CN101529318A - 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法 - Google Patents

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CN101529318A CNA2007800389003A CN200780038900A CN101529318A CN 101529318 A CN101529318 A CN 101529318A CN A2007800389003 A CNA2007800389003 A CN A2007800389003A CN 200780038900 A CN200780038900 A CN 200780038900A CN 101529318 A CN101529318 A CN 101529318A
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Abstract

本发明提供反射效率高的高画质的半透过型和反射型的液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明的液晶显示装置包括使入射光向显示面反射的反射区域，上述反射区域包括金属层、在上述金属层上形成的绝缘层、在上述绝缘层上形成的半导体层、和在上述半导体层上形成的反射层，在上述金属层、上述绝缘层和上述半导体层中至少1个中形成有多个凹部，在上述反射区域的上述反射层中形成有与上述多个凹部相应的多个凹陷，上述多个凹部中的至少2个凹部的端部间的最短距离(a)为4μm以下。

Description

液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及能够利用反射光进行显示的反射型或半透过型的液晶显示装置。
背景技术
液晶显示装置有利用画面背面的背光源作为显示用光源的透过型液晶显示装置、利用外部光的反射光的反射型液晶显示装置、以及利用外部光和背光源两者作为光源的半透过型液晶显示装置。反射型液晶显示装置和半透过型液晶显示装置，与透过型液晶显示装置相比，具有消耗电力小、在亮处容易看到画面的特征，半透过型液晶显示装置与反射型液晶显示装置相比，具有即使在暗处也容易看到显示的特征。
图15是以往的反射型液晶显示装置(例如专利文献1)的有源矩阵基板100的截面图。
如图15所示，有源矩阵基板100包括绝缘性基板101与叠层在绝缘性基板101上的栅极层102、栅极绝缘层104、半导体层106、金属层108和反射层110。栅极层102、栅极绝缘层104、半导体层106和金属层108，在被叠层在绝缘性基板101上之后，用1个掩模实施蚀刻，形成为具有岛状的叠层构造。此后，通过在该叠层构造上形成反射层110，形成具有凹凸的反射层112。此外，在有源矩阵基板100的上部，虽然没有图示，但是形成有透明电极、液晶层、彩色滤光片基板(CF基板)等。
专利文献1：特开平9-54318号公报
发明内容
在上述的有源矩阵基板100中，在未形成栅极层102等的部分(岛之间的部分，以下称为“间隙部”)，反射层110的一部分形成为到达绝缘性基板101。因此，在间隙部，反射面112的表面向绝缘性基板101的方向陷入，形成深的凹陷(或者凹部)。
在反射型或者半透过型的液晶显示装置中，为了利用反射光进行亮的显示，需要利用反射面使从各个方位入射的光更均匀地、有效地反射在整个显示面上。因此，反射面最好不是完全的平面，而具有适度的凹凸。
但是，上述的有源矩阵基板100的反射面112具有深的凹陷，因此，光难以到达位于凹陷的下部的反射面，另外，即使光到达位于凹陷的下部的反射面，其反射光也难以被反射到液晶面板一侧。因此，在上述以往的液晶显示装置中，存在反射光不能被有效地用于显示的问题。另外，反射面110的大部分相对于液晶显示装置的显示面具有较大的角度，因此，也存在来自该部分的反射光不能被有效地用于显示的问题。
图16是表示反射面112的倾斜与反射光的关系的图。图16(a)表示光从具有折射率Na的介质a向具有折射率Nb的介质b入射时的入射角α与出射角β的关系。在该情况下，根据斯涅尔定律，以下的关系成立。
Na×sinα＝Nb×sinβ
图16(b)是表示垂直地入射LCD的显示面的入射光被相对于显示面(或者基板)倾斜θ的反射面反射时的入射光与反射光的关系的图。如图所示，垂直地入射显示面的入射光被相对于显示面倾斜θ的反射面反射，向出射角φ的方向射出。
表1表示根据斯涅尔定律，按照反射面的角度θ计算出射角φ的结果。
[表1]
  θ   φ   90-φ
  0   0   90
  2   6.006121   83.99388
  4   12.04967   77.95033
  6   18.17181   71.82819
  8   24.42212   65.57788
  10   30.86588   59.13412
  12   37.59709   52.40291
  14   44.76554   45.23446
  16   52.64382   37.35618
  18   61.84543   28.15457
  20   74.61857   15.38143
  20.5   79.76542   10.23458
  20.6   81.12757   8.872432
  20.7   82.73315   7.266848
  20.8   84.80311   5.19888
  20.9   88.85036   1.149637
  20.905   89.79914   0.200856
该表的值是将空气(air)的折射率设为1.0、将玻璃基板和液晶层的折射率设为1.5而计算出的值。如表1所示，当反射面的角度θ超过20度时，出射角φ变得非常大(90-φ变得非常小)，出射光几乎无法到达使用者。因此，即使在反射层的反射面上设置有凹凸，为了有效地利用反射光，需要在反射面的更多的部分使角度θ为20度以下。
在上述的有源矩阵基板100的反射面112上，相对于显示面的角度大于20度的部分很多，因此，反射光难以有效地用于显示。为了解决该问题，可考虑在反射层110下以覆盖金属层108的方式形成绝缘层，使反射面变得光滑。但是，在该情况下，需要形成绝缘层的工序、和在绝缘层中形成用于将反射层110与TFT的漏极连接的接触孔的工序等，会产生材料和工序数量增加的问题。
另外，在制造以往的有源矩阵基板100时，栅极层102、栅极绝缘层104、半导体层106和金属层108，在与TFT的栅极、绝缘层、半导体层、和源极电极、漏极电极，分别同时在相同条件下形成后，一并被蚀刻，因此，难以控制各层的斜面的倾斜等。因此，难以使反射层表面具有期望的倾斜以提高反射效率。另外，当使岛状的叠层构造的宽度比较广的情况下，在叠层构造上形成不具有凹凸的平坦的反射层110，由此，还存在反射光的利用效率降低的问题。
本发明鉴于上述课题而做出，其目的在于提供包括具有高反射率的反射区域的高画质的反射型液晶显示装置和半透过型液晶显示装置。
本发明的液晶显示装置包括使入射光向显示面反射的反射区域，其特征在于：上述反射区域包括金属层、在上述金属层上形成的绝缘层、在上述绝缘层上形成的半导体层、和在上述半导体层上形成的反射层，在上述金属层、上述绝缘层和上述半导体层中的至少1个中形成有多个凹部，在上述反射区域的上述反射层中形成有与上述多个凹部相应的多个凹陷，上述多个凹部中的至少2个凹部的端部间的最短距离为4μm以下。
在某个实施方式中，上述至少2个凹部的端部间的最短距离为1μm以上。另外，在某个实施方式中，上述多个凹部中的至少1个凹部的最大宽度为15μm以下。另外，在某个实施方式中，上述至少1个凹部的最大宽度为2μm以上。另外，在某个实施方式中，上述多个凹部中的任意一个凹部的端部与位于距离上述任意一个凹部最近的位置的另一个凹部的端部之间的最短距离为4μm以下。
本发明的另一种液晶显示装置包括使入射光向显示面反射的反射区域，其特征在于：上述反射区域包括金属层、在上述金属层上形成的绝缘层、在上述绝缘层上形成的半导体层、和在上述半导体层上形成的反射层，在上述金属层、上述绝缘层和上述半导体层中的至少1个中形成有多个凸部，在上述反射区域的上述反射层中形成有与上述多个凸部相应的多个隆起部，上述多个凸部中的至少1个凸部的最大宽度为5μm以下。
在某个实施方式中，上述至少1个凸部的最大宽度为2μm以上。另外，在某个实施方式中，上述多个凸部中的至少2个凸部的端部间的最短距离为15μm以下。另外，在某个实施方式中，上述至少2个凸部的端部间的最短距离为3μm以上。另外，在某个实施方式中，上述多个凸部中的任意一个凸部的端部与位于距离上述任意一个凸部最近的位置的另一个凸部的端部之间的最短距离为15μm以下。
本发明提供一种液晶显示装置的制造方法，上述液晶显示装置包括使入射光向显示面反射的反射区域，上述制造方法的特征在于，包括：在基板上形成金属层的步骤；在上述金属层上形成绝缘层的步骤；在上述绝缘层上形成半导体层的步骤；和在上述半导体层上形成反射层的步骤，在上述金属层、上述绝缘层和上述半导体层中的至少1个中形成有多个凹部，在形成上述反射层的步骤中，在上述反射区域的上述反射层中形成与上述多个凹部相应的多个凹陷，上述多个凹部中的至少2个凹部的端部间的最短距离为4μm以下。
在某个实施方式中，上述至少2个凹部的端部间的最短距离为1μm以上。另外，在某个实施方式中，上述多个凹部中的至少1个凹部的最大宽度为15μm以下。另外，在某个实施方式中，上述至少1个凹部的最大宽度为2μm以上。另外，在某个实施方式中，上述多个凹部中的任意一个凹部的端部与位于距离上述任意一个凹部最近的位置的另一个凹部的端部之间的最短距离为4μm以下。
在某个实施方式中，在形成上述金属层的步骤中，使用光刻法在上述金属层中形成上述多个凹部，并且形成栅极总线和辅助电容线中的至少一个，用于形成上述多个凹部的抗蚀剂膜的膜厚比用于形成上述栅极总线和上述辅助电容线中的至少一个的抗蚀剂膜的膜厚薄。
本发明提供另一种液晶显示装置的制造方法，上述液晶显示装置包括使入射光向显示面反射的反射区域，上述制造方法的特征在于，包括：在基板上形成金属层的步骤；在上述金属层上形成绝缘层的步骤；在上述绝缘层上形成半导体层的步骤；和在上述半导体层上形成反射层的步骤，在上述金属层、上述绝缘层和上述半导体层中的至少1个中形成有多个凸部，在形成上述反射层的步骤中，在上述反射区域的上述反射层中形成与上述多个凸部相应的多个隆起部，上述多个凸部中的至少1个凸部的最大宽度为5μm以下。
在某个实施方式中，上述至少1个凸部的最大宽度为2μm以上。另外，在某个实施方式中，上述多个凸部中的至少2个凸部的端部间的最短距离为15μm以下。另外，在某个实施方式中，上述至少2个凸部的端部间的最短距离为3μm以上。另外，在某个实施方式中，上述多个凸部中的任意一个凸部的端部与位于距离上述任意一个凸部最近的位置的另一个凸部的端部之间的最短距离为15μm以下。
在某个实施方式中，在形成上述金属层的步骤中，利用光刻法在上述金属层中形成上述多个凸部，并且形成栅极总线和辅助电容线中的至少一个，用于形成上述多个凸部的抗蚀剂膜的膜厚比用于形成上述栅极总线和上述辅助电容线中的至少一个的抗蚀剂膜的膜厚薄。
本发明的另一种液晶显示装置包括使入射光向显示面反射的反射区域，其特征在于：上述反射区域包括金属层、在上述金属层上形成的绝缘层、和在上述绝缘层上形成的反射层，在上述金属层和上述绝缘层中的至少1个中形成有多个凹部，在上述反射区域的上述反射层中形成有与上述多个凹部相应的多个凹陷，上述多个凹部中的至少2个凹部的端部间的最短距离为4μm以下。
本发明的另一种液晶显示装置包括使入射光向显示面反射的反射区域，其特征在于：上述反射区域包括金属层、在上述金属层上形成的绝缘层、和在上述绝缘层上形成的反射层，在上述金属层和上述绝缘层中的至少1个中形成有多个凸部，在上述反射区域的上述反射层中形成有与上述多个凸部相应的多个隆起部，上述多个凸部中的至少1个凸部的最大宽度为5μm以下。
本发明提供另一种液晶显示装置的制造方法，上述液晶显示装置包括使入射光向显示面反射的反射区域，上述制造方法的特征在于，包括：在基板上形成金属层的步骤；在上述金属层上形成绝缘层的步骤；和在上述绝缘层上形成反射层的步骤，在上述金属层和上述绝缘层中的至少1个中形成有多个凹部，在形成上述反射层的步骤中，在上述反射区域的上述反射层中形成与上述多个凹部相应的多个凹陷，上述多个凹部中的至少2个凹部的端部间的最短距离为4μm以下。
本发明提供另一种液晶显示装置的制造方法，上述液晶显示装置包括使入射光向显示面反射的反射区域，上述制造方法的特征在于，包括：在基板上形成金属层的步骤；在上述金属层上形成绝缘层的步骤；和在上述绝缘层上形成反射层的步骤，在上述金属层和上述绝缘层中的至少1个中形成有多个凸部，在形成上述反射层的步骤中，在上述反射区域的上述反射层中形成与上述多个凸部相应的多个隆起部，上述多个凸部中的至少1个凸部的最大宽度为5μm以下。
发明效果
根据本发明，能够提供包括具有高反射率的反射区域的高画质的反射型液晶显示装置和半透过型液晶显示装置。
附图说明
图1是示意性地表示本发明的实施方式1的液晶显示装置的截面形状的图。
图2是用于具体地说明实施方式1的像素区域与反射部的结构的图，(a)是从显示面的上方观看像素区域的一部分时的平面图，(b)是示意性地表示液晶显示装置的反射部的结构的平面图。
图3是表示实施方式1的反射部和TFT部的结构的截面图，(a)表示反射部的结构，(b)表示TFT部的结构。
图4是表示实施方式1的TFT部的制造方法的平面图。
图5是表示实施方式1的TFT部的制造方法的截面图。
图6是表示实施方式1的反射部的制造方法的平面图。
图7是表示实施方式1的反射部的制造方法的截面图。
图8是表示实施方式1的栅极线、栅极电极、Cs线和Cs金属层的整形方法的截面图。
图9是表示实施方式1的凹部57的形状和配置的例子的图。
图10是表示实施方式2的反射部的结构的截面图。
图11是表示实施方式2的凸部169的形状和配置的例子的图。
图12是表示实施方式3的反射部的结构的截面图。
图13是用于对实施方式3的反射部与以往的液晶显示装置的反射部的结构进行比较的示意图，(a)是表示反射部的截面的图，(b)是表示以往的液晶显示装置的反射部的截面的图，(c)是表示反射部的角部的表面的角度的图。
图14是表示实施方式4的液晶显示装置的截面图。
图15是表示以往的反射型LCD的有源矩阵基板的截面图。
图16是表示液晶显示装置的反射面的倾斜与反射光的关系的图，(a)表示光从具有折射率Na的介质a向具有折射率Nb的介质b入射时的入射角α与出射角β的关系，(b)表示LCD的显示面的角度与入射光和反射光的关系。
符号说明
10液晶显示装置
12TFT基板
14对置基板
16液晶
18液晶层
22透明基板
26层间绝缘层
28像素电极
30反射部
31层
32TFT部
34对置电极
36CF层
38透明基板
40显示面
42反射区域
44TFT区域
46透过区域
48凹部
48’凸部
50像素
52源极线
54栅极线
56Cs线
57凹部
58接触孔
61栅极绝缘层
62半导体层
63反射层
67斜面
69凸部
69’上部
70下部
85上部斜面
86平坦部
87下部斜面
90斜面
91、92凹部
99光致抗蚀剂
148、157凹部
169凸部
具体实施方式
(实施方式1)
以下，参照附图对本发明的液晶显示装置的第一实施方式进行说明。
图1示意性地表示本实施方式的液晶显示装置10的截面结构。本实施方式的液晶显示装置10为有源矩阵方式的反射透过型的液晶显示装置。液晶显示装置10，如图1所示，包括：TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)基板12；对置基板14；和包括被封入在TFT基板12与对置基板14之间的液晶16的液晶层18。
TFT基板12具备透明基板22、层间绝缘层26、像素电极28，包括反射部30和TFT部32。在TFT基板12上，形成有后述的栅极线(扫描线)、源极线(线号线)和Cs线(辅助电容电极线)等。
对置基板14例如为彩色滤光片基板(CF基板)，包括对置电极34、彩色滤光片层(CF层)36和透明基板38。透明基板38的上部的面成为液晶显示装置的显示面40。此外，TFT基板12和对置基板14各自包括取向膜和偏光板，在此省略图示。
在液晶显示装置10中，将形成有反射部30的区域称为反射区域42，将形成有TFT部32的区域称为TFT区域44。在反射区域42中，从显示面40入射的光被反射部30反射，通过液晶层18和对置基板14从显示面40射出。液晶显示装置10还具有在反射区域42和TFT区域44以外的区域形成的透过区域46。在透过区域46中，从显示装置10的光源发出的光通过TFT基板12、液晶层18和对置基板14从显示面40射出。
此外，如图1所示，在反射部30的上部的对置基板14一侧设置有由透过性树脂等构成的层31，反射区域42的液晶层18的厚度为透过区域46的液晶层18的厚度的一半。由此，反射区域42与透过区域46的光路长度(液晶层18内的光的通过距离)相等。此外，在图1中，表示为层31形成在对置电极34与CF层36之间，但层31也可以形成在对置电极34的液晶层18一侧的面上。
图2是更具体地表示液晶显示装置10的像素区域与反射部30的结构的平面图。
图2(a)是表示从显示面40的上方观看液晶显示装置10的像素区域的一部分时的图。如该图所示，在液晶显示装置10，多个像素50(长方形的粗线表示的部分)呈矩阵状配置。在各个像素50中，形成有上述的反射部30和TFT部32。
在像素50的边界部分，源极线52在列方向(图的上下方向)上延伸，栅极线(栅极金属层)54在行方向(图的左右方向)上延伸。另外，在像素50的中央部分，Cs线(Cs金属层)56在行方向上延伸。在反射部30的层间绝缘层26中，形成有用于将像素电极28与TFT的漏极电极连接的接触孔58。Cs线56与像素电极成对，形成辅助电容。
图2(b)是示意性地表示Cs线56的上部的反射部30的结构的平面图。在该图中，省略了图2(a)所示的接触孔58的图示。如图所示，在反射部30中形成有多个圆形的凹部(凹陷)48。如后所述，在反射部30的上部形成有反射层，凹部48的表面形成为该反射层的面。该反射层与TFT部32的TFT的漏极电极连接。这样，通过在反射部30中形成多个凹部48，能够在反射面的更多部分使角度θ为20度以下。因此，能够使反射部的反射效率提高。
此外，在此为了容易理解地表示结构，凹部48仅图示有8个，但凹部48的数量并不限定于8个，能够形成更多的凹部48。另外，凹部48不需要如图所示纵横均等地排列，也可以随机地配置或者隔开不规则的间隔而配置。根据本实施方式，利用后述的方法，能够尽可能密地形成多个凹部48。
接着，参照图3更详细地说明反射部30和TFT部32的结构。
图3(a)表示在反射部30的截面(图2(b)中用箭头C表示的部分的截面。如图所示，在反射部30中，叠层有Cs金属层(金属层)56、栅极绝缘层61、半导体层62和反射层63。半导体层62由本征非晶硅层(Si(i)层)和掺杂有磷的n+非晶硅层(Si(n+)层)构成。
在反射部30的Cs金属层56中，如图所示形成有凹部(或开口)57，在凹部57之间形成有Cs金属层56的凸部69。反射层63的凹部48与Cs金属层56的凹部57的形状相应而形成。此外，在反射部30中也可以不形成半导体层62。
图3(b)是表示TFT部32的栅极金属层(金属层)54、栅极绝缘层61、半导体层62和反射层63的结构的截面图。TFT部32的栅极金属层54与反射部30的Cs金属层56同时由相同的部件形成。同样，TFT部32的栅极绝缘层61、半导体层62和反射层63分别与反射部30的栅极绝缘层61、半导体层62和反射层63同时由相同的部件形成。
图3(a)中的a表示Cs金属层56的2个凹部57的间隔。在本实施方式中，凹部57的间隔a是指相邻的2个凹部57的端部(Cs金属层56的上表面的凹部的边缘)之间的最短距离。为了提高反射部30的反射效率，最好在反射层63的表面设置更多的凹部48。这是因为：由此，能够在反射层63的表面更多地形成倾斜20度以下的面。在Cs金属层56中也需要设置更多的凹部57。因此，在本实施方式中将间隔a设定为4μm以下，另外，将凹部57的最大宽度b(Cs金属层56的上表面的开口的最大宽度)设定为15μm以下。间隔a的下限，考虑到制造上的限制设为1μm，根据相同的理由，宽度b的下限设为2μm。即，优选间隔a的设定范围为1μm以上4μm以下，宽度b的设定范围为2μm以上15μm以下。
为了提高反射效率，优选使相邻的任意2个凹部57的间隔a在上述的设定范围内。但是，并不限于此，通过使任意的凹部57与位于距离其最近的位置的另一个凹部57之间的间隔a为设定范围内的值，也能够提高反射效率。另外，对于在反射部30中形成的凹部57的50％以上，使其凹部与位于距离其最近的位置的另一个凹部之间的间隔a为设定范围内的值，由此也能够提高反射效率。另外，使反射部30中的至少2个凹部57的间隔a为设定范围内的值，也能够提高反射效率。
另外，为了提高反射效率，优选使全部凹部57的宽度b在上述的设定范围内。但是，并不限于此，通过使在反射部30中形成的凹部57的50％以上的宽度b在设定范围内，也能够提高反射效率。另外，使反射部30中的至少1个凹部57的宽度b为设定范围内的值，也能够提高反射效率。
在图15所示的以往的液晶显示装置中，凹部在除去栅极层102、栅极绝缘层104和半导体层106的部分形成，因此，凹部的底面形成在深的位置。因此，凹部内表面的倾斜角变大，难以在凹部内大量形成倾斜20度以下的有效反射面。另外，凹部通过在形成栅极层102、栅极绝缘层104、半导体层106之后，将这些层一并除去而形成，因此，无法控制凹部内表面的形状和斜面的倾斜角，难以增加有效反射面。
根据本实施方式，反射层63的凹部48(凹陷)与Cs金属层56的整形形状相应而形成，因此，能够容易地在反射层中形成比较浅的凹陷。由此，反射层表面的反射效率提高。另外，因为能够容易地调节凹部48的形状、深度、斜面倾斜角等，所以也容易将反射层63的凹部48的斜面的倾斜角度形成为20度以下。因此，能够不提高制造成本而增加有效反射面的面积。
另外，根据本实施方式，能够在实用的范围内尽可能窄地设定Cs金属层56的凹部57的间隔。另外，凹部57自身的宽度也能够形成为尽可能小。由此，能够在反射部30中配置更多Cs金属层56的凹部57，因此，能够在反射层63中形成更多的凹部48。由此，反射层63的表面的倾斜20度以下的面的面积增加，反射效率提高。另外，能够减少反射层63的表面的平坦部的面积，因此，能够进一步提高反射效率。
接着，对本实施方式的TFT基板12的制造方法进行说明。
图4是表示TFT部32的TFT基板12的制造方法的平面图。另外，图5是表示TFT部32的TFT基板12的制造方法的截面图，表示图2(a)的用箭头A表示的部分的截面。
如图4(a)和图5(a)所示，首先，利用溅射等方法在洗净的透明基板22上形成Al(铝)的金属薄膜。此外，该金属薄膜除了Al之外也能够使用Ti(钛)、Cr(铬)、Mo(钼)、Ta(钽)、W(钨)或者它们的合金形成，也能够利用由这些材料形成的层与氮化膜的叠层物形成。
此后，在金属薄膜上形成抗蚀剂膜，通过曝光、显影工序作成抗蚀剂图案后，实施干蚀刻或湿蚀刻，作成栅极金属层54(包括栅极电极和栅极线)。栅极金属层54的厚度例如为200～500nm。
这样通过光刻法形成的栅极金属层54成为TFT的栅极电极。此外，在该工序中，图2(a)中所示的栅极线(栅极金属层)54和图3(a)中所示的反射部30的Cs金属层56也由同一金属同时形成。
接着，如图4(b)和图5(b)所示，通过P-CVD法，使用SiH4、NH3、N2的混合气体，在基板整个面上作成由SiN(氮化硅)构成的栅极绝缘层61。栅极绝缘层61也可以由SiO2(氧化硅)、Ta2O5(氧化钽)、Al2O3(氧化铝)等形成。栅极绝缘层61的厚度例如为300～500nm。此外，在该工序中，图3(a)中所示的反射部30的栅极绝缘层61也同时形成。
接着，在栅极绝缘层61上，形成本征非晶硅(a-Si)膜(Si(i)膜)和在非晶硅中掺杂有磷(P)的n+a-Si膜(Si(n+)膜)。a-Si膜的厚度例如为30～300nm，n+a-Si膜的厚度例如为20～100nm。此后，通过利用光刻法对这些膜进行整形，形成半导体层62。此外，在该工序中，图3(a)中所示的反射部30的半导体层62也同时形成。
接着，如图4(c)和图5(c)所示，通过溅射法等在基板整个面上形成Al等的金属薄膜，实施光刻法，形成反射层63。此外，作为金属薄膜，能够使用作为栅极金属层54的材料而在上面列举的材料。反射层63的厚度例如为30～1000nm。在TFT部32，反射层63形成TFT的源极电极和漏极电极。此时，图2(a)中的源极线52也作为反射层63的一部分形成，图3(a)中所示的反射部30的反射层63也同时形成。
接着，如图4(d)和图5(d)所示，通过旋涂来涂敷感光性丙烯酸树脂，形成层间绝缘层(层间树脂层)26。层间绝缘层26的厚度例如为0.3～5μm。此外，在反射层63与层间绝缘层26之间，可通过P-CVD法形成SiNx、SiO2等薄膜作为保护膜，在此省略图示。保护膜的厚度例如为50～1000nm。层间绝缘层26和保护膜不仅在TFT部32上形成，而且在包括反射部30的透明基板22的上部整个面上形成。
接着，如图4(e)和图5(e)所示，在层间绝缘层26上，通过溅射法等形成ITO、IZO等透明电极膜。通过光刻法对该透明电极膜进行图案整形，形成像素电极28。像素电极28不仅在TFT部32上形成，而且在包括反射部30的像素的上部整个面上形成。
接着，使用图6和图7，对反射部30的TFT基板12的制造方法进行说明。
图6是表示反射部30的TFT基板12的制造方法的平面图。图7是表示反射部30的TFT基板12的制造方法的截面图，表示图2(b)的用箭头C表示的部分的截面。图6和图7中的(a)～(e)的工序分别与图4和图5中的(a)～(e)的工序对应。
如图6(a)和图7(a)所示，与TFT部32的栅极金属层54用相同的金属通过同样的方法同时形成反射部30的Cs金属层56。在此，在通过光刻法对金属薄膜进行整形时，在Cs金属层56中，与光致抗蚀剂的开口相应而形成多个凹部57，使得2个凹部57的间隔a和各凹部57的宽度b成为上述的设定范围。关于凹部57的更具体的形成方法，将在后面说明。
接着，如图6(b)和图7(b)所示，利用与TFT部32同样的方法，在Cs金属层56上形成栅极绝缘层61，此后，形成半导体层62。在此，在TFT部32中形成半导体层62，但也可在图案化时将半导体材料除去等，在反射部30中不形成半导体层62。
接着，如图6(c)和图7(c)所示，利用与TFT部32同样的方法，在半导体层62上(在不形成半导体层62的情况下在栅极绝缘层61上)形成反射层63。在反射层63的表面，反映Cs金属层56的凹部57和凸部69形成凹部48。
接着，如图6(d)和图7(d)所示，由感光性丙烯酸树脂形成层间绝缘层26。此后，通过使用曝光装置的显影处理，在反射部30的中心附近形成接触孔58。
接着，如图6(e)和图7(e)所示，形成像素电极28。在反射部30中，像素电极28形成在层间绝缘层26和接触孔58上，像素电极28的金属部件通过接触孔58与反射层63接触。因此，TFT部32的TFT的漏极电极通过接触孔58与像素电极28电连接。
接着，使用图8更详细地说明本实施方式的Cs金属层56、栅极线(栅极总线)54、和TFT部的栅极电极的制造方法。
图8(a)是表示在形成栅极线54时使用的光致抗蚀剂99的形状的图，表示图2(a)的用箭头B表示的位置的截面形状。另外，图8(b)是表示当在反射部30中形成Cs金属层56时使用的光致抗蚀剂99的形状的图，表示图2(c)的用箭头D表示的位置的截面形状。
如上所述，在形成Cs金属层56时，也同时用相同的金属通过光刻法形成TFT部32的栅极电极和栅极线54。在栅极线(和栅极电极)54的整形中，如图8(a)所示使用高度x的光致抗蚀剂，但在反射部30的Cs金属层56的整形中使用比x薄的高度y的光致抗蚀剂。光致抗蚀剂，在包括TFT部32和反射部30的基板面上以x的高度一致地成膜后，在反射部30，通过适当地设定例如曝光条件、烘焙条件，成为其上部具有y高度的膜。
这样，用于凹部57的形成的抗蚀剂膜的膜厚比用于栅极线54的形成的抗蚀剂膜的膜厚薄，因此，在通过蚀刻进行的膜整形时，在凹部57的端部形成缓和的斜面，在栅极线54的端部形成陡峭的斜面。此外，如图8(b)所示，对于反射部30的外侧的Cs金属层56，使用高度x的光致抗蚀剂99，因此，Cs线56的端部的斜面也成为陡峭的斜面。
通过使用这样的方法，能够利用同一光刻工序，容易地将凹部57的斜面缓和地形成为例如20°以下、并且以高加工精度对栅极线54和Cs线56进行整形。另外，因为能够容易地控制凹部57的大小和形状、斜面的倾斜、以及凹部57相互的间隔，所以能够不增加工序而得到期望的凹部57。因此，能够高效地制造在反射层63中形成有多个倾斜20°以下的面、并具有高反射率的液晶显示装置。
接着，使用图9对凹部57的形状和配置方法的变形例进行说明。
图9的(a)～(e)分别表示垂直于基板面观看凹部57时的凹部57的端部形状和配置的例子。如图9的(a)～(c)和(e)所示，凹部57可以形成为圆形，另外，如图9(d)所示，也可以形成为六角形。另外，凹部57的形状并不限于在此所示的形状，也可以形成为椭圆形、多角形、或者除此以外的形状。另外，凹部57的配置可以是如图9的(a)～(d)所示的规则的配置，也可以是如图9(e)所示的不规则的或者随机的配置。在任何一种情况下，凹部57的间隔a，如图所示，定义为相邻的2个凹部57的端部的最短距离，凹部57的宽度b定义为凹部57的端部的最大宽度。
此外，在上述的实施方式中，凹部57在Cs金属层(金属层)56中形成，但凹部57也可以在反射部30的栅极绝缘层61或半导体层62中形成，另外，也可以在这些层中的2层或所有层中形成。另外，也可以在这些层中的1个或2个中设置凹部57，在其它的1层或2层中形成如实施方式2所述的凸部。另外，也可以在反射部30中不形成半导体层62。凹部57可在各层形成时由上述的光刻法等形成。这些例子也包括在本发明的实施方式中。
(实施方式2)
接着，使用图10和图11对本发明的液晶显示装置的第二实施方式进行说明。第二实施方式为将图1所示的液晶显示装置10的反射部30从图3(a)所示的反射部替换为图10所示的反射部而得到的液晶显示装置。除此以外的结构与实施方式1相同，因此，以下仅对不同点进行说明。对于与实施方式1的结构要素相同的结构要素，标注相同的符号，省略其说明。
图10表示实施方式2的反射部30的截面(在图2(b)中用箭头C表示的部分的截面)。在图10所示的反射部30中，图2(b)所示的凹部48对应于凸部(隆起部)48’。即，在实施方式1和实施方式2中，反射部30的表面的凹凸图案反转，在图3(a)中作为圆形的凹部表示的凹部48，在实施方式2中成为凸部48’。
在反射部30的Cs金属层56中，如图所示形成有多个凸部169，在2个凸部169之间形成有Cs金属层56的凹部157。反射层63的凸部48’与Cs金属层56的凸部169的形状相应而形成。
图10中的c表示凸部169的宽度。该最大宽度c是指Cs金属层56的底面的凸部169的最大宽度。另外，d表示Cs金属层56的2个凸部169的间隔。该间隔d是指相邻的2个凸部169的端部(Cs金属层56的下表面的凸部169的边缘)之间的最短距离。为了提高反射部30的反射效率，最好在反射层63的表面设置更多的凸部48’和凹部148。这是因为：由此，能够在反射层63的表面更多地形成倾斜20度以下的面。为此，在Cs金属层56中也需要设置更多的凸部169和凹部157。因此，在本实施方式中，将凸部169的宽度c设定为5μm以下，另外，将间隔d设定为15μm以下。宽度c的下限，考虑到制造上的限制设为2μm，根据同样的理由，间隔d的下限设为2μm。即，优选的宽度c的设定范围为2μm以上5μm以下、间隔d的设定范围为2μm以上15μm以下。
为了提高反射效率，优选使相邻的任意2个凸部169的间隔d在上述的设定范围内。但是，并不限于此，通过使任意的凸部169与位于距离其最近的位置的另一个凸部169之间的间隔d为设定范围内的值，也能够提高反射效率。另外，对于在反射部30中形成的凸部169的50％以上，使其凸部与位于距离其最近的位置的另一个凸部之间的间隔d为上述设定范围内的值，由此也能够提高反射效率。另外，使反射部30的至少2个凸部169的间隔d为设定范围内的值，也能够提高反射效率。
另外，为了提高反射效率，优选使全部凸部169的宽度c在上述的设定范围内。但是，并不限于此，通过使在反射部30中形成的凸部169的50％以上的宽度c在上述的设定范围内，也能够提高反射效率。另外，通过使反射部30的至少1个凸部169的宽度c为设定范围内的值，也能够提高反射效率。
上述的Cs金属层56能够通过与在实施方式1中说明的方法同样的方法形成。但是，在Cs金属层56的整形时，作为抗蚀剂掩模，可使用具有将实施方式1中使用的图案反转的图案的掩膜。由此，在实施方式1中，由所谓的“除去图案”形成的凹部57在实施方式2中由“残留图案”形成为凸部169。
接着，使用图11对凸部169的形状和配置方法的变形例进行说明。
图11的(a)～(f)分别表示垂直于基板面观看凸部169时的端部形状和配置的例子。如图11的(a)和(c)所示，凸部169可以形成为圆形，另外，也可以如(b)所示形成为六角形。另外，也可以如(d)和(e)所示，为在内侧具有凹部的圆形或六角形的凸部169，也可以如(f)所示为十字型。此外，凸部169的形状并不限于在此所示的形状，也可以形成为椭圆形、多角形或者除此以外的形状。另外，凸部169的配置可以为如(a)和(b)所示的规则的配置，也可以如(c)所示为不规则的或随机的配置。在任何一种情况下，凸部169的宽度c被定义为凸部169的最大宽度，间隔d被定义为相邻的2个凸部169的端部的最短距离。此外，在如(d)～(f)所示的凸部169具有呈线状延伸的形状的情况下，其宽度c被定义为其线状部分的最大宽度。
根据本实施方式，反射层63的凸部48’(隆起部)与Cs金属层56的整形形状相应而形成，因此，能够容易地在反射层上形成较低的隆起部。由此，反射层表面的反射效率提高。另外，因为能够调节凸部48’的形状、高度、斜面倾斜角等，所以能够容易地在反射层63的表面大量地形成倾斜角度为20度以下的斜面。因此，能够不提高制造成本而增加有效反射面的面积。
另外，根据本实施方式，能够在实用的范围内尽可能窄地设定Cs金属层56的凸部169的宽度和间隔。由此，能够在反射部30中更多地配置Cs金属层56的凸部169，因此，也能够在反射层63中形成更多的凸部48’。因此，反射层63的表面的倾斜20度以下的面的面积增加，反射效率提高。另外，因为也能够使反射层63的表面的平坦部的面积减少，所以能够进一步提高反射效率。
此外，在上述的实施方式中，凸部169在Cs金属层(金属层)56中形成，但这样的凸部也可以在反射部30的栅极绝缘层61或者半导体层62中形成，另外，也可以在这些层中的2层或所有层中形成。
另外，也可以在这些层中的1个或2个中设置凸部169，在其它的1层或2层中形成如实施方式1所述的凹部。另外，也可以在反射部30中不形成半导体层62。凸部169可在各层形成时由上述的光刻法等形成。这些例子也包括在本发明的实施方式中。
(实施方式3)
接着，对本发明的液晶显示装置的第三实施方式进行说明。第三实施方式为将图1所示的液晶显示装置10的反射部30从图3(a)所示的反射部替换为图12所示的反射部而得到的液晶显示装置。除此以外的结构与实施方式1相同，因此，以下仅对与反射部30的不同点进行说明。对于与实施方式1和2的结构要素相同的结构要素，标注相同的参照符号，省略其说明。
图12表示实施方式3的反射部30的凹部48的截面(图2(b)中用箭头C表示的部分的截面)。如图所示，在反射部30中，叠层有Cs金属层(金属层)56、栅极绝缘层61、半导体层62和反射层63。
在反射部30的Cs金属层56中，如图所示形成有多个凹部(或开口)57’，在凹部57’之间形成有Cs金属层56的凸状部分89。凸状部分89的斜面67形成有台阶差，斜面67由上部斜面85、平坦部86和下部斜面87构成。平坦部86形成为与基板面大致平行。凸状部分89的比包括平坦部86的面靠上的部分称为上部69’、比包括平坦部86的面靠下的部分称为下部70。反射层63的凹部48与Cs金属层56的凹部57’的形状相应而形成。
反射部30’能够由与使用图6～8说明的方法同样的方法制造。在此，实施方式1中所示的间隔a为2个凹部57’的最上部的端部间的最短距离，宽度b为凹部57’的最上部的端部的最大宽度。此外，也可以考虑使间隔a为包括平坦部86的面上的凹部57’的端部间的最短距离，宽度b为该面上的凹部57’的端部的最大宽度。另外，也可以使用使实施方式3的凹凸图案反转后的形状的Cs金属层56。在实施方式1和2的Cs金属层56的凹部和凸部中形成有本实施方式所示的台阶差的情况，也包括在本发明的实施方式中。另外，在Cs金属层56、栅极绝缘层61和半导体层62中的1个或2个中设置凹部、在其它的1层或2层中设置凸部的结构，以及在这些层中的1个或2个中设置凸部、在其它的1层或2层中设置凹部的结构也包括在本发明的实施方式中。另外，在反射部30’中不设置半导体层的结构也包括在本发明的实施方式中。
根据本实施方式，除了在实施方式1和2说明的优点以外，还能够得到以下的优点。
图13是用于对本实施方式的反射部30与图15所示的以往的液晶显示装置的反射部的构造进行比较的图。图13(a)和图13(b)分别示意性地表示本实施方式的反射部30的截面构造和以往的液晶显示装置的反射部的截面构造。如这些图所示，在本实施方式的反射层63的表面，形成有反映Cs金属层56的凸状部分89的斜面的、带有台阶差的斜面90。由此，在反射层63中形成凹部91和位于凹部91的内侧的凹部92。在此，图2(b)所示的凹部48由凹部91和凹部92构成。
观看截面形状时，在1个凹部48中形成有8个角部(图中用虚线表示的部分)。另一方面，在以往的液晶显示装置中，如图13(b)所示，在1个凹部仅形成有4个角部。在反射层的角部，如图13(c)所示，从与基板平行的面连续地形成相对于基板具有大于20度的角度(在该图中例如表示为30度)的面。因此，只要在反射部中形成更多的凹部，就能够在反射层63的表面形成更多的有效反射面(相对于基板的角度为20度以下的面)。
从图13(a)和(b)可看出，在本实施方式的反射层63中形成有具有台阶差的两层的凹部，因此，反射层63的表面与以往的反射部相比具有更多的角部。从而，在反射层63的表面形成更多的有效反射面，因此，能够提高反射部30的反射效率。另外，凹部91和凹部92与Cs金属层56的整形形状相应而形成，因此，能够容易地调节凹部的形状、深度和斜面倾斜角。
在本实施方式中，使Cs金属层56的凸状部分89为由上部69’和下部70构成的两层构造，但也能够设置3层以上的台阶差而形成凸状部分89。在该情况下，在反射层63中形成的凹部92的内侧进一步形成凹部，能够得到更高的反射效率。
在上述的实施方式中，在反射层63的表面形成的凹部91和凹部92，当垂直于基板观看时，形成为同心圆状。但是，并不限于此，也能够配置成使得凹部91与凹部92的中心不同。另外，也可以使凹部91与凹部92的周围的一部分重合。在这些情况下，也能够在反射层63的表面形成大量具有台阶差的凹凸，由此能够扩大有效反射面。
(实施方式4)
以下，参照附图对本发明的液晶显示装置的第四实施方式进行说明。此外，对于与实施方式1～3的结构要素相同的要素，标注相同的参照符号，省略其说明。
图14是示意性地表示本实施方式的液晶显示装置的截面形状的图。该液晶显示装置为从实施方式1～3的液晶显示装置除去层间绝缘层26而得到的液晶显示装置，除了以下说明的方面以外，与实施方式1～3的显示装置相同。此外，在图14中，对于对置基板14的详细构造和TFT部32，省略图示。
如图所示，在本实施方式的液晶显示装置中，不形成层间绝缘层，因此，像素电极28隔着未图示的绝缘膜形成在反射部30和TFT部32的反射层63上。反射部30和TFT部32的构造和制造方法，除了层间绝缘层26被除去以外，与实施方式1的液晶显示装置同样。另外，液晶显示装置的像素配置和配线构造也与图2(a)所示的同样。
根据该结构，也能够与实施方式1～3同样，扩大反射层63的有效反射面的面积，使更多的光反射到显示面40。
在上述的实施方式中，Cs金属层56的凹部57被形成为圆形，但凹部57也可以形成为椭圆形、三角形、四边形等多边形、凹部的边缘为锯齿状的形状、或者将这些形状组合而成的形状等各种形状。
本发明的液晶显示装置也包括利用液晶面板的显示装置、电视、便携式电话等。另外，本实施方式使用半透过型液晶显示装置作为例子，但是具有与上述反射部同样形态的反射型液晶显示装置等也包括在本申请发明的一个方式中。
本申请发明的液晶显示装置由上述的制造方法形成，因此，能够利用与透过型的液晶显示装置相同的材料和工序制造。因此，能够以低成本提供反射效率高的液晶显示装置。
产业上的可利用性
根据本发明，能够提供低成本且高画质的半透过型和反射型的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置可适合用于例如便携式电话、汽车导航仪等车载显示装置、ATM和售货机等的显示装置、便携式显示装置、笔记本型PC等利用反射光进行显示的半透过型和反射型的液晶显示装置。

Claims (26)

1.一种液晶显示装置，其包括使入射光向显示面反射的反射区域，其特征在于：
所述反射区域包括金属层、在所述金属层上形成的绝缘层、在所述绝缘层上形成的半导体层、和在所述半导体层上形成的反射层，
在所述金属层、所述绝缘层和所述半导体层中的至少1个中形成有多个凹部，
在所述反射区域的所述反射层中形成有与所述多个凹部相应的多个凹陷，
所述多个凹部中的至少2个凹部的端部间的最短距离为4μm以下。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述至少2个凹部的端部间的最短距离为1μm以上。
3.如权利要求1或2所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述多个凹部中的至少1个凹部的最大宽度为15μm以下。
4.如权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述至少1个凹部的最大宽度为2μm以上。
5.如权利要求1～4中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述多个凹部中的任意一个凹部的端部与位于距离所述任意一个凹部最近的位置的另一个凹部的端部之间的最短距离为4μm以下。
6.一种液晶显示装置，其包括使入射光向显示面反射的反射区域，其特征在于：
所述反射区域包括金属层、在所述金属层上形成的绝缘层、在所述绝缘层上形成的半导体层、和在所述半导体层上形成的反射层，
在所述金属层、所述绝缘层和所述半导体层中的至少1个中形成有多个凸部，
在所述反射区域的所述反射层中形成有与所述多个凸部相应的多个隆起部，
所述多个凸部中的至少1个凸部的最大宽度为5μm以下。
7.如权利要求6所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述至少1个凸部的最大宽度为2μm以上。
8.如权利要求6或7所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述多个凸部中的至少2个凸部的端部间的最短距离为15μm以下。
9.如权利要求8所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述至少2个凸部的端部间的最短距离为3μm以上。
10.如权利要求6～9中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述多个凸部中的任意一个凸部的端部与位于距离所述任意一个凸部最近的位置的另一个凸部的端部之间的最短距离为15μm以下。
11.一种液晶显示装置的制造方法，所述液晶显示装置包括使入射光向显示面反射的反射区域，所述制造方法的特征在于，包括：
在基板上形成金属层的步骤；
在所述金属层上形成绝缘层的步骤；
在所述绝缘层上形成半导体层的步骤；和
在所述半导体层上形成反射层的步骤，
在所述金属层、所述绝缘层和所述半导体层中的至少1个中形成有多个凹部，
在形成所述反射层的步骤中，在所述反射区域的所述反射层中形成与所述多个凹部相应的多个凹陷，
所述多个凹部中的至少2个凹部的端部间的最短距离为4μm以下。
12.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于：
所述至少2个凹部的端部间的最短距离为1μm以上。
13.如权利要求11或12所述的制造方法，其特征在于：
所述多个凹部中的至少1个凹部的最大宽度为15μm以下。
14.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于：
所述至少1个凹部的最大宽度为2μm以上。
15.如权利要求11～14中任一项所述的制造方法，其特征在于：
所述多个凹部中的任意一个凹部的端部与位于距离所述任意一个凹部最近的位置的另一个凹部的端部之间的最短距离为4μm以下。
16.如权利要求11～15中任一项所述的制造方法，其特征在于：
在形成所述金属层的步骤中，使用光刻法在所述金属层中形成所述多个凹部，并且形成栅极总线和辅助电容线中的至少一个，
用于形成所述多个凹部的抗蚀剂膜的膜厚比用于形成所述栅极总线和所述辅助电容线中的至少一个的抗蚀剂膜的膜厚薄。
17.一种液晶显示装置的制造方法，所述液晶显示装置包括使入射光向显示面反射的反射区域，所述制造方法的特征在于，包括：
在基板上形成金属层的步骤；
在所述金属层上形成绝缘层的步骤；
在所述绝缘层上形成半导体层的步骤；和
在所述半导体层上形成反射层的步骤，
在所述金属层、所述绝缘层和所述半导体层中的至少1个中形成有多个凸部，
在形成所述反射层的步骤中，在所述反射区域的所述反射层中形成与所述多个凸部相应的多个隆起部，
所述多个凸部中的至少1个凸部的最大宽度为5μm以下。
18.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于：
所述至少1个凸部的最大宽度为2μm以上。
19.如权利要求17或18所述的制造方法，其特征在于：
所述多个凸部中的至少2个凸部的端部间的最短距离为15μm以下。
20.如权利要求19所述的制造方法，其特征在于：
所述至少2个凸部的端部间的最短距离为3μm以上。
21.如权利要求17～20中任一项所述的制造方法，其特征在于：
所述多个凸部中的任意一个凸部的端部与位于距离所述任意一个凸部最近的位置的另一个凸部的端部之间的最短距离为15μm以下。
22.如权利要求17～21中任一项所述的制造方法，其特征在于：
在形成所述金属层的步骤中，利用光刻法在所述金属层中形成所述多个凸部，并且形成栅极总线和辅助电容线中的至少一个，
用于形成所述多个凸部的抗蚀剂膜的膜厚比用于形成所述栅极总线和所述辅助电容线中的至少一个的抗蚀剂膜的膜厚薄。
23.一种液晶显示装置，其包括使入射光向显示面反射的反射区域，其特征在于：
所述反射区域包括金属层、在所述金属层上形成的绝缘层、和在所述绝缘层上形成的反射层，
在所述金属层和所述绝缘层中的至少1个中形成有多个凹部，
在所述反射区域的所述反射层中形成有与所述多个凹部相应的多个凹陷，
所述多个凹部中的至少2个凹部的端部间的最短距离为4μm以下。
24.一种液晶显示装置，其包括使入射光向显示面反射的反射区域，其特征在于：
所述反射区域包括金属层、在所述金属层上形成的绝缘层、和在所述绝缘层上形成的反射层，
在所述金属层和所述绝缘层中的至少1个中形成有多个凸部，
在所述反射区域的所述反射层中形成有与所述多个凸部相应的多个隆起部，
所述多个凸部中的至少1个凸部的最大宽度为5μm以下。
25.一种液晶显示装置的制造方法，所述液晶显示装置包括使入射光向显示面反射的反射区域，所述制造方法的特征在于，包括：
在基板上形成金属层的步骤；
在所述金属层上形成绝缘层的步骤；和
在所述绝缘层上形成反射层的步骤，
在所述金属层和所述绝缘层中的至少1个中形成有多个凹部，
在形成所述反射层的步骤中，在所述反射区域的所述反射层中形成与所述多个凹部相应的多个凹陷，
所述多个凹部中的至少2个凹部的端部间的最短距离为4μm以下。
26.一种液晶显示装置的制造方法，所述液晶显示装置包括使入射光向显示面反射的反射区域，所述制造方法的特征在于，包括：
在基板上形成金属层的步骤；
在所述金属层上形成绝缘层的步骤；和
在所述绝缘层上形成反射层的步骤，
在所述金属层和所述绝缘层中的至少1个中形成有多个凸部，
在形成所述反射层的步骤中，在所述反射区域的所述反射层中形成与所述多个凸部相应的多个隆起部，
所述多个凸部中的至少1个凸部的最大宽度为5μm以下。
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