JPH1026770A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH1026770A JPH1026770A JP18172396A JP18172396A JPH1026770A JP H1026770 A JPH1026770 A JP H1026770A JP 18172396 A JP18172396 A JP 18172396A JP 18172396 A JP18172396 A JP 18172396A JP H1026770 A JPH1026770 A JP H1026770A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示装置用ＴＦＴ基板への戻り光のうち
ＴＦＴポリシリコン層４へ入射する光量を低減すること
により、ＴＦＴの特性低下を防止する。 【解決手段】 液晶表示装置のＴＦＴ基板は、透明基板
１と、透明基板１上のＴＦＴ形成領域に形成された遮光
用ポリシリコン膜２と、その遮光用ポリシリコン膜２上
に形成された透明絶縁膜３を介して順次形成されるＴＦ
Ｔ用ポリシリコン層４、ゲート絶縁膜５およびゲート電
極６とで構成されており、さらにＴＦＴ用金属配線７お
よび画素電極８等が形成されている。光の干渉を利用す
るもので、遮光用ポリシリコン膜２と、ＴＦＴ用ポリシ
リコン層４であるチャネルポリシリコン膜の膜厚を調整
することにより、遮光効果が向上する。青色光に対する
チャネルポリシリコン膜の膜厚を３８０オングストロー
ム以下、または、５００〜６８０オングストロームの範
囲にすれば、一層の効果が得られる。
ＴＦＴポリシリコン層４へ入射する光量を低減すること
により、ＴＦＴの特性低下を防止する。 【解決手段】 液晶表示装置のＴＦＴ基板は、透明基板
１と、透明基板１上のＴＦＴ形成領域に形成された遮光
用ポリシリコン膜２と、その遮光用ポリシリコン膜２上
に形成された透明絶縁膜３を介して順次形成されるＴＦ
Ｔ用ポリシリコン層４、ゲート絶縁膜５およびゲート電
極６とで構成されており、さらにＴＦＴ用金属配線７お
よび画素電極８等が形成されている。光の干渉を利用す
るもので、遮光用ポリシリコン膜２と、ＴＦＴ用ポリシ
リコン層４であるチャネルポリシリコン膜の膜厚を調整
することにより、遮光効果が向上する。青色光に対する
チャネルポリシリコン膜の膜厚を３８０オングストロー
ム以下、または、５００〜６８０オングストロームの範
囲にすれば、一層の効果が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光の透過量を制御
することによって表示を行なう液晶表示装置に用いられ
る薄膜トランジスタ基板に関するものである。
することによって表示を行なう液晶表示装置に用いられ
る薄膜トランジスタ基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示装置においては、アクテ
ィブマトリクス型の表示が主流である。アクティブマト
リクス型の液晶表示装置は、２つの基板と、両基板に挟
持された液晶とから構成されており、一方の基板には、
マトリクス状に配された画素に対応して形成されたスイ
ッチング素子と、そのスイッチング素子に接続された画
素電極とが形成され、他方の基板には対向電極が形成さ
れている。このような液晶表示装置においては、画素電
極と対向電極との間に表示信号を印加することにより表
示を行なう。具体的には、表示電圧を印加することによ
り、両電極に挟持された液晶の配向状態を変化させ、こ
の液晶を透過する光量を制御することによって表示を行
なう。
ィブマトリクス型の表示が主流である。アクティブマト
リクス型の液晶表示装置は、２つの基板と、両基板に挟
持された液晶とから構成されており、一方の基板には、
マトリクス状に配された画素に対応して形成されたスイ
ッチング素子と、そのスイッチング素子に接続された画
素電極とが形成され、他方の基板には対向電極が形成さ
れている。このような液晶表示装置においては、画素電
極と対向電極との間に表示信号を印加することにより表
示を行なう。具体的には、表示電圧を印加することによ
り、両電極に挟持された液晶の配向状態を変化させ、こ
の液晶を透過する光量を制御することによって表示を行
なう。
【０００３】上記スイッチング素子には、薄膜トランジ
スタ（以下、ＴＦＴと略す。）、ダイオードなどの非線
形素子が用いられる。中でも、液晶表示装置の駆動回路
と一体形成が可能で、応答速度も速いポリシリコンＴＦ
Ｔが通常用いられる。
スタ（以下、ＴＦＴと略す。）、ダイオードなどの非線
形素子が用いられる。中でも、液晶表示装置の駆動回路
と一体形成が可能で、応答速度も速いポリシリコンＴＦ
Ｔが通常用いられる。
【０００４】しかし、上記のように、光の透過量を制御
することによって表示を行なう液晶表示装置において
は、ポリシリコンＴＦＴに光が照射されることにより、
その特性が低下し、クロストークなどの原因になるとい
う問題点があった。
することによって表示を行なう液晶表示装置において
は、ポリシリコンＴＦＴに光が照射されることにより、
その特性が低下し、クロストークなどの原因になるとい
う問題点があった。
【０００５】上記のような問題点を解決するために、ポ
リシリコンＴＦＴが形成されているＴＦＴ基板側、また
はその基板に対向する基板側のＴＦＴ形成位置に遮光膜
を形成する構造が採られている。
リシリコンＴＦＴが形成されているＴＦＴ基板側、また
はその基板に対向する基板側のＴＦＴ形成位置に遮光膜
を形成する構造が採られている。
【０００６】また、トップゲート構造では、ゲートパタ
ーン自身でチャネル部の上側を遮光している。
ーン自身でチャネル部の上側を遮光している。
【０００７】特開平６−１６０８９９号公報に、ＴＦＴ
側に戻って来る光（戻り光）によるＴＦＴの特性低下を
防止する技術が開示されている。これは、遮光用ポリシ
リコン膜とその上に形成された透明絶縁膜の膜厚を調整
することによって、選択的に遮光することができるとい
う内容である。
側に戻って来る光（戻り光）によるＴＦＴの特性低下を
防止する技術が開示されている。これは、遮光用ポリシ
リコン膜とその上に形成された透明絶縁膜の膜厚を調整
することによって、選択的に遮光することができるとい
う内容である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、液晶表
示装置への光の入射方向を限定して直接ＴＦＴに当たる
光を遮光しても、遮光膜が形成されていない部分を通り
抜けた光が、液晶表示装置の外部に形成されている光学
部分（例えば、レンズ、偏光板、ミラー等）または液晶
表示装置の内壁等に反射されて、ＴＦＴ側に戻って来る
ことがある。特にプロジェクション型の表示装置に用い
られる液晶表示装置の場合には、画像を拡大投影するた
めに非常に強い光が照射されるため、ＴＦＴ側に戻って
来る光（以下、戻り光と呼ぶ。）の量も多く、この戻り
光によるＴＦＴの特性低下が著しいという課題が生じ
る。
示装置への光の入射方向を限定して直接ＴＦＴに当たる
光を遮光しても、遮光膜が形成されていない部分を通り
抜けた光が、液晶表示装置の外部に形成されている光学
部分（例えば、レンズ、偏光板、ミラー等）または液晶
表示装置の内壁等に反射されて、ＴＦＴ側に戻って来る
ことがある。特にプロジェクション型の表示装置に用い
られる液晶表示装置の場合には、画像を拡大投影するた
めに非常に強い光が照射されるため、ＴＦＴ側に戻って
来る光（以下、戻り光と呼ぶ。）の量も多く、この戻り
光によるＴＦＴの特性低下が著しいという課題が生じ
る。
【０００９】また、チャネルポリシリコン膜の吸収は入
射光の短波長側で著しく、ＴＦＴの特性には青色光の影
響が赤色光、緑色光の影響より大きい。
射光の短波長側で著しく、ＴＦＴの特性には青色光の影
響が赤色光、緑色光の影響より大きい。
【００１０】本発明は、上記従来技術の課題を解決する
ためになされたものであり、液晶表示装置に用いたとき
に、戻り光のうちＴＦＴへ入射する光量を低減するか、
戻り光の影響度を低減するか、または青色の戻り光の影
響度を低減することにより、ＴＦＴの特性低下を防止す
ることのできる液晶表示装置を提供することを目的とす
る。
ためになされたものであり、液晶表示装置に用いたとき
に、戻り光のうちＴＦＴへ入射する光量を低減するか、
戻り光の影響度を低減するか、または青色の戻り光の影
響度を低減することにより、ＴＦＴの特性低下を防止す
ることのできる液晶表示装置を提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板と、前記
基板上に形成されたポリシリコン薄膜トランジスタと、
前記基板と前記ポリシリコン薄膜トランジスタとの間に
形成され、所定の波長を有する入射光がチャネルポリシ
リコン膜での内部干渉による吸収と逆位相の透過率にな
るように厚みが設定された半導体薄膜遮光膜を備えたこ
とを特徴とする。
基板上に形成されたポリシリコン薄膜トランジスタと、
前記基板と前記ポリシリコン薄膜トランジスタとの間に
形成され、所定の波長を有する入射光がチャネルポリシ
リコン膜での内部干渉による吸収と逆位相の透過率にな
るように厚みが設定された半導体薄膜遮光膜を備えたこ
とを特徴とする。
【００１２】また、本発明は、前記基板上に形成された
前記ポリシリコン薄膜トランジスタのチャネルポリシリ
コン膜の膜厚が、３８０オングストローム以下、また
は、５００〜６８０オングストロームの範囲であること
を特徴とする。
前記ポリシリコン薄膜トランジスタのチャネルポリシリ
コン膜の膜厚が、３８０オングストローム以下、また
は、５００〜６８０オングストロームの範囲であること
を特徴とする。
【００１３】また、本発明は、赤色用、緑色用、青色用
液晶表示装置において、少なくとも青色用液晶表示装置
のチャネルポリシリコン膜厚が赤色用、緑色用液晶表示
装置のチャネルポリシリコン膜厚と異なり、青色用液晶
表示装置のチャネルポリシリコン膜厚が、３８０オング
ストローム以下、または、５００〜６８０オングストロ
ームの範囲であることを特徴とする。
液晶表示装置において、少なくとも青色用液晶表示装置
のチャネルポリシリコン膜厚が赤色用、緑色用液晶表示
装置のチャネルポリシリコン膜厚と異なり、青色用液晶
表示装置のチャネルポリシリコン膜厚が、３８０オング
ストローム以下、または、５００〜６８０オングストロ
ームの範囲であることを特徴とする。
【００１４】また、本発明は、カラーフィルタを有する
液晶表示装置において、少なくとも青色画素に対応する
ポリシリコン薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン
膜厚が赤色用、緑色用画素に対応するポリシリコン薄膜
トランジスタのチャネルポリシリコン膜厚と異なり、青
色用画素に対応するチャネルポリシリコン膜厚が、３８
０オングストローム以下、または、５００〜６８０オン
グストロームの範囲であることを特徴とする。
液晶表示装置において、少なくとも青色画素に対応する
ポリシリコン薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン
膜厚が赤色用、緑色用画素に対応するポリシリコン薄膜
トランジスタのチャネルポリシリコン膜厚と異なり、青
色用画素に対応するチャネルポリシリコン膜厚が、３８
０オングストローム以下、または、５００〜６８０オン
グストロームの範囲であることを特徴とする。
【００１５】また、本発明は、フィールドシーケンシャ
ル駆動により１枚の液晶表示装置によりカラー表示を行
なう液晶表示装置において、液晶表示装置のポリシリコ
ン薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜厚が３８
０オングストローム以下、または、５００〜６８０オン
グストロームの範囲であることを特徴とする。
ル駆動により１枚の液晶表示装置によりカラー表示を行
なう液晶表示装置において、液晶表示装置のポリシリコ
ン薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜厚が３８
０オングストローム以下、または、５００〜６８０オン
グストロームの範囲であることを特徴とする。
【００１６】以下、上記構成による作用を説明する。
【００１７】本発明の液晶表示装置に用いられるＴＦＴ
基板は、基板と、基板上に形成されたポリシリコン薄膜
トランジスタと、基板と薄膜トランジスタとの間に形成
され、所定の波長を有する入射光がチャネルポリシリコ
ン膜での内部干渉による吸収と逆位相の透過率になるよ
うに厚みが設定された半導体薄膜遮光膜を備えているの
で、チャネルポリシリコン膜での内部干渉による吸収の
ピーク波長の光は、半導体薄膜遮光膜でも吸収および干
渉作用によって減衰される。
基板は、基板と、基板上に形成されたポリシリコン薄膜
トランジスタと、基板と薄膜トランジスタとの間に形成
され、所定の波長を有する入射光がチャネルポリシリコ
ン膜での内部干渉による吸収と逆位相の透過率になるよ
うに厚みが設定された半導体薄膜遮光膜を備えているの
で、チャネルポリシリコン膜での内部干渉による吸収の
ピーク波長の光は、半導体薄膜遮光膜でも吸収および干
渉作用によって減衰される。
【００１８】さらに、基板上に形成されたポリシリコン
薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜の膜厚を３
８０オングストローム以下、または、５００〜６８０オ
ングストロームの範囲に設定すると、チャネルポリシリ
コン膜での可視光短波長領域（青色光、波長範囲４００
〜４５０ｎｍ）の吸収を１．３％以下に抑えることがで
き、一層の効果が得られる。
薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜の膜厚を３
８０オングストローム以下、または、５００〜６８０オ
ングストロームの範囲に設定すると、チャネルポリシリ
コン膜での可視光短波長領域（青色光、波長範囲４００
〜４５０ｎｍ）の吸収を１．３％以下に抑えることがで
き、一層の効果が得られる。
【００１９】赤色用、緑色用、青色用液晶表示装置各々
で、少なくとも青色用液晶表示装置のチャネルポリシリ
コン膜厚が赤色用、緑色用液晶表示装置と異なり、青色
用液晶表示装置のチャネルポリシリコン膜厚が３８０オ
ングストローム以下、または、５００〜６８０オングス
トロームの範囲に設定すると、青色用液晶表示装置のチ
ャネルポリシリコン膜での光の吸収を１．３％以下に抑
えることができ、一層の効果が得られる。
で、少なくとも青色用液晶表示装置のチャネルポリシリ
コン膜厚が赤色用、緑色用液晶表示装置と異なり、青色
用液晶表示装置のチャネルポリシリコン膜厚が３８０オ
ングストローム以下、または、５００〜６８０オングス
トロームの範囲に設定すると、青色用液晶表示装置のチ
ャネルポリシリコン膜での光の吸収を１．３％以下に抑
えることができ、一層の効果が得られる。
【００２０】カラーフィルタを有する液晶表示装置にお
いて、少なくとも青色画素に対応するポリシリコン薄膜
トランジスタのチャネルポリシリコン膜厚が赤色用、緑
色画素に対応するポリシリコン薄膜トランジスタのチャ
ネルポリシリコン膜厚と異なり、青色用画素のチャネル
ポリシリコン膜厚が３８０オングストローム以下、また
は、５００〜６８０オングストロームの範囲に設定する
と、青色用画素のチャネルポリシリコン膜での光の吸収
を１．３％以下に抑えることができ、一層の効果が得ら
れる。
いて、少なくとも青色画素に対応するポリシリコン薄膜
トランジスタのチャネルポリシリコン膜厚が赤色用、緑
色画素に対応するポリシリコン薄膜トランジスタのチャ
ネルポリシリコン膜厚と異なり、青色用画素のチャネル
ポリシリコン膜厚が３８０オングストローム以下、また
は、５００〜６８０オングストロームの範囲に設定する
と、青色用画素のチャネルポリシリコン膜での光の吸収
を１．３％以下に抑えることができ、一層の効果が得ら
れる。
【００２１】また、フィールドシーケンシャル駆動によ
り１枚のパネルによりカラー表示を行なう液晶表示装置
において、液晶表示装置のポリシリコン薄膜トランジス
タのチャネルポリシリコン膜厚が３８０オングストロー
ム以下、または、５００〜６８０オングストロームの範
囲に設定することにより、チャネルポリシリコン膜での
可視光短波長領域（青色光、波長範囲４００〜４５０ｎ
ｍ）の吸収を１．３％以下に抑えることができ、一層の
効果が得られる。。
り１枚のパネルによりカラー表示を行なう液晶表示装置
において、液晶表示装置のポリシリコン薄膜トランジス
タのチャネルポリシリコン膜厚が３８０オングストロー
ム以下、または、５００〜６８０オングストロームの範
囲に設定することにより、チャネルポリシリコン膜での
可視光短波長領域（青色光、波長範囲４００〜４５０ｎ
ｍ）の吸収を１．３％以下に抑えることができ、一層の
効果が得られる。。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
に説明する。
に説明する。
【００２３】（実施形態１）図１に、本発明の実施形態
１である液晶表示装置のＴＦＴ基板の断面構造図を示
す。この液晶表示装置は、入射光として単色光を利用す
るものである。この液晶表示装置のＴＦＴ基板は、透明
基板１と、透明基板１上のＴＦＴ形成領域に形成された
遮光用ポリシリコン膜２と、その遮光用ポリシリコン膜
２上に形成された透明絶縁膜３を介して順次形成される
ＴＦＴ用ポリシリコン層４、ゲート絶縁膜５およびゲー
ト電極６とで構成されており、さらにＴＦＴ用金属配線
７および画素電極８等が形成されている。
１である液晶表示装置のＴＦＴ基板の断面構造図を示
す。この液晶表示装置は、入射光として単色光を利用す
るものである。この液晶表示装置のＴＦＴ基板は、透明
基板１と、透明基板１上のＴＦＴ形成領域に形成された
遮光用ポリシリコン膜２と、その遮光用ポリシリコン膜
２上に形成された透明絶縁膜３を介して順次形成される
ＴＦＴ用ポリシリコン層４、ゲート絶縁膜５およびゲー
ト電極６とで構成されており、さらにＴＦＴ用金属配線
７および画素電極８等が形成されている。
【００２４】上記構造を有する液晶表示装置用ＴＦＴ基
板の製造方法を、図２（ａ）〜（ｃ）に基づいて説明す
る。
板の製造方法を、図２（ａ）〜（ｃ）に基づいて説明す
る。
【００２５】まず、図２（ａ）に示すように、例えば石
英基板、高歪点ガラス基板等からなる透明基板１上に、
ＳｉＨ4 またはＳｉ2 Ｈ6 の分解によるＬＰＣＶＤ法に
より、ポリシリコン膜２ａを形成する。このポリシリコ
ン膜２ａの膜厚については詳しく後述する。このポリシ
リコン膜２ａ上のＴＦＴ用ポリシリコン層４が形成され
る領域に、フォトリソグラフィ法で保護膜をつける。そ
の保護膜を形成した領域以外のポリシリコン膜２ａをフ
ロン系ガスプラズマによるドライエッチング法で除去す
ることにより、遮光用ポリシリコン膜２を形成する。
英基板、高歪点ガラス基板等からなる透明基板１上に、
ＳｉＨ4 またはＳｉ2 Ｈ6 の分解によるＬＰＣＶＤ法に
より、ポリシリコン膜２ａを形成する。このポリシリコ
ン膜２ａの膜厚については詳しく後述する。このポリシ
リコン膜２ａ上のＴＦＴ用ポリシリコン層４が形成され
る領域に、フォトリソグラフィ法で保護膜をつける。そ
の保護膜を形成した領域以外のポリシリコン膜２ａをフ
ロン系ガスプラズマによるドライエッチング法で除去す
ることにより、遮光用ポリシリコン膜２を形成する。
【００２６】次に、図２（ｂ）に示すように、遮光用ポ
リシリコン膜２が形成された透明基板１上全面に、遮光
用ポリシリコン膜２と、以降に形成するＴＦＴ用ポリシ
リコン層４とが電気的に絶縁されるように、膜厚が２５
００〜５０００オングストロームの透明絶縁膜３を形成
する。
リシリコン膜２が形成された透明基板１上全面に、遮光
用ポリシリコン膜２と、以降に形成するＴＦＴ用ポリシ
リコン層４とが電気的に絶縁されるように、膜厚が２５
００〜５０００オングストロームの透明絶縁膜３を形成
する。
【００２７】次に、図２（ｃ）に示すように、透明絶縁
膜３上全面に、ＳｉＨ4 またはＳｉ2 Ｈ6 の分解による
ＬＰＣＶＤ法により、ＴＦＴ用ポリシリコン層４となる
アモルファスＳｉ膜を形成した後に、結晶化処理を行
い、ポリシリコン膜４ａとなる。
膜３上全面に、ＳｉＨ4 またはＳｉ2 Ｈ6 の分解による
ＬＰＣＶＤ法により、ＴＦＴ用ポリシリコン層４となる
アモルファスＳｉ膜を形成した後に、結晶化処理を行
い、ポリシリコン膜４ａとなる。
【００２８】以降は、通常の液晶表示装置用ＴＦＴ基板
の製造方法と同様にして、ゲート絶縁膜５、ゲート電極
６、ＴＦＴ用金属配線７および画素電極８等を形成す
る。
の製造方法と同様にして、ゲート絶縁膜５、ゲート電極
６、ＴＦＴ用金属配線７および画素電極８等を形成す
る。
【００２９】上記製造方法によって得られる液晶表示装
置用ＴＦＴ基板における遮光作用を説明する。
置用ＴＦＴ基板における遮光作用を説明する。
【００３０】図３に、実施形態１の液晶表示装置用ＴＦ
Ｔ基板における遮光用ポリシリコン膜２およびＴＦＴ用
ポリシリコン層４の分光透過率、およびシリコン単相の
吸収係数と膜厚とから算出される分光透過率を示す。図
３において、例として、ポリシリコン膜厚２０６４オン
グストローム（実線）とポリシリコン膜厚８６６オング
ストローム（一点鎖線）の場合を示す。図示するよう
に、膜厚が、例えば８６６オングストロームのポリシリ
コン膜では、シリコン単体の吸収係数と膜厚とから算出
した分光透過率が約８０〜９０％となるのに対し、実際
には、青色光の透過率は約２５％に、緑色光の透過率は
約３０％に、赤色光の透過率は約７０％に下がってい
る。これは、吸収のみでなく、干渉によって透過率が減
少したものである。
Ｔ基板における遮光用ポリシリコン膜２およびＴＦＴ用
ポリシリコン層４の分光透過率、およびシリコン単相の
吸収係数と膜厚とから算出される分光透過率を示す。図
３において、例として、ポリシリコン膜厚２０６４オン
グストローム（実線）とポリシリコン膜厚８６６オング
ストローム（一点鎖線）の場合を示す。図示するよう
に、膜厚が、例えば８６６オングストロームのポリシリ
コン膜では、シリコン単体の吸収係数と膜厚とから算出
した分光透過率が約８０〜９０％となるのに対し、実際
には、青色光の透過率は約２５％に、緑色光の透過率は
約３０％に、赤色光の透過率は約７０％に下がってい
る。これは、吸収のみでなく、干渉によって透過率が減
少したものである。
【００３１】さらに、図３より、膜厚および波長によっ
て、吸収効率、透過率が異なることがわかる。具体的に
は、ポリシリコン膜の膜厚が８６６オングストロームの
場合には、青色、緑色の光の透過率は３０％以下である
が、赤色の光は７０％程度透過する。一方、ポリシリコ
ン膜の膜厚が２０６４オングストロームの場合には、青
色、赤色の光の透過率は３０％以下であるが、緑色の光
は６０％程度透過する。
て、吸収効率、透過率が異なることがわかる。具体的に
は、ポリシリコン膜の膜厚が８６６オングストロームの
場合には、青色、緑色の光の透過率は３０％以下である
が、赤色の光は７０％程度透過する。一方、ポリシリコ
ン膜の膜厚が２０６４オングストロームの場合には、青
色、赤色の光の透過率は３０％以下であるが、緑色の光
は６０％程度透過する。
【００３２】この干渉作用を図４に基づいて説明する。
図４は、図１に示す液晶表示装置用ＴＦＴ基板の遮光用
ポリシリコン膜２およびＴＦＴ用ポリシリコン層４の近
傍を拡大したものである。実線の矢印は、液晶表示装置
用ＴＦＴ基板への入射光Ａの光路を示す。
図４は、図１に示す液晶表示装置用ＴＦＴ基板の遮光用
ポリシリコン膜２およびＴＦＴ用ポリシリコン層４の近
傍を拡大したものである。実線の矢印は、液晶表示装置
用ＴＦＴ基板への入射光Ａの光路を示す。
【００３３】図示するように、実施形態１の液晶表示装
置用ＴＦＴ基板へ透明基板１側からの入射光Ａには、遮
光用ポリシリコン膜２の透明基板１側の面を透過し、透
明絶縁膜３側の面で反射された後に、透明基板１側の面
で反射されて、ＴＦＴ用ポリシリコン層４に向かう光Ａ
１と、遮光用ポリシリコン膜２の透明基板１側の面およ
び透明絶縁膜３側の面を透過してＴＦＴ用ポリシリコン
層４に向かう光Ａ２とがある。遮光用ポリシリコン膜２
の膜厚をｄ２とすると、この２つの光Ａ１およびＡ２の
光路差は、距離２ｄ２×ｎ２（ｎ２は遮光用ポリシリコ
ン膜２の屈折率）となり干渉を起こす。これは、ＴＦＴ
用ポリシリコン層４でも同様の現象が発生する。本発明
は、この干渉を利用したもので、遮光用ポリシリコン膜
２の膜厚ｄ２を調整することにより、遮光用ポリシリコ
ン膜２を出射してＴＦＴ用ポリシリコン層４に向かう光
のうち、ＴＦＴ用ポリシリコン層４での内部干渉による
吸収ピーク波長の光を減衰させることができる。
置用ＴＦＴ基板へ透明基板１側からの入射光Ａには、遮
光用ポリシリコン膜２の透明基板１側の面を透過し、透
明絶縁膜３側の面で反射された後に、透明基板１側の面
で反射されて、ＴＦＴ用ポリシリコン層４に向かう光Ａ
１と、遮光用ポリシリコン膜２の透明基板１側の面およ
び透明絶縁膜３側の面を透過してＴＦＴ用ポリシリコン
層４に向かう光Ａ２とがある。遮光用ポリシリコン膜２
の膜厚をｄ２とすると、この２つの光Ａ１およびＡ２の
光路差は、距離２ｄ２×ｎ２（ｎ２は遮光用ポリシリコ
ン膜２の屈折率）となり干渉を起こす。これは、ＴＦＴ
用ポリシリコン層４でも同様の現象が発生する。本発明
は、この干渉を利用したもので、遮光用ポリシリコン膜
２の膜厚ｄ２を調整することにより、遮光用ポリシリコ
ン膜２を出射してＴＦＴ用ポリシリコン層４に向かう光
のうち、ＴＦＴ用ポリシリコン層４での内部干渉による
吸収ピーク波長の光を減衰させることができる。
【００３４】さらに詳しく説明すると、ＴＦＴ基板裏面
からの入射光量は、 入射光量＝反射光量＋透過光量＋吸収光量 で表され、ＴＦＴ用ポリシリコン層４での戻り光による
特性低下は透過エネルギーと吸収エネルギーの和に依存
する。
からの入射光量は、 入射光量＝反射光量＋透過光量＋吸収光量 で表され、ＴＦＴ用ポリシリコン層４での戻り光による
特性低下は透過エネルギーと吸収エネルギーの和に依存
する。
【００３５】ＴＦＴ用ポリシリコン層４の膜厚をｄ４、
光の波長をλとすると、ＴＦＴ用ポリシリコン層４での
干渉は下記のように数式１で示される関係となる。
光の波長をλとすると、ＴＦＴ用ポリシリコン層４での
干渉は下記のように数式１で示される関係となる。
【００３６】（数式１） （２ｄ４×ｎ４）／λ＝２ａ＋１（ａは整数） この数式１を満たす波長λで反射光量が最小、つまり透
過光量と吸収光量の和が最大になる。この波長λの戻り
光がＴＦＴ用ポリシリコン層４での特性低下に大きく影
響しており、波長λの戻り光を遮光用ポリシリコン膜２
で効率良く遮光すれば、ＴＦＴ用ポリシリコン層４での
特性低下を低減することができる。
過光量と吸収光量の和が最大になる。この波長λの戻り
光がＴＦＴ用ポリシリコン層４での特性低下に大きく影
響しており、波長λの戻り光を遮光用ポリシリコン膜２
で効率良く遮光すれば、ＴＦＴ用ポリシリコン層４での
特性低下を低減することができる。
【００３７】遮光用ポリシリコン膜２で波長λの戻り光
を効率良く遮光するには、下記に示すように数式２で示
される関係である。
を効率良く遮光するには、下記に示すように数式２で示
される関係である。
【００３８】（数式２） （２ｄ２×ｎ２）／λ＝２ｂ（ｂは整数） この数式２を満たせば、反射光量が最大、つまり透過光
量が最小になる。このような条件を満たす遮光用ポリシ
リコン膜厚を用いることで、ＴＦＴ用ポリシリコン層４
での特性低下を防止することが可能になる。
量が最小になる。このような条件を満たす遮光用ポリシ
リコン膜厚を用いることで、ＴＦＴ用ポリシリコン層４
での特性低下を防止することが可能になる。
【００３９】数式１および２を変形すると、数式３とな
る。
る。
【００４０】（数式３） ｄ２＝（２ｂ／２ａ＋１）×（ｎ４／ｎ２）×ｄ４ 数式３を満たす遮光用ポリシリコン膜の膜厚ｄ２を用い
ることで、ＴＦＴ用ポリシリコン層４での特性を低減す
ることができる。
ることで、ＴＦＴ用ポリシリコン層４での特性を低減す
ることができる。
【００４１】実施形態１では、遮光膜の材料にポリシリ
コン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）を用いたが、アモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ）、微細結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）、
ポリゲルマニウム（Ｐｏｌｙ−Ｇｅ）、アモルファスゲ
ルマニウム（ａ−Ｇｅ）、ポリＳｉ−ｘＧｅｘ系、アモ
ルファスＳｉ−ｘＧｅｘ系等の半導体薄膜を用いても同
等の効果が得られる。
コン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）を用いたが、アモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ）、微細結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）、
ポリゲルマニウム（Ｐｏｌｙ−Ｇｅ）、アモルファスゲ
ルマニウム（ａ−Ｇｅ）、ポリＳｉ−ｘＧｅｘ系、アモ
ルファスＳｉ−ｘＧｅｘ系等の半導体薄膜を用いても同
等の効果が得られる。
【００４２】ここで、プロジェクター等の投射時に判別
できるクロストークは輝度比で３％以上であり、クロス
トークを３％以下に抑えることができれば、スクリーン
上での表示品位は向上する。ここで、実験よりチャネル
ポリシリコン膜での光吸収を１．３％以下であれば、ク
ロストークを３％以下に抑えることができるということ
がわかっている。また、実際にクロストークに寄与して
波長範囲は、吸収係数の大きい４００〜４５０ｎｍの範
囲であることがわかっている。青色光でもあるこの４０
０〜４５０ｎｍの波長範囲の光を、可視光短波長領域と
呼ぶ。
できるクロストークは輝度比で３％以上であり、クロス
トークを３％以下に抑えることができれば、スクリーン
上での表示品位は向上する。ここで、実験よりチャネル
ポリシリコン膜での光吸収を１．３％以下であれば、ク
ロストークを３％以下に抑えることができるということ
がわかっている。また、実際にクロストークに寄与して
波長範囲は、吸収係数の大きい４００〜４５０ｎｍの範
囲であることがわかっている。青色光でもあるこの４０
０〜４５０ｎｍの波長範囲の光を、可視光短波長領域と
呼ぶ。
【００４３】図５に、チャネルポリシリコン膜の膜厚と
可視光短波長領域（波長４００〜４５０ｎｍ）での光吸
収との関係を示す。
可視光短波長領域（波長４００〜４５０ｎｍ）での光吸
収との関係を示す。
【００４４】ＴＦＴ用ポリシリコン層４であるチャネル
ポリシリコン膜での光吸収は、入射光の短波長側で著し
く、チャネルポリシリコン膜厚を３８０オングストロー
ム以下または５００〜６８０オングストロームの範囲に
設定することにより、チャネルポリシリコン膜での可視
光短波長領域（青色光、波長範囲４００〜４５０ｎｍ）
の光吸収を１．３％以下に抑えることができ、より一層
ＴＦＴ用ポリシリコン層４での特性低下を防止すること
が可能になる。
ポリシリコン膜での光吸収は、入射光の短波長側で著し
く、チャネルポリシリコン膜厚を３８０オングストロー
ム以下または５００〜６８０オングストロームの範囲に
設定することにより、チャネルポリシリコン膜での可視
光短波長領域（青色光、波長範囲４００〜４５０ｎｍ）
の光吸収を１．３％以下に抑えることができ、より一層
ＴＦＴ用ポリシリコン層４での特性低下を防止すること
が可能になる。
【００４５】（実施形態２）本発明の実施形態２である
液晶表示装置のＴＦＴ基板の断面構造図を図１に示す。
この液晶表示装置は、入射光として単色光を利用するも
のである。この液晶表示装置のＴＦＴ基板は、透明基板
１と、透明基板１上のＴＦＴ形成領域に形成された遮光
用ポリシリコン膜２と、その遮光用ポリシリコン膜２上
に形成された透明絶縁膜３を介して順次形成されるＴＦ
Ｔ用ポリシリコン層４、ゲート絶縁膜５およびゲート電
極６とで構成されており、さらにＴＦＴ用金属配線７お
よび画素電極８等が形成されている。
液晶表示装置のＴＦＴ基板の断面構造図を図１に示す。
この液晶表示装置は、入射光として単色光を利用するも
のである。この液晶表示装置のＴＦＴ基板は、透明基板
１と、透明基板１上のＴＦＴ形成領域に形成された遮光
用ポリシリコン膜２と、その遮光用ポリシリコン膜２上
に形成された透明絶縁膜３を介して順次形成されるＴＦ
Ｔ用ポリシリコン層４、ゲート絶縁膜５およびゲート電
極６とで構成されており、さらにＴＦＴ用金属配線７お
よび画素電極８等が形成されている。
【００４６】図６に、赤色光（波長範囲６００〜７００
ｎｍ）、緑色光（波長範囲５００〜６００ｎｍ）、青色
光（波長範囲４００〜５００ｎｍ）での吸収率と、ＴＦ
Ｔ用ポリシリコン層の膜厚との依存性を示す。赤色光、
緑色光、青色光いずれにおいてもＴＦＴ用ポリシリコン
層の膜厚を薄くすれば、ＴＦＴ用ポリシリコン層である
チャネルポリシリコン膜での光吸収は減少し、特性低下
を防止することが可能になる。
ｎｍ）、緑色光（波長範囲５００〜６００ｎｍ）、青色
光（波長範囲４００〜５００ｎｍ）での吸収率と、ＴＦ
Ｔ用ポリシリコン層の膜厚との依存性を示す。赤色光、
緑色光、青色光いずれにおいてもＴＦＴ用ポリシリコン
層の膜厚を薄くすれば、ＴＦＴ用ポリシリコン層である
チャネルポリシリコン膜での光吸収は減少し、特性低下
を防止することが可能になる。
【００４７】しかしながら、ＴＦＴ用ポリシリコン層の
膜厚を薄くすればするほど、ＴＦＴのＯＮ特性の低下や
断線等の不良が生じやすくなり、むやみにＴＦＴ用ポリ
シリコン層の膜厚を薄くすることはできない。
膜厚を薄くすればするほど、ＴＦＴのＯＮ特性の低下や
断線等の不良が生じやすくなり、むやみにＴＦＴ用ポリ
シリコン層の膜厚を薄くすることはできない。
【００４８】図６に示すように、赤色光、緑色光は、青
色光に比べてチャネルポリシリコン膜での光吸収は少な
く、赤色用、緑色用液晶表示装置のＴＦＴ用ポリシリコ
ン層の膜厚は、青色用液晶表示装置のＴＦＴ用ポリシリ
コン層の膜厚ほど薄くする必要はない。従って、赤色
用、緑色用、青色用液晶表示装置のＴＦＴ用ポリシリコ
ン層について、青色用液晶表示装置のＴＦＴ用ポリシリ
コン層の膜厚のみを薄くすることで、ＴＦＴのＯＮ特性
の低下や断線等の不良発生の可能性を低減しつつ、チャ
ネルポリシリコン膜での光吸収によるＯＦＦ特性低下を
防止することが可能になる。さらに、各色の波長領域で
の光吸収によるＯＦＦ特性低下を防止し、かつ、ＴＦＴ
のＯＮ特性の低下や断線等の不良発生を防止するよう、
赤色用、緑色用、青色用液晶表示装置のＴＦＴ用ポリシ
リコン層の膜厚をそれぞれ設定することにより一層の効
果が得られる。
色光に比べてチャネルポリシリコン膜での光吸収は少な
く、赤色用、緑色用液晶表示装置のＴＦＴ用ポリシリコ
ン層の膜厚は、青色用液晶表示装置のＴＦＴ用ポリシリ
コン層の膜厚ほど薄くする必要はない。従って、赤色
用、緑色用、青色用液晶表示装置のＴＦＴ用ポリシリコ
ン層について、青色用液晶表示装置のＴＦＴ用ポリシリ
コン層の膜厚のみを薄くすることで、ＴＦＴのＯＮ特性
の低下や断線等の不良発生の可能性を低減しつつ、チャ
ネルポリシリコン膜での光吸収によるＯＦＦ特性低下を
防止することが可能になる。さらに、各色の波長領域で
の光吸収によるＯＦＦ特性低下を防止し、かつ、ＴＦＴ
のＯＮ特性の低下や断線等の不良発生を防止するよう、
赤色用、緑色用、青色用液晶表示装置のＴＦＴ用ポリシ
リコン層の膜厚をそれぞれ設定することにより一層の効
果が得られる。
【００４９】ここで、青色用液晶表示装置のチャネルポ
リシリコン膜厚を３８０オングストローム以下または５
００〜６８０オングストロームの範囲に設定することに
より、図５に示すように、チャネルポリシリコン膜での
可視光短波長領域（青色光、波長範囲４００〜４５０ｎ
ｍ）の吸収を１．３％以下に抑えることができ、より一
層ＴＦＴ用ポリシリコン層４での特性低下を防止するこ
とが可能になる。
リシリコン膜厚を３８０オングストローム以下または５
００〜６８０オングストロームの範囲に設定することに
より、図５に示すように、チャネルポリシリコン膜での
可視光短波長領域（青色光、波長範囲４００〜４５０ｎ
ｍ）の吸収を１．３％以下に抑えることができ、より一
層ＴＦＴ用ポリシリコン層４での特性低下を防止するこ
とが可能になる。
【００５０】（実施形態３）図７に、本発明の実施形態
３である液晶表示装置のＴＦＴ基板の断面構造図を示
す。この液晶表示装置は、入射光として白色光を利用
し、対向基板またはＴＦＴ基板上に形成されたカラーフ
ィルタによりカラー表示ができるものである。この液晶
表示装置のＴＦＴ基板は、透明基板１と、透明基板１上
のＴＦＴ形成領域に形成された遮光用ポリシリコン膜２
と、その遮光用ポリシリコン膜２上に形成された透明絶
縁膜３を介して順次形成されるＴＦＴ用ポリシリコン層
４、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６とで構成されて
おり、さらにＴＦＴ用金属配線７および画素電極８等が
形成されている。
３である液晶表示装置のＴＦＴ基板の断面構造図を示
す。この液晶表示装置は、入射光として白色光を利用
し、対向基板またはＴＦＴ基板上に形成されたカラーフ
ィルタによりカラー表示ができるものである。この液晶
表示装置のＴＦＴ基板は、透明基板１と、透明基板１上
のＴＦＴ形成領域に形成された遮光用ポリシリコン膜２
と、その遮光用ポリシリコン膜２上に形成された透明絶
縁膜３を介して順次形成されるＴＦＴ用ポリシリコン層
４、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６とで構成されて
おり、さらにＴＦＴ用金属配線７および画素電極８等が
形成されている。
【００５１】図６に示すように、実施形態２と同様に、
赤色光、緑色光、青色光いずれにおいても、ＴＦＴ用ポ
リシリコン層の膜厚を薄くすれば、ＴＦＴ用ポリシリコ
ン層であるチャネルポリシリコン膜での光吸収は減少
し、特性低下を防止することが可能になる。
赤色光、緑色光、青色光いずれにおいても、ＴＦＴ用ポ
リシリコン層の膜厚を薄くすれば、ＴＦＴ用ポリシリコ
ン層であるチャネルポリシリコン膜での光吸収は減少
し、特性低下を防止することが可能になる。
【００５２】しかしながら、ＴＦＴ用ポリシリコン層の
膜厚を薄くすればするほど、ＴＦＴのＯＮ特性の低下や
断線等の不良が生じやすくなり、むやみにＴＦＴ用ポリ
シリコン層の膜厚を薄くすることはできない。
膜厚を薄くすればするほど、ＴＦＴのＯＮ特性の低下や
断線等の不良が生じやすくなり、むやみにＴＦＴ用ポリ
シリコン層の膜厚を薄くすることはできない。
【００５３】図６に示すように、赤色光、緑色光は、青
色光に比べてチャネルポリシリコン膜での光吸収は少な
く、赤色用、緑色用画素のＴＦＴ用ポリシリコン層の膜
厚は、青色用画素のＴＦＴ用ポリシリコン層の膜厚ほど
薄くする必要はない。
色光に比べてチャネルポリシリコン膜での光吸収は少な
く、赤色用、緑色用画素のＴＦＴ用ポリシリコン層の膜
厚は、青色用画素のＴＦＴ用ポリシリコン層の膜厚ほど
薄くする必要はない。
【００５４】従って、赤色用、緑色用、青色用画素のＴ
ＦＴ用ポリシリコン層のうち、青色用画素のＴＦＴ用ポ
リシリコン層の膜厚のみを薄くすることで、ＴＦＴのＯ
Ｎ特性の低下や断線等の不良発生の可能性を低減しつ
つ、チャネルポリシリコン膜での光吸収によるＯＦＦ特
性低下を防止することが可能になる。
ＦＴ用ポリシリコン層のうち、青色用画素のＴＦＴ用ポ
リシリコン層の膜厚のみを薄くすることで、ＴＦＴのＯ
Ｎ特性の低下や断線等の不良発生の可能性を低減しつ
つ、チャネルポリシリコン膜での光吸収によるＯＦＦ特
性低下を防止することが可能になる。
【００５５】さらに、各色の波長領域での光吸収による
ＯＦＦ特性低下を防止しかつ、ＴＦＴのＯＮ特性の低下
や断線等の不良発生を防止するよう、赤色用、緑色用、
青色用画素のＴＦＴ用ポリシリコン層の膜厚をそれぞれ
設定することでより一層の効果が得られる。
ＯＦＦ特性低下を防止しかつ、ＴＦＴのＯＮ特性の低下
や断線等の不良発生を防止するよう、赤色用、緑色用、
青色用画素のＴＦＴ用ポリシリコン層の膜厚をそれぞれ
設定することでより一層の効果が得られる。
【００５６】ここで、図５に示すように、青色用画素の
チャネルポリシリコン膜厚を３８０オングストローム以
下、または、５００〜６８０オングストロームの範囲に
設定することにより、チャネルポリシリコン膜での可視
光短波長領域（青色光、波長範囲４００〜４５０ｎｍ）
の吸収を１．３％以下に抑えることができ、より一層Ｔ
ＦＴ用ポリシリコン層４での特性低下を防止することが
可能になる。
チャネルポリシリコン膜厚を３８０オングストローム以
下、または、５００〜６８０オングストロームの範囲に
設定することにより、チャネルポリシリコン膜での可視
光短波長領域（青色光、波長範囲４００〜４５０ｎｍ）
の吸収を１．３％以下に抑えることができ、より一層Ｔ
ＦＴ用ポリシリコン層４での特性低下を防止することが
可能になる。
【００５７】（実施形態４）本発明の実施形態４の液晶
表示装置のＴＦＴ基板の断面構造図を図１に示す。この
液晶表示装置は、フィールドシーケンシャル駆動によ
り、１枚のパネルで対向基板またはＴＦＴ基板上にカラ
ーフィルタを形成せずに、カラー表示を行なうものであ
る。この液晶表示装置のＴＦＴ基板は、透明基板１と、
透明基板１上のＴＦＴ形成領域に形成された遮光用ポリ
シリコン膜２と、その遮光用ポリシリコン膜２上に形成
された透明絶縁膜３を介して順次形成されるＴＦＴ用ポ
リシリコン層４、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６と
で構成されており、さらにＴＦＴ用金属配線７および画
素電極８等が形成されている。
表示装置のＴＦＴ基板の断面構造図を図１に示す。この
液晶表示装置は、フィールドシーケンシャル駆動によ
り、１枚のパネルで対向基板またはＴＦＴ基板上にカラ
ーフィルタを形成せずに、カラー表示を行なうものであ
る。この液晶表示装置のＴＦＴ基板は、透明基板１と、
透明基板１上のＴＦＴ形成領域に形成された遮光用ポリ
シリコン膜２と、その遮光用ポリシリコン膜２上に形成
された透明絶縁膜３を介して順次形成されるＴＦＴ用ポ
リシリコン層４、ゲート絶縁膜５およびゲート電極６と
で構成されており、さらにＴＦＴ用金属配線７および画
素電極８等が形成されている。
【００５８】フィールドシーケンシャル駆動であるた
め、この液晶表示装置は１フィールドで赤・青・緑の信
号を切替えて表示するが、赤・青・緑各々の信号で駆動
しているとき、それに対応した色の光がパネルに入射す
ることになる。上記のように、青色光がパネルに入射す
るときに、チャネルポリシリコン膜での光吸収が大き
い。
め、この液晶表示装置は１フィールドで赤・青・緑の信
号を切替えて表示するが、赤・青・緑各々の信号で駆動
しているとき、それに対応した色の光がパネルに入射す
ることになる。上記のように、青色光がパネルに入射す
るときに、チャネルポリシリコン膜での光吸収が大き
い。
【００５９】従って、図５に示すように、ＴＦＴ用ポリ
シリコン層であるチャネルポリシリコン膜厚を３８０オ
ングストローム以下、または、５００〜６８０オングス
トロームの範囲に設定することにより、チャネルポリシ
リコン膜での可視光短波長領域（青色光、波長範囲４０
０〜４５０ｎｍ）の吸収を１．３％以下に抑えることが
でき、ＴＦＴ用ポリシリコン層４での特性低下を防止す
ることが可能になる。
シリコン層であるチャネルポリシリコン膜厚を３８０オ
ングストローム以下、または、５００〜６８０オングス
トロームの範囲に設定することにより、チャネルポリシ
リコン膜での可視光短波長領域（青色光、波長範囲４０
０〜４５０ｎｍ）の吸収を１．３％以下に抑えることが
でき、ＴＦＴ用ポリシリコン層４での特性低下を防止す
ることが可能になる。
【００６０】
【発明の効果】本発明の液晶表示装置に用いられるＴＦ
Ｔ基板は、基板と、基板上に形成されたポリシリコン薄
膜トランジスタと、基板と薄膜トランジスタとの間に形
成され、所定の波長を有する入射光がチャネルポリシリ
コン膜での内部干渉による吸収と逆位相の透過率になる
ように厚みが設定された半導体薄膜遮光膜を備えている
ので、チャネルポリシリコン膜での内部干渉による吸収
のピーク波長の光は、半導体薄膜遮光膜でも吸収および
干渉作用によって減衰される。
Ｔ基板は、基板と、基板上に形成されたポリシリコン薄
膜トランジスタと、基板と薄膜トランジスタとの間に形
成され、所定の波長を有する入射光がチャネルポリシリ
コン膜での内部干渉による吸収と逆位相の透過率になる
ように厚みが設定された半導体薄膜遮光膜を備えている
ので、チャネルポリシリコン膜での内部干渉による吸収
のピーク波長の光は、半導体薄膜遮光膜でも吸収および
干渉作用によって減衰される。
【００６１】さらに、基板上に形成されたポリシリコン
薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜の膜厚を３
８０オングストローム以下、または、５００〜６８０オ
ングストロームの範囲に設定すると、チャネルポリシリ
コン膜での可視光短波長領域（青色光、波長範囲４００
〜４５０ｎｍ）の吸収を１．３％以下に抑えることがで
き、一層の効果が得られる。
薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜の膜厚を３
８０オングストローム以下、または、５００〜６８０オ
ングストロームの範囲に設定すると、チャネルポリシリ
コン膜での可視光短波長領域（青色光、波長範囲４００
〜４５０ｎｍ）の吸収を１．３％以下に抑えることがで
き、一層の効果が得られる。
【００６２】赤色用、緑色用、青色用液晶表示装置各々
で、少なくとも青色用液晶表示装置のチャネルポリシリ
コン膜厚が赤色用、緑色用液晶表示装置と異なり、青色
用液晶表示装置のチャネルポリシリコン膜厚が３８０オ
ングストローム以下、または、５００〜６８０オングス
トロームの範囲に設定すると、青色用液晶表示装置のチ
ャネルポリシリコン膜での光の吸収を１．３％以下に抑
えることができ、一層の効果が得られる。
で、少なくとも青色用液晶表示装置のチャネルポリシリ
コン膜厚が赤色用、緑色用液晶表示装置と異なり、青色
用液晶表示装置のチャネルポリシリコン膜厚が３８０オ
ングストローム以下、または、５００〜６８０オングス
トロームの範囲に設定すると、青色用液晶表示装置のチ
ャネルポリシリコン膜での光の吸収を１．３％以下に抑
えることができ、一層の効果が得られる。
【００６３】カラーフィルタを有する液晶表示装置にお
いて、少なくとも青色画素に対応するポリシリコン薄膜
トランジスタのチャネルポリシリコン膜厚が赤色用、緑
色用画素に対応するポリシリコン薄膜トランジスタのチ
ャネルポリシリコン膜厚と異なり、青色用画素のチャネ
ルポリシリコン膜厚が３８０オングストローム以下、ま
たは、５００〜６８０オングストロームの範囲に設定す
ると、青色用画素のチャネルポリシリコン膜での光の吸
収を１．３％以下に抑えることができ、一層の効果が得
られる。
いて、少なくとも青色画素に対応するポリシリコン薄膜
トランジスタのチャネルポリシリコン膜厚が赤色用、緑
色用画素に対応するポリシリコン薄膜トランジスタのチ
ャネルポリシリコン膜厚と異なり、青色用画素のチャネ
ルポリシリコン膜厚が３８０オングストローム以下、ま
たは、５００〜６８０オングストロームの範囲に設定す
ると、青色用画素のチャネルポリシリコン膜での光の吸
収を１．３％以下に抑えることができ、一層の効果が得
られる。
【００６４】また、フィールドシーケンシャル駆動によ
り１枚のパネルによりカラー表示を行なう液晶表示装置
において、液晶表示装置のポリシリコン薄膜トランジス
タのチャネルポリシリコン膜厚が３８０オングストロー
ム以下、または、５００〜６８０オングストロームの範
囲に設定することにより、チャネルポリシリコン膜での
可視光短波長領域（青色光、波長範囲４００〜４５０ｎ
ｍ）の吸収を１．３％以下に抑えることができ、一層の
効果が得られる。
り１枚のパネルによりカラー表示を行なう液晶表示装置
において、液晶表示装置のポリシリコン薄膜トランジス
タのチャネルポリシリコン膜厚が３８０オングストロー
ム以下、または、５００〜６８０オングストロームの範
囲に設定することにより、チャネルポリシリコン膜での
可視光短波長領域（青色光、波長範囲４００〜４５０ｎ
ｍ）の吸収を１．３％以下に抑えることができ、一層の
効果が得られる。
【図１】実施形態１、２、４の液晶表示装置用ＴＦＴ基
板の断面構造図である。
板の断面構造図である。
【図２】図１に示す液晶表示装置用ＴＦＴ基板の製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図３】特定膜厚のポリシリコン膜における分光透過率
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図４】干渉作用を説明するための液晶表示装置用ＴＦ
Ｔ基板への入射光の光路図である。
Ｔ基板への入射光の光路図である。
【図５】波長範囲４００〜４５０ｎｍにおける光吸収
と、チャネルポリシリコン膜厚との依存性を示すグラフ
である。
と、チャネルポリシリコン膜厚との依存性を示すグラフ
である。
【図６】赤色・青色・緑色の波長範囲における光吸収
と、チャネルポリシリコン膜厚との依存性を示すグラフ
である。
と、チャネルポリシリコン膜厚との依存性を示すグラフ
である。
【図７】実施形態３の液晶表示装置用ＴＦＴ基板の断面
構造図である。
構造図である。
【符号の説明】 １ 透明基板 ２ 遮光用ポリシリコン膜 ３ 透明絶縁膜 ４ ＴＦＴ用ポリシリコン層 ５ ゲート絶縁膜 ６ ゲート電極 ７ ＴＦＴ用金属配線 ８ 画素電極 Ａ 入射光 ｄ２ 遮光用ポリシリコン膜２の膜厚 ｄ４ ＴＦＴ用ポリシリコン層４の膜厚
Claims (5)
- 【請求項１】 基板と、 前記基板上に形成されたポリシリコン薄膜トランジスタ
と、 前記基板と前記ポリシリコン薄膜トランジスタとの間に
形成され、所定の波長を有する入射光がチャネルポリシ
リコン膜での内部干渉による吸収と逆位相の透過率にな
るように厚みが設定された半導体薄膜遮光膜を備えたこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記基板上に形成された前記ポリシリコ
ン薄膜トランジスタのチャネルポリシリコン膜の膜厚
が、 ３８０オングストローム以下、または、５００〜６８０
オングストロームの範囲であることを特徴とする請求項
１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 赤色用、緑色用、青色用液晶表示装置に
おいて、少なくとも青色用液晶表示装置のチャネルポリ
シリコン膜厚が赤色用、緑色用液晶表示装置のチャネル
ポリシリコン膜厚と異なり、 青色用液晶表示装置のチャネルポリシリコン膜厚が、３
８０オングストローム以下、または、５００〜６８０オ
ングストロームの範囲であることを特徴とする請求項１
記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 カラーフィルタを有する液晶表示装置に
おいて、 少なくとも青色画素に対応するポリシリコン薄膜トラン
ジスタのチャネルポリシリコン膜厚が赤色用、緑色用画
素に対応するポリシリコン薄膜トランジスタのチャネル
ポリシリコン膜厚と異なり、 青色用画素に対応するチャネルポリシリコン膜厚が、３
８０オングストローム以下、または、５００〜６８０オ
ングストロームの範囲であることを特徴とする請求項１
記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 フィールドシーケンシャル駆動により１
枚の液晶表示装置によりカラー表示を行なう液晶表示装
置において、 液晶表示装置のポリシリコン薄膜トランジスタのチャネ
ルポリシリコン膜厚が３８０オングストローム以下、ま
たは、５００〜６８０オングストロームの範囲であるこ
とを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18172396A JP3761250B2 (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18172396A JP3761250B2 (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1026770A true JPH1026770A (ja) | 1998-01-27 |
| JP3761250B2 JP3761250B2 (ja) | 2006-03-29 |
Family
ID=16105760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18172396A Expired - Fee Related JP3761250B2 (ja) | 1996-07-11 | 1996-07-11 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3761250B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100918138B1 (ko) | 2006-09-14 | 2009-09-17 | 엡슨 이미징 디바이스 가부시키가이샤 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN107611032A (zh) * | 2017-08-21 | 2018-01-19 | 北京大学深圳研究生院 | 包含遮光层的薄膜晶体管及其制备方法 |
-
1996
- 1996-07-11 JP JP18172396A patent/JP3761250B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100918138B1 (ko) | 2006-09-14 | 2009-09-17 | 엡슨 이미징 디바이스 가부시키가이샤 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN107611032A (zh) * | 2017-08-21 | 2018-01-19 | 北京大学深圳研究生院 | 包含遮光层的薄膜晶体管及其制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3761250B2 (ja) | 2006-03-29 |
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