JP2003202597A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高品位の表示が可能な開口率の高い液晶表示
装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 第１基板１と、第１基板１に対向するよ
うに配置された第２基板２と、第１基板１と第２基板２
との間に設けられた液晶層３とを有する。第１基板は、
第１方向および第２方向に沿ってマトリクス状に配列さ
れた画素電極１６と、第１方向に延びる基準信号線１２
と、画素電極１６と基準信号線１２とに接続されたスイ
ッチング素子１５と、第１方向に沿って互いに隣接する
画素電極１６の間隙を遮光する第１遮光部１３を有す
る。第２基板２は、液晶層３を介して画素電極１６と対
向するように配列された第２方向に延びるデータ電極１
９と、第１方向に沿って互いに隣接するデータ電極１９
ａ、１９ｂの間隙を遮光する第２遮光部１８ｃを有す
る。
装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 第１基板１と、第１基板１に対向するよ
うに配置された第２基板２と、第１基板１と第２基板２
との間に設けられた液晶層３とを有する。第１基板は、
第１方向および第２方向に沿ってマトリクス状に配列さ
れた画素電極１６と、第１方向に延びる基準信号線１２
と、画素電極１６と基準信号線１２とに接続されたスイ
ッチング素子１５と、第１方向に沿って互いに隣接する
画素電極１６の間隙を遮光する第１遮光部１３を有す
る。第２基板２は、液晶層３を介して画素電極１６と対
向するように配列された第２方向に延びるデータ電極１
９と、第１方向に沿って互いに隣接するデータ電極１９
ａ、１９ｂの間隙を遮光する第２遮光部１８ｃを有す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス型液晶表示装置およびその製造方法に関する。
クス型液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、時計や電卓などセグメ
ント型の液晶表示装置への活用から始まり、最近では、
薄型、軽量、低消費電力等の特徴を活かし、ワードプロ
セッサ、コンピュータおよびナビゲーションをはじめと
する各種装置のディスプレイとして広く用いられてい
る。特に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や金属−絶縁体
−金属（ＭＩＭ）素子などの能動素子をスイッチング素
子として用い、画素をマトリクス状に配したアクティブ
マトリクス型の液晶表示装置が主流となっている。
ント型の液晶表示装置への活用から始まり、最近では、
薄型、軽量、低消費電力等の特徴を活かし、ワードプロ
セッサ、コンピュータおよびナビゲーションをはじめと
する各種装置のディスプレイとして広く用いられてい
る。特に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や金属−絶縁体
−金属（ＭＩＭ）素子などの能動素子をスイッチング素
子として用い、画素をマトリクス状に配したアクティブ
マトリクス型の液晶表示装置が主流となっている。
【０００３】一般的なＴＦＴ型の液晶表示装置は、走査
線、データ信号線、スイッチング素子および画素電極を
配置した第１ガラス基板と、ブラックマトリクス、カラ
ーフィルタおよび共通電極を配置した第２ガラス基板と
をある間隙を保って互いに対向させ、この間隙に注入さ
れた液晶材料をシール材に封止した構造を有している。
この液晶表示装置では、画素電極にデータ信号線から印
加されるデータ信号電圧と、共通電極に供給される基準
信号電圧（共通電圧ともいう。）との差がそれぞれの画
素の液晶層に印加されることによって画像が表示され
る。
線、データ信号線、スイッチング素子および画素電極を
配置した第１ガラス基板と、ブラックマトリクス、カラ
ーフィルタおよび共通電極を配置した第２ガラス基板と
をある間隙を保って互いに対向させ、この間隙に注入さ
れた液晶材料をシール材に封止した構造を有している。
この液晶表示装置では、画素電極にデータ信号線から印
加されるデータ信号電圧と、共通電極に供給される基準
信号電圧（共通電圧ともいう。）との差がそれぞれの画
素の液晶層に印加されることによって画像が表示され
る。
【０００４】この液晶表示装置の製造プロセスにおいて
は、ＴＦＴが形成された第１ガラス基板（ＴＦＴ基板）
とカラーフィルタ（省略され得る）が形成された基板
（対向基板）とを所定の位置で貼り合せる必要が有り、
貼り合せの位置がずれると光漏れによる表示品位の低下
を招くことがある。位置合せの精度には限界があるの
で、両基板の位置合せにずれが生じても表示品位が低下
しないように、一定のマージンを設けてＴＦＴ基板およ
び対向基板は作製されている。しかしながら、ＴＦＴ基
板および対向基板の遮光部にマージンを設けると、開口
率（画素として利用できる面積比率）が減少し、液晶表
示装置の表示品位が低下する。
は、ＴＦＴが形成された第１ガラス基板（ＴＦＴ基板）
とカラーフィルタ（省略され得る）が形成された基板
（対向基板）とを所定の位置で貼り合せる必要が有り、
貼り合せの位置がずれると光漏れによる表示品位の低下
を招くことがある。位置合せの精度には限界があるの
で、両基板の位置合せにずれが生じても表示品位が低下
しないように、一定のマージンを設けてＴＦＴ基板およ
び対向基板は作製されている。しかしながら、ＴＦＴ基
板および対向基板の遮光部にマージンを設けると、開口
率（画素として利用できる面積比率）が減少し、液晶表
示装置の表示品位が低下する。
【０００５】ＴＦＴ型液晶表示装置の開口率の向上と一
対の基板の貼り合せマージンを拡大するために、特開２
０００−１２２０９２号公報には、ＴＦＴ基板のデータ
信号線の下方に絶縁膜を介してデータ信号線よりも幅の
広い遮光部を設けた構造が提案されている。
対の基板の貼り合せマージンを拡大するために、特開２
０００−１２２０９２号公報には、ＴＦＴ基板のデータ
信号線の下方に絶縁膜を介してデータ信号線よりも幅の
広い遮光部を設けた構造が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報に開示されている構造は、データ信号線よりも幅の広
い遮光部を用いるので、開口率の向上に限界がある。
報に開示されている構造は、データ信号線よりも幅の広
い遮光部を用いるので、開口率の向上に限界がある。
【０００７】また、本発明者が検討した結果、データ信
号線の下部に絶縁層を介して形成された遮光部はデータ
信号線と容量結合し、遮光部が隣接する画素電極と容量
結合することによって表示品位が低下するという問題が
あることが分かった。これは、隣接する画素電極に印加
されている電圧は一般に互いに異なる電圧であり、且
つ、データ信号線で伝播されるデータ信号電圧は時間と
ともに変化する電圧であるためである。上記公報には、
この容量結合の問題が生じないように、遮光部とデータ
信号線との間に介在層を設けることが記載されている
が、容量結合の問題が生じないようにするためには厚い
介在層を設ける必要があり、実用的でない。
号線の下部に絶縁層を介して形成された遮光部はデータ
信号線と容量結合し、遮光部が隣接する画素電極と容量
結合することによって表示品位が低下するという問題が
あることが分かった。これは、隣接する画素電極に印加
されている電圧は一般に互いに異なる電圧であり、且
つ、データ信号線で伝播されるデータ信号電圧は時間と
ともに変化する電圧であるためである。上記公報には、
この容量結合の問題が生じないように、遮光部とデータ
信号線との間に介在層を設けることが記載されている
が、容量結合の問題が生じないようにするためには厚い
介在層を設ける必要があり、実用的でない。
【０００８】一方、データ信号を対向基板側に設けたス
トライプ状のデータ電極に供給し、ＴＦＴに接続された
画素電極には基準信号電圧（共通電圧）を供給するタイ
プ（「対向データ供給型」ということにする。）のＴＦ
Ｔ型液晶表示装置が提案されている（例えば、米国特許
４、６９４、２８７号明細書を参照）。このようなＴＦ
Ｔ型液晶表示装置のＴＦＴ基板では、基準信号電圧は走
査線と平行に延びる基準信号線からＴＦＴを介して画素
電極に供給され、従来の一般的なＴＦＴ型液晶表示装置
におけるデータ信号線のように、走査線の延びる方向に
沿って互いに隣接する画素電極の間に設けられる配線が
存在しない（図４参照）。従って、この隣接する画素電
極の間には遮光膜が設けられておらず、対向基板にのみ
遮光膜（ブラックマトリクス）が設けられていた。
トライプ状のデータ電極に供給し、ＴＦＴに接続された
画素電極には基準信号電圧（共通電圧）を供給するタイ
プ（「対向データ供給型」ということにする。）のＴＦ
Ｔ型液晶表示装置が提案されている（例えば、米国特許
４、６９４、２８７号明細書を参照）。このようなＴＦ
Ｔ型液晶表示装置のＴＦＴ基板では、基準信号電圧は走
査線と平行に延びる基準信号線からＴＦＴを介して画素
電極に供給され、従来の一般的なＴＦＴ型液晶表示装置
におけるデータ信号線のように、走査線の延びる方向に
沿って互いに隣接する画素電極の間に設けられる配線が
存在しない（図４参照）。従って、この隣接する画素電
極の間には遮光膜が設けられておらず、対向基板にのみ
遮光膜（ブラックマトリクス）が設けられていた。
【０００９】また、金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）素子
を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置のＭＩＭ
が形成されている基板（ＭＩＭ基板）も同様の構造を有
しており、対向基板にのみ遮光部が設けられていた。こ
れは、一方の基板にのみ遮光部を設ける方が両方の基板
に遮光部を設けるよりも高い開口率が得られると考えら
れていたためと推察される。
を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置のＭＩＭ
が形成されている基板（ＭＩＭ基板）も同様の構造を有
しており、対向基板にのみ遮光部が設けられていた。こ
れは、一方の基板にのみ遮光部を設ける方が両方の基板
に遮光部を設けるよりも高い開口率が得られると考えら
れていたためと推察される。
【００１０】本発明は上記諸点に鑑みてなされたもので
あり、その主な目的は、高品位の表示が可能な開口率の
高い液晶表示装置およびその製造方法を提供することに
ある。
あり、その主な目的は、高品位の表示が可能な開口率の
高い液晶表示装置およびその製造方法を提供することに
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による液晶表示装
置は、第１基板と、前記第１基板に対向するように配置
された第２基板と、前記第１基板と第２基板との間に設
けられた液晶層とを有し、前記第１基板は、第１方向お
よび第２方向に沿ってマトリクス状に配列された複数の
画素電極と、前記第１方向に延びる複数の基準信号線
と、それぞれが前記複数の画素電極の１つと前記複数の
基準信号線の１つとに接続された複数のスイッチング素
子と、それぞれが前記複数の画素電極の内の前記第１方
向に沿って互いに隣接する画素電極の間隙を遮光する複
数の第１遮光部を有し、前記第２基板は、前記液晶層を
介して前記複数の画素電極と対向するように配列された
前記第２方向に延びる複数のデータ電極と、それぞれが
前記複数のデータ電極の内の前記第１方向に沿って互い
に隣接するデータ電極の間隙を遮光する複数の第２遮光
部を有することを特徴する。
置は、第１基板と、前記第１基板に対向するように配置
された第２基板と、前記第１基板と第２基板との間に設
けられた液晶層とを有し、前記第１基板は、第１方向お
よび第２方向に沿ってマトリクス状に配列された複数の
画素電極と、前記第１方向に延びる複数の基準信号線
と、それぞれが前記複数の画素電極の１つと前記複数の
基準信号線の１つとに接続された複数のスイッチング素
子と、それぞれが前記複数の画素電極の内の前記第１方
向に沿って互いに隣接する画素電極の間隙を遮光する複
数の第１遮光部を有し、前記第２基板は、前記液晶層を
介して前記複数の画素電極と対向するように配列された
前記第２方向に延びる複数のデータ電極と、それぞれが
前記複数のデータ電極の内の前記第１方向に沿って互い
に隣接するデータ電極の間隙を遮光する複数の第２遮光
部を有することを特徴する。
【００１２】第１遮光部と第２遮光部を設けることによ
って、第１遮光部を設けない従来の構成よりも開口率を
向上することができる。また、第１遮光部に最も近い画
素電極には同じ電圧（基準電圧）が供給されるので、第
１遮光部を金属層で形成しても、第１遮光部を介した容
量結合の問題は発生しない。前記スイッチング素子は、
ＭＩＭなどの２端子素子であってもよいし、ＴＦＴなど
の３端子素子であってもよい。
って、第１遮光部を設けない従来の構成よりも開口率を
向上することができる。また、第１遮光部に最も近い画
素電極には同じ電圧（基準電圧）が供給されるので、第
１遮光部を金属層で形成しても、第１遮光部を介した容
量結合の問題は発生しない。前記スイッチング素子は、
ＭＩＭなどの２端子素子であってもよいし、ＴＦＴなど
の３端子素子であってもよい。
【００１３】前記複数のスイッチング素子は、複数の３
端子素子であって、前記第１基板は、前記第１方向に延
びる複数の走査線を有し、前記複数の３端子素子のそれ
ぞれは、前記複数の走査線の１つとも接続されている構
成とすることが好ましい。すなわち、３端子素子を用い
る方が高品位の表示を実現することができる。３端子素
子は典型的にはＴＦＴである。
端子素子であって、前記第１基板は、前記第１方向に延
びる複数の走査線を有し、前記複数の３端子素子のそれ
ぞれは、前記複数の走査線の１つとも接続されている構
成とすることが好ましい。すなわち、３端子素子を用い
る方が高品位の表示を実現することができる。３端子素
子は典型的にはＴＦＴである。
【００１４】前記複数のスイッチング素子のそれぞれは
金属層で形成された電極を有し、前記複数の第１遮光部
は、前記複数のスイッチング素子のそれぞれが有する前
記電極と同じ金属層から形成されていることが好まし
い。このような構成を採用することによって、製造プロ
セスを簡略化するとともに材料を有効に利用することが
できるので、液晶表示装置のコストを低減することがで
きる。スイッチング素子として、ＴＦＴを用いる場合に
はゲート電極と同じ金属層で形成されることが好まし
く、ＭＩＭを用いる場合は下部電極と同じ金属層で形成
されることが好ましい。
金属層で形成された電極を有し、前記複数の第１遮光部
は、前記複数のスイッチング素子のそれぞれが有する前
記電極と同じ金属層から形成されていることが好まし
い。このような構成を採用することによって、製造プロ
セスを簡略化するとともに材料を有効に利用することが
できるので、液晶表示装置のコストを低減することがで
きる。スイッチング素子として、ＴＦＴを用いる場合に
はゲート電極と同じ金属層で形成されることが好まし
く、ＭＩＭを用いる場合は下部電極と同じ金属層で形成
されることが好ましい。
【００１５】前記第１基板は、前記複数の第１遮光部を
覆う絶縁層をさらに有し、前記互いに隣接する画素電極
は、それらの間隙を遮光する前記第１遮光部と部分的に
重なっていることが好ましい。このような構成を採用す
ることによって、光漏れをより確実に防止することがで
きる。
覆う絶縁層をさらに有し、前記互いに隣接する画素電極
は、それらの間隙を遮光する前記第１遮光部と部分的に
重なっていることが好ましい。このような構成を採用す
ることによって、光漏れをより確実に防止することがで
きる。
【００１６】前記互いに隣接するデータ電極は、それら
の間隙を遮光する前記第２遮光部と部分的に重なってい
ることが好ましい。このような構成を採用することによ
って、光漏れをより確実に防止することができる。ま
た、第２基板にカラーフィルタ層を設ける場合には、第
２遮光部は樹脂を用いて、カラーフィルタ層と一体に形
成されることが好ましい。
の間隙を遮光する前記第２遮光部と部分的に重なってい
ることが好ましい。このような構成を採用することによ
って、光漏れをより確実に防止することができる。ま
た、第２基板にカラーフィルタ層を設ける場合には、第
２遮光部は樹脂を用いて、カラーフィルタ層と一体に形
成されることが好ましい。
【００１７】前記複数の第１遮光部は、前記複数の走査
線および／または前記複数の基準信号線と交差しないよ
うに設けられていることが好ましい。第１遮光部が絶縁
層を介して配線と交差すると寄生容量が生じるので、信
号の遅延や波形の変形が起こり、表示品位が低下するこ
とがある。また、第１遮光部の電位が変動し、画素電極
との容量結合によって表示品位が低下することがある。
第１遮光部は、もちろん、走査線および基準信号線と電
気的に接続されていないことが好ましい。
線および／または前記複数の基準信号線と交差しないよ
うに設けられていることが好ましい。第１遮光部が絶縁
層を介して配線と交差すると寄生容量が生じるので、信
号の遅延や波形の変形が起こり、表示品位が低下するこ
とがある。また、第１遮光部の電位が変動し、画素電極
との容量結合によって表示品位が低下することがある。
第１遮光部は、もちろん、走査線および基準信号線と電
気的に接続されていないことが好ましい。
【００１８】前記複数の第２遮光部のそれぞれの幅をＷ
BM、前記互いに隣接するデータ電極の間隙の幅をＷS、
前記複数の第２遮光部のそれぞれと前記複数のデータ電
極のそれぞれとの最小重なり幅をＷO、前記第１基板と
前記第２基板との前記第１方向における位置合せのずれ
を±Ｍ、前記複数の第１遮光部のそれぞれの幅をＷLSと
するとき、ＷBM≧ＷS＋２ＷO、且つ、ＷBM≧２Ｍ−ＷLS
の関係を満足することが好ましい。
BM、前記互いに隣接するデータ電極の間隙の幅をＷS、
前記複数の第２遮光部のそれぞれと前記複数のデータ電
極のそれぞれとの最小重なり幅をＷO、前記第１基板と
前記第２基板との前記第１方向における位置合せのずれ
を±Ｍ、前記複数の第１遮光部のそれぞれの幅をＷLSと
するとき、ＷBM≧ＷS＋２ＷO、且つ、ＷBM≧２Ｍ−ＷLS
の関係を満足することが好ましい。
【００１９】前記隣接する画素電極の間隙の幅をＷPと
すると、ＷBM＜２Ｍ＋ＷPの関係を満足することがさら
に好ましい。
すると、ＷBM＜２Ｍ＋ＷPの関係を満足することがさら
に好ましい。
【００２０】前記複数の画素電極は、前記複数の画素電
極のそれぞれが対向する前記複数のデータ電極の内の１
つと、これらの間に位置する前記液晶層とによって、そ
れぞれが画素に対応付けられる複数の液晶容量を規定
し、前記複数の液晶容量の内の任意の１つの静電容量Ｃ
LCが、前記任意の１つの液晶容量を規定する画素電極と
部分的に重なる前記第１遮光部を介して受ける容量変動
ΔＣの大きさは、ＣLCの１０分の１以下であることが好
ましい。本発明の構成を採用すると、液晶容量に並列に
接続された補助容量を設けなくとも高品位の表示を実現
できるが、容量変動ΔＣの大きさは液晶容量ＣLCの１０
分の１以下とすることが好ましい。言い換えると、本発
明の構成を採用すると、第１遮光部を介した容量変動Δ
Ｃの大きさを液晶容量ＣLCの１０分の１以下にすること
ができるので、補助容量を設けなくとも高品位の表示を
行うことが可能となる。
極のそれぞれが対向する前記複数のデータ電極の内の１
つと、これらの間に位置する前記液晶層とによって、そ
れぞれが画素に対応付けられる複数の液晶容量を規定
し、前記複数の液晶容量の内の任意の１つの静電容量Ｃ
LCが、前記任意の１つの液晶容量を規定する画素電極と
部分的に重なる前記第１遮光部を介して受ける容量変動
ΔＣの大きさは、ＣLCの１０分の１以下であることが好
ましい。本発明の構成を採用すると、液晶容量に並列に
接続された補助容量を設けなくとも高品位の表示を実現
できるが、容量変動ΔＣの大きさは液晶容量ＣLCの１０
分の１以下とすることが好ましい。言い換えると、本発
明の構成を採用すると、第１遮光部を介した容量変動Δ
Ｃの大きさを液晶容量ＣLCの１０分の１以下にすること
ができるので、補助容量を設けなくとも高品位の表示を
行うことが可能となる。
【００２１】本発明による液晶表示装置の製造方法は、
前記複数の第２遮光部のそれぞれの幅をＷBM、前記互い
に隣接するデータ電極の間隙の幅をＷS、前記複数の第
２遮光部のそれぞれと前記複数のデータ電極のそれぞれ
との最小重なり幅をＷO、前記第１基板と前記第２基板
との前記第１方向における位置合せマージンを±Ｍ、前
記複数の第１遮光部のそれぞれの幅をＷLSとするとき、
ＷBM≧ＷS＋２ＷO、且つ、ＷBM≧２Ｍ−ＷLSの関係を満
足する前記第１基板および前記第２基板を用意する工程
を含むことを特徴とする。
前記複数の第２遮光部のそれぞれの幅をＷBM、前記互い
に隣接するデータ電極の間隙の幅をＷS、前記複数の第
２遮光部のそれぞれと前記複数のデータ電極のそれぞれ
との最小重なり幅をＷO、前記第１基板と前記第２基板
との前記第１方向における位置合せマージンを±Ｍ、前
記複数の第１遮光部のそれぞれの幅をＷLSとするとき、
ＷBM≧ＷS＋２ＷO、且つ、ＷBM≧２Ｍ−ＷLSの関係を満
足する前記第１基板および前記第２基板を用意する工程
を含むことを特徴とする。
【００２２】前記第１基板および前記第２基板は、前記
隣接する画素電極の間隙の幅をＷPとすると、ＷBM＜２
Ｍ＋ＷPの関係を満足することが好ましい。
隣接する画素電極の間隙の幅をＷPとすると、ＷBM＜２
Ｍ＋ＷPの関係を満足することが好ましい。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
による実施形態のＴＦＴ型液晶表示装置１００の構造を
説明する。本発明は例示する液晶表示装置に限られず、
ＴＦＴ以外の３端子素子やＭＩＭなどの２端子素子を用
いたアクティブマトリクス型液晶表示装置に適用され得
る。また、透過型液晶表示装置を例示するが、透過光を
用いて表示を行う他の液晶表示装置、例えば、半透過型
液晶表示装置（両用型を含む）にも適用できる。
による実施形態のＴＦＴ型液晶表示装置１００の構造を
説明する。本発明は例示する液晶表示装置に限られず、
ＴＦＴ以外の３端子素子やＭＩＭなどの２端子素子を用
いたアクティブマトリクス型液晶表示装置に適用され得
る。また、透過型液晶表示装置を例示するが、透過光を
用いて表示を行う他の液晶表示装置、例えば、半透過型
液晶表示装置（両用型を含む）にも適用できる。
【００２４】実施形態の液晶表示装置１００の上面図を
図１に示し、図１の２Ａ−２Ａ’断面図を図２（ａ）に
示す。図２（ｂ）は、液晶表示装置１００の第１基板と
第２基板との貼り合せにおいてＭの位置ずれが生じた場
合の断面図を示している。なお、図１では、簡単のため
に対向基板２の一部の構成要素を省略している。
図１に示し、図１の２Ａ−２Ａ’断面図を図２（ａ）に
示す。図２（ｂ）は、液晶表示装置１００の第１基板と
第２基板との貼り合せにおいてＭの位置ずれが生じた場
合の断面図を示している。なお、図１では、簡単のため
に対向基板２の一部の構成要素を省略している。
【００２５】液晶表示装置１００は、ＴＦＴ基板（第１
基板）１と、ＴＦＴ基板１に対向するように配置された
対向基板（第２基板）２と、ＴＦＴ基板１と対向基板２
との間に設けられた液晶層３とを有する。
基板）１と、ＴＦＴ基板１に対向するように配置された
対向基板（第２基板）２と、ＴＦＴ基板１と対向基板２
との間に設けられた液晶層３とを有する。
【００２６】ＴＦＴ基板１は、透明基板（例えばガラス
基板）１０と、透明基板１０上にマトリクス状に配列さ
れた複数の画素電極１６を有している。図１では隣接す
る画素電極を１６ａおよび１６ｂとして示しているが、
画素電極を総称するときには符号１６を用いることにす
る。ここで、例えば、画素電極１６が形成するマトリク
スの行方向（図１の横方向）を第１方向とし、列方向
（図１の縦方向）を第２方向とする。
基板）１０と、透明基板１０上にマトリクス状に配列さ
れた複数の画素電極１６を有している。図１では隣接す
る画素電極を１６ａおよび１６ｂとして示しているが、
画素電極を総称するときには符号１６を用いることにす
る。ここで、例えば、画素電極１６が形成するマトリク
スの行方向（図１の横方向）を第１方向とし、列方向
（図１の縦方向）を第２方向とする。
【００２７】ＴＦＴ基板１は、第１方向に延びる複数の
走査線１１および複数の基準信号線１２と、それぞれが
複数の画素電極１６の１つと基準信号線１２の１つとに
接続された複数のＴＦＴ１５と、それぞれが第１方向に
沿って互いに隣接する画素電極１６ａと１６ｂとの間隙
を遮光する複数の第１遮光部１３を有している。ＴＦＴ
１５のそれぞれは対応する走査線１１に接続され、走査
信号に印加される走査電圧（ゲート電圧）によってオン
／オフが制御される。なお、ここでは、画素電極１６ａ
および１６ｂと第１遮光部１３とが部分的に重なってい
る構成を例示するが、画素電極１６ａおよび１６ｂの端
部が第１遮光部１３の端部と一致するように配置しても
よい。
走査線１１および複数の基準信号線１２と、それぞれが
複数の画素電極１６の１つと基準信号線１２の１つとに
接続された複数のＴＦＴ１５と、それぞれが第１方向に
沿って互いに隣接する画素電極１６ａと１６ｂとの間隙
を遮光する複数の第１遮光部１３を有している。ＴＦＴ
１５のそれぞれは対応する走査線１１に接続され、走査
信号に印加される走査電圧（ゲート電圧）によってオン
／オフが制御される。なお、ここでは、画素電極１６ａ
および１６ｂと第１遮光部１３とが部分的に重なってい
る構成を例示するが、画素電極１６ａおよび１６ｂの端
部が第１遮光部１３の端部と一致するように配置しても
よい。
【００２８】対向基板２は、透明基板（例えばガラス基
板）１７と、液晶層３を介して複数の画素電極１６と対
向するように配列された第２方向に延びる複数のデータ
電極１９と、それぞれが第１方向に沿って互いに隣接す
るデータ電極１９ａとデータ電極１９ｂとの間隙を遮光
する複数の第２遮光部１８ｃを有する。
板）１７と、液晶層３を介して複数の画素電極１６と対
向するように配列された第２方向に延びる複数のデータ
電極１９と、それぞれが第１方向に沿って互いに隣接す
るデータ電極１９ａとデータ電極１９ｂとの間隙を遮光
する複数の第２遮光部１８ｃを有する。
【００２９】この液晶表示装置１００において、複数の
画素電極１６は、複数の画素電極１６のそれぞれが対向
する複数のデータ電極１９の内の１つと、これらの間に
位置する液晶層３とによって、それぞれが画素に対応付
けられる複数の液晶容量を規定しており、液晶容量に印
加する電圧を変化させることによって液晶層の光学的な
状態を変化させ、表示を行う。典型的には、液晶層３は
ＴＮ型液晶層で、液晶表示装置１００は不図示の一対の
偏光板を有する。
画素電極１６は、複数の画素電極１６のそれぞれが対向
する複数のデータ電極１９の内の１つと、これらの間に
位置する液晶層３とによって、それぞれが画素に対応付
けられる複数の液晶容量を規定しており、液晶容量に印
加する電圧を変化させることによって液晶層の光学的な
状態を変化させ、表示を行う。典型的には、液晶層３は
ＴＮ型液晶層で、液晶表示装置１００は不図示の一対の
偏光板を有する。
【００３０】後に詳述するように、ＴＦＴ基板１に第１
遮光部１３を設け、対向基板２に第２遮光部１８ｃを設
けることによって、ＴＦＴ基板１に遮光部を設けない構
成（図４参照）に比べ、第２遮光部１８ｃの幅（第１方
向に沿った幅）ＷBMを狭くすることが可能となり、開口
率を向上することができる。また、第１遮光部１３に最
も近い電極（または配線）は、第１方向に沿って互いに
隣接する画素電極１６ａおよび１６ｂであり、この画素
電極１６ａおよび１６ｂには同じ電圧（基準信号電圧）
が供給されるので、第１遮光部１３を介した容量結合に
よって、これらの画素電極１６ａおよび１６ｂの電圧が
変動することは実質的にない。また、第１遮光部１３は
液晶層３を介して、互いに隣接する一対のデータ電極１
９ａおよび１９ｂと対向するが、その距離は十分に長く
（例えば液晶層３の厚さは５μｍ）、その容量結合によ
る画素容量の変動量は僅かであり、表示品位が低下する
ことはない。
遮光部１３を設け、対向基板２に第２遮光部１８ｃを設
けることによって、ＴＦＴ基板１に遮光部を設けない構
成（図４参照）に比べ、第２遮光部１８ｃの幅（第１方
向に沿った幅）ＷBMを狭くすることが可能となり、開口
率を向上することができる。また、第１遮光部１３に最
も近い電極（または配線）は、第１方向に沿って互いに
隣接する画素電極１６ａおよび１６ｂであり、この画素
電極１６ａおよび１６ｂには同じ電圧（基準信号電圧）
が供給されるので、第１遮光部１３を介した容量結合に
よって、これらの画素電極１６ａおよび１６ｂの電圧が
変動することは実質的にない。また、第１遮光部１３は
液晶層３を介して、互いに隣接する一対のデータ電極１
９ａおよび１９ｂと対向するが、その距離は十分に長く
（例えば液晶層３の厚さは５μｍ）、その容量結合によ
る画素容量の変動量は僅かであり、表示品位が低下する
ことはない。
【００３１】ここで例示するＴＦＴ１５は逆スタガー型
（ボトムゲート型）の公知のＴＦＴなので、その構造の
説明は省略する。
（ボトムゲート型）の公知のＴＦＴなので、その構造の
説明は省略する。
【００３２】図２（ａ）に模式的に示したように、第１
遮光部１３は透明基板１０の表面に形成されている。従
って、第１遮光部１３をＴＦＴ１５のゲート電極（不図
示）と同一の金属層を用いて形成することができる。こ
のような構成を採用することによって、製造プロセスを
簡略化するとともに材料を有効に利用することができる
ので、液晶表示装置１００のコストを低減することがで
きる。スイッチング素子としてＭＩＭを用いる場合は、
ＭＩＭの下部電極と同じ金属層で第１遮光部１３を形成
することが好ましい。
遮光部１３は透明基板１０の表面に形成されている。従
って、第１遮光部１３をＴＦＴ１５のゲート電極（不図
示）と同一の金属層を用いて形成することができる。こ
のような構成を採用することによって、製造プロセスを
簡略化するとともに材料を有効に利用することができる
ので、液晶表示装置１００のコストを低減することがで
きる。スイッチング素子としてＭＩＭを用いる場合は、
ＭＩＭの下部電極と同じ金属層で第１遮光部１３を形成
することが好ましい。
【００３３】第１遮光部１３は、ＴＦＴ１５のゲート絶
縁層１４の延設部によって覆われ、このゲート絶縁層１
４上の所定の位置に画素電極１６が形成されている。こ
のとき、互いに隣接する画素電極１６ａおよび１６ｂ
は、第１遮光部１３と部分的に重なっていることが好ま
しい。このような構成を採用することによって、光漏れ
をより確実に防止することができる。
縁層１４の延設部によって覆われ、このゲート絶縁層１
４上の所定の位置に画素電極１６が形成されている。こ
のとき、互いに隣接する画素電極１６ａおよび１６ｂ
は、第１遮光部１３と部分的に重なっていることが好ま
しい。このような構成を採用することによって、光漏れ
をより確実に防止することができる。
【００３４】対向基板２においても同様に、互いに隣接
するデータ電極１９ａおよび１９ｂは、第２遮光部１８
ｃと部分的に重なっていることが好ましい。また、対向
基板２にカラーフィルタ層１８ａおよび１８ｂを設ける
場合には、第２遮光部１８ｃはカラーフィルタ層１８ａ
および１８ｂと一体に形成されることが好ましい。カラ
ーフィルタ層１８ａおよび１８ｂと第２遮光部１８ｃは
樹脂で形成されることが好ましい。これらは公知の方法
で形成することができる。
するデータ電極１９ａおよび１９ｂは、第２遮光部１８
ｃと部分的に重なっていることが好ましい。また、対向
基板２にカラーフィルタ層１８ａおよび１８ｂを設ける
場合には、第２遮光部１８ｃはカラーフィルタ層１８ａ
および１８ｂと一体に形成されることが好ましい。カラ
ーフィルタ層１８ａおよび１８ｂと第２遮光部１８ｃは
樹脂で形成されることが好ましい。これらは公知の方法
で形成することができる。
【００３５】第２遮光部１８ｃはストライプ状のデータ
電極１９ａおよび１９ｂの間を遮光するように、ストラ
イプ状に設けることが好ましいが、第１遮光部１３は、
基準信号線１２と交差しないように設けることが好まし
い。第１遮光部１３がゲート絶縁層１４を介して基準信
号線１２と交差すると、交差部に寄生容量が生じるの
で、信号の遅延や波形の変形が起こり、表示品位が低下
することがある。また、第１遮光部１３の電位が基準信
号の影響を受けて変動し、画素電極１６ａおよび１６ｂ
との容量結合によって表示品位が低下することがある。
第１遮光部は、もちろん、走査線１１および基準信号線
１２と電気的に接続されていないことが好ましい。ま
た、画素電極１６ａおよび１６ｂの第２方向に沿った辺
の全領域と重なることが好ましい。
電極１９ａおよび１９ｂの間を遮光するように、ストラ
イプ状に設けることが好ましいが、第１遮光部１３は、
基準信号線１２と交差しないように設けることが好まし
い。第１遮光部１３がゲート絶縁層１４を介して基準信
号線１２と交差すると、交差部に寄生容量が生じるの
で、信号の遅延や波形の変形が起こり、表示品位が低下
することがある。また、第１遮光部１３の電位が基準信
号の影響を受けて変動し、画素電極１６ａおよび１６ｂ
との容量結合によって表示品位が低下することがある。
第１遮光部は、もちろん、走査線１１および基準信号線
１２と電気的に接続されていないことが好ましい。ま
た、画素電極１６ａおよび１６ｂの第２方向に沿った辺
の全領域と重なることが好ましい。
【００３６】次に、図２を参照しながら光漏れを防止す
るための好ましい構成について説明する。
るための好ましい構成について説明する。
【００３７】第２遮光部１８ｃの幅をＷBM、互いに隣接
するデータ電極１９ａと１９ｂとの間隙の幅をＷS、第
２遮光部１８ｃとデータ電極１９ａおよび１９ｂのそれ
ぞれとの最小重なり幅をＷO、ＴＦＴ基板１と対向基板
２との第１方向における位置合せのずれ（すなわち貼り
合せのマージンに対応する）を±Ｍ（符号は第１方向に
対して決められ、一方を正、逆方向を負とする。）、第
１遮光部１３の幅をＷ LSとするとき、 ＷBM≧ＷS＋２ＷO （式１） 且つ、 ＷBM≧２Ｍ−ＷLS （式２） の関係を満足するときに、完全に遮光できる。
するデータ電極１９ａと１９ｂとの間隙の幅をＷS、第
２遮光部１８ｃとデータ電極１９ａおよび１９ｂのそれ
ぞれとの最小重なり幅をＷO、ＴＦＴ基板１と対向基板
２との第１方向における位置合せのずれ（すなわち貼り
合せのマージンに対応する）を±Ｍ（符号は第１方向に
対して決められ、一方を正、逆方向を負とする。）、第
１遮光部１３の幅をＷ LSとするとき、 ＷBM≧ＷS＋２ＷO （式１） 且つ、 ＷBM≧２Ｍ−ＷLS （式２） の関係を満足するときに、完全に遮光できる。
【００３８】一般的に、ＴＦＴ基板１の製造プロセスで
はステッパ露光方式が採用され、対向基板２の製造プロ
セスではプロキシ露光方式が採用されるため、各層の重
ね合せ精度および加工精度は、ＴＦＴ基板１の方が優れ
ている。
はステッパ露光方式が採用され、対向基板２の製造プロ
セスではプロキシ露光方式が採用されるため、各層の重
ね合せ精度および加工精度は、ＴＦＴ基板１の方が優れ
ている。
【００３９】上述のような製造方法を採用すると、デー
タ電極１９ａと１９ｂの間隔ＷSを５μｍ、第２遮光部
１８ｃとデータ電極１９ａおよび１９ｂとの重ね量ＷO
を３μｍ、画素電極１６ａと１６ｂとの間隔ＷPを５μ
ｍ、第１遮光部１３と画素電極１６ａおよび１６ｂの重
なり量を１μｍ、つまり第１遮光部１３の幅ＷLSを７μ
ｍとし、貼り合せマージンＭを±５μｍとする。この貼
り合せマージンはＴＦＴ基板１と対向基板２とを対向さ
せて貼り合せる際のずれに対する許容量をさす。第２遮
光部１８ｃに対するデータ電極１９ａおよび１９ｂの重
ね合せ量と、第１遮光部１３に対する画素電極１６ａお
よび１６ｂの重ね量が異なるのは、上述のような露光方
式による加工精度に違いが有るためである。
タ電極１９ａと１９ｂの間隔ＷSを５μｍ、第２遮光部
１８ｃとデータ電極１９ａおよび１９ｂとの重ね量ＷO
を３μｍ、画素電極１６ａと１６ｂとの間隔ＷPを５μ
ｍ、第１遮光部１３と画素電極１６ａおよび１６ｂの重
なり量を１μｍ、つまり第１遮光部１３の幅ＷLSを７μ
ｍとし、貼り合せマージンＭを±５μｍとする。この貼
り合せマージンはＴＦＴ基板１と対向基板２とを対向さ
せて貼り合せる際のずれに対する許容量をさす。第２遮
光部１８ｃに対するデータ電極１９ａおよび１９ｂの重
ね合せ量と、第１遮光部１３に対する画素電極１６ａお
よび１６ｂの重ね量が異なるのは、上述のような露光方
式による加工精度に違いが有るためである。
【００４０】式１から、第２遮光部１８ｃの幅ＷBMは５
＋６＝１１μｍ以上であることが要求され、式２から、
第２遮光部１８ｃの幅ＷBMは１０−７＝３μｍ以上であ
ることが要求されるので、結局、第２遮光部１８ｃの幅
ＷBMは１１μｍ以上必要となる。ここでは、最小の値に
するため１１μｍで第２遮光部１８ｃを形成した。
＋６＝１１μｍ以上であることが要求され、式２から、
第２遮光部１８ｃの幅ＷBMは１０−７＝３μｍ以上であ
ることが要求されるので、結局、第２遮光部１８ｃの幅
ＷBMは１１μｍ以上必要となる。ここでは、最小の値に
するため１１μｍで第２遮光部１８ｃを形成した。
【００４１】この様に設計された液晶表示装置の貼り合
せ工程において、貼り合せマージンの最大許容量５μｍ
のずれが生じた際の断面図を図２（ｂ）に示している。
図２（ｂ）から分かるように、ＴＦＴ基板１の裏面から
入射するバックライトの光は第１遮光部１３により遮光
され、表示に悪影響を与えない。
せ工程において、貼り合せマージンの最大許容量５μｍ
のずれが生じた際の断面図を図２（ｂ）に示している。
図２（ｂ）から分かるように、ＴＦＴ基板１の裏面から
入射するバックライトの光は第１遮光部１３により遮光
され、表示に悪影響を与えない。
【００４２】比較のために、図３および図４（ａ）およ
び（ｂ）を参照しながら、ＴＦＴ基板１’に第１遮光部
１３を設けていない液晶表示装置２００の構成を説明す
る。図４（ａ）および（ｂ）は、図３の４Ａ−４Ａ’に
沿った断面図である。
び（ｂ）を参照しながら、ＴＦＴ基板１’に第１遮光部
１３を設けていない液晶表示装置２００の構成を説明す
る。図４（ａ）および（ｂ）は、図３の４Ａ−４Ａ’に
沿った断面図である。
【００４３】ＴＦＴ基板１’は、透明基板２０と、透明
基板２０上に設けられたゲート絶縁膜２４と、ゲート絶
縁膜２４に設けられた画素電極２６ａおよび２６ｂを有
している。対向基板２’は、透明基板２７と、透明基板
２７上に形成されたカラーフィルタ層２８ａおよび２８
ｃと第２遮光部２８ｃを有している。このＴＦＴ基板
１’と対向基板２’との間に液晶層３’が挟持されてい
る。
基板２０上に設けられたゲート絶縁膜２４と、ゲート絶
縁膜２４に設けられた画素電極２６ａおよび２６ｂを有
している。対向基板２’は、透明基板２７と、透明基板
２７上に形成されたカラーフィルタ層２８ａおよび２８
ｃと第２遮光部２８ｃを有している。このＴＦＴ基板
１’と対向基板２’との間に液晶層３’が挟持されてい
る。
【００４４】図４（ａ）から分かるように、第２遮光部
２８ｃの幅をＷBM’、互いに隣接するデータ電極２９ａ
と２９ｂとの間隙の幅をＷS、第２遮光部２８ｃとデー
タ電極２９ａと２９ｂのそれぞれとの最小重なり幅をＷ
O、ＴＦＴ基板１’と対向基板２’との第１方向におけ
る位置合せのずれを±Ｍとするとき、 ＷBM’≧ＷS＋２ＷO （式３） 且つ、 ＷBM’≧２Ｍ＋ＷP （式４） の関係を満足するときに、完全に遮光できる。
２８ｃの幅をＷBM’、互いに隣接するデータ電極２９ａ
と２９ｂとの間隙の幅をＷS、第２遮光部２８ｃとデー
タ電極２９ａと２９ｂのそれぞれとの最小重なり幅をＷ
O、ＴＦＴ基板１’と対向基板２’との第１方向におけ
る位置合せのずれを±Ｍとするとき、 ＷBM’≧ＷS＋２ＷO （式３） 且つ、 ＷBM’≧２Ｍ＋ＷP （式４） の関係を満足するときに、完全に遮光できる。
【００４５】それぞれ、本発明の実施形態と同じ大きさ
とすると、式３は式１と同じなので、式３から第２遮光
部２８ｃの幅ＷBM’は１１μｍ以上が要求されるが、式
４からは、第２遮光部１８ｃの幅ＷBM’は５＋１０＝１
５μｍ以上であることが要求される。つまり、図１およ
び図２に示した本発明の実施形態の液晶表示装置１００
は、第１遮光部１３の効果により第２遮光部１８ｃ幅を
比較例の液晶表示装置２００の第２遮光部２８ｃの幅よ
りも４μｍ狭くすることが可能であることがわかる。す
なわち、本発明の実施形態によると、ＷBM＜２Ｍ＋ＷP
の関係を満足しながら、光漏れを防止することができ
る。例えば、８０μｍ×２４０μｍの画素ピッチの液晶
表示装置に適用すると、開口率が５％以上増加した、光
漏れの無い液晶表示装置が得られる。
とすると、式３は式１と同じなので、式３から第２遮光
部２８ｃの幅ＷBM’は１１μｍ以上が要求されるが、式
４からは、第２遮光部１８ｃの幅ＷBM’は５＋１０＝１
５μｍ以上であることが要求される。つまり、図１およ
び図２に示した本発明の実施形態の液晶表示装置１００
は、第１遮光部１３の効果により第２遮光部１８ｃ幅を
比較例の液晶表示装置２００の第２遮光部２８ｃの幅よ
りも４μｍ狭くすることが可能であることがわかる。す
なわち、本発明の実施形態によると、ＷBM＜２Ｍ＋ＷP
の関係を満足しながら、光漏れを防止することができ
る。例えば、８０μｍ×２４０μｍの画素ピッチの液晶
表示装置に適用すると、開口率が５％以上増加した、光
漏れの無い液晶表示装置が得られる。
【００４６】この効果を明確にするために、液晶表示装
置２００の構成において、第２遮光部２８ｃ幅を１１μ
ｍに設定し、さらに貼り合せマージンＭの許容値である
５μｍだけずれた場合の断面図を図４（ｂ）に示す。図
４（ｂ）から分かるようにＴＦＴ基板１’の裏面より入
射する光は画素電極２６ａと２６ｂとの間隙を通りカラ
ーフィルタ２８ｂに入射し、光漏れが生じる。
置２００の構成において、第２遮光部２８ｃ幅を１１μ
ｍに設定し、さらに貼り合せマージンＭの許容値である
５μｍだけずれた場合の断面図を図４（ｂ）に示す。図
４（ｂ）から分かるようにＴＦＴ基板１’の裏面より入
射する光は画素電極２６ａと２６ｂとの間隙を通りカラ
ーフィルタ２８ｂに入射し、光漏れが生じる。
【００４７】次に、本発明の実施形態の液晶表示装置１
００の好ましい製造方法を説明する。
００の好ましい製造方法を説明する。
【００４８】透明基板１０上に、例えば、スパッタ法を
用いて厚さ４００ｎｍのＴａ膜を成膜する。これをフォ
トリソグラフィプロセス（エッチング工程を含む）を経
て、ＴＦＴ１５のゲート電極（不図示）、走査線１１、
基準信号線１２を形成する際に、走査線１１および基準
信号線１２に直交する方向に延び、且つこれらと分離さ
れた遮光部１３を形成する。
用いて厚さ４００ｎｍのＴａ膜を成膜する。これをフォ
トリソグラフィプロセス（エッチング工程を含む）を経
て、ＴＦＴ１５のゲート電極（不図示）、走査線１１、
基準信号線１２を形成する際に、走査線１１および基準
信号線１２に直交する方向に延び、且つこれらと分離さ
れた遮光部１３を形成する。
【００４９】引き続きＣＶＤ法により、例えば、ＳｉＮ
ｘ１４（ゲート絶縁層）を３００ｎｍ、アモルファスＳ
ｉ（以下ａ−Ｓｉと表記する）を１００ｎｍ、ｎ＋Ｓｉ
アモルファスＳｉ（以下ｎ＋Ｓｉと表記する）を１５０
ｎｍの連続成膜を行い、フォトリソグラフィプロセスを
経てａ−Ｓｉ、ｎ＋ＳｉをＴＦＴ１５に対応するように
島状に形成する。
ｘ１４（ゲート絶縁層）を３００ｎｍ、アモルファスＳ
ｉ（以下ａ−Ｓｉと表記する）を１００ｎｍ、ｎ＋Ｓｉ
アモルファスＳｉ（以下ｎ＋Ｓｉと表記する）を１５０
ｎｍの連続成膜を行い、フォトリソグラフィプロセスを
経てａ−Ｓｉ、ｎ＋ＳｉをＴＦＴ１５に対応するように
島状に形成する。
【００５０】続いて、図示は省略するが、パネルの外部
入力端子として周辺接続部のゲート絶縁層１４およびＴ
ＦＴ１５のソース電極と基準信号線１２とを接続するた
めのコンタクトホールを同様なプロセスにより穴あけ加
工を行う。
入力端子として周辺接続部のゲート絶縁層１４およびＴ
ＦＴ１５のソース電極と基準信号線１２とを接続するた
めのコンタクトホールを同様なプロセスにより穴あけ加
工を行う。
【００５１】この後に、例えば、スパッタ法によりＩＴ
Ｏ膜を１５０ｎｍの膜厚で全面に成膜する。さらにフォ
トリソグラフィプロセスを経て画素電極１６およびＴＦ
Ｔ１５のソース電極を基準信号線１２に、ドレイン電極
を画素電極１６にそれぞれ接続する。さらに、エッチン
グ工程等を経て、ＴＦＴ１５のチャネルを形成する。
Ｏ膜を１５０ｎｍの膜厚で全面に成膜する。さらにフォ
トリソグラフィプロセスを経て画素電極１６およびＴＦ
Ｔ１５のソース電極を基準信号線１２に、ドレイン電極
を画素電極１６にそれぞれ接続する。さらに、エッチン
グ工程等を経て、ＴＦＴ１５のチャネルを形成する。
【００５２】画素電極１６のエッチング加工において、
第１遮光部１３を配置する事で隣接する画素電極１６ａ
および１６ｂの短絡による不良を低減することができ
る。
第１遮光部１３を配置する事で隣接する画素電極１６ａ
および１６ｂの短絡による不良を低減することができ
る。
【００５３】ＩＴＯ膜１６を全面に成膜した後の工程を
図５（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。
図５（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。
【００５４】図５（ａ）に示したように、ＩＴＯ膜１６
の上に、ポジ型フォトレジスト３２をスピンコートによ
り全面に塗布を行う。このとき、第１遮光部１３上のフ
ォトレジスト３２の膜厚ｄ１は画素電極１６上のフォト
レジスト３２の膜厚ｄ０に対し第１遮光部１３の膜厚に
相当する４００ｎｍだけ薄くなる。この基板に対し、フ
ォトマスク３３を介して光を照射し画素電極１６を形成
する。
の上に、ポジ型フォトレジスト３２をスピンコートによ
り全面に塗布を行う。このとき、第１遮光部１３上のフ
ォトレジスト３２の膜厚ｄ１は画素電極１６上のフォト
レジスト３２の膜厚ｄ０に対し第１遮光部１３の膜厚に
相当する４００ｎｍだけ薄くなる。この基板に対し、フ
ォトマスク３３を介して光を照射し画素電極１６を形成
する。
【００５５】このとき、エッチングによりＩＴＯ膜１６
の除去すべき画素電極１６ａと１６ｂとの間のレジスト
層３２の厚さは小さいので、少ない露光量でレジストの
感光が可能となり、レジストのサイドシフトが抑えら
れ、所定の画素電極の間隔が選られやすい。
の除去すべき画素電極１６ａと１６ｂとの間のレジスト
層３２の厚さは小さいので、少ない露光量でレジストの
感光が可能となり、レジストのサイドシフトが抑えら
れ、所定の画素電極の間隔が選られやすい。
【００５６】ここでは、画素電極１６上のレジスト膜３
２の厚さｄ０は１０００ｎｍとしたので、第１遮光部１
３の効果により、現像により除去する部分のレジスト層
３２の厚さはｄ１は４０％薄く設定することが可能とな
った。
２の厚さｄ０は１０００ｎｍとしたので、第１遮光部１
３の効果により、現像により除去する部分のレジスト層
３２の厚さはｄ１は４０％薄く設定することが可能とな
った。
【００５７】上述のようにレジストのサイドシフトの抑
制、ひいては、画素電極１６のサイドシフトを抑制する
ことが可能となった。その結果、図５（ｃ）に示した断
面構造を有するＴＦＴ基板１を効率良く作製することが
できる。また、この効果を最大にするためは、第１遮光
部１３は絶縁膜１４を介して重なり合う画素電極１６に
対し、同一若しくは大きく配置することが好ましい。
制、ひいては、画素電極１６のサイドシフトを抑制する
ことが可能となった。その結果、図５（ｃ）に示した断
面構造を有するＴＦＴ基板１を効率良く作製することが
できる。また、この効果を最大にするためは、第１遮光
部１３は絶縁膜１４を介して重なり合う画素電極１６に
対し、同一若しくは大きく配置することが好ましい。
【００５８】レジスト膜３２をポジ型レジストを用いて
形成した例を示したが、ネガ型レジストを用いても同様
の効果を得ることができる。
形成した例を示したが、ネガ型レジストを用いても同様
の効果を得ることができる。
【００５９】
【発明の効果】本発明によると、高品位の表示が可能な
開口率の高い液晶表示装置およびその製造方法が提供さ
れる。すなわち、本発明によると、光漏れが無く、開口
率が高く、且つ、遮光膜を介した容量結合による表示品
位の発生もないアクティブマトリクス型液晶表示装置お
よびその製造方法が提供される。
開口率の高い液晶表示装置およびその製造方法が提供さ
れる。すなわち、本発明によると、光漏れが無く、開口
率が高く、且つ、遮光膜を介した容量結合による表示品
位の発生もないアクティブマトリクス型液晶表示装置お
よびその製造方法が提供される。
【図１】本発明の実施形態の液晶表示装置１００の上面
図である。
図である。
【図２】（ａ）および（ｂ）は、液晶表示装置１００の
断面図である。
断面図である。
【図３】比較例の液晶表示装置２００の上面図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）は、液晶表示装置１００の
断面図である。
断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施形態の液晶表
示装置１００のＴＦＴ基板１の製造工程を説明するため
の断面図である。
示装置１００のＴＦＴ基板１の製造工程を説明するため
の断面図である。
１ ＴＦＴ基板（第１基板）
２ 対向基板（第２基板）
１０、２０ 透明基板
１１、２１ 走査線
１２、２２ 基準信号線
１３、２３ 第１遮光部
１４、２４、 ゲート絶縁層
１５、２５ ＴＦＴ
１６ａ、１６ｂ、２６ａ、２６ｂ 画素電極
１７、２７ 第２の基板
１８ａ、１８ｂ、２８ａ、２８ｂ：カラーフィルタ
１８ｃ、２８ｃ：第２遮光部１８ｃ
１９ａ、１９ｂ、２９ａ、２９ｂ データ電極
３２ フォトレジスト層
３３ フォトマスク
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｇ０９Ｆ 9/35
Ｈ０１Ｌ 21/336 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｚ
29/786
(72)発明者 市岡 秀樹
大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ
ャープ株式会社内
(72)発明者 井上 尚人
大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ
ャープ株式会社内
(72)発明者 藤原 晃史
大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ
ャープ株式会社内
Ｆターム(参考） 2H091 FA02Y FA34Y FB08 FC01
FC10 FC26 GA02 GA03 GA07
GA13 HA07 KA10 LA03 LA16
2H092 GA13 HA04 JA26 NA27 NA29
PA08 PA09 PA11 QA07
5C094 AA06 AA07 AA08 AA09 AA10
AA13 AA16 AA43 AA44 AA48
AA53 BA03 BA43 CA19 CA24
DA12 DA13 DA15 DB01 DB04
EA04 EA05 EA10 EB02 ED03
ED15 FA01 JA01
5F110 AA30 BB01 CC07 DD02 EE04
EE44 FF03 FF29 GG02 GG15
GG43 HK07 HK08 HK09 HK16
HK21 HK33 NN44 NN46 NN72
QQ01 QQ08 QQ09
Claims (11)
- 【請求項１】 第１基板と、前記第１基板に対向するよ
うに配置された第２基板と、前記第１基板と第２基板と
の間に設けられた液晶層とを有し、 前記第１基板は、第１方向および第２方向に沿ってマト
リクス状に配列された複数の画素電極と、前記第１方向
に延びる複数の基準信号線と、それぞれが前記複数の画
素電極の１つと前記複数の基準信号線の１つとに接続さ
れた複数のスイッチング素子と、それぞれが前記複数の
画素電極の内の前記第１方向に沿って互いに隣接する画
素電極の間隙を遮光する複数の第１遮光部を有し、 前記第２基板は、前記液晶層を介して前記複数の画素電
極と対向するように配列された前記第２方向に延びる複
数のデータ電極と、それぞれが前記複数のデータ電極の
内の前記第１方向に沿って互いに隣接するデータ電極の
間隙を遮光する複数の第２遮光部を有する、液晶表示装
置。 - 【請求項２】 前記複数のスイッチング素子は、複数の
３端子素子であって、 前記第１基板は、前記第１方向に延びる複数の走査線を
有し、前記複数の３端子素子のそれぞれは、前記複数の
走査線の１つとも接続されている、請求項１に記載の液
晶表示装置。 - 【請求項３】 前記複数のスイッチング素子のそれぞれ
は金属層で形成された電極を有し、前記複数の第１遮光
部は、前記複数のスイッチング素子のそれぞれが有する
前記電極と同じ金属層から形成されている、請求項１ま
たは２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記第１基板は、前記複数の第１遮光部
を覆う絶縁層をさらに有し、前記互いに隣接する画素電
極は、それらの間隙を遮光する前記第１遮光部と部分的
に重なっている、請求項３に記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記互いに隣接するデータ電極は、それ
らの間隙を遮光する前記第２遮光部と部分的に重なって
いる、請求項４に記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記複数の第１遮光部は、前記複数の走
査線および／または前記複数の基準信号線と交差しない
ように設けられている、請求項１から５のいずれかに記
載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記複数の第２遮光部のそれぞれの幅を
ＷBM、前記互いに隣接するデータ電極の間隙の幅を
ＷS、前記複数の第２遮光部のそれぞれと前記複数のデ
ータ電極のそれぞれとの最小重なり幅をＷO、前記第１
基板と前記第２基板との前記第１方向における位置合せ
のずれを±Ｍ、前記複数の第１遮光部のそれぞれの幅を
ＷLSとするとき、ＷBM≧ＷS＋２ＷO、且つ、ＷBM≧２Ｍ
−ＷLSの関係を満足する、請求項５または６に記載の液
晶表示装置。 - 【請求項８】 前記隣接する画素電極の間隙の幅をＷP
とすると、ＷBM＜２Ｍ＋ＷPの関係を満足する、請求項
７に記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】 前記複数の画素電極は、前記複数の画素
電極のそれぞれが対向する前記複数のデータ電極の内の
１つと、これらの間に位置する前記液晶層とによって、
それぞれが画素に対応付けられる複数の液晶容量を規定
し、 前記複数の液晶容量の内の任意の１つの静電容量Ｃ
LCが、前記任意の１つの液晶容量を規定する画素電極と
部分的に重なる前記第１遮光部を介して受ける容量変動
ΔＣの大きさは、ＣLCの１０分の１以下である、請求項
４から８のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 【請求項１０】 請求項５または６に記載の液晶表示装
置の製造方法であって、 前記複数の第２遮光部のそれぞれの幅をＷBM、前記互い
に隣接するデータ電極の間隙の幅をＷS、前記複数の第
２遮光部のそれぞれと前記複数のデータ電極のそれぞれ
との最小重なり幅をＷO、前記第１基板と前記第２基板
との前記第１方向における位置合せマージンを±Ｍ、前
記複数の第１遮光部のそれぞれの幅をＷ LSとするとき、
ＷBM≧ＷS＋２ＷO、且つ、ＷBM≧２Ｍ−ＷLSの関係を満
足する前記第１基板および前記第２基板を用意する工程
を含む、液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記第１基板および前記第２基板は、
前記隣接する画素電極の間隙の幅をＷPとすると、ＷBM
＜２Ｍ＋ＷPの関係を満足する、請求項１０に記載の液
晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002002536A JP2003202597A (ja) | 2002-01-09 | 2002-01-09 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002002536A JP2003202597A (ja) | 2002-01-09 | 2002-01-09 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003202597A true JP2003202597A (ja) | 2003-07-18 |
Family
ID=27642366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002002536A Pending JP2003202597A (ja) | 2002-01-09 | 2002-01-09 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003202597A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113552750A (zh) * | 2021-07-12 | 2021-10-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
-
2002
- 2002-01-09 JP JP2002002536A patent/JP2003202597A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113552750A (zh) * | 2021-07-12 | 2021-10-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN113552750B (zh) * | 2021-07-12 | 2022-07-12 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
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