JP2007294405A - 有機発光装置 - Google Patents

有機発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2007294405A
JP2007294405A JP2007030727A JP2007030727A JP2007294405A JP 2007294405 A JP2007294405 A JP 2007294405A JP 2007030727 A JP2007030727 A JP 2007030727A JP 2007030727 A JP2007030727 A JP 2007030727A JP 2007294405 A JP2007294405 A JP 2007294405A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
layer
organic light
element isolation
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007030727A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4448148B2 (ja
Inventor
Hideki Yoshinaga
秀樹 吉永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2007030727A priority Critical patent/JP4448148B2/ja
Priority to US11/691,696 priority patent/US7872255B2/en
Publication of JP2007294405A publication Critical patent/JP2007294405A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4448148B2 publication Critical patent/JP4448148B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • H10K50/171Electron injection layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/846Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

【課題】 発光領域の外周部で特に顕著になる劣化が抑制された有機発光装置を提供する。
【解決手段】 電子注入層6’は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物の少なくともいずれか1つを有し、電子注入層6’と同じ組成の層が、発光領域周辺Oの素子分離層10の上に配置されている。
【選択図】 図1

Description

本発明は有機発光装置に関するものである。
近年、フラットパネルディスプレイとして、自発光型デバイスである有機発光素子(有機EL素子)が注目されている。有機発光素子は自発光型デバイスであることから、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、かつ、視認性や色再現範囲も広いことから、製品化に向けて複数の企業が研究開発を進めている。現在では、車載用コンポや携帯電話等のディスプレイの表示素子としてすでに実用化がなされている。
有機発光素子は、対向する陽極と陰極からなる一対の電極の間に有機発光層が狭持された有機発光層を基板(例えばガラスやフィルム)上に有する有機発光素子基板の外表面に、封止層が設けられた構造を有する。前記有機発光層の光を外部に取り出せる様にする為、光取り出し側の電極にはITO(Indium Tin Oxide)等の透明電極が用いられ、外部駆動回路により電圧を印加することにより発光する。この有機発光素子が基板面状に複数配置されることによって発光領域を形成し、様々な画像を表示することができる。
ところで、有機発光素子は一般に水分に極めて弱いことが知られている。一例としては、有機発光素子に水分が浸入した場合、有機発光素子基板上にはダークスポットと称する非発光領域の発生や、非発光状態にまでは至らないものの発光特性が変化することにより発光輝度が低下するといった寿命の課題が生じている。
大気中の水分が有機発光素子中に浸入して発生する寿命低下を解決する為に、いくつかの方策が提案されている。有機EL基板の外表面に、平板ガラスをカチオン硬化型の紫外線硬化樹脂を用いて封止層を設ける提案がある。(特許文献1)また、有機EL素子の封止層としてバリア性積層体構造を用いる提案がある。(特許文献2)
特許第3288242号公報 特開2002−134271号公報
一般的に、有機発光装置に用いられる薄膜トランジスタ(以下TFTとする)等によって生じる凹凸を平坦化させるために平坦化層が用いられ、平坦化層には平坦性に優れた高分子材料が使用される。また、複数の有機発光素子を絶縁し、仕切るために素子分離層が用いられ、素子分離層には高分子材料、あるいは無機絶縁材料が使用される。これらの層には、具体的には高分子材料としてはアクリル樹脂やポリイミド樹脂等、無機絶縁材料としては、窒化シリコン等が使用される。しかしながら、高分子材料は無機材料に比較して含水量が多く、平坦化層や素子分離層に水分が残留しやすい。その結果、平坦化層ならびに素子分離層の残留水分が有機発光素子の有機化合物層を劣化させる。また、素子分離層が無機絶縁材料からなる場合においても、平坦化層に含まれる水分が素子分離層に生じる亀裂を介して有機化合物層を劣化させることがある。
ところで、発光領域の周辺に配置される平坦化層や素子分離層は、有機化合物層の蒸着を行う際の面内方向の成膜誤差を許容するため、あるいは発光領域周辺に配置される回路上を保護するため、面内方向に幅を広くして形成されている。そのため、発光領域の周辺において幅の広い平坦化層や、素子分離層では、残留水分の量は増大し、発光領域の外周部では、発光領域の中央部よりも水分の影響を大きく受けることになる。その結果、発光領域外周部の有機発光素子においては、劣化が特に顕著になるのである。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、発光領域の外周部で特に顕著になる劣化が抑制された有機発光装置を提供することを目的とする。
本発明は、基材と、前記基材上に配置されている薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上を平坦化する樹脂層と、前記樹脂層の上に配置されている複数の有機発光素子と、前記樹脂層の上に形成されており前記複数の有機発光素子を絶縁する素子分離層と、を有し、
前記有機発光素子は、陽極と、発光層を含む有機化合物層と、陰極と、を有し、
前記有機化合物層は、前記陰極に接しており、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物の少なくともいずれか1つを含み、
前記素子分離層は、前記基材面上に複数の開口部を有していて、前記複数の開口部に前記複数の有機発光素子が配置されることによって発光領域が形成されている、有機発光装置において、
前記電子注入層と同じ組成の吸湿層が、前記発光領域の周辺で前記素子分離層上に形成されていることを特徴とする有機発光装置を提供する。
また、本発明は、基材と、前記基材上に設けられている複数の有機発光素子と、前記基材上に配置されており、前記複数の有機発光素子間を絶縁する素子分離層と、を有し、
前記有機発光素子は、陽極と、発光層を含む有機化合物層と、陰極と、を有し、
前記有機化合物層は、前記陰極に接しており、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物の少なくともいずれか1つを含み、
前記素子分離層は、前記基材面上に複数の開口部を有する、樹脂からなる層であり、前記複数の開口部に前記複数の有機発光素子が配置されることによって発光領域が形成されている、有機発光装置において、
前記電子注入層と同じ組成の吸湿層が、前記発光領域の周辺で前記素子分離層上に形成されていることを特徴とする有機発光装置を提供する。
本発明によれば、発光領域の外周部において、素子分離層あるいは平坦化層による水分の影響を低減させ、発光領域の外周部で特に顕著になる劣化を抑制することができる。
本発明にかかる有機発光装置は、基材と、基材上に配置されている複数の有機発光素子と、基材上に形成されており複数の有機発光素子を絶縁する素子分離層と、を有する。基材上に薄膜トランジスタを配置して、薄膜トランジスタによって有機発光素子の発光を制御する場合には、薄膜トランジスタ上を平坦化する樹脂層さらに有する。この場合樹脂層は、薄膜トランジスタと有機発光素子との間に形成される。有機発光素子は、陽極と、発光層を含む有機化合物層と、陰極と、を有する。有機化合物層は、陰極に接しており、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物の少なくともいずれか1つを含む電子注入層を有する。素子分離層は、基材面上に複数の開口部を有していて、複数の開口部に複数の有機発光素子が配置されることによって発光領域が形成されている。そして、電子注入層と同じ組成の層(以下吸湿層とする)が、発光領域の周辺で素子分離層上に形成されている。
電子注入層はアルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物の少なくともいずれか1つを有する。これらの物質は電子注入性を高めるだけでなく、水分を吸収しやすい材料である。
そして、電子注入層と同じ組成の層である吸湿層が発光領域周辺の素子分離層の上に配置されることによって、吸湿層が素子分離層、あるいは樹脂層に含まれる水分を吸収し、有機発光素子にある有機化合物層等へのダメージを低減することができる。その結果、発光領域外周部での劣化を低減でき、より長時間に渡って高品質の発光を得ることができる。発光領域周辺とは、複数の有機発光素子を有する場合の有機発光素子間の領域を指すものではなく、複数の有機発光素子によって形成される発光領域よりも発光装置の端部に近い領域のことを指すものであり、額縁領域ともいう。発光はさせないが素子分離層に有する有機発光素子と同様の開口部、いわゆるダミー画素を有する場合には、ダミー画素は発光領域周辺にあるものとする。この場合、吸湿層は、ダミー画素と発光領域の最外周に配置される有機発光素子の間の領域、あるいはダミー画素よりも発光装置の端部に近い領域のいずれの領域に形成されていてもよい。
本発明において、吸湿層は電子注入層と離間した別の層であってもよいが、電子注入層とが連続して成膜された1つの層であってもよい。この場合には成膜工程が簡単になり、歩留まりを上げることができる。
吸湿層が電子注入層と連続して配置されていて1つの層を構成している場合には、吸湿層が吸収した水分が有機発光素子部にある電子注入層に悪影響を及ぼすとも考えられる。しかし、実際には水分が面内方向に伝播していく速さは遅いため、発光に大きな影響を与えることはないことが分かった。
以下、本発明の実施の形態について、図面に基づいて詳細に説明する。
図1(a)は、本発明にかかる有機発光装置の端部の一例を表す断面模式図である。また図1(b)は、本発明にかかる有機発光装置の平面模式図である。図1(a)は、図1(b)に示すA−Bの断面である。図1において、1はガラス基板(基材)、2はTFT(スイッチング素子)、3は絶縁層、4は樹脂層(平坦化層)、5はアノード電極(陽極)、6は発光層、6’は電子注入層、7はカソード電極(陰極)、8は吸湿材、9は不活性ガス、10は素子分離層、11は封止ガラス、12は接着剤、13はカソード・グラウンドコンタクトを示す。またIは発光領域、Oは発光領域周辺を示す。
図1に示した有機発光装置は、ガラス基板1の上にTFT2、絶縁層3、樹脂層4の順で積層形成されている。そして、樹脂層4の上部に、画素単位のアノード電極5が形成され、その各画素の周囲がポリイミド製の素子分離層10によって覆われている。素子分離層10の上に発光層6、及び電子注入層6’が順次形成されていて、その上部にはカソード電極7が形成されている。有機化合物層は必ずしも発光層6、及び電子注入層6’の2層でなくてもよく、他に正孔輸送層、電子輸送層があってもよい。アノード電極5とカソード電極7の間に電流を流すことによって、これらの間に配置される発光層6が発光する。発光する部分が有機EL発光部となる。発光領域周辺Oに配置される素子分離層10は、有機化合物層の蒸着を行う際の面内方向の成膜誤差を許容するため、あるいは発光領域周辺に配置される駆動回路上を保護するため、素子間での素子分離層10の幅よりも広くされている。カソード電極7の上は、発光領域部が凹構造にエッチングされた封止ガラス11で覆われ、封止ガラス11の周囲は接着剤12で封止されている。封止ガラス11の有機化合物層側の内面には、吸湿膜8が形成されていて、封止ガラス11とカソード電極7との間は不活性ガス9によって充填されている。
図1において、吸湿層は電子注入層6’と連続して形成され1つの層を構成している。そして、その層が発光領域周辺Oの素子分離層10の上に配置されている。より好ましくは、図1(a)のように発光領域周辺Oにおいて発光領域Iに隣接した領域に吸湿層を形成する。このようにすることによってより発光領域外周部での劣化を低減できる。
素子分離層10に吸湿層が配置されていることによって素子分離層10に含まれる水分が吸湿層に吸収されて、素子分離層10による有機発光素子の有機化合物層への影響を低減することができる。また、樹脂層4に含まれる水分が素子分離層10を介して吸湿層に吸収されることによって、樹脂層4による有機化合物層への影響を低減することもできる。
なお、図1(b)では吸湿層が発光領域Iの周囲4辺に形成されているが、本発明では必ずしも周囲4辺に形成されていなくてもよい。ただし、吸湿層を周囲4辺に形成することによって、発光領域周辺Oの周囲4方向から発光領域Iへの水分侵入を防ぐことができるため、好ましい。
図1において、素子分離層10と吸湿層との間には発光層6と同じ組成の層が配置されている。これは、発光層6を1画素分多く成膜したものである。アライメント精度の許容範囲を広げる場合に有効な方法である。この場合には、水分はその層にも侵入していくと考えられるが、有機化合物層へ影響を与えることはない考えられるため、本発明の効果を得ることができる。
図2は、本発明にかかる有機発光装置の端部の別の例を示す断面模式図である。図2に示した有機発光装置は、素子分離層10の上に1画素分多く配置されていた発光層6と同じ組成の層が配置されていない点が、図1の構成と異なる。また、封止ガラス11が素子部が凹構造にエッチングされたガラスではなく、平板状のガラスであることが図1の構成とは異なる。それ以外は図1と同様の構成である。
本実施の形態において、吸湿層が素子分離層10の上に接して設けられているため、より水分の吸収をスムーズに行うことができる。そのため、有機化合物層への影響もより少ない構成となる。
図3は、本発明にかかる有機発光装置の端部の別の例を示す断面模式図である。図3に示した有機発光装置は、吸湿層が電子注入層6’と連続して形成され1つの層を構成している点においては図1及び図2と同様の構成であるが、素子分離層10の上を全て覆わずに、部分的に覆っている点で図1及び図2の構成とは異なる。
本実施の形態において、吸湿層は図1あるいは図2の構成に比べて素子分離層10あるいは樹脂層4に含まれる水分を吸収しにくい。しかし、有機EL発光部に与える影響を十分少なくできる場合には、本実施の形態のように素子分離層10上のすべてを覆っていなくてもよい。具体的には素子分離層10の50%以上、あるいは発光領域Iから素子分離層10の40μm以上を吸湿層が覆っていることが好ましく、この数値範囲を満たすものであれば、本発明の効果を得ることができる。
図4は、本発明にかかる有機発光装置の端部の別の例を示す断面模式図である。図4に示した有機発光装置は、発光領域周囲Oでかつガラス基板1と樹脂層4との間に有機発光素子の駆動を制御する駆動回路が配置されている。このようにすることによって樹脂層4および素子分離層10は駆動回路を製造工程中の衝撃等から保護することができる。
本発明にかかる有機発光装置は上記の例によって説明されるものであるが、必ずしも上記の構成に限定されるものではない。例えば、上記の構成は全て下部電極がアノード電極、上部電極がカソード電極であるが、下部電極がカソード電極、上部電極がアノード電極であってもよい。この場合、下部電極であるカソード電極を形成した後に電子注入層の成膜を行う。電子注入層と吸湿層とが連続して成膜される場合には、吸湿層によって素子分離層の開口の側面が覆われるため、より確実に水分吸収を行うことができる。
また、本発明では、図5のように電子注入層と吸湿層とがそれぞれ離間して形成されていてもよい。成膜された電子注入層あるいは吸湿層の中を水分が面内方向へ伝播していく速度は遅いため、電子注入層と吸湿層とが連続して成膜されていても水分が伝播することによる影響は小さいが、より確実に水分の伝播を抑える必要がある場合には、好ましい方法である。
また、上記の例は樹脂層と素子分離層の両方を有し、いずれも有機化合物からなる構成について説明したが、本発明は、素子分離層が無機絶縁物からなる構成であってもよい。あるいは、素子分離層が有機化合物からなる場合には、樹脂層を有しない構成であってもよい。このような構成はストライプ状の電極の交差点で発光させるパッシブマトリクス型の発光装置の場合に考えられる構成である。このように少なくとも樹脂層と素子分離層のいずれか一方が有機化合物からなる場合であれば、発光領域外周部での水分による劣化が問題になるため、本発明はいずれの構成も発明の範囲に含むものである。
また、基材側から光を取り出すいわゆるトップエミッション構成、あるいは基材とは反対側から光を取り出すいわゆるボトムエミッション構成のいずれの構成であってもよい。
本発明に係る有機発光装置は、白色発光である場合には液晶表示装置のバックライトとして好ましく用いることができるし、RGB等の複数色の発光部を複数有する場合には表示装置として好ましく用いることができる。
本発明に係る有機発光装置は、テレビ受像機、PCのモニタ、携帯電話等の表示部に好ましく用いることができる。特に幅広い温度、湿度での使用が想定され、高い対環境性を必要とするモバイル機器の表示部に好ましく用いることができる。本発明の有機発光装置を表示部に有する表示装置は、より長時間にわたって高品質の表示が可能となる。
また、本発明に係る有機発光装置は、デジタルカメラ等の撮像装置に好ましく用いることもできる。本発明の有機発光装置を表示部に有する撮像装置は、より長時間にわたって高品質の表示が可能となる。
以下、本発明の実施例について説明する。
(実施例1)
本実施例は図1に示す有機発光装置の実施例である。
以下、各部材の形成工程と、それらの工程を経て作成された装置の評価結果を示す。
[アノード電極以下の形成]
ガラス基板1上に、TFT(スイッチング素子)2を作製し、さらに、TFT(スイッチング素子)2を保護すべく絶縁層3を形成した。つづいて、前記TFTバックプレーン形成により生じた凹凸を平坦化すべく樹脂層4をJSR社製アクリル材料PC415Gを用い、スピンコート法にて成膜し、その後、ウエットプロセスを用いて周辺領域のみ除去した。
[アノード電極(陽極)の形成]
前記したTFTバックプレーン内に形成された各ドレイン端子と電気的コンタクトを取るべく、絶縁層3および樹脂層4にコンタクトホールを形成後、Cr電極100nmの厚さに成膜した。その後、ウエットプロセスを用いてアノード電極(陽極)を形成した。
[素子分離層の形成]
続いて、アノード電極間(端)に素子分離層10を形成すべく、JSR社製アクリル材料PC415Gを用い、スピンコート法にて成膜し、その後、ウエットプロセスを用いて素子分離層10を形成した。
[前処理]
まず、UV/オゾン洗浄をしたのち、1×10−2Pa 50℃で7時間、真空ベークを行った。
次に、基板を有機蒸着装置へ移して真空排気し、前処理室に設けたリング状電極に50WのRF電力を投入し酸素プラズマ洗浄処理を行った。酸素圧力は、0.6Paで処理時間は40秒であった。
[正孔輸送層の形成]
基板を前処理室より成膜室へ搬送し、成膜室の真空度が1×10−4Paまで排気した後、正孔輸送性を有するαNPDを抵抗加熱蒸着法により成膜した。成膜速度は0.2nm/secで、膜厚35nmで正孔輸送層を形成した。なお、正孔輸送層はすべての画素にそれぞれ蒸着されるよう、格子状のメタルマスクを用いて蒸着した。
[発光層の形成]
続いて正孔輸送層の上にアルキレート錯体であるAlq3を抵抗加熱蒸着法により正孔輸送層と同様の成膜条件で膜厚15nmの厚さで形成した。前記した発光層を、正孔輸送層と同様にすべての画素に蒸着すべく格子状のメタルマスクを用いて蒸着した。
この際、図1の発光層6に示すように、発光領域Iの周辺部に配置された、樹脂層4または、素子分離層10が形成される領域まで、表示領域と同様のピッチでメタルマスクの開口を設けて、蒸着した。
なお、各R・G・Bに塗り分ける際には、各R・G・Bの配列に対応したメタルマスクを用いてそれぞれの発光層を形成すればよい。
[電子注入層及び吸湿層の形成]
次に、発光層上に抵抗加熱共蒸着法によりAlq3と炭酸セシウム(Cs2CO3)を膜厚比9:1の割合で混合され、かつ、蒸着速度が0.3nm/secになるよう、夫々の蒸着速度を調整して、膜厚が35nmになるよう電子注入層を形成した。
本発明の電子注入層は、発光領域周囲Oに配置された素子分離層10をすべて覆うようにメタルマスクの開口を設けて、蒸着した。
電子注入層を構成する材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属の化合物及びアルカリ土類金属の化合物からなる群から少なくとも一つを選ぶことが好ましい。具体的には、炭酸セシウム(Cs2CO3)インジウムIn等が挙げられる。本発明の材料選定の理由は、電子注入能力が高いことならびに吸湿性が高いことである。本発明においては、発光領域周辺Oにおいて素子分離層10上に本発明の電子注入層が配置されると、残留する水分を吸収することができ、発光領域の周辺部で特に顕著になる劣化を抑制することができる。
[カソード電極(陰極)の形成]
最後に陰極電極を形成するために電極形成用のスパッタ室に基板を搬送し、電子注入層の上にITOターゲットを用いてDCマグネトロンスパッタリング法により膜厚が130nmになるようメタルマスク成膜を用いて透明電極であるカソード電極を形成した。
成膜条件としては、基板加熱無しの室温成膜で、成膜圧力を1.0Pa、Ar、H20及び、O2ガスを用いそれぞれの流量は500、1.5、5.0sccmとし、ターゲットに印加する投入パワーはITO:500Wで成膜した。透過率は85%(at.450nm)、比抵抗値は8×10−4Ω・cmであった。
上記したように、基板上にTFTバックプレーンを形成した後、陽極、正孔輸送層、発光層、電子注入層、及び、陰極を設け、有機発光素子基板を作製した。
[封止工程]
本実施例では、以上の工程によって作成された有機発光素子基板の上に、封止層を設けた。封止層を設けることで、有機発光素子基板の外部であるたとえば空気中に含まれる水分が有機化合物層に浸入することを防ぐことができる。封止層としては、封止基板である平板ガラスや、接着領域のみを凸型にしたいわゆるエッチングガラスを用い、接着には、カチオン硬化型の紫外線硬化樹脂を用いて設けてもよいし、有機発光素子基板上に直接、無機膜を形成してもよい。封止層としての無機膜の材料としては、例えばSiN等の防湿性が高く、かつ、透過率の高い材料を用いることが好ましい。
本実施の形態においては、封止ガラス11としてエッチングガラスを用い、Caが主体のシート状のゲッター材を、吸湿部材8として用いた。なお、吸湿部材を用いる主な目的は、有機発光素子基板と封止基板の接着部から進入する水分を除去することが主な目的である。
まず、グローブボックス内において封止ガラス11に、吸湿部材8を、発光領域Iにかからない位置に貼り付けた。
次に、有機発光素子基板の上に空気中の水分が浸入しないように、封止ガラス11と有機発光素子基板とを貼り付け、有機発光素子基板の封止を行った。
ここで接着剤12として、光カチオン重合系の液状樹脂(KR695/旭電化製)を用いた。
上記接着剤をディスペンサ用シリンジに注入し、注入後、封止基板をグローブボックスに搬送し、ディスペンスロボットを用いて封止基板の周辺部に幅0.5mm、厚み35μm程度で塗布した。
次に前記封止基板と、前記、有機発光素子基板を封止すべく、有機発光素子基板をグローブボックスに搬送し、封止基板と有機発光素子基板を接着剤12を介して封着した。なお、その際の紫外線照射強度は100mW/cmで光量は3,000mJ/cmとした。
以上に述べた封止工程は、グローブボックス内の水分濃度を10ppm以下に制御して行った。
[素子評価1]
長期信頼性を確認すべく、有機発光装置作製直後の発光状態を確認したのち、60℃/90%RHの雰囲気条件で1000時間の耐久試験を行った。発光領域周辺Oに配置された素子分離層に、吸湿層を設けたことにより、発光領域Iの最外周に配置された画素においても課題であった特性劣化は見られなかった。
また、従来の構成として、発光領域周辺Oに配置された素子分離層10に、有機発光層や電子輸送層および電子注入層6’を設けない構成の有機発光素子基板も作製し、同一の条件において耐久試験を行った。すると、発光領域Iの最外周の画素から3画素目まで特性劣化が生じていることが確認できた。
(実施例2)
本実施例は図2に示す有機発光装置の実施例である。
以下、各部材の形成工程と、それらの工程を経て作成された装置の評価結果を示す。
本実施例においても、実施例1と同様に、ガラス基板1上に、TFT(スイッチング素子)2を作製し、さらに、TFT(スイッチング素子)2を保護すべく絶縁層3を形成した。
つづいて、前記TFTバックプレーン形成により生じた凹凸を平坦化すべく樹脂層4を形成した。
さらに、実施例1と同様の条件にて、アノード電極(陽極)形成を行った後、前処理を行い、引き続いて、正孔輸送層、まで形成した。
[発光層形成]
続いて正孔輸送層の上にアルキレート錯体であるAlq3を抵抗加熱蒸着法により正孔輸送層と同様の成膜条件で膜厚15nmの厚さで形成した。前記した発光層を、正孔輸送層と同様にすべての画素に蒸着すべく格子状のメタルマスクを用いて蒸着した。
なお、本実施例においては、発光層の形成領域は、従来の構成と同様に発光領域のみとした。
[電子注入層形成]
次に、発光層上に抵抗加熱共蒸着法によりAlq3と炭酸セシウム(Cs2CO3)を膜厚比9:1の割合で混合され、かつ、蒸着速度が0.3nm/secになるよう、夫々の蒸着速度を調整して、膜厚が35nmになるよう電子注入層を形成した。
この際、発光領域周辺Oに配置された、素子分離層10をすべて覆うようにメタルマスクの開口を設けて、蒸着した。
なお、本実施例においても、カソード・グラウンドコンタクト13より外側の領域にも樹脂層4が配されている。
電子注入層形成後は、実施例1と同様の手順において、カソード電極を設け、封止工程を行った。
[素子評価2]
本実施例の条件において試作した有機発光装置においても長期信頼性を確認すべく、有機発光素子基板作製直後の発光状態を確認したのち、60℃/90%RHの雰囲気条件で1000時間の耐久試験を行った。その結果、本実施例においても、発光領域Iの最外周に配置された画素においても課題であった輝度劣化、駆動電圧上昇等の特性劣化の発生は見られなかった。
なお、本実施例においては、いずれも電子注入層にAlq3と炭酸セシウム(Cs2CO3)の混合膜を用いたが、なんらこれに限ることはない。例えば、インジウムIn等、その他のアルカリ金属酸化物・アルカリ土類金属酸化物等を用いてもよく、カソード電極の材料に応じた材料を用いてもよい。
(a)は本発明にかかる有機発光装置の端部の一例を表す断面模式図である。(b)は本発明にかかる有機発光装置の平面模式図である。 本発明にかかる有機発光装置の端部の別の例を示す断面模式図である。 本発明にかかる有機発光装置の端部の別の例を示す断面模式図である。 本発明にかかる有機発光装置の端部の別の例を示す断面模式図である。 本発明にかかる有機発光装置の端部の別の例を示す断面模式図である。
符号の説明
1 ガラス基板
2 TFT(スイッチング素子)
3 絶縁膜
4 樹脂層(平坦化層)
5 不透明電極
6 発光層
7 透明電極
8 吸湿材
9 不活性ガス
10 素子分離層
11 封止ガラス
12 接着材
13 カソード・グラウンドコンタクト

Claims (8)

  1. 基材と、前記基材上に配置されている薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上を平坦化する樹脂層と、前記樹脂層の上に配置されている複数の有機発光素子と、前記樹脂層の上に形成されており前記複数の有機発光素子を絶縁する素子分離層と、を有し、
    前記有機発光素子は、陽極と、発光層を含む有機化合物層と、陰極と、を有し、
    前記有機化合物層は、前記陰極に接しており、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物の少なくともいずれか1つを含み、
    前記素子分離層は、前記基材面上に複数の開口部を有していて、前記複数の開口部に前記複数の有機発光素子が配置されることによって発光領域が形成されている、有機発光装置において、
    前記電子注入層と同じ組成の吸湿層が、前記発光領域の周辺で前記素子分離層上に形成されていることを特徴とする有機発光装置。
  2. 基材と、前記基材上に設けられている複数の有機発光素子と、前記基材上に配置されており、前記複数の有機発光素子間を絶縁する素子分離層と、を有し、
    前記有機発光素子は、陽極と、発光層を含む有機化合物層と、陰極と、を有し、
    前記有機化合物層は、前記陰極に接しており、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物の少なくともいずれか1つを含み、
    前記素子分離層は、前記基材面上に複数の開口部を有する、樹脂からなる層であり、前記複数の開口部に前記複数の有機発光素子が配置されることによって発光領域が形成されている、有機発光装置において、
    前記電子注入層と同じ組成の吸湿層が、前記発光領域の周辺で前記素子分離層上に形成されていることを特徴とする有機発光装置。
  3. 前記発光領域の周辺での前記素子分離層の幅は、隣り合う前記有機発光素子間での前記素子分離層の幅よりも広いことを特徴とする請求項1または請求項2のいずれか1項に記載の有機発光装置。
  4. 前記発光領域の周辺でかつ前記基材と前記素子分離層との間に、前記有機発光素子の駆動を制御する駆動回路が配置されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の有機発光装置。
  5. 前記電子注入層と前記吸湿層とは、連続して成膜された1つの層であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の有機発光装置。
  6. 前記吸湿層は、前記発光領域の周囲4辺に形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の有機発光装置。
  7. 前記吸湿層は、前記発光領域の周辺で前記素子分離層の幅の50%以上を覆っていることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の有機発光装置。
  8. 前記吸湿層は、前記発光領域から前記発光領域の周辺に向かって前記素子分離層の40μm以上を覆っていることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の有機発光装置。
JP2007030727A 2006-03-29 2007-02-09 有機発光装置 Expired - Fee Related JP4448148B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007030727A JP4448148B2 (ja) 2006-03-29 2007-02-09 有機発光装置
US11/691,696 US7872255B2 (en) 2006-03-29 2007-03-27 Organic light-emitting device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006091226 2006-03-29
JP2007030727A JP4448148B2 (ja) 2006-03-29 2007-02-09 有機発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007294405A true JP2007294405A (ja) 2007-11-08
JP4448148B2 JP4448148B2 (ja) 2010-04-07

Family

ID=38557485

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007030727A Expired - Fee Related JP4448148B2 (ja) 2006-03-29 2007-02-09 有機発光装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7872255B2 (ja)
JP (1) JP4448148B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009295911A (ja) * 2008-06-09 2009-12-17 Canon Inc 有機el発光装置
JP2012238578A (ja) * 2011-04-27 2012-12-06 Canon Inc 有機el表示装置の製造方法、電子機器

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100043011A (ko) * 2008-10-17 2010-04-27 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 el 장치, 유기 el 장치의 제조 방법, 전자 기기
KR101808300B1 (ko) * 2011-06-21 2017-12-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20130025717A (ko) * 2011-09-02 2013-03-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102360783B1 (ko) 2014-09-16 2022-02-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US9753195B2 (en) 2015-06-25 2017-09-05 Apple Inc. Border structures for displays
JP6557601B2 (ja) * 2015-12-29 2019-08-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、表示装置の製造方法
KR20200103025A (ko) * 2017-12-22 2020-09-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
CN109087935B (zh) * 2018-08-20 2021-09-10 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板
CN111697153B (zh) * 2019-03-15 2023-03-03 纳晶科技股份有限公司 发光器件

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6049167A (en) * 1997-02-17 2000-04-11 Tdk Corporation Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same
JP3288242B2 (ja) 1997-02-17 2002-06-04 ティーディーケイ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
US6879110B2 (en) * 2000-07-27 2005-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving display device
JP4618862B2 (ja) 2000-10-30 2011-01-26 大日本印刷株式会社 バリア性積層構造体を用いて封止された封止el素子
SG111923A1 (en) * 2000-12-21 2005-06-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2004342336A (ja) * 2003-05-13 2004-12-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
US7221095B2 (en) * 2003-06-16 2007-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method for fabricating light emitting device
US20070001590A1 (en) * 2005-06-29 2007-01-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light source using organic electroluminescent device
JP2007059128A (ja) * 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機el表示装置およびその製造方法
JP4504300B2 (ja) * 2005-11-11 2010-07-14 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
KR20080013300A (ko) * 2006-08-08 2008-02-13 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009295911A (ja) * 2008-06-09 2009-12-17 Canon Inc 有機el発光装置
US8766241B2 (en) 2008-06-09 2014-07-01 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting device
JP2012238578A (ja) * 2011-04-27 2012-12-06 Canon Inc 有機el表示装置の製造方法、電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
JP4448148B2 (ja) 2010-04-07
US7872255B2 (en) 2011-01-18
US20070228380A1 (en) 2007-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4448148B2 (ja) 有機発光装置
US8022399B2 (en) Organic light-emitting device
US20180351127A1 (en) Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
KR101274785B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US8928222B2 (en) Organic electroluminescent display device and method and apparatus of manufacturing the same
US8729538B2 (en) Organic light emitting diode device and method for fabricating the same
WO2011108020A1 (ja) 有機el装置およびその製造方法
JP2010257957A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置
US8018143B2 (en) Organic electroluminescent display device and method of manufacturing the same
KR20070080834A (ko) 유기 el소자 어레이
JP2012209215A (ja) 有機el装置の製造方法、電子機器
KR20100004221A (ko) 상부 발광방식 유기전계발광소자
US9692011B2 (en) Electroluminescent apparatus
JP2006338946A (ja) 表示パネル
JP6615001B2 (ja) 表示装置およびその製造方法
US20100078646A1 (en) Display device
JP2008098033A (ja) 有機el表示装置
JP2007265764A (ja) 有機el素子
KR101948173B1 (ko) 유기전계발광 표시소자
JP2009181865A (ja) 表示装置
JP2012038574A (ja) 表示装置の製造方法
KR101552986B1 (ko) 유기전계발광 표시장치와 그 제조방법
JP2010049986A (ja) 有機el表示装置
JP2008281722A (ja) 有機発光装置及びその製造方法
JP2010040408A (ja) 有機el装置及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100113

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100119

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100121

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130129

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4448148

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140129

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees