JP2002131740A - カラーフィルタ基板、その製造方法、アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
カラーフィルタ基板、その製造方法、アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法Info
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Abstract
におけるTFT特性の変動を防止することにより、残
像、色むら及びフリッカを防止することができるカラー
フィルタ、その製造方法、カラーフィルタを備えたアク
ティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法を提
供する。 【解決手段】 CF基板のアモルファスシリコン層に対
向する位置には、どの画素においても、カラーフィルタ
に開口部14R、14G又は14Bが形成されており、
配向膜及び平坦化膜の下層はブラックマトリクス12と
なっている。このため、いずれの色種の画素においても
光の反射率は一定となっており、アモルファスシリコン
層に入射する光の強度は同程度のものとなる。従って、
長期間使用した結果、アモルファスシリコン層が変質し
たとしても、その程度は色種間で一定であり、TFT特
性のばらつきは生じない。このため、長期間使用した場
合の色むら、残像及びフリッカの発生が防止される。
Description
組み込まれるカラーフィルタ、その製造方法、カラーフ
ィルタを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置及
びその製造方法に関し、特に、IPS(In-Plane-Switc
hing)モードでの駆動に好適なカラーフィルタ、その製
造方法、アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその
製造方法に関する。
は、2枚の基板が貼り合わされ、それらの間に液晶が設
けられて構成されている。図24は従来のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置におけるCF基板を示す図であ
って、(a)はカラーフィルタのパターンを示す模式
図、(b)はブラックマトリクスのパターンを示す模式
図である。図25は従来のIPS方式のアクティブマト
リクス型液晶表示装置におけるTFT基板を示す模式図
である。図26(a)は図24及び図25中のE−E線
に沿った断面図、(b)は図24及び図25中のF−F
線に沿った断面図である。
うに、2枚の基板101及び102の間に液晶103が
保持されている。2枚の基板のうち、一方の基板101
には、後述のように、カラーフィルタが形成され、他方
の基板102には、後述のように、薄膜トランジスタ
(TFT)が形成される。従って、一般に、基板101
はカラーフィルタ基板(CF基板)とよばれ、基板10
2はTFT基板とよばれる。
基板121上に水平方向に延びるゲート電極122及び
共通電極123が形成されている。共通電極123は、
各画素内において、直線状に水平方向に延びる2個の直
線部123aと、これらの直線部123a間で垂直方向
に延び直線部123a同士を接続する接続部123bと
から構成されている。各接続部123bは、液晶を2方
向に回転させるため、その中間部分で互いに同方向に屈
曲した形状に形成されている。そして、ゲート電極12
2及び共通電極123を覆う層間絶縁膜124が全面に
形成されている。
2に整合する位置に等間隔でアモルファスシリコン層1
25及びn+アモルファスシリコン層126が順次形成
されている。また、層間絶縁膜124上には、垂直方向
に延びるデータ線127、画素内に配置された画素電極
128、データ線127に接続されn+アモルファスシ
リコン層126上まで延出するドレイン電極129及び
画素電極128に接続され同じくn+アモルファスシリ
コン層126上まで延出するソース電極130が形成さ
れている。画素電極128は、直線状に水平方向に延び
る2個の直線部128aと、これらの直線部128a間
で垂直方向に延び直線部128a同士を接続する接続部
128bとから構成されている。各接続部128bは、
液晶を2方向に回転させるため、その中間部分で、共通
電極123の接続部123bと同方向に屈曲した形状に
形成されている。そして、これらを覆うパッシベーショ
ン膜131が形成されている。更に、パッシベーション
膜131上には、配向膜132が形成されている。配向
膜132のラビング方向は、矢印133が示すように垂
直方向である。
は、偏光板134が貼り付けられている。
上に形成された層にハッチングを入れてある。
透明基板111上にブラックマトリクス112が形成さ
れている。ブラックマトリクス112の各画素電極12
8に整合する領域、即ち各画素の中心部には、矩形の開
口部112aが形成されている。ブラックマトリクス1
12上には、赤色カラーフィルタ113R、緑色カラー
フィルタ113G及び青色カラーフィルタ113Bがス
トライプ状に配列されている。なお、図24では、カラ
ーフィルタ同士が垂直方向及び水平方向で接触している
が、垂直方向で同色のカラーフィルタ同士が接触してい
るものの、図26(b)に示すように、水平方向では異
色のカラーフィルタ間にギャップが形成されて接触して
いない。
G及び113Bを覆う平坦化膜115及び配向膜116
が順次形成されている。配向膜116のラビング方向
は、配向膜132のそれと同様に、垂直方向である。
は、導電層117及び偏光板118が貼り付けられてい
る。
トリクス型液晶表示装置は、IPS(In-Plane-Switchi
ng)モードで駆動される。そして、データ線127に印
加された電圧がドレイン電極129、アモルファスシリ
コン層125、126及びソース電極130を介して画
素電極128に供給されると、画素電極128と共通電
極123との間に電界が発生し、液晶103が回転す
る。この結果、バックライト(図示せず)から発せられ
た光がカラーフィルタを透過して着色された光が偏光板
132から放出される。このとき、接続部123b及び
128bは、互いに同方向に屈曲した形状を有している
ため、その上下で液晶103が回転する方向が異なる。
従って、画面に対して傾斜した方向から見た場合であっ
ても、黄色がかった映像とはなりにくい。
がある。図27は従来の独立して設けられたカラーフィ
ルタのパターンを示す模式図である。この従来のパター
ンでは、水平方向だけでなく垂直方向においても、隣り
合う画素間でカラーフィルタが離間している。つまり、
異色のカラーフィルタ136R、136G及び136B
が互いに離間しているだけでなく、同色のカラーフィル
タ同士でも離間している。
置には、IPS方式のものだけでなくねじれネマティッ
ク(TN)方式のものもある。図28は従来のTN方式
のアクティブマトリクス型液晶表示装置におけるTFT
基板を示す模式図である。図29(a)は図28中のI
−I線に沿った断面図、(b)は図28中のJ−J線に
沿った断面図である。なお、図28及び図29に示すT
N方式の液晶表示装置において、図25及び図26に示
すIPS方式の液晶表示装置と同一の構成要素には、同
一符号を付してその詳細な説明は省略する。
は、平坦化膜115と配向膜116との間に共通電極1
40が形成されている。また、第2の透明基板111の
裏面側には、導電膜117は形成されず、偏光板118
が直接貼り付けられている。一方、TFT基板102に
おいては、第1の透明基板121上に共通電極123は
形成されておらず、パッシベーション膜131上に長方
形板状の画素電極141が形成されている。画素電極1
41は、パッシベーション膜131に形成されたコンタ
クトホール142を介してソース電極130に接続され
ている。
の従来の液晶表示装置では、カラーフィルタ基板に到達
した光の全てが外部に放出されるのではなく、一部はカ
ラーフィルタにより反射され、他の一部はブラックマト
リクスにより反射される。そして、これらの反射光がT
FTを構成するアモルファスシリコン層に入射する。図
30はアモルファスシリコン層に入射する光を示す模式
的断面図である。図30に示すように、カラーフィルタ
からの反射光137及びブラックマトリクスからの反射
光138がTFT135を構成するアモルファスシリコ
ン層125に入射する結果、アモルファスシリコン層に
光電流が流れてその特性が変動してしまう。図31はT
FT特性の変動を示すグラフ図である。
とドレイン電流Idとの関係(TFT特性)が得られる
とし、オフ電圧をドレイン電流Idの最小値が得られる
負電圧、オン電圧を正の適当な電圧と設定する。しか
し、上述のような原因により、使用時間が長くなるに連
れ、TFT特性は変動する。具体的には、図31に破線
で示すように、ゲート電圧Vgの正側にシフトするよう
になる。この結果、オフ電圧におけるゲート電流Idは
増加し、その一方で、オン電圧におけるゲート電流Id
は減少する。このため、各画素において所定の輝度が得
られなくなる。
動は、そこに入射してくる光の強度に依存するものであ
り、この光の強度はカラーフィルタの反射率によって大
きく異なっている。例えば、赤色カラーフィルタの反射
率を1とすると、緑色カラーフィルタの反射率は1.0
1程度、青色カラーフィルタの反射率は1.02程度と
なる。従って、アモルファスシリコン層に長期間反射光
が入射した場合には、色種毎にTFT特性がばらついて
しまうため、残像、色むら及びフリッカが発生してしま
うという問題点がある。
反射光によるTFTを構成するアモルファスシリコン層
の特性の変動を防止するためにTFT直上のカラーフィ
ルタを異色3層構造とした液晶表示装置が提案されてい
る(特開平6−331975号公報)。図32はTFT
に対向する部分に3層のカラーフィルタが積層された従
来のCF基板及びその周囲の液晶を示す模式的断面図で
ある。透明基板150上のTFTに対向する領域に遮光
膜151が形成され、赤色画素領域155Rに赤色カラ
ーフィルタ152Rが形成され、緑色画素領域155G
に緑色カラーフィルタ152Gが形成されている。同様
に、透明基板150上の青色画素領域(図示せず)に青
色カラーフィルタ152Bが形成されている。また、遮
光膜151上には、赤色カラーフィルタ152R、青色
カラーフィルタ152B及び緑色カラーフィルタ152
Gが順次積層されている。各カラーフィルタの厚さは1
μm程度である。
カラーフィルタに入射した光の大部分がカラーフィルタ
に吸収されるため、アモルファスシリコン層に入射する
反射光が低減され、TFT特性の変動が抑制されてい
る。
を積層した場合、その部分と画素中央部との間でカラー
フィルタ基板に色層(カラーフィルタ)2つ分の膜厚差
である2μm程度の段差が生じる。このような段差が生
じると、段差の壁部に沿って液晶153が配向して配向
方向が不均一となる。この結果、段差の壁部近傍におい
て、本来透過すべきでない光154が透過してしまう。
ることを目的として独立した着色膜を各画素に形成した
液晶表示装置が提案されている(特開2000−892
48号公報)。
(LCD)においては、同一の色層が少なくとも一部で
連続して形成されている場合には、色層のプラス帯電と
マイナス帯電とが打ち消し合ってフリッカとして認識さ
れにくいが、特開2000−89248号公報に開示さ
れたLCDのように、同一の色層が離間して形成されて
いる場合、色層のプラス帯電とマイナス帯電とが互いの
帯電を打ち消し合うことがないため、強いフリッカが発
生する。
のであって、不必要な透過光を発生させることなく画素
間におけるTFT特性の変動を防止することにより、残
像、色むら及びフリッカを防止することができるカラー
フィルタ、その製造方法、カラーフィルタを備えたアク
ティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法を提
供することを目的とする。
ルタ基板は、画素毎に夫々3色のカラーフィルタが形成
されており、前記画素毎に薄膜トランジスタが形成され
た薄膜トランジスタ基板との間で液晶を挟持して液晶表
示パネルを構成するカラーフィルタ基板において、前記
カラーフィルタはデータ線が延在する方向において連続
し、前記カラーフィルタには前記薄膜トランジスタと対
向する領域がくり抜かれてくり抜き部が形成されている
ことを特徴とする。
定領域にくり抜き部が設けられているので、バックライ
ト等から光がカラーフィルタ基板に入射した場合であっ
ても、その反射光の強度は画素間でほぼ均一なものとな
る。従って、TFTに反射光が入射しても、その特性の
変動も一定となり、ばらつきがなくなる。この結果、液
晶表示装置を長期間使用した場合であっても、残像、色
むら及びフリッカの発生が抑制される。また、カラーフ
ィルタ基板のTFT対向部のセルギャップ変化を伴わな
いため、液晶の配向はほぼ均一となり、不必要な透過光
は生じない。更に、カラーフィルタはデータ線が延在す
る方向において連続しているため、カラーフィルタが帯
電しても、ドット反転駆動の場合、導通されたカラーフ
ィルタ間で電荷が打ち消し合って消滅するので、残像、
色むら及びフリッカを発生させにくい。
ーフィルタのうちの1色のカラーフィルタと同一の原料
により形成されたカラーフィルタを有してもよい。ま
た、前記画素毎に開口部が形成された格子状のブラック
マトリクスと、前記各くり抜き部に前記ブラックマトリ
クスと同一の原料により形成された遮光膜と、を有して
もよい。これらの場合でも、TFTへの反射光の強度
は、画素毎にほぼ均一となる上に、反射光強度が低下す
るため、残像、色むら及びフリッカといった信頼性問題
を起こしにくい。
法は、複数の画素毎に夫々薄膜トランジスタが形成され
た薄膜トランジスタ基板との間で液晶を挟持して液晶表
示パネルを構成するカラーフィルタ基板を製造する方法
において、透明基板上にブラックマトリクスを形成する
工程と、第1色を表示する画素に設けられた薄膜トラン
ジスタと対向する領域がくり抜かれた第1のくり抜き部
を有する第1のカラーフィルタを前記ブラックマトリク
ス上の前記第1色を表示する画素の領域に形成する工程
と、第2色を表示する画素に設けられた薄膜トランジス
タと対向する領域がくり抜かれた第2のくり抜き部を有
する第2のカラーフィルタを前記ブラックマトリクス上
の前記第2色を表示する画素の領域に形成する工程と、
第3色を表示する画素に設けられた薄膜トランジスタと
対向する領域がくり抜かれた第3のくり抜き部を有する
第3のカラーフィルタを前記ブラックマトリクス上の前
記第3色を表示する画素の領域に形成する工程と、を有
することを特徴とする。
造方法は、複数の画素毎に夫々薄膜トランジスタが形成
された薄膜トランジスタ基板との間で液晶を挟持して液
晶表示パネルを構成するカラーフィルタ基板を製造する
方法において、透明基板上にブラックマトリクスを形成
する工程と、第1のカラーフィルタを前記ブラックマト
リクス上の前記第1色を表示する画素の領域並びに第2
色を表示する画素及び第3色を表示する画素に夫々設け
られた薄膜トランジスタと対向する領域に形成する工程
と、第2色を表示する画素に設けられた薄膜トランジス
タと対向する領域がくり抜かれた第2のくり抜き部を有
する第2のカラーフィルタを前記ブラックマトリクス上
の前記第2色を表示する画素の領域に形成する工程と、
第3色を表示する画素に設けられた薄膜トランジスタと
対向する領域がくり抜かれた第3のくり抜き部を有する
第3のカラーフィルタを前記ブラックマトリクス上の前
記第3色を表示する画素の領域に形成する工程と、を有
することを特徴とする。
を有するカラーフィルタを得ることができる。
表示装置は、上述のいずれかのカラーフィルタ基板を有
することを特徴とする。
型液晶表示装置の製造方法は、上述のいずれかの方法に
よりカラーフィルタ基板を製造する工程と、前記薄膜ト
ランジスタを有する基板と前記カラーフィルタ基板とを
貼り合わせる工程と、を有することを特徴とする。
ティブマトリクス型液晶表示装置について、添付の図面
を参照して具体的に説明する。図1は本発明の第1の実
施例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置におけ
るCF基板を示す図であって、(a)はカラーフィルタ
のパターンを示す模式図、(b)はブラックマトリクス
のパターンを示す模式図である。図2は第1の実施例に
係るアクティブマトリクス型液晶表示装置におけるTF
T基板を示す模式図である。図3(a)は図1及び図2
中のA−A線に沿った断面図、(b)は図1及び図2中
のB−B線に沿った断面図である。
に、CF基板1とTFT基板2との間に液晶3が保持さ
れている。
21上に水平方向に延びるゲート電極22及び共通電極
23が形成されている。共通電極23は、各画素内にお
いて、直線状に水平方向に延びる2個の直線部23a
と、これらの直線部23a間で垂直方向に延び直線部2
3a同士を接続する3個の接続部23bとから構成され
ている。各接続部23bは、液晶を2方向に回転させる
ように、その中間部分で互いに同方向に屈曲した形状に
形成されている。そして、ゲート電極22及び共通電極
23を覆う層間絶縁膜24が全面に形成されている。
整合する位置に等間隔でアモルファスシリコン層25及
びn+アモルファスシリコン層26が順次形成されてい
る。また、層間絶縁膜24上には、垂直方向に延びるデ
ータ線27、画素内に配置された画素電極28、データ
線27に接続されn+アモルファスシリコン層26上ま
で延出するドレイン電極29及び画素電極28に接続さ
れ同じくn+アモルファスシリコン層26上まで延出す
るソース電極30が形成されている。画素電極28は、
直線状に水平方向に延びる2個の直線部28aと、これ
らの直線部28a間で垂直方向に延び直線部28a同士
を接続する2個の接続部28bとから構成されている。
各接続部28bは、液晶を2方向に回転させるように、
その中間部分で、共通電極23の接続部23bと同方向
に屈曲した形状に形成されている。そして、アモルファ
スシリコン層25、n+アモルファスシリコン層26、
データ線27、画素電極28、ドレイン電極29及びソ
ース電極30を覆うパッシベーション膜31が形成され
ている。更に、パッシベーション膜31上には、配向膜
32が形成されている。配向膜32のラビング方向は、
矢印33が示すように略垂直方向である。
偏光板34が貼り付けられている。
に形成された層にハッチングを入れてある。
基板11上にブラックマトリクス12が形成されてい
る。ブラックマトリクス12の各画素電極28に整合す
る領域、即ち各画素の中心部には、矩形の開口部12a
が形成されている。ブラックマトリクス12上には、赤
色カラーフィルタ13R、緑色カラーフィルタ13G及
び青色カラーフィルタ13Bがストライプ状に配列され
ている。なお、図1には、1色につき3個ずつ、計9個
の画素のみを示しているが、本実施例には、多数の画素
が形成されている。また、図1では、カラーフィルタ同
士が垂直方向及び水平方向で接触しているが、垂直方向
で同色のカラーフィルタ同士が接触しているものの、図
3(b)に示すように、水平方向では異色のカラーフィ
ルタ間にギャップが形成されて接触していない。また、
各カラーフィルタ13R、13G及び13BのTFT基
板2に形成されたTFT35と重なる位置には、夫々開
口部14R、14G、14Bが形成されている。
び13Bを覆う平坦化膜15及び配向膜16が順次形成
されている。配向膜16のラビング方向は、配向膜32
のそれと同様に、垂直方向である。
導電層17及び偏光板18が貼り付けられている。
例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置の動作に
ついて説明する。
液晶表示装置を駆動する。つまり、ゲート電極22を順
次走査しながら、データ線27に画像データに応じた電
圧を印加する。この結果、ドレイン電極29及びソース
電極30を介して画素電極28に所定の電圧が供給さ
れ、画素電極8と共通電極23との間に電界が発生し、
液晶3が回転することによってその画素が発光する。な
お、図1(a)に示すように、垂直方向及び水平方向の
いずれの方向においても、隣り合う画素間には、異なる
極性の電圧をデータ線27から印加する。
タ間でそれらに蓄積された電荷が互いに打ち消し合って
消滅する。このため、色層が帯電することによって発生
する残像、色むら及びフリッカを防止できる。
の回転3によりバックライト(図示せず)から発せられ
た光がCF基板1により反射されてアモルファスシリコ
ン層25に入射する。しかし、CF基板1のアモルファ
スシリコン層25に対向する位置には、どの画素におい
ても、カラーフィルタに開口部14R、14G又は14
Bが形成されており、配向膜16及び平坦化膜15の下
層はブラックマトリクス12となっている。このため、
いずれの色種の画素においても光の反射率は一定となっ
ており、アモルファスシリコン層25に入射する光の強
度は同程度のものとなる。従って、本実施例の液晶表示
装置を長期間使用した結果、アモルファスシリコン層2
5が変質したとしても、その程度は色種間で一定であ
り、TFT特性のばらつきは生じない。このため、長期
間使用した場合の残像、色むら及びフリッカの発生が防
止される。
領域近傍に若干の段差が存在するが、1層のカラーフィ
ルタ分程度のものであるため、液晶の配向方向に大きな
影響が及ぶほどのものとはならず、不必要な透過光の発
生が防止される。
大きさについては、カラーフィルタからの反射光がアモ
ルファスシリコン層25に入射しない程度のものであれ
ばよい。例えば、開口部の上縁が共通電極23aにかか
り、下縁及び一方の側縁がドレイン電極29のデータ線
27との接続部にかかり、他方の側縁が前記一方の側縁
と同程度アモルファスシリコン層25から延出していれ
ばよい。
施例に係る液晶表示装置におけるCF基板1の製造方法
について説明する。図4(a)乃至(e)及び図5
(a)乃至(d)は本発明の第1の実施例に係る液晶表
示装置を製造する方法を工程順に示す断面図である。
明基板11上に、例えばカーボンを分散させたアクリル
樹脂層12bを塗布により形成する。次いで、パターニ
ングによって樹脂層12bの画素に整合する領域に開口
部を形成することにより、ブラックマトリクス12を形
成する。
に、赤色の樹脂層13R−1を形成し、赤色画素のTF
Tに対向する領域に開口部が形成されたレジスト膜(図
示せず)を樹脂層13R−1上のうち赤色画素に対応す
る領域に形成する。
ら露出した赤色の樹脂層13R−1をエッチングするこ
とにより、樹脂層13R−1をパターニングして赤色カ
ラーフィルタ13Rを形成する。
に、緑色の樹脂層13G−1を形成し、緑色画素のTF
Tに対向する領域に開口部が形成されたレジスト膜(図
示せず)を樹脂層13G−1上のうち緑色画素に対応す
る領域に形成する。
から露出した緑色の樹脂層13G−1をエッチングする
ことにより、樹脂層13G−1をパターニングして緑色
カラーフィルタ13Gを形成する。
に、青色の樹脂層13B−1を形成し、青色画素のTF
Tに対向する領域に開口部が形成されたレジスト膜(図
示せず)を樹脂層13B−1上のうち青色画素に対応す
る領域に形成する。
ら露出した青色の樹脂層13B−1をエッチングするこ
とにより、樹脂層13B−1をパターニングして青色カ
ラーフィルタ13Bを形成する。
平坦化膜15を形成することにより、CF基板1を完成
させる。その後、図5(d)に示すように、配向膜16
を平坦化膜15上にオフセット印刷によりパターン形成
する。なお、導電層(図示せず)は、ブラックマトリク
ス12等を形成する前に、第2の透明基板11の裏面側
に形成しておく。アクティブマトリクス型液晶表示装置
を製造する場合には、例えば、このようにして製造され
たCF基板1とTFT基板2とをこれらの間にスペーサ
等を挟み込んで所定の間隔をもって貼り合わせ、これら
の間に液晶を注入する。更に、液晶を注入した注入孔を
封止し、CF基板1及びTFT基板2に偏光板(図示せ
ず)を貼り付ければよい。
のパターンを変更するのみで、従来の液晶表示装置を製
造する方法に使用している装置をそのまま使用すること
が可能であり、工程数を増加させることもない。
する。図6は本発明の第2の実施例に係るアクティブマ
トリクス型液晶表示装置におけるCF基板に設けられた
カラーフィルタのパターンを示す模式図である。なお、
図6に示す第2の実施例において、図1に示す第1の実
施例と同一の構成要素には、同一の符号を付してその詳
細な説明は省略する。
向する領域を含む隅部が切り欠かれ、「L」の字型の形
状を有するカラーフィルタ13R−2、13G−2及び
13B−2が設けられている。本実施例においても、垂
直方向で隣り合うカラーフィルタ同士は接触している
が、水平方向で隣り合うカラーフィルタ同士は接触して
いない。
ても、各画素においてアモルファスシリコン層25に入
射する光の強度は一定となる。また、カラーフィルタが
帯電しても、垂直方向で隣接するカラーフィルタ間で電
荷が打ち消しあって消滅する。従って、長時間使用した
場合の色むら、残像及びフリッカの発生が抑制される。
する。図7は本発明の第3の実施例に係るアクティブマ
トリクス型液晶表示装置におけるCF基板に設けられた
カラーフィルタのパターンを示す模式図である。なお、
図7に示す第3の実施例において、図1に示す第1の実
施例と同一の構成要素には、同一の符号を付してその詳
細な説明は省略する。
延びTFT35に対向する領域を含む切欠きが形成さ
れ、「門」の字型の形状を有するカラーフィルタ13R
−3、13G−3及び13B−3が設けられている。本
実施例においても、垂直方向で隣り合うカラーフィルタ
同士は接触しているが、水平方向で隣り合うカラーフィ
ルタ同士は接触していない。
ても、各画素においてアモルファスシリコン層25に入
射する光の強度は一定となる。また、カラーフィルタが
帯電しても、垂直方向で隣接するカラーフィルタ間で電
荷が打ち消しあって消滅する。従って、長時間使用した
場合の色むら、残像及びフリッカの発生が抑制される。
更に、本実施例では、垂直方向で隣接するカラーフィル
タ同士の接触面積が第2の実施例よりも大きいので、よ
りその効果が大きい。
する。図8は本発明の第4の実施例に係るアクティブマ
トリクス型液晶表示装置におけるCF基板を示す図であ
って、(a)はカラーフィルタのパターンを示す模式
図、(b)はブラックマトリクスのパターンを示す模式
図である。図9は第4の実施例に係るアクティブマトリ
クス型液晶表示装置におけるTFT基板を示す模式図で
ある。図10(a)は図8及び図9中のC−C線に沿っ
た断面図、(b)は図8及び図9中のD−D線に沿った
断面図である。なお、図8乃至図10に示す第4の実施
例において、図1乃至図3に示す第1の実施例と同一の
構成要素には、同一の符号を付してその詳細な説明は省
略する。
13G及び13BのTFT35と対向する領域に、夫々
開口部14G、14Bが形成されているが、第4の実施
例では、これらの開口部14G及び14B内に赤色カラ
ーフィルタ19Rが設けられている。また、赤色のカラ
ーフィルタとしては、開口部及び切欠き等が形成されな
い長方形状の赤色カラーフィルタ13R−4が設けられ
ている。赤色カラーフィルタ19Rは、例えば赤色カラ
ーフィルタ13R−4と同時に形成され、同等の性質を
備えている。
に形成された層にハッチングを入れてある。
ても、液晶の回転3によりバックライト(図示せず)か
ら発せられた光がCF基板1により反射されてアモルフ
ァスシリコン層25に入射するが、CF基板1のアモル
ファスシリコン層25に対向する位置では、どの画素に
おいても、配向膜16及び平坦化膜15の下層は赤色カ
ラーフィルタとなっている。このため、いずれの色種の
画素においても光の反射率は一定となっており、アモル
ファスシリコン層25に入射する光の強度は同程度のも
のとなる。従って、長期間使用した場合の色むら、残像
及びフリッカの発生が防止される。
が形成されているため、TFT35に対向する領域近傍
におけるCF基板1の段差はほとんど存在しない。従っ
て、液晶の配向方向が所定の方向に保持される。
フィルタのうち反射率が最も低いものが赤色であるた
め、各TFT35に対向する領域に赤色カラーフィルタ
を設けているが、全画素で統一されていれば、他色のカ
ラーフィルタが設けられていても、同等の効果が得られ
る。
施例に係る液晶表示装置におけるCF基板1の製造方法
について説明する。図11(a)乃至(e)及び図12
(a)乃至(d)は本発明の第4の実施例に係る液晶表
示装置を製造する方法を工程順に示す断面図である。
に、第1の実施例と同様にして、第2の透明基板11上
に、ブラックマトリクス12及び樹脂層13R−1を形
成する。次に、緑色画素及び青色画素のTFTに対向す
る領域並びに赤色画素の全領域を覆うレジスト膜(図示
せず)を一体的に樹脂層13R−1上に形成する。
ト膜をマスクとして樹脂層13R−1をエッチングによ
ってパターニングすることにより、赤色カラーフィルタ
13R−4及び19Rを形成する。
に、緑色の樹脂層13G−1を形成し、緑色画素の赤色
カラーフィルタ19Rに整合する領域に開口部が形成さ
れたレジスト膜(図示せず)を樹脂層13G−1上のう
ち緑色画素に対応する領域に形成する。
スト膜をマスクとして樹脂層13G−1をエッチングに
よってパターニングすることにより、開口部14Gを備
えた緑色カラーフィルタ13Gを形成する。
に、青色の樹脂層13B−1を形成し、青色画素の赤色
カラーフィルタ19Rに整合する領域に開口部が形成さ
れたレジスト膜(図示せず)を樹脂層13B−1上のう
ち青色画素に対応する領域に形成する。
ト膜をマスクとして樹脂層13B−1をエッチングによ
ってパターニングすることにより、開口部14Bを備え
た青色カラーフィルタ13Bを形成する。
に平坦化膜15を形成することにより、CF基板1を完
成させる。その後、図12(d)に示すように、配向膜
16を平坦化膜15上にオフセット印刷によりパターン
形成する。なお、導電層(図示せず)は、ブラックマト
リクス12等を形成する前に、第2の透明基板11の裏
面側に形成しておく。アクティブマトリクス型液晶表示
装置を製造する場合には、例えば、このようにして製造
されたCF基板1とTFT基板2とをこれらの間にスペ
ーサ等を挟み込んで所定の間隔をもって貼り合わせ、こ
れらの間に液晶を注入する。更に、液晶を注入した注入
孔を封止し、CF基板1及びTFT基板2に偏光板(図
示せず)を貼り付ければよい。
例の場合と同様に、レジスト膜のパターンを変更するの
みで、従来の液晶表示装置を製造する方法に使用してい
る装置をそのまま使用することが可能であり、工程数を
増加させることもない。
する。第5の実施例は、第2の実施例に第4の実施例を
適用したものである。図13は本発明の第5の実施例に
係るアクティブマトリクス型液晶表示装置におけるCF
基板に設けられたカラーフィルタのパターンを示す模式
図である。なお、図13に示す第5の実施例において、
図6に示す第2の実施例及び図8に示す第4の実施例と
同一の構成要素には、同一の符号を付してその詳細な説
明は省略する。
ィルタとしてカラーフィルタ13R−4が設けられ、緑
色及び青色のカラーフィルタとして、夫々隅部が切り欠
かれたカラーフィルタ13G−2及び13B−2が設け
られており、これらの切り欠かれた隅部に整合するよう
に赤色カラーフィルタ19Rが設けられている。
ても、アモルファスシリコン層25の変質の程度は、全
画素にわたってほぼ一様となるので、長期間の使用によ
る色むら、残像及びフリッカの発生が防止される。
する。第6の実施例は、第3の実施例に第4の実施例を
適用したものである。図14は本発明の第6の実施例に
係るアクティブマトリクス型液晶表示装置におけるCF
基板に設けられたカラーフィルタのパターンを示す模式
図である。なお、図14に示す第6の実施例において、
図7に示す第3の実施例及び図8に示す第4の実施例と
同一の構成要素には、同一の符号を付してその詳細な説
明は省略する。
ィルタとしてカラーフィルタ13R−4が設けられ、緑
色及び青色のカラーフィルタとして、夫々下辺に切り欠
きが形成されたカラーフィルタ13G−3及び13B−
3が設けられており、これらの切欠きに整合するように
赤色カラーフィルタ19Rが設けられている。
ても、アモルファスシリコン層25の変質の程度は、全
画素にわたってほぼ一様となるので、長期間の使用によ
る色むら、残像及びフリッカの発生が防止される。
する。図15は本発明の第7の実施例に係るアクティブ
マトリクス型液晶表示装置におけるCF基板に設けられ
たカラーフィルタのパターンを示す模式図である。な
お、図15に示す第7の実施例において、図14に示す
第6の実施例及び図8に示す第4の実施例と同一の構成
要素には、同一の符号を付してその詳細な説明は省略す
る。
ルタ19Rがカラーフィルタ13G−3及び13B−3
に夫々形成された切欠きに整合するようにして設けられ
ているが、第7の実施例では、赤色カラーフィルタ19
Rがカラーフィルタ13G−3及び13B−3の下層に
おいて切欠きから四方にはみ出すようにして設けられて
いる。赤色カラーフィルタ19Rとカラーフィルタ13
G−3又は13B−3とが重なり合う領域の幅は、例え
ば1μm程度である。
ても、アモルファスシリコン層25の変質の程度は、全
画素にわたってほぼ一様となるので、長期間の使用によ
る色むら、残像及びフリッカの発生が防止される。
する。図16は本発明の第8の実施例に係るアクティブ
マトリクス型液晶表示装置におけるCF基板に設けられ
たカラーフィルタのパターンを示す模式図である。な
お、図16に示す第8の実施例において、図14に示す
第6の実施例及び図8に示す第4の実施例と同一の構成
要素には、同一の符号を付してその詳細な説明は省略す
る。
がカラーフィルタ13G−3及び13B−3の下層にお
いて切欠きより小さく形成されており、赤色カラーフィ
ルタ19Rとカラーフィルタ13G−3及び13B−3
との間に隙間が存在している。赤色カラーフィルタ19
Rとカラーフィルタ13G−3又は13B−3との隙間
の幅は、例えば1μm程度である。
ても、アモルファスシリコン層25の変質の程度は、全
画素にわたってほぼ一様となるので、長期間の使用によ
る色むら、残像及びフリッカの発生が防止される。
する。図17は本発明の第9の実施例に係るアクティブ
マトリクス型液晶表示装置におけるCF基板に設けられ
たカラーフィルタのパターンを示す模式図である。な
お、図17に示す第9の実施例において、図15に示す
第7の実施例及び図8に示す第4の実施例と同一の構成
要素には、同一の符号を付してその詳細な説明は省略す
る。
ルタとして、夫々カラーフィルタ13R−4、13B−
4が設けられている。カラーフィルタ13B−4は、カ
ラーフィルタ13R−4と同様に、開口部等が形成され
ず長方形状のカラーフィルタである。また、緑色のカラ
ーフィルタとして下辺に切欠きが形成されたカラーフィ
ルタ13G−3が設けられている。そして、第7の実施
例と同様に、赤色カラーフィルタ19Rが緑色カラーフ
ィルタ13G−3の下層において切欠きから四方にはみ
出すようにして形成されている。また、青色カラーフィ
ルタ13R−4においては、切欠きが形成されていない
ものの、第7の実施例と同様に、その下層に赤色カラー
フィルタ19Rが設けられている。また、緑色カラーフ
ィルタ13G−3の切欠きに形成された赤色フィルタ1
9R上には、切欠きより小さい青色カラーフィルタ19
Bが形成されている。更に、赤色カラーフィルタ13R
−4においては、緑色カラーフィルタ13Gに設けられ
たものと同様の位置に青色カラーフィルタ19Bが形成
されている。
ては、いずれの画素においても、TFT35に対向する
領域の配向膜16及び平坦化膜15の下層に、青色カラ
ーフィルタ及び赤色カラーフィルタが存在する。従っ
て、CF基板によって反射されアモルファスシリコン層
25に入射する光の強度は、図9及び図10に示す第4
の実施例における強度よりも小さくなってほぼ一定した
ものとなる。このため、アモルファスシリコン層25の
変質の程度は、全画素にわたってほぼ一様となるので、
長期間の使用による色むら、残像及びフリッカの発生が
防止される。
明する。第10の実施例は、縦型電界モードで使用する
ねじれネマティック(TN)方式のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置である。図18は第10の実施例に係
るアクティブマトリクス型液晶表示装置におけるTFT
基板を示す模式図である。図19(a)は図18中のG
−G線に沿った断面図、(b)は図18中のH−H線に
沿った断面図である。なお、図18及び図19に示す第
10の実施例において、図9及び図10に示す第4の実
施例と同一の構成要素には、同一の符号を付してその詳
細な説明は省略する。
ては、平坦化膜15と配向膜16との間に共通電極37
が形成されている。また、第2の透明基板11の裏面側
には、導電膜17は形成されず、直接偏光板18が貼り
付けられている。一方、TFT基板2においては、第1
の透明基板21上に共通電極23は形成されておらず、
パッシベーション膜31上に長方形板状の画素電極36
が形成されている。画素電極36は、パッシベーション
膜31に形成されたコンタクトホール38を介してソー
ス電極30に接続されている。
装置においても、CF基板によって反射されアモルファ
スシリコン層25に入射する光の強度は、ほぼ一定した
ものとなる。このため、アモルファスシリコン層25の
変質の程度は、全画素にわたってほぼ一様となるので、
長期間の使用による色むら、残像及びフリッカの発生が
防止される。
例のようなストライプ状のものに限定されるものではな
い。図20は画素のストライプ状のパターンを示す模式
図、図21は画素のモザイク状のパターンを示す模式
図、図22は画素のデルタ状のパターンを示す模式図で
ある。
トライプ状のパターンを採用したものである。これに対
し、図21に示すように、縦横に赤色画素(R)、緑色
画素(G)及び青色画素(B)が順次配列するようなモ
ザイク状のパターンを採用してもよい。また、図22に
示すように、1行毎に画素を1/2個ずつ水平方向にず
らし、水平方向で互いに隣接する2個の画素及びそれら
の画素の境界の上方又は下方に位置する1個の画素でR
GBを構成するデルタ状のパターンを採用してもよい。
但し、いずれのパターンにおいても、垂直方向で隣り合
うカラーフィルタ同士は互いに接触している必要があ
る。
型液晶表示装置を駆動する方法は、隣り合う画素間で印
加電圧の極性を反転させるドット反転駆動に限定される
ものではない。図23は他の駆動方法を示す模式図であ
る。
毎に配置し、互いに交互に配置された赤色画素(R)及
び青色画素(B)から構成された列を緑色画素(G)の
列の間に配置する。但し、垂直方向で隣り合う画素のカ
ラーフィルタ同士は接触している。そして、赤色画素
(R)とその左側に位置する緑色画素(G)とで1単位
とし、青色画素(B)とその左側に位置する緑色画素
(G)とで1単位とし、これらの単位に対して、隣り合
う単位間で印加する電圧の極性を反転させながら駆動し
てもよい。
ルタではなくブラックマトリクスと同一原料からなる遮
光膜を設けてもよい。
各カラーフィルタの所定領域にくり抜き部が設けられて
いるので、バックライト等から光がカラーフィルタ基板
に入射した場合であっても、その反射光の強度を画素間
でほぼ均一なものとすることができる。従って、TFT
に反射光が入射しても、その特性の変動も一定となり、
TFT特性のばらつきを抑制することができる。この結
果、液晶表示装置を長期間使用した場合であっても、色
むら、残像及びフリッカの発生を抑制できる。この効果
は、特にIPSモードで駆動される液晶表示装置に適用
する場合に大きなものとなる。また、カラーフィルタ基
板のTFT対向部の厚さ変化に伴うセルギャップ変化が
少ないため、液晶の配向をほぼ均一にすることができ、
不必要な透過光の発生を防止することができる。
クス型液晶表示装置におけるCF基板を示す図であっ
て、(a)はカラーフィルタのパターンを示す模式図、
(b)はブラックマトリクスのパターンを示す模式図で
ある。
晶表示装置におけるTFT基板を示す模式図である。
面図、(b)は図1及び図2中のB−B線に沿った断面
図である。
係る液晶表示装置を製造する方法を工程順に示す断面図
である。
係る液晶表示装置を製造する方法を示す図であって、図
4(a)乃至(e)に示す工程の次工程を工程順に示す
断面図である。
クス型液晶表示装置におけるCF基板に設けられたカラ
ーフィルタのパターンを示す模式図である。
クス型液晶表示装置におけるCF基板に設けられたカラ
ーフィルタのパターンを示す模式図である。
クス型液晶表示装置におけるCF基板を示す図であっ
て、(a)はカラーフィルタのパターンを示す模式図、
(b)はブラックマトリクスのパターンを示す模式図で
ある。
晶表示装置におけるTFT基板を示す模式図である。
断面図、(b)は図8及び図9中のD−D線に沿った断
面図である。
に係る液晶表示装置を製造する方法を工程順に示す断面
図である。
に係る液晶表示装置を製造する方法を示す図であって、
図11(a)乃至(e)に示す工程の次工程を工程順に
示す断面図である。
リクス型液晶表示装置におけるCF基板に設けられたカ
ラーフィルタのパターンを示す模式図である。
リクス型液晶表示装置におけるCF基板に設けられたカ
ラーフィルタのパターンを示す模式図である。
リクス型液晶表示装置におけるCF基板に設けられたカ
ラーフィルタのパターンを示す模式図である。
リクス型液晶表示装置におけるCF基板に設けられたカ
ラーフィルタのパターンを示す模式図である。
リクス型液晶表示装置におけるCF基板に設けられたカ
ラーフィルタのパターンを示す模式図である。
型液晶表示装置におけるTFT基板を示す模式図であ
る。
図、(b)は図18中のH−H線に沿った断面図であ
る。
である。
ある。
る。
である。
におけるCF基板を示す図であって、(a)はカラーフ
ィルタのパターンを示す模式図、(b)はブラックマト
リクスのパターンを示す模式図である。
液晶表示装置におけるTFT基板を示す模式図である。
った断面図、(b)は図24及び図25中のF−F線に
沿った断面図である。
パターンを示す模式図である。
晶表示装置におけるTFT基板を示す模式図である。
図、(b)は図28中のJ−J線に沿った断面図であ
る。
模式的断面図である。
タが積層された従来のCF基板及びその周囲の液晶を示
す模式的断面図である。
R;赤色カラーフィルタ13G、13G−2、13G−
3;緑色カラーフィルタ 13B、13B−2、13B−3、13B−4、19
B;青色カラーフィルタ 14R、14G、14B;開口部 15;平坦化膜 16;配向膜 17;導電層 18;偏光板 21;透明基板 22;ゲート電極 23;共通電極 24;層間絶縁膜 25;アモルファスシリコン層 26;n+アモルファスシリコン層 27;データ線 28;画素電極 29;ドレイン電極 30;ソース電極 31;パッシベーション膜 32;配向膜 33;矢印(配向方向) 34;偏光板 35;薄膜トランジスタ(TFT) 36;画素電極 37;共通電極 142、38;コンタクトホール
Claims (7)
- 【請求項1】 画素毎に夫々3色のカラーフィルタが形
成されており、前記画素毎に薄膜トランジスタが形成さ
れた薄膜トランジスタ基板との間で液晶を挟持して液晶
表示パネルを構成するカラーフィルタ基板において、前
記カラーフィルタはデータ線が延在する方向において連
続し、前記カラーフィルタには前記薄膜トランジスタと
対向する領域がくり抜かれてくり抜き部が形成されてい
ることを特徴とするカラーフィルタ基板。 - 【請求項2】 前記各くり抜き部に前記3色のカラーフ
ィルタのうちの1色のカラーフィルタと同一の原料によ
り形成されたカラーフィルタを有することを特徴とする
請求項1に記載のカラーフィルタ基板。 - 【請求項3】 前記画素毎に開口部が形成された格子状
のブラックマトリクスと、前記各くり抜き部に前記ブラ
ックマトリクスと同一の原料により形成された遮光膜
と、を有することを特徴とする請求項1に記載のカラー
フィルタ基板。 - 【請求項4】 複数の画素毎に夫々薄膜トランジスタが
形成された薄膜トランジスタ基板との間で液晶を挟持し
て液晶表示パネルを構成するカラーフィルタ基板を製造
する方法において、透明基板上にブラックマトリクスを
形成する工程と、第1色を表示する画素に設けられた薄
膜トランジスタと対向する領域がくり抜かれた第1のく
り抜き部を有する第1のカラーフィルタを前記ブラック
マトリクス上の前記第1色を表示する画素の領域に形成
する工程と、第2色を表示する画素に設けられた薄膜ト
ランジスタと対向する領域がくり抜かれた第2のくり抜
き部を有する第2のカラーフィルタを前記ブラックマト
リクス上の前記第2色を表示する画素の領域に形成する
工程と、第3色を表示する画素に設けられた薄膜トラン
ジスタと対向する領域がくり抜かれた第3のくり抜き部
を有する第3のカラーフィルタを前記ブラックマトリク
ス上の前記第3色を表示する画素の領域に形成する工程
と、を有することを特徴とするカラーフィルタ基板の製
造方法。 - 【請求項5】 複数の画素毎に夫々薄膜トランジスタが
形成された薄膜トランジスタ基板との間で液晶を挟持し
て液晶表示パネルを構成するカラーフィルタ基板を製造
する方法において、透明基板上にブラックマトリクスを
形成する工程と、第1のカラーフィルタを前記ブラック
マトリクス上の前記第1色を表示する画素の領域並びに
第2色を表示する画素及び第3色を表示する画素に夫々
設けられた薄膜トランジスタと対向する領域に形成する
工程と、第2色を表示する画素に設けられた薄膜トラン
ジスタと対向する領域がくり抜かれた第2のくり抜き部
を有する第2のカラーフィルタを前記ブラックマトリク
ス上の前記第2色を表示する画素の領域に形成する工程
と、第3色を表示する画素に設けられた薄膜トランジス
タと対向する領域がくり抜かれた第3のくり抜き部を有
する第3のカラーフィルタを前記ブラックマトリクス上
の前記第3色を表示する画素の領域に形成する工程と、
を有することを特徴とするカラーフィルタ基板の製造方
法。 - 【請求項6】 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の
カラーフィルタ基板を有することを特徴とするアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項7】 請求項4又は5に記載の方法によりカラ
ーフィルタ基板を製造する工程と、前記薄膜トランジス
タを有する基板と前記カラーフィルタ基板とを貼り合わ
せる工程と、を有することを特徴とするアクティブマト
リクス型液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (5)
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