CN100371812C - 电光装置和电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供在显示图像的边缘附近也可以显示高品质的图像的液晶装置等电光装置。电光装置在基板(10)上具有多个像素电极(9a)以及用于驱动该像素电极的布线和电子元件。多个像素电极排列在图像显示区域和虚设区域，配置在虚设区域内的像素电极起虚设像素电极(9d)的功能。在基板上进而具有覆盖虚设像素电极上的开口区域的至少一部分的虚设像素遮光膜(111d)。

Description

电光装置和电子设备

技术领域

本发明涉及例如液晶装置等电光装置和具有该电光装置的例如液晶投影机等电子设备的技术领域。

背景技术

在这种电光装置中，在例如TFT阵列基板上具有排列成矩阵状的多个像素电极，这些像素电极排列的平面区域被设为图像显示区域。这样的图像显示区域的边框由在例如TFT阵列基板上形成的称为黑底(黑矩阵)或黑掩模等的内置遮光膜所规定。或者，取代这样的内置遮光膜或在这样的内置遮光膜的基础上，在对置基板上形成边框遮光膜。

但是，利用平面排列的多个像素电极中配置在上下左右的端部或边缘及其附近的像素电极进行与配置在中央附近的像素电极相同的良好的电光动作这一点基本上是困难的。因此，平面排列的多个像素电极中配置在边缘附近的像素电极作为虚设像素电极使用。即，在进行实际的图像显示的图像显示区域的周边将虚设区域规定成边框状，位于该虚设区域内的像素电极与图像显示区域内的像素电极同样进行矩阵驱动，但不用于实际的显示。例如，在虚设区域显示全是黑色的图像，将投影图像的边缘形成为黑边。

但是，在设置上述虚设区域的技术中，存在以下的问题。即，入射光中相对于基板倾斜的分量(成分)将从内置在基板中的或在对置基板上形成的边框遮光膜的侧边侵入虚设区域。例如，在光学系统中即使将投影机用的光源光设置为平行光，在入射到电光装置中的入射光中也包含具有不能忽视的程度的光量的倾斜的分量。例如，有时入射角从垂直偏离到10度～15度的分量约包含10％左右。另外，来自电光装置的基板的背面的反射光或将多个电光装置作为光阀而组合利用时从其他电光系统出射的透过耦合光学系统的光等“返回光”中相对于基板倾斜的分量也会侵入虚设区域。此外，这些入射光或返回光由基板上的叠层结构内的布线的表面或背面的凹凸、电子元件的表面或背面的凹凸等反射或多重反射而发生的相对于基板倾斜的多重反射光或散射光分量等也会侵入虚设区域。

这样，倾斜的光等对显示没有贡献的各种光侵入虚设区域时，对该显示没有贡献的光将通过与像素电极同样构成的并且同样驱动的虚设像素电极的开口区域混入从图像显示区域作为显示光而出射的出射光中。

结果，存在特别是在显示图像的边缘附近将发生画质的劣化的技术问题。不论是如上述那样以在虚设区域进行全黑色显示的方式驱动虚设像素电极还是不驱动时，在图像显示区域显示黑调的图像时其边缘附近将出现发白的模糊现象、显示白调的图像时其边缘附近将出现发黑的模糊现象，本申请发明者们已确认了这种画质的劣化现象。

发明内容

本发明就是鉴于例如上述问题而提案的，目的旨在提供在显示图像的边缘附近也可以显示高品质的图像的电光装置和具有该电光装置的各种电子设备。

为了解决上述问题，本发明的电光装置的特征在于：具有设置在基板上的多个像素电极、用于驱动该像素电极的布线和电子元件中的至少一方、上述多个像素电极所在的图像显示区域、上述多个像素电极所在的以边框状位于该图像显示区域的周边的虚设区域和在上述基板上将起上述虚设像素电极功能的像素电极的开口区域的至少一部分覆盖的虚设像素遮光膜。

按照本发明的电光装置，在其动作时通过例如数据线、扫描线等布线向像素开关用TFT、薄膜二极管(以下，称为“TFD”)等电子元件供给图像信号、扫描信号等。并且，通过从电子元件有选择地向像素电极供给图像信号等，进行有源矩阵驱动。即，在多个像素电极平面排列成矩阵状的图像显示区域进行图像显示。这时，在虚设区域内，和图像显示区域一样，通过将图像信号等供给起虚设像素电极功能的像素电极，进行虚设区域的有源矩阵驱动。因此，在有源矩阵驱动的图像显示区域的边缘附近发生的例如液晶不完全驱动的部分等不完全驱动的像素部分就从实际显示的图像显示区域中除外了。因此，直至该图像显示区域的角落都可以进行良好的图像显示。

这里，特别是在基板上进而设置了虚设像素遮光膜，将起虚设像素电极功能的像素电极的开口区域的至少一部分覆盖。因此，(i)上述从边框遮光膜的侧边侵入的入射光中的倾斜的分量、(ii)来自基板的背面的反射光等的返回光中的倾斜的分量、(iii)这些入射光或返回光在基板上的叠层结构内发生的多重反射光或散射光分量等即使侵入虚设区域，由于虚设像素遮光膜的存在，也可以有效地防止它们通过虚设像素电极的开口区域混入到显示光中。结果，就可以降低在显示图像的边缘附近由于虚设区域中的光透过或光泄漏引起的画质劣化现象，所以，最终可以显示边缘明确的显示图像。特别是在投影机的用途中，投影的显示图像的边缘可以是非常鲜明的黑或灰色，与先有的模糊的边缘的显示图像相比，在人的视觉上可以获得显著的优异的识别观感。

此外，对虚设像素电极的开口区域进行了遮光，所以，对该虚设像素电极供给的图像信号不限于黑的图像信号，也可以是其他中间调的图像信号。或者，不限于固定的电压电平的图像信号，可以是变化的或动态图像的图像信号。

采周这样的结构时，如果各像素的开口区域是例如对角约10μm或约数10μm，则即使沿各开口区域的边缘保留约数μm的间隙或宽度约数μm的缝隙而形成虚设像素遮光膜，该虚设像素遮光膜对虚设像素的开口区域进行遮光的功能也可以充分发挥。此外，即使保留更大的间隙而仅在虚设像素的开口区域的一部分或很少一部分形成虚设像素遮光膜时，也可以得到相应的遮光功能。

根据上述结果，按照本发明的电光装置，即使在显示图像的边缘附近，也可以显示高品质的图像。

在本发明的电光装置的1个实施例中，上述虚设像素遮光膜在上述虚设区域分断形成为岛状。

按照该实施例，各虚设像素的开口区域由在虚设区域分断形成为岛状的虚设像素遮光膜所覆盖。因此，即使例如由高熔点金属膜等热膨胀率与基板、层间绝缘膜、其他导电膜或半导体层等不同的遮光膜材料形成虚设像素遮光膜，也可以缓和在伴随高温处理和低温处理的制造中或制造后虚设像素遮光膜附近发生的应力，从而可以防止发生裂纹。而且，即使分断成岛状，只要以分别无间隙地将各虚设像素的开口区域覆盖的方式形成即以其间隙仅位于各虚设像素的非开口区域内的方式形成，在没有制造误差或位置偏离的条件下，可以进行与形成满状时几乎相同的遮光。或者，如前所述，如果各虚设像素的开口区域为例如对角约10μm或约数10μm，即使沿各开口区域的边缘在该各开口区域内保留约数μm的间隙而将虚设像素遮光膜形成岛状，该虚设像素遮光膜对虚设像素的开口区域遮光的功能也可以充分发挥。

本发明的所谓「岛状」，可以是与虚设像素电极一一对应的岛状，也可以是与虚设像素电极的多个对应的相对大的岛状。此外，所谓「岛状」，可以是正方形或矩形，也可以是去掉角的矩形例如六边形、八边形等多边形。

此外，如果是岛状，就可以将各个虚设像素遮光膜相互电绝缘，从而可以使用同一遮光膜在同一层设置布线、电极等。

或者，在本发明的电光装置的其他实施例中，上述虚设像素遮光膜在上述虚设区域形成满状(全面的)。

按照本实施例，各虚设像素的开口区域由在虚设区域形成满状的虚设像素遮光膜无间隙地覆盖。因此，可以完全防止虚设区域的光透过或光泄漏。

这样，如果是满状，可以将虚设像素遮光膜的全体保持为一体的电连接的状态。因此，可以将电容线、接地布线等虚设像素遮光膜作为1个布线利用。

或者，在本发明的电光装置的其他实施例中，上述虚设像素遮光膜在上述虚设区域分断形成为条带状。

按照该实施例，各虚设像素的开口区域由在虚设区域分断形成为条带状的虚设像素遮光膜所覆盖。因此，可以缓和伴随高温处理和低温处理的制造中或制造后在虚设像素遮光膜附近发生的应力，从而可以防止发生裂纹。而且，即使分断成条带状，如果以将各虚设像素的开口区域分别无间隙地覆盖的方式形成即以其间隙仅位于各虚设像素的非开口区域内的方式形成，在没有制造误差或位置偏离的条件下，可以进行与形成满状时几乎相同的遮光。或者，即使在各开口区域保留宽度约数μm的间隙而将虚设像素遮光膜形成条带状，该虚设像素遮光膜对虚设像素的开口区域进行遮光的功能也可以充分发挥。

所谓本发明的「条带状」，就是例如沿像素电极的行或列的条带状，例如，可以从扫描线、数据线等布线的一部分形成虚设像素遮光膜。即，是条带状，所以，作为相互不短路的布线的一部分，可以有效地利用该虚设像素遮光膜。另外，也可以采用包含多个像素列或像素行的宽度更宽的条带状。

或者，在本发明的电光装置的其他实施例中，在上述虚设像素遮光膜上设置缝隙。

按照该实施例，各虚设像素的开口区域由在虚设区域形成满状、岛状等的虚设像素遮光膜所覆盖。并且，特别是在这样的虚设像素遮光膜上设置了缝隙即长条状的贯通孔。因此，可以缓和例如伴随高温处理和低温处理的制造中或制造后在虚设像素遮光膜附近发生的应力，从而可以防止发生裂纹。从缓和应力的观点考虑，优选在每1个虚设像素或每几个虚设像素不遍布虚设区域的全区域地设置多个缝隙。而且，即使设置缝隙，只要以分别无间隙地将各虚设像素的开口区域覆盖的方式形成即以将缝隙仅设置在各虚设像素的非开口区域内，在没有制造误差或位置偏离的条件下，就可以进行与形成满状时几乎相同的遮光。或者，即使在各开口区域内形成宽度约数μm的间隙，该虚设像素遮光膜对虚设像素的开口区域进行遮光的功能也能够充分发挥。

如果仅形成缝隙，就可以将虚设像素遮光膜的全体保持为一体地电连接的状态。因此，可以将电容线、接地布线等、虚设像素遮光膜作为1个布线而利用。另外，缝隙的长度方向可以是列方向也可以是行方向，两方向的缝隙可以是以规则的或不规则的方式混合存在。

在本发明的电光装置的其他实施例中，上述虚设像素遮光膜在上述基板的平坦的表面上直接或隔着平坦的层间绝缘膜形成。

按照该实施例，虚设像素遮光膜在基板的平坦的表面上平坦地形成，所以，即使倾斜的光等入射到其表面、最终混入到显示光或出射光，只要是由该虚设像素遮光膜的表面所反射的光，就不会具有因反射面的凹凸图形而发生的干涉条纹等。即，由于在下层侧存在其他布线、电极、电子元件等，所以，在表面凹凸的反射膜上反射倾斜的光等时，通常会因布线间距等发生干涉条纹，最终在显示图像的边缘附近会出现某种花纹。当然，在这样的显示图像的边缘附近出现的花纹在多数情况下在视觉上明显，导致画质劣化。

因此，如本实施例那样，使用平坦的虚设像素遮光膜，对于降低其表面的反射光或衍射光的干涉引起的画质劣化是非常有利的。

在本发明的电光装置的其他实施例中，上述虚设像素遮光膜在上述布线或电子元件中的至少一方的下层侧形成。

按照该实施例，利用虚设像素遮光膜可以有效地防止返回光在电子元件或布线的背面反射。假如，作为例如薄膜晶体管的半导体层的多晶硅膜的膜厚约为40nm时，按照与返回光的波长的关系，返回光完全可以由该多晶硅膜反射，进而，在虚设区域反射返回光时，在显示图像的边缘将引起画质劣化。然而在本实施例中，在返回光等到达布线或电子元件之前的阶段，由虚设像素遮光膜将其遮光，所以，可以降低在显示图像的边缘发生的画质劣化。

此外，虚设像素遮光膜在基板上的叠层结构中越位于下层侧，下层侧就越可以没有图形化的布线等，所以，可以很容易地形成上述平坦的虚设像素遮光膜。

在本发明的电光装置的其他实施例中，上述布线和电子元件中的至少一方包含对上述像素电极进行开关控制的薄膜晶体管和与该薄膜晶体管连接的扫描线和数据线，在上述基板上进而具有从下层侧开始覆盖上述薄膜晶体管的至少沟道区域的下侧遮光膜，上述虚设像素遮光膜与上述下侧遮光膜由相同的膜构成。

按照该实施例，利用由与虚设像素遮光膜相同的膜构成的下侧遮光膜，可以有效地防止返回光引起的像素开关用TFT中的光漏电流的发生。这样，就可以防止像素开关用TFT的特性由于返回光引起的变化，从而可以显示高品质的图像。并且，具有这样的功能的下侧遮光膜和虚设像素遮光膜由相同的膜构成，所以，可以简化基板上的叠层结构和制造方法。

在下侧遮光膜的实施例中，上述下侧遮光膜可以兼作上述扫描线的至少一部分。

按照这样的结构，将通过像素开关用TFT的下层侧的扫描线制作到基板上，可以供给稳定的扫描信号，同时，可以在像素开关用TFT的上层侧不用在意扫描线的存在，制作存储电容或电容线、或者数据线或上侧遮光膜等。

或者，在下侧遮光膜的实施例中，在上述基板上进而具有用于赋予上述像素电极以存储电容的电容线，上述虚设像素遮光膜和上述电容线由相同的导电膜构成。

按照这样的结构，将通过像素开关用TFT的下层侧的电容线制作到基板上，可以供给稳定的电容电极电位，同时，可以在像素开关用TFT的上层侧不用在意电容线的存在，制作扫描线、数据线或上侧遮光膜等。

在本发明的电光装置的其他实施例中，在上述基板上进而具有将图像信号供给上述数据线的图像信号供给电路和用于将扫描信号供给上述扫描线的扫描信号供给电路，上述图像信号供给电路和上述扫描信号供给电路中的至少一方将从端部最初输出的信号供给与上述薄膜晶体管未连接的虚设的数据线或扫描线。

按照该实施例，在顺序输出构成扫描线驱动电路或数据线驱动电路的移位寄存器等的传输信号的电路的性质上，波形、电压、脉冲宽度等相对地最难稳定，最初输出的信号供给虚设的数据线或扫描线。薄膜晶体管不与这样的虚设的数据线或扫描线连接，实际驱动像素部时这些最初输出的信号不被使用而被舍弃。

作为虚设的布线，不限于供给最初输出的信号的1条，可以设置最初供给2个信号的2条、供给3个信号的3条、...等比较少的条数。

在本发明的电光装置的其他实施例中，上述虚设像素遮光膜与固定电位源或固定电位布线连接。

按照该实施例，虚设像素遮光膜的电位是稳定的，其电位变化对其他像素电极和布线等几乎没有不良影响。作为这样的固定电位布线，根据基板上的线路图配置的关系，优选使用自然地与虚设像素电极比较近地布线的数据线驱动电路的接地电位布线。或者，也可以设置专用的固定电位源或固定电位布线。

在本发明的电光装置的其他实施例中，上述虚设像素遮光膜采用浮置电位。

按照该实施例，将虚设像素遮光膜分断形成为岛状时很便利。如果虚设像素遮光膜与其他导电层或半导体层间隔层间距离而构成时，即使是浮置电位，也不会对周围有不良影响，此外，如果虚设像素遮光膜的电容大，即使是浮置电位，也可以保持为稳定的电位。因此，例如将虚设像素遮光膜形成为满状或条带状时，也可以采用浮置电位。

在本发明的电光装置的其他实施例中，进而具有将图像信号供给上述多个像素电极的图像信号供给单元，该图像信号供给单元对起上述虚设像素电极功能的像素电极供给中间调的图像信号。

按照该实施例，在其动作时由图像信号供给单元向虚设像素电极供给中间调的图像信号。这里，经本发明者的研究证实：向虚设像素电极供给黑显示的图像信号时，在虚设区域即图像显示区域的边缘容易出现白的重影；此外，作为虚设的图像信号，在常白模式下使黑显示为5V时，供给约2～4V的中间调的图像信号时，可以降低这样的白的重影的出现；特别是在将进行串-并变换的n(n是大于等于2的自然数)个图像信号同时供给n条数据线的同时驱动时，将中间调或白的图像信号供给虚设像素电极，就可以降低这样的重影的出现。结果，在上述本发明中，通过将中间调的图像信号作为虚设的图像信号来供给，可以进一步提高显示图像的边缘附近的画质。

这样的图像信号供给单元可以是基板内置型的，也可以是外部安装型的。

在本发明的电光装置的其他实施例中，进而具有以在与上述基板之间夹持电光物质的方式与上述基板相对配置的对置基板、和在上述对置基板上与上述虚设区域相对的区域形成的边框遮光膜。

按照该实施例，可以构成液晶等电光物质夹持在一对基本和对置基板之间而形成的在显示图像的边缘附近画质优异的液晶装置等电光装置。这时，在虚设区域设置了虚设像素遮光膜，所以，对于对置基板侧的边框遮光膜可以形成得较小，从而可以有效地避免由于基板的相互粘贴时组装偏离而使各像素的开口区域变窄。但是，也可以将对置基板侧的边框遮光膜形成得较大，由此规定各像素的开口区域。

为了解决上述问题，本发明的电子设备具有上述本发明的电光装置(包含各种形式)。

本发明的电子设备具有上述本发明的电光装置，所以，可以实现可获得高品质的图像显示画面的投射型显示装置、电视接收机、便携电话、电子记事簿、文字处理器、取景器式或监视器直视式的摄像机、工作站、可视电话、POS终端、触摸面板等各种电子设备。

这样的本发明的电光装置可以是例如液晶装置、电子纸等电泳装置、电子发射元件的装置(场发射器显示器和面传导式电子发射显示器)等。

本发明的作用和其他优点，通过以下说明的实施例即可明白。

附图说明

图1是将构成本发明实施例的电光装置的图像显示区域的各种元件、布线等的等效电路与其周边驱动电路一起表示的电路图。

图2是形成实施例1的电光装置中的数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻的多个像素群的平面图。

图3是图2的A-A’剖面图。

图4是从对置基板侧看TFT阵列基板与在其上形成的各结构要素的平面图。

图5是图4的H-H’剖面图。

图6是表示虚设区域的遮光图形的部分放大平面图。

图7是表示实施例2的虚设区域中虚设像素遮光膜的平面图形的平面图。

图8是实施例3的形成数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻的多个像素群的平面图(下层部分)。

图9是实施例3的形成有数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻的多个像素群的平面图(上层部分)。

图10是将图8和图9重叠时的A-A’剖面图。

图11是表示实施例3的虚设区域中的下侧遮光膜的平面图形的平面图。

图12是表示实施例4的虚设区域中的下侧遮光膜的平面图形的平面图。

图13是表示实施例5的虚设区域中的下侧遮光膜的平面图形的平面图。

图14是表示实施例6的虚设区域中的下侧遮光膜的平面图形的平面图。

图15是表示本发明的电子设备的实施例的一例的彩色液晶投影机的示意性的剖面图。

标号说明

1a  半导体层

1a’沟道区域

10TFT阵列基板

11a扫描线

20对置基板

30TFT

50液晶层

111d虚设像素遮光膜

113a扫描线

300电容线

400电容线

具体实施方式

下面，参照附图说明本发明的实施例。以下的实施例是将本发明的电光装置应用于液晶装置的方式。

实施例1.

首先，参照图1～图6说明本发明的实施例1的电光装置。图1是将构成电光装置的图像显示区域的形成矩阵状的多个像素中的各种元件、布线等的等效电路与其周边驱动电路一起表示的电路图。图2是形成有数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻的多个像素群的平面图。图3是图2的A-A’剖面图。图4是从对置基板侧看TFT阵列基板与在其上形成的各结构要素的平面图，图5是图4的H-H’剖面图。图6是表示虚设区域的遮光图形的部分放大平面图。在图3和图5等中，为了将各层或各部件采用在图面上可以识别的大小，各层或各部件采用了不同的比例尺。

在图1中，在构成本实施例的电光装置的图像显示区域的形成矩阵状的多个像素中，分别形成了像素电极9a和用于对该像素电极9a进行开关控制的TFT30，供给图像信号的数据线6a与该TFT30的源极电连接。供给扫描信号的扫描线113a与TFT30的栅电极电连接。像素电极9a和存储电容70与TFT30的漏极电连接。

电光装置在位于图像显示区域的周边的周边区域具有数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104和采样电路301。数据线驱动电路101通过采样电路驱动信号线114将采样电路驱动信号顺序供给采样电路301。采样电路301具有多个采样用的即作为采样开关的单沟道型TFT302。各单沟道型TFT302，其源极与图像信号线115的引出线116连接，其漏极与数据线6a连接，其栅电极与采样电路驱动信号线114连接。并且，在从数据线驱动电路101供给的采样电路驱动信号的定时，对图像信号线115上的图像信号VID1～VID6同时进行采样，并同时供给6条数据线。这样，作为图像信号S1、S2、...、Sn，就按6条数据线6a的组别顺序写入。另一方面，扫描线驱动电路104在指定的定时脉冲式地将扫描信号G1、G2、...、Gm按线顺序供给扫描线113a。

在图像显示区域内，扫描信号G1、G2、...、Gm从扫描线驱动电路104通过扫描线113a按线顺序加到TFT30的栅电极上。通过将作为像素开关元件的TFT30关闭一定期间，而将从数据线6a供给的图像信号S1、S2、...、Sn在指定的定时写入像素电极9a。通过像素电极9a而写入作为电光物质的一例的液晶的指定电平的图像信号S1、S2、...、Sn在与后面所述的在对置基板上形成的对置电极之间保持一定期间。液晶通过随所加的电压电平其分子集合的取向或秩序而变化，对光进行调制，从而可以进行灰度显示。如果是常白模式，在各像素的单位，对入射光的透过率随所加的电压而减少；如果是常黑模式，在各像素的单位，对入射光的透过率随所加的电压而增加，总体上从电光装置出射具有与图像信号对应的对比度的光。这里，为了防止保持的图像信号泄漏，附加了与在像素电极9a和对置电极之间形成的液晶电容并联的存储电容70。如后面所述，存储电容70包含与像素电极9a连接的像素电位侧电容电极和将电介质膜夹在中间与其相对配置的固定电位侧电容电极。与扫描线113a并行排列的固定电位的电容线300的一部分作为这样的固定电位侧电容电极。此外，如后面所述，利用下侧遮光膜111a构成电容线300的冗长布线。

电容线300和下侧遮光膜111a在排列了像素电极9a的图像显示区域之外与电容线电位供给端子303电连接。这样，所有的电容线300和下侧遮光膜111a就采用从电容线电位供给端子303供给的稳定的固定电位或反转的指定电位，在存储电容70中可以得到良好的电位保持特性。作为这样的电位源，可以是供给将驱动TFT30的扫描信号供给扫描线113a的扫描线驱动电路或供给数据线驱动电路的正电源或负电源的恒定电位源，也可以是供给对置基板的对置电极的恒定电位。

在本实施例中，利用同一极性的电位驱动例如同一行的像素电极9a，对每行将这样的电位极性进行按场周期反转的“行反转驱动”或“1H反转驱动”。即，供给到图像信号线115上的图像信号是按场单位进行极性反转的信号。这样，就可以有效地避免液晶中由于所加的直流电压引起的劣化。

在本实施例中，特别是在图1中的图像显示区域，在白的四角分别配置了图示的像素电极9a，在其周边扩展成边框状的虚设区域，在黑四角分别排列了图示的起虚设像素电极9d的功能的像素电极。像素电极9a和虚设像素电极9d具有相同的结构。此外，包含像素电极9a、像素开关用TFT30和存储电容70的像素部与包含虚设像素电极9d、像素开关用TFT30和存储电容70的虚设像素部具有大致相同的结构。

但是，在虚设像素部中，如后面所述，不同的是由与下侧遮光膜111a相同的膜构成的虚设像素遮光膜设置在各虚设像素的开口区域。在图1中，更具体而言，图像显示区域的周边2列和周边2行为虚设像素电极9d，在虚设区域中，与在图像显示区域中一样，进行有源矩阵驱动，所以，对于在有源矩阵驱动的图像显示区域的边缘附近发生的液晶不完全驱动的部分，就从实际显示的图像显示区域中除外了。

这样，直至图像显示区域的各个角落都可以进行良好的图像显示。

其次，如图2所示，在电光装置的TFT阵列基板上，多个透明的像素电极9a(由虚设线部9a’表示其轮廓)设置成矩阵状，分别沿像素电极9a的纵横的边界设置了数据线6a和扫描线113a。

在本实施例中，特别是在图像显示区域和虚设区域中，在各像素的非开口区域，下侧遮光膜111a布线成格子状。下侧遮光膜111a形成电容线300的冗长布线，通过接触孔601与电容线300电连接。接触孔601可以用与电容线300相同的材料填充，也可以用其他导电材料进行堵塞。此外，下侧遮光膜111a在周边区域直接或通过电容线300与电容线电位供给端子303电连接(参见图1)。并且，在虚设区域与图像显示区域的像素电极9a一样设置了多个透明的虚设像素电极9d，分别沿虚设像素电极9d的纵横的边界设置了数据线6a和扫描线113a。但是，在虚设区域的各像素的开口区域形成由与下侧遮光膜111a相同的膜构成的岛状的虚设像素遮光膜111d。即，在虚设区域中，在各像素中平面看残留微小间隙111s的开口区域的大部分由虚设像素遮光膜111d所覆盖。间隙111s沿开口区域的边缘存在，其宽度约为例如0.几μm～几μm。

另外，在图2中，与半导体层1a中图中右上的细的斜线区域表示的沟道区域1a’相对地配置了扫描线113a，扫描线113a起栅电极的功能。特别是在本实施例中，扫描线113a在成为该栅电极的部分形成宽幅的线。这样，在扫描线113a与数据线6a的交叉的地方，分别在沟道区域1a’设置了以扫描线113a作为栅电极而相对配置的像素开关用的TFT30。

如图2和图3所示，电容线300在扫描线113a上形成。电容线300包含平面看沿扫描线113a以条带状延伸的主线部和从扫描线113a与数据线6a的交点的该主线部沿数据线6a向图2中上下突出的突出部。

电容线300由例如包含金属或合金的导电性的遮光膜构成，在构成上侧遮光膜的一例的同时也起固定电位侧电容电极的功能。电容线300由包含例如Ti(钛)、Cr(铬)、W(钨)、Ta(钽)、Mo(钼)等高熔点金属中的至少一种的单质金属、合金、金属硅化物、多晶硅、这些的叠层物构成。电容线300也可以包含Al(铝)、Ag(银)、Au(金)、Cu(铜)等其他金属。或者，电容线300也可以具有例如由导电性的多晶硅膜等构成的第1膜和由包含高熔点金属的金属硅化物等构成的第2膜叠层的多层结构。

另一方面，通过电介质膜75与电容线300相对配置的中继层(即阻挡层)71具有存储电容70的像素电位侧电容电极的功能，此外，具有将像素电极9a与TFT30的高浓度漏极区域1e中继连接的中间导电层的功能。

这样，在本实施例中，存储电容70就由与TFT30的高浓度漏极区域1e和像素电极9a连接的作为像素电位侧电容电极的中继层71与作为固定电位侧电容电极的电容线300的一部分隔着电介质膜75相对配置而构成。

并且，通过图2中分别沿纵向延伸的数据线6a与图2中分别沿横向延伸的电容线300相交叉，在TFT阵列基板10上的TFT30的上侧构成平面看呈格子状的上侧遮光膜，规定各像素的开口区域。

另一方面，在TFT阵列基板10上的TFT30的下侧，通过图3中未示出的接触孔601(参见图2)与电容线300电连接的下侧遮光膜111a设置成格子状。对于形成电容线300的冗长布线的下侧遮光膜111a，与电容线300一样由各种金属膜等形成。这样，利用起电容线300的冗长布线的功能的下侧遮光膜111a可以实现电容线300的低电阻化，此外，也可以防止由于电容线300的部分断线或不良而引起的装置全体不良的现象。此外，利用下侧遮光膜111a和电容线300可以从上下对TFT30进行遮光，所以，可以有效地防止强烈的入射光和返回光入射到TFT30上而发生光漏电流。

如图2和图3所示，像素电极9a通过中继层71的中继作用，进而通过接触孔83和85与半导体层1a中高浓度漏极区域1e电连接。

另一方面，数据线6a通过接触孔81与由例如多晶硅膜构成的半导体层1a中高浓度源极区域1d电连接。利用中继层可以将数据线6a和高浓度源极区域1d中继连接。

在图2和图3中，电光装置具有透明的TFT阵列基板10和与其相对配置的透明的对置基板20。TFT阵列基板10由例如石英基板、玻璃基板、硅基板构成，对置基板20由例如玻璃基板或石英基板构成。

如图3所示，在TFT阵列基板10上设置了像素电极9a，在其上侧设置进行了摩擦处理等指定的取向处理的取向膜16。像素电极9a由例如ITO(氧化铟锡)膜等透明导电膜构成。另外，取向膜16由例如聚酰亚胺膜等有机膜构成。

另一方面，在对置基板20上，遍及其整个面设置了对置电极21，在其下侧设置进行了摩擦处理等指定的取向处理的取向膜22。对置电极21由例如ITO膜等透明导电膜构成。另外，取向膜22由聚酰亚胺膜等有机膜构成。

在对置基板20侧，在各像素的开口区域以外的区域，遮光膜23形成格子状或条带状。通过采用这样的结构，与构成上述上侧遮光膜的电容线300和数据线6a一起由该对置基板20侧的遮光膜23可以更可靠地阻止从对置基板20侧入射的光侵入沟道区域1a’及其相邻的区域。此外，通过对置基板20侧的遮光膜23的至少入射光照射的面由高反射的膜形成，可以防止电光装置的温度上升。这种对置基板20侧的遮光膜23最好位于平面看由电容线300和数据线6a构成的遮光层的内侧。这样，对置基板20侧的遮光膜不会降低各像素的开口率，从而可以得到遮光和防止温度上升的效果。

在这样构成的像素电极9a与对置电极21相对配置的TFT阵列基板10与对置基板20之间，作为电光物质的一例的液晶封入由后面所述的密封部件包围的空间，形成液晶层50。液晶层50在电场未加到像素电极9a上的状态下由取向膜16和22的作用呈指定的取向状态。液晶层50由例如将一种或多种向列液晶混合的液晶构成。密封部件是用于将TFT阵列基板10和对置基板20在它们的周边相互粘贴的由例如光固化性树脂或热固化性树脂构成的粘接剂，混入了用于使两基板间的距离保持为指定值的玻璃纤维或玻璃小球等间隙部件。

此外，在像素开关用TFT30的下面设置了基底绝缘膜12。基底绝缘膜12除了起将下侧遮光膜111a与TFT30层间绝缘的功能外，通过在TFT阵列基板10的整个面上形成，还具有防止TFT阵列基板10的表面研磨时的粗糙或清洗后残留的污物等引起像素开关用TFT30的特性的变化的功能。

在图3中，像素开关用TFT30具有LDD(轻掺杂漏)结构，具有扫描线113a、由该扫描线113a的电场形成沟道的半导体层1a的沟道区域1a’、包含将扫描线113a与半导体层1a绝缘的栅电极绝缘膜的绝缘膜2、半导体层1a的低浓度源极区域1b和低浓度漏极区域1c、半导体层1a的高浓度源极区域1d和高浓度漏极区域1e。

在扫描线113a上，形成了分别形成有通向高浓度源极区域1d的接触孔81和通向高浓度漏极区域1e的接触孔83的第1层间绝缘膜41。

在第1层间绝缘膜41上，形成了中继层71和电容线300，再在其上形成了分别形成有接触孔81和接触孔85的第2层间绝缘膜42。

在第2层间绝缘膜42上，形成数据线6a，再其上形成设置了通向中继层71的接触孔85的第3层间绝缘膜43。像素电极9a设置在这样构成的第3层间绝缘膜43的上面。

下面，参照图4和图5说明上述构成像素部的电光装置的全体结构。图4是从对置基板20侧看TFT阵列基板与在其上形成的各结构要素的平面图，图5是图4的H-H’剖面图。

如图4所示，在TFT阵列基板10上，沿其边缘设置了密封部件52，在其内侧并行地设置了作为规定图像显示区域10a的周边的边框的遮光膜53。在密封部件52的外侧的区域，沿TFT阵列基板10的一边设置了通过在指定定时向数据线6a供给图像信号而驱动数据线6a的数据线驱动电路101和外部电路连接端子102，沿与该一边相邻的2边设置了通过在指定定时向扫描线113a供给扫描信号而驱动扫描线113a的扫描线驱动电路104。如果供给扫描线113a的扫描信号延迟不成其为问题，则可只在单侧设置扫描线驱动电路104，这是不言而喻的。另外，可以将数据线驱动电路101沿图像显示区域10a的边配置在两侧。此外，在TFT阵列基板10的剩余的一边，设置了用于将在图像显示区域10a的两侧设置的扫描线驱动电路104之间连接的多个布线105。另外，在对置基板20的角部的至少1个地方，设置了用于使TFT阵列基板10与对置基板20之间电导通的导通部件106。并且，如图5所示，具有与图4所示的密封部件52基本上相同的轮廓的对置基板20利用该密封部件52与TFT阵列基板10固定在一起。

在TFT阵列基板10上，除了这些数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104等外，可以形成先于图像信号分别将指定电压电平的预充电信号供给多个数据线6a的预充电电路和用于检查制造过程中或出厂时该电光装置的品质、缺陷等的检查电路等。

下面，参照图6详细说明虚设区域中的虚设像素遮光膜111d的结构和效果。

如图6所示，在本实施例中，特别是在虚设区域的各像素中，虚设像素遮光膜111d设置成岛状，虚设像素电极9d的开口区域中仅留微小的间隙111s，大部分被覆盖。因此，(i)从图3和图5的上方入射的例如投影机用的强烈的入射光入射时从电容线300、数据线6a和边框遮光膜23的侧面侵入的入射光中的倾斜的分量、(ii)从图3和图5的下方入射的来自TFT阵列基板10的背面的反射光等的返回光中的倾斜的分量、(iii)这些入射光或返回光在TFT阵列基板10上的叠层结构内发生的多重反射光或散射光分量等即使侵入虚设区域，由于虚设像素遮光膜111d的存在，也可以有效地防止它们通过虚设像素电极9d的开口区域混入显示光中。

此外，在本实施例中，虚设像素遮光膜111d在各像素中分断形成为岛状，所以，可以缓和TFT阵列基板10上由于热经历而在虚设像素遮光膜111d附近发生的应力，从而可以防止发生裂纹。间隙111s相对于例如对角约十μm或十几μm的各虚设像素的各开口区域沿其边缘只有约几μm，所以，虚设像素遮光膜111d的遮光功能可以充分发挥。

此外，在本实施例中，虚设像素遮光膜111d直接在TFT阵列基板10的平坦的表面形成。因此，在由虚设像素遮光膜111d的表面反射的光中，不会有因反射面的凹凸图形引起的干涉条纹等。

即，平坦的虚设像素遮光膜111d对降低其表面的反射光或衍射光的干涉引起的画质劣化非常有利。

分断为岛状的虚设像素遮光膜111d即使是浮置电位，也可以通过基底绝缘膜12等与构成TFT30、数据线6a、扫描线113a等的其他导电层或半导体层相隔层间距离而构成，所以，对于这些TFT30等几乎不会有什么坏影响波及周围。

在本实施例中，优选从构成本发明的图像信号供给单元的一例的数据线驱动电路101和采样电路301向虚设像素电极9d供给中间调的图像信号。例如，作为虚设的图像信号，在常白模式下设黑显示为5V时，则供给约2～4V的中间调的图像信号。这样，在接近虚设区域的图像显示区域的边缘附近可以降低白的重影的出现。这种降低的倾向，特别是如图1所示的使用串-并变换同时驱动多条数据线6a时显著。这样，在上述实施例中，作为虚设的图像信号，通过供给中间调的图像信号，可以进一步提高显示图像的边缘附近的画质。

结果，按照本实施例，可以降低在虚设区域中的光透过或光泄漏引起的显示图像的边缘附近的画质劣化现象。特别是在投影机的用途中，可以使投影的显示图像的边缘成为非常鲜明的黑色或灰色。

在以上参照图1～图6说明的实施例中，也可以取代将数据线驱动电路101和扫描线驱动电路104设置在TFT阵列基板10上，而通过设置在TFT阵列基板10的周边部的各向异性导电膜与装配在例如TAB(带式自动键合)基板上的驱动用LSI实现电及机械的连接。另外，在对置基板20的投射光入射的一侧和TFT阵列基板10的出射光出射的一侧，根据例如TN(扭曲向列)模式、STN(超扭曲向列)模式、VA(垂直取向)模式、PDLC(高分子散布型液晶)模式等的动作模式或常白模式/常黑模式的不同分别在指定的方向配置了偏振膜、相位差膜、偏振片等。

以上说明的实施例的电光装置适用于投影机，所以，3个电光装置分别作为RGB用的光阀使用，通过各个RGB色分解用的分色镜而分解的各色的光作为投射光分别入射到各光阀上。因此，在各实施例中，在对置基板20上不设置滤色器。但是，在与像素电极9a相对的指定区域，可以在对置基板20上将RGB的滤色器与其保护膜一起形成。这样，对于投影机以外的直视型或反射型的彩色电光装置，就可以应用各实施例的电光装置。或者，可以在与TFT阵列基板10上的RGB相对的像素电极9a下利用彩色抗蚀剂等形成滤色器层。这样，通过提高入射光的聚光效率，可以实现明亮的电光装置。此外，通过在对置基板20上淀积若干层折射率不同的干涉层，利用光的干涉，可以形成产生RGB色的分色器。

实施例2.

下面，参照图7说明本发明的实施例2。图7是表示实施例2的虚设区域中的虚设像素遮光膜的平面图形的平面图。

实施例2与上述实施例1相比，虚设像素遮光膜的平面图形不同。其他结构与实施例1相同。所以，在实施例2的图7中，对于与图1～图6的实施例1相同的结构要素标以相同的符号，并省略其说明。

在图7中，在实施例2的电光装置中，虚设像素遮光膜111d-2在虚设区域的整个区域中形成满状。虚设像素遮光膜111d-2起电容线300的冗长布线的功能，电容线300全部与相同的电容线电位供给端子303连接，所以，即使将下侧遮光膜11b形成满状，作为电容线300的冗长布线也不会发生任何问题。

按照本实施例，各虚设像素的开口区域由形成满状的虚设像素遮光膜111d-2无间隙地覆盖。因此，可以完全防止虚设区域中的光透过或光泄漏。

实施例3.

下面，参照图8～图11说明本发明的实施例3。图8和图9是形成数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻的多个像素群的平面图，是与实施例1的图2对应的地方的平面图。图8和图9分别表示后面所述的叠层结构中的下层部分(图8)和上层部分(图9)。另外，图10是将图8和图9相互重叠时的A-A’的剖面图。在图10中，为了使各层和各部件在图面上的大小可以识别，各层和各部件采用了不同的比例尺。图11是表示实施例3的虚设区域中的下侧遮光膜的平面图形的平面图。

在实施例3的图8～图11中，对于与图1～图6所示的实施例1相同的结构要素标以相同的符号，并省略前说明。另外，对于虚设像素遮光膜，从图8和图9中删去了，在图11中与扫描线11a等一起表示。

如图8～图10所示，扫描线11a由例如遮光性的高熔点金属膜等构成。扫描线11a通过接触孔12cv与和沟道区域1a’相对的栅电极3a电连接，栅电极3a成为包含在扫描线11a中的形式。即，在栅电极3a与数据线6a交叉的地方分别设置了包含在扫描线11a中的栅电极3a与沟道区域1a’相对配置的像素开关用的TFT30。这样，TFT30(除了栅电极外)将成为在栅电极3a与扫描线11a之间存在的形态。

如图10所示，在TFT阵列基板10上，从下顺序由包含扫描线11a的第1层、包含包括栅电极3a的TFT30等的第2层、包含存储电容70的第3层、包含数据线6a等的第4层、包含电容布线400等的第5层和包含上述像素堆积9a和取向膜16等的第6层(最上层)构成。另外，在第1层和第2层间设置了基底绝缘膜12，在第2层和第3层间设置了第1层间绝缘膜41，在第3层和第4层间设置了第2层间绝缘膜42，在第4层和第5层间设置了第3层间绝缘膜43，在第5层和第6层间设置了第4层间绝缘膜44，防止上述各要素间发生短路。另外，这些绝缘膜12、41、42、43、44上也设置了例如将TFT30的半导体层1a中的高浓度源极区域1d与数据线6a电连接的接触孔等。下面，从下开始顺序说明各要素。上述第1层～第3层作为下层部分表示在图8中，第4层～第6层作为上层部分表示在图9中。

首先，在第1层上设置了由将例如包含Ti、Cr、W、Ta、Mo等高熔点金属中的至少一种金属的单质金属、合金、金属硅化物、多晶硅、这些的叠层物、或由导电性多晶硅等构成的扫描线11a。扫描线11a从平面看沿图8的X方向形成条带状的图形。更详细看，条带状的扫描线11a具有沿图8的X方向延伸的主线部和沿数据线6a或电容布线400所在的图8的Y方向延伸的突出部。从相邻的扫描线11a延伸的突出部不相互连接，因此，该扫描线11a成为1条1条分离的形式。

其次，作为第2层，设置了包含栅电极3a的TFT30。在本实施例中，在第2层上，作为与上述栅电极3a相同的膜，形成中继电极719。该中继电极719从平面看如图8所示，位于沿各像素电极9a的X方向延伸的一边的大致中央位置形成岛状。由于中继电极719和栅电极3a作为相同的膜而形成，所以，后者由例如导电性多晶硅膜等构成时，则前者也由导电性多晶硅膜等构成。

在以上说明的扫描线11a之上、TFT30之下设置了由例如氧化硅膜等构成的基底绝缘膜12。在该基底缘膜12上，从平面看在半导体层1a的两侧沿后面所述的数据线6a延伸的半导体层1a的沟道长度方向形成沟状的接触孔12cv，与该接触孔12cv对应地在其上方叠层的栅电极3a包含下侧形成凹状的部分。另外，通过掩埋该接触孔12cv全体而形成栅电极3a，在该栅电极3a上设置与其一体地形成的侧壁部3b。这样，如图8所示，TFT30的半导体层1a从平面看就从侧方被覆盖，至少可以抑制从该部分入射的光。另外，该侧壁部3b掩埋上述接触孔12cv而形成，同时，其下端与上述扫描线11a接触。这里，如上所述，扫描线11a形成条带状，所以，存在于某一行的栅电极3a和扫描线11a只要着眼于该行就总是相同的电位。

在上述第2层之后的第3层上，设置了存储电容70。由图8的平面图可知，本实施例的存储电容70以不会到达与像素电极9a的形成区域大致对应的光透过区域的方式形成(换言之，限制在遮光区域内形成)，所以，电光装置全体的像素开口率维持得比较大，这样，就可以显示更明亮的图像。在本实施例中，如图10所示，电介质膜75具有下层为氧化硅膜75a、上层为氮化硅膜75b这样的双层结构。上层的氮化硅膜75b形成的图形尺寸比像素电位侧电容电极的下部电极71略大，限制在遮光区域(非开口区域)内。在本实施例中，电介质膜75具有双层结构，但是，根据情况，也可以具有例如氧化硅膜、氮化硅麽和氧化硅膜等这样的3层结构或者更多的叠层结构。当然，也可以采用单层结构。

在第1层间绝缘膜41上，形成将作为构成存储电容70的像素电位侧电容电极的下部电极71与中继电极719电连接的接触孔881。此外，在第1层间绝缘膜41上，贯通后面所述的第2层间绝缘膜而形成将中继电极719与后面所述的第2中继电极6a2电连接的接触孔882。

在上述第3层之后的第4层上，设置了数据线6a。如图10所示，数据线6a从下层开始顺序形成具有由铝构成的层(参见图10中的符号41A)、由氮化钛构成的层(参见图10中的符号41TN)和由氮化硅膜构成的层(参见图10中的符号401)的三层结构的膜。氮化硅膜的尺寸形成得略大，将其下层的铝层和氮化钛层覆盖。

在第4层上，作为与数据线6a相同的膜，形成电容布线用中继层6a1和第2中继电极6a2。如图9所示，从平面看，它们不是具有与数据线6a连续的平面形状，在图形上以相互分离的形式形成。

这些电容布线用中继层6a1和第2中继电极6a2作为与数据线6a相同的膜而形成，所以，从下层开始顺序具有由铝构成的层、由氮化钛构成的层和由等离子体氮化膜构成的层的三层结构。

在第2层间绝缘膜42上，形成将电容布线用中继层6a1与存储电容70的上部电极即电容电极300电连接的接触孔801。此外，在第2层间绝缘膜42上，还形成用于将第2中继电极6a2与中继电极719电连接的上述接触孔882。

在第4层之后的第5层上，作为本发明的「上侧遮光膜」，形成电容布线400。该电容布线400从平面看如图9所示，分别沿图中X方向和Y方向延伸形成格子状。对于电容布线400中沿图中Y方向延伸的部分，特别以覆盖数据线6a的方式形成，并且形成得比该数据线6a的幅度宽。另外，对于沿图中X方向延伸的部分，为了确保形成后面所述的第3中继电极402的区域，在各像素电极9a的一边的中央附近形成缺口部。

此外，在图9中，在分别沿XY方向延伸的电容布线400的交叉部分的角部，掩埋该角部而设置了大致呈三角形的部分。通过在电容布线400上设置该大致呈三角形的部分，可以有效地进行对TFT30的半导体层1a的光的遮蔽。即，从斜上方要进入半导体层1a的光由该三角形部分反射或吸收，不会到达半导体层1a。电容布线400从配置了像素电极9a的图像显示区域10a向其周围延伸，通过与恒定电位源电连接，成为固定电位。

在第4层上，作为与这种电容布线400相同的膜，形成第3中继电极402。第3中继电极402具有通过后述的接触孔804和89将第2中继电极6a2和像素电极9a间的电连接进行中继连接的功能。在电容布线400和第3中继电极402之间，不是以平面形状连续地形成的，两者间在图形上是以分离的方式形成的。另一方面，上述电容布线400和第3中继电极402具有下层为由铝构成的层、上层为由氮化钛构成的层的双层结构。

在第3层间绝缘膜43上，分别形成用于将上述电容布线400与电容布线用中继层6a1电连接的接触孔803和用于将第3中继电极402与第2中继电极6a2电连接的接触孔804。

在第6层上，在像素电极9a之下，形成由NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等或者最好由NSG构成的第4层间绝缘膜44。在第4层间绝缘膜44上，形成用于将像素电极9a与上述第3中继电极402间电连接的接触孔89。像素电极9a与TFT30之间通过接触孔89、第3中继层402、上述接触孔804、第2中继层6a2、接触孔882、中继电极719、接触孔881、下部电极71和接触孔83电连接。

如图11所示，在实施例3的电光装置中，特别是虚设区域的虚设像素遮光膜111d-3的形状与虚设区域中的各像素的开口区域的平面图形即八边形(参见图8和图9)相似，并且具有岛状的平面图形。虚设像素遮光膜111d-3作为与扫描线11a相同的层而形成，由遮光性和导电性优异的高熔点金属膜等构成。

按照实施例3，各虚设像素的开口区域由分断形成为岛状的虚设像素遮光膜111d-3所覆盖。因此，可以缓和在制造工序中的热经历而在虚设像素遮光膜111d-3附近发生的应力，从而可以防止发生裂纹。而且，即使在各开口区域沿该开口区域的边缘保留约数μm的间隙111s而形成岛状，也具有形状与开口区域相似的岛状的下侧遮光膜111d-3，所以，可以进行与实施例2形成满状时几乎相同的遮光。即，利用虚设像素遮光膜111d-3可以充分得到虚设区域的遮光功能。

此外，由于是岛状，所以，可以使各个虚设像素遮光膜111d-3与扫描线11a电绝缘，这样，就可以使用同一遮光膜在同一层形成扫描线11a和虚设像素遮光膜111d-3。下侧遮光膜11c是岛状的，所以，由于它的存在，不会发生使以条带状沿横向(行方向)延伸的扫描线11a短路的问题。

实施例4.

下面，参照图12说明本发明的实施例4。图12是表示实施例4的虚设区域中的虚设像素遮光膜的平面图形的平面图。

实施例4与上述实施例1相比，虚设像素遮光膜的平面图形不同。其他结构与实施例1相同。因此，在实施例4的图12中，对于与图1～图6所示的实施例1相同的结构要素标以相同的符号，并适当地省略其说明。

在图12中，在实施例4的电光装置中，虚设像素遮光膜111d-4在虚设区域分断形成为条带状。

按照本实施例，虚设像素遮光膜111d-4分断形成为条带状，所以，可以缓和由于在制造工序中的热经历而在虚设像素遮光膜111d-4附近发生的应力，从而可以防止发生裂纹。而且，保留宽度约数μm的间隙111s而形成虚设像素遮光膜111d-4，可以充分发挥其遮光功能。

此外，在本实施例中，虚设像素遮光膜111d-4在沿扫描线的行方向(横向)延伸，所以，与实施例3一样，由与虚设像素遮光膜111d-4的相同的层构成扫描线，而且，在虚设区域中，虚设像素遮光膜111d-4可以兼作扫描线的一部分。

实施例5.

下面，参照图13说明本发明的实施例5。图13是表示实施例5的虚设区域中的虚设像素遮光膜的平面图形的平面图。

在图13中，在实施例5的电光装置中，在虚设像素遮光膜111d-5上设置了平面形状为コ字状的缝隙111s1-1。

按照本实施例，在虚设像素遮光膜111d-5上设置了缝隙111s1-1，所以，可以缓和由于在制造工序中的热经历而在虚设像素遮光膜111d-5附近发生的应力，从而可以防止发生裂纹。而且，通过使缝隙111s1-1的宽度约为数μm，可以充分发挥虚设像素遮光膜111d-5的遮光功能。

如果只是形成了缝隙111s1-1，就可以将虚设像素遮光膜111d-5的全体保持为一体地电连接的状态。因此，可以将电容线、接地布线等、虚设像素遮光膜111d-5作为布线电容相对非常大的1个布线使用。

实施例6.

下面，参照图14说明本发明的实施例6。图14是表示实施例6的虚设区域中的虚设像素遮光膜的平面图形的平面图。

在图14中，在实施例6的电光装置中，在虚设像素遮光膜111d-6上设置了沿扫描线的方向(横向)延伸的长条状的缝隙111s1-2。

按照本实施例，在虚设像素遮光膜111d-6上设置了缝隙111s1-2，所以，可以缓和由于在制造工序中的热经历而在虚设像素遮光膜111d-6附近发生的应力，从而可以防止发生裂纹。此外，由于缝隙的存在，可以得到与实施例5基本上相同的效果。

电子设备的实施例.

下面，说明将以上详细说明的电光装置作为光阀使用的电子设备的一例的投射型彩色显示装置的实施例的全体结构，特别是光学结构。图15是投射型彩色显示装置的示意性的剖面图。

在图15中，本实施例的投射型彩色显示装置的一例的液晶投影机1100准备了3个包含驱动电路装配在TFT阵列基板上的液晶装置100的液晶模块，分别作为RGB用的光阀100R、100G和100B使用。在液晶投影机1100中，若从金属卤化物灯等白色光源的灯单元1102发出投射光，则被3个反射镜1106和2个分色镜1108分解成与RGB的3原色对应的光分量R、G、B，分别导向与各色对应的光阀110R、100G、100B。这时，特别是B光为了防止由长的光路引起的光损失，通过由入射透镜1122、中继透镜1123和出射透镜1124构成的中继透镜系统1121导入。并且，与分别由光阀100R、100G、100B调制的3原色对应的光分量由分色棱镜1112再次合成之后，通过投射透镜1114以彩色图像投射到屏幕1120上。

本发明不限于上述实施例，在不违反权利要求和说明书所述的本发明的主旨或思想的范围内可以作适当的变更，伴有这样的变更的电光装置和电子设备也包含在本发明的技术范围内。

Claims (16)

1.一种电光装置，其特征在于，具有：

设置在基板上的多个像素电极；

用于驱动该像素电极的布线和电子元件；

上述多个像素电极的一部分所在的、进行图像显示的图像显示区域；

上述多个像素电极的另一部分所在的、以边框状位于上述图像显示区域的周边的虚设区域；以及

在上述基板上将起上述虚设像素电极功能的像素电极的开口区域的至少一部分覆盖的虚设像素遮光膜。

2.按权利要求1所述的电光装置，其特征在于：上述虚设像素遮光膜在上述虚设区域中分断形成为岛状。

3.按权利要求1所述的电光装置，其特征在于：上述虚设像素遮光膜在上述虚设区域中全面地形成。

4.按权利要求1所述的电光装置，其特征在于：上述虚设像素遮光膜在上述虚设区域中分断形成为条带状。

5.按权利要求1所述的电光装置，其特征在于：在上述虚设像素遮光膜上设置有缝隙。

6.按权利要求1所述的电光装置，其特征在于：上述虚设像素遮光膜直接或以平坦的层间绝缘膜介于中间形成在上述基板的平坦的表面上。

7.按权利要求1所述的电光装置，其特征在于：上述虚设像素遮光膜在上述布线或电子元件中的至少一方的下层侧形成。

8.按权利要求7所述的电光装置，其特征在于：上述布线和电子元件中的至少一方包含对上述像素电极进行开关控制的薄膜晶体管和与该薄膜晶体管连接的扫描线和数据线；

在上述基板上，进一步具有从下层侧覆盖上述薄膜晶体管的至少沟道区域的下侧遮光膜；

上述虚设像素遮光膜由与上述下侧遮光膜相同的膜构成。

9.按权利要求8所述的电光装置，其特征在于：上述下侧遮光膜兼作上述扫描线的至少一部分。

10.按权利要求8所述的电光装置，其特征在于：在上述基板上进一步具有用于对上述像素电极赋予存储电容的电容线；

上述虚设像素遮光膜和上述电容线由相同的导电膜构成。

11.按权利要求1所述的电光装置，其特征在于：在上述基板上进一步具有向上述数据线供给图像信号的图像信号供给电路和用于向上述扫描线供给扫描信号的扫描信号供给电路；

上述图像信号供给电路和上述扫描信号供给电路中的至少一方向与上述薄膜晶体管不连接的虚设的数据线或扫描线供给从端部最初输出的信号。

12.按权利要求1所述的电光装置，其特征在于：上述虚设像素遮光膜与固定电位源或固定电位布线连接。

13.按权利要求1所述的电光装置，其特征在于：上述虚设像素遮光膜被设为浮置电位。

14.按权利要求1所述的电光装置，其特征在于：进一步具有向上述多个像素电极供给图像信号的图像信号供给单元；

该图像信号供给单元向起上述虚设像素电极功能的像素电极供给中间调的图像信号。

15.按权利要求1所述的电光装置，其特征在于：进一步具有以在与上述基板之间夹持电光物质的方式与上述基板相对配置的对置基板、和在上述对置基板上与上述虚设区域相对的区域形成的边框遮光膜。

16.一种电子设备，其特征在于：具有权利要求1至15的任意一项所述的电光装置。

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