KR20000050883A - 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
기판 위에 가로 방향의 게이트선, 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선과 게이트선과 평행한 공통 신호선 연결부, 세로 방향의 공통 신호선, 공통 신호선으로부터 가로 방향으로 뻗어 있는 공통 전극을 포함하는 공통 배선이 형성되어 있다. 여기서, 공통 전극은 게이트선에 대하여 일정한 각도를 가지면서 기울어져 있다. 게이트 배선과 공통 배선을 덮는 게이트 절연막 위에는 소스 전극, 드레인 전극, 게이트선과 교차하여 화소를 정의하는 데이터선을 포함하는 데이터 배선이 형성되어 있으며, 드레인 전극은 공통 신호선과 중첩되어 유지 축전기를 이루는 화소 신호선과 연결되어 있다. 또한, 화소 내에는 공통 전극과 교대로 선형으로 형성되어 있는 화소 전극이 화소 신호선의 분지로 뻗어 있다. 데이터 배선과 화소 배선 위에는 보호막이 형성되어 있으며, 보호막 위에는 액정 분자를 데이터선에 대하여 수직으로 배향하기 위한 배향막이 형성되어 있다.
Description
본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 액정 분자에 수평 전계를 인가하기 위해 동일한 기판에 형성된 전극 및 전계인가 수단인 박막 트랜지스터를 갖는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
수평 전계에 의한 액정 구동 방식으로서 종래 기술은 미국 특허 제5,598,285호에 나타나 있다.
그러나, 미국 특허 제5,598,285에서 제시된 액정 표시 장치는 수평 전계를 인가하기 위한 공통 전극과 화소 전극 중, 공통 전극과 공통 전극에 연결되어 공통 신호를 전달하는 공통 신호선이 서로 인접한 부분인 화소의 상부 및 하부에서 액정 구동의 왜곡이 발생하는 문제점이 있다. 이러한 왜곡을 가려주기 위하여 블랙 매트릭스를 넓게 형성하기 때문에 개구율이 감소하는 문제점이 발생한다.
또한, 화소 전극에 전압을 인가하는 데이터선과 이에 평행한 화소 전극 또는 공통 전극 사이에 커플링 효과(coupling effect) 또는 왜곡된 구동이 발생하여 빛이 누설되고, 이로 인하여 크로스 토크(cross talk)가 발생하는 문제점이 있다. 이를 가리기 위하여 데이터선에 인접한 공통 전극을 필요 이상으로 넓게 형성하여 개구율을 감소시키는 요인으로 작용한다.
또한, 공통 전극과 화소 전극은 데이터선과 평행하게 게이트선과 데이터선으로 둘러싸인 화소의 긴 방향과 평행하게 형성되어 있어 전극의 수를 늘리기가 용이하지 않다.
본 발명의 과제는 수평 전계 구동 방식의 액정 표시 장치의 개구율을 향상시키는 것이다.
본 발명의 다른 과제는 수평 전계를 인가하기 위한 전극의 수를 용이하게 조절할 수 있는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 기판의 구조를 개략적으로 나타낸 배치도이고,
도 2는 도 1에서 II - II' 선을 따라 도시한 단면도이고,
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조를 도시한 배치도이고,
도 4 및 도 5는 도 3에서 IV - IV' 및 V - V' 선을 따라 각각 절단한 단면도이고,
도 6a 내지 도 9c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 과정을 나타내는 도면이다.
위와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에는 공통 전극이 뻗어 있는 공통 신호선이 데이터선과 평행하게 형성되어 있고 액정 분자는 이들과 수직하게 초기 배향되어 있다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치에는 서로 교차하여 화소를 게이트선과 데이터선이 형성되어 있으며, 화소에는 데이터선과 평행한 공통 신호선의 분지인 공통 전극과 공통 전극과 일정한 간격을 두고 마주하는 화소 전극이 형성되어 있다. 또한, 화소에는 게이트선, 데이터선, 화소 전극에 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극이 각각 연결되어 있는 박막 트랜지스터가 형성되어 있고, 기판의 상부에는 공통 전극 및 상기 화소 전극에 의해 구동되는 액정 분자를 데이터선에 대하여 수직 방향으로 배향되도록 러빙되어 있는 배향막이 형성되어 있다.
데이터선에 수직인 러빙 방향은 게이트선과 평행일 수 있으며, 공통 전극과 화소 전극은 게이트선과 평행할 수도 있으며 그렇지 않을 수도 있다. 평행하기 않은 경우에 공통 전극과 화소 전극은 게이트선에 대하여 5~45° 기울어져 있는 것이 바람직하다.
또한, 이러한 액정 표시 장치는 화소 전극이 뻗어 있는 화소 신호선을 더 포함하며, 화소 신호선과 공통 신호선은 서로 중첩되어 유지 축전기를 이룬다. 또한, 개구율을 향상시키기 위하여 공통 전극과 화소 전극은 동일한 층의 ITO로 형성할 수 있다. 이때, 데이터선과 나란히 중첩되어 있는 용장 데이터선을 더 포함하며, 데이터선 또는 용장 데이터선 중 적어도 하나는 상기 화소 전극과 같은 층으로 형성되어 있다. 여기서, 화소 전극 및 공통 전극의 두께는 1,000Å 이하인 것이 바람직하며, 화소 전극과 공통 전극은 배향막과 직접 접하도록 형성하는 것이 바람직하다.
이제 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치에서 공통 신호선은 데이터선과 함께 화소의 긴 방향으로 형성하고 액정 분자는 이들과 수직하게 초기 배향하는 동시에 공통 전극은 화소의 짧은 방향으로 형성한다
먼저, 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 단위 화소의 구성을 간략히 나타낸 배치도이고, 도 2는 도 1에서 II - II' 선을 따라 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2에 나타난 바와 같이, 투명한 절연 기판(100) 위에 가로 방향으로 게이트선(20)이 형성되어 있고, 게이트선(20)의 일부는 게이트 전극(21)이 된다. 화소의 상하에는 게이트선(20)과 평행하게 공통 신호선 연결부(26)가 형성되어 있으며, 화소의 좌우 가장자리에는 공통 신호선 연결부(26)를 연결하는 공통 신호선(24)이 화소의 긴 방향인 세로 방향으로 형성되어 있다. 화소에는 공통 신호선(24)의 분지로 뻗어 있으며 공통 신호선(24)으로부터 공통 신호를 전달받는 서로 평행한 다수의 공통 전극(28)이 화소의 짧은 방향인 가로 방향으로 형성되어 있다. 여기서, 공통 전극(28)은 게이트선(20)에 대하여 임의의 각으로 기울어져 있으며, 바람직하게는 5~45° 범위에서 기울어져 형성되어 있다.
게이트 배선(20, 21)과 공통 배선(24, 26, 28) 위를 질화 규소 등으로 이루어진 게이트 절연막(30)이 덮고 있다.
게이트 전극(21) 위의 게이트 절연막(30) 위에는 반도체인 비정질 규소로 이루어진 박막 트랜지스터의 반도체층(40)이 형성되어 있고, 비정질 규소층(40) 위에는 인(P) 등으로 고농도 도핑된 비정질 규소로 이루어진 저항 접촉층(51, 52)이 게이트 전극(21)을 중심으로 양쪽으로 형성되어 있다.
저항 접촉층(51, 52) 위에는 각각 금속으로 이루어진 소스 전극(61)과 드레인 전극(62)이 형성되어 있는데, 소스 전극(61)은 게이트 절연막(30) 위에 세로 방향으로 형성되어 있는 데이터선(60)과 연결되어 있다. 또한, 드레인 전극(62)은 가로는 공통 신호선 연결부(26) 및 세로는 공통 신호선(24)과 각각 중첩되어 화소의 둘레에 형성되어 있는 화소 신호선(64)과 연결되어 있으며, 화소 내에는 공통 전극(28)과 교대로 선형으로 형성되어 있는 화소 전극(68)이 화소 신호선(64)의 분지로 뻗어 있다.
여기서 게이트 전극(21), 게이트 절연막(30), 비정질 규소층(40), 저항 접촉층(51, 52), 소스 및 드레인 전극(61, 62)은 박막 트랜지스터를 이룬다.
데이터 배선(60, 61, 62)과 화소 배선(64, 68) 및 데이터 배선으로 가리지 않는 반도체층(40) 위에는 질화 규소 등의 절연 물질로 이루어진 보호막(70)이 형성되어 있으며, 보호막(70) 위에는 액정 분자를 배향하기 위한 배향막(80)이 형성되어 있다.
여기서, 배향막(80)에서 단차로 인한 배향 불량을 방지하기 위하여 공통 전극(28) 및 화소 전극(68)은 1,000Å 이하로 형성하는 것이 좋으며, 보호막(70)은 평탄화가 좋은 유기막을 사용할 수도 있다.
도 1에서 가로의 화살표 방향(→)은 액정 분자를 초기 배향하기 위한 배향막(80)의 러빙 방향이며, 굵은 선으로 둘러 쌓인 부분은 블랙 매트릭스의 개구부를 나타낸 것이다. 블랙 매트릭스는 공통 전극(28) 및 화소 전극(68)과 동일한 기판에 형성될 수 있으며 다른 기판에 형성될 수도 있다.
이러한 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치에서는 공통 신호선(24)이 데이터선(60)에 평행하게 화소의 긴 방향으로 형성되어 있고, 이에 수직하며 게이트선(20)에 평행하게 액정 분자가 초기 배향되도록 러빙되어 있으므로, 데이터선(60)과 공통 신호선(24)에 전압차가 발생하여 액정 분자가 구동되더라도 초기 배향 방향과 동일한 방향으로 구동되어 어둡게 표시하게 되므로 크로스 토크가 발생하기 않는다. 따라서, 데이터선(60)에 인접한 공통 신호선(24)을 최대한 좁은 폭으로 형성하여 화소의 개구율을 증가시킬 수 있다.
또한, 종래의 구조와 달리 공통 전극(28)과 화소 전극(68)을 화소의 짧은 방향으로 형성하여 전극(28, 68)의 수를 용이하게 조절할 수 있다.
여기서, 도 1에서 보는 바와 같이, 공통 전극(28) 및 화소 전극(68)은 초기 배향 방향에 대하여 θ만큼 기울어져 형성되어 있다. 이는 공통 전극(28)과 화소 전극(68) 사이에서 발생하는 전압차로 인하여 구동되는 액정 분자에 돌아가는 방향을 결정하기 위한 것이다.
또한, 이러한 구조에서는 화소 신호선(64)을 게이트선(20)인 인접하도록 형성하여 이들 사이에서 누설되는 빛을 최대한 줄일 수 있다.
제1 실시예에 따른 액정 표시 장치에서는 공통 배선(24, 26, 28)을 게이트 배선(20, 21)과 동일한 층에 형성하였으나 다른 층으로 형성할 수 있으며, 제2 실시예를 통하여 상세하게 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에의 구조를 도시한 배치도이고, 도 4 및 도 5는 도 3에서 IV - IV' 및 V - V' 선을 따라 절단한 각각의 단면도이다.
도 3 내지 도 5에 나타난 바와 같이, 투명한 절연 기판(100) 위에 가로 방향으로 게이트선(20)이 형성되어 있고, 게이트선(20)의 끝에는 외부로부터 주사 신호를 전달받는 게이트 패드(22)가 연결되어 있으며 게이트선(20)의 일부는 게이트 전극(21)이 된다. 화소의 좌우 가장자리에는 공통 신호선(24)이 화소의 긴 방향인 세로 방향으로 형성되어 있으며, 제1 공통 신호선 연결부(26)가 공통 신호선(24)으로부터 화소의 밖으로 뻗어 있으며, 공통 신호선(24)의 일부가 굴곡되어 있다. 여기서, 도 4 및 도 5에서 보는 바와 같이 게이트 배선(20, 21, 22) 및 공통 배선(24, 26)은 크롬의 하부막(211, 221 : 241, 261)과 알루미늄-네오비듐 합금의 상부막(212, 222 : 242, 262)으로 이루어져 있다.
게이트 배선(20, 21, 22)과 공통 배선(24, 26) 위를 질화 규소 등으로 이루어진 게이트 절연막(30)이 덮고 있다.
게이트 전극(21) 위의 게이트 절연막(30) 위에는 반도체인 비정질 규소로 이루어진 박막 트랜지스터의 반도체층(40)이 형성되어 있고, 비정질 규소층(40) 위에는 인(P) 등으로 고농도 도핑된 비정질 규소로 이루어진 저항 접촉층(51, 52)이 게이트 전극(21)을 중심으로 양쪽으로 형성되어 있다.
저항 접촉층(51, 52) 위에는 각각 투명한 도전 물질중 하나인 ITO로 이루어진 소스 전극(61)과 드레인 전극(62)이 형성되어 있는데, 소스 전극(61)은 게이트 절연막(30) 위에 세로 방향으로 형성되어 있는 데이터선(60)과 연결되어 있으며, 데이터선(60)의 끝에는 외부로부터 영상 신호를 전달받는 데이터 패드(63)가 연결되어 있다. 또한, 드레인 전극(62)은 공통 신호선(24)과 중첩되어 있는 화소 신호선(64)과 연결되어 있으며, 화소 내에는 화소 신호선(64)으로부터 가로 방향으로 뻗어 있는 화소 전극(68)이 형성되어 있으며, 화소 전극(68) 사이에는 공통 전극(66)이 각각 형성되어 있다.
이러한 제2 실시예에 따른 구조에서는 공통 전극(66)과 화소 전극(68)이 투명한 도전 물질인 ITO로 이루어져 있으므로 개구율이 향상되며, 500Å 정도로 형성되어 단차로 인한 러빙의 불균일로 인한 빛샘 현상을 최소화할 수 있다.
데이터 배선(60, 61, 62, 63)과 화소 배선(64, 68)과 공통 전극(66) 및 데이터 배선으로 가리지 않는 반도체층(40) 위에는 질화 규소 등의 절연 물질로 이루어진 보호막(70)이 형성되어 있으며, 보호막(70)에는 공통 전극(66), 데이터 패드(63) 및 데이터선(60)을 드러내는 접촉 구멍(76, 73, 71) 및 게이트 절연막(30)과 함께 공통 신호선(24)의 네 끝 부분 및 게이트 패드(22)를 드러내는 접촉 구멍(74, 72)이 형성되어 있다.
여기서, 보호막(70)은 평탄화가 좋은 유기막을 사용할 수도 있다.
다음, 보호막(70) 상부에는 접촉 구멍(71, 73)을 통하여 데이터 배선(60, 63)과 연결되어 있는 용장 데이터 배선(90, 93)이 데이터 배선(60, 63)을 따라 형성되어 있다. 또한, 접촉 구멍(72)을 통하여 게이트 패드(22)와 연결되어 있는 용장 게이트 패드(92)가 형성되어 있으며, 접촉 구멍(74, 76)을 통하여 공통 전극(66)과 공통 신호선(24)을 연결하는 제2 공통 신호선 연결부(96)가 공통 신호선(24)과 중첩되어 있다. 이때 제2 공통 신호선 연결부(96)는 화소의 양쪽 가장자리에 세로로 형성되어 있는 공통 신호선(24)도 연결한다. 여기서, 용장 배선(90, 92, 93) 및 제2 공통 신호선 연결부(96)는 게이트 배선(20, 21, 22) 및 공통 배선(24, 28)과 동일하게 크롬의 하부막(901, 921, 931, 961)과 알루미늄-네오비듐 합금막의 상부막(902, 922, 932, 962)으로 이루어져 있다.
이제, 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치 기판을 제조하는 방법에 대해 설명한다. 도 6a 내지 도 9c는 도 3 내지 도 5에 나타난 바와 같은 액정 표시 장치용 기판의 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
먼저, 도 6a 내지 도 6c에 나타난 바와 같이, 유리와 같은 투명한 절연 기판(100)에 500Å 정도의 두께로 크롬(Cr)막과 2,500Å 정도의 두께로 알루미늄-네오비듐(Al-Nd) 합금막을 차례로 증착하고 첫 번째 마스크를 이용하여 패터닝하여 게이트선(20), 게이트 전극(21) 및 게이트 패드(22)로 이루어진 게이트 배선과 세로 방향의 공통 신호선(24) 및 가로 방향의 제1 공통 신호선 연결부(26)로 이루어진 공통 배선을 형성한다. 이 때 게이트 배선용 금속으로는 여러 가지 도전 물질이 이용될 수 있으며 크롬, 알루미늄, 알루미늄 합금, 몰리브덴 등을 이용한 단일막이거나, 이들 금속을 조합한 이중막으로 게이트 배선을 형성할 수도 있다. 여기서, 게이트 배선(20, 21, 22) 및 공통 배선(24, 26)은 크롬의 하부막(211, 221 : 241, 261)과 알루미늄-네오비듐 합금의 상부막(212, 222 : 242, 262)으로 이루어진 이중막으로 이루어진 경우이다. 단면으로 나타나지 않았지만 게이트선도 이중막으로 형성되어 있다.
다음, 도 7a 내지 도 7c에 나타난 바와 같이, 기판의 전면에 질화 규소 또는 유기 절연막 등 절연성 게이트 절연막(30)을 3,000∼5,000Å의 두께로 형성하고, 약 500∼2,000Å 두께의 비정질 규소층(40)과 약 500Å의 두께의 인등의 불순물로 고농도 도핑된 비정질 규소층(50)을 차례로 증착한다. 두 번째 마스크를 이용하여 도핑된 비정질 규소층(50)과 비정질 규소층(40)을 함께 패터닝하여 게이트 전극(21) 위에 섬 모양으로 형성한다.
도 8a 내지 도 8c에 나타난 바와 같이, 투명한 도전 물질인 ITO(indium tin oxide)를 약 1,000Å 또는 그 이하인 500Å 정도로 적층하고 세 번째 마스크를 이용하여 패터닝하여 게이트선(20)과 서로 교차되어 단위 화소를 정의하는 데이터선(60), 소스 및 드레인 전극(61, 62) 및 데이터 패드(63)를 포함하는 데이터 배선과 세로 방향으로 공통 신호선(24)과 중첩되는 화소 신호선(64) 및 화소 신호선(64)과 연결된 가로 방향의 화소 전극(68)으로 화소 배선과 화소 전극(68) 각각의 사이에 공통 전극(66)을 형성한다. 다음, 소스 전극(61)과 드레인 전극(62)으로 가리지 않는 도핑된 비정질 규소층(50)을 식각하여 도핑된 비정질 규소층(50)을 게이트 전극(21) 양쪽으로 분리하여 저항 접촉층(51, 52)을 완성하고, 반도체층(40)을 드러낸다.
다음, 도 9a 내지 도 9c에 도시된 바와 같이, 기판(100)의 전면에 질화 규소 또는 유기 절연막으로 1,500∼2,500Å 두께의 보호막(70)을 형성하고, 네 번째 마스크를 이용한 패터닝 공정으로 보호막(70)과 게이트 절연막(30)을 함께 식각하여 데이터선(60), 게이트 패드(22)의 상부막(222), 데이터 패드(63), 공통 신호선(24)의 상하 끝 네 부분의 상부막(242) 및 공통 전극(66)을 각각 드러내는 접촉 구멍(71, 72, 73, 74, 76)을 형성한다. 이때, 공통 전극(66) 및 화소 전극(68)을 드러낼 수 있다. 그러면, 액정 분자를 구동하기 위하여 두 전극(66, 68)에 인가되는 구동 전압을 낮출 수 있으며, 구동 전압을 낮추는 경우에는 두 전극(66, 68)의 간격을 넓게 형성하여 개구율을 향상시킬 수 있으며, 두 전극(66, 68) 상부에 절연막이 잔류하지 않는 경우에는 잔상을 최소화할 수 있다
마지막으로, 도 3 내지 도 5에서 보는 바와 같이, 저저항 금속인 크롬, 몰리브덴, 몰리브덴 합금 또는 알루미늄, 알루미늄 합금의 단일막 또는 복수의 막을 증착하고, 다섯 번째 마스크를 이용하여 패터닝하여, 데이트선(60), 데이터 패드(63) 및 게이트 패드(22)와 유사한 모양을 가지며, 접촉 구멍(71, 72, 73)을 통하여 각각 서로 연결되는 용장 데이터선(90), 용장 데이터 패드(93) 및 용장 게이트 패드(92)를 형성하는 동시에 접촉 구멍(74, 76)을 통하여 공통 신호선(24)과 공통 전극(66)을 연결하는 제2 공통 신호선 연결부(96)를 형성한다. 여기서도, 용장 배선(90, 92, 93) 및 제2 공통 신호선 연결부(96)는 게이트 배선(20, 21, 22) 및 공통 배선(24, 28)과 동일하게 크롬의 하부막(901, 921, 931, 961)과 알루미늄-네오비듐 합금막의 상부막(902, 922, 932, 962)으로 이루어져 있다.
이후, 기판의 표면에 배향막을 형성하고 액정 물질의 방향성을 주기 위한 러빙 등의 공정을 거치게 되는데, 배향 방향은 제1 실시예와 동일하게 데이터선(60) 및 공통 신호선(24)에 수직하게 배향하는 것이 좋다.
이러한 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에서, 용장 배선(90, 92, 93) 및 제2 공통 신호선 연결부(96)를 덮는 보호막을 추가할 수도 있으며, 이 경우에는 패드부의 상부막(922, 932)을 드러내야 한다. 이때, 화소의 공통 전극(66) 및 화소 전극(68)도 앞에서 설명한 바와 같이 구동 전압 및 잔상을 최소화하고 개구율을 향상시키기 위하여 제1 실시예와 달리 보호막인 절연막을 제거하여 배향막과 공통 전극(66) 및 화소 전극(68)이 서로 직접 접하도록 형성하는 것이 좋다.
또한, 게이트선(20)과 제2 공통 신호선 연결부(96)를 다른 층에 형성함으로써, 이들을 보다 인접하게 형성할 수 있어 화소의 긴 방향으로 개구율을 향상시킬 수 있다. 또한, 화소 신호선(64)이 화소의 긴 방향으로 형성되어, 이에 중첩하는 공통 신호선(24)을 좁은 폭으로 형성하더라도 충분하게 유지 용량을 확보할 수 있어 공통 신호선(24) 및 화소 신호선(64)의 폭을 좁게 형성하여 화소의 짧은 방향으로 개구율을 향상시킬 수 있다.
또한, 게이트선(20)이 이에 인접한 제2 공통 신호선 연결부(96)의 하부에 위치하므로 측면 크로스 토크의 원인이 되는 입사광의 경로를 변화시켜 블랙 매트릭스에 의해 차단되도록 함으로써 측면 크로스 토크를 제거할 수 있다.
또한, 제1 실시예에서 설명한 바와 같이, 공통 신호선(24)을 데이터선(60)과 평행하게 화소의 긴 방향으로 형성하고, 이에 수직하며 게이트선(20)에 평행하게 액정 분자를 초기 배향하여 데이터선에 인접한 부분에서 발생하는 측면 크로스 토크를 제거할 수 있다. 이와 같이, 데이터선(60)과 이에 인접한 공통 신호선(24)을 서로 중첩시키지 않으면서 크로스 토크를 제거할 수 있어 이들 사이에서 발생하는 기생 용량을 최소화할 수 있다. 따라서, 데이터선(60)을 통하여 전달되는 신호에 대한 지연을 줄일 수 있어 대화면의 액정 표시 장치에 적용할 수 있다. 또한, 공통 신호선(24)을 통하여 전달되는 공통 신호도 왜곡되지 않게 되고, 이에 따라 잔상 또는 플릭커(flicker) 현상도 줄일 수 있다.
본 발명의 실시예에서와 같이, 공통 신호선을 데이터선과 평행하게 화소의 긴 방향으로 형성하여 개구율을 향상시킬 수 있으며, 빛샘 현상을 줄일 수 있는 동시에 신호에 대한 지연 또는 왜곡을 줄일 수 있다. 또한, 공통 전극 및 화소 전극을 투명한 도전 물질로 형성하여 개구율을 향상시킬 수 있으며, 이들의 상부에 절연 물질을 제거하여 잔상 또는 구동 전압을 최소화할 수 있다. 또한, 공통 전극 및 화소 전극을 화소의 긴 방향으로 배열함으로써 이들의 수를 용이하게 조절할 수 있다.
Claims (14)
- 투명 기판 위에 형성되어 있는 게이트선,상기 기판 위에 형성되어 있으며, 상기 게이트선과 절연되어 교차하는 데이터선,상기 게이트선과 상기 데이터선의 교차로 정의되며, 상기 데이터선과 평행하게 형성되어 있는 공통 신호선의 분지인 선형의 공통 전극과 상기 공통 전극과 일정한 간격을 두고 마주하는 선형의 화소 전극이 형성되어 있는 화소,상기 게이트선, 데이터선, 화소 전극에 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극이 각각 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 그리고상기 기판 위에 형성되어 있으며, 상기 공통 전극 및 상기 화소 전극에 의해 구동되는 액정 분자를 상기 데이터선에 대하여 수직 방향으로 배향되도록 러빙되어 있는 배향막을 포함하는 액정 표시 장치.
- 제1항에서,상기 공통 전극과 상기 화소 전극은 상기 게이트선과 평행하지 않은 액정 표시 장치.
- 제2항에서,상기 공통 전극과 상기 화소 전극은 상기 게이트선에 대하여 5~45° 기울어진 액정 표시 장치.
- 제1항에서,상기 데이터선과 상기 공통 신호선은 중첩하지 않은 액정 표시 장치.
- 제3항 또는 제4항에서,상기 게이트선과 상기 러빙 방향은 서로 평행한 액정 표시 장치.
- 제1항에서,상기 공통 전극과 상기 화소 전극은 상기 게이트선과 평행한 액정 표시 장치.
- 제1항에서,상기 화소 전극과 연결되어 있는 화소 신호선을 더 포함하며,상기 화소 신호선은 상기 공통 신호선과 중첩되어 있는 액정 표시 장치.
- 제1항에서,상기 공통 전극과 상기 화소 전극은 동일한 층으로 형성되어 있으며, ITO로 이루어진 액정 표시 장치,
- 제8항에서,상기 데이터선의 끝에 형성되어 있는 데이터 패드를 더 포함하며,상기 게이트선의 끝에 형성되어 있는 게이트 패드를 더 포함하는 액정 표시 장치.
- 제9항에서,상기 데이터선과 중첩되어 나란히 형성되어 있으며, 상기 데이터선과 연결되어 있는 용장 데이터선,상기 용장 데이터선과 같은 도전 물질층으로 이루어져 있는 용장 데이터 패드 및 용장 게이트 패드를 더 포함하며,상기 데이터 패드 및 상기 게이트 패드와 상기 용장 데이터 패드 및 상기 용장 게이트 패드는 서로 각각 연결되어 있는 액정 표시 장치.
- 제10항에서,상기 데이터선 또는 용장 데이터선 중 적어도 하나는 상기 화소 전극과 같은 층으로 형성되어 있는 액정 표시 장치.
- 제11항에서,상기 화소 전극 및 상기 공통 전극의 두께는 1,000Å 이하인 액정 표시 장치.
- 제12항에서,상기 화소 전극과 상기 공통 전극은 상기 배향막과 직접 접하는 액정 표시 장치.
- 제1항에서,상기 화소는 상기 게이트선 방향의 길이보다 상기 데이터선 방향의 길이가 긴 액정 표시 장치.
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