JPH0756180A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0756180A JPH0756180A JP20404493A JP20404493A JPH0756180A JP H0756180 A JPH0756180 A JP H0756180A JP 20404493 A JP20404493 A JP 20404493A JP 20404493 A JP20404493 A JP 20404493A JP H0756180 A JPH0756180 A JP H0756180A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- crystal display
- color
- display device
- electrode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応する画素ごとの光透
過率を向上して、輝度が高く色再現性に優れた液晶表示
装置を実現する。 【構成】 Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応する画素電極８の膜
厚ｄ1 、ｄ2 、ｄ3 を各々の透過光の中心波長域
（λ1 、λ2 、λ3 ）において最高の透過率となるよう
な膜厚、つまり膜内部で透過光と反射光とが干渉して互
いの光どうしが強め合うような膜厚にそれぞれ設定する
ことにより、Ｒ、Ｇ、Ｂのような 3原色の各透過光ごと
に最適な透過率を得ることができる。その結果、輝度が
高く色再現性に優れた液晶表示装置を実現することがで
きる。
過率を向上して、輝度が高く色再現性に優れた液晶表示
装置を実現する。 【構成】 Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応する画素電極８の膜
厚ｄ1 、ｄ2 、ｄ3 を各々の透過光の中心波長域
（λ1 、λ2 、λ3 ）において最高の透過率となるよう
な膜厚、つまり膜内部で透過光と反射光とが干渉して互
いの光どうしが強め合うような膜厚にそれぞれ設定する
ことにより、Ｒ、Ｇ、Ｂのような 3原色の各透過光ごと
に最適な透過率を得ることができる。その結果、輝度が
高く色再現性に優れた液晶表示装置を実現することがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に係り、特
に高輝度かつ色再現性の良好な表示を実現できる液晶表
示装置に関する。
に高輝度かつ色再現性の良好な表示を実現できる液晶表
示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、大画面、高精細、高画質かつ安価
なディスプレイデバイスを実現するために、投射型液晶
表示素子の開発が盛んに行なわれている。図４は従来の
3板式投射型液晶表示装置の構造の概要を示す図であ
る。
なディスプレイデバイスを実現するために、投射型液晶
表示素子の開発が盛んに行なわれている。図４は従来の
3板式投射型液晶表示装置の構造の概要を示す図であ
る。
【０００３】光源５００から供給される光源光はダイク
ロイックミラ−５０１、５０２、５０３によって青
（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のそれぞれの色光に分光さ
れ、それぞれの色光がおのおの液晶表示パネル５０４、
５０５、５０６を透過することで、画像のＲ、Ｇ、Ｂ各
色ごとの成分が形成された後、合成用ダイクロイックミ
ラ−５０７、５０８、５０９によってそれら各色ごとの
画像成分が合成されて投射レンズ系５１０により外部の
スクリ−ン５１１へと投射され、フルカラーの画像が実
現される。
ロイックミラ−５０１、５０２、５０３によって青
（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のそれぞれの色光に分光さ
れ、それぞれの色光がおのおの液晶表示パネル５０４、
５０５、５０６を透過することで、画像のＲ、Ｇ、Ｂ各
色ごとの成分が形成された後、合成用ダイクロイックミ
ラ−５０７、５０８、５０９によってそれら各色ごとの
画像成分が合成されて投射レンズ系５１０により外部の
スクリ−ン５１１へと投射され、フルカラーの画像が実
現される。
【０００４】ところで、このような液晶表示パネルの開
口部での光の透過率（＝出射光／入射光）は、例えばＩ
ＴＯ（酸化インジウム錫）などからなる画素電極の透過
率にほぼ比例する。ＯＡ機器などに用いられる従来のカ
ラ−液晶表示素子の場合では、画素電極の膜厚はＲ
（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色にわたって全て同じ
膜厚に形成されていた。また、投射型液晶表示装置に用
いられる液晶表示パネルにおいても同様に、 3枚の液晶
表示パネルそれぞれに用いられる画素電極の膜厚は製造
上の誤差などを除けば実際上同じ膜厚に形成されてい
た。
口部での光の透過率（＝出射光／入射光）は、例えばＩ
ＴＯ（酸化インジウム錫）などからなる画素電極の透過
率にほぼ比例する。ＯＡ機器などに用いられる従来のカ
ラ−液晶表示素子の場合では、画素電極の膜厚はＲ
（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色にわたって全て同じ
膜厚に形成されていた。また、投射型液晶表示装置に用
いられる液晶表示パネルにおいても同様に、 3枚の液晶
表示パネルそれぞれに用いられる画素電極の膜厚は製造
上の誤差などを除けば実際上同じ膜厚に形成されてい
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の液晶表示装置においては、各色光成分の透過
率が異なることに起因して各色光に対応した画素ごとの
輝度にずれが生じ、その結果、表現される画像の各色成
分ごとの輝度および色再現性が不均一になるという問題
がある。
うな従来の液晶表示装置においては、各色光成分の透過
率が異なることに起因して各色光に対応した画素ごとの
輝度にずれが生じ、その結果、表現される画像の各色成
分ごとの輝度および色再現性が不均一になるという問題
がある。
【０００６】本発明は、このような問題を解決するため
に成されたもので、その目的は、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対
応する画素ごとの光透過率を向上して、輝度が高く色再
現性に優れた液晶表示装置を実現することにある。
に成されたもので、その目的は、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対
応する画素ごとの光透過率を向上して、輝度が高く色再
現性に優れた液晶表示装置を実現することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の液晶表示装置は、第１の透光性電極が形成
された第１の基板と、第２の透光性電極が形成され前記
第１の基板に間隙を有して対向配置された第２の基板
と、前記第１の基板および前記第２の基板の間隙に封入
・挟持された液晶組成物と、前記第１の透光性電極と前
記第２の透光性電極とが対向して、カラー表示を行なう
ための色光成分に対応した複数の画素が形成された液晶
表示パネルを 1枚以上備え、前記第１の透光性電極およ
び前記第２の透光性電極の膜厚が、前記各色光成の画素
ごとに異なる膜厚に形成されていることを特徴としてい
る。
に、本発明の液晶表示装置は、第１の透光性電極が形成
された第１の基板と、第２の透光性電極が形成され前記
第１の基板に間隙を有して対向配置された第２の基板
と、前記第１の基板および前記第２の基板の間隙に封入
・挟持された液晶組成物と、前記第１の透光性電極と前
記第２の透光性電極とが対向して、カラー表示を行なう
ための色光成分に対応した複数の画素が形成された液晶
表示パネルを 1枚以上備え、前記第１の透光性電極およ
び前記第２の透光性電極の膜厚が、前記各色光成の画素
ごとに異なる膜厚に形成されていることを特徴としてい
る。
【０００８】なお、前記の第１の電極および第２の電極
の光屈折率をｎとし、前記の各色光成分をそれぞれ中心
波長λ1 の色光Ｒ（赤）、中心波長λ2 の色光Ｇ
（緑）、中心波長λ3 の色光Ｂ（青）とすると、上記の
第１の電極および前記第２の電極の膜厚は、以下のよう
に設定することが望ましい。すなわち、色光成分Ｒ
（赤）に対応する第１の電極および第２の電極の膜厚を
ｄ1 、色光成分Ｇ（緑）に対応する第１の電極および第
２の電極の膜厚をｄ2 、色光成分Ｂ（青）に対応する第
１の電極および第２の電極の膜厚をｄ3 として、 ｄ1 ＝（λ1 ／ 2ｎ）×ｍ、 ｄ2 ＝（λ2 ／ 2ｎ）×ｍ、 ｄ3 ＝（λ3 ／ 2ｎ）×ｍ （ｍ＝ 1、 2、 3…） のように設定することにより、第１の電極および第２の
電極の膜内での透過光と反射光との干渉が強め合うこと
になり、第１の電極および第２の電極を透過する光の透
過率を高くすることができるので望ましい。
の光屈折率をｎとし、前記の各色光成分をそれぞれ中心
波長λ1 の色光Ｒ（赤）、中心波長λ2 の色光Ｇ
（緑）、中心波長λ3 の色光Ｂ（青）とすると、上記の
第１の電極および前記第２の電極の膜厚は、以下のよう
に設定することが望ましい。すなわち、色光成分Ｒ
（赤）に対応する第１の電極および第２の電極の膜厚を
ｄ1 、色光成分Ｇ（緑）に対応する第１の電極および第
２の電極の膜厚をｄ2 、色光成分Ｂ（青）に対応する第
１の電極および第２の電極の膜厚をｄ3 として、 ｄ1 ＝（λ1 ／ 2ｎ）×ｍ、 ｄ2 ＝（λ2 ／ 2ｎ）×ｍ、 ｄ3 ＝（λ3 ／ 2ｎ）×ｍ （ｍ＝ 1、 2、 3…） のように設定することにより、第１の電極および第２の
電極の膜内での透過光と反射光との干渉が強め合うこと
になり、第１の電極および第２の電極を透過する光の透
過率を高くすることができるので望ましい。
【０００９】そして上式においてｍ＝ 1のときに第１の
電極および第２の電極の光の透過率を最も高くすること
ができる。
電極および第２の電極の光の透過率を最も高くすること
ができる。
【００１０】また上記の第１の電極および第２の電極の
形成材料としては、例えば従来一般に用いられているＩ
ＴＯのような透明導電膜が好適である。
形成材料としては、例えば従来一般に用いられているＩ
ＴＯのような透明導電膜が好適である。
【００１１】
【作用】本発明によれば、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応する
画素電極の膜厚を各々の透過光の中心波長域において最
高の透過率となるような膜厚にそれぞれ設定することに
より、Ｒ、Ｇ、Ｂのような 3原色の各透過光ごとに最適
の透過率を得ることができる。その結果、輝度が高く色
再現性に優れた液晶表示装置を実現することができる。
画素電極の膜厚を各々の透過光の中心波長域において最
高の透過率となるような膜厚にそれぞれ設定することに
より、Ｒ、Ｇ、Ｂのような 3原色の各透過光ごとに最適
の透過率を得ることができる。その結果、輝度が高く色
再現性に優れた液晶表示装置を実現することができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明に係る液晶表示装置の実施例
を、図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係
る液晶表示装置の画素電極部分近傍の構造を示す図であ
る。ガラス基板１の上にＭｏ−Ｔａ膜を 300ｎｍスパッ
タしこれをパターニングしてゲ−ト電極２、Ｃｓ線（補
助容量線、図示省略）、アドレス線（図示省略）が形成
されている。そして層間絶縁膜３としてプラズマＣＶＤ
によりＳｉＯx 膜を 350ｎｍ、半導体層４としてａ−Ｓ
ｉ膜を50ｎｍ、エッチングストッパ５を形成するための
ＳｉＮx 膜を 200ｎｍ、下層からこの順で連続に成膜
し、エッチングストッパ５のパタ−ン形成後に、オーミ
ックコンタクト層６としてｎ+ ａ−Ｓｉ膜を50ｎｍ成膜
しこのｎ+ ａ−Ｓｉ膜からなるオーミックコンタクト層
６と前記のａ−Ｓｉ膜からなる半導体層４を縞状にパタ
ーニングして、ａ−Ｓｉの半導体層４を用いたＴＦＴ７
の主要部が形成される。
を、図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係
る液晶表示装置の画素電極部分近傍の構造を示す図であ
る。ガラス基板１の上にＭｏ−Ｔａ膜を 300ｎｍスパッ
タしこれをパターニングしてゲ−ト電極２、Ｃｓ線（補
助容量線、図示省略）、アドレス線（図示省略）が形成
されている。そして層間絶縁膜３としてプラズマＣＶＤ
によりＳｉＯx 膜を 350ｎｍ、半導体層４としてａ−Ｓ
ｉ膜を50ｎｍ、エッチングストッパ５を形成するための
ＳｉＮx 膜を 200ｎｍ、下層からこの順で連続に成膜
し、エッチングストッパ５のパタ−ン形成後に、オーミ
ックコンタクト層６としてｎ+ ａ−Ｓｉ膜を50ｎｍ成膜
しこのｎ+ ａ−Ｓｉ膜からなるオーミックコンタクト層
６と前記のａ−Ｓｉ膜からなる半導体層４を縞状にパタ
ーニングして、ａ−Ｓｉの半導体層４を用いたＴＦＴ７
の主要部が形成される。
【００１３】そしてＩＴＯ膜をスパッタ成膜しこれをパ
ターニングして、画素電極８が形成される。
ターニングして、画素電極８が形成される。
【００１４】本実施例においては 3板式プロジェクショ
ン用の液晶表示パネルの場合を想定しているので、Ｒ
（赤）用液晶表示パネルにおいては画素電極の膜厚ｄ1
＝（λ1 /2ｎ）×ｍ、Ｇ（緑）用液晶表示パネルでは膜
厚ｄ2 ＝（λ2 ／ 2ｎ）×ｍ、Ｂ（青）用液晶表示パネ
ルでは膜厚ｄ3 ＝（λ3 ／ 2ｎ）×ｍ、（ここで、ｍ＝
1 、2 、3 …、λ1 ＝ 630ｎｍ、λ2 ＝ 555ｎｍ、λ3
＝ 465ｎｍ、また画素電極を形成している透明導電膜の
屈折率をｎとする）となるように、各色ごとに対応する
画素電極８がそれぞれスパッタ時間等を調整されて形成
されている。
ン用の液晶表示パネルの場合を想定しているので、Ｒ
（赤）用液晶表示パネルにおいては画素電極の膜厚ｄ1
＝（λ1 /2ｎ）×ｍ、Ｇ（緑）用液晶表示パネルでは膜
厚ｄ2 ＝（λ2 ／ 2ｎ）×ｍ、Ｂ（青）用液晶表示パネ
ルでは膜厚ｄ3 ＝（λ3 ／ 2ｎ）×ｍ、（ここで、ｍ＝
1 、2 、3 …、λ1 ＝ 630ｎｍ、λ2 ＝ 555ｎｍ、λ3
＝ 465ｎｍ、また画素電極を形成している透明導電膜の
屈折率をｎとする）となるように、各色ごとに対応する
画素電極８がそれぞれスパッタ時間等を調整されて形成
されている。
【００１５】光透過性の薄膜においては、その薄膜の屈
折率をｎ、透過光の波長をλとすると、例えばＧ（緑）
用液晶表示パネルにおいては図２に示すように薄膜の膜
厚がｄ2 ＝（λ2 ／ 2ｎ）×ｍ（ｍ＝ 1、 2、 3…）の
ときに、その光透過性の薄膜を透過した光は薄膜の内部
での反射光と入射光とで干渉を起こして強めあう。逆
に、ｄ2 ＝（λ2 ／ 2ｎ）×（ｍ＋1 ／2 ）のときに弱
めあう。
折率をｎ、透過光の波長をλとすると、例えばＧ（緑）
用液晶表示パネルにおいては図２に示すように薄膜の膜
厚がｄ2 ＝（λ2 ／ 2ｎ）×ｍ（ｍ＝ 1、 2、 3…）の
ときに、その光透過性の薄膜を透過した光は薄膜の内部
での反射光と入射光とで干渉を起こして強めあう。逆
に、ｄ2 ＝（λ2 ／ 2ｎ）×（ｍ＋1 ／2 ）のときに弱
めあう。
【００１６】つまり、上記のような好ましい波長が得ら
れる条件を満たすようにＲ、Ｇ、Ｂの各色に対応する画
素電極８の膜厚をそれぞれ設定することにより、Ｒ、
Ｇ、Ｂそれぞれで最大の透過率を得ることができる。こ
のとき、特にｍ＝1 の場合に最大の透過率となる。例え
ば画素電極を形成するＩＴＯの屈折率が 1.8であると
き、Ｒに対応する画素電極の膜厚を 175ｎｍ、Ｇに対応
する画素電極の膜厚を 154ｎｍ、Ｂに対応する画素電極
の膜厚を 129ｎｍに各々設定することにより、各色光が
均一で最大の透過率となる最適な光透過特性を実現する
ことができる。
れる条件を満たすようにＲ、Ｇ、Ｂの各色に対応する画
素電極８の膜厚をそれぞれ設定することにより、Ｒ、
Ｇ、Ｂそれぞれで最大の透過率を得ることができる。こ
のとき、特にｍ＝1 の場合に最大の透過率となる。例え
ば画素電極を形成するＩＴＯの屈折率が 1.8であると
き、Ｒに対応する画素電極の膜厚を 175ｎｍ、Ｇに対応
する画素電極の膜厚を 154ｎｍ、Ｂに対応する画素電極
の膜厚を 129ｎｍに各々設定することにより、各色光が
均一で最大の透過率となる最適な光透過特性を実現する
ことができる。
【００１７】このように画素電極８をパタ−ン形成した
後、ＭｏとＡｌをスパッタしソ−ス、ドレイン、デ−タ
線を形成し、チャネル部のｎ+ ａ−Ｓｉをエッチングし
てＴＦＴ７が完成する。このようにして本発明に係る液
晶表示装置のＴＦＴアレイ基板が形成されている。
後、ＭｏとＡｌをスパッタしソ−ス、ドレイン、デ−タ
線を形成し、チャネル部のｎ+ ａ−Ｓｉをエッチングし
てＴＦＴ７が完成する。このようにして本発明に係る液
晶表示装置のＴＦＴアレイ基板が形成されている。
【００１８】このような本発明に係る液晶表示パネルに
おいては、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応する画素電極８の膜
厚ｄ1 、ｄ2 、ｄ3 がその透過率を均一かつ最大にする
最適値になるように設定されているので、本発明に係る
液晶表示装置においては、均一で最大の輝度を有する画
像を得ることができる。
おいては、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応する画素電極８の膜
厚ｄ1 、ｄ2 、ｄ3 がその透過率を均一かつ最大にする
最適値になるように設定されているので、本発明に係る
液晶表示装置においては、均一で最大の輝度を有する画
像を得ることができる。
【００１９】なお、上記実施例においてはＲ、Ｇ、Ｂの
各色ごとに対応する画素電極の膜厚の最適な値につい
て、画素電極を形成する透明導電膜の屈折率ｎが各色光
の波長によらず一定であると仮定したが、実際には透明
導電膜の屈折率はＲ、Ｇ、Ｂの各色光ごとに異なる。そ
こで、各色光の波長λ1 、λ2 、λ3 ごとに対応した透
明導電膜の屈折率をそれぞれｎ1 、ｎ2 、ｎ3 とする
と、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色ごとに対応する画素電極の膜厚の
最適な値はそれぞれ、 ｄ1 ＝（λ1 ／ 2ｎ1 ）×ｍ、 ｄ2 ＝（λ2 ／ 2ｎ2 ）×ｍ、 ｄ3 ＝（λ3 ／ 2ｎ3 ）×ｍ とすれば、より好ましい。
各色ごとに対応する画素電極の膜厚の最適な値につい
て、画素電極を形成する透明導電膜の屈折率ｎが各色光
の波長によらず一定であると仮定したが、実際には透明
導電膜の屈折率はＲ、Ｇ、Ｂの各色光ごとに異なる。そ
こで、各色光の波長λ1 、λ2 、λ3 ごとに対応した透
明導電膜の屈折率をそれぞれｎ1 、ｎ2 、ｎ3 とする
と、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色ごとに対応する画素電極の膜厚の
最適な値はそれぞれ、 ｄ1 ＝（λ1 ／ 2ｎ1 ）×ｍ、 ｄ2 ＝（λ2 ／ 2ｎ2 ）×ｍ、 ｄ3 ＝（λ3 ／ 2ｎ3 ）×ｍ とすれば、より好ましい。
【００２０】また、上記の実施例では膜厚の値として最
適値を示したが、実用上は上記の最適値に対して±10％
程度の許容範囲内に上記の膜厚を設定すれば、画素の最
大透過率の90％以上の輝度が得られるので、本発明の技
術は実効的に十分な効果を発揮することができる。
適値を示したが、実用上は上記の最適値に対して±10％
程度の許容範囲内に上記の膜厚を設定すれば、画素の最
大透過率の90％以上の輝度が得られるので、本発明の技
術は実効的に十分な効果を発揮することができる。
【００２１】また、画素電極を形成するＩＴＯのような
透明導電膜の屈折率ｎは、それに隣接して設けられた上
層の形成材料の屈折率ｎu および下層の形成材料の屈折
率ｎd よりも低いことが一般的であるため、上記実施例
ではそのようなｎ≦ｎu 、ｎd なる条件下での膜厚の最
適値を示したが、これとは逆に、画素電極を形成する透
明導電膜の屈折率ｎが上層の形成材料の屈折率ｎu と下
層の形成材料の屈折率ｎd との間の値（すなわちｎd ≧
ｎ≧ｎu or ｎu ≧ｎ≧ｎd ）である場合には、画素
電極の膜厚ｄを ｄx ＝（λx ／ 2ｎ）×（ｍ＋1/2 ）、（x ＝ 1、 2、
3…）のように設定すれば、光透過率を最適化すること
ができる。
透明導電膜の屈折率ｎは、それに隣接して設けられた上
層の形成材料の屈折率ｎu および下層の形成材料の屈折
率ｎd よりも低いことが一般的であるため、上記実施例
ではそのようなｎ≦ｎu 、ｎd なる条件下での膜厚の最
適値を示したが、これとは逆に、画素電極を形成する透
明導電膜の屈折率ｎが上層の形成材料の屈折率ｎu と下
層の形成材料の屈折率ｎd との間の値（すなわちｎd ≧
ｎ≧ｎu or ｎu ≧ｎ≧ｎd ）である場合には、画素
電極の膜厚ｄを ｄx ＝（λx ／ 2ｎ）×（ｍ＋1/2 ）、（x ＝ 1、 2、
3…）のように設定すれば、光透過率を最適化すること
ができる。
【００２２】また、上記実施例の液晶表示装置の構造以
外にも、例えば補助容量Ｃｓのシールド電極が画素電極
に重なって配置された構造の場合や、配向膜などの屈折
率による透過光の干渉現象も無視できない場合などで
は、そのシールド電極や配向膜を形成している透明導電
膜の膜厚をも上記のような値に設定して、その光透過率
を最適化すればよい。
外にも、例えば補助容量Ｃｓのシールド電極が画素電極
に重なって配置された構造の場合や、配向膜などの屈折
率による透過光の干渉現象も無視できない場合などで
は、そのシールド電極や配向膜を形成している透明導電
膜の膜厚をも上記のような値に設定して、その光透過率
を最適化すればよい。
【００２３】また、本発明は上記の実施例のような 3板
式プロジェクション用の液晶表示装置に限定せず、図３
に示すようなＲ、Ｇ、Ｂに対応する各画素が同一パネル
上に配置されているいわゆる 3板式プロジェクション用
の液晶表示装置、もしくはＯＡ機器等に用いられる単板
式の液晶表示装置などにも適用可能であることは言うま
でもない。上記の実施例においては、 3板式の 3枚の各
液晶表示素子ごとに異なった膜厚の画素電極を形成した
が、単板式の液晶表示素子の場合には画素電極を形成す
る方法の一例として図３に示すように、まずｄ1 の膜厚
のＩＴＯをスパッタ成膜し，Ｒに相当する画素電極２０
１ａのみパターンを形成し、次に膜厚ｄ2 のＩＴＯをス
パッタ形成してＧに対応する画素電極２０１ｂのみパタ
ーン形成し、最後に膜厚ｄ3 のＩＴＯをスパッタ成膜し
てＢに相当する画素電極２０１ｃのみパターンを形成す
るといった方法により、各色光に対応した画素電極２０
１ａ、２０１ｂ、２０１ｃをそれぞれ最適な膜厚に形成
するようにしてもよい。もちろん本発明はこのような製
造方法以外にもＲ、Ｇ、Ｂの各色に対応する画素電極の
光透過特性が最適となるような膜厚に形成することので
きる製造方法であれば、どのような製造方法によって製
作してもよい。
式プロジェクション用の液晶表示装置に限定せず、図３
に示すようなＲ、Ｇ、Ｂに対応する各画素が同一パネル
上に配置されているいわゆる 3板式プロジェクション用
の液晶表示装置、もしくはＯＡ機器等に用いられる単板
式の液晶表示装置などにも適用可能であることは言うま
でもない。上記の実施例においては、 3板式の 3枚の各
液晶表示素子ごとに異なった膜厚の画素電極を形成した
が、単板式の液晶表示素子の場合には画素電極を形成す
る方法の一例として図３に示すように、まずｄ1 の膜厚
のＩＴＯをスパッタ成膜し，Ｒに相当する画素電極２０
１ａのみパターンを形成し、次に膜厚ｄ2 のＩＴＯをス
パッタ形成してＧに対応する画素電極２０１ｂのみパタ
ーン形成し、最後に膜厚ｄ3 のＩＴＯをスパッタ成膜し
てＢに相当する画素電極２０１ｃのみパターンを形成す
るといった方法により、各色光に対応した画素電極２０
１ａ、２０１ｂ、２０１ｃをそれぞれ最適な膜厚に形成
するようにしてもよい。もちろん本発明はこのような製
造方法以外にもＲ、Ｇ、Ｂの各色に対応する画素電極の
光透過特性が最適となるような膜厚に形成することので
きる製造方法であれば、どのような製造方法によって製
作してもよい。
【００２４】また上記実施例においてはＴＦＴ素子とし
て半導体活性層にａ−Ｓｉを用いた場合について説明し
たが、ＴＦＴ素子としてはこの他にも多結晶Ｓｉや、Ｓ
ｉ系以外の半導体、例えばＣｄＳｅを用いてもよい。あ
るいは、上記実施例以外の構造のＴＦＴ素子（例えばコ
プラナ型のＴＦＴなど）を用いることもできる。
て半導体活性層にａ−Ｓｉを用いた場合について説明し
たが、ＴＦＴ素子としてはこの他にも多結晶Ｓｉや、Ｓ
ｉ系以外の半導体、例えばＣｄＳｅを用いてもよい。あ
るいは、上記実施例以外の構造のＴＦＴ素子（例えばコ
プラナ型のＴＦＴなど）を用いることもできる。
【００２５】その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、本発明に係る液晶表示装置の各部位の形成材料等の
変更が種々可能であることは言うまでもない。
で、本発明に係る液晶表示装置の各部位の形成材料等の
変更が種々可能であることは言うまでもない。
【００２６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色光に対応する画素ごとの輝度が
高く色再現性に優れた画像表示を行なう液晶表示装置を
実現することができる。
れば、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色光に対応する画素ごとの輝度が
高く色再現性に優れた画像表示を行なう液晶表示装置を
実現することができる。
【図１】本発明に係る液晶表示装置の画素電極部分の構
造を示す図。
造を示す図。
【図２】液晶表示装置の画素電極を形成する導電性膜の
膜厚と透過率との関係の一例を示す図。
膜厚と透過率との関係の一例を示す図。
【図３】本発明を単板式（直視型）液晶表示装置に適用
した場合の一例を示す図。
した場合の一例を示す図。
【図４】従来の投射型液晶表示装置の構造の概要を示す
図。
図。
１…ガラス基板、２…ゲート電極、３…層間絶縁膜、４
…半導体層、５…エッチングストッパ、６…オーミック
コンタクト層、７…ＴＦＴ、８…画素電極
…半導体層、５…エッチングストッパ、６…オーミック
コンタクト層、７…ＴＦＴ、８…画素電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原 雄二郎 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33 株式会 社東芝生産技術研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 第１の透光性電極が形成された第１の基
板と、第２の透光性電極が形成され前記第１の基板に間
隙を有して対向配置された第２の基板と、前記第１の基
板および前記第２の基板の間隙に封入・挟持された液晶
組成物と、 前記第１の透光性電極と前記第２の透光性電極とが対向
して、カラー表示を行なうための色光成分に対応した複
数の画素が形成された液晶表示パネルを 1枚以上備え、 前記第１の透光性電極および前記第２の透光性電極の膜
厚が、前記各色光成の画素ごとに異なる膜厚に形成され
ていることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20404493A JPH0756180A (ja) | 1993-08-18 | 1993-08-18 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20404493A JPH0756180A (ja) | 1993-08-18 | 1993-08-18 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0756180A true JPH0756180A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16483828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20404493A Withdrawn JPH0756180A (ja) | 1993-08-18 | 1993-08-18 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0756180A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007079556A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-29 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2009098241A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器及びアクティブマトリクス基板 |
| JP2013025138A (ja) * | 2011-07-22 | 2013-02-04 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
| JP2015143882A (ja) * | 2015-04-21 | 2015-08-06 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
-
1993
- 1993-08-18 JP JP20404493A patent/JPH0756180A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007079556A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-29 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2009098241A (ja) * | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器及びアクティブマトリクス基板 |
| JP2013025138A (ja) * | 2011-07-22 | 2013-02-04 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
| JP2015143882A (ja) * | 2015-04-21 | 2015-08-06 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001031 |