TWI412827B - 半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板及其製造方法 - Google Patents

Description

半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板及其製造方法

本發明係有關於一種邊緣電場開關型液晶顯示面板及其製造方法，特別有關於一種用於半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板及其製造方法。

液晶顯示裝置具有低輻射性、體積輕薄短小及耗電低等眾多優點，故於使用上日漸廣泛，但同時仍具有視角各向異性和視角範圍較小的弱點，即如果以偏離垂直於顯示板法線方向觀察時，對比度明顯下降。

為克服這一缺陷，有提出一種平面間轉換模式(In-Plane Switching mode，IPS)之廣視角液晶顯示裝置。該種平面內旋轉型液晶顯示裝置與傳統之扭曲向列型(Twist Nematic,TN)、超扭曲向列型(Super Twisted Nematic,STN)液晶顯示裝置區別在於：其公共(Common)電極與像素電極係設置於同一基板上，利用公共電極與像素電極間產生之橫向水平電場使液晶分子於平面上轉動。該種平面內旋轉型液晶顯示裝置可顯著提高液晶顯示裝置之視角，但因其公共電極與像素電極設置於同一基板上，其開口率較低，且對比度及響應時間與傳統之扭曲向列型或超扭曲向列型液晶顯示裝置相比並無多大改善。

因此有人提出一種邊緣電場開關(Fringe Field Switching，FFS)技術。從原理來講，可以看作是在IPS技術基礎上的進一步發展，該種FFS液晶顯示裝置改進IPS液晶顯示裝置之電極設置方式，其將IPS液晶顯示裝置之不透明金屬電極改為透明之公共電極並作成板狀以增加透射率，從而可改善IPS液晶顯示裝置開口率不足之缺陷。此外，FFS液晶顯示裝置之正負電極不像IPS液晶顯示裝置之間隔排列，而是將正負電極通過絕緣層分離重叠排列，可大大縮小電極寬度和間距，這種設計使電場分佈更密集。

對光源之利用方式劃分，液晶顯示裝置可分為穿透式(Transmitive)、半穿透半反射式(Transflective)及反射式(Reflective)三種。半穿透半反射液晶顯示器係為一種雙重模式顯示器，具有反射模式與穿透模式。在反射模式下，亦即當環境光源充足時，半反射半穿透顯示面板不需用到內建光源，而是充分利用環境光源，透過半穿透半反射顯示器畫素中的反射區域，將環境光源的光線反射，以達成省電之效果。而在穿透模式時，則利用內建的背光光源通過半穿透半反射顯示器畫素中的穿透區來提供影像之顯示。

但是，當穿透區域與反射區域液晶盒間隙(Cell gap)之距離相同時，反射區之光線經過反射所走光徑(Light path)(行過液晶盒間隙兩趟之距離)即為穿透區之背光光源所走之光徑(行過液晶盒間隙一趟之距離)的兩倍。因此，造成了穿透區域的穿透率-電壓曲線(Transmittance V.S. Voltage curve,T-V)與反射區域的反射率-電壓曲線(Reflectance V.S Voltage curve,R-V)不一致。習知之半穿透半反射液晶顯示器，若使用單液晶盒間隙(Single cell gap)，則穿透區和反射區使用不同的控制電路，或是穿透區域和反射區域使用不同的電晶體進行控制，可能增加陣列(Array)的複雜性和困難度，驅動方式也較複雜。

因此，在製作半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示器的製程中，除了形成邊緣電場開關型液晶顯示器的結構之外，還必須在每一畫素結構中之反射區域製作一凹凸狀表面之有機層，與穿透區域形成雙液晶盒間隙(Dual cell gap)，達到穿透區域的穿透率-電壓曲線與反射區域的反射率-電壓曲線一致。例如美國專利US 20060256268於反射區域製作表面起伏的有機層，藉以定義出雙液晶盒間隙(Dual cell gap)，即反射區之液晶層厚度為穿透區之一半，以達成穿透區的T-V特性曲線與反射區的R-V特性曲線相同，惟整個製作流程需10道光罩製程，不利於量產。其他改良方式亦有提出利用半色調網點光罩(Half-tone mask)的技術來製作反射區上的有機層，藉以減少光罩製程，惟半色調網點光罩的製程仍然所費不貲。因此，生產效率不高並且製造成本居高不下。

有鑑於此，目前亟需提出一種半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板及其製造方法，藉以改善上述之問題。

本發明之一目的在於提供一種半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板之製造方法，其可藉由減少微影製程而簡化製造步驟，藉此減少液晶顯示器的製作成本。

為達上述之目的，本發明提供半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板的製造方法，其主要包括下列步驟：首先，(a)形成一公共電極圖案於一基板上，並在該公共電極圖案上劃分為一反射區以及一穿透區。(b)形成一閘極電極以及一電容電極，並同時形成複數個第一凸塊於該反射區上。(c)形成一閘絕緣層連續覆蓋於該閘極電極、該電容電極以及該些第一凸塊於該基板上。(d)形成一半導體層圖案於該閘絕緣層上且對應該閘極電極，並同時形成複數個第二凸塊於該閘絕緣層上且對應該些第一凸塊。(e)形成一源極圖案以及一汲極圖案於該半導體層圖案上，並同時形成複數個第三凸塊於該些第二凸塊上。(f)形成一第一絕緣層圖案，以覆蓋該半導體層圖案、該源極圖案、該汲極圖案上以及該反射區上的該第二以及該第三凸塊上，並曝露出一電容電極接觸孔。(g)形成一反射電極圖案以覆蓋於該反射區上的該保護層圖案，且透過該電容電極接觸孔接觸於該電容電極。(h)形成一第二絕緣層圖案，以覆蓋該反射電極圖案並曝露出一汲極接觸孔。最後，(i)形成一梳狀畫素電極圖案，以覆蓋該第二絕緣層圖案上並透過該汲極接觸孔接觸於該汲極圖案，同時覆蓋於穿透區，並且形成複數個第四凸塊於第二絕緣層圖案上且對應於該些第三凸塊。

其中形成該些第一凸塊之表面積大於該些第二凸塊之表面積，又該些第二凸塊表面積大於該些第三凸塊之表面積。此外，在上述步驟中，也一併形成了透光的穿透區域，其步驟包括：在該步驟(b)中又包含同時形成一閘極緩衝圖案覆蓋於該穿透區上。該步驟(c)中又包含該閘絕緣層覆蓋於該閘極緩衝圖案上。該步驟(f)中又包含將覆蓋於該穿透區之該閘絕緣層移除，曝露出該閘極緩衝圖案。該步驟(g)中又包含將該閘極緩衝圖案移除，暴露出位於該穿透區的該公共電極圖案。該步驟(h)中又包含該第二絕緣層圖案同時覆蓋該穿透區的該公共電極圖案。其中移除的方法係微影製程方法。

因此，根據本發明之半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板製造方法，不需額外形成一凹凸狀表面的有機層，在半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板的製造步驟中，利用原本所需的光罩製程一併形成在反射區堆疊的由小到大的凸塊，使該堆疊的凸塊形成表面起伏的反射凸塊結構。因此使製造過程簡化而提高產能並降低成本。

本發明另提供一種半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板，包括：一薄膜電晶體以及一公共電極圖案設置於一基板上，並在該基板上劃分為一反射區以及一穿透區；一電容電極以及複數個第一凸塊設置於該公共電極之該反射區上；一閘絕緣層覆蓋於該些第一凸塊以及該公共電極圖案上；複數個第二凸塊設置於該閘絕緣層上並對應該些第一凸塊；複數個第三凸塊設置於該些第二凸塊上；一第一絕緣層圖案覆蓋於該些第三凸塊以及該些第二凸塊上；一反射電極圖案覆蓋於該反射區上的該第一絕緣層圖案上，並接觸於該電容電極；一第二絕緣層圖案覆蓋於該反射電極圖案上以及該公共電極圖案之穿透區上；以及一梳狀畫素電極圖案覆蓋於該第二絕緣層圖案上並接觸於該薄膜電晶體，同時覆蓋於穿透區，並且形成複數個第四凸塊於第二絕緣層圖案上且對應於該些第三凸塊。

其中該些第一凸塊之表面積大於該些第二凸塊之表面積，又該些第二凸塊表面積大於該些第三凸塊之表面積。該反射電極圖案之表面係沿著該些第二以及第三凸塊起伏。該電容電極、該些第一凸塊，或該反射電極圖案之材質係為一金屬材質。該公共電極以及該畫素梳狀電極圖案之材質係為透明導電材質。該反射電極圖案具有與公共電極相同電性，用以反射光線以及與反射區之第四凸塊形成電場以驅動反射區上之液晶分子。

該半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板還包括一彩色濾光片相對於該基板設置，並相距該穿透區上之該畫素梳狀電極圖案一預設距離。其中，該彩色濾光片距離該反射區上之該畫素梳狀電極圖案係為該上述預設距離之一半。

為讓本發明之上述內容能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

本發明之較佳實施例將與所附圖示與下面之說明加以詳細的描述，在不同圖示中，相同的參考標號表示相同或相似的元件。以下內容所描述的實施例只是其中的一個例子，因此本發明之範圍並不以此為限。

以下將以第1圖至第8圖來逐步說明本發明較佳實施例之半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板之製作步驟，其中每一圖代表一道光罩製程，其包括了習知的微影(Photolithography)技術，即曝光、顯影及蝕刻等步驟。圖示中僅繪示單一畫素構造來清楚說明本發明之製作步驟，本領域之普通技術人員應可以根據本說明來據以實施。

請參閱第1a圖及第1b圖。第1a圖係本發明較佳實施例之半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板之第一道光罩製程之俯視圖，第1b圖為第1a圖之A-A`斷面圖。為了清楚說明，圖中一基板100顯示的為單一畫素區域，並劃分為一薄膜電晶體區101一反射區102以及一穿透區103。首先，利用第一道光罩製程將一公共(Common)電極圖案110形成於該基板100上。其中該基板100係為透明基板，例如玻璃等；該公共電極圖案110材質係透明電極材質，例如銦錫氧化物(Tin-doped Indium Oxide,ITO)。

請參閱第2a圖及第2b圖。第2a圖係本發明較佳實施例之半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板之第二道光罩製程之俯視圖，第2b圖為第2a圖之A-A`斷面圖。於第一道光罩製程之後，利用第二道光罩製程形成一閘極(Gate)電極210以及一電容電極220，並同時形成複數個第一凸塊230於該反射區102上。其中又包含同時形成一閘極緩衝圖案240覆蓋於該穿透區103上。

請參閱第3a圖及第3b圖。第3a圖係本發明較佳實施例之半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板之第三道光罩製程之俯視圖，第3b圖為第3a圖之A-A`斷面圖。於第二道光罩製程之後，形成一閘絕緣層310連續覆蓋於該基板上的該閘極電極210該電容電極220該些第一凸塊230以及該閘極緩衝圖案240。其中形成該閘絕緣層310的方法較佳可為沈積法，又該閘絕緣層310之材質為較佳為氮化矽(SiNx)。

利用第三道光罩製程將一半導體層圖案320形成於該閘絕緣層310上，該半導體圖案320之位置係對應該閘極電極210，並同時形成複數個第二凸塊330於該閘絕緣層上310，該等第二凸塊330之位置係對應該些第一凸塊230。其中該半導體層圖案320由一非晶矽層(amorphous Si，未圖示)，以及一歐姆接觸層(例如n+摻雜非晶矽層，未圖示)所組成。其中該半導體層圖案320除了形成在薄膜電晶體區之外，還需在反射區102的第一凸塊230往上堆疊，以增加位於穿透區103的液晶層厚度差異，以利於後續形成雙液晶盒間隙結構。

請參閱第4a圖及第4b圖。第4a圖係本發明較佳實施例之半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板之第四道光罩製程之俯視圖，第4b圖為第4a圖之A-A`斷面圖。於第三道光罩製程之後，利用第四道光罩製程形成一源極圖案410以及一汲極圖案420於該半導體層圖案320上，並同時形成複數個第三凸塊430於該些第二凸塊330上。其中，該源極圖案410、該汲極圖案420以及該半導體層圖案320係利用金屬材質形成。同樣地，該源極圖案410以及該汲極圖案420除了形成在薄膜電晶體區之外，還需在反射區102的第二凸塊330往上堆疊，以增加位於穿透區103的液晶層厚度差異，以利於後續形成雙液晶盒間隙結構。

本發明較佳實施例中，形成該些第一凸塊230之表面積大於該些第二凸塊330之表面積，又該些第二凸塊330表面積大於該些第三凸塊430之表面積，如圖4a、4b所示。

請參閱第5a圖及第5b圖。第5a圖係本發明較佳實施例之半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板之第五道光罩製程之俯視圖，第5b圖為第5a圖之A-A`斷面圖。於第四道光罩製程之後，利用第五道光罩製程形成一第一絕緣層圖案510，以覆蓋該半導體層圖案320、該源極圖案410、該汲極圖案420上以及該反射區102上的該第二凸塊330及該第三凸塊430上，並形成一電容電極接觸孔520以暴露出部份電容電極220。將覆蓋於該穿透區103之絕緣層(如該閘絕緣層310)移除，曝露出該閘極緩衝圖案240。應注意的是，此步驟中該第一絕緣層圖案510的形成是先沈積一層如上述該閘絕緣層310相同之材料，例如氮化矽(SiNx)，故圖中未在該第一絕緣層圖案510與該閘絕緣層310之間畫出區隔，如第5b圖中所示。然後在利用第五道光罩製程挖出該電容電極接觸孔520並將該閘絕緣層310以及閘極絕緣層310上的第一絕緣層圖案510移除，露出該閘極緩衝圖案240。其中該閘極緩衝圖案240可保護穿透區103的ITO透明電極在移除該閘絕緣層310以及閘極絕緣層310上的第一絕緣層圖案510之製程中免於破壞。

請參閱第6a圖及第6b圖。第6a圖係本發明較佳實施例之半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板之第六道光罩製程之俯視圖，第6b圖為第6a圖之A-A`斷面圖。於第五道光罩製程之後，利用第六道光罩製程形成一反射電極圖案610以覆蓋於該反射區102中的該第一絕緣層圖案510，且透過該電容電極接觸孔520接觸於該電容電極220，使得該反射電極圖案610與該電容電極220電性連接。

此外，上述製程除了在反射區102形成該反射電極圖案610外，原本穿透區103之該共用電極110上方的該閘極緩衝圖案240也一併被蝕刻清除，僅留下穿透區103所需的該共用電極110(例如透明電極ITO)。在此道製程中，該反射電極圖案610使用的材料較佳為與該閘極電極210相同的金屬材質以保有較佳的蝕刻均勻性。

更進一步地說，該反射電極圖案610透過該電容電極接觸孔520與該電容電極220電性連接，而該電容電極220又形成在該公共電極110之上與之相接觸，因此反射電極圖案610有與該共用電極110相同電性。

請參閱第7a圖及第7b圖。第7a圖係本發明較佳實施例之半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板之第七道光罩製程之俯視圖，第7b圖為第7a圖之A-A`斷面圖。於第六道光罩製程之後，利用第七道光罩製程形成一第二絕緣層圖案710，以覆蓋該反射電極圖案610並曝露出一汲極接觸孔720。其中又包含該第二絕緣層圖案710同時覆蓋該穿透區103的該公共電極圖案110。

請參閱第8a圖、8b及8c圖。第8a圖係本發明較佳實施例之半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板之第八道光罩製程之俯視圖，第8b圖為第8a圖之A-A`斷面圖，第8c圖為梳狀畫素電極圖案之俯視圖。最後，於第七道光罩製程之後，利用第8道光罩製程形成一梳狀畫素電極圖案810。為清楚說明，單獨將該梳狀畫素電極圖案810單獨繪示如第8c圖所示，其形成於第8a圖中之虛線區域，用以覆蓋該第二絕緣層圖案710上並透過該汲極接觸孔720接觸該汲極圖案420，使得該梳狀畫素電極圖案810電性連接於該汲極圖案420。該梳狀畫素電極圖案810同時覆蓋於反射區102，並且形成複數個第四凸塊820於第二保護層圖案710上且對應於該些第三凸塊430。應注意的是，該些第四凸塊820係該梳狀畫素電極圖案810中之某些條狀電極覆蓋並跨越該些凸塊所形成之凸起區域，如第8b圖所示。

其中該梳狀畫素電極圖案810之圖案為邊緣電場開關型液晶顯示面板之上電極，在反射區102隔著一層該第二絕緣層圖案710透過該反射電極圖案610當作下電極，其電氣特性與穿透區103之該梳狀畫素電極圖案810相對該公共電極圖案110相同。該梳狀畫素電極圖案810其圖形可依需要做設計，本發明並不限於何種圖形。於此時本發明較佳實施例之半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板之結構已完成。

綜上所述，本發明之較佳實施例使用八道光罩製程，在反射區利用堆疊方式在基板製作雙液晶盒間隙差異，並在反射區形成具有反射效果的堆疊式凸狀反射面結構，完成斷面如第8b圖所示。亦即在現有製作邊緣電場開關型液晶顯示面板的製程中，不需額外製作有機層或使用半色調網點光罩製程製作出雙液晶盒間隙。利用每一道製程所形成之結構在反射區予以保留，並在該些堆疊之凸塊上形成一金屬反射面以利於環境光的反射，進而可製作出半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板。本發明具有減少光罩製程與生產成本的效益，解決了習知需多道製程導致成本太高的問題。

除此之外，本發明另提供一種由上述製作方法製得的半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板。請參考第9圖，第9圖為本發明之一較佳實施例之半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板之剖視圖。根據本發明之一較佳實施例之半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板，包括：一薄膜電晶體10以及一公共電極圖案110設置於一基板100上，並在該基板100上劃分為一反射區102、一穿透區103以及一薄膜電晶體區101；一電容電極220以及複數個第一凸塊230設置於該公共電極110之該反射區102上；一閘絕緣層310覆蓋於該些第一凸塊230以及該公共電極圖案110上；複數個第二凸塊330設置於該閘絕緣層310上並對應該些第一凸塊230；複數個第三凸塊430設置於該些第二凸塊330上；一第一絕緣層圖510案覆蓋於該些第三凸塊430以及該些第二凸塊上330；一反射電極圖案610覆蓋於該反射區102上的該第一絕緣層圖案510上，並接觸於該電容電極220；一第二絕緣層圖案710覆蓋於該反射電極圖案610上以及該公共電極圖案110之穿透區103上；以及一梳狀畫素電極圖案810覆蓋於該第二絕緣層圖案710上並接觸於該薄膜電晶體10，同時覆蓋於該穿透區103，並且形成複數個第四凸塊820於第二保護層圖案710上且對應於該些第三凸塊430。

上述薄膜電晶體10還包含：一閘極(Gate)電極210、一半導體層圖案320、源極圖案410、一汲極圖案420、一汲極接觸孔720以及形成畫素電極的該梳狀畫素電極圖案810。其說明與原理請參考前述之說明，在此不予贅述。

於一較佳實施例中，該些第一凸塊230之表面積大於該些第二凸塊330之表面積，又該些第二凸塊330表面積大於該些第三凸塊430之表面積。在此實施例中，該些凸塊之表面積(俯視)較佳為圓形，可參考第8a圖所示但並不限定為圓形，亦可為矩形或不規則形狀。其中本實施例中第一凸塊230表面積(圓形)之直徑較佳介於5至20微米之間。此外，該些凸塊之表面積大小並不需要完全相同，可依光學的需求設計不同之表面積大小或形狀。並且，該反射電極圖案610順著堆疊在該第一凸塊230及第二凸塊330的第一絕緣層圖案510做凸狀表面起伏，即成為可將環境光源反射的更均勻之反射面。

於一較佳實施例中，反射區102與穿透區103的面積比例較佳為1:1。該電容電極220以及該些第一凸塊230，與該反射電極圖案610之材質較佳係為同一金屬材質，例如鋁。該公共電極110以及該畫素梳狀電極圖案810之材質係為透明導電材質，例如銦錫氧化物(ITO)。

該反射電極圖案610透過該電容電極接觸孔520與該電容電極220接觸，具有與公共電極110相同電性，用以反射環境光線以及與反射區102之第四凸塊820形成FFS之電場以驅動反射區上之液晶分子。

本發明之一較佳實施例之半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板還包括一彩色濾光片900用於將從反射區102反射之環境光或從穿透區103穿透之背光光源轉化成紅藍綠三種不同之顏色。其中還包含一黑色矩陣(Black matrix,BM) 910用於遮住不透光的部分(薄膜電晶體區101)，使增加對比度。該彩色濾光片900相對於該基板100設置，並相距該穿透區103上之該畫素梳狀電極圖案一預設距離20，此即大約液晶盒間隙之厚度，例如4μm。

更進一步地說，該彩色濾光片900距離該反射區102上之該畫素梳狀電極圖案810係為該上述預設距離20之一半，例如為2微米μm。請參照第10圖，其表示反射區102與穿透區103中各層結構的厚度。於此實施例中，其中2μm可由該預設距離(4μm)減掉反射區102較穿透區103多出之結構之膜厚加總而得出。下列為此實施例中反射區102較穿透區103多出之結構之膜厚：第一凸塊230膜厚400；閘絕緣層310膜厚400；第二凸塊330膜厚200；第三凸塊430膜厚400；第一絕緣層圖案510膜厚300；以及反射電極圖案610膜厚300。上述之膜厚單位為奈米(nm)，其加總係2000nm，故該反射區之液晶盒間隙為該預設距離4μm減掉2000nm/2μm即為2μm，即為穿透區之液晶盒間隙距離之一半。

由上述可知，本發明之一較佳實施例之半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板，在反射區具有凸狀的堆疊結構，即不需利用有機層，使得在反射區以及穿透區形成雙液晶盒間隙差異，達到穿透區域的穿透率-電壓曲線與反射區域的反射率-電壓曲線一致。並在反射區形成具有反射效果的凸狀反射面結構，能夠將反射光反射的更均勻，達到較好的反射效果。

雖然本發明已用較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10．．．薄膜電晶體

20．．．預設距離

100．．．基板

110．．．公共電極圖案

101．．．薄膜電晶體區

102．．．反射區

103．．．穿透區

210．．．閘極電極

220．．．電容電極

230．．．第一凸塊

240．．．閘極緩衝圖案

310．．．閘絕緣層

320．．．半導體層圖案

330．．．第二凸塊

410．．．源極圖案

420．．．汲極圖案

430．．．第三凸塊

510．．．第一絕緣層圖案

520．．．電容電極接觸孔

610．．．反射電極圖案

710．．．第二絕緣層圖案

720．．．汲極接觸孔

810．．．梳狀畫素電極圖案

820．．．第四凸塊

900．．．彩色濾光片

910．．．黑色矩陣

第1a至8a圖係繪示本發明較佳實施例之半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板之光罩製程俯視圖。

第1b至8b圖係繪示第1a至8a圖之A-A`斷面圖。

第8c圖係繪示梳狀畫素電極圖案之俯視圖。

第9圖係繪示本發明之一較佳實施例之半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板之剖視圖。

第10圖係表示反射區與穿透區中各層結構的厚度。

100．．．基板

110．．．公共電極圖案

101．．．薄膜電晶體區

102．．．反射區

103．．．穿透區

210．．．閘極電極

220．．．電容電極

230．．．第一凸塊

310．．．閘絕緣層

320．．．半導體層圖案

330．．．第二凸塊

410．．．源極圖案

420．．．汲極圖案

430．．．第三凸塊

510．．．第一絕緣層圖案

520．．．電容電極接觸孔

610．．．反射電極圖案

710．．．第二絕緣層圖案

720．．．汲極接觸孔

810．．．梳狀畫素電極圖案

820．．．第四凸塊

Claims (17)

1. 半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板之製造方法，該製造方法包括下列步驟：(a)形成一公共電極圖案於一基板上，並在該基板上劃分為一反射區以及一穿透區；(b)形成一閘極電極以及一電容電極，並同時形成複數個第一凸塊於該反射區上；(c)形成一閘絕緣層連續覆蓋於該閘極電極、該電容電極以及該些第一凸塊於該基板上；(d)形成一半導體層圖案於該閘絕緣層上且對應該閘極電極，並同時形成複數個第二凸塊於該閘絕緣層上且對應該些第一凸塊；(e)形成一源極圖案以及一汲極圖案於該半導體層圖案上，並同時形成複數個第三凸塊於該些第二凸塊上；(f)形成一第一絕緣層圖案，以覆蓋該半導體層圖案、該源極圖案、該汲極圖案上以及該反射區上的該第二凸塊及該第三凸塊上，並曝露出一電容電極接觸孔；(g)形成一反射電極圖案以覆蓋於該反射區上的該第一絕緣層圖案，且透過該電容電極接觸孔接觸於該電容電極；(h)形成一第二絕緣層圖案，以覆蓋該反射電極圖案並曝露出一汲極接觸孔；以及(i)形成一梳狀畫素電極圖案，以覆蓋該第二絕緣層圖案上並透過該汲極接觸孔接觸於該汲極圖案，同時覆蓋於穿透區，並且形成複數個第四凸塊於第二絕緣層圖案上且對應於該些第三凸塊。
2. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中形成該些第一凸塊之表面積大於該些第二凸塊之表面積，又該些第二凸塊表面積大於該些第三凸塊之表面積。
3. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該步驟(b)中又包含同時形成一閘極緩衝圖案覆蓋於該穿透區上。
4. 如申請專利範圍第3項所述之製造方法，其中該步驟(c)中又包含該閘絕緣層覆蓋於該閘極緩衝圖案上。
5. 如申請專利範圍第4項所述之製造方法，其中該步驟(f)中又包含將覆蓋於該穿透區之該閘絕緣層移除，曝露出該閘極緩衝圖案。
6. 如申請專利範圍第5項所述之製造方法，其中該步驟(g)中又包含將該閘極緩衝圖案移除，暴露出位於該穿透區的該公共電極圖案。
7. 如申請專利範圍第6項所述之製造方法，其中該步驟(h)中又包含該第二絕緣層圖案同時覆蓋該穿透區的該公共電極圖案。
8. 如申請專利範圍第5項或第6項所述之製造方法，其中移除的方法係微影製程方法。
9. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中形成該閘極電極、該電容電極、該些第一凸塊，或該反射電極圖案之材質係為一金屬材質。
10. 一種半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板，包括：一薄膜電晶體以及一公共電極圖案設置於一基板上，並在該基板上劃分為一反射區以及一穿透區；一電容電極以及複數個第一凸塊設置於該公共電極之該反射區上；一閘絕緣層覆蓋於該些第一凸塊以及該公共電極圖案上；複數個第二凸塊設置於該閘絕緣層上並對應該些第一凸塊；複數個第三凸塊設置於該些第二凸塊上；一第一絕緣層圖案覆蓋於該些第三凸塊以及該些第二凸塊上；一反射電極圖案覆蓋於該反射區上的該第一絕緣層圖案上，並接觸於該電容電極；一第二絕緣層圖案覆蓋於該反射電極圖案上以及該公共電極圖案之該穿透區上；以及一梳狀畫素電極圖案覆蓋於該第二絕緣層圖案上並接觸於該薄膜電晶體，同時覆蓋於該穿透區，並且形成複數個第四凸塊於第二絕緣層圖案上且對應於該些第三凸塊，其中該些第四凸塊係該梳狀畫素電極圖案中之複數條狀電極覆蓋並跨越該些凸塊所形成之凸起區域。
11. 如申請專利範圍第10項所述之半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板，其中該些第一凸塊之表面積大於該些第二凸塊之表面積，又該些第二凸塊表面積大於該些第三凸塊之表面積。
12. 如申請專利範圍第11項所述之半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板，其中該反射電極圖案之表面係沿著該些第二以及第三凸塊起伏。
13. 如申請專利範圍第10項所述之半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板，其中該電容電極、該些第一凸塊，或該反射電極圖案之材質係為一金屬材質。
14. 如申請專利範圍第10項所述之半穿透半反射之邊緣電場開關型液 晶顯示面板，其中該公共電極以及該畫素梳狀電極圖案之材質係為透明導電材質。
15. 如申請專利範圍第10項所述之半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板，其中該反射電極圖案具有與公共電極相同電性。
16. 如申請專利範圍第10項所述之半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板，其中該結構還包括一彩色濾光片相對於該基板設置，並相距該穿透區上之該畫素梳狀電極圖案一預設距離。
17. 如申請專利範圍第16項所述之半穿透半反射之邊緣電場開關型液晶顯示面板，其中該彩色濾光片距離該反射區上之該畫素梳狀電極圖案係為該上述預設距離之一半。