部分のみを
残すようにパターニングする。次に、上記赤色顔料の代
わりに緑色顔料としてクロムグリーンを混入した塗料を
用いて緑色の光散乱層を形成し、上記と同様に３画素の
繰り返し単位の内、２画素目の部分のみを残すようにパ
ターニングする。最後に、上記赤色顔料の代わりに青色
顔料としてウルトラマリンを混入した塗料を用いて青色
の光散乱層を形成し、上記と同様に３画素の繰り返し単
位の内、３画素目の部分のみを残すようにパターニング
する。この後、ＩＴＯからなる画素電極を形成して、図
２に示すようなＲＧＢに着色された光散乱層の繰り返し
配列が得られる。
【００４３】その後の工程は、実施例１と同様にして反
射型表示装置を得ることができる。この反射型表示装置
は、ＴＦＴを通じて画素電極に与えられる電気信号に応
じて液晶層が光を透過、半透過または非透過とすること
により、光散乱層の色を表示、半表示または非表示し
て、ギラツキの無い良好な白色表示とカラー表示を得る
ことができた。
射型表示装置を得ることができる。この反射型表示装置
は、ＴＦＴを通じて画素電極に与えられる電気信号に応
じて液晶層が光を透過、半透過または非透過とすること
により、光散乱層の色を表示、半表示または非表示し
て、ギラツキの無い良好な白色表示とカラー表示を得る
ことができた。
【００４４】上記実施例２において、光散乱層を着色さ
せるためには、着色微粒子を用いてもよく、担体自身を
着色させたものを用いてもよい。
せるためには、着色微粒子を用いてもよく、担体自身を
着色させたものを用いてもよい。
【００４５】（実施例３）この実施例では、導電性微粒
子を用いることにより光散乱層を導電性とし、画素電極
の機能を兼用させた。その他の構成は実施例１と同様な
ものとすることができる。
子を用いることにより光散乱層を導電性とし、画素電極
の機能を兼用させた。その他の構成は実施例１と同様な
ものとすることができる。
【００４６】上記反射型表示装置の製造は、以下のよう
にして行うことができる。まず、実施例１と同様に第１
の基板上にＴＦＴを形成する。次に、図７に示すように
パッシベーション膜６１を成膜し、コンタクトホール７
１を形成する。
にして行うことができる。まず、実施例１と同様に第１
の基板上にＴＦＴを形成する。次に、図７に示すように
パッシベーション膜６１を成膜し、コンタクトホール７
１を形成する。
【００４７】次に、担体としてのアクリル樹脂と粒径
０．１μｍの酸化チタン微粒子とを重量比１：１０の割
合で混合し、この混合物に対して重量比１：１の割合で
導電性微粒子として銀粒子を混入する。これをメチルエ
チルケトン溶媒に溶かして塗料とし、実施例１と同様に
成膜する。これを、図７に示すようにパターニングし
て、導電性を有する光散乱層７２とし、画素電極と兼用
させる。
０．１μｍの酸化チタン微粒子とを重量比１：１０の割
合で混合し、この混合物に対して重量比１：１の割合で
導電性微粒子として銀粒子を混入する。これをメチルエ
チルケトン溶媒に溶かして塗料とし、実施例１と同様に
成膜する。これを、図７に示すようにパターニングし
て、導電性を有する光散乱層７２とし、画素電極と兼用
させる。
【００４８】その後の工程は、実施例１と同様にして反
射型表示装置を得ることができる。この反射型表示装置
は、ＴＦＴを通じて光散乱層（画素電極）に与えられる
電気信号に応じて液晶層が光を透過、半透過または非透
過とすることにより、白、灰色または黒表示が得られ、
ギラツキの無い良好な白色表示を得ることができた。
射型表示装置を得ることができる。この反射型表示装置
は、ＴＦＴを通じて光散乱層（画素電極）に与えられる
電気信号に応じて液晶層が光を透過、半透過または非透
過とすることにより、白、灰色または黒表示が得られ、
ギラツキの無い良好な白色表示を得ることができた。
【００４９】上記実施例１、２および３において、光散
乱層に含有される微粒子として、酸化チタンを用いた
が、酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化マンガン、
酸化ジルコニウムまたは酸化亜鉛等の酸化物、あるいは
フッ化マグネシウムまたは蛍石等のフッ化物を用いても
よい。
乱層に含有される微粒子として、酸化チタンを用いた
が、酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化マンガン、
酸化ジルコニウムまたは酸化亜鉛等の酸化物、あるいは
フッ化マグネシウムまたは蛍石等のフッ化物を用いても
よい。
【００５０】上記光散乱層の担体としては、アクリル樹
脂以外に、ポリアミド、ポリイミド、ポリエステル、エ
ポキシ樹脂またはポリビニルアルコール等の高分子化合
物を用いることができる。
脂以外に、ポリアミド、ポリイミド、ポリエステル、エ
ポキシ樹脂またはポリビニルアルコール等の高分子化合
物を用いることができる。
【００５１】スイッチング素子としては、ＴＦＴ以外の
ＭＩＭ（Metal Insulator Metal）、ダイオード、バリ
スタ等を用いたアクティブマトリクス駆動方式や、単純
マトリックス方式に適用することもできる。
ＭＩＭ（Metal Insulator Metal）、ダイオード、バリ
スタ等を用いたアクティブマトリクス駆動方式や、単純
マトリックス方式に適用することもできる。
【００５２】本発明において、光散乱層の厚みは１００
０オングストローム以上１０μｍ以下とすることができ
る。このような範囲とした理由は、散乱物質により膜厚
が異なると考えられるからであり、１０μｍ以下とした
のは一般的な成膜可能範囲を考慮しており、１０００オ
ングストローム以上としたのは膜の透過率が極端に高く
ならないようにするためである。
０オングストローム以上１０μｍ以下とすることができ
る。このような範囲とした理由は、散乱物質により膜厚
が異なると考えられるからであり、１０μｍ以下とした
のは一般的な成膜可能範囲を考慮しており、１０００オ
ングストローム以上としたのは膜の透過率が極端に高く
ならないようにするためである。
【００５３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、ギラツキの無い良好な白色表示と、カラー表
示が得られる反射型液晶表示装置を得ることができる。
この反射型表示装置は、簡単な製造工程により安価に作
製することができる。
によれば、ギラツキの無い良好な白色表示と、カラー表
示が得られる反射型液晶表示装置を得ることができる。
この反射型表示装置は、簡単な製造工程により安価に作
製することができる。
【図１】（ａ）は、実施例１の反射型表示装置を示す平
面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＰ−Ｐ’線断面図であ
る。
面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＰ−Ｐ’線断面図であ
る。
【図２】実施例２のカラー表示装置の平面図である。
【図３】（ａ）は、実施例１の反射型表示装置の製造工
程を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＰ−Ｐ’線
断面図である。
程を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＰ−Ｐ’線
断面図である。
【図４】（ａ）は、実施例１の反射型表示装置の製造工
程を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＰ−Ｐ’線
断面図である。
程を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＰ−Ｐ’線
断面図である。
【図５】（ａ）は、実施例１の反射型表示装置の製造工
程を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＰ−Ｐ’線
断面図である。
程を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＰ−Ｐ’線
断面図である。
【図６】（ａ）は、実施例１の反射型表示装置の製造工
程を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＰ−Ｐ’線
断面図である。
程を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＰ−Ｐ’線
断面図である。
【図７】（ａ）は、実施例３の反射型表示装置を示す平
面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＰ−Ｐ’線断面図であ
る。
面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＰ−Ｐ’線断面図であ
る。
【図８】従来の反射型液晶表示装置を示す断面図であ
る。
る。
【図９】従来の反射型液晶表示装置を示す断面図であ
る。
る。
１１ 画素電極 ３０ 絶縁性基板 ３１ 走査電極線 ４１ ゲート絶縁膜 ４２ 非ドープアモルファスシリコン膜 ４３ コンタクト層 ５１ 信号電極線 ５１ａ 信号電極 ５１ｂドレイン電極 ６１ パッシベーション膜 ６２、７２ 光散乱層 ６４、７１ コンタクトホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−289620（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−198490（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−61027（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−28055（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1362 G02F 1/1343 G02F 1/1335
Claims (9)
- 【請求項１】 光の透過率を制御できる光変調層を挟ん
で対向配設された一対の基板の各々に電極が形成され、
該一対の基板の一方である第１の基板上の電極と、他方
である第２の基板上の電極とが対向する部分が画素とさ
れている反射型表示装置において、 第２の基板上の電極は透明であり、第１の基板上の電極
は、担体中に導電性物質を含む微粒子を分散させた光散
乱層であり、第２の基板側から入射される外部光を該光
散乱層により散乱させて表示を行う反射型表示装置。 - 【請求項２】 前記画素毎に前記光散乱層の色が規定さ
れて着色されており、前記電極に与えられる所定の電気
信号に応じて前記光変調層が光を透過、半透過または非
透過とすることにより、該光散乱層の色が表示、半表示
または非表示とされる請求項１に記載の反射型表示装
置。 - 【請求項３】 前記画素毎に前記光散乱層の色が赤、緑
または青の三原色のいずれかに規定されて着色されてお
り、各色に着色された領域が規則的に配列されている請
求項２に記載の反射型表示装置。 - 【請求項４】 前記微粒子は、酸化アルミニウム、酸化
シリコン、酸化チタン、酸化マンガン、酸化ジルコニウ
ムまたは酸化亜鉛から選択される酸化物あるいはフッ化
マグネシウムまたは蛍石からなるフッ化物を含有する請
求項１、２または３に記載の反射型表示装置。 - 【請求項５】 前記担体は、ポリアミド、ポリイミド、
ポリエステル、アクリル樹脂、エポキシ樹脂またはポリ
ビニルアルコールから選択される高分子化合物である請
求項１、２、３または４に記載の反射型表示装置。 - 【請求項６】 前記光散乱層の厚みは、１０００オング
ストローム以上１０μｍ以下である請求項１、２、３、
４または５に記載の反射型表示装置。 - 【請求項７】 前記光散乱層は、基板側に金属からなる
反射板が形成されている請求項１、２、３、４、５また
は６に記載の反射型表示装置。 - 【請求項８】 前記光散乱層の着色は、前記微粒子また
は前記担体の着色によるものである請求項２に記載の反
射型表示装置。 - 【請求項９】 前記光変調層は、２色性色素を含む液晶
を含有している請求 項１に記載の反射型表示装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18049093A JP3077957B2 (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 反射型表示装置 |
| US08/277,109 US5548425A (en) | 1993-07-21 | 1994-07-20 | Reflective LCD having a resin-diffuser with dispersed metal oxide particles between a substrate and pixel electrodes or integral with the pixel electrodes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18049093A JP3077957B2 (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 反射型表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0736060A JPH0736060A (ja) | 1995-02-07 |
| JP3077957B2 true JP3077957B2 (ja) | 2000-08-21 |
Family
ID=16084153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18049093A Expired - Fee Related JP3077957B2 (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 反射型表示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5548425A (ja) |
| JP (1) | JP3077957B2 (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07318926A (ja) * | 1994-05-25 | 1995-12-08 | Fuji Xerox Co Ltd | 反射型液晶表示装置 |
| JP3517975B2 (ja) * | 1994-08-12 | 2004-04-12 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2885093B2 (ja) * | 1994-10-17 | 1999-04-19 | 日本電気株式会社 | 画像表示方法 |
| US6061110A (en) * | 1994-10-18 | 2000-05-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reflection type liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
| JP2864464B2 (ja) * | 1994-12-22 | 1999-03-03 | 日本ビクター株式会社 | 反射型アクティブ・マトリクス・ディスプレイ・パネル及びその製造方法 |
| JP3315834B2 (ja) | 1995-05-31 | 2002-08-19 | 富士通株式会社 | 薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法 |
| GB2306229B (en) * | 1995-10-13 | 1999-04-07 | Ibm | Diffusely reflective display cell |
| US5847410A (en) * | 1995-11-24 | 1998-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co. | Semiconductor electro-optical device |
| KR970048832A (ko) * | 1995-12-11 | 1997-07-29 | 김주용 | 박막 트랜지스터 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP3351945B2 (ja) * | 1995-12-18 | 2002-12-03 | シャープ株式会社 | 反射型液晶表示装置 |
| JP3272932B2 (ja) * | 1996-01-25 | 2002-04-08 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置 |
| US6175399B1 (en) | 1997-02-10 | 2001-01-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflective type liquid crystal display device having a diffusion layer of phase separated liquid crystal and polymer |
| US6281952B1 (en) * | 1997-12-26 | 2001-08-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
| US5963284A (en) * | 1998-04-01 | 1999-10-05 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | LCD with diffuser having diffusing particles therein located between polarizers |
| KR100336886B1 (ko) | 1998-08-24 | 2003-06-09 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 고개구율및고투과율을갖는반사형액정표시장치및그제조방법 |
| JP3732956B2 (ja) * | 1998-09-16 | 2006-01-11 | 三洋電機株式会社 | 反射型液晶表示装置 |
| JP2000122095A (ja) * | 1998-10-20 | 2000-04-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 反射型液晶表示装置 |
| JP3717333B2 (ja) * | 1999-05-14 | 2005-11-16 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 輝度増加用副画素を有する反射型カラー液晶表示装置並びに当該副画素用カラーフィルタを含む光散乱フィルム及びその作製方法 |
| US6563559B2 (en) | 2000-02-02 | 2003-05-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Reflective liquid crystal display having increase luminance for each display pixel |
| JP3681978B2 (ja) * | 2000-12-19 | 2005-08-10 | 株式会社巴川製紙所 | 光反射板および反射型液晶表示装置 |
| KR100959683B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2010-05-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사형 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| KR100853220B1 (ko) * | 2002-04-04 | 2008-08-20 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법 |
| EP1610170A1 (en) * | 2004-06-25 | 2005-12-28 | Sony Deutschland GmbH | A method of applying a particle film to create a surface having light-diffusive and/or reduced glare properties |
| TWI283483B (en) * | 2005-02-01 | 2007-07-01 | Innolux Display Corp | TFT LCD and fabricating method thereof |
| US8729551B2 (en) * | 2010-03-17 | 2014-05-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Flat panel display |
| CN104465510A (zh) * | 2014-12-11 | 2015-03-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法和显示面板 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH589306A5 (ja) * | 1975-06-27 | 1977-06-30 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
| CH618018A5 (ja) * | 1977-08-30 | 1980-06-30 | Bbc Brown Boveri & Cie | |
| JPS5462797A (en) * | 1977-10-28 | 1979-05-21 | Citizen Watch Co Ltd | Liquid crystal color display device |
| JPS5584975A (en) * | 1978-09-28 | 1980-06-26 | Nitto Electric Ind Co | Reflective type light diffusion plate |
| DE2919572A1 (de) * | 1979-05-15 | 1980-11-27 | Siemens Ag | Passive elektrooptische anzeigevorrichtung und verfahren zur herstellung einer solchen vorrichtung |
| US4470666A (en) * | 1979-06-18 | 1984-09-11 | General Motors Corporation | Colored liquid crystal display |
| JPS5694386A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-30 | Suwa Seikosha Kk | Liquiddcrystal display unit |
| GB2108697B (en) * | 1981-02-03 | 1985-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | Liquid crystal display device |
| JPH0762750B2 (ja) * | 1986-03-31 | 1995-07-05 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| FR2623649B1 (fr) * | 1987-11-23 | 1992-05-15 | Asulab Sa | Cellule d'affichage a cristal liquide |
| JP2604867B2 (ja) * | 1990-01-11 | 1997-04-30 | 松下電器産業株式会社 | 反射型液晶表示デバイス |
| JPH04116503A (ja) * | 1990-09-06 | 1992-04-17 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 拡散反射板および拡散反射板群 |
| JPH04267220A (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-22 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-07-21 JP JP18049093A patent/JP3077957B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-07-20 US US08/277,109 patent/US5548425A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0736060A (ja) | 1995-02-07 |
| US5548425A (en) | 1996-08-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3077957B2 (ja) | 反射型表示装置 | |
| JP7266623B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR100404259B1 (ko) | 액정 장치 및 전자 기기 | |
| JP2768313B2 (ja) | 反射型液晶表示装置 | |
| US6927818B2 (en) | Transflective liquid crystal device having light-transmitting films overlapping light reflective films and method of manufacturing such a device | |
| KR100200258B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 구동방법 | |
| US7486355B2 (en) | Color filter panel and liquid crystal display including the same | |
| KR100243721B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| TW200405069A (en) | Four color liquid crystal display and panel therefor | |
| JP4776915B2 (ja) | 表示パネル及びその製造方法、並びにこれを有する液晶表示装置 | |
| US6373541B1 (en) | Reflection type liquid crystal display element | |
| JP3651004B2 (ja) | 液晶表示素子およびその製造方法、並びに電子機器 | |
| US5559615A (en) | Polymer dispersed liquid crystal display device | |
| JP2000066195A (ja) | 反射型液晶表示素子 | |
| KR100710176B1 (ko) | 반사형 액정표시소자 및 그 제조방법 | |
| JP3172706B2 (ja) | 反射型液晶表示素子 | |
| US6765638B1 (en) | Reflective liquid crystal device and electronic equipment using the same | |
| JP3210274B2 (ja) | 反射型液晶表示素子 | |
| JP3074101B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH08313939A (ja) | 液晶表示装置およびその駆動方法 | |
| JPH03200122A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3726569B2 (ja) | 半透過反射型及び反射型液晶装置並びにこれらを用いた電子機器 | |
| US20030117553A1 (en) | Liquid crystal display device | |
| JPH11337720A (ja) | カラーフィルター基板及びそれを用いた液晶表示装置 | |
| JPH1152364A (ja) | 反射型液晶表示素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000529 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |