JP2806741B2 - カラー液晶ディスプレイ - Google Patents
カラー液晶ディスプレイInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、カラー液晶ディスプレ
イに関し、特に対向する２枚の透明基板の一方に、スイ
ッチング素子をアレイ状に配置したアクティブマトリク
スカラー液晶ディスプレイに関する。
イに関し、特に対向する２枚の透明基板の一方に、スイ
ッチング素子をアレイ状に配置したアクティブマトリク
スカラー液晶ディスプレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶ディスプレイ（以下ＬＣＤと
略す）、特にアクティブマトリクスＬＣＤ（以下ＡＭ−
ＬＣＤと略す）では図５に見られるように、信号線５１
と走査線５２の交点に、各単位画素５３に対応するスイ
ッチング素子５４を、アレイ状に配置する構造を有す
る。スイッチング素子５４は、各単位画素５３を個々独
立にＯＮ／ＯＦＦさせる機能を有し、従来のＡＭ−ＬＣ
Ｄでは薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと略す）や、Meta
l-Insulator-Metal ダイオード（以下ＭＩＭダイオード
と略す）等がスイッチング素子として利用されている。
略す）、特にアクティブマトリクスＬＣＤ（以下ＡＭ−
ＬＣＤと略す）では図５に見られるように、信号線５１
と走査線５２の交点に、各単位画素５３に対応するスイ
ッチング素子５４を、アレイ状に配置する構造を有す
る。スイッチング素子５４は、各単位画素５３を個々独
立にＯＮ／ＯＦＦさせる機能を有し、従来のＡＭ−ＬＣ
Ｄでは薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと略す）や、Meta
l-Insulator-Metal ダイオード（以下ＭＩＭダイオード
と略す）等がスイッチング素子として利用されている。
【０００３】図６及び図７を用いてＴＦＴを利用したカ
ラーＡＭ−ＬＣＤについて説明する。カラーＡＭ−ＬＣ
Ｄでは、図６に見られるように、ＴＦＴアレイ基板１
と、カラー表示機能をもたせるために透明基板２１に着
色層２２を重ねたカラーフィルター基板（以下ＣＦ基板
と略す）２を対向させて、両基板間に液晶３をはこみ込
む。液晶３はＴＦＴアレイ基板１及びＣＦ基板２の上に
形成された配向膜４上に分子の光軸が一定方向を向くよ
うに配向される。ＴＦＴアレイ基板１上のＴＦＴ素子１
２は、透明基板１１上に、ゲート電極１３、絶縁膜１
４、アモルファスＳｉ１５、ドレイン電極１６、ソース
電極１７、及びカバー絶縁膜１８を有し、ソース電極１
７には透明表示電極１９を接続する。図５の信号線５１
がドレイン電極１６に、走査線５２がゲート電極１３
に、スイッチング素子５４がＴＦＴ素子１２に、単位画
素５３が透面表示電極１９に相当する。
ラーＡＭ−ＬＣＤについて説明する。カラーＡＭ−ＬＣ
Ｄでは、図６に見られるように、ＴＦＴアレイ基板１
と、カラー表示機能をもたせるために透明基板２１に着
色層２２を重ねたカラーフィルター基板（以下ＣＦ基板
と略す）２を対向させて、両基板間に液晶３をはこみ込
む。液晶３はＴＦＴアレイ基板１及びＣＦ基板２の上に
形成された配向膜４上に分子の光軸が一定方向を向くよ
うに配向される。ＴＦＴアレイ基板１上のＴＦＴ素子１
２は、透明基板１１上に、ゲート電極１３、絶縁膜１
４、アモルファスＳｉ１５、ドレイン電極１６、ソース
電極１７、及びカバー絶縁膜１８を有し、ソース電極１
７には透明表示電極１９を接続する。図５の信号線５１
がドレイン電極１６に、走査線５２がゲート電極１３
に、スイッチング素子５４がＴＦＴ素子１２に、単位画
素５３が透面表示電極１９に相当する。
【０００４】ＣＦ基板２は、透明基板２１、遮光膜２
３、着色層２２、透明電極２４からなる。遮光膜２３
は、通常ＴＦＴアレイ基板１に対向させた場合、ＴＦＴ
素子１２、ゲート電極１３、ドレイン電極１６の上部に
位置するように設置され、光透過用の開口部が設けられ
る。遮光膜２３の材質は金属、樹脂などである。着色層
２２は樹脂等で形成され、赤、緑、青の各着色層が規則
正しく配列されている。また着色層２２は、さらに樹脂
によって被覆される場合がある。配列の規則はカラーＬ
ＣＤの用途（ＴＶ用、ＯＡ機器用等）によって、モザイ
ク型、トライアングル型、ストライプ型などがあるが、
ストライプ型の場合の平面透過図を図７に示す。
３、着色層２２、透明電極２４からなる。遮光膜２３
は、通常ＴＦＴアレイ基板１に対向させた場合、ＴＦＴ
素子１２、ゲート電極１３、ドレイン電極１６の上部に
位置するように設置され、光透過用の開口部が設けられ
る。遮光膜２３の材質は金属、樹脂などである。着色層
２２は樹脂等で形成され、赤、緑、青の各着色層が規則
正しく配列されている。また着色層２２は、さらに樹脂
によって被覆される場合がある。配列の規則はカラーＬ
ＣＤの用途（ＴＶ用、ＯＡ機器用等）によって、モザイ
ク型、トライアングル型、ストライプ型などがあるが、
ストライプ型の場合の平面透過図を図７に示す。
【０００５】次にＴＦＴを、スイッチング素子としたカ
ラーＡＭ−ＬＣＤの動作の概略を図６を参照して述べ
る。ゲート電極１３に電圧をかけると、アモルファスＳ
ｉ１５内にチャネルが形成され、ソース電極１７及び透
明表示電極１９は、ドレイン電極１６と同電位になる。
ドレイン電極１６から透明表示電極１９に注入された電
荷は、ゲート電極１３の電圧を切って、アモルファスＳ
ｉ１５内のチャネルが消滅した後も、透明表示電極１９
と、ＣＦ基板２の透明電極２４間をコンデンサとなし
て、一定時間保持される。アモルファスＳｉ１５内に、
チャネルが形成されない間は、透明表示電極１９と、透
明電極２４間の電位は、ドレイン電圧の変化に影響を受
けない。液晶３は、透明表示電極１９と、透明電極２４
間の電位差に従って、配向方向を変化させる。すなわ
ち、液晶分子の光軸方向が、電位差に従って変化するこ
とになり、透明表示電極１９と、透明電極２４間の光透
過率が電位差に依存して変化する。色表示は赤、緑、青
の着色層を透過した、各々の色の透過光の混合として表
現されるので、各単位画素部（＝透面素子電極１９）の
光透過量の変化が色変化として対応する。このように、
カラーＡＭ−ＬＣＤでは個々の単位画素を独立して駆動
させ、カラー表示をすることができる。
ラーＡＭ−ＬＣＤの動作の概略を図６を参照して述べ
る。ゲート電極１３に電圧をかけると、アモルファスＳ
ｉ１５内にチャネルが形成され、ソース電極１７及び透
明表示電極１９は、ドレイン電極１６と同電位になる。
ドレイン電極１６から透明表示電極１９に注入された電
荷は、ゲート電極１３の電圧を切って、アモルファスＳ
ｉ１５内のチャネルが消滅した後も、透明表示電極１９
と、ＣＦ基板２の透明電極２４間をコンデンサとなし
て、一定時間保持される。アモルファスＳｉ１５内に、
チャネルが形成されない間は、透明表示電極１９と、透
明電極２４間の電位は、ドレイン電圧の変化に影響を受
けない。液晶３は、透明表示電極１９と、透明電極２４
間の電位差に従って、配向方向を変化させる。すなわ
ち、液晶分子の光軸方向が、電位差に従って変化するこ
とになり、透明表示電極１９と、透明電極２４間の光透
過率が電位差に依存して変化する。色表示は赤、緑、青
の着色層を透過した、各々の色の透過光の混合として表
現されるので、各単位画素部（＝透面素子電極１９）の
光透過量の変化が色変化として対応する。このように、
カラーＡＭ−ＬＣＤでは個々の単位画素を独立して駆動
させ、カラー表示をすることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この従来のＴＦＴをス
イッチング素子とした、カラーＡＭ−ＬＣＤ（以下カラ
ーＴＦＴＬＣＤと称す）は、カラーＴＦＴＬＣＤ内に入
射する光によって、ＴＦＴ素子内に、光電流によるチャ
ネルが形成され、単位画素部に保持された電圧が変化す
るという問題点を有す。特に、ＣＦ基板上に遮光膜を有
するカラーＴＦＴＬＣＤでは、遮光膜からの反射光がア
モルファスＳｉ内部に光電流を生じさせるという問題点
がある。光電流によりチャネルが形成され、単位画素部
の電圧が変化すると、所望の光透過率が得られないこと
になり、表示画面上は色むらといった欠陥となり現れ
る。
イッチング素子とした、カラーＡＭ−ＬＣＤ（以下カラ
ーＴＦＴＬＣＤと称す）は、カラーＴＦＴＬＣＤ内に入
射する光によって、ＴＦＴ素子内に、光電流によるチャ
ネルが形成され、単位画素部に保持された電圧が変化す
るという問題点を有す。特に、ＣＦ基板上に遮光膜を有
するカラーＴＦＴＬＣＤでは、遮光膜からの反射光がア
モルファスＳｉ内部に光電流を生じさせるという問題点
がある。光電流によりチャネルが形成され、単位画素部
の電圧が変化すると、所望の光透過率が得られないこと
になり、表示画面上は色むらといった欠陥となり現れ
る。
【０００７】通常、光電流によるチャネルの形成を抑制
するため、ゲート電極に逆電圧をかけるが、そのため多
大な駆動電力を要するという問題がある。遮光膜は、ゲ
ート電極、ドレイン電極からの横電界による、液晶の配
向異常に伴う表示不良（以下ディスクリネーションと称
する）を、表示画面から遮蔽するため不可欠のものであ
る。特開昭６２−２５０４１６号のように、ＴＦＴ側に
遮光層を設けたり、ＣＦ側の遮光膜を廃し、着色層の重
なりで遮光しようという試みもあるが、十分な遮光効果
を得るためには、着色層の重なりを十分厚くしなければ
ならず、段差によるディスクリネーション発生の可能性
が考えられるので好ましくない。
するため、ゲート電極に逆電圧をかけるが、そのため多
大な駆動電力を要するという問題がある。遮光膜は、ゲ
ート電極、ドレイン電極からの横電界による、液晶の配
向異常に伴う表示不良（以下ディスクリネーションと称
する）を、表示画面から遮蔽するため不可欠のものであ
る。特開昭６２−２５０４１６号のように、ＴＦＴ側に
遮光層を設けたり、ＣＦ側の遮光膜を廃し、着色層の重
なりで遮光しようという試みもあるが、十分な遮光効果
を得るためには、着色層の重なりを十分厚くしなければ
ならず、段差によるディスクリネーション発生の可能性
が考えられるので好ましくない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】 本発明は、カラー液晶
ディスプレイにおいて、対向する２枚の透明基板のうち
一方が、少なくとも透明基板上に所定パターンで形成さ
れる遮光膜と、前記透明基板上に、前記遮光膜の一部を
覆う形で形成され、かつ他の色の着色層と互いに重なる
部分を持つ、各々赤、緑、青の着色層と透明電極とを有
するカラー液晶ディスプレイである。本発明のカラー液
晶ディスプレイは、ＣＦ基板の、対向するＴＦＴアレイ
基板上に形成した、ＴＦＴ素子と対向する部分の着色層
を、複数層重ねるという構造を有し着色層の上に形成さ
れた透明電極の液晶に接する側の表面がディスクリネー
ションが発生しないように平坦化されている。さらに前
記遮光膜上の各着色膜の厚さは透明基板上に直接形成さ
れた着色層の厚みより薄い。また、着色層の重なり部分
のみに、着色層表面に故意に凹凸を形成する場合もあ
る。
ディスプレイにおいて、対向する２枚の透明基板のうち
一方が、少なくとも透明基板上に所定パターンで形成さ
れる遮光膜と、前記透明基板上に、前記遮光膜の一部を
覆う形で形成され、かつ他の色の着色層と互いに重なる
部分を持つ、各々赤、緑、青の着色層と透明電極とを有
するカラー液晶ディスプレイである。本発明のカラー液
晶ディスプレイは、ＣＦ基板の、対向するＴＦＴアレイ
基板上に形成した、ＴＦＴ素子と対向する部分の着色層
を、複数層重ねるという構造を有し着色層の上に形成さ
れた透明電極の液晶に接する側の表面がディスクリネー
ションが発生しないように平坦化されている。さらに前
記遮光膜上の各着色膜の厚さは透明基板上に直接形成さ
れた着色層の厚みより薄い。また、着色層の重なり部分
のみに、着色層表面に故意に凹凸を形成する場合もあ
る。
【０００９】
【作用】 着色層を複数層重ねることによって、光の吸
収率を大きくし、遮光膜からの反射を低減するという効
果が得られる。遮光膜を覆う部分の着色層を全領域にわ
たって重ねると、それによる段差を原因とするディスク
リネーションが発生する。これを表示画面から遮蔽する
ためには、遮光膜領域を広げなければならず、開口率が
低下し画面が暗くなるという問題が生ずる。この問題を
回避するためには、着色層を重ねる領域をＴＦＴ素子に
光が反射する部分のみに限定する。遮光領域の拡大が必
要となっても最小限に留められるためである。また、重
なり部分で着色層表面に凹凸を形成するのは、凹凸によ
る光の乱反射を利用して、ＴＦＴ素子内に反射される光
を低減するためである。
収率を大きくし、遮光膜からの反射を低減するという効
果が得られる。遮光膜を覆う部分の着色層を全領域にわ
たって重ねると、それによる段差を原因とするディスク
リネーションが発生する。これを表示画面から遮蔽する
ためには、遮光膜領域を広げなければならず、開口率が
低下し画面が暗くなるという問題が生ずる。この問題を
回避するためには、着色層を重ねる領域をＴＦＴ素子に
光が反射する部分のみに限定する。遮光領域の拡大が必
要となっても最小限に留められるためである。また、重
なり部分で着色層表面に凹凸を形成するのは、凹凸によ
る光の乱反射を利用して、ＴＦＴ素子内に反射される光
を低減するためである。
【００１０】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。 〔実施例１〕図１は、本発明の第１実施例のカラーＴＦ
ＴＬＣＤの断面図、図２は本発明の第１実施例のカラー
ＬＣＤのＣＦ基板の平面透過図である。ＴＦＴアレイ基
板１上に、ＴＦＴ素子１２を形成する場合、透明基板１
１上に、ゲート電極１３、絶縁膜１４、アモルファスＳ
ｉ１５、ドレイン電極１６、ソース電極１７を各々フォ
トレジスト工程によって形成する。さらに表示部となる
透明表示電極１９と、カバー絶縁膜１８を形成すると、
ＴＦＴアレイ基板１が完成する。透明表示電極１９は、
ＣＦ基板２にＴＦＴアレイ基板１を対向させた場合、透
明基板２１上に形成した遮光膜２３の開口部と対向し、
これが表示画素となる。ＣＦ基板２には、遮光膜２３以
外に赤、緑、青の着色層２２と、透明電極２４が設けら
れている。カラーＴＦＴＬＣＤは、ＴＦＴアレイ基板１
及び、ＣＦ基板２の表面に配向膜４を形成し、これらを
対向させて液晶３を封入して得られる。
説明する。 〔実施例１〕図１は、本発明の第１実施例のカラーＴＦ
ＴＬＣＤの断面図、図２は本発明の第１実施例のカラー
ＬＣＤのＣＦ基板の平面透過図である。ＴＦＴアレイ基
板１上に、ＴＦＴ素子１２を形成する場合、透明基板１
１上に、ゲート電極１３、絶縁膜１４、アモルファスＳ
ｉ１５、ドレイン電極１６、ソース電極１７を各々フォ
トレジスト工程によって形成する。さらに表示部となる
透明表示電極１９と、カバー絶縁膜１８を形成すると、
ＴＦＴアレイ基板１が完成する。透明表示電極１９は、
ＣＦ基板２にＴＦＴアレイ基板１を対向させた場合、透
明基板２１上に形成した遮光膜２３の開口部と対向し、
これが表示画素となる。ＣＦ基板２には、遮光膜２３以
外に赤、緑、青の着色層２２と、透明電極２４が設けら
れている。カラーＴＦＴＬＣＤは、ＴＦＴアレイ基板１
及び、ＣＦ基板２の表面に配向膜４を形成し、これらを
対向させて液晶３を封入して得られる。
【００１１】本発明のカラーＴＦＴＬＣＤの特徴は、Ｃ
Ｆ基板２の着色層２２の形状にある。図１に見られるＣ
Ｆ基板２の断面図では、ＴＦＴ素子１２と、対向する部
分の着色層２２が、赤、青、緑と３層になっている。こ
れを平面透過図に示したものが図２である。各色の着色
層２２はストライプ形状であるが、ＴＦＴ素子１２と対
向する部分のみ、遮光膜２３下で突起もしくは独立した
島状の着色層２２が重なっている。これらの重なりは、
着色層２２をフォトレジスト工程、もしくは印刷工程に
よって形成する際、図２の各々の着色層形状のマスクに
より、赤、青、緑の順に着色層２２を形成することによ
って得られる。これらの重なりの色順は任意であり、任
意の色順に着色層を形成していくことにより、任意の色
順の重なりが得られる。
Ｆ基板２の着色層２２の形状にある。図１に見られるＣ
Ｆ基板２の断面図では、ＴＦＴ素子１２と、対向する部
分の着色層２２が、赤、青、緑と３層になっている。こ
れを平面透過図に示したものが図２である。各色の着色
層２２はストライプ形状であるが、ＴＦＴ素子１２と対
向する部分のみ、遮光膜２３下で突起もしくは独立した
島状の着色層２２が重なっている。これらの重なりは、
着色層２２をフォトレジスト工程、もしくは印刷工程に
よって形成する際、図２の各々の着色層形状のマスクに
より、赤、青、緑の順に着色層２２を形成することによ
って得られる。これらの重なりの色順は任意であり、任
意の色順に着色層を形成していくことにより、任意の色
順の重なりが得られる。
【００１２】図１に見られる着色層２２の三層の重なり
によって、遮光膜２３からのアモルファスＳｉ１５への
反射光が低減される。遮光膜２３上の着色層２２が厚さ
１μｍの時、一層の場合はアモルファスＳｉ１５上への
反射率が約３５％、二層では約１５％、三層で約５％に
低下する。これに伴い、アモルファスＳｉ１５内に発生
する光電流が低下し、チャネルの形成を抑制するため
に、ゲート電極に印加しておく逆電圧の限界値が小さく
なる。例えば、ｎチャネル型ＴＦＴで着色層２２が一層
の場合、光電流による色ムラ抑制のために必要なゲート
電極の逆電圧は、−５Ｖであったが、二層の場合は−３
Ｖ、三層の場合−１Ｖまで低減できた。
によって、遮光膜２３からのアモルファスＳｉ１５への
反射光が低減される。遮光膜２３上の着色層２２が厚さ
１μｍの時、一層の場合はアモルファスＳｉ１５上への
反射率が約３５％、二層では約１５％、三層で約５％に
低下する。これに伴い、アモルファスＳｉ１５内に発生
する光電流が低下し、チャネルの形成を抑制するため
に、ゲート電極に印加しておく逆電圧の限界値が小さく
なる。例えば、ｎチャネル型ＴＦＴで着色層２２が一層
の場合、光電流による色ムラ抑制のために必要なゲート
電極の逆電圧は、−５Ｖであったが、二層の場合は−３
Ｖ、三層の場合−１Ｖまで低減できた。
【００１３】〔実施例２〕図３に本発明の第２の実施例
のカラーＴＦＴＬＣＤの断面図、図４に第２の実施例に
使用したＣＦ基板の平面透過図である。第２の実施例の
着色層の配例はトライアングル型である。第２の実施例
のＣＦ基板作成において、着色層の形成は印刷工程によ
って行う。まず透明基板２１上に遮光膜２３を形成した
後、赤の着色層２２を図４のパターンに従って印刷す
る。次に青の着色層２２を図４のパターンに従って印刷
する。最後に緑の着色層２２を図４のパターンに従って
印刷する。この時、着色層２２はＴＦＴ素子１上で他の
色の着色層２２と重なる部分の表面に凹凸を設ける。こ
の凹凸は、着色層２２を印刷する版上に凹凸を形成して
おき、これを転写することによって形成される。さらに
樹脂コート膜２５により、着色層２２を被覆した後透明
電極２４を形成する。ただし、着色層の形成の色順は任
意であり、それに従って着色層重なりの色順も任意に決
定される。
のカラーＴＦＴＬＣＤの断面図、図４に第２の実施例に
使用したＣＦ基板の平面透過図である。第２の実施例の
着色層の配例はトライアングル型である。第２の実施例
のＣＦ基板作成において、着色層の形成は印刷工程によ
って行う。まず透明基板２１上に遮光膜２３を形成した
後、赤の着色層２２を図４のパターンに従って印刷す
る。次に青の着色層２２を図４のパターンに従って印刷
する。最後に緑の着色層２２を図４のパターンに従って
印刷する。この時、着色層２２はＴＦＴ素子１上で他の
色の着色層２２と重なる部分の表面に凹凸を設ける。こ
の凹凸は、着色層２２を印刷する版上に凹凸を形成して
おき、これを転写することによって形成される。さらに
樹脂コート膜２５により、着色層２２を被覆した後透明
電極２４を形成する。ただし、着色層の形成の色順は任
意であり、それに従って着色層重なりの色順も任意に決
定される。
【００１４】着色層表面上の凹凸によって、着色層に入
射し、着色層下部の遮光膜から反射する光は、散乱され
る。従って、着色層の重なり部分の表面に凹凸を設けて
おくと、着色層の重なりによる吸収率の増大と光の乱反
射の効果により、ＴＦＴ素子内アモルファスＳｉ上に反
射される光量は、着色層表面に凹凸を設けていない場合
に比べ更に低減する。例えば、実施例１と同様、着色層
厚さが１μｍの時、第２の実施例では、着色層３層の重
ねの時、アモルファスＳｉ１５上への反射は約２％まで
低減される。また、実施例１と同様、着色層３層重ねに
よりアモルファスＳｉ１５上への反射を５％にするため
には着色層厚さは０．７μｍで良い。すなわち、カラー
ＴＦＴＬＣＤ開口部の光透過率を大きくすることがで
き、より高輝度の画面が得られる。
射し、着色層下部の遮光膜から反射する光は、散乱され
る。従って、着色層の重なり部分の表面に凹凸を設けて
おくと、着色層の重なりによる吸収率の増大と光の乱反
射の効果により、ＴＦＴ素子内アモルファスＳｉ上に反
射される光量は、着色層表面に凹凸を設けていない場合
に比べ更に低減する。例えば、実施例１と同様、着色層
厚さが１μｍの時、第２の実施例では、着色層３層の重
ねの時、アモルファスＳｉ１５上への反射は約２％まで
低減される。また、実施例１と同様、着色層３層重ねに
よりアモルファスＳｉ１５上への反射を５％にするため
には着色層厚さは０．７μｍで良い。すなわち、カラー
ＴＦＴＬＣＤ開口部の光透過率を大きくすることがで
き、より高輝度の画面が得られる。
【００１５】しかし、一方第２の実施例では、着色層表
面の凹凸が、ディスクリネーションの発生の原因になら
ないように、樹脂コート膜２５で被覆して平坦化をはか
らなければならない。また、着色層２２をフォトレジス
ト工程を利用して形成すると、部分的に凹凸を形成する
工程を別に加えなければならず、製造工程が繁雑にな
る。このように、第２の実施例ではＣＦ基板の構造、製
造工程などに制約をうける。従って、カラーＴＦＴＬＣ
Ｄに要求される特性に従って、ＣＦ基板に要求される構
造、特性などにより、第１の実施例の方式もしくは第２
の実施例の方式を選択することが望ましい。
面の凹凸が、ディスクリネーションの発生の原因になら
ないように、樹脂コート膜２５で被覆して平坦化をはか
らなければならない。また、着色層２２をフォトレジス
ト工程を利用して形成すると、部分的に凹凸を形成する
工程を別に加えなければならず、製造工程が繁雑にな
る。このように、第２の実施例ではＣＦ基板の構造、製
造工程などに制約をうける。従って、カラーＴＦＴＬＣ
Ｄに要求される特性に従って、ＣＦ基板に要求される構
造、特性などにより、第１の実施例の方式もしくは第２
の実施例の方式を選択することが望ましい。
【００１６】
【発明の効果】 以上説明したように本発明は、ＣＦ基
板の着色層をＴＦＴ素子と対向する部分で複数層重ねる
構造をとることにより、ＣＦ基板遮光膜からＴＦＴ素子
内への光入射を低減できるという効果を有する。これに
よりＴＦＴ素子内に発生する光電流を抑制し、ゲート電
極への逆電圧を低減することができる。すなわち、カラ
ーＴＦＴＬＣＤの駆動電力を低減することができるとい
う効果を有する。さらに、上記の着色層重ね領域のみに
着色層表面に故意に凹凸を導入することにより、着色層
表面で光を散乱させ、ＴＦＴ素子内への光入射をさらに
低減するという効果を複合して奏させることができる。
板の着色層をＴＦＴ素子と対向する部分で複数層重ねる
構造をとることにより、ＣＦ基板遮光膜からＴＦＴ素子
内への光入射を低減できるという効果を有する。これに
よりＴＦＴ素子内に発生する光電流を抑制し、ゲート電
極への逆電圧を低減することができる。すなわち、カラ
ーＴＦＴＬＣＤの駆動電力を低減することができるとい
う効果を有する。さらに、上記の着色層重ね領域のみに
着色層表面に故意に凹凸を導入することにより、着色層
表面で光を散乱させ、ＴＦＴ素子内への光入射をさらに
低減するという効果を複合して奏させることができる。
【図１】本発明の第１実施例のカラーＴＦＴＬＣＤの断
面図。
面図。
【図２】本発明の第１実施例のカラーＴＦＴＬＣＤのＣ
Ｆ基板の平面透過図。
Ｆ基板の平面透過図。
【図３】本発明の第２実施例のカラーＴＦＴＬＣＤの断
面図。
面図。
【図４】本発明の第２実施例のカラーＬＣＤのＣＦ基板
の平面透過図。
の平面透過図。
【図５】ＡＭ−ＬＣＤの配線平面略図。
【図６】従来のカラーＴＦＴＬＣＤの断面図。
【図７】ストライプ状着色層を有する従来のカラーＴＦ
ＴＬＣＤの平面図。
ＴＬＣＤの平面図。
１ ＴＦＴアレイ基板 ２ ＣＦ基板 ３ 液晶 ４ 配向膜 １１ 透明基板 １２ ＴＦＴ素子 １３ ゲート電極 １４ 絶縁膜 １５ アモルファスＳｉ １６ ドレイン電極 １７ ソース電極 １８ カバー絶縁膜 １９ 透明表示電極 ２１ 透明基板 ２２ 着色層 ２３ 遮光膜 ２４ 透明電極 ２５ 樹脂コート膜 ５１ 信号線 ５２ 走査線 ５３ 単位画素 ５４ スイッチング素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−59522（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−188801（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−250416（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−136021（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−24604（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】 着色層と透明電極とを有する第１の透明
基板とスイッチング素子を有する第２の透明基板とを液
晶を挟んで対向配置したカラー液晶ディスプレイにおい
て、前記第１の透明基板上に所定パターンで遮光膜を形
成し、前記遮光膜の上に赤、緑、青の着色層を互いに重
ねた領域を形成するとともに前記透明電極の前記液晶に
接する側の表面がディスクリネーションが発生しないよ
うに平坦化されていることを特徴とするカラー液晶ディ
スプレイ。 - 【請求項２】 前記遮光膜上の各着色膜の厚さは前記第
１の透明基板上に直接形成された着色層の厚みより薄い
ことを特徴とする請求項１記載のカラー液晶ディスプレ
イ。 - 【請求項３】 赤、緑、青の着色層と透明電極とを有す
る第１の透明基板とスイッチング素子を有する第２の透
明基板とを液晶を挟んで対向配置したカラー液晶ディス
プレイにおいて、前記第１の透明基板上に所定パターン
で遮光膜を形成し、前記遮光膜上に前記赤、緑、青の着
色層を互いに重ねるとともに前記着色層の相互に重なる
部分のみ、各色ごとの着色層表面に故意に形成された凹
凸を有することを特徴とするカラー液晶ディスプレイ。
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|---|---|---|---|
| JP5142524A JP2806741B2 (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | カラー液晶ディスプレイ |
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