JPH05224186A - 反射型液晶表示装置 - Google Patents
反射型液晶表示装置Info
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- JPH05224186A JPH05224186A JP2554592A JP2554592A JPH05224186A JP H05224186 A JPH05224186 A JP H05224186A JP 2554592 A JP2554592 A JP 2554592A JP 2554592 A JP2554592 A JP 2554592A JP H05224186 A JPH05224186 A JP H05224186A
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- substrate
- display device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は反射型カラー液晶表示装置に関し、
製造工程が簡単で不具合の少ない高品質な反射型カラー
液晶表示装置を提供することを目的とする。 【構成】 本発明による反射型カラー液晶表示装置は、
光反射面を有する画素電極を表面に形成した第１の基板
と、前記第１の基板の画素電極の前記光反射面上に形成
したカラーフィルタと、前記第１の基板と所定間隔を保
って対向配置され前記第１の基板の前記光反射面と対向
する表面に透明電極を形成した第２の透明基板と、前記
第１と第２の基板間に配置され、前記第１と第２の基板
の電極間の電界に依存して光透過状態と光散乱状態とに
選択的に状態変化する高分子分散型液晶層とを有する。
製造工程が簡単で不具合の少ない高品質な反射型カラー
液晶表示装置を提供することを目的とする。 【構成】 本発明による反射型カラー液晶表示装置は、
光反射面を有する画素電極を表面に形成した第１の基板
と、前記第１の基板の画素電極の前記光反射面上に形成
したカラーフィルタと、前記第１の基板と所定間隔を保
って対向配置され前記第１の基板の前記光反射面と対向
する表面に透明電極を形成した第２の透明基板と、前記
第１と第２の基板間に配置され、前記第１と第２の基板
の電極間の電界に依存して光透過状態と光散乱状態とに
選択的に状態変化する高分子分散型液晶層とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は反射型液晶表示装置に関
し、高分子分散型液晶を使用する液晶表示装置に関す
る。
し、高分子分散型液晶を使用する液晶表示装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術によるカラー液晶表示装置は
通常は透過型が一般的であり、偏光板と組み合わせて光
のオン／オフを制御する。従来の透過型カラー液晶表示
は、２枚の透明ガラス基板を対向配置して、その基板間
に液晶を配置する。
通常は透過型が一般的であり、偏光板と組み合わせて光
のオン／オフを制御する。従来の透過型カラー液晶表示
は、２枚の透明ガラス基板を対向配置して、その基板間
に液晶を配置する。
【０００３】一方の基板の表面には薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）のような駆動素子とＩＴＯ（インジウム錫酸
化物）などで形成した透明画素電極等を形成し、他方の
基板の表面に共通電極および画素電極と対向するカラー
フィルタ層を形成する。画素電極と共通電極間の所定電
圧条件で液晶セルを光透過状態とし、液晶層を透過した
光がカラーフィルタ層も透過することによりカラー表示
を行なう。
（ＴＦＴ）のような駆動素子とＩＴＯ（インジウム錫酸
化物）などで形成した透明画素電極等を形成し、他方の
基板の表面に共通電極および画素電極と対向するカラー
フィルタ層を形成する。画素電極と共通電極間の所定電
圧条件で液晶セルを光透過状態とし、液晶層を透過した
光がカラーフィルタ層も透過することによりカラー表示
を行なう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の透過型カラー液
晶表示装置では透明ガラス基板の一方にＴＦＴのような
駆動素子を形成する工程の他に、それらの材料とは別の
ＩＴＯ等による透明画素電極を形成するための工程が必
要であり、そのためのフォトマスクや治具のような設
備、ならびに、ＩＴＯスパッタ、パターニングといった
工程の時間が必要であり、工程数が多い分、不具合発生
の機会も多かった。
晶表示装置では透明ガラス基板の一方にＴＦＴのような
駆動素子を形成する工程の他に、それらの材料とは別の
ＩＴＯ等による透明画素電極を形成するための工程が必
要であり、そのためのフォトマスクや治具のような設
備、ならびに、ＩＴＯスパッタ、パターニングといった
工程の時間が必要であり、工程数が多い分、不具合発生
の機会も多かった。
【０００５】本発明は、製造工程が簡単で不具合の少な
い高品質な反射型カラー液晶表示装置を提供することを
目的とする。
い高品質な反射型カラー液晶表示装置を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による反射型カラ
ー液晶表示装置においては、光反射面を有する画素電極
を表面に形成した第１の基板と、前記第１の基板の画素
電極の前記光反射面上に形成したカラーフィルタと、前
記第１の基板と所定間隔を保って対向配置され前記第１
の基板の前記光反射面と対向する表面に透明電極を形成
した第２の透明基板と、前記第１と第２の基板間に配置
され、前記第１と第２の基板の電極間の電界に依存して
光透過状態と光散乱状態とに選択的に状態変化する高分
子分散型液晶層とを有する。
ー液晶表示装置においては、光反射面を有する画素電極
を表面に形成した第１の基板と、前記第１の基板の画素
電極の前記光反射面上に形成したカラーフィルタと、前
記第１の基板と所定間隔を保って対向配置され前記第１
の基板の前記光反射面と対向する表面に透明電極を形成
した第２の透明基板と、前記第１と第２の基板間に配置
され、前記第１と第２の基板の電極間の電界に依存して
光透過状態と光散乱状態とに選択的に状態変化する高分
子分散型液晶層とを有する。
【０００７】
【作用】透明画素電極の代わりに光を反射する画素電極
を反射面として利用する。液晶として高分子分散型液晶
を用いて、電界に応じて光分散状態と光透過状態との間
を制御する。光分散状態では入射光は反射面に達するこ
となく散乱され、白表示を行なう。光透過状態では、入
射した光がカラーフィルタを通過して画素電極の反射面
で反射してカラー表示を行う。
を反射面として利用する。液晶として高分子分散型液晶
を用いて、電界に応じて光分散状態と光透過状態との間
を制御する。光分散状態では入射光は反射面に達するこ
となく散乱され、白表示を行なう。光透過状態では、入
射した光がカラーフィルタを通過して画素電極の反射面
で反射してカラー表示を行う。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照して発明による反射型カラ
ー液晶表示装置の実施例を説明する。
ー液晶表示装置の実施例を説明する。
【０００９】図１は本発明の実施例による反射型カラー
液晶表示装置の液晶セルのほぼ１画素分の部分断面図で
ある。また、図２はこのカラー液晶表示装置の液晶セル
の一部平面図である。なお、図１は図２のＩ−Ｉにおけ
る断面図である。
液晶表示装置の液晶セルのほぼ１画素分の部分断面図で
ある。また、図２はこのカラー液晶表示装置の液晶セル
の一部平面図である。なお、図１は図２のＩ−Ｉにおけ
る断面図である。
【００１０】ガラス基板１の表面上にＴｉ（チタン）あ
るいはＣｒ（クロム）材をスパッタにより全面に堆積
し、ゲートバスライン２およびゲート電極１２のパター
ンでパターニングする。次に、その上からゲート絶縁膜
３、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）材による半導体
層４をＰＣＶＤ法により連続して堆積し、半導体層４を
トランジスタのパターンでパターニングする。
るいはＣｒ（クロム）材をスパッタにより全面に堆積
し、ゲートバスライン２およびゲート電極１２のパター
ンでパターニングする。次に、その上からゲート絶縁膜
３、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）材による半導体
層４をＰＣＶＤ法により連続して堆積し、半導体層４を
トランジスタのパターンでパターニングする。
【００１１】さらに、Ａｌ材のスパッタ膜を堆積後、ソ
ース電極１５、ソースバスライン５並びにドレイン電極
６と画素電極１６とを電極パターンでパターニングす
る。従来のＩＴＯによる画素電極とは異なり、本実施例
の画素電極１６はドレイン電極６と同じ金属材料で一体
に同時に形成される。また、画素電極１６は高反射率を
有するＡｌ等の金属材であるためにその表面は光を反射
する反射面となる。なお、画素電極１６は、反射面を形
成できればよく、鏡面である必要はない。
ース電極１５、ソースバスライン５並びにドレイン電極
６と画素電極１６とを電極パターンでパターニングす
る。従来のＩＴＯによる画素電極とは異なり、本実施例
の画素電極１６はドレイン電極６と同じ金属材料で一体
に同時に形成される。また、画素電極１６は高反射率を
有するＡｌ等の金属材であるためにその表面は光を反射
する反射面となる。なお、画素電極１６は、反射面を形
成できればよく、鏡面である必要はない。
【００１２】さらに、画素電極１６の上にＲ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）等のカラーフィルタ層７を形成する。
また、もう一つの透明ガラス基板８の表面にＩＴＯをス
パッタ法により堆積して共通電極９のパターンでパター
ニングする。
（緑）、Ｂ（青）等のカラーフィルタ層７を形成する。
また、もう一つの透明ガラス基板８の表面にＩＴＯをス
パッタ法により堆積して共通電極９のパターンでパター
ニングする。
【００１３】両基板１と８は所定間隔を保って対向配置
され、その間に配向処理が不要な高分子分散型液晶層１
０が配置される。高分子分散型液晶は、図３に示すよう
に液晶分子の固まりが球状の小滴１１に包まれてポリマ
ー中に分散しているＮＣＡＰ、ＰＤＬＣ等と呼ばれるも
のである。このような液晶は、たとえばＳＩＤ１６（１
９８５）６８、Appl.Phys.Lett.４８（１９８６）２６
９等に報告されている。たとえば、樹脂としては紫外線
硬化タイプでＮＯＡ６５（ノーランド）、ＵＶ１００３
（ソニーケミカル）等、液晶としてはＢＬ００１（メル
ク）等を用いることができる。
され、その間に配向処理が不要な高分子分散型液晶層１
０が配置される。高分子分散型液晶は、図３に示すよう
に液晶分子の固まりが球状の小滴１１に包まれてポリマ
ー中に分散しているＮＣＡＰ、ＰＤＬＣ等と呼ばれるも
のである。このような液晶は、たとえばＳＩＤ１６（１
９８５）６８、Appl.Phys.Lett.４８（１９８６）２６
９等に報告されている。たとえば、樹脂としては紫外線
硬化タイプでＮＯＡ６５（ノーランド）、ＵＶ１００３
（ソニーケミカル）等、液晶としてはＢＬ００１（メル
ク）等を用いることができる。
【００１４】この液晶層は、電界を与えない状態では各
球状小滴の配向方向がバラバラであり、したがってその
状態では図３の（ａ）で示すように入射光Ｉは小滴１１
の液晶でランダムな方向に分散させられる。また所定の
電界を与えると、すべての小滴１１の配向方向が図３の
（ｂ）で示すように一定方向にそろうために入射光Ｉは
透過する。
球状小滴の配向方向がバラバラであり、したがってその
状態では図３の（ａ）で示すように入射光Ｉは小滴１１
の液晶でランダムな方向に分散させられる。また所定の
電界を与えると、すべての小滴１１の配向方向が図３の
（ｂ）で示すように一定方向にそろうために入射光Ｉは
透過する。
【００１５】なお、高分子分散型液晶としては、光散乱
相と光透過相を有するものであればよく、液晶分子が高
分子壁によってランダムな状態で配向し、ポリマーネッ
トワーク構造中に連続層を形成したＰＮＬＣＤ等、他の
種類のものを利用することもできる。
相と光透過相を有するものであればよく、液晶分子が高
分子壁によってランダムな状態で配向し、ポリマーネッ
トワーク構造中に連続層を形成したＰＮＬＣＤ等、他の
種類のものを利用することもできる。
【００１６】図４の（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞ
れ、白表示状態、色表示状態および黒表示状態の液晶セ
ルの断面を示す。共通電極９と画素電極１６の間に電界
を与えない状態では、入射光Ｉは高分子分散型液晶層１
０で散乱されて基板８側から見ると図４（ａ）に示すよ
うに全面白色表示となる。
れ、白表示状態、色表示状態および黒表示状態の液晶セ
ルの断面を示す。共通電極９と画素電極１６の間に電界
を与えない状態では、入射光Ｉは高分子分散型液晶層１
０で散乱されて基板８側から見ると図４（ａ）に示すよ
うに全面白色表示となる。
【００１７】共通電極９と赤用画素電極１６ａの間に所
定の電界を与えると、図４（ｂ）に示すように、入射光
Ｉは高分子分散型液晶層１０を透過してカラーフィルタ
層７ａを透過し、さらに画素電極１６ａの表面で反射し
て再び、カラーフィルタ層７ａと液晶層１０を透過して
カラーフィルタ層７ａの色を帯びた赤色反射光となって
戻る。
定の電界を与えると、図４（ｂ）に示すように、入射光
Ｉは高分子分散型液晶層１０を透過してカラーフィルタ
層７ａを透過し、さらに画素電極１６ａの表面で反射し
て再び、カラーフィルタ層７ａと液晶層１０を透過して
カラーフィルタ層７ａの色を帯びた赤色反射光となって
戻る。
【００１８】なお、緑と青のカラーフィルタ層の上では
光が散乱されて白色となる。従って、それらＲ，Ｇ，Ｂ
で１組みの単位画素の表示色は図４（ｂ）に示すように
赤色表示となる。
光が散乱されて白色となる。従って、それらＲ，Ｇ，Ｂ
で１組みの単位画素の表示色は図４（ｂ）に示すように
赤色表示となる。
【００１９】同様に、緑用画素電極１６ｂに電圧を与え
たときは緑色表示がされ、青用画素電極１６ｃに電圧を
与えたときは青色表示される。Ｒ，Ｇ，Ｂの電極１６
ａ、１６ｂ、１６ｃすべてに電圧を与えると、赤、緑、
青のすべてのカラーフィルタ７ａ、７ｂ、７ｃで入射光
が反射し、その反射光が合成されて図４（ｃ）に示すよ
うに黒表示となる。
たときは緑色表示がされ、青用画素電極１６ｃに電圧を
与えたときは青色表示される。Ｒ，Ｇ，Ｂの電極１６
ａ、１６ｂ、１６ｃすべてに電圧を与えると、赤、緑、
青のすべてのカラーフィルタ７ａ、７ｂ、７ｃで入射光
が反射し、その反射光が合成されて図４（ｃ）に示すよ
うに黒表示となる。
【００２０】従って、図２に示すように３原色Ｒ，Ｇ，
Ｂのカラーフィルタ層を配置すれば、カラー画像表示が
可能である。カラーフィルタを黒とすれば、モノクロ表
示を行うこともできる。
Ｂのカラーフィルタ層を配置すれば、カラー画像表示が
可能である。カラーフィルタを黒とすれば、モノクロ表
示を行うこともできる。
【００２１】また、高分子分散型液晶を図３の（ａ）と
（ｂ）の状態の他にその中間状態を持つ特性の材料を選
ぶことにより、光透過率が図３の（ａ）と（ｂ）の状態
の中間の状態を作ることができる。その場合には中間階
調表示も可能である。
（ｂ）の状態の他にその中間状態を持つ特性の材料を選
ぶことにより、光透過率が図３の（ａ）と（ｂ）の状態
の中間の状態を作ることができる。その場合には中間階
調表示も可能である。
【００２２】図１のＴＦＴの高さとカラーフィルタの高
さを同じにすることでセル厚制御を容易にすることがで
きる。以上説明した本発明の実施例は単なる例示であ
り、当業者であれば上記説明に基づいて種々の改良や変
更が可能であることは明らかであろう。
さを同じにすることでセル厚制御を容易にすることがで
きる。以上説明した本発明の実施例は単なる例示であ
り、当業者であれば上記説明に基づいて種々の改良や変
更が可能であることは明らかであろう。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、新規な動作原理による
カラー液晶表示装置が得られる。高分子分散型液晶を用
いた反射型カラー液晶表示装置としたことにより、画素
電極は駆動素子の電極材料と同一材料で同一工程におい
て形成できる。このため、画素電極形成のための工程を
簡単化し、工程数を減少することができる。
カラー液晶表示装置が得られる。高分子分散型液晶を用
いた反射型カラー液晶表示装置としたことにより、画素
電極は駆動素子の電極材料と同一材料で同一工程におい
て形成できる。このため、画素電極形成のための工程を
簡単化し、工程数を減少することができる。
【００２４】また、透明画素電極作成工程のための設備
が不要となり、不良発生の機会も減少するので生産性と
品質が向上する。また、駆動素子の電極材料を画素電極
としたことにより反射膜をわざわざ形成する必要がなく
なる。
が不要となり、不良発生の機会も減少するので生産性と
品質が向上する。また、駆動素子の電極材料を画素電極
としたことにより反射膜をわざわざ形成する必要がなく
なる。
【図１】 本発明の実施例による反射型カラー液晶表示
装置の液晶セルの一部断面図である。
装置の液晶セルの一部断面図である。
【図２】 本発明の実施例による反射型カラー液晶表示
装置の液晶セルの一部平面図である。
装置の液晶セルの一部平面図である。
【図３】 高分子分散型液晶の光分散と光透過の状態を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図４】 反射型カラー液晶表示装置の表示状態を説明
するための液晶セルの断面図である。
するための液晶セルの断面図である。
１，８ ガラス基板 ２ ゲートバスライン ３ ゲート絶縁膜 ４ ａ−Ｓｉ半導体層 ５ ソースバスライン ６ ドレイン電極 ７ カラーフィルタ ９ 共通電極 １０ 高分子分散型液晶層 １１ 液晶小滴 １２ ゲート電極 １５ ソース電極 １６ 画素電極
Claims (2)
- 【請求項１】 光反射面を有する画素電極を表面に形成
した第１の基板と、 前記第１の基板の画素電極の前記光反射面上に形成した
カラーフィルタと、 前記第１の基板と所定間隔を保って対向配置され、前記
第１の基板の前記光反射面と対向する表面に透明電極を
形成した第２の透明基板と、 前記第１と第２の基板間に配置され、前記第１と第２の
基板の電極間の電界に依存して光透過状態と光散乱状態
とに選択的に状態変化する高分子分散型液晶層とを有す
る反射型液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記第１の基板には前記画素電極を駆動
する薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタ
の電極と前記画素電極とを同一材料で一体に形成してな
る請求項１記載の反射型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2554592A JPH05224186A (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | 反射型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2554592A JPH05224186A (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | 反射型液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05224186A true JPH05224186A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12168953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2554592A Withdrawn JPH05224186A (ja) | 1992-02-12 | 1992-02-12 | 反射型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05224186A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6154264A (en) * | 1996-07-22 | 2000-11-28 | Nec Corporation | Reflective liquid crystal display with gate covering semiconductor and reflector isolated from pixel electrode |
| KR20010058191A (ko) * | 1999-12-24 | 2001-07-05 | 박종섭 | 반사형 액정 표시 장치 |
| KR100623976B1 (ko) * | 1999-06-17 | 2006-09-13 | 삼성전자주식회사 | 반사형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR100686218B1 (ko) * | 1998-01-21 | 2007-05-14 | 삼성전자주식회사 | 반사형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2012032540A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置 |
-
1992
- 1992-02-12 JP JP2554592A patent/JPH05224186A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6154264A (en) * | 1996-07-22 | 2000-11-28 | Nec Corporation | Reflective liquid crystal display with gate covering semiconductor and reflector isolated from pixel electrode |
| KR100686218B1 (ko) * | 1998-01-21 | 2007-05-14 | 삼성전자주식회사 | 반사형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100623976B1 (ko) * | 1999-06-17 | 2006-09-13 | 삼성전자주식회사 | 반사형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR20010058191A (ko) * | 1999-12-24 | 2001-07-05 | 박종섭 | 반사형 액정 표시 장치 |
| JP2012032540A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |