KR20150059733A - 유기 반도체 소자 및 유기 반도체 소자의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
일 실시 형태에 따른 유기 반도체 소자는, 지지 기판(10), 복수의 유기 EL 발광 소자, 제1 배리어층(L1), 평탄화층(L2) 및 제2 배리어층(L3)을 구비한다. 상기 평탄화층은, 상기 제1 배리어층 표면의 단차 부분의 경사를 완만하게 하도록 단속적으로 형성되어 있다. 상기 제1 배리어층 및 상기 제2 배리어층은 수분 투과를 방해하는 재료에 의해 형성되어 있다.
Description
본 발명의 실시 형태는, 유기 반도체 소자 및 유기 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 유기 EL(organic electro luminescent) 발광 소자를 구비하는 유기 EL 표시 장치가 개발되고 있다. 유기 EL 표시 장치는, 시야각이 넓고, 백라이트를 필요로 하지 않으므로 박형화 및 경량화가 가능하고, 소비 전력이 억제되고, 또한 응답 속도가 빠르다고 하는 특징을 갖고 있다.
이와 같은 유기 EL 표시 장치는, 표시 소자로서, 글래스 등의 지지 기판 상에서 양극과 음극 사이에 끼움 지지된 유기층을 포함하는 유기 EL 소자를 구비하고 있다. 유기층은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함하고 있다.
본 발명의 실시 형태는, 신뢰성이 높은 유기 반도체 소자 및 유기 반도체 소자의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
일 실시 형태에 따른 유기 반도체 소자는,
지지 기판과,
상기 지지 기판의 상방에 위치하고 복수의 화소에 1개씩 형성된 복수의 유기 EL 발광 소자와,
상기 복수의 화소에 확산되고 상기 복수의 유기 EL 발광 소자를 덮은 제1 배리어층과,
상기 제1 배리어층 상에, 상기 제1 배리어층 표면의 단차 부분의 경사를 완만하게 하도록 단속적으로 형성된 평탄화층과,
상기 복수의 화소에 확산되고 상기 제1 배리어층 및 상기 평탄화층 상에 배치된 제2 배리어층을 구비하고,
상기 제1 배리어층 및 상기 제2 배리어층은, 수분 투과를 방해하는 재료에 의해 형성되어 있다.
또한, 일 실시 형태에 따른 유기 반도체 소자의 제조 방법은,
지지 기판의 상방에 복수의 양극과 발광층을 각각 포함하는 복수의 유기층을 형성하고, 상기 복수의 양극 및 상기 복수의 유기층은 복수의 화소에 1개씩 형성되고,
상기 복수의 유기층 상에 상기 복수의 화소에 확산된 음극을 형성하고,
수분 투과를 방해하는 재료에 의해, 상기 복수의 화소에 확산된 제1 배리어층을 상기 음극 상에 형성하고,
상기 제1 배리어층 표면의 단차 부분의 경사를 완만하게 하도록 상기 제1 배리어층 상에 단속적인 평탄화층을 형성하고,
수분 투과를 방해하는 재료에 의해, 상기 복수의 화소에 확산된 제2 배리어층을 상기 제1 배리어층 및 상기 평탄화층 상에 형성하고,
상기 평탄화층을 형성할 때, 폴리머 수지와 중합 개시제를 혼합한 용제를 진공 환경 하에서 상기 지지 기판에 안개 형상으로 분무하고, 분무한 용제에 자외광을 조사함으로써 폴리머 수지층을 형성하고, 에칭에 의해 상기 폴리머 수지층의 박막 부분을 제거한다.
도 1은 일 실시 형태의 유기 반도체 소자의 일 구성예를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시하는 유기 반도체 소자의 화소의 일 구성예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 상기 실시 형태의 유기 반도체 소자의 제조 방법의 일례를 설명하는 흐름도이다.
도 4는 상술한 유기 반도체 소자의 액티브 에어리어의 주위의 영역의 단면의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5는 상술한 유기 반도체 소자의 액티브 에어리어의 주위의 영역의 단면의 일례를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시하는 유기 반도체 소자의 화소의 일 구성예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 상기 실시 형태의 유기 반도체 소자의 제조 방법의 일례를 설명하는 흐름도이다.
도 4는 상술한 유기 반도체 소자의 액티브 에어리어의 주위의 영역의 단면의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5는 상술한 유기 반도체 소자의 액티브 에어리어의 주위의 영역의 단면의 일례를 나타내는 도면이다.
이하, 일 실시 형태의 유기 반도체 소자 및 유기 반도체 소자의 제조 방법에 대해서, 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은, 본 실시 형태의 유기 반도체 소자의 일 구성예를 개략적으로 도시하는 도면이다.
본 실시 형태의 유기 반도체 소자는 매트릭스 형상으로 배치된 화소(PX)를 포함하는 액티브 에어리어(ACT)와, 어레이 기판(AR)과, 대향 기판(CT)과, 구동 회로(DRV)와, 플렉시블 기판(FRC)을 구비하고 있다. 여기서, 액티브 에어리어(ACT)를, 화상을 표시하는 표시 에어리어와 바꿔 말할 수 있다.
어레이 기판(AR)과 대향 기판(CT)은 대향하여 배치되고, 액티브 에어리어(ACT)를 둘러싸도록 배치한 시일재(SL)에 의해 고정되어 있다.
어레이 기판(AR)의 대향 기판(CT)의 단부로부터 연장된 영역에는, 복수의 화소(PX)를 구동하는 구동 회로(DRV)가 배치되어 있다. 구동 회로(DRV)는 어레이 기판(AR)의 단부에 접속된 플렉시블 기판(FRC)을 통하여 외부로부터 입력된 제어 신호 및 영상 신호에 따라서, 도시하지 않은 소스 배선 및 게이트 배선 등에 제어 신호 및 영상 신호를 출력한다.
도 2는, 도 1에 도시하는 유기 반도체 소자의 화소의 일 구성예를 설명하기 위한 단면도이다.
어레이 기판(AR)은 지지 기판(10)과, 스위칭 소자(11)와, 보조 용량 콘덴서(C)와, 양극(12)과, 유기층(13)과, 음극(14)과, 제1 배리어층(L1)과, 평탄화층(L2)과, 제2 배리어층(L3)을 구비하고 있다.
지지 기판(10)은 글래스 등에 의해 형성된 투명한 절연성의 기판이며, 그 상면에 후술하는 스위칭 소자(11), 보조 용량 콘덴서(C), 양극(12), 유기층(13) 및 음극(14) 등이 형성되는 부재이다.
스위칭 소자(11)는 지지 기판(10) 상에 형성된 복수의 도전층 및 절연층에 의해 형성된 박막 트랜지스터를 구비한다. 즉, 스위칭 소자는, 도시하지 않은 소스 배선이나 게이트 배선 등의 각종 배선과 동시에 형성된다.
보조 용량 콘덴서(C)는 지지 기판(10) 상에 형성된 복수의 도전층 및 절연층에 의해 형성된다. 보조 용량은 양극(12)과 음극(14) 사이에 형성되는 화소 용량에 결합한다.
패시베이션막(LP)은 스위칭 소자 및 보조 용량 콘덴서(C)를 덮도록 형성되어 있다. 패시베이션막(LP)을 스위칭 소자(11) 및 보조 용량 콘덴서(C) 상에 배치함으로써, 스위칭 소자(11) 및 보조 용량 콘덴서(C)의 인접한 도전체 사이나, 스위칭 소자(11)와 양극(12) 사이가 전기적으로 절연된다. 패시베이션막(LP)에는 스위칭 소자(11)와 양극(12)을 전기적으로 접속하는 콘택트 홀(도시하지 않음)이 화소(PX)마다 형성되어 있다. 패시베이션막(LP)은, 예를 들어 SiO2나 SiN, 아크릴, 폴리이미드 등의 절연성을 갖는 재료에 의해 형성되고, 스위칭 소자(11)나 보조 용량 콘덴서(C)의 표면에 발생하는 요철을 평탄화한다.
양극(12)은 패시베이션막(LP) 상에서 화소(PX)마다 배치되어 있다. 양극(12)은 유기층(13)에서 발광한 광을 음극(14)측으로 반사하도록 구성되어 있다. 예를 들어, 양극(12)은 패시베이션막(LP) 상에 배치된 반사층과, 반사층 상에 배치된 투명 전극을 구비하고 있다.
양극(12)의 반사층은 화소(PX)마다 배치되어도 좋고, 복수의 화소(PX)에 공유되어도 좋다. 반사층은 광 반사율이 높을수록 바람직하고, 예를 들어 알루미늄이나 은(Ag) 등으로 이루어지는 금속막을 사용할 수 있다.
양극(12)의 투명 전극은 패시베이션막(LP)에 형성된 콘택트 홀(도시하지 않음)에 있어서 스위칭 소자(11)와 전기적으로 접속하고 있다. 양극(12)의 투명 전극에는, 스위칭 소자(11)를 통하여 구동 회로(DRV)로부터 구동 전류가 공급된다.
양극(12)의 투명 전극은 투광성 및 도전성을 갖는 재료로 이루어진다. 양극(12)의 투명 전극은, 예를 들어 ITO(indium tin oxide)나, IZO(indium zinc oxide) 등의 투광성 및 도전성을 갖는 재료에 의해 형성할 수 있다.
리브층(LIB)은, 인접하는 양극(12) 사이에 배치되어 있다. 리브층(LIB)은, 인접한 양극(12)끼리가 접촉하는 것과, 양극(12)과 음극(14) 사이의 누설 전류를 방지하고 있다. 리브층(LIB)은, 예를 들어 화소(PX)끼리의 경계를 따라서 형성되어 양극(12)의 외주를 덮고 있다. 리브층(LIB)의 높이는 대략 2000㎚이다. 리브층(LIB)은 절연성을 갖는 재료에 의해 형성되고, 예를 들어 감광성의 수지 재료에 의해 형성할 수 있다.
유기층(13)은 양극(12) 상에 배치되어 있다. 유기층(13)은 광을 발하는 기능을 갖고 있으며, 그 발광은, 백색이나, 그 밖의 색이어도 좋다. 유기층(13)은 화소(PX)마다 형성되어 있어도 좋고, 또한, 액티브 에어리어(ACT)의 화소(PX)가 배치되어 있는 영역 전체면을 덮도록 형성되어 있어도 좋다.
유기층(13)은, 예를 들어 양극(12)측으로부터 순서대로, 도시하지 않은 홀 주입층, 홀 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 적층되어 이루어진다. 또한, 유기층(13)의 적층 구조는 여기에 예로 든 것에 한정되지 않고, 적어도 발광층을 포함하는 것이면, 그 적층 구조는 특정되지 않는다.
발광층은, 예를 들어 양극(12)을 통하여 구동 전류가 공급됨으로써, 정공과 전자가 결합하여 발광하는 유기 일렉트로 루미네센스(EL) 물질로 구성되어 있다. 이와 같은 유기 일렉트로 루미네센스 물질로서는, 예를 들어, 일반적으로 유기 발광 재료로서 사용되고 있는 것을 사용해서 좋고, 구체적으로는, 예를 들어, 쿠마린계, 페릴렌계, 피란계, 안트론계, 포르피린계, 퀴나크리돈계, N,N'-디알킬 치환 퀴나크리돈계, 나프탈이미드계, N,N'-디아릴 치환 피롤로피롤계 등, 일중항 상태로부터 발광 가능한 공지의 형광성 저분자 재료나, 희토류 금속 착체계의 삼중항 상태로부터 발광 가능한 공지의 인광성 저분자 재료를 사용할 수 있다.
음극(14)은 복수의 유기층(13) 상에 배치되어 있다. 음극(14)은 복수의 화소(PX)로 공유되어 있다. 즉, 음극(14)은 복수의 화소(PX)에 확산되어 배치되고, 예를 들어 액티브 에어리어(ACT)의 화소(PX)가 배치되어 있는 영역 전체면을 덮도록 형성된다.
음극(14)은 투명한 전극 재료에 의해 형성된다. 음극(14)은, 구체적으로는, 예를 들어, ITO나 IZO 등의 투광성 및 도전성을 갖는 재료에 의해 형성할 수 있다.
발광원으로서 기능하는 유기 EL 발광 소자는, 상기 양극(12)과, 유기층(13)과, 음극(14)을 갖고 있다. 상기의 점으로부터, 복수의 유기 EL 발광 소자는, 지지 기판(10)의 상방에 위치하고 복수의 화소(PX)에 1개씩 형성되어 있다.
상기한 바와 같이 지지 기판(10) 상에 기초층이 형성되어 있다. 기초층은 지지 기판(10)보다 상방에 위치하고 제1 배리어층(L1)보다 하방에 위치한 복수의 부재로 형성되어 있다. 기초층은 복수의 유기 EL 발광 소자 등을 포함하고 있다. 기초층은 제1 배리어층(L1)의 기초로서 이용된다.
제1 배리어층(L1)은 복수의 화소(PX)에 확산되고, 복수의 유기 EL 발광 소자를 덮고 있다. 제1 배리어층(L1)은 음극(14) 상에 배치되어 있다. 제1 배리어층(L1)은 수분 투과를 방해하는 재료에 의해 형성되어 있다. 즉, 제1 배리어층(L1)은 유기층(13) 및 각 층에의 산소나 수분의 침입을 방지함으로써 보호하는 투명한 절연막이다. 제1 배리어층(L1)은, 예를 들어 질화실리콘(SiN)으로 이루어지고, 액티브 에어리어(ACT)의 전체면을 덮도록 형성되어 있다.
평탄화층(L2)은, 제1 배리어층(L1) 상에 배치되어 있다. 평탄화층(L2)은 하층의 구성에 의해 발생하는 단차 부분에만 배치되고, 제1 배리어층(L1)의 표면의 단차 부분의 경사를 완만하게 한다. 따라서, 평탄화층(L2)을 배치함으로써, 제2 배리어층(L3)을 배치하는 면의 단차가 완만해져, 제2 배리어층(L3)이 끊어지거나 하는 것을 피할 수 있다. 평탄화층(L2)의 재료로서는 유기물이 바람직하고, 구체적으로는 아크릴 등의 폴리머 수지를 사용할 수 있다. 또한, 평탄화층(L2)의 재료는 아크릴에 한정되지 않는다.
예를 들어, 리브층(LIB)은 다른층보다도 높으므로, 리브층(LIB)과 양극(12)의 경계에는 단차가 발생한다. 따라서, 리브층(LIB)과 양극(12)의 경계의 상층에는, 직각에 가까운 각도로 경사진 제1 배리어층(L1)의 경사면이 발생한다. 평탄화층(L2)은 액상 폴리머의 표면 장력에 의해 상기의 경사면에 의해 발생하는 단차 부분에 응집시키고, 그 후에 자외선 경화함으로써 형성된다.
또한, 예를 들어 제1 배리어층(L1) 상에 혼입된 이물질(LX)에 의해 단차가 형성된 경우, 상기와 같이 평탄화층(L2)을 형성하면, 액상 폴리머가 그 표면 장력에 의해 이물질(LX)에 의한 단차 부분에 응집하여, 이물질(LX)의 주위에 발생하는 단차 부분의 경사를 완만하게 한다.
또한, 평탄화층(L2)은, 제1 배리어층(L1)의 단차를 완화함과 함께, 단속적으로 형성되는 것이 바람직하다. 따라서, 평탄화층(L2)이 연속해서 형성된 경우에는, 에칭에 의해 평탄화층(L2)의 박막 부분을 제거하여 단속적으로 형성하는 것이 바람직하다.
제2 배리어층(L3)은, 복수의 화소(PX)에 확산되고, 제1 배리어층(L1) 및 평탄화층(L2) 상에 배치되어 있다. 제2 배리어층(L3)은 수분 투과를 방해하는 재료에 의해 형성되어 있다. 즉, 제2 배리어층(L3)은, 제1 배리어층(L1)이나 평탄화층(L2) 등, 제2 배리어층(L3)보다도 지지 기판(10)측의 각 층에의 산소나 수분의 침입을 방지한다. 제2 배리어층(L3)은 예를 들어 질화실리콘(SiN)으로 이루어지고, 평탄화층(L2)의 상면 및 평탄화층(L2)으로부터 노출된 제1 배리어층(L1)의 표면을 덮도록 형성되어 있다. 평탄화층(L2)에 의해 제1 배리어층(L1)의 표면에 발생하는 경사면이 완만하게 되어 있으므로, 제2 배리어층(L3)을 평탄화층(L2) 상에 배치하였을 때에 제2 배리어층(L3)이 도중에 끊어지는 일 없이 연속적으로 배치 가능하다. 또한, 제2 배리어층(L3)이 도중에 끊어지는 일이 없도록, 제1 배리어층(L1) 상의 평탄화층(L2)의 표면에 발생하는 경사면은, 기판면과 소정의 각도 이하의 각도를 이루고 있는 것이 바람직하다.
상기한 바와 같이 유기 EL 발광 소자 상에, 예를 들어 하층으로부터 순서대로, 대략 400㎚의 제1 배리어층, 소정의 두께의 평탄화층, 대략 400㎚의 제2 배리어층과 적층한다. 배리어층과 평탄화층의 다층 구조를 형성함으로써, 이물질의 경계 부분 등 제1 배리어층의 피복성이 불충분한 부분이 있어도, 제1 배리어층 상에 배치되는 평탄화층에 의해, 이물질이 피복되고, 제1 배리어층(L1)의 단차가 완화된다. 따라서, 평탄화된 폴리머 수지 상에 제2 배리어층(L3)이 성막되어, 수분 투과를 억제할 수 있다. 또한, 상기 3층 적층 구조를 최소 유닛으로서 2유닛 이상의 적층 구조로 한 경우도 마찬가지의 효과가 얻어진다.
제1 배리어층(L1)과 제2 배리어층(L3)은 질화실리콘, 산화실리콘에, 산질화실리콘 등의 수분 투과를 방해하는 재료에 의해 형성할 수 있다.
평탄화층(L2)은, 중합 반응에 의해 경화하는 고분자 유기 재료, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지 등의 재료에 의해 형성할 수 있다.
제2 배리어층(L3)의 상면은, 예를 들어 충전제(20)를 통하여 대향 기판(CT)에 의해 덮여 있다. 대향 기판(CT)은 예를 들어 글래스 등이 투명한 절연성 기판(30)을 갖고, 지지 기판(10)보다도 작은 외주를 갖는다.
계속해서, 본 실시 형태의 유기 반도체 소자의 제조 방법의 일례에 대해서 설명한다.
도 3은, 본 실시 형태의 유기 반도체 소자의 제조 방법의 일례를 설명하는 흐름도이다.
지지 기판(10)의 상방에, 도전 재료 및 절연 재료의 제막 및 패터닝을 반복하고, 예를 들어 반도체층으로서 폴리실리콘을 사용한 박막 트랜지스터를 포함하는 스위칭 소자(11), 보조 용량 콘덴서(C), 게이트 배선, 데이터 배선, 화소 전극[양극(12)]을 형성한다(스텝 ST1).
계속해서, 이 화소 전극 상에 복수의 화소(PX)에 공통인 베이킹이나 증착막 형성을 행한 후, 발광층을 포함하는 유기층(13)을 진공 증착으로 형성한다. 이때, 유기층(13)을 성막하고자 하는 각 색의 화소(PX)에만 개구부를 형성한 고정밀 마스크를 사용해서 진공 증착을 행한다(스텝 ST2). 복수의 화소 전극 및 복수의 유기층(13)은 복수의 화소(PX)로 1개씩 형성된다.
계속해서, 진공 증착에 의해, 공통 전극인 음극(14)을 복수의 화소(PX)에 확산시켜 복수의 유기층(13) 상에 형성한다(스텝 ST3).
계속해서, 액티브 에어리어(ACT) 전체를 덮도록 제1 배리어층(L1), 평탄화층(L2) 및 제2 배리어층(L3)을 형성하고, 유기층(13)을 수분으로부터 보호한다(스텝 ST4). 여기서, 유기 EL 발광 소자 등의 유기 반도체 소자는 수분에 약하고, 수분이 유기층에 침입한 영역에서는 특성 열화에 의해 발광하지 않는 다크 스폿이 발생한다. 따라서, 유기 EL 발광 소자 상에는 수분을 차단하는 배리어층을 배치하고 있다.
수분을 차단하는 배리어층으로서, 질화실리콘(SiN)막이 채용되는 경우가 많다. 유기 EL 발광 소자는 열에 약하므로, 100℃ 이하의 저온에서 배리어막을 형성할 필요가 있다. 그로 인해, 특히 이물질 등이 없는 평탄한 막을 형성할 때에는 플라즈마 CVD법에 의해 배리어막을 형성하는 것이 적합하다.
그러나, 이 배리어막에 이물질 등에 의한 핀 홀이 있으면, 시간의 경과와 함께 외부로부터 수분이 침입하고, 진행성의 시장 불량을 일으키게 된다. 따라서, 이 불량 발생 확률을 충분히 작게 억제하기 위해, 이물질을 충분히 덮을 수 있는 두꺼운 배리어막이 필요해진다. 그러나, 플라즈마 CVD법에 의해, 예를 들어 대략 5㎛, 대략 10㎛ 등의 두꺼운 막을 형성하는 것은, 생산성ㆍ비용면에서 곤란하다.
또한, 질화실리콘막은 단파장 영역에 광흡수가 있으므로, 질화실리콘막을 두껍게 쌓는 배리어막의 구성은, 유기 EL 발광 소자로부터 출사한 청색광을 유효하게 취출하는 것이 곤란하였다. 이들의 점으로부터 충분한 수분 차단 성능을 갖는 배리어막과 폴리머 수지 재료 등에 의해 이물질을 피복하는 피복층의 적층 박막이 제안되어 있다. 그러나, 이물질 피복층이 되는 평탄화층을 기판 표면 전역에 성막시키는 경우, 기판 단부로부터 침입한 수분이 평탄화층을 개재하여 액티브 에어리어 전체에 확산될 우려가 있었다.
이들의 리스크를 피하기 위해, 평탄화층의 단부를 마스킹법에 의해 기판 상에 선택적으로 성막하고 평탄화층 단부를 배리어막으로 덮음으로써 기판 단부로부터의 수분 확산을 억제하고 있다. 그러나, 요즈음의 표시 디바이스에 있어서는 디바이스 발광부로부터 기판 단부까지의 거리를 좁히는 요구가 있다. 또한, 1매의 머더 글래스 기판으로부터 보다 많은 기판을 잘라내고자 한 경우, 마스크의 기판 간격은 매우 좁게 하는 것이 요구된다. 이들 마스크의 제작은 기술적 곤란한 것 외에, 실제의 운용에 있어서는 마스크를 세정 등의 비용이 발생하게 된다.
따라서, 본 실시 형태에서는, 배리어층과 평탄화층의 적층 구조체에 있어서 평탄화층을 단속적인 막으로 함으로써 수분의 확산을 억제하고 있다. 예를 들어 배리어층으로서 플라즈마 CVD법을 사용하여, 기판 온도 100℃ 이하, 예를 들어 60℃에서 배리어층을 형성한다.
그 후, 폴리머 수지와 중합 개시제를 혼합한 용제를 진공 환경 하에서 지지 기판(10)에 안개 형상으로 분무한다. 이때에 용제의 공급 조건(공급 시간, 기판 온도, 성막 분위기 등)의 최적화에 의해, 폴리머 수지가 연속적인 막 형성이 행해지지 않도록 조정한다. 이때, 용제의 공급량을 적게 하여 단속적인 막이 형성되도록 조정한다. 예를 들어, 평탄한 영역에 평탄화층을 형성할 때에 리브층(LIB)의 높이의 1/5 이하의 높이의 층이 되도록 용제를 분무하는 것이 바람직하다. 또한, 기판 상에 부착한 폴리머는 액체로서의 거동을 나타내고, 표면 장력에 의해 이물질 및 단차 부분만 응집하여 부착된다. 반대로 단차나 이물질 등이 없는 평탄부에 대해서는 폴리머 수지의 부착이 일어나지 않는다.
계속해서, 분무한 용제에 자외광을 조사함으로써 이물질 및 단차부에 선택적으로 폴리머 수지를 부착시키는 것이 가능해진다. 이와 같이 하여 형성한 폴리머 수지층은 단속적인 층으로서 존재하기 때문에 수분의 확산 경로가 될 수 없어, 이물질, 단차만을 피복할 수 있다. 또한, 용제를 분무하는 조건에 따라서, 평탄부의 폴리머 수지층의 박막이 형성되는 경우에는, 에칭에 의해 폴리머 수지층의 박막 부분만을 제거하는 것이 바람직하다.
이 폴리머 수지막의 상부에 다시, 배리어막으로서 플라즈마 CVD법을 사용하여, 기판 온도 100℃ 이하, 예를 들어 60℃에서 배리어막을 성막함으로써 이물질 및 단차가 있는 기판에 있어서도 수분 차단 성능을 손상시키지 않는 밀봉막을 성막할 수 있다.
계속해서, 충전제(20)로서 수지 재료를 사이에 두고 대향 기판(CT)을 접합한다(스텝 ST5).
상기와 같이 유기 반도체 소자를 형성함으로써, 유기 EL 발광 소자에 수분이 침입하는 것을 피할 수 있어, 다크 스폿의 발생에 의한 불량을 피할 수 있다. 또한, 유기 EL 발광 소자 상에 배치하는 배리어층을 두껍게 하지 않고 수분의 침입을 회피할 수 있으므로, 유기층(13)이 발광한 광의 투과율이 저하되는 일도 없다. 즉, 본 실시 형태에 따르면, 신뢰성이 높은 유기 반도체 소자 및 유기 반도체 소자의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 4는, 상술한 유기 반도체 소자의 액티브 에어리어의 주위의 영역의 단면의 일례를 나타내는 도면이다.
또한, 본 실시 형태에서는 액티브 에어리어의 주위에 있어서, 제1 배리어층(L1)의 기초층에 오목부(혹은 볼록부)를 형성해도 좋다. 도 4에 도시하는 예에서는, 제1 배리어층(L1)의 기초층을 형성하는 리브층(LIB)에 오목부(40)를 형성하고 있다. 오목부(40)는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 액티브 에어리어(ACT)의 주위를 둘러싸도록, 액티브 에어리어(ACT)와 시일재(SL) 사이에 형성되어 있다. 오목부의 L/S는 예를 들어 10 내지 100㎛, 나아가서는 20 내지 50㎛로 하는 것이 바람직하고, 오목부(40)의 깊이는 예를 들어 1 내지 10㎛로 하는 것이 바람직하다.
이와 같이 액티브 에어리어(ACT)의 주위를 둘러싸는 오목부(40)를 형성하면, 오목부(40) 상에 배치되는 제1 배리어층(L1) 표면에 단차가 발생한다. 제1 배리어층(L1) 상에 형성되는 평탄화층(L2)은, 제1 배리어층(L1)의 단차 부분에만 폴리머 수지가 응집하여 형성되고, 평탄부에 배치되지 않으므로, 오목부(40)의 상층에 있어서 평탄화층(L2)은 도중에 끊어지게 된다. 따라서, 평탄화층(L2)은 오목부(40)의 상층에 있어서 액티브 에어리어(ACT)측과 외부 환경측이 비연속이 되고, 액티브 에어리어(ACT)에 수분이 침입하여 확산되는 것을 피할 수 있고, 또한, 마스크를 사용해서 비연속인 평탄화층을 형성할 필요가 없으므로, 설비, 운용상의 저비용화를 실현함과 함께 표시 장치의 프레임 협소화를 실현할 수 있다.
도 5는, 상술한 유기 반도체 소자의 액티브 에어리어의 주위의 영역의 단면의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5에 도시하는 예에서는, 제1 배리어층(L1)의 기초가 되는 리브층(LIB)에 볼록부(50)를 형성하고 있다. 볼록부(50)는, 도 1에 도시하는 바와 같이 액티브 에어리어(ACT)의 주위를 둘러싸도록, 액티브 에어리어(ACT)와 시일재(SL) 사이에 형성되어 있다. 볼록부의 L/S는 예를 들어 10 내지 100㎛로 하고, 볼록부(50)의 높이는 예를 들어 1 내지 10㎛로 하는 것이 바람직하다.
이와 같이 액티브 에어리어(ACT)의 주위를 둘러싸는 볼록부(50)를 형성하면, 볼록부(50) 상에 배치되는 제1 배리어층(L1) 표면에 단차가 발생한다. 제1 배리어층(L1) 상에 형성되는 평탄화층(L2)은, 제1 배리어층(L1)의 단차 부분에만 폴리머 수지가 응집하여 형성되고, 평탄부에 배치되지 않으므로, 볼록부(50)의 상층에 있어서 평탄화층(L2)은 도중에 끊어지게 된다. 따라서, 평탄화층(L2)은 볼록부(50)의 상층에 있어서 액티브 에어리어(ACT)측과 외부 환경측이 비연속이 되고, 액티브 에어리어(ACT)에 수분이 침입하여 확산되는 것을 피할 수 있고, 또한, 마스크를 사용해서 비연속인 평탄화층을 형성할 필요가 없으므로, 설비, 운용상의 저비용화를 실현함과 함께 표시 장치의 프레임 협소화를 실현할 수 있다.
또한, 도 4 및 도 5에 도시하는 예에서는, 전체 둘레의 오목부(40) 혹은 볼록부(50)의 패턴은 적어도 1패턴이지만, 2패턴 이상으로 증가시켜도 마찬가지의 효과가 예상된다. 예를 들어, 액티브 에어리어(ACT)의 주위에 있어서, 시일재(SL)와 대향하는 위치에 오목부(40) 혹은 볼록부(50)의 패턴을 더 형성해도 되고, 시일재(SL)보다도 외부 환경측의 위치에 오목부(40) 혹은 볼록부(50)의 패턴을 더 형성해도 좋다. 액티브 에어리어(ACT)의 주위에 적어도 1패턴의 오목부(40) 혹은 볼록부(50)를 형성함으로써, 상술한 효과를 얻을 수 있다.
즉, 본 실시 형태에 따르면, 신뢰성이 높은 유기 반도체 소자 및 유기 반도체 소자의 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 발명의 몇 개의 실시 형태를 설명하였지만, 이들 실시 형태는, 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하지 않는다. 이들 신규의 실시 형태는, 그 밖의 다양한 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 다양하게 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시 형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함됨과 함께, 특허 청구 범위에 기재된 발명과 그 균등한 범위에 포함된다.
예를 들어, 상기 실시 형태는 유기 반도체 소자로서 유기 EL 소자를 구비한 표시 장치에 대해서 설명하였지만, 유기 반도체 소자는 유기 트랜지스터나 유기 태양 전지이어도 좋다.
Claims (21)
- 복수의 유기 EL 발광 소자가 위치하는 액티브 에어리어와, 상기 액티브 에어리어의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치된 영역을 가지는 기판과,
상기 기판 상에 형성된 제1 배리어층과,
상기 제1 배리어층 상에 형성된 제2 배리어층을 가지고,
상기 액티브 에어리어의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치된 영역에 있어서,
상기 제1 배리어층은 경사면 및 평탄면을 가지고,
상기 제1 배리어층의 상기 경사면과 상기 평탄면 위와, 상기 제2 배리어층의 사이에는, 상기 경사면과 상기 평탄면의 경계 부분에 평탄화층이 형성되어 있는,
유기 EL 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 기판 상에는, 상기 복수의 유기 EL 발광 소자를 구획하는 리브층이 형성되고,
상기 제1 배리어층은, 상기 리브층 상에 형성되어 있는,
유기 EL 표시 장치. - 제2항에 있어서,
상기 제1 배리어층의 상기 경사면은, 상기 리브층의 형상에 기인하여 구성되어 있는,
유기 EL 표시 장치. - 제3항에 있어서,
상기 리브층은 볼록 형상을 가지고 있는,
유기 EL 표시 장치. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 배리어층과 상기 제2 배리어층은 상기 평탄화층이 형성된 부분의 주위에서 접촉하고 있는,
유기 EL 표시 장치. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 평탄화층은 유기막으로 형성되는,
유기 EL 표시 장치. - 복수의 유기 EL발광 소자가 위치하는 액티브 에어리어와, 상기 액티브 에어리어의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치된 영역을 가지는 기판과,
상기 기판 상에 형성된 제1 절연층과,
상기 제1 절연층 상에 형성된 제2 절연층을 가지고,
상기 액티브 에어리어의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치된 영역에 있어서,
상기 제1 절연층은 경사면 및 평탄면을 가지고,
상기 제1 절연층의 상기 경사면과 상기 평탄면 위와, 상기 제2 절연층의 사이에는, 상기 경사면과 상기 평탄면의 경계 부분에 유기층이 형성되어 있는,
유기 EL 표시 장치. - 제7항에 있어서,
상기 기판 상에는, 상기 복수의 유기 EL 발광 소자를 구획하는 제3 절연층이 형성되고,
상기 제1 절연층은, 상기 제3 절연층 상에 형성되어 있는,
유기 EL 표시 장치. - 제8항에 있어서,
상기 제1 절연층의 상기 경사면은, 상기 제3 절연층의 형상에 기인하여 구성되어 있는,
유기 EL 표시 장치. - 제9항에 있어서,
상기 제3 절연층은 볼록 형상을 가지고 있는,
유기 EL 표시 장치. - 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층은 상기 유기층이 형성된 부분의 주위에서 접촉하고 있는,
유기 EL 표시 장치. - 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 절연층은, 질화실리콘, 산화실리콘, 산질화실리콘 중 적어도 하나를 포함하는,
유기 EL 표시 장치. - 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 절연층은, 질화실리콘, 산화실리콘, 산질화실리콘 중 적어도 하나를 포함하는,
유기 EL 표시 장치. - 복수의 유기 EL 발광 소자가 위치하는 액티브 에어리어와, 상기 액티브 에어리어의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치된 영역을 가지는 기판과,
상기 기판 상에 형성된 제1 절연층과,
상기 제1 절연층 상에 형성된 유기층과,
상기 유기층 상에 형성된 제2 절연층을 가지고,
상기 액티브 에어리어의 적어도 일부를 둘러싸도록 배치된 영역에 있어서,
상기 제2 절연층 상의 상기 유기층은, 단속적으로 형성되어 있는,
유기 EL 표시 장치. - 제14항에 있어서,
상기 유기층은 상기 액티브 에어리어로부터 외측으로 향하는 방향에 있어서 비연속적인 영역이 존재하는,
유기 EL 표시 장치. - 제14항에 있어서,
상기 기판 상에는, 상기 복수의 유기 EL 발광 소자를 구획하는 제3 절연층이 형성되고,
상기 제1 절연층은, 상기 제3 절연층 상에 형성되어 있는,
유기 EL 표시 장치. - 제16항에 있어서,
상기 제1 절연층의 경사면은, 상기 제3 절연층의 형상에 기인하여 구성되어 있는,
유기 EL 표시 장치. - 제17항에 있어서,
상기 제3 절연층은 볼록 형상을 가지고 있는,
유기 EL 표시 장치. - 제14항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층은 상기 유기층이 형성된 부분의 주위에서 접촉하고 있는,
유기 EL 표시 장치. - 제14항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 절연층은, 질화실리콘, 산화실리콘, 산질화실리콘 중 적어도 하나를 포함하는,
유기 EL 표시 장치. - 제14항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 절연층은, 질화실리콘, 산화실리콘, 산질화실리콘 중 적어도 하나를 포함하는,
유기 EL 표시 장치.
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| KR102325514B1 (ko) * | 2015-02-26 | 2021-11-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
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| JP6486848B2 (ja) * | 2016-02-25 | 2019-03-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置およびその製造方法 |
| JP2017151313A (ja) | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法 |
| JP2017157406A (ja) * | 2016-03-01 | 2017-09-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2017174606A (ja) | 2016-03-23 | 2017-09-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| KR102550694B1 (ko) * | 2016-07-12 | 2023-07-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101980781B1 (ko) * | 2016-10-31 | 2019-05-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP6827332B2 (ja) * | 2017-02-01 | 2021-02-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN109892012B (zh) * | 2017-02-21 | 2021-06-29 | 株式会社爱发科 | 元件结构体的制造方法 |
| WO2018163338A1 (ja) * | 2017-03-08 | 2018-09-13 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌデバイスの製造方法および成膜装置 |
| US10897027B2 (en) * | 2017-07-13 | 2021-01-19 | Sakai Display Products Corporation | Organic electroluminescent display device and method for producing same |
| WO2019106770A1 (ja) | 2017-11-29 | 2019-06-06 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌデバイスの製造方法および有機ｅｌデバイス |
| WO2019130401A1 (ja) * | 2017-12-25 | 2019-07-04 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| KR102312784B1 (ko) * | 2018-02-08 | 2021-10-14 | 동우 화인켐 주식회사 | 전계발광 소자 및 이의 제조 방법 |
| WO2019171584A1 (ja) * | 2018-03-09 | 2019-09-12 | シャープ株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
| JP2019200849A (ja) | 2018-05-14 | 2019-11-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR20210055524A (ko) * | 2019-11-07 | 2021-05-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
| CN110880526B (zh) * | 2019-11-22 | 2022-06-03 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种柔性显示面板的制作方法、柔性显示面板及显示装置 |
| KR20210072465A (ko) * | 2019-12-09 | 2021-06-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 |
| KR20210075280A (ko) | 2019-12-12 | 2021-06-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20210083011A (ko) * | 2019-12-26 | 2021-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| TWI787720B (zh) * | 2021-01-25 | 2022-12-21 | 友達光電股份有限公司 | 有機半導體基板 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04303591A (ja) | 1991-03-29 | 1992-10-27 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 高圧放電灯の点灯方法 |
| JP2002261046A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-13 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法並びに半導体装置および無線通信回路装置 |
| US20020158568A1 (en) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
| JP2007184251A (ja) | 2005-12-07 | 2007-07-19 | Sony Corp | 表示装置 |
| JP2009266922A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Canon Inc | 有機発光装置 |
| JP2010272270A (ja) | 2009-05-20 | 2010-12-02 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
Family Cites Families (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3162313B2 (ja) * | 1997-01-20 | 2001-04-25 | 工業技術院長 | 薄膜製造方法および薄膜製造装置 |
| US5902641A (en) * | 1997-09-29 | 1999-05-11 | Battelle Memorial Institute | Flash evaporation of liquid monomer particle mixture |
| US6866901B2 (en) | 1999-10-25 | 2005-03-15 | Vitex Systems, Inc. | Method for edge sealing barrier films |
| JP4776769B2 (ja) * | 1999-11-09 | 2011-09-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| AU2001229481A1 (en) | 2000-01-12 | 2001-07-24 | Mol Belting Company | Electric motor with external rotor |
| JP4004709B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2007-11-07 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法 |
| JP2001311963A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-09 | Toshiba Corp | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 |
| EP1373976B1 (en) * | 2001-03-07 | 2008-04-23 | Acreo AB | Electrochemical pixel device |
| US7109653B2 (en) * | 2002-01-15 | 2006-09-19 | Seiko Epson Corporation | Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element |
| WO2004026002A1 (en) * | 2002-09-11 | 2004-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting apparatus and fabrication method of the same |
| JP2004281247A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法 |
| JP4520226B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2010-08-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び表示装置の作製方法 |
| JP4163567B2 (ja) * | 2003-07-09 | 2008-10-08 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 発光型表示装置 |
| JP4407242B2 (ja) * | 2003-11-07 | 2010-02-03 | 日本ビクター株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| JP3994998B2 (ja) * | 2004-03-03 | 2007-10-24 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法及び電子機器 |
| US7791270B2 (en) * | 2004-09-17 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Light-emitting device with reduced deterioration of periphery |
| JP4631683B2 (ja) * | 2005-01-17 | 2011-02-16 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、及び電子機器 |
| JP4600254B2 (ja) * | 2005-11-22 | 2010-12-15 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
| JP2007250370A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Canon Inc | 有機発光素子及びその製造方法 |
| JP4458379B2 (ja) * | 2007-12-14 | 2010-04-28 | キヤノン株式会社 | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP5213522B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2013-06-19 | 三菱樹脂株式会社 | 有機デバイス用ガスバリア性積層フィルム |
| JP2010086814A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 表示装置 |
| JP2010093068A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-22 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| US7928655B2 (en) * | 2008-11-10 | 2011-04-19 | Visera Technologies Company Limited | Light-emitting diode device and method for fabricating the same |
| JP2010257957A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-11-11 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
| JP5577186B2 (ja) * | 2009-09-04 | 2014-08-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置 |
| KR101359657B1 (ko) * | 2009-12-30 | 2014-02-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전자장치 및 유기전계발광장치, 다층보호막 |
| JP2011141979A (ja) * | 2010-01-06 | 2011-07-21 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、および電気光学装置 |
| CN102326448B (zh) * | 2010-03-01 | 2015-03-25 | 松下电器产业株式会社 | 有机el装置及其制造方法 |
| JP2011210544A (ja) | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Canon Inc | 有機発光装置及びその製造方法 |
| JP5740114B2 (ja) | 2010-08-19 | 2015-06-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JP5485834B2 (ja) * | 2010-09-01 | 2014-05-07 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 画像表示装置の作製方法および画像表示装置作製装置 |
| JP2012074238A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Casio Comput Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
| JP5682328B2 (ja) | 2011-01-26 | 2015-03-11 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
| JP2012216452A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 光半導体装置およびその製造方法 |
| KR101717333B1 (ko) * | 2011-10-07 | 2017-03-16 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 발광소자 및 발광소자의 제조 방법 |
| KR101900364B1 (ko) * | 2011-12-22 | 2018-09-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| JP5409830B2 (ja) * | 2012-02-21 | 2014-02-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| KR101931177B1 (ko) * | 2012-03-02 | 2018-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101923176B1 (ko) * | 2012-06-11 | 2018-11-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시장치 및 그 제조방법 |
| US9299956B2 (en) * | 2012-06-13 | 2016-03-29 | Aixtron, Inc. | Method for deposition of high-performance coatings and encapsulated electronic devices |
| KR102052075B1 (ko) * | 2013-03-28 | 2020-01-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| JP6169439B2 (ja) * | 2013-08-21 | 2017-07-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
| JP2015049947A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP6397654B2 (ja) * | 2014-05-13 | 2018-09-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ発光装置 |
| JP6301042B1 (ja) * | 2017-03-30 | 2018-03-28 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法 |
| US10276837B2 (en) * | 2017-06-27 | 2019-04-30 | Sakai Display Products Corporation | Method for producing organic electroluminescent device |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04303591A (ja) | 1991-03-29 | 1992-10-27 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 高圧放電灯の点灯方法 |
| JP2002261046A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-13 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法並びに半導体装置および無線通信回路装置 |
| US20020158568A1 (en) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
| JP2007184251A (ja) | 2005-12-07 | 2007-07-19 | Sony Corp | 表示装置 |
| JP2009266922A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Canon Inc | 有機発光装置 |
| JP2010272270A (ja) | 2009-05-20 | 2010-12-02 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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