JPH11352513A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPH11352513A JPH11352513A JP15722398A JP15722398A JPH11352513A JP H11352513 A JPH11352513 A JP H11352513A JP 15722398 A JP15722398 A JP 15722398A JP 15722398 A JP15722398 A JP 15722398A JP H11352513 A JPH11352513 A JP H11352513A
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- liquid crystal
- substrate
- crystal display
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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-
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- G02F2203/02—Function characteristic reflective
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素電極と信号線との存在する容量結合が原
因となって発生していたクロストークを防止する。 【解決手段】 反射画素電極５０ａと、絶縁膜を介して
信号線２７ａのみならず隣接する他の信号線２７ｂが部
分的に対向して容量結合する。そして、信号線２７ａが
反射画素電極５０ａと対向する部分２７ａ１の面積と、
信号線２７ｂが画素電極５０ａと対向する部分２７ｂ２
の面積とは大きさがほぼ等しい。このため、信号線２７
ａの信号電位が容量結合により反射画素電極５０ａに与
える影響と、信号線２７ｂの信号電位が容量結合により
反射画素電極５０ａに与える影響とはほぼ等しくなり、
隣接する電極５０ａと５０ｂ、５０ｂと５０ｃ、…との
間での輝度差が緩和され、クロストークの発生が防止さ
れる。
因となって発生していたクロストークを防止する。 【解決手段】 反射画素電極５０ａと、絶縁膜を介して
信号線２７ａのみならず隣接する他の信号線２７ｂが部
分的に対向して容量結合する。そして、信号線２７ａが
反射画素電極５０ａと対向する部分２７ａ１の面積と、
信号線２７ｂが画素電極５０ａと対向する部分２７ｂ２
の面積とは大きさがほぼ等しい。このため、信号線２７
ａの信号電位が容量結合により反射画素電極５０ａに与
える影響と、信号線２７ｂの信号電位が容量結合により
反射画素電極５０ａに与える影響とはほぼ等しくなり、
隣接する電極５０ａと５０ｂ、５０ｂと５０ｃ、…との
間での輝度差が緩和され、クロストークの発生が防止さ
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】図４に、従来の反射型液晶表示装置１０
０の平面図を示し、この図４におけるＢ−Ｂ線に沿う縦
断面を図５に示す。この装置は、スイッチング素子とし
て薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）１１４がマ
トリクス状に配置されたアレイ基板１１０と、透光性対
向電極１３６が形成された対向基板１３０と、これらの
基板１１０及び１３０の間に挟持された液晶層１５０と
を備えている。
０の平面図を示し、この図４におけるＢ−Ｂ線に沿う縦
断面を図５に示す。この装置は、スイッチング素子とし
て薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）１１４がマ
トリクス状に配置されたアレイ基板１１０と、透光性対
向電極１３６が形成された対向基板１３０と、これらの
基板１１０及び１３０の間に挟持された液晶層１５０と
を備えている。
【０００３】アレイ基板１１０上には、行方向に沿って
複数配列され、同方向に沿って配置されているＴＦＴ１
１４のゲートが共通接続された走査線１１３と、これと
直交する列方向に沿って複数配列され、この方向に沿っ
て配置されているＴＦＴ１１４のソース、ドレインの一
方の端子が共通接続された信号線１１９とが配線されて
いる。ＴＦＴ１１４の他方の端子は、絶縁膜を介して信
号蓄積容量線１１６との間で信号の蓄積を行う容量を構
成すると共に、コンタクト１２５を介して後述する反射
画素電極１２０に接続されている。
複数配列され、同方向に沿って配置されているＴＦＴ１
１４のゲートが共通接続された走査線１１３と、これと
直交する列方向に沿って複数配列され、この方向に沿っ
て配置されているＴＦＴ１１４のソース、ドレインの一
方の端子が共通接続された信号線１１９とが配線されて
いる。ＴＦＴ１１４の他方の端子は、絶縁膜を介して信
号蓄積容量線１１６との間で信号の蓄積を行う容量を構
成すると共に、コンタクト１２５を介して後述する反射
画素電極１２０に接続されている。
【０００４】走査線１１３、信号線１１９、蓄積容量線
１１６、ＴＦＴ１１４の上面には有機絶縁層１１８が形
成されており、この有機絶縁層１１８の上面には各画素
毎に対応して反射画素電極１２０が形成されている。
１１６、ＴＦＴ１１４の上面には有機絶縁層１１８が形
成されており、この有機絶縁層１１８の上面には各画素
毎に対応して反射画素電極１２０が形成されている。
【０００５】対向基板１３０には、基板１３２の表面上
にカラーフィルタ１３４と共通電極１３６とが積層され
ている。カラーフィルタ１３４は、各画素毎に赤、青、
緑の各色が配列された構成となっている。そして、基板
１３２における液晶層１５０とは反対側の表面上に、位
相差板あるいは偏向板等の光学フィルム１８８が貼り付
けられている。
にカラーフィルタ１３４と共通電極１３６とが積層され
ている。カラーフィルタ１３４は、各画素毎に赤、青、
緑の各色が配列された構成となっている。そして、基板
１３２における液晶層１５０とは反対側の表面上に、位
相差板あるいは偏向板等の光学フィルム１８８が貼り付
けられている。
【０００６】このように反射型液晶表示装置１００は、
有機絶縁層１１８を介して、ＴＦＴ１１４や信号蓄積容
量線１１６の上層に反射画素電極１２０が設けられてい
る。これにより、図中上方から入射された光を反射画素
電極１２０によって反射する面積を増大させることがで
き、その結果としてバックライトがなくとも暗い場所で
明るい画像を表示することが可能となる。
有機絶縁層１１８を介して、ＴＦＴ１１４や信号蓄積容
量線１１６の上層に反射画素電極１２０が設けられてい
る。これにより、図中上方から入射された光を反射画素
電極１２０によって反射する面積を増大させることがで
き、その結果としてバックライトがなくとも暗い場所で
明るい画像を表示することが可能となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の液晶表
示装置には次のような問題があった。図６（ａ）に示さ
れたように、緑の中間調背景３０１にラスターウィンド
ウ３０２を表示させた場合、ウィンドウ３０２の端部に
おいて縦クロストークが生じる。図４において、反射画
素電極１２０と信号線１１９とは有機絶縁層１１８を介
して対向するので、容量結合した状態にある。ところ
が、ある画素電極１２０と容量結合する信号線１１９
は、当該画素電極１２０に接続された１本の信号線１１
９のみである。
示装置には次のような問題があった。図６（ａ）に示さ
れたように、緑の中間調背景３０１にラスターウィンド
ウ３０２を表示させた場合、ウィンドウ３０２の端部に
おいて縦クロストークが生じる。図４において、反射画
素電極１２０と信号線１１９とは有機絶縁層１１８を介
して対向するので、容量結合した状態にある。ところ
が、ある画素電極１２０と容量結合する信号線１１９
は、当該画素電極１２０に接続された１本の信号線１１
９のみである。
【０００８】このため、本来同じ緑色を表示すべき緑の
中間調背景３０１であっても、ラスターウィンドウ３０
２の下に隣接する画素３０３と、ラスターウィンドウ３
０２から離れた位置にある画素３０４とでは、信号線１
１９が容量結合により画素電極１２０に与える影響が異
なってくる。即ち、ラスターウィンドウ３０２の上下方
向に隣接する画素３０４では、ラスターウィンドウ３０
２を表示するための信号電位が信号線１１９に印加され
ているので、容量結合を介してその影響を受けることに
なる。
中間調背景３０１であっても、ラスターウィンドウ３０
２の下に隣接する画素３０３と、ラスターウィンドウ３
０２から離れた位置にある画素３０４とでは、信号線１
１９が容量結合により画素電極１２０に与える影響が異
なってくる。即ち、ラスターウィンドウ３０２の上下方
向に隣接する画素３０４では、ラスターウィンドウ３０
２を表示するための信号電位が信号線１１９に印加され
ているので、容量結合を介してその影響を受けることに
なる。
【０００９】ここで、図５（ａ）に示されたように、画
素３０３にはラスターウィンドウ３０２の影響を受けて
電圧ＶP1が印加され、画素３０４には本来の電圧ＶP0が
印加されるものとする。この場合の画素３０３と画素３
０３とにそれぞれ印加される画素電位の時間的変化は、
図７に示されるようである。
素３０３にはラスターウィンドウ３０２の影響を受けて
電圧ＶP1が印加され、画素３０４には本来の電圧ＶP0が
印加されるものとする。この場合の画素３０３と画素３
０３とにそれぞれ印加される画素電位の時間的変化は、
図７に示されるようである。
【００１０】そして、電圧ＶP1とＶP0は以下のように表
すことができる。中間調の信号電位をＶsg、黒色での信
号電位をＶsb、ラスターウィンドウ表示を行う信号電位
をＶswとする。さらに、ある画素とこれにＴＦＴを介し
て接続された信号線との間のカップリング率をＰco、こ
の信号線に隣接するｉ本目の信号線と当該画素との間の
カップリング率をＰciとする。 ＶP0＝Ｖsg … （１） ＶP1＝Ｖsg＋Ｐc0（Ｖsb−Ｖsg）＋Ｐc1（Ｖsw−Ｖsg）＋Ｐc2（Ｖsb−Ｖsg） ＋Ｐc3（Ｖsw−Ｖsg）＋ … ＝Ｖsg＋（Ｐc0＋Ｐc2＋ＰC4＋…）（Ｖsb−Ｖsg） ＋（Ｐc1＋Ｐc3＋ＰC5＋…）（Ｖsw−Ｖsg） … （２） この結果、画素３０３における画素電極１２０と画素３
０４における画素電極１２０とでは実効電圧が相違し輝
度差が生じるので、クロストークが発生する。このよう
な問題は、透過型液晶表示装置においても同様に発生し
ていた。
すことができる。中間調の信号電位をＶsg、黒色での信
号電位をＶsb、ラスターウィンドウ表示を行う信号電位
をＶswとする。さらに、ある画素とこれにＴＦＴを介し
て接続された信号線との間のカップリング率をＰco、こ
の信号線に隣接するｉ本目の信号線と当該画素との間の
カップリング率をＰciとする。 ＶP0＝Ｖsg … （１） ＶP1＝Ｖsg＋Ｐc0（Ｖsb−Ｖsg）＋Ｐc1（Ｖsw−Ｖsg）＋Ｐc2（Ｖsb−Ｖsg） ＋Ｐc3（Ｖsw−Ｖsg）＋ … ＝Ｖsg＋（Ｐc0＋Ｐc2＋ＰC4＋…）（Ｖsb−Ｖsg） ＋（Ｐc1＋Ｐc3＋ＰC5＋…）（Ｖsw−Ｖsg） … （２） この結果、画素３０３における画素電極１２０と画素３
０４における画素電極１２０とでは実効電圧が相違し輝
度差が生じるので、クロストークが発生する。このよう
な問題は、透過型液晶表示装置においても同様に発生し
ていた。
【００１１】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、クロストークを防止することが可能な液晶表示装置
を提供することを目的とする。
で、クロストークを防止することが可能な液晶表示装置
を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、基板上にそれぞれスイッチング素子を有する画素電
極がマトリクス状に配置され、列方向に複数の信号線が
配列され、列毎にそれぞれの前記信号線に前記スイッチ
ング素子が共通接続されたアレイ基板と、前記アレイ基
板と対向するように配置され、基板上に透光性対向電極
が設けられた対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基
板との間に挟持された液晶層とを備え、各信号線は、列
方向に沿って、該信号線に接続される画素電極と異なる
信号線に接続される画素電極とに交互に覆われているこ
とを特徴とする。
は、基板上にそれぞれスイッチング素子を有する画素電
極がマトリクス状に配置され、列方向に複数の信号線が
配列され、列毎にそれぞれの前記信号線に前記スイッチ
ング素子が共通接続されたアレイ基板と、前記アレイ基
板と対向するように配置され、基板上に透光性対向電極
が設けられた対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基
板との間に挟持された液晶層とを備え、各信号線は、列
方向に沿って、該信号線に接続される画素電極と異なる
信号線に接続される画素電極とに交互に覆われているこ
とを特徴とする。
【００１３】また、前記画素電極が不透明反射電極であ
ってもよい。
ってもよい。
【００１４】あるいは本発明の液晶表示装置は、基板上
にそれぞれスイッチング素子を有する画素電極がマトリ
クス状に配置され、列方向に複数の信号線が配列され、
列毎にそれぞれの前記信号線に前記スイッチング素子が
共通接続されたアレイ基板と、前記アレイ基板と対向す
るように配置され、基板上に透光性対向電極が設けられ
た対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に
挟持された液晶層とを備え、各画素電極は複数の信号線
と重畳しており、前記画素電極に重畳された信号線の領
域は前記信号線の全幅を含む領域であることを特徴とす
る。
にそれぞれスイッチング素子を有する画素電極がマトリ
クス状に配置され、列方向に複数の信号線が配列され、
列毎にそれぞれの前記信号線に前記スイッチング素子が
共通接続されたアレイ基板と、前記アレイ基板と対向す
るように配置され、基板上に透光性対向電極が設けられ
た対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に
挟持された液晶層とを備え、各画素電極は複数の信号線
と重畳しており、前記画素電極に重畳された信号線の領
域は前記信号線の全幅を含む領域であることを特徴とす
る。
【００１５】ここで信号線の全幅とは、列方向に直交す
る方向の信号線の長さとする。
る方向の信号線の長さとする。
【００１６】また、各信号線が前記画素電極に重畳され
る面積は、それぞれ略等しいことが望ましい。
る面積は、それぞれ略等しいことが望ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明のー実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。
いて図面を参照して説明する。
【００１８】図１に、本実施の形態による液晶表示装置
の横方向の断面構造を示し、この図１におけるＡ−Ａ線
に沿う縦方向の断面構造を図２に示す。本装置２００
は、スイッチング素子としてＴＦＴ３０ａ、３０ｂ、３
０ｃ、…、３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、…がマトリ
クス状に配置されたアレイ基板２０と、透光性対向電極
５４が形成された対向基板８０と、これらの基板２０及
び８０の間に挟持された液晶層９０とを備えている。
の横方向の断面構造を示し、この図１におけるＡ−Ａ線
に沿う縦方向の断面構造を図２に示す。本装置２００
は、スイッチング素子としてＴＦＴ３０ａ、３０ｂ、３
０ｃ、…、３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、…がマトリ
クス状に配置されたアレイ基板２０と、透光性対向電極
５４が形成された対向基板８０と、これらの基板２０及
び８０の間に挟持された液晶層９０とを備えている。
【００１９】アレイ基板２０は、基板２２上において行
方向（図中左右方向）に沿って複数本配列され、同方向
に沿って配置されているＴＦＴ３０ａ、３０ｂ、３０
ｃ、…、３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、…のゲートが
共通接続された走査線２４、２４０…と、これと直交す
る列方向（図中上下方向）に沿って複数本配列され、こ
の方向に沿って配置されている信号線２７ａ、２７ｂ、
２７ｃ、…、とが配置されている。ここで、信号線２７
ａはＴＦＴ３０ａ、３００ａ…のソース、ドレインの一
方の端子が共通接続され、信号線２７ｂはＴＦＴ３０
ｂ、３００ｂ、…の一方の端子が共通接続され、信号線
２７ｃはＴＦＴ３０ｃ、３００ｃ、…の一方の端子が共
通接続されている。ＴＦＴ３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、
…、３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、…の他方の端子
は、絶縁膜を介して信号蓄積容量線２６との間で蓄積容
量を構成し、さらにコンタクト２７を介して後述する画
素電極５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、…、５００ａ、５００
ｂ、５００ｃ、…に接続されている。
方向（図中左右方向）に沿って複数本配列され、同方向
に沿って配置されているＴＦＴ３０ａ、３０ｂ、３０
ｃ、…、３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、…のゲートが
共通接続された走査線２４、２４０…と、これと直交す
る列方向（図中上下方向）に沿って複数本配列され、こ
の方向に沿って配置されている信号線２７ａ、２７ｂ、
２７ｃ、…、とが配置されている。ここで、信号線２７
ａはＴＦＴ３０ａ、３００ａ…のソース、ドレインの一
方の端子が共通接続され、信号線２７ｂはＴＦＴ３０
ｂ、３００ｂ、…の一方の端子が共通接続され、信号線
２７ｃはＴＦＴ３０ｃ、３００ｃ、…の一方の端子が共
通接続されている。ＴＦＴ３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、
…、３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、…の他方の端子
は、絶縁膜を介して信号蓄積容量線２６との間で蓄積容
量を構成し、さらにコンタクト２７を介して後述する画
素電極５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、…、５００ａ、５００
ｂ、５００ｃ、…に接続されている。
【００２０】より詳細には、ＴＦＴ３０ａ、３０ｂ、３
０ｃ、…、３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、…は、チャ
ネル領域が形成される半導体層と、その両端に位置しソ
ース、ドレイン電極とオーミック接続される低抵抗半導
体層とを有する。低抵抗半導体層上に、ソース電極、ド
レイン電極が接続され、このうちの一方の電極がコンタ
クトホール２９を介して画素電極５０ａ、５０ｂ、５０
ｃ、…、５００ａ、５００ｂ、５００ｃ、…に接続され
ている。
０ｃ、…、３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、…は、チャ
ネル領域が形成される半導体層と、その両端に位置しソ
ース、ドレイン電極とオーミック接続される低抵抗半導
体層とを有する。低抵抗半導体層上に、ソース電極、ド
レイン電極が接続され、このうちの一方の電極がコンタ
クトホール２９を介して画素電極５０ａ、５０ｂ、５０
ｃ、…、５００ａ、５００ｂ、５００ｃ、…に接続され
ている。
【００２１】走査線２４、２４０、…、信号線２７ａ、
２７ｂ、２７ｃ、…、ＴＦＴ３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、
…、３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、…の上面に図示さ
れていない保護膜が形成され、保護膜の上面には例えば
アクリル系樹脂から成る有機絶縁層１１８が形成されて
いる。この有機絶縁層１１８の上面に、各画素毎に対応
して反射画素電極５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、…、５００
ａ、５００ｂ、５００ｃ、…が形成されている。反射画
素電極５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、…、５００ａ、５００
ｂ、５００ｃ、…は、図中上方から入射された外部光を
反射する作用を有するように、例えば銀やアルミニウ
ム、あるいはこれらの合金等の反射率の高い材料により
形成されている。
２７ｂ、２７ｃ、…、ＴＦＴ３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、
…、３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、…の上面に図示さ
れていない保護膜が形成され、保護膜の上面には例えば
アクリル系樹脂から成る有機絶縁層１１８が形成されて
いる。この有機絶縁層１１８の上面に、各画素毎に対応
して反射画素電極５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、…、５００
ａ、５００ｂ、５００ｃ、…が形成されている。反射画
素電極５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、…、５００ａ、５００
ｂ、５００ｃ、…は、図中上方から入射された外部光を
反射する作用を有するように、例えば銀やアルミニウ
ム、あるいはこれらの合金等の反射率の高い材料により
形成されている。
【００２２】対向基板８０において、基板１３２の表面
上にカラーフィルタ５２と共通電極５４とが積層されて
いる。カラーフィルタ５２は、各画素毎に赤、青、緑の
各色が配列された構成となっている。基板１３２におけ
る液晶層９０とは反対側の表面上には、位相差板あるい
は偏向板等の光学フィルム１８８が貼り付けられてい
る。アレイ基板２０と対向基板８０との間には、液晶層
９０が挟持されている。液晶層９０としては、例えばネ
マティック液晶等の材料を用いることができる。
上にカラーフィルタ５２と共通電極５４とが積層されて
いる。カラーフィルタ５２は、各画素毎に赤、青、緑の
各色が配列された構成となっている。基板１３２におけ
る液晶層９０とは反対側の表面上には、位相差板あるい
は偏向板等の光学フィルム１８８が貼り付けられてい
る。アレイ基板２０と対向基板８０との間には、液晶層
９０が挟持されている。液晶層９０としては、例えばネ
マティック液晶等の材料を用いることができる。
【００２３】アレイ基板２０上に設けられたＴＦＴ３０
ａ、３０ｂ、…により反射画素電極５０ａ、５０ｂ、…
に印加される信号電位が画素毎にスイッチングされる。
図中上方から対向基板８０を介して入射された外部光
が、反射画素電極５０ａ、５０ｂ、…により反射され、
画素を単位として液晶層９０により透過率が制御されて
所定の画像が形成される。
ａ、３０ｂ、…により反射画素電極５０ａ、５０ｂ、…
に印加される信号電位が画素毎にスイッチングされる。
図中上方から対向基板８０を介して入射された外部光
が、反射画素電極５０ａ、５０ｂ、…により反射され、
画素を単位として液晶層９０により透過率が制御されて
所定の画像が形成される。
【００２４】そして、図４及び図５に示された従来の装
置と異なり、本実施の形態では反射画素電極５０ａ、５
０ｂ、５０ｃ、…、５００ａ、５００ｂ、５００ｃ、…
のそれぞれの下方には、有機絶縁層１１８を介して２本
の信号線が対向するように配置されている。例えば、反
射画素電極５０ａに対しては、この画素に対応する信号
線２７ａの部分２７ａ１のみならず、隣接する画素に対
応する信号線２７ｂの部分２７ｂ２が対向している。反
射画素電極５０ｂに対しては、この画素に対応する信号
線２７ｂの部分２７ｂ１のみならず、隣接する画素に対
応する信号線２７ｃの部分２７ｃ２が対向している。さ
らに、反射画素電極５０ａと対向する信号線２７ａの部
分２７ａ１の面積と、信号線２７ｂの部分２７ｂ２の面
積とは略同一であり、同様に反射画素電極５０ｂと対向
する信号線２７ｂの部分２７ｂ１の面積と、信号線２７
ｃの部分２７ｃ２の面積とは略同一である。
置と異なり、本実施の形態では反射画素電極５０ａ、５
０ｂ、５０ｃ、…、５００ａ、５００ｂ、５００ｃ、…
のそれぞれの下方には、有機絶縁層１１８を介して２本
の信号線が対向するように配置されている。例えば、反
射画素電極５０ａに対しては、この画素に対応する信号
線２７ａの部分２７ａ１のみならず、隣接する画素に対
応する信号線２７ｂの部分２７ｂ２が対向している。反
射画素電極５０ｂに対しては、この画素に対応する信号
線２７ｂの部分２７ｂ１のみならず、隣接する画素に対
応する信号線２７ｃの部分２７ｃ２が対向している。さ
らに、反射画素電極５０ａと対向する信号線２７ａの部
分２７ａ１の面積と、信号線２７ｂの部分２７ｂ２の面
積とは略同一であり、同様に反射画素電極５０ｂと対向
する信号線２７ｂの部分２７ｂ１の面積と、信号線２７
ｃの部分２７ｃ２の面積とは略同一である。
【００２５】このように配線することで、絶縁膜１１８
を介してそれぞれの反射画素電極５０ａ、５０ｂ、５０
ｃ、…、５００ａ、５００ｂ、５００ｃ、…が二本の信
号線２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、…と容量結合する。例え
ば、反射画素電極５０ａは信号線２７ａ及び２７ｂと略
均等な面積で容量結合し、これに隣接する反射画素電極
５０ｂは信号線２７ｂ及び２７ｃと略均等な面積で容量
結合する。このため、ある反射画素電極とこれに隣接す
る他の反射画素電極との間の輝度差が緩和され、クロス
トークを防止することができる。この結果、図６に示さ
れたように緑の中間調背景３０１にラスターウィンドウ
３０２を表示させた場合、ウィンドウ３０２の下に隣接
する画素３０３に印加される電圧は、従来よりもウィン
ドウを表示する電圧の影響を受けず、他の領域の画素３
０４に印加される本来の電圧ＶP0に接近したものとな
る。従って、ウィンドウ３０２の端部において縦クロス
トークの発生が防止される。
を介してそれぞれの反射画素電極５０ａ、５０ｂ、５０
ｃ、…、５００ａ、５００ｂ、５００ｃ、…が二本の信
号線２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、…と容量結合する。例え
ば、反射画素電極５０ａは信号線２７ａ及び２７ｂと略
均等な面積で容量結合し、これに隣接する反射画素電極
５０ｂは信号線２７ｂ及び２７ｃと略均等な面積で容量
結合する。このため、ある反射画素電極とこれに隣接す
る他の反射画素電極との間の輝度差が緩和され、クロス
トークを防止することができる。この結果、図６に示さ
れたように緑の中間調背景３０１にラスターウィンドウ
３０２を表示させた場合、ウィンドウ３０２の下に隣接
する画素３０３に印加される電圧は、従来よりもウィン
ドウを表示する電圧の影響を受けず、他の領域の画素３
０４に印加される本来の電圧ＶP0に接近したものとな
る。従って、ウィンドウ３０２の端部において縦クロス
トークの発生が防止される。
【００２６】ところで、１本の信号線を２つの画素電極
と均等に容量結合させるには、例えば図３に示されるよ
うに、２つの画素電極２０１及び２０２の間に１本の信
号線２０３を配置することも考えられる。このような構
成では、信号線２０３の電位が容量結合を介して２つの
画素電極２０１及び２０２に与える影響を平均化するこ
とはできる。
と均等に容量結合させるには、例えば図３に示されるよ
うに、２つの画素電極２０１及び２０２の間に１本の信
号線２０３を配置することも考えられる。このような構
成では、信号線２０３の電位が容量結合を介して２つの
画素電極２０１及び２０２に与える影響を平均化するこ
とはできる。
【００２７】しかし、信号線２０３が画素電極２０１又
は２０２のいずれかの下に完全に覆われるように配置さ
れないと、信号線２０３の電位と対向電位とにより画素
電極の存在しない部分の液晶層が応答することになる。
この結果、信号線２０３の上部で不所望な表示を行って
しまう。よって、信号線は図３のように配置するのでは
なく、上記実施の形態のように、複数の画素電極のうち
各々の電極のみによって完全に覆われる部分を有するよ
うに配置する必要がある。即ち、図１に示された画素電
極５０ｂを例にとると、この画素電極５０ｂは信号線２
７ｂ１の全幅を含む領域と信号線２７ｃ２の全幅を含む
領域と重畳する必要がある。ここで、信号線の全幅と
は、図示されたように列方向に直交する方向の信号線の
幅とする。
は２０２のいずれかの下に完全に覆われるように配置さ
れないと、信号線２０３の電位と対向電位とにより画素
電極の存在しない部分の液晶層が応答することになる。
この結果、信号線２０３の上部で不所望な表示を行って
しまう。よって、信号線は図３のように配置するのでは
なく、上記実施の形態のように、複数の画素電極のうち
各々の電極のみによって完全に覆われる部分を有するよ
うに配置する必要がある。即ち、図１に示された画素電
極５０ｂを例にとると、この画素電極５０ｂは信号線２
７ｂ１の全幅を含む領域と信号線２７ｃ２の全幅を含む
領域と重畳する必要がある。ここで、信号線の全幅と
は、図示されたように列方向に直交する方向の信号線の
幅とする。
【００２８】上述した実施の形態は一例であり、本発明
を限定するものではない。例えば、上記実施の形態では
１つの画素電極と２本の信号線とが対向するように配置
されている。しかし、２本に限らず３本以上の信号線と
１つの画素電極とが対向するように配置されていても、
同様な作用及び効果が得られる。但し、信号線の本数が
増えると信号線の長さが長くなり、配線領域の増加を招
くことになるので通常は３本以下にした方が望ましい。
を限定するものではない。例えば、上記実施の形態では
１つの画素電極と２本の信号線とが対向するように配置
されている。しかし、２本に限らず３本以上の信号線と
１つの画素電極とが対向するように配置されていても、
同様な作用及び効果が得られる。但し、信号線の本数が
増えると信号線の長さが長くなり、配線領域の増加を招
くことになるので通常は３本以下にした方が望ましい。
【００２９】また、本実施の形態は反射型液晶表示装置
を対象としているが、透過型液晶表示装置においても同
様に本発明を適用することで、クロストークを防止する
ことが可能である。但し、透過型液晶表示装置では画素
電極が透光性を有し、１つの画素電極の下に２本以上の
信号線を配置すると、開口率を確保することが困難にな
りやすい。これに対し、上記実施の形態のように反射型
液晶表示装置では画素電極が不透明な反射画素電極であ
るため、１つの画素の下に複数本の信号線を配置しても
開口率には影響せず、高輝度な表示が可能である。
を対象としているが、透過型液晶表示装置においても同
様に本発明を適用することで、クロストークを防止する
ことが可能である。但し、透過型液晶表示装置では画素
電極が透光性を有し、１つの画素電極の下に２本以上の
信号線を配置すると、開口率を確保することが困難にな
りやすい。これに対し、上記実施の形態のように反射型
液晶表示装置では画素電極が不透明な反射画素電極であ
るため、１つの画素の下に複数本の信号線を配置しても
開口率には影響せず、高輝度な表示が可能である。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置によれば、絶縁膜を介して１本の信号線がー画素電
極のみと対向する部分と他の画素電極のみと対向する部
分とを有するので、複数の画素電極との間で容量結合す
ることになり、画素電極間での輝度差を緩和してクロス
トークを防止することが可能である。
装置によれば、絶縁膜を介して１本の信号線がー画素電
極のみと対向する部分と他の画素電極のみと対向する部
分とを有するので、複数の画素電極との間で容量結合す
ることになり、画素電極間での輝度差を緩和してクロス
トークを防止することが可能である。
【図１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置
の平面方向の構造を示した横断面図。
の平面方向の構造を示した横断面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う縦断面構造を示した断面
図。
図。
【図３】液晶表示装置において１本の信号線が二つの画
素電極間に配置されている様子を示した平面図。
素電極間に配置されている様子を示した平面図。
【図４】従来の液晶表示装置の平面方向の構造を示した
横断面図。
横断面図。
【図５】図１のＢ−Ｂ線に沿う縦断面構造を示した断面
図。
図。
【図６】画面上に表示されたウィンドウとその周辺領域
とを示した説明図。
とを示した説明図。
【図７】従来の液晶表示装置の画素電極に印加される信
号電圧の時間的変化を示したタイムチャート。
号電圧の時間的変化を示したタイムチャート。
２０ アレイ基板 ２２、１３２ 基板 ２４、２４０ 走査線 ２６ 信号蓄積容量線 ２７ａ、２７ａ１、２７ａ２、２７ｂ、２７ｂ１、２７
ｂ２、２７ｃ、２７ｃ１、２７ｃ２ 信号線 ２９ コンタクト ３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３００ａ、３００ｂ、３００
ｃ ＴＦＴ ５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５００ａ、５００ｂ、５００
ｃ 反射画素電極 ５２ カラーフィルタ ５４ 共通電極 ８０ 対向基板 ９０ 液晶層 １１８ 絶縁層 １８８ 光学フィルム ２００ 液晶表示装置
ｂ２、２７ｃ、２７ｃ１、２７ｃ２ 信号線 ２９ コンタクト ３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３００ａ、３００ｂ、３００
ｃ ＴＦＴ ５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５００ａ、５００ｂ、５００
ｃ 反射画素電極 ５２ カラーフィルタ ５４ 共通電極 ８０ 対向基板 ９０ 液晶層 １１８ 絶縁層 １８８ 光学フィルム ２００ 液晶表示装置
Claims (4)
- 【請求項１】基板上にそれぞれスイッチング素子を有す
る画素電極がマトリクス状に配置され、列方向に複数の
信号線が配列され、列毎にそれぞれの前記信号線に前記
スイッチング素子が共通接続されたアレイ基板と、 前記アレイ基板と対向するように配置され、基板上に透
光性対向電極が設けられた対向基板と、 前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶
層とを備える液晶表示装置において、 各信号線は、列方向に沿って、該信号線に接続される画
素電極と異なる信号線に接続される画素電極とに交互に
覆われていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】前記画素電極は、不透明反射電極であるこ
とを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】基板上にそれぞれスイッチング素子を有す
る画素電極がマトリクス状に配置され、列方向に複数の
信号線が配列され、列毎にそれぞれの前記信号線に前記
スイッチング素子が共通接続されたアレイ基板と、 前記アレイ基板と対向するように配置され、基板上に透
光性対向電極が設けられた対向基板と、 前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶
層とを備える液晶表示装置において、 各画素電極は複数の信号線と重畳しており、前記画素電
極に重畳された信号線の領域は前記信号線の全幅を含む
領域であることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】各信号線が前記画素電極に重畳される面積
はそれぞれ略等しいことを特徴とする請求項３記載の液
晶表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15722398A JP4180690B2 (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 液晶表示装置 |
| TW088108412A TW548452B (en) | 1998-06-05 | 1999-05-21 | Liquid crystal display apparatus |
| KR10-1999-0020266A KR100427884B1 (ko) | 1998-06-05 | 1999-06-02 | 액정표시장치 |
| US09/325,538 US6259493B1 (en) | 1998-06-05 | 1999-06-04 | Active matrix LCD with pixels alternately overlapped with data lines |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15722398A JP4180690B2 (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11352513A true JPH11352513A (ja) | 1999-12-24 |
| JP4180690B2 JP4180690B2 (ja) | 2008-11-12 |
Family
ID=15644923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15722398A Expired - Fee Related JP4180690B2 (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 液晶表示装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6259493B1 (ja) |
| JP (1) | JP4180690B2 (ja) |
| KR (1) | KR100427884B1 (ja) |
| TW (1) | TW548452B (ja) |
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| JP2006106759A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板 |
| JP2006516162A (ja) * | 2002-08-21 | 2006-06-22 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 薄膜トランジスタアレイ基板及びこれを含む液晶表示装置 |
| US7196745B2 (en) | 2003-09-02 | 2007-03-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active element substrate with simplified signal line arrangement having active elements and pixel electrodes and liquid crystal display device using the same |
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| JP2010217926A (ja) * | 2000-01-26 | 2010-09-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| WO2011074497A1 (ja) * | 2009-12-16 | 2011-06-23 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP5102848B2 (ja) * | 2008-02-21 | 2012-12-19 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置 |
| KR20150087836A (ko) * | 2015-07-16 | 2015-07-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
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| KR100838185B1 (ko) * | 2001-09-24 | 2008-06-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 및 이를 이용한 액정 표시 장치와, 이의 제조방법 |
| GB0125019D0 (en) * | 2001-10-18 | 2001-12-12 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active matrix display device |
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| KR20070051037A (ko) | 2005-11-14 | 2007-05-17 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
| TWI335483B (en) * | 2006-03-16 | 2011-01-01 | Au Optronics Corp | Pixel structure and liquid crystal display panel |
| KR101435133B1 (ko) * | 2006-11-27 | 2014-09-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| KR100740132B1 (ko) | 2006-11-10 | 2007-07-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
| KR101490477B1 (ko) * | 2008-03-07 | 2015-02-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20090131842A (ko) * | 2008-06-19 | 2009-12-30 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
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| CN102629055B (zh) | 2011-10-24 | 2015-06-03 | 北京京东方光电科技有限公司 | 显示器件的阵列基板、彩膜基板及其制备方法 |
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| CN111443542A (zh) * | 2020-05-06 | 2020-07-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 |
| CN112968035B (zh) * | 2020-08-21 | 2023-11-17 | 友达光电股份有限公司 | 像素阵列 |
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-
1998
- 1998-06-05 JP JP15722398A patent/JP4180690B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1999
- 1999-05-21 TW TW088108412A patent/TW548452B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-06-02 KR KR10-1999-0020266A patent/KR100427884B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-06-04 US US09/325,538 patent/US6259493B1/en not_active Expired - Lifetime
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