JP3065527B2 - 液晶デイスプレイモジュール - Google Patents

液晶デイスプレイモジュール

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本願発明は光学変換機能を有する
液晶モジュールを極めて強い光源のもとで利用した時に
生じる点欠陥を防止する方法に係わるものである。ま
た、本願発明は液晶モジュールに使用されるカラーフィ
ルタの配置パターンに係わるものである。
【従来技術】
【０００２】近年、電子機器の軽薄短小化に伴って、液
晶デイスプレイ装置（以下、ＬＣＤという）が表示手段
として用いられるようになってきた。ＬＣＤはコンピュ
ータの画面として利用される他に、例えば、テレビ画
面、投射装置の画面などに広く応用されている。液晶を
利用したこの表示方法は低駆動電圧であるので、低消費
電力、応答速度が比較的速い等の数々の利点を有してお
り、これからもその応用分野の拡大が図られるものとし
て期待されている。
【０００３】現在用いられているＬＣＤの方式のほとん
どはアクティブ・マトリクス方式である。アクティブ・
マトリクス方式とは画素毎に駆動のための回路素子を組
み込んで、その表示特性を大幅に向上させたものをい
う。そして、アクティブマトリクス方式のＬＣＤのうち
スイッチング素子として薄膜３端子トランジスタを用い
たものをＴＦＴ(Thin-Film Transistor)方式と呼ぶ。
【０００４】図１にＴＦＴ方式による液晶ディスプレー
のアレーの一画素部の概略図を示す。一つの画素開口部
１に表示電極２、ゲート線３、ゲート電極３Ａ、データ
線４、ドレイン電極４Ａ、ソース電極５、ＴＦＴアクテ
ィブ素子６が配設されている。ゲート線３の信号によっ
て、ＴＦＴがオンになると、データ線４がソース電極５
を介して表示電極２に接続され、データ線４の電位と画
素電極２の電位とが等しくなる。その結果、画素電極２
の紙面方向上部に封入された液晶が配向しその画素が表
示状態になる。
【０００５】ＴＦＴ部分の断面図を図２に示す。図１に
示されたＴＦＴアクティブ素子部分は模式的にＴＦＴ１
０として示され、下部ガラス基板２０の上に形成されて
いる。また、ＴＦＴ１０は所定の距離を隔てて上部のガ
ラス基板２１と対向しており、下部のガラス基板２０と
上部のガラス基板２１との間の液晶封入部分１１には液
晶が封入されている。液晶は図１において説明したよう
に、下部ガラス基板２０上に形成されている表示電極
（図示せず）の電位に応じてその配向を変えるため、信
号に応じて所望の表示が可能となる。ＴＦＴ１０形成部
は画素電極が存在しないために液晶の配向を制御するこ
とができない。そこで、この部分については光の透過を
抑えるために遮光層１２が形成される。遮光層１２は通
常はＣｒの酸化物から形成される。遮光層１２の裏面
（下部ガラス基板側）には遮光膜１３が形成される。遮
光膜１３は遮光層１２との相性から通常はＣｒが用いら
れる。
【０００６】ＴＦＴ１０の断面構造を図３に示す。ガラ
ス基板、および、その上のアンダーコート部分上に形成
されたゲート電極等の配線材料部分は、その上に形成さ
れたゲート絶縁膜によって、透明電極、アモルファス・
シリコン層、ソース／ドレイン電極から絶縁される。こ
のゲート絶縁膜はシリコン酸化物、あるいは、シリコン
窒化物から構成され、配線材料部分上に積層される。ア
モルファス・シリコン層はソース・ドレイン領域に介在
し、ＴＦＴ１０のチャネル領域として動作する。
【０００７】図２に戻って、上部ガラス基板２１の表面
（下部ガラス基板側）にはカラーフィルタ１４、１５が
形成される。カラーフィルタ１４、１５は通常は赤、
緑、青のいずれかの色に着色された有機物のフィルムで
ある。カラーフィルタ１４、１５は図４に示すように隣
同士が異なった色になるように配置される。図２と図４
の対応付けは同一の番号を付与することによってなされ
ている。つまり、図２に示されるＴＦＴ１０は図４の左
側の青のカラーフィルタの下方に存在し、その上部に遮
光層１２(四角い枠で示す）が位置することになる。カ
ラーフィルタ１４、１５の間の部分はブラック・マトリ
クス２５であり、光を透過しない。
【０００８】図２（ａ）に示すように、光は下部ガラス
基板２０の下方より入射し、液晶封入部分１１に封入さ
れた液晶の配向の制御によって変調を受け、カラーフィ
ルタ１４がその表面に形成された上部ガラス基板２１を
抜けて着色される。
【０００９】ところで、ＬＣＤの応用の一つとして液晶
モジュール自体をＯＨＰ(オーバ・ヘッド・プロジェク
タ)などと呼ばれる投影拡大装置のための光変調手段
（ライト・バルブ）として用いる場合が考えられる。こ
の応用の模式図を図５に示す。液晶表示用のモジュール
３１がＯＨＰ装置３０上に置かれている。ＯＨＰ装置３
０には光源３６が内蔵されており、光源３６から発した
光は制御装置３５から液晶モジュール３１に供給される
表示のための信号に応答して、液晶モジュール３１で変
調・着色を受ける。そして、適当な方向制御・拡大手段
３２によってスクリーン３６に投影される。この原理に
ついては周知である。この種の応用については光源が極
めて強いという点に特徴を有する。つまり、従来のＬＣ
Ｄではその光源はＬＣＤ内に内蔵されており、その光源
は比較的弱いものであり、その光源から発した光を電気
信号によって供給されたデータに応じて変調して所望の
パターンを表示するというものであった。しかし、この
応用の場合はＬＣＤ外の光源であるＯＨＰ装置３０に内
蔵された光源から発した光を液晶モジュールによって変
調・着色するものである。そして、ＯＨＰ装置３０に内
蔵された光源３６はＬＣＤ内に内蔵される光源よりも一
般には強い光度を有し、通常は液晶モジュール用に最適
化することはできない。
【００１０】このような強い光源３６を利用してＴＦＴ
−液晶モジュールをライトバルブとして用いると表示ス
クリーン上に青の輝点（点欠陥）が多く観察され、実用
的な表示特性には満たなかった。
【００１１】強い光源を使用する応用においてこのよう
な点欠陥が発生することは周知である。強い光源を使用
する応用としてはＯＨＰのみならず、サーチライト、太
陽光の入射等が考えられる。
【００１２】従来はこの問題の解決のためＴＦＴに到達
する光量を削減するという方法が採られてきた。このた
めの具体的な手段としてはカラーフィルタを複層に積層
し、光学濃度を高める方法が一般的である。しかし、積
層工程においてプロセスの安定性、残渣の除去等におい
て問題があるほか、カラーフィルタ自体の厚さが厚くな
る結果、セルギャップ不良等の問題が生じやすい。ま
た、従来においてはこの問題の原因が不明だったため、
本質的な解決はなされていなかった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本願発明は液晶モジュ
ールをＯＨＰ用途等、強い光源から発した光のための光
変調手段（ライトバルブ）として用いたときの表示特性
の改善、特に、青の輝点の発生防止を達成することを目
的とする。本願発明は極めて強い光によって発生するＴ
ＦＴのフォト・リーク電流の減少を防止することを目的
とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本願発明の課題は、ＴＦ
Ｔ(Thin-Film Transistor)を含む素子によって駆動され
る液晶モジュールであって、ＴＦＴのチャネル領域に到
達する光の経路に、光を構成する波長のうちチャネル領
域に吸収しやすい波長の領域を遮断する遮断手段を設け
ることによって解決できる。この場合、遮断手段として
は３８０ｎｍ〜５００ｎｍの領域を有する光を遮断する
特性が要求される。液晶モジュールの製造工程コストを
考えた場合は、遮断手段は青以外のカラー・フィルター
を少なくともその一部が青のセルに係わるＴＦＴの直上
に形成したものを用いるとよい。
【００１５】
【発明の実施の態様】青の輝点のみが生じる点に着目し
て発明者らは輝点の発生原因を鋭意検討したところ、輝
点は極めて強い光がＴＦＴ上に照射されることによって
発生するフォト・リーク現象に起因することを突きとめ
た。以下、発明者らの行った推論について述べる。
【００１６】今、現象としては（１)輝点は強い光源を
用いた場合に特有の欠陥であり、（２）輝点は青につい
ては極めて多数（＞１００／チップ）検出されたが、青
以外については少ない（＜１０／チップ）、という２点
が観察されている。（１）の点からは光源の強度が強い
時に、光がＴＦＴに何らかの理由による影響を及ぼすと
いうことが推測される。また、（２）の点、すなわち、
輝点の色の依存性からＴＦＴに影響する光はカラーフィ
ルタを既に通過した光であることが推測される。そし
て、光とＴＦＴとの相互関係が生じうる場合としてフォ
ト・リーク現象が考えられるとすると、輝点等の点欠陥
の原因はＴＦＴのチャネル領域に生じるフォト・リーク
現象によるものと推測される。
【００１７】フォト・リーク現象とはＴＦＴのチャネル
領域の自由電子が光によって励起され、通常よりも高い
エネルギを有するに至る結果、バンドギャップを乗り越
える確率が増大するためにＴＦＴのドレイン・ソース間
に形成されたチャネル領域に漏洩電流が生じる現象をい
う。このような現象に基づく電流を以下、フォト・リー
ク電流と呼ぶ。フォト・リーク電流がＴＦＴで発生する
と液晶セルの制御が困難となる。例えば、液晶セルに全
く電位をかけない状態（オフ）では、本来はそのセルに
係わる表示電極には電位が付与されない結果、液晶の配
向も起こり得ないはずである。しかし、フォト・リーク
電流が生じると、液晶セルに意図的には電位をかけてい
ないのに、表示電極に電位が生じる結果、液晶の意図し
ない配向が生じるのである。この結果、ＴＦＴの遮断特
性（オフにしたときに電位を遮断する特性）が見かけ上
悪化し、ＴＦＴに与えた制御信号と液晶の配向とが一致
しなくなる結果、輝点等の点欠陥として発現する。
【００１８】フォト・リーク電流を発生させる起因とな
る光は上述した（２）の条件（輝点の色依存性）を満足
するものであることを考えると、図２に示す（ｂ）の経
路のものであると推測できる。つまり、上述したように
通常の光は図２（ａ）に示すような経路で表示面上に抜
けていくのであるが、一部の光は図２（ｂ）に示すよう
に、下部ガラス基板２０の下方より入射し、液晶封入部
分１１によって制御された変調を受けるものの、遮光層
１２の表面に形成された遮光膜１３によって反射され
て、ＴＦＴ１０の表面に到達する。この光（ｂ）もカラ
ーフィルタ１４を通過しているために着色が施される。
従って、欠陥が色に依存するという上述（２）の現象を
説明できるのである。
【００１９】輝点等の点欠陥がどの程度のフォト・リー
ク電流で観察されうるかという点も重要である。定性的
には正しいと思われる仮説であっても、定量的な考察を
した場合に全く非現実的な場合は仮説の真実性は否定さ
れるからである。典型的なＬＣＤセルにおいて一画素の
容量は３ｘ１０-13Ｆ程度であり、印加電圧を５Ｖとす
ると、蓄積される電荷の量は１．５ｘ１０-13Ｃ程度と
なる。６０Ｈｚのリフレッシュ間隔を仮定し、これらの
電荷が１フレームのタイム・スパンにおいて完全に漏洩
した場合に輝点として観察されると仮定すると、その時
に流れる電流は１０-10Ａ程度となる。この程度のフォ
ト・リーク電流が生じるときに輝点が発生すると考えら
れるが、このフォト・リーク電流のオーダーは十分に可
能性のあるものである。従って、定量的な考察によって
もこの仮説は否定されない。
【００２０】発明者らは以上の仮説を立て、赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）、青（Ｂ）のそれぞれの光についてチャネル領
域に吸収される光の量を測定した。実際にはＴＦＴの一
部としてのチャネル領域はアモルファス・シリコン層に
よって形成されていることを考えると、フォト・リーク
電流の値はアモルファス・シリコン層に対する光の吸収
特性にほぼ比例する。これはフォト・リーク電流がチャ
ネル領域に吸収された光のエネルギによる電子の励起現
象であることに基づく。カラーフィルタを通過した各色
光についてのアモルファス・シリコン層に吸収される量
の波長依存性を図６に示す。図６は吸収光量を縦軸に、
波長を横軸にプロットしたものである。吸収光量はＯＨ
Ｐ等の光源の波長スペクトル、アモルファス・シリコン
の吸収係数の波長依存性、カラーフィルタの透過スペク
トルの３つのスペクトルの合成である。吸収光量は５２
０ｎｍ以下の波長を有する光について生じている。そし
て、この波長領域を有する光は青（Ｂ）のフィルタでは
透過し、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のフィルタでは遮断される
から、青（Ｂ）のフィルターを通過した光については、
緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のフィルターを通過した光に比べて
極めて吸収光量が高くなっている。このような特異な波
長において吸収光量が大きいから、アモルファス・シリ
コン層のチャネル領域でフォト・リーク電流がこの波長
領域の光については高くなる。このアモルファス・シリ
コン層の特異な吸収特性は、４３０〜４６０ｎｍ付近に
ピークを有し、略３８０〜５２０ｎｍの範囲に広がる。
【００２１】より詳細な実験の結果、典型的なＬＣＤセ
ルにおいて、同一条件で青（Ｂ）波長の光と赤（Ｒ）波
長の光とを入射したとき、前者は後者に比べて４〜５倍
のフォト・リーク電流を発生することが観察された。つ
まり、同一のフォト・リーク電流を生じるためには青
（Ｂ）波長の場合、赤（Ｒ）波長の１／６程度の光量で
十分である。
【００２２】青の輝点のみが観察される理由を説明でき
るという点において、これは上述した仮説を裏付ける結
果である。青（Ｂ）波長においてフォト・リーク電流が
発生しやすい原因としては、青（Ｂ）は他の色の光の波
長に比べて短波長であるため、光エネルギーが大きいと
いう点も指摘される。従って、青（Ｂ）についてフォト
・リーク電流が発生しやすい原因は、 （１）ＴＦＴの一部としてチャネル領域を形成している
アモルファス・シリコン層に対する吸収特性が大きいた
め、容易にアモルファス・シリコン層中にフォト・リー
ク電流（光エネルギによる電子状態の励起）を生じやす
い。 （２）光エネルギーの絶対値が大きいため、（１）がよ
り促進されやすい。 の２点に集約することができる。
【００２３】また、フォト・リーク電流の原因となる光
は、下部ガラス基板から入射した光が遮光膜で反射を受
けて、ＴＦＴのチャネル領域を形成しているアモルファ
ス・シリコン層に吸収される光であると断定できる。こ
の経路でしかアモルファス・シリコン層のチャネル領域
には光が当たらないこと、また、この経路の光はカラー
フィルタを通過しているために着色されているから輝点
等の点欠陥の発生の色の依存性を説明できること、の２
点がこの根拠となる。
【００２４】従来の液晶モジュールの応用においては光
源自体がバックライトとしてＬＣＤに内蔵され、光源の
出力が比較的弱いものであったためフォト・リーク電流
による点欠陥は問題とならなかった。つまり、仮にフォ
ト・リーク電流が流れていたとしても、定量的には問題
となる程度に達していなかったのである。この問題はそ
の出力が通常のバックライトの１００〜１０００倍とい
う強力なＯＨＰ等の光源を利用する場合に特有のもので
あると考えられる。このような強力な光源を利用したと
きに、フォト・リーク電流の値が輝点として発現するに
足るだけの定量値に達するのである。
【００２５】
【実施例】青の輝点等の点欠陥の発生原因がほぼ特定で
きたことによって発明者らは対策を施した。つまり、そ
の対策は図７に示すように青のセル４８に隣接する他の
セルに係わる赤のカラーフィルタ５４を青のセル４８を
駆動するＴＦＴ５０の上部にまで延展する、という第一
実施例に係わるものである。図７においては青のセル４
８のみならず、緑のセル５２のＴＦＴ上部についても赤
のカラーフィルタ５４を形成しているが、本願発明の目
的を達成するためには緑のセルについてはかかる対策を
施す必然性はない。ただし、赤の波長はもっとも長い波
長を有しているから、光のエネルギーも最小であり、緑
のセルに係わるＴＦＴ上にも赤のカラーフィルタを形成
することによってより有効にフォト・リーク電流を防止
することができる。光源が極めて強力になった時には、
実際にも緑のセルにおいてもフォト・リーク電流が問題
視されるかもしれない。
【００２６】図７に示した第一の実施例に係わるセルの
断面を図８に示す。この図は従来技術を示す図２と対応
する。図２と共通な要素は同一の付番を付す。図２と異
なる点は、青（Ｂ）のカラーフィルタと赤（Ｒ）のカラ
ーフィルタの境目４９の位置である。つまり、青（Ｂ）
に係わるＴＦＴ１０の直上には青のカラーフィルタ４８
ではなく、赤のカラーフィルタ５０が形成されているの
である。光は同様に遮光層１２上に形成された遮光膜１
３の反射によってアモルファス・シリコン層１９に到達
するが、この光は青ではなく赤に着色されているので、
アモルファス・シリコン層１９にほとんど吸収されな
い。従って、フォト・リーク電流の原因となる光のチャ
ネル領域への吸収自体が防止される。本実施例において
使用するフィルターは必ずしも赤のフィルターである必
要はない。図６に示すような特性のピークを外れるフィ
ルターであれば十分である。このように考えると、フィ
ルターの遮断特性は波長３８０ｎｍ〜５２０ｎｍの領域
のものを採用すればよい。また、その波長領域での遮断
は完全に行われる必要はなく、好ましい実施例において
は透過率を３０％以下にするものであれば十分である。
但し、透過率も光源強度、フィルターによって遮断され
る波長領域におけるチャネル領域の吸収特性と、点欠陥
となるフォト・リーク電流の許容値との相関関係で決ま
る設計値と見る要素もある。
【００２７】従来技術における解決手段は、強い光源を
利用すると輝点等の点欠陥が発生することに着目して、
光源からの光の強度をカラー・フィルター等によって弱
めるという対症療法的なものである。これに対して、本
願発明における解決手段はフォト・リーク電流の発生原
因に着目した、より本質的・根本的なものである。つま
り、本願発明の本質は、輝点等の点欠陥の発生原因がＴ
ＦＴ上に照射される強力な光によるフォト・リーク電流
にあることを突き止め、かつ、点欠陥の発現の色依存性
がＴＦＴのチャネル領域として形成されたアモルファス
・シリコンの吸収特性の光波長依存性によることを見い
だした点である。そして、これを前提として、アモルフ
ァス・シリコン層に到達する光の量を低減するのではな
く、到達する光の色（つまり、質）を変化させることに
よって、アモルファス・シリコン層に吸収される光の量
を低減させた点に特徴を有するものである。すなわち、
解決手段として光の量ではなく、光の質を変化させてい
るという点で、従来技術とは本質的に異なるものであ
る。
【００２８】ＴＦＴのチャネル領域として形成されたア
モルファス・シリコン上に到達する光の色を変化させる
という点に着目すれば、本願発明の技術的思想はカラー
・フィルターの配置パターンの最適化のみに限定される
ものではない。例えば、カラーフィルタの配置パターン
は従来のままとして（図４参照）、アモルファス・シリ
コン上に色変換機能を有するカラー・フィルターを別途
設けたとしても本願発明の技術的思想に含まれることは
明らかである。このような第二の実施例を図９に示す。
従来技術である図２と異なる点は、チャネル領域以外の
ＴＦＴ１０、及び、ＴＦＴ１０のチャネル領域として形
成されたアモルファス・シリコン層１９を被覆するよう
にアモルファス・シリコン層上に到達する光を青以外の
色に変換する機能を有する膜６０が形成されている点で
ある。
【００２９】また、青以外の色のみをアモルファス・シ
リコン層上に到達させる、という本願発明の発想からは
図１０のような第三の実施例も考えられる。この実施例
ではＴＦＴ１０の周囲に青以外の色に変換する機能を有
する膜６２が形成されている。この結果、遮光層１２ま
たは遮光膜１３から反射されてアモルファス・シリコン
層１９に到達する光は青以外の光となる。この場合、円
６４で囲んだように６４、カラーフィルタの形成範囲を
図２に比べて小さくできる。
【００３０】なお、第二実施例、第三実施例については
周知の製造方法によって製造することができる。
【００３１】以上の実施例からわかるとおり、本願発明
の技術的範囲は、ＴＦＴ型の液晶モジュールであって、
ＴＦＴのチャネル領域として形成されているアモルファ
ス・シリコン層に到達する光の経路に、その色を青以外
に変換する手段を設け、アモルファス・シリコン層に青
の光が到達することを防止する点にある。あるいは、本
願発明の技術的範囲は、ＴＦＴ型の液晶モジュールであ
って、ＴＦＴのチャネル領域として形成されているアモ
ルファス・シリコン層に到達する光の経路に、３８０ｎ
ｍ〜５００ｎｍの波長領域を遮断する手段を設け、アモ
ルファス・シリコン層にこの波長領域の光が到達するこ
とを防止する点にある、と言い換えることもできる。
【００３２】製造工程その他から言って、最も良好な実
施例は図７に示したものである。図７に示した実施例に
おいてはカラー・フィルターのパターンを変更するのみ
であり、これはカラー・フィルター形成時のマスクのパ
ターンを変更すれば足り、なんら、追加工程を必要とし
ないためである。
【００３３】また、アモルファス・シリコン以外のチャ
ネル領域をＴＦＴ上に施した場合は、そのチャネル領域
に吸収しにくい特性を有する色の光に変換する手段をチ
ャネル領域に到達する光の経路に設ければ足りる。フォ
ト・リーク電流によって輝点等の点欠陥が生じるという
共通の原因が存在する以上、これらの変形は当業者には
容易である。従って、本願発明に係わる技術的思想の射
程内である。
【００３４】なお、本願明細書の実施例においてはＯＨ
Ｐ用途を前提として説明したが、本願発明はこの用途に
限定されない。本願発明は例えば太陽光のような強力な
光が上部ガラス基板方向から入射するような場合も適用
できる。つまり、本願発明は輝点等の点欠陥を発現する
に足るフォト・リーク電流が流れる程度の強い光がＴＦ
Ｔのチャネル領域に到達する場合全てに適用可能であ
る。
【００３５】
【発明の効果】本願発明により、強力な光源を利用した
場合のＴＦＴのフォト・リーク電流による輝点等の点欠
陥を防止することができる。また、併せてＴＦＴの信頼
性の向上を達成できる。解決手段として第一の実施例に
示した手段によれば、この効果を達成するためにはカラ
ー・フィルター形成時のマスクパターンの変更のみで十
分であり、新たな工程を必要としない。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＴＦＴ液晶デイスプレイセルの模式図である。
【図２】従来技術によるＴＦＴ部の断面図である。
【図３】従来技術によるＴＦＴ部の断面詳細図である。
【図４】従来技術によるカラーフィルタの配置を示す。
【図５】ＯＨＰに液晶モジュールを応用したときの模式
図である。
【図６】アモルファス・シリコン層に吸収される光の量
の波長依存性を示す。
【図７】本願発明に係わる第一の実施例のカラーフィル
タの配置を示す。
【図８】本願発明に係わる第一の実施例のＴＦＴ部の断
面図である。
【図９】本願発明に係わる第二の実施例のＴＦＴ部の断
面図である。
【図１０】本願発明の係わる第三の実施例のＴＦＴ部の
断面図である。
【符号の説明】
１ 画素開口部 ２ 画素電極 ６ ＴＦＴアクティブ素子 １０ ＴＦＴ部 １１ 液晶封入部 １２ 遮光層 １３ 遮光膜 １４、１５ カラー・フィルター １９ アモルファス・シリコン層 ２０ 下部ガラス基板 ２１ 上部ガラス基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小田原 修一 神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本 アイ・ビー・エム株式会社 大和事業所 内 (56)参考文献 特開 平７−13198（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−287220（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−152587（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−90029（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1368 G02F 1/1335

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第１の透明基板と、 該第１の透明基板と対向する第２の透明基板と、 上記第１の透明基板と上記第２の透明基板との間に介在
    する液晶と、 上記第２の透明基板を介して、上記液晶に光を入射する
    光源と、 上記液晶に隣接するように、上記第２の透明基板上に設
    けられた表示電極及び該表示電極に接続され且つアモル
    ファス・シリコン層を有する薄膜トランジスタと、 上記液晶に隣接するように且つ上記薄膜トランジスタに
    対面するように、上記第１の透明基板上に設けられ、青
    のカラー・フィルタで覆われた遮光膜とを有し、 該遮光膜から反射された後に上記青のカラー・フィルタ
    を通って上記薄膜トランジスタのアモルファス・シリコ
    ン層に到達する光を赤の色に変換する膜が、上記アモル
    ファス・シリコン層を被覆していることを特徴とする液
    晶ディスプレイモジュール。
  2. 【請求項２】上記変換膜が、３８０ｎｍ〜５２０ｎｍの
    光を遮断することを特徴とする請求項１に記載の液晶デ
    ィスプレイモジュール。
  3. 【請求項３】上記変換膜は、赤のカラーフィルタである
    ことを特徴とする請求項２に記載の液晶ディスプレイモ
    ジュール。
  4. 【請求項４】第１の透明基板と、 該第１の透明基板と対向する第２の透明基板と、 上記第１の透明基板と上記第２の透明基板との間に介在
    する液晶と、 上記第２の透明基板を介して、上記液晶に光を入射する
    光源と、 上記液晶に隣接するように、上記第２の透明基板上に設
    けられた表示電極及び該表示電極に接続され且つアモル
    ファス・シリコン層を有する薄膜トランジスタと、 上記液晶に隣接するように且つ上記薄膜トランジスタに
    対面するように、上記第１の透明基板上に設けられた遮
    光膜とを有し、 上記第２透明基板の表面のうち薄膜トランジスタの周囲
    の表面部分に、上記光源から上記第２透明基板を透過す
    る光を赤の色に変換する膜が設けられていることを特徴
    とする液晶ディスプレイモジュール。
  5. 【請求項５】上記変換膜が、３８０ｎｍ〜５２０ｎｍの
    光を遮断することを特徴とする請求項４に記載の液晶デ
    ィスプレイモジュール。
  6. 【請求項６】上記変換膜は、赤のカラーフィルタである
    ことを特徴とする請求項５に記載の液晶ディスプレイモ
    ジュール。
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