CN101432655B - 液晶显示器和液晶显示器的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的目的在于提供低成本的、高画质的半透射型或反射型的液晶显示器。本发明的液晶显示器为具备使入射光朝向显示面进行反射的反射区域的液晶显示器，反射区域具有形成于衬底上的金属层、形成于上述金属层上的半导体层、形成于上述半导体层上的反射层，反射区域具有形成于反射层的表面上的第1凹部、形成于第1凹部中的反射层的表面上的第2凹部、形成于第2凹部中的反射层(63)的表面上的第3凹部。
Description
技术领域
本发明涉及可采用反射光来进行显示的反射型或半透射型的液晶显示器。
背景技术
在液晶显示器(LCD)中有采用作为显示用的光源的画面背面的背光的透射型LCD、利用外光的反射光的LCD、以及利用外光的反射光和背光的两者的半透射型LCD(反射/透射型LCD)。反射型LCD和半透射型LCD的特征在于，与透射型LCD相比较，耗电量小，在较亮的场所，容易看到画面，半透射型LCD的特征在于，与反射型LCD相比较，在较暗的场所，容易看到画面。
图17为表示过去的反射型LCD(例如，专利文献1)中的有源矩阵衬底100的剖视图。
如该图所示，该有源矩阵衬底100包括：绝缘性衬底101；和层叠于绝缘性衬底101上的、栅极层102、栅极绝缘层104、半导体层106、金属层108和反射层110。栅极层102、栅极绝缘层104、半导体层106、以及金属层108，按照在层叠于绝缘性衬底101上后，采用1个掩模来进行蚀刻，并以具有岛状层叠结构的方式形成。然后，通过在层叠结构上形成反射层110，形成具有凹凸部的反射面112。另外，在有源矩阵衬底100的上部，形成透明电极、液晶面板、滤色器衬底(CF衬底)等，虽然关于这一点在图中未示出。
图18为过去的半透射型液晶显示器(例如，专利文献2)的剖视图。
如该图所示，在过去的半透射型液晶显示器中，在开关元件(TFT)203的漏极222上形成层间绝缘膜204，在层间绝缘膜204上层叠电腐蚀防止膜205、反射电极膜206和非晶质透明电极膜218。形成有反射电极膜206的区域为半透射型液晶显示器的反射区域。在反射区域的层间绝缘膜204的上部形成有凹凸，反映该凹凸，在电腐蚀防止膜205、反射电极膜206和非晶质透明电极膜218上也形成凹凸。
专利文献1：JP特开平9—54318号文献
专利文献2：JP特开平2005—277402号文献
在上述有源矩阵衬底100中，反射层110的一部分在未形成有栅极层102等的部分(岛之间的部分，在下面称为“间隙部”)，按照到达绝缘性衬底101的方式形成。于是，在间隙部，反射面112的表面沿绝缘性衬底101的方向隐没，形成具有较深的下陷(或凹部)的面。
在反射型液晶显示器或半透射型液晶显示器中，为了采用反射光进行较亮的显示，需要通过反射面112，使从各方位射入的入射光，在显示面整体范围内，更加均匀且有效地反射。为此，反射面112不是完全的平面，可具有适当的凹凸。
但是，上述有源矩阵衬底100的反射面112具有较深的下陷。由此，光难以到达位于下陷的底部的反射面，另外，即使光到达，该反射光仍难以反射到液晶面板侧，由此，有反射光无法有效地用于显示的问题。此外，由于反射面110的较多的部分相对液晶显示器的显示面，具有较大的角度，故有来自该部分的反射光无法有效地用于显示的问题。
图19为表示了反射面112的倾斜度和反射光的射出角的关系的图。图19(a)表示光从具有折射率Na的介质a，射入具有折射率Nb的介质b时的入射角α和射出角β的关系。在此时，按照斯涅耳折射定律，下述的关系成立。
Na×sinα＝Nb×sinβ
图19(b)为表示垂直地射入LCD的显示面的入射光通过相对显示面(或衬底)，仅以θ角倾斜的反射面被反射时的入射光与反射光的关系的图。如该图所示，垂直地射入显示面的入射光通过相对显示面(或衬底)，以θ角倾斜的反射面被反射，并沿射出角φ的方向而射出。
表1根据斯涅耳折射定律，针对每个反射面的角度θ，示出基于斯涅耳折射定律而计算射出角φ的结果。
表1
| θ | φ | 90—φ |
| 0 | 0 | 90 |
| 2 | 6.006121 | 83.99388 |
| 4 | 12.04967 | 77.95033 |
| 6 | 18.17181 | 71.82819 |
| 8 | 24.42212 | 65.57788 |
| 10 | 30.86588 | 59.13412 |
| 12 | 37.59709 | 52.40291 |
| 14 | 44.76554 | 45.23446 |
| 16 | 52.64382 | 37.35618 |
| 18 | 61.84543 | 28.15457 |
| 20 | 74.61857 | 15.38143 |
| 20.5 | 79.76542 | 10.23458 |
| 20.6 | 81.12757 | 8.872432 |
| 20.7 | 82.73315 | 7.266848 |
| 20.8 | 84.80311 | 5.19888 |
| 20.9 | 88.85036 | 1.149637 |
| 20.905 | 89.79914 | 0.200858 |
该表的值是将空气(air)的折射率设为1.0，将玻璃衬底和液晶层的折射率设为1.5来计算的。如表1所示，如果反射面的角度θ超过20度，则射出角φ非常大(90—φ变得非常小)，射出光的几乎全部无法到达使用者。于是，即使在反射层的反射面上设置凹凸，为了有效地利用反射光，在反射面的更多的部分，角度θ需要在20度以下。
由于在上述有源矩阵衬底100的反射面112中，大于20度的部分较多，故反射光并未有效地被用于显示。为了解决该问题，人们考虑在反射层下面形成绝缘层，在该绝缘层上形成反射层110。但是，在此时，需要形成绝缘层的工序、以及在绝缘层上形成用于将反射层110和TFT的漏极连接的接触孔的工序，并产生材料和工序数量增加的问题。
另外，在上述过去的半透射型液晶显示器中，在漏极222上层叠了层间绝缘膜204之后，需要在其上部形成凹凸的工序，并需要再在其上层叠电腐蚀防止膜205、反射电极膜206和非晶质透明电极膜218的工序。这样，即使在过去的半透射型液晶显示器中，也有为了形成反射区域，材料、工序数量增加的问题。
另外，在过去的半透射型液晶显示器中，由于在与液晶层211接触的非晶质透明电极膜218的表面上形成凹凸，故施加于液晶层211上的电场不均匀，难以将反射区域的液晶的取向均匀地控制在所需的朝向。此外，在非晶质透明电极膜218的端部，尽管形成反映层间绝缘膜204的端部形状的斜面，但是，还有因该斜面，使反射区域的端部附近的液晶的取向混乱的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述课题的发明，其目的在于，提供低成本而高画质的反射型或半透射型的液晶显示装置。
本发明的液晶显示器是具备使入射光朝向显示面进行反射的反射区域的液晶显示器，上述反射区域具有形成于衬底上的反射层，上述反射区域具有形成于上述反射层的表面上的第1凹部；形成于上述第1凹部中的上述反射层的表面上的第2凹部；和形成于上述第2凹部中的上述反射层的表面上的第3凹部。
在某实施方式中，在上述第1凹部的内侧的、上述第2凹部的外侧的上述反射层的表面上，形成与上述衬底的面平行的面。
在某实施方式中，在上述第1凹部的内侧的、上述第3凹部的外侧的上述反射层的表面上，形成与上述衬底的面平行的面。
在某实施方式中，在上述反射区域中的上述反射层下，形成具有开口部的金属层。
在某实施方式中，上述金属层具有第1部分和比上述第1部分厚的第2部分。
在某实施方式中，在上述金属层和上述金属层的开口部上形成绝缘层。
在某实施方式中，在上述绝缘层上形成具有开口部的半导体层。
在某实施方式中，上述半导体层的开口部位于上述金属层的开口部的内侧。
某实施方式包括形成于上述衬底上的半导体元件，上述金属层、上述半导体层和上述反射层分别由与上述半导体元件的栅极、半导体部分和源·漏极相同的材料形成。
在某实施方式中，在上述反射区域中，形成多个上述第1凹部、上述第2凹部和上述第3凹部。
在某实施方式中，上述第1凹部、上述第2凹部和上述第3凹部中的至少1个的形状是圆形。
在某实施方式中，上述第1凹部、上述第2凹部和上述第3凹部中的至少1个的形状是椭圆形。
在某实施方式中，上述第1凹部、上述第2凹部和上述第3凹部中的至少1个的形状是四边形。
某实施方式，包括液晶层；和设置于上述液晶层和上述反射层之间的层间绝缘层和像素电极，上述像素电极的上述液晶层侧的面，不反映上述反射层的上述第1凹部、上述第2凹部和上述第3凹部的形状而平坦地形成。
在某实施方式中，上述金属层包括：第1金属层；和第2金属层，其形成于上述第1金属层上，且由不同于上述第1金属层的材料形成，上述第1金属层和上述第2金属层分别具有开口部，且上述第1金属层的开口部形成于上述第2金属层的开口部的内侧。
在某实施方式中，上述第1金属层由铝形成，上述第2金属层由钼形成。
在某实施方式中，上述金属层包括：形成于上述第2金属层上的、由不同于上述第1金属层和上述第2金属层的材料形成的第3金属层，上述第3金属层具有开口部，且上述第2金属层的开口部形成于上述第3金属层的开口部的内侧。
在某实施方式中，上述第1金属层由铝形成，上述第2金属层由氮化钼形成，上述第3金属层由钼形成。
本发明的液晶显示器为具备使入射光朝向显示面进行反射的反射区域的液晶显示器，上述反射区域包括：具有开口部的金属层；和形成于上述金属层上的反射层，上述反射区域具有：形成于上述反射层的表面上的第1凹部；和形成于上述第1凹部中的上述反射层的表面上的第2凹部，在上述金属层中的上述开口部的斜面形成台阶，且上述第1凹部和上述第2凹部根据上述金属层中的上述开口部的上述斜面而形成。
本发明的另一液晶显示器为具备使入射光朝向显示面进行反射的反射区域的液晶显示器，上述反射区域包括：具有开口部的金属层；形成于上述金属层上的具有开口部的半导体层；和形成于上述半导体层上的反射层，上述反射区域具有：形成于上述反射层的表面上的第1凹部；和形成于上述第1凹部中的上述反射层的表面上的第2凹部，上述第1凹部和上述第2凹部中的一个根据上述金属层中的上述开口部而形成，上述第1凹部和上述第2凹部中的另一个根据上述半导体层的上述开口部而形成，上述金属层中的上述开口部的侧面，具有与上述显示面的倾斜角在20度以下的面。
在某实施方式中，上述金属层的组成沿上述金属层的厚度方向而变化。
在某实施方式中，上述金属层由氮化钼形成，且上述金属层中的氮化钼的氮含量沿上述金属层的厚度方向而变化。
本发明的液晶显示器的制造方法为具备使入射光朝向显示面进行反射的反射区域的液晶显示器的制造方法，该方法包括：在上述反射区域形成金属层的步骤，该金属层具有开口部，且具有第1部分和比上述第1部分厚的第2部分；在上述金属层和上述金属层的开口部上，形成绝缘层的步骤；在上述绝缘层上，形成具有开口部的半导体层的步骤；和在上述半导体层和上述半导体层的开口部上，形成反射层的步骤。
在某实施方式中，上述半导体层的开口部形成于上述金属层的开口部的内侧。
在某实施方式中，在上述反射层的表面上形成第1凹部，在上述第1凹部的内侧的上述反射层的表面上形成第2凹部，在上述第2凹部的内侧的上述反射层的表面上形成第3凹部。
在某实施方式中，上述第1凹部形成于上述金属层的上述开口部的上部的上述反射层的表面。
在某实施方式中，上述第3凹部形成于上述半导体层的开口部的上部的上述反射层的表面。
在某实施方式中，上述金属层和上述半导体层分别具有多个开口部。
在某实施方式中，上述金属层的开口部和上述半导体层的开口部中的至少一个的形状是圆形。
在某实施方式中，上述金属层的开口部和上述半导体层的开口部中的至少一个的形状是椭圆形。
在某实施方式中，上述金属层的开口部和上述半导体层的开口部中的至少一个的形状是四边形。
在某实施方式中，上述液晶显示器具有半导体元件，在形成上述金属层的步骤中，形成上述半导体元件的栅极，在形成上述半导体层的步骤中，形成上述半导体元件的半导体部，在形成上述半导体元件的步骤，形成上述半导体元件的源·漏极。
在某实施方式中，该方法包括：在上述反射层上形成层间绝缘层的步骤；和在上述层间绝缘层上形成像素电极的步骤，上述像素电极的面，不反映上述反射层的上述第1凹部、上述第2凹部和上述第3凹部的形状而平坦地形成。
在某实施方式中，形成上述金属层的步骤包括：形成第1金属层的步骤；和在上述第1金属层上，由不同于上述第1金属层的材料形成第2金属层的步骤，在上述第1金属层和上述第2金属层上，分别形成开口部，且上述第1金属层的开口部形成于上述第2金属层的开口部的内侧。
在某实施方式中，上述第1金属层由铝形成，上述第2金属层由钼形成。
在某实施方式中，形成上述金属层的步骤包括：在上述第2金属层上，由不同于上述第1金属层和上述第2金属层的材料形成第3金属层的步骤；在上述第3金属层上形成开口部，且上述第2金属层的开口部位于上述第3金属层的开口部的内侧。
在某实施方式中，上述第1金属层由铝形成，上述第2金属层由氮化钼形成，上述第3金属层由钼形成。
本发明的液晶显示器的又一制造方法为具备使入射光朝向显示面进行反射的反射区域的液晶显示器的制造方法，该方法包括：在上述反射区域形成金属层的步骤，该金属层具有第1部分和比上述第1部分厚的第2部分；在上述金属层上，形成绝缘层的步骤；在上述绝缘层上，形成半导体层的步骤；和在上述半导体层上，形成反射层的步骤，在上述金属层上形成具有台阶的斜面，且在上述反射层的表面上，根据上述金属层的上述斜面，形成第1凹部和位于该第1凹部中的第2凹部。
本发明的液晶显示器的另一制造方法为具备使入射光朝向显示面进行反射的反射区域的液晶显示器的制造方法，该方法包括：在上述反射区域，形成具有开口部的金属层的步骤；在上述金属层上，形成绝缘层的步骤；在上述绝缘层上，形成具有开口部的半导体层的步骤；和在上述半导体层上，形成反射层的步骤，在上述反射层的表面上，根据上述金属层的上述开口部和上述半导体层的上述开口部，形成第1凹部和位于该第1凹部中的第2凹部，上述金属层的上述开口部的侧面，按照包括与上述显示面的倾斜角在20度以下的面的方式形成。
在某实施方式中，在形成上述金属层的步骤中，上述金属层的组成沿上述金属层的厚度方向而变化。
在某实施方式中，上述金属层由氮化钼形成，且在形成上述金属层的步骤中，上述金属层的氮化钼的氮含量随时间而减少。
按照本发明，提供低成本且高画质的半透射型或反射型的液晶显示器。
附图说明
图1为表示实施方式1的液晶显示器的截面形状的示意图；
图2为表示实施方式1的液晶显示器的俯视图，图2(a)表示像素区域的结构，图2(b)表示反射部的结构；
图3为表示实施方式1的TFT部和反射部的结构的剖视图，图3(a)表示反射部的结构，图3(b)表示TFT的结构；
图4为用于比较实施方式1和过去的液晶显示器的反射部的结构的示意图，图4(a)为表示实施方式1的反射部的剖面，图4(b)为表示过去的液晶显示器的反射部的剖面，另外，图4(c)为表示反射部的角部的表面的角度的图；
图5为表示实施方式1的Cs金属层的制造方法的剖视图；
图6为表示实施方式1的反射部的制造方法的俯视图；
图7为表示实施方式1的反射部的制造方法的剖视图；
图8为表示实施例1的Cs金属层的制造方法的第1变形例的剖视图；
图9为表示实施方式1的Cs金属层的制造方法的第2变形例的剖视图。
图10为表示实施方式2的反射部的结构的剖视图；
图11为表示实施方式2的Cs金属层的制造方法的剖视图；
图12为表示实施方式3的反射部的结构的剖视图；
图13为表示实施方式3的Cs金属层的制造方法的剖视图；
图14为表示实施方式4的反射部的结构的剖视图；
图15为表示实施方式4的Cs金属层的制造方法的剖视图；
图16为表示实施方式5的液晶显示器的剖视图；
图17为表示过去的反射型LCD中的有源矩阵衬底100的剖视图；
图18为表示过去的半透射型液晶显示器的剖视图；
图19为液晶显示器中的反射面的倾斜度与反射光的关系的图，图19(a)为表示光从具有折射率Na的介质a，射入具有折射率Nb的介质b时的入射角α与射出角β的关系的图，图19(b)为表示LCD的显示面的角度与入射光及反射光的关系的图。
图中：
10—液晶显示器；
12—TFT衬底；
14—对置衬底；
16—液晶；
18—液晶层；
22—透明衬底；
26—层间绝缘层；
28—像素电极；
30—反射部；
32—TFT部；
34—对置电极；
36—CF层；
38—透明衬底；
40—显示面；
42—反射区域；
44—TFT区域；
46—透射区域；
48—凹部；
56—Cs金属层；
57—第1金属层；
59、59’—第2金属层；
60—第3金属层；
61—栅极绝缘层；
62—半导体层；
63—反射层；
64、65、65’、65”、66、79、79’—开口部；
67、68、69、78—凹部；
80、82—斜面；
81—平坦面；
100—有源矩阵衬底；
101—绝缘性衬底；
102—栅极层；
104—栅极绝缘层；
106—半导体层；
108—金属层；
110—反射层；
112—反射面；
203—开关元件；
204—层间绝缘膜；
205—电腐蚀防止膜；
206—反射电极膜；
211—液晶层；
218—非晶质透明电极膜；
222—漏极。
具体实施方式
(实施方式1)
下面参照附图，对本发明的液晶显示器的第1实施方式进行说明。
图1为表示本实施方式的液晶显示器10的剖面形状的示意图。液晶显示器10为有源矩阵方式的反射透射型的液晶显示器(LCD)。该液晶显示器10，如图1所示，具备液晶层18，该液晶层18包括TFT(Thin FilmTransistor)衬底12、例如滤色器衬底(CF衬底)的对置衬底14、以及密封于TFT衬底12与对置衬底14之间的液晶16。
TFT衬底12包括透明衬底22、层间绝缘层26、像素电极28，包括反射部30和TFT部32。另外，在TFT衬底12上，还形成后述的栅极线(扫描线)、源极线(信号线)、Cs线(辅助电容电极线)。
对置衬底14包括对置电极34、滤色层(CF层)36和透明衬底38。透明衬底38的上部的面形成液晶显示器的显示部40。另外，虽然TFT衬底12和对置衬底14分别包括取向膜和偏光片，但是，在这里，它们的图示省略。
在液晶显示器10中，形成有反射部30的区域称为反射区域42，形成有TFT部32的区域称为TFT区域44。在反射区域，从显示面40射入的光由反射部30反射，通过液晶层18和对置衬底14，从显示面40射出。另外，液晶显示器10具有形成于反射区域42和TFT区域44以外的区域的透射区域46。在透射区域46，从液晶显示器10的光源产生的光通过TFT衬底12、液晶层18和对置衬底14，从显示面40射出。
另外，也可如图1所示，在反射部30的上部的对置衬底14侧，设置由透射性树脂等形成的层31，从而使反射区域42的液晶层18的厚度为透射区域46中的液晶层18的厚度的一半。由此，反射区域42和透射区域46的光路长度可相同。另外，在图1中，虽然层31以形成于对置电极34与CF层36之间的方式示出，但是，层31也可形成于对置电极34的液晶层18侧的面上。
图2为更具体地表示液晶显示器10中的像素区域和反射部30的结构的俯视图。
图2(a)为从反射面40上观看液晶显示器10的一部分时的俯视图。如该图所示，在液晶显示器10中，多个像素50按矩阵状设置。在各自的像素50上形成上述反射部30和TFT部32，在TFT部32上形成TFT。
在像素50的边界部分，沿列向(图的上下方向)延伸有源极线52，沿行向(图的左右方向)延伸有栅极线(栅极金属层)54。另外，在像素50的中间部分，沿行向延伸有Cs线(Cs金属层)56。在反射部30的层间绝缘层26上，形成用于将像素电极28与TFT的漏极连接的接触孔58。
图2(b)为以示意方式表示Cs线56的上部的反射部30的结构的俯视图。另外，在该图中，省略了接触孔的图示。如图所示，在反射部30中，形成多个具有台阶的圆形的凹部(锥部)48。另外，在这里，为了容易辨认结构，图示出了8个凹部48，但是，凹部48的数量并不限于8个，也可形成更多的凹部48。另外，如后所述，在反射部30中形成反射层63，且凹部48的表面作为该反射面63的面而形成。反射面63与TFT部32中的TFT的漏极连接。
下面，参照图3，对反射部30和TFT部32的结构进行更具体地说明。
图3(a)表示反射部30中的凹部48的剖面(由图2(b)中的箭头所示的部分的剖面)。在反射部30上，如图所示，层叠带有台阶而形成的Cs金属层(金属层)56、栅极绝缘层(绝缘层)61、半导体层62和反射层63。半导体层62，例如由纯的非晶质硅层(Si(i)层，掺杂有磷的n+非晶质硅层(Si(n+)层)构成。
Cs金属层56具有开口部65，在开口部65的周边部(开口部65的边缘与Cs金属层56的上面之间)，形成斜面80、与Cs金属层56的底面平行的平坦面81和斜面82。另外，半导体层62具有形成于Cs金属层56的开口部65的内侧的开口部66。
在反射层63的表面形成凹部67，在凹部67的内侧的反射层63的表面形成凹部68，此外，在凹部68的内侧的反射层63的表面上形成凹部69。凹部67、凹部68和凹部69，在与透明衬底22相垂直地观看时，具有同心圆的形状。在凹部67的内侧，反射层63以2重的台阶而形成，在凹部67的内侧的凹部68的外侧，以及在凹部68的内侧的凹部69的外侧，形成反射面63的表面与透明衬底22的面基本平行而形成的平坦面。
在凹部67和凹部68中，在Cs金属层56的开口部65和其周边部上，经由栅极绝缘层61和半导体层62，形成反射层63，从而反射层63凹陷地形成。另外，凹部69在半导体层62的开口部66上形成反射层63，从而反射层63可凹陷。另外，在半导体层62上还可代替开口部66而形成凹部。在此时，凹部69对应于半导体层62的凹部(包括侧面)而形成。
图3(b)为表示TFT部32中的栅极金属层(金属层)54、栅极绝缘层61、半导体层62和反射层63的结构的图，且为图2(a)的箭头A的部分的剖视图。TFT部32的栅极金属层54与反射部30的Cs金属层56同时由相同部件形成。同样，TFT部32的栅极绝缘层61、半导体层62和反射层63分别与反射部30的栅极绝缘层61、半导体层62和反射层63同时地由相同部件形成。
图4为比较实施方式1的反射部30与图17所示的过去的液晶显示器的反射部的结构的剖视图。图4(a)以示意方式表示实施方式1的反射部30的结构，图4(b)为以示意方式表示过去的液晶显示器的反射部的结构。另外，在这些图中，为了简化，反射部30的各层的斜面、以及过去的液晶显示器的各层的斜面作为垂直的面来进行表示，此外，各台阶的角部(由图中的用虚线圆表示的部分)表示为直角地弯曲。
如这些附图所示，在实施方式1的反射部30的反射层63的表面上，在凹部67、68、69的各自的上面的边缘和底面的边缘，形成共计12个角部。另一方面，在过去的液晶显示器中，在反射部的1个凹部，仅仅形成4个角部。
在图4中，这些角作为直角来进行表示，但是，在实际的角部，如图4(c)所示，连续地形成具有从与衬底平行的面(角度为0度)，到相对衬底大于20度的角度(在该图中，作为实例以30度来表示)的面。于是，如果形成多于反射部的凹部，则可在反射层的表面上，以更多地形成与衬底的角度在20度以下的面(有效反射面)。
另外，由于形成于角部的有效反射面具有相互不同的各种的倾斜面，故反射光不会仅朝向固定的方向。于是，可通过形成更多的凹部，获得更多的在较宽范围扩散的反射光。另外，如果增加凹部的数量、且凹部的侧面的倾斜角度在20度以下，则可获得更多的、在较宽范围扩散的反射光。
如通过图4(a)与图4(b)比较所示的那样，在实施方式1的反射部30上，与过去的液晶显示器相比较，形成更多的凹部。于是，由于伴随凹部的形成，形成更多的角部，故可在反射面63的表面上，形成更多的有效反射面，可朝向显示面，使更多的光在较宽范围进行发射。另外，凹部67、凹部68和凹部69按照Cs金属层56和半导体层62的整体形状而形成。于是，可在Cs金属层56和半导体层62的整形时容易地调节这些凹部的形状、深度和斜面倾斜角。
此外，在实施方式1中的位于凹部67的内侧的反射层63形成于栅极绝缘层61或半导体层62上。另一方面，在过去的液晶显示器中，凹部的内侧的反射层既不经由栅极绝缘层也不经由半导体层，而直接形成于玻璃衬底上。于是，实施方式1中的凹部67、68、69的底面形成得比过去的液晶显示器中的凹部的底面浅。
在过去的液晶显示器中，由于凹部的底面形成于较深的位置，故凹部内面的倾斜角增大，难以在凹部内形成多个倾斜20度以下的有效反射面。另外，由于该凹部通过在形成栅极层102、栅极绝缘层104和半导体层106之后，一起去除这些层，故也难以控制凹部内面的倾斜角来增加有效反射面。
在本实施方式的显示器中，由于根据Cs金属层56和半导体层62的各自的形状，形成多个凹部，故可在这些层的层叠时，调整开口部的尺寸、位置关系等。由此，可控制凹部内的反射面的倾斜，来形成较多的倾斜度在20度以下的有效反射面，并使更多的光反射到显示面侧。
另外，在本实施方式的液晶显示器中，层间绝缘层26和像素电极28的液晶层18侧的面不反映反射层63的凹部67、凹部68和凹部69的形状，与对置电极34的液晶层18侧的面相同，平坦地形成。于是，与图18所示的以往的半透射型液晶显示器相比较，施加于液晶层18中的电场更加均匀，且可按照所需的朝向均匀地控制反射区域42中的液晶的取向。另外，由于在反射部30的端部附近的像素电极28未形成台阶，故液晶的取向不混乱。于是，按照本实施方式，可提供透射率高的、视角特性优良且显示不均匀少的液晶显示器。
下面，对实施方式1的反射区域42中的TFT衬底12的制造方法进行说明。
首先，对反射区域42的反射部30中的Cs金属层(金属层)56的制造方法进行说明。
图5为用于说明反射部30的Cs金属层56的制造方法的剖视图。如图5(a)所示，在Cs金属层56的制成中，首先在已清洁的透明衬底22上依次形成Ti(钛)膜85、A1(铝)86、TiN(氮化钛)膜87。Ti膜85、A1膜86、TiN膜87的厚度分别为例如，30nm、200nm、150nm。
然后，在该层叠结构上形成具有图案的抗蚀膜88，通过RIE装置(反应性离子蚀刻装置)，采用CL2/Ar气，进行干式蚀刻处理。对于此时的蚀刻条件，气体压力为10mTorr、功率(离子加速电功率)为2000W、气体流量为CL2/Ar＝550/100sccm。
接着，如图5(b)所示，在使抗蚀膜88后退的同时，采用CF4/O2气体进行蚀刻处理。对于此时的蚀刻条件，气体压力为100mTorr、功率为1500W、气体流量为CF4/O2＝400/100sccm。由于采用CF4/O2气体，故TiN膜87被蚀刻，而Al膜86几乎不被蚀刻。于是，残留Al膜86和其下的Ti膜85，去除了抗蚀膜88，然后形成具有台阶的Cs金属层56。Cs金属层56的厚度在50～1000nm以下。
在上述方法中，也可代替Al膜86，使用采用了Mo(钼)、Ta(钽)、或它们的合金等的膜。在此时，根据所采用的金属，选择蚀刻气体和蚀刻条件。另外，用于蚀刻的装置也不限于RIE装置，也可采用其它的类型的蚀刻装置。
另外，通过除灰处理，使抗蚀膜88后退，然后，反复进行采用图5(b)来说明的上述步骤，从而可进一步制作具有更多的台阶的Cs金属层56。可通过采用这样的Cs金属层56，在反射面63的表面上，形成更多台阶的反射面。
接着，用图6和图7，对反射区域42中的TFT衬底12整体的制造方法进行说明。
图6为表示反射区域42中的TFT衬底12的制造过程的俯视图，图7为表示反射区域42中的TFT衬底12(图2(b)的箭头B所示的部分)的制造过程的剖视图。
如图6(a)和图7(a)所示，首先，在反射区域42的透明衬底22上，形成采用图5来说明的具有台阶的Cs金属层56。此时，在Cs金属层56上，形成多个开口部65。在该工序中，图2(a)所示的栅极线(栅极金属层)54、与图3(a)所示的TFT部32的栅极金属层54也用同一金属同时地形成。
然后，如图6(b)和图7(b)所示，通过P—CVD法，采用SiH4、NH3、N2的混合气体，在衬底整体面上制作由SiN(氮化硅)形成的栅极绝缘层61。栅极绝缘层61也可由SiO2(氧化硅)、Ta2O5(氧化钽)、Al2O3(氧化铝)等形成。栅极绝缘层61的厚度在100～600nm的范围内。另外，在该工序，还同时形成图3(b)所示的TFT部32的栅极绝缘膜61。
接着，在栅极绝缘层61上，形成非晶质硅(a—Si)膜，和掺杂有非晶质硅(P)的n+a—Si膜。a—Si膜的厚度在30～300nm。另外，n+a—Si膜的厚度在20～100nm。然后，通过光刻法，对这些膜进行整形，从而形成半导体层62。
此时，在半导体层62上形成多个开口部66。半导体层62的开口部66形成于Cs金属层56的开口部65上，在从衬底的面上观看时，在开口部65的内侧，形成为与开口部65同心圆状。另外，在该工序中，还同时形成图3(b)所示的TFT部32的半导体层62。
然后，如图6(c)和图7(c)所示，通过溅射法等，在衬底整个面上形成Al等的金属薄膜，并形成反射层63。另外，在金属薄膜中可采用在作为Cs金属层56的材料基础上所列举的材料。反射层63的厚度在30～100nm以下。
此时，在Cs金属层56的开口部65的上部的反射层63的表面上，形成上述凹部67和凹部68，并在半导体层62的开口部66的上部的反射层63的表面上形成凹部69。
另外，在该工序中，还同时形成图3(b)所示的TFT部32的反射层63，但是，反射层63在TFT部32，形成TFT的源极和漏极。另外，此时，图2(a)中的源极线52也可作为反射层63的一部分而形成。
接着，如图6(d)和图7(d)所示，通过旋涂法，涂敷感光性丙烯树脂，形成层间绝缘层(层间树脂层)26。层间绝缘层26的厚度在0.3～5μm以下。另外，在反射层63和层间绝缘层26之间，通过P—CVD法，SiNx、SiO2等的薄膜可作为保护膜而形成，但是，在这里省略其图示。保护膜的厚度在50～1000nm以下。层间绝缘层26和保护膜形成于不仅包括反射区域42还包括TFT区域44的透明衬底22的上部整个面上。然后，通过采用曝光装置的显影处理，在反射部30的中心附近形成接触孔58。
然后，如图6(e)和图7(e)所示，在层间绝缘层26上，通过溅射法等形成由ITO或IZO等形成的透明电极膜，并通过光刻法对该透明电极膜进行图案整形，从而形成像素电极28。像素电极28形成于不仅包括反射区域42还包括TFT区域的像素上的上部整个面上。
在反射区域42，像素电极28形成于层间绝缘层26和接触孔58上，像素电极28的金属部件经由接触孔58，与反射层63接触。于是，TFT部32中的TFT的漏极经由接触孔58，与像素电极28电连接。
另外，优选凹部67、68、69尽可能多地形成。于是，优选将Cs金属层56和半导体层62的开口部，在制造工序的掩模和光学曝光界限内，在反射面上尽可能多地形成。Cs金属层56和半导体层62的开口部的优选的尺寸为直径2～10μm。在上述工序中，层间绝缘层26的上面和像素电极28的面不反映反射层63的凹部67、凹部68和凹部69的形状且平坦地形成。
下面，参照附图，对实施方式1的制造方法的第1变形例进行说明。第1变形例的制造方法与上述制造方法的不同之处在于Cs金属层56的制造方法。其它的部分的制造方法与上述的相同。
图8为用于说明反射部30的Cs金属层56的制造方法的第1变形例的剖视图。首先，如图8(a)所示，依次在透明衬底22上形成Ti(钛)膜85、Al(铝)膜86、TiN(氮化钛)膜87。Ti膜85、Al膜86、TiN膜87的厚度分别为例如，30nm、200nm、150nm。
然后，在该层叠结构上形成抗蚀膜88，并通过RIE装置，采用CL2/Ar气体，进行干式蚀刻处理。对于此时的条件，气体压力为10mTorr、离子加速电功率为2000W、气体流量CL2/Ar＝550/100sccm。
在该蚀刻工序中，虽将未由抗蚀膜88覆盖的部分的TiN膜87完全去除，但是，仅仅去除Al膜86的一部分。于是，Al膜86的一部分和Ti膜85未蚀刻而残留。
接着，如图8(b)所示，通过采用O2气体的除灰处理，仅仅使抗蚀膜88后退。对于此时的条件，气体压力为300mTorr、离子加速电功率为1500W、气体流量O2＝500sccm。
然后，如图8(c)所示，进行采用CL2/Ar气体的干式蚀刻，来完全去除未由抗蚀膜88覆盖的部分的TiN膜87。此时，在完全去除未由抗蚀膜88覆盖的区域的Al膜86和Ti膜85之前，停止蚀刻处理。由此，形成具有台阶的Cs金属层56。此外，对于此时的蚀刻条件，气体压力为10mTorr、离子加速电功率为2000W、气体流量Cl2/Ar＝500/100sccm。
在上述方法中，也可代替Al膜86，而采用Mo(钼)、Ta(钽)、或它们的合金等的膜。在此时，可选择所采用的金属中的蚀刻气体和蚀刻条件。另外，用于蚀刻的装置也不限于RIE装置，也可采用其它的类型的蚀刻装置。
另外，还可在通过除灰处理，使抗蚀膜88后退之后，通过反复上述步骤，制作具有更多的台阶的Cs金属层56。通过采用这样的Cs金属层56，在反射层63的表面上，能形成具有更多台阶的反射面。
然后，参照附图，对实施方式1的制造方法的第2变形例进行说明。第2变形例的制造方法与实施方式1的制造方法的不同之处仅在于Cs金属层56的制造方法，其它的部分的制造方法与上述的相同。
图9为用于说明反射部30中的Cs金属层56的制造方法的第2变形例的剖视图。如附图所示，首先，依次在透明衬底22上形成TaN(氮化钼)膜90、Ta(钽)膜91、TiN(氮化钛)膜92。TaN膜90、Ta膜91、TiN膜92的厚度分别为例如，70nm、210nm、110nm。
然后，在该层叠结构上形成抗蚀膜88，并通过RIE装置，采用CF4/O2气体，进行干式蚀刻。对于此时的条件，气体压力为400mTorr、离子加速电功率为1100W、气体流量CF4/O2＝474/126sccm。
在该蚀刻工序中，由于采用CF4/O2气体进行蚀刻，TiN膜92的蚀刻速率快于TaN膜90和Ta膜91，故更进一步蚀刻。于是，通过恰当地设定蚀刻时间，形成具有如图所示的台阶的Cs金属层56。
在该方法中，由于可通过1次的蚀刻工序，形成具有台阶的Cs金属层56，故可缩短制造时间。另外，在通过除灰处理使抗蚀膜88后退之后，反复进行上述步骤，从而可制作具有更多的台阶的Cs金属层56。可通过采用这样的Cs金属层56，在反射层63的表面上，形成具有更多台阶的反射面。
(实施方式2)
下面，对本发明的液晶显示器的第2实施方式进行说明。本实施方式的液晶显示装置与上述实施方式的不同之处仅在于栅极金属层54和Cs金属层56的结构，除了在下面的说明的部分以外，其它的部分与实施方式1相同。与实施方式1的结构要素相同的结构要素采用相同的参照标号，其具体的说明省略。
图10表示实施方式2的反射部30中的凹部48的剖面(图2(b)中的箭头B所示的部分的剖面)。如该图所示，反射部30中的Cs金属层56由第1金属层57和形成于第1金属层57上的第2金属层59构成。第1金属层57由例如铝(Al)构成，第2金属层59由例如钼(Mo)构成。另外，TFT部32中的栅极金属层54也具有第1金属层57和第2金属层59的层叠结构，虽然省略了关于这一点的图示。
第1金属层57具有开口部65’，第2金属层59具有开口部79。开口部65’形成于开口部79的内侧。在反射层63的表面上，形成凹部69、凹部68和凹部67，但是，这些凹部是分别对应于半导体层62的开口部66、第1金属层57的开口部65’和第2金属层59的开口部79而形成的凹部。另外，也可在半导体层62上不形成开口部66，在此时，在反射面63的表面上不形成凹部69，而形成凹部67和凹部68的二重凹部。
图11为表示实施方式2中的Cs金属层56的形成方法的剖视图。
首先，如图11(a)所示，在透明衬底22上层叠有第1金属层57和第2金属层59。第1金属层57的厚度例如为50nm，第2金属层59的厚度例如为200nm。
接着，在第2金属层59上涂敷例如正型的抗蚀剂，通过曝光，将掩模图案转印到抗蚀剂85上。在图案转印后，进行抗蚀剂的去除·清洗，在第2金属层59上形成如图11(b)所示的抗蚀剂85。在这里，在抗蚀剂85上，形成用于在第1金属层57和第2金属层59形成开口部的开口。
接着，进行蚀刻处理，如图11(c)所示，去除未由抗蚀剂85覆盖的部分的第1金属层57和第2金属层59。在这里，在蚀刻剂中采用包含例如磷酸30重量％、硝酸25重量％、醋酸5重量％和水40重量％的蚀刻液。可通过采用这样的蚀刻剂，使第2金属层59的蚀刻速率高于第1金属层57的蚀刻速率。于是，形成第2金属层59的侧面比第1金属层57的侧面后退的阶梯状的斜面。
然后，去除残留的抗蚀剂85，如图11(d)所示，第1金属层57的开口部65’和第2金属层59的开口部79的形成完成。
在上述的Cs金属层56的形成工序中，同时通过相同方法，形成栅极金属层54。在本实施方式的制造中，除了Cs金属层56和栅极金属层54的形成方法以外都与在实施方式1中描述的相同，所以省略对其的说明。通过这样的实施方式2，可获得与实施方式1相同的效果。
(实施方式3)
下面，对本发明的液晶显示器的第3实施方式进行说明。本实施方式的液晶显示器与上述实施方式的不同在处仅在于栅极金属层54、Cs金属层56和反射部30的结构，除了在下面说明的部分以外的结构都与上述实施方式相同。与上述实施方式的结构要素相同的结构要素采用相同参照标号，并省略具体的说明。
图12表示实施方式3的反射部30中的凹部48的剖面(由图2(b)中的箭头B所示的部分的剖面)。如附图所示，反射部30中的Cs金属层56由第1金属层57、形成于第1金属层57上的第2金属层59’和形成于第2金属层59’上的第3金属层60构成。第1金属层57由例如铝(Al)构成，第2金属层59’由例如氮含量为20％的氮化钼(MoN)形成，第3金属层60由例如钼(Mo)形成。另外，TFT部32中的栅极金属层54也具有第1金属层57、第2金属层59’和第3金属层60的层叠结构，虽然省略了关于这一点的图示。
第1金属层57具有开口部65’，第2金属层59’具有开口部79’，另外第3金属层60具有开口部64。开口部65’形成于开口部79’的内侧，开口部79’形成于开口部64的内侧。在反射层63的表面上，形成凹部69、凹部68、凹部67和凹部78，但是，这些凹部为分别对应于半导体层62的开口部66、第1金属层57的开口部65’、第2金属层59’的开口部79’和第3金属层60的开口部64而形成的凹陷。另外，也可在半导体层62上不形成开口部66，在此时，在反射层63的表面上不形成凹部69，而形成凹部68、凹部67和凹部78的三重的凹陷。
图13为表示实施方式3的Cs金属层的制造方法的剖视图。
首先，如图13(a)所示，在透明衬底22上层叠第1金属层57、第2金属层59’和第3金属层60。第1金属层57的厚度为例如50nm，第2金属层59’的厚度为例如50nm，第3金属层60的厚度为例如200nm。
接着，在第3金属层60上涂敷例如正型的抗蚀剂，并通过曝光，将掩模图案转印到抗蚀剂85上。在图案转印之后，进行抗蚀剂的去除·清洗，在第3金属层60上，形成如图13(b)所示的抗蚀剂85。在这里，在抗蚀剂85上，形成用于在第1金属层57、第2金属层59’和第3金属层60上形成开口部的开口。
接着，进行蚀刻处理，如图13(c)所示，去除未由抗蚀剂85覆盖的部分的第1金属层57、第2金属层59’和第3金属层60。在这里，蚀刻剂中采用包含例如磷酸30重量％、硝酸25重量％、醋酸5重量％和水40重量％的蚀刻液。可通过采用这样的蚀刻剂，使第3金属层60的蚀刻速率高于第2金属层59’的蚀刻速率，另外，使第2金属层59’的蚀刻速率高于第1金属层57的蚀刻速率。于是，形成第3金属层60的侧面比第2金属层59’的侧面后退、第2金属层59’的侧面比第1金属层57的侧面后退的阶梯状的斜面。
然后，去除残留的抗蚀剂85，如13(d)所示，第1金属层57的开口部65’、第2金属层59’的开口部79’和第3金属层的开口部64的形成完成。
在上述Cs金属层56的形成工序中，同时通过同样的方法，形成栅极金属层54。在本实施方式的制造中，除了Cs金属层56和栅极金属层54的形成方法以外都与在实施方式1中描述的相同，所以省略对其的描述。
按照实施方式3，可获得与1实施方式相同的效果，但是，由于通过反射层，可形成较多的有效反射面，故还可获得优于实施方式1的反射效率。
(实施方式4)
下面，对本发明的液晶显示器的第4实施方式进行说明。本实施方式的液晶显示器与实施方式的不同之处在于栅极金属层54和Cs金属层56的结构，但是，除了在下面描述的部分以外的结构都与实施方式1相同。与实施方式1中的结构要素相同的结构要素采用相同的参照标号，并省略具体的说明。
图14表示实施方式4的反射部30中的凹部48的剖面(由图2(b)中的箭头B所示的部分的剖面)。如该图所示，在反射部30中的Cs金属层56上形成开口部65”，但是，在开口部65”的侧面不形成台阶。于是，在反射层63的表面上，对应于Cs金属层56的开口部65”和半导体层62的开口部66，形成2个凹部70和71。
Cs金属层56由氮化钼(MoN)形成，但是，氮化钼的氮含量随着从透明衬底22侧向栅极绝缘层61的接近，连续地减少。氮含量例如，在与透明衬底22侧相接的部分为25％，在与栅极绝缘层61相接的部分为0％。在此时，与栅极绝缘层61相接的部分的材料为钼，但是，在这里，也将其称为氮含量为0％的氮化钼。并且，TFT部32中的栅极金属层54也由相同的氮化钼形成，虽然省略了关于这一点的图示。
图15为表示实施方式4的Cs金属层56的形成方法的剖视图。
首先，如图15(a)所示，例如，通过溅射法，在透明衬底22上通过氮化钼(MoN)而层叠Cs金属层56。在这里，Cs金属层56按照氮化钼的氮含量，如上所述，以随着从透明衬底22侧向上部连续地减少的方式层叠。换言之，在Cs金属层56的层叠时，氮化钼的氮含量随时间而减少。Cs金属层56的厚度例如为300nm。
接着，在Cs金属层56上涂敷例如正型的抗蚀剂，并通过曝光，将掩模图案转印到抗蚀剂85上。在图案转印之后，进行抗蚀剂的去除·清洗，在Cs金属层56上，形成如图15(b)所示的抗蚀剂85。在这里，在抗蚀剂85上，形成用于在Cs金属层56上形成开口部的开口。
接着，进行蚀刻处理，如图15(c)所示，去除未由抗蚀剂85覆盖的部分的Cs金属层56。在这里，蚀刻剂中采用包含例如磷酸30重量％、硝酸25重量％、醋酸5重量％和水40重量％的蚀刻液。通过采用这样的蚀刻剂，可从底部向上部连续地使Cs金属层56的蚀刻速率提高。于是，在Cs金属层56的侧面，形成从底部向上部连续地后退的相对衬底面的倾斜20度以下的斜面。
然后，去除残留下的抗蚀剂85，如图15(d)所示，Cs金属层56的开口部65”的形成完成。
在上述Cs金属层56的形成工序中，同时通过同样的方法，形成栅极金属层54。在本实施方式的制造中，由于除了Cs金属层56和栅极金属层54的形成方法以外都与在实施方式1中描述的相同，故省略对其的说明。
根据实施方式4，由于在Cs金属层的斜面不形成台阶，故形成于反射层63上的凹部的数量少于实施方式1。但是，由于对应于Cs金属层56的斜面，凹部70的斜面的几乎全部的倾斜度能在20度以下，故可获得与实施方式1基本相同的、或优于它的反射效率。
(实施方式5)
下面，参照附图，对本发明的液晶显示器的第5实施方式进行说明。与上述实施方式的结构要素相同的结构要素采用相同的参照标号，并省略对其的描述。
图16为表示本实施方式的液晶显示器的剖面形状的示意图。该液晶显示器从实施方式1、2、3、或4的液晶显示器中去除了层间绝缘层26，除了在下面描述的方面以外都与实施方式1、2、3、或4的显示器相同。另外，在图16中，省略了对置衬底14的具体的结构和TFT部32的图示。
如该图所示，在实施方式5中，由于不形成层间绝缘层26，故像素电极28经由未图示的绝缘膜，形成于反射部30和TFT部32的反射层63上。反射部30和TFT部32的结构和制造方法，除了去除层间绝缘层的方面以外都与实施方式1相同。另外，显示器中的像素配置、布线结构也与图2(a)所示的相同。
还由于该结构，与上述实施方式同样，可将反射层63的有效反射面的面积扩大，并使更多的光反射到显示面。另外，还在本实施方式的反射部30的Cs金属层56上，可适用上述实施方式1、2、3或4(包括变形例)的Cs金属层56。
在上述实施方式中，反射部30中的Cs金属层56和半导体层62的开口部，在与衬底相垂直地观看时，形成为同心圆状，但是，也可按照使开口部的中心不同的方式来进行设置。另外，开口部的周围也可重合，Cs金属层56的全部、或一部分的开口部也可形成于半导体层62的开口部的内侧。同样在此时，在反射面63的表面上，形成多个具有台阶的圆形或圆形重合的凹凸，由此，可扩大有效反射面。
还有，在上述实施方式中，反射部30中的Cs金属层56的开口部和半导体层62的开口部分别形成为圆形，但是，也可使这些开口部的一部分或全部形成为椭圆形或四边形。另外，也可一部分的开口部形成为椭圆形，而其它的开口部形成为四边形。另外，开口部的边缘也可重合地设置。同样在这些情况下，在反射面63的表面，形成多个圆形、椭圆形、四边形、或将它们重合的、具有台阶的凹凸，由此，可扩大有效反射面。
另外，在上述各实施方式中，优选反射层63的凹部尽可能多地形成在反射部30内。于是，各凹部的尺寸和形状可不限于上述的形状，可形成为四边形以外的多边形、凹部的边缘为锯齿状的形状、将它们组合的形状等的多种形状。
此外，在上述本实施方式中，设为在Cs金属层56和半导体层62中形成开口部，但是，也可在这些层的整形时，采用遮光部和透射部进行反转后的图案等，在开口部的位置上形成凸状的层(或岛状的层)。
还有，在上述实施形式中，设为在半导体层62中形成开口部，但是，也可代替开口部而形成凹部。即使在该情况下，在反射层63的表面上形成多个凹部，能获得与上述实施方式的效果相同的效果。另外，也可不必一定形成半导体层62的开口部66，在此时，在反射层63的表面上不形成凹部69。这样的方式的液晶显示器也包括于本发明的液晶显示器中。
本发明的液晶显示器，如通过上述实施方式所述的那样，在反射层的表面上，具有许多台阶或角部，且倾斜角度为20度以下的斜面也较多，因此，可获得有效反射面较宽、并且散射特性优良的反射区域。另外，由于反射面的台阶和角部根据Cs金属层和半导体层的整形时的形状而形成，不增加制造工序，就可容易地获得具有优良的反射特性的反射区域。因此，可低价格地提供可进行均匀且高亮度的显示的液晶显示器。
另外，根据本发明，由于像素电极的液晶层侧的面与对置电极的面同样、平坦地形成，且在反射部的端部附近的像素电极也不形成台阶，故可按照所需的朝向均匀地控制液晶的取向。因此，可提供透射率高、视角特性优良且显示不均匀小的液晶显示器。
在本发明的液晶显示器中，还包括采用液晶板的显示器和手机等。另外，本实施方式将半透射型的液晶显示器用作了实例，但是，具有与上述反射部相同的方式的反射型液晶显示器等也包括在本申请发明的一个方式中。
在本申请发明的液晶显示器中，由于通过上述制造方法形成，故可通过与透射型的液晶显示器相同的材料和工序来制造。因此，可提供低成本且反射率高的液晶显示器。
工业上的利用可能性
根据本发明，提供一种低成本且高画质的液晶显示器。本发明的液晶显示器优选用于各种液晶显示器，优选用于例如，手机、车载导航器等的车载显示器、ATM、或销售机等的显示器、便携式显示器、笔记本型PC等利用反射光来进行显示的半透射型和反射型的液晶显示器。
Claims (18)
1.一种液晶显示器，具备使入射光朝向显示面进行反射的反射区域，
上述反射区域具有形成于衬底上的反射层，
上述反射区域具有：
第1凹部，其形成于上述反射层的表面；
第2凹部，其形成于上述第1凹部中的上述反射层的表面；和
第3凹部，其形成于上述第2凹部中的上述反射层的表面，
上述反射区域包括：
具有开口部的金属层；和
形成于上述金属层上且具有开口部的半导体层，
在上述金属层的开口部内形成有上述第1凹部和上述第2凹部，
在上述半导体层的开口部内形成有上述第3凹部。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器，其特征在于，
在上述第1凹部的内侧的、上述第2凹部的外侧的上述反射层的表面上，形成与上述衬底的面平行的面。
3.根据权利要求1或2所述的液晶显示器，其特征在于，
上述金属层具有第1部分和比上述第1部分厚的第2部分。
4.根据权利要求1或2所述的液晶显示器，其特征在于，
在上述金属层和上述金属层的开口部上形成绝缘层。
5.根据权利要求4所述的液晶显示器，其特征在于，
在上述绝缘层上形成具有开口部的半导体层，
上述半导体层的开口部位于上述金属层的开口部的内侧。
6.根据权利要求5所述的液晶显示器，其特征在于，
具备形成于上述衬底上的半导体元件，
上述金属层、上述半导体层和上述反射层分别由与上述半导体元件的栅极、半导体部分和源·漏极相同的材料形成。
7.根据权利要求1或2所述的液晶显示器，其特征在于，
上述金属层包括：
第1金属层；和
第2金属层，其形成于上述第1金属层上，且由不同于上述第1金属层的材料形成，
上述第1金属层和上述第2金属层分别具有开口部，且上述第1金属层的开口部形成于上述第2金属层的开口部的内侧。
8.根据权利要求7所述的液晶显示器，其特征在于，
上述第1金属层由铝形成，上述第2金属层由钼形成。
9.根据权利要求7所述的液晶显示器，其特征在于，
上述金属层包括：第3金属层，其形成于上述第2金属层上，且由不同于上述第1金属层和上述第2金属层的材料形成，
上述第3金属层具有开口部，且上述第2金属层的开口部形成于上述第3金属层的开口部的内侧。
10.根据权利要求9所述的液晶显示器，其特征在于，
上述第1金属层由铝形成，上述第2金属层由氮化钼形成，上述第3金属层由钼形成。
11.一种液晶显示器，具备使入射光朝向显示面进行反射的反射区域，
上述反射区域包括：
具有开口部的金属层；
半导体层，其具有形成于上述金属层上的开口部，上述半导体层的开口部位于上述金属层的开口部的内侧；和
反射层，其形成于上述半导体层上，
上述反射区域具有：
第1凹部，其形成于上述反射层的表面；和
第2凹部，其形成于上述第1凹部中的上述反射层的表面，
上述第1凹部和上述第2凹部中的一个根据上述金属层中的上述开口部而形成，上述第1凹部和上述第2凹部中的另一个根据上述半导体层的上述开口部而形成，
上述金属层中的上述开口部的侧面，包括与上述显示面的倾斜角在20度以下的面，
上述金属层的组成沿上述金属层的厚度方向而变化，
上述金属层由氮化钼形成，且上述金属层中的氮化钼的氮含量沿上述金属层的厚度方向而变化。
12.一种液晶显示器的制造方法，该液晶显示器具备将使入射光朝向显示面进行反射的反射区域，该方法包括：
在上述反射区域形成金属层的步骤，该金属层具有开口部，且具有第1部分和比上述第1部分厚的第2部分；
在上述金属层和上述金属层的开口部上，形成绝缘层的步骤；
在上述绝缘层上形成具有开口部的半导体层的步骤，在该步骤中，上述半导体层的开口部形成为位于上述金属层的开口部的内侧；和
在上述半导体层和上述半导体层的开口部上，形成反射层的步骤，
在上述反射层的表面上形成第1凹部，在上述第1凹部的内侧的上述反射层的表面上形成第2凹部，在上述第2凹部的内侧的上述反射层的表面上形成第3凹部，
在上述金属层的开口部内形成上述第1凹部和上述第2凹部，
在上述半导体层的开口部内形成上述第3凹部。
13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，
上述第1凹部形成于上述金属层的上述开口部的上部的上述反射层的表面。
14.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，
上述第3凹部形成于上述半导体层的开口部的上部的上述反射层的表面。
15.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，包括：
在上述反射层上形成层间绝缘层的步骤；和
在上述层间绝缘层上形成像素电极的步骤，
上述像素电极的面，不反映上述反射层的上述第1凹部、上述第2凹部和上述第3凹部的形状而平坦地形成。
16.一种液晶显示器的制造方法，该液晶显示器具备将使入射光朝向显示面进行反射的反射区域，该方法包括：
在上述反射区域形成金属层的步骤，该金属层具有开口部，且具有第1部分和比上述第1部分厚的第2部分；
在上述金属层和上述金属层的开口部上，形成绝缘层的步骤；
在上述绝缘层上形成具有开口部的半导体层的步骤，在该步骤中，上述半导体层的开口部形成为位于上述金属层的开口部的内侧；和
在上述半导体层和上述半导体层的开口部上，形成反射层的步骤，
形成上述金属层的步骤包括：
形成第1金属层的步骤；和
在上述第1金属层上，由不同于上述第1金属层的材料形成第2金属层的步骤，
在上述第1金属层和上述第2金属层上，分别形成开口部，且上述第1金属层的开口部形成于上述第2金属层的开口部的内侧，
形成上述金属层的步骤包括：在上述第2金属层上，由不同于上述第1金属层和上述第2金属层的材料形成第3金属层的步骤，
在上述第3金属层上形成开口部，且上述第2金属层的开口部位于上述第3金属层的开口部的内侧。
17.根据权利要求16所述的制造方法，其特征在于，
上述第1金属层由铝形成，上述第2金属层由氮化钼形成，上述第3金属层由钼形成。
18.一种液晶显示器的制造方法，该液晶显示器具备使入射光朝向显示面进行反射的反射区域，该方法包括：
在上述反射区域，形成具有开口部的金属层的步骤；
在上述金属层上，形成绝缘层的步骤；
在上述绝缘层上形成具有开口部的半导体层的步骤，在该步骤中，上述半导体层的开口部形成为位于上述金属层的开口部的内侧；和
在上述半导体层上，形成反射层的步骤，
在上述反射层的表面上，根据上述金属层的上述开口部和上述半导体层的上述开口部，形成第1凹部和位于该第1凹部中的第2凹部，
上述金属层的上述开口部的侧面，按照包括与上述显示面的倾斜角在20度以下的面的方式形成，
在形成上述金属层的步骤中，上述金属层的组成沿上述金属层的厚度方向而变化，
上述金属层由氮化钼形成，且在形成上述金属层的步骤中，上述金属层的氮化钼的氮含量随时间而减少。
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