KR100247269B1

KR100247269B1 - 액정 표시 장치

Info

Publication number: KR100247269B1
Application number: KR1019970080196A
Authority: KR
Inventors: 남효락; 김동규; 이정호; 노수귀
Original assignee: 윤종용; 삼성전자주식회사
Priority date: 1997-12-31
Filing date: 1997-12-31
Publication date: 2000-03-15
Also published as: KR19990059979A

Abstract

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 다수의 게이트선 및 데이터선과 가장자리가 중첩되도록 화소 영역에 적, 녹, 청의 컬러 필터가 형성되어 있고, 박막 트랜지스터의 반도체층에 대응하는 부분에 적색의 컬러 필터로 이루어진 흡수층이 형성되어 있다. 이때, 게이트선과 데이터선은 각각의 적, 녹, 청의 컬러 필터 경계 부분으로 입사하는 빛을 차단하는 블랙 매트릭스 역할을 대신한다. 또한, 반도체층에 대응하는 부분에 형성되어 있는 흡수층은 광 누설 전류를 유발시키는 단파장대의 빛을 흡수하는 블랙 매트릭스의 역할을 대신한다.

Description

액정 표시 장치

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다.

일반적으로 액정 표시 장치는 투명 전극이 형성되어 있는 한 쌍의 투명 유리 기판, 두 유리 기판 사이의 액정 물질, 각각의 유리 기판의 바깥 면에 부착되어 빛을 편광시키는 두 장의 편광판, 그리고 빛을 발광하는 백 라이트(back light)로 이루어진다.

이러한 액정 표시 장치에서 두 기판 중 한 기판은 원하는 색을 표시하기 위한 적, 녹, 청의 컬러 필터 및 블랙 매트릭스가 형성되어 있는 컬러 필터 기판이며, 나머지 다른 기판은 다수의 화소 영역에 다수의 화소 전극과 박막 트랜지스터 (thin film transistor : TFT)가 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판이다.

화소 전극과 대응하여 전기장을 형성하는 공통 전극은 액정 표시 장치의 종류에 따라 박막 트랜지스터 기판이나 컬러 필터 기판 중 하나에 형성된다.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 종래의 액정 표시 장치에 대하여 설명하면 다음과 같다.

도 1은 종래의 기술에 따른 액정 표시 장치에서 단위 화소의 구조를 도시한 단면도이다.

도 1에서 보는 바와 같이, 종래의 기술에 따른 액정 표시 장치에서 단위 화소 영역(P)에는, 제1 기판(1)의 위에 게이트 전극(2), 그 위의 게이트 절연막(3), 그 위의 반도체층(4), 소스 전극(5), 드레인 전극(6)으로 이루어진 박막 트랜지스터(TFT : thin film transistor)가 형성되어 있으며, 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(6) 쪽에는 드레인 전극(6)과 연결되어 있는 화소 전극(7)이 형성되어 있다. 이를 박막 트랜지스터 기판이라고 한다.

한편, 제2 기판(8)의 상부에는 화소 영역(P)에 대응하는 부분에 개구부를 가지는 블랙 매트릭스(block matrix)(9)가 형성되어 있으며, 제1 기판(1)의 화소 전극(7)에 대응하는 제2 기판(8)의 상부에는 컬러 필터(10)가 형성되어 있다. 또한 제2 기판(8)의 상부에는 공통 전극(11)이 전면에 걸쳐 형성되어 있다. 이러한 제2 기판(8)을 컬러 필터 기판이라고 한다.

이러한 종래의 기술에 따른 액정 표시 장치에서 블랙 매트릭스(9)는 컬러 필터(10)의 사이에 형성되어 대비비를 향상시키는 역할을 하며, 컬러 필터(10)를 통과하지 않는 빛을 차단한다. 또한, 넓은 폭을 가지는 블랙 매트릭스(9)의 일부(91)는 외부로부터 박막 트랜지스터(TFT)로 입사하는 빛(C)을 차단하여 광전 효과로 인한 누설 전류가 발생하지 않도록 하여 박막 트랜지스터(TFT)의 기능 저하를 방지한다.

그러나, 두 기판(1, 8)에 수직하게 입사하는 백라이트의 빛(A)은 대부분은 화소 전극(7) 및 컬러 필터(10)를 통하지만, 두 기판(1, 8)에 대하여 임의 각으로 진행하는 빛의 일부(B)는 블랙 매트릭스(9)에 반사되어 비정질 규소층으로 이루어진 반도체층(4)으로 입사하게 된다. 이로 인하여 박막 트랜지스터(TFT)에서는 많은 양의 전자나 정공이 생성되고, 이들은 오프(OFF) 상태에서 누설 전류를 발생시켜 화질을 열화시킨다.

이러한 문제점을 개선하기 위하여 블랙 매트릭스(9)를 유기화하여 반사율을 낮추거나, 블랙 매트릭스(9)에 반사 방지막을 도포하는 방법이 있다. 그러나 블랙 매트릭스(9)를 유기화하는 경우에는 두께가 두꺼워지기 때문에 단차가 발생하는 문제점이 있고, 반사 방지막을 형성하는 경우에는 공정 수가 증가하게 된다. 또한, 블랙 매트릭스(9)는 두 기판(1, 8)의 오정렬을 고려하여 실제로 가려야할 부분보다 넓게 형성하기 때문에 빛이 차단되는 면적이 커지게 되어 액정 패널의 개구율이 감소하는 문제점이 발생한다.

본 발명의 과제는 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 광 누설 전류를 최소화하고 개구율을 향상시켜 표시 장치의 특성을 향상시키는 데 있다.

도 1은 종래의 기술에 따른 액정 표시 장치에서 하나의 단위 화소의 구조를 도시한 단면도이고,

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판에서 단위 화소의 구조를 도시한 배치도이고,

도 3은 도 2에서 III-III' 부분을 도시한 단면도이고,

도 4는 도 2에서 VI-VI' 부분을 도시한 단면도이고,

도 5는 도 3의 컬러 필터 기판에 의해 빛이 차단되는 부분을 도시한 평면도이고,

도 6 및 도 7은 도 3에서 VI-VI 부분을 절단한 단면도이고,

도 8은 도 3에서 VIII-VIII 부분을 절단한 단면도이고,

도 9는 도 3과 도 6을 정렬한 단면도이고,

도 10은 도 4와 도 7을 정렬한 단면도이고,

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 박막 트랜지스터 기판의 구조를 도시한 배치도이고,

도 12는 도 11에서 XII-XII' 부분을 도시한 단면도이고,

도 13은 도 11에서 XIII-XIII' 부분을 도시한 단면도이고,

도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조를 도시한 단면도이다.

이러한 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 서로 교차하는 게이트선과 데이터선으로 정의되는 다수의 화소 영역에 형성되어 있는 규소층에 대응하는 부분에 620 nm 이하의 파장대 빛을 흡수하는 흡수층이 형성되어 있다.

이때, 흡수층은 상부 기판에 형성할 수 있으며 하부 기판에 형성할 수도 있으며, 흡수층은 적색의 컬러 필터로 이루어져 있다.

이러한 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는 서로 교차하여 화소를 정의하는 다수의 신호선이 블랙 매트릭스의 역할을 하며, 비정질 규소층의 반도체층에 대응하는 부분에 형성되어 있는 흡수층은 전자 또는 정공을 만들어내는 파장대의 빛을 흡수한다.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 실시예를 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 기술을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명한다.

우선 본 발명의 실시예에서는 블랙 매트릭스를 따로 형성하지 않고 박막 트랜지스터 기판에 형성된 배선으로 대신한다.

이를 도 2 내지 도 4에 도시한 박막 트랜지스터 기판을 참고로 형성한다.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판에서 단위 화소의 구조를 도시한 배치도이고, 도 3은 도 2에서 III-III' 부분을 도시한 단면도이고, 도 4는 도 2에서 VI-VI' 부분을 도시한 단면도로서, 공통 전극이 컬러 필터 기판에 형성되어 있는 경우이다.

도 2 및 도 3에서 보는 바와 같이, 본 발명에 실시예에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판에는 투명한 하부 기판(100) 위에 가로 방향의 게이트선(200) 및 그 분지인 게이트 전극(210)으로 이루어진 불투명한 게이트 패턴이 형성되어 있다.

게이트 패턴(200, 210) 위에는 게이트 절연층(300)이 형성되어 있으며, 게이트 전극(210) 상부의 게이트 절연층(300) 위에는 수소화된 비정질 규소층(a-Si:H)으로 이루어진 반도체층(400)이 형성되어 있고 그 위에는 n+ 불순물로 고농도로 도핑된 수소화된 비정질 규소층으로 이루어진 콘택층(610, 620)이 게이트 전극(210)을 중심으로 양쪽에 형성되어 있다. 여기에서 반도체층(400)은 게이트 전극(210) 및 게이트선(200)으로 완전히 가려진 상태가 된다.

게이트 절연층(300) 위에는 또한 세로로 게이트선(200)과 교차하여 화소 영역(P)을 정의하는 불투명한 데이터선(500)이 형성되어 있다. 데이터선(500)의 일부는 한 쪽 콘택층(610) 위에 형성되어 소스 전극(510)을 이루며, 소스 전극(510)의 맞은 편에 위치한 콘택층(620) 위에는 불투명한 드레인 전극(520)이 형성되어 있다.

데이터 패턴(500, 510, 520) 및 이 데이터 패턴으로 가려지지 않은 비정질 규소층(500) 위에는 보호막(900)이 형성되어 있으며, 보호막(900)에는 드레인 전극(520)을 노출시키는 접촉 구멍(910)이 형성되어 있다.

마지막으로, 보호막(900) 위에는 접촉 구멍(910)을 통하여 드레인 전극(520)과 연결되어 있으며 ITO로 만들어진 화소 전극(700)이 형성되어 있다. 화소 전극(700)의 가장자리 부분은 게이트선(200) 및 데이터선(600)의 일부와 중첩되어 있다(도4 참조).

이러한 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는 게이트 패턴(200, 210) 및 데이터 패턴(500, 510, 520)들이 블랙 매트릭스 역할을 대신하여 박막 트랜지스터 기판의 하부에 위치한 백라이트로부터 직접 입사하는 빛의 일부를 차단하기 때문에, 도 2에서 굵은 선으로 도시한 부분으로 둘러싸인 영역으로만 빛이 투과한다. 특히, 반도체층(400)은 게이트 전극(210)의 폭 안에 형성되기 때문에 하부로부터 빛이 들어가지 않는다.

따라서, 블랙 매트릭스를 따로 두지 않아도 되므로 공정이 줄어들 뿐 아니라 블랙 매트릭스가 차지하는 정렬 여백이 필요없으므로 개구율이 증가한다.

그러나, 이러한 구조를 택하더라도 반도체층(400)의 채널부등의 위 부분은 데이터 패턴으로 가려지지 않기 때문에 상판의 컬러 필터 등에서 반사되는 빛을 피할 수 없으며, 또한 상판의 블랙 매트릭스가 없기 때문에 외부로부터 상판을 통과하여 들어오는 빛을 피할 수 없다.

도 1에서 보면, 박막 트랜지스터에 대응하는 상판 영역 부근에서 반사되는 빛이 주로 반도체층의 채널부로 입사되므로 이 부분의 구조를 다르게 할 필요가 있다. 이는 도 5 내지 도 7을 참고로 설명한다.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 컬러 필터 기판의 배치도이고, 도 6은 도 5에서 VI-VI' 부분을 도시한 단면도이고, 도 7은 도 5에서 VII-VII' 부분을 도시한 단면도이다.

도 5, 도 6 및 도 7에서 보는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 컬러 필터 기판에는 블랙 매트릭스가 없으며, 투명한 기판(800) 위에 적색, 녹색 또는 청색의 컬러 필터(110)가 세로 방향으로 길게 세로 방향으로 번갈아 형성되어 있다. 여기서, 컬러 필터(110)는 하부 기판(100)의 반도체층(400)에 대응하는 부분에는 형성되어 있지 않으며, 이 부분에는 빛을 흡수할 수 있는 흡수층(111)이 형성되어 있다(도 2 참조). 여기에서 공통 전극은 편의상 도시하지 않는다.

그런데 규소 특히, 수소화된 비정질 규소층에 조사되어 30^-11A 이상의 치명적인 누설 전류를 유발하는 전자나 정공을 생성하는 빛은 주로 620 nm 이하의 파장을 가지는 빛이다. 따라서, 이 흡수층(111)은 이러한 파장의 빛을 흡수할 수 있는 물질로 만드는 것이 좋다. 또한 새로운 공정을 추가하지 않기 위해서는 컬러 필터 등 기존의 공정에서 사용되는 물질을 이용하는 것이 좋다.

그러면, 적, 녹, 청색의 컬러 필터가 각각 통과시키는 각각의 파장대의 범위를 살펴보면 다음과 같다.

도 8은 적, 녹, 청색의 컬러 필터가 통과시키는 파장대의 범위를 도시한 그래프로서, 세로축은 투과율(T)을 나타낸 것이고, 가로축은 파장(nm)을 나타낸 것이다.

도 8에서 보는 바와 같이, 적색 필터에 의해 투과 또는 반사되는 빛의 파장대는 대부분 620 nm 이상의 장파장대이며, 녹색 필터에 의해 투과 또는 반사되는 빛의 파장대는 대부분 500~600 nm 범위이며, 청색 필터에 의해 투과 또는 반사되는 빛의 파장대는 대부분 500 nm 이하이며, 청색 필터는 에너지가 큰 자외선 영역의 파장대를 투과시킨다.

그러므로, 적색의 컬러 필터는 대부분 620 nm 이하 파장의 빛을 잘 흡수한다. 따라서, 흡수층(111)의 재료로 적색 필터를 사용하는 것이 바람직하다.

다음은 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서 반도체층의 채널부로 들어오는 빛에 대하여 상세하게 설명하기로 한다.

도 9 및 도 10은 도 2의 박막 트랜지스터 기판과 도 5의 컬러 필터 기판을 정렬한 단면도로서, 도 9는 도 3과 도 6을 정렬한 단면도이고, 도 10은 도 4와 도 7을 정렬한 단면도이다.

도 9 및 도 10에서 보는 바와 같이, 상부 기판(800)에 형성되어 있는 적, 녹, 청 삼색의 컬러 필터(110)의 사이 부분은 하부 기판(100)의 데이터선(500)과 중첩되어 있어 이 부분의 빛이 누설되지 않도록 하고 있다.

또한, 도 5에서 보는 바와 같이, 컬러 필터(110)와 흡수층(110) 사이의 공간은 게이트 패턴(200, 210) 및 데이터 패턴(500, 510, 520)으로 가려지는 부분에 대응하도록 하여 이 부분의 빛 또한 누설되지 않도록 한다.

여기서, 상부 기판(800)의 전면으로부터 입사하는 빛 중 620nm 이하 파장의 빛은 적색의 컬러 필터로 이루어진 흡수층(111)으로 흡수되어 반도체층(400)에 도달하지 못한다.

한편, 하부 기판(100)의 하부로부터 상판의 컬러 필터 등에 의하여 반사되는 빛 중에서 규소층(400)의 채널부로 입사되는 빛은 대부분 흡수층(111)에서 반사된 것이다. 그런데, 흡수층(111)은 620nm 이하 파장의 빛을 흡수하므로 620nm 이하 파장의 빛은 흡수층(111)에서 흡수되고 규소층(400)에 도달하지 못한다.

따라서, 반도체층(400)의 채널부로 입사하는 빛은 전자나 전공을 생성하지 못하는 장파장대만의 빛이므로 누설 전류를 발생시키지 못한다.

한편, 컬러 필터와 흡수층은 본 발명의 실시예에서처럼 상판에 형성될 수도 있지만 하판에 박막 트랜지스터와 함께 형성될 수도 있다. 이를 상세하게 설명한다.

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 박막 트랜지스터 기판의 구조를 도시한 배치도이고, 도 12는 도 11에서 XII-XII' 부분을 도시한 단면도이고, 도 13은 도 11에서 XIII-XIII' 부분을 도시한 단면도이다.

또한, 도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조를 도시한 단면도로서, 도 11의 박막 트랜지스터 기판을 적용한 경우이다.

여기에서, 도 2 내지 도 4 및 도 9에서 설명한 도면 부호와 동일한 부호는 동일한 역할을 한다.

도 11 내지 도 13에서 보는 바와 같이, 대부분의 구조는 도 2 내지 도 4와 동일하며 다른 부분은 하부 기판(100) 위에 형성되어 있는 반도체층(400)의 상부 보호막(900) 위에 흡수층(111)이 형성되어 있으며, 화소 전극(700)의 상부에 적, 녹 또는 청색의 컬러 필터(110)가 형성되어 있다. 여기서, 컬러 필터(110)의 가장자리 부분은 데이터선(500)과 중첩되어 형성되어 있다.

또한, 도 14에서 보는 바와 같이, 상부 기판(800)의 상부에는 공통 전극(1100)이 전면에 형성되어 있다.

이러한 구조에서도 앞에서 설명한 바와 마찬가지로 게이트 패턴(200, 210) 및 데이터 패턴(500, 510, 520)들이 블랙 매트릭스 역할을 대신하므로 도 11에서 굵은 선으로 둘러싸인 영역으로만 빛이 투과하고, 특히 반도체층(400)은 게이트 전극(210)의 폭 안에 형성되기 때문에 하부로부터 빛이 들어가지 않는다.

따라서, 블랙 매트릭스를 형성하는 공정 불필요하게 되고, 블랙 매트릭스가 차지하는 정렬 여백이 필요없으므로 개구율이 증가한다.

또한, 이러한 구조에서는 반도체층(400)의 데이터 패턴으로 가려지지 않는 채널부의 위 부분에 흡수층(111)이 형성되어 있으므로 외부로부터 상판을 통과하여 들어오는 빛이나 상판에서 반사되어 들어오는 620nm 이하 파장의 빛은 적색 필터로 이루어진 흡수층(111)으로 흡수되어 반도체층(400)에 도달하지 못한다.

따라서, 반도체층(400)의 채널부로 입사하는 빛은 전자나 전공을 생성하지 못하는 장파장대만의 빛이므로 치명적인 누설 전류를 발생시키지 못한다.

지금까지는 화소 전극과 공통 전극이 각각 다른 기판에 형성되어 있는 구조에 대해서만 설명하였으나, 이 두 전극은 동일한 기판에 형성될 수도 있다. 이 경우에도 흡수층을 형성할 수 있음은 물론이다.

따라서 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는 박막 트랜지스터의 반도체층에 대응하는 컬러 필터 기판에 적색의 컬러 필터로 이루어진 흡수층을 형성하여 광 누설 전류는 유발하는 파장대의 빛을 흡수하도록 한다. 이로 인하여, 규소를 사용하는 박막 트랜지스터의 광 누설 전류를 최소화하여 표시 장치의 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 흡수층, 게이트선 및 데이터선이 블랙 매트릭스의 기능을 대신함으로써 표시 장치의 개구율을 증가시킬 수 있다.

Claims

서로 교차하는 게이트선과 데이터선으로 정의되는 다수의 화소 영역에 형성되어 있는 화소 전극 및 규소층을 포함하는 박막 트랜지스터가 형성되어 있는 제1 기판,

상기 박막 트랜지스터 기판과 마주하며, 상기 규소층에 대응하는 부분에는 620 nm 이하의 파장대의 빛을 흡수하는 흡수층이 형성되어 있는 제2 기판

을 포함하는 액정 표시 장치.
제1항에서,

상기 규소층은 비정질 규소층으로 이루어진 액정 표시 장치.
제2항에서,

상기 화소 전극에 대응하는 상기 제2 기판에 형성되어 있는 컬러 필터를 더 포함하는 액정 표시 장치.
제3항에서,

상기 흡수층은 적색 필터로 이루어진 액정 표시 장치.
제4항에서,

상기 화소 전극의 가장자리 부분은 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 중첩되어 있는 액정 표시 장치.
제5항에서,

상기 컬러 필터의 가장자리 부분은 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 중첩되어 있는 액정 표시 장치.
투명한 제1 절연 기판,

상기 제1 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선,

상기 제1 절연 기판 위에 형성되어 있으며 상기 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극,

상기 게이트선 및 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막,

상기 게이트 절연막 위에 상기 게이트 전극에 대응하는 위치에 상기 게이트 전극의 폭 안에 들어가도록 형성되어 있는 규소층,

상기 게이트 절연막 위에 상기 게이트선과 교차하도록 형성되어 있는 게이트선,

상기 데이터선 및 상기 규소층과 연결되어 있는 소스 전극,

상기 규소층과 연결되어 있으며 상기 소스 전극과 분리되어 있는 드레인 전극,

상기 데이트선, 소스 및 드레인 전극을 덮고 있으며, 상기 드레인 전극을 드러내는 접촉구를 가지고 있는 보호막,

상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 접촉구를 통하여 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극

을 포함하는 제1 기판,

상기 제1 기판과 마주보고 있는 투명한 제2 절연 기판,

상기 제2 기판 위에 상기 규소층에 대응하는 위치에 형성되어 있으며 620 nm 이하 파장의 빛을 흡수하는 흡수층

을 포함하는 제2 기판

을 포함하는 액정 표시 장치.
제7항에서,

상기 화소 전극에 대응하는 상기 제2 기판에 형성되어 있는 컬러 필터를 더 포함하는 액정 표시 장치.
제8항에서,

상기 흡수층은 적색의 컬러 필터로 이루어진 액정 표시 장치.
제9항에서,

상기 화소 전극의 가장자리 부분은 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 중첩되어 있는 액정 표시 장치.
제10항에서,

상기 컬러 필터의 가장자리 부분은 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 중첩되어 있는 액정 표시 장치.
서로 교차하는 게이트선과 데이터선으로 정의되는 다수의 화소 영역에 형성되어 있는 화소 전극, 규소층을 포함하는 박막 트랜지스터 및 상기 규소층을 상부에 형성되어 있으며 620 nm 이하의 단파장대의 빛을 흡수하는 흡수층

을 포함하는 액정 표시 장치용 기판.
제12항에서,

상기 화소 전극의 상부에 형성되어 있는 컬러 필터를 더 포함하는 액정 표시 장치용 기판.
제13항에서,

상기 흡수층은 적색의 컬러 필터로 이루어진 액정 표시 장치.
제14항에서,

상기 화소 전극의 가장자리 부분은 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 중첩되어 있는 액정 표시 장치.
제15항에서,

상기 컬러 필터의 가장자리 부분은 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 중첩되어 있는 액정 표시 장치.
투명한 제1 절연 기판,

상기 제1 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선,

상기 제1 절연 기판 위에 형성되어 있으며 상기 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극,

상기 게이트선 및 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막,

상기 게이트 절연막 위에 상기 게이트 전극에 대응하는 위치에 상기 게이트 전극의 폭 안에 들어가도록 형성되어 있는 규소층,

상기 게이트 절연막 위에 상기 게이트선과 교차하도록 형성되어 있는 게이트선,

상기 데이터선 및 상기 규소층과 연결되어 있는 소스 전극,

상기 규소층과 연결되어 있으며 상기 소스 전극과 분리되어 있는 드레인 전극,

상기 데이트선, 소스 및 드레인 전극을 덮고 있으며, 상기 드레인 전극을 드러내는 접촉구를 가지고 있는 보호막,

상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 접촉구를 통하여 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극

상기 규소층에 대응하는 상기 보호막의 상부에 형성되어 있으며 620 nm 이하 파장의 빛을 흡수하는 흡수층

을 포함하는 액정 표시 장치용 기판.
제17항에서,

상기 화소 전극에 대응하는 상기 보호막 상부에 형성되어 있는 컬러 필터를 더 포함하는 액정 표시 장치용 기판.
제18항에서,

상기 흡수층은 적색의 컬러 필터로 이루어진 액정 표시 장치용 기판.
제19항에서,

상기 화소 전극의 가장자리 부분은 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 중첩되어 있는 액정 표시 장치용 기판.
제20항에서,

상기 컬러 필터의 가장자리 부분은 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 중첩되어 있는 액정 표시 장치용 기판.