CN114967252B - 一种显示面板及其制作方法、控制方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示面板及其制作方法、控制方法、显示装置，其中，显示面板包括：相对设置的第一基板和第二基板，第一基板包括：第一基底和设置在第一基底上的驱动结构层，第二基板包括：第二基底和设置在第二基底上的黑矩阵层，驱动结构层包括：多个开关晶体管，显示面板包括多个像素单元，每个像素单元包括：一个开关晶体管；黑矩阵层靠近第一基板的一侧开设有多个凹槽结构，多个凹槽结构与多个像素单元一一对应；黑矩阵层在第一基底上的正投影覆盖多个开关晶体管在第一基底上的正投影，凹槽结构在第一基底上的正投影与对应的像素单元中的开关晶体管的沟道区域在第一基底上的正投影至少部分重叠，以使得满足预设波长条件的光线射入显示面板。

Description

一种显示面板及其制作方法、控制方法、显示装置
技术领域
本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制作方法、控制方法、显示装置。
背景技术
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，简称LCD)是平板显示装置中的一种，因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。
液晶显示面板和背光模组是液晶显示装置的重要部件，通过在液晶显示面板的一侧设置背光源，从而实现图像显示。液晶显示面板包括：阵列基板、彩膜基板以及设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。
发明内容
本公开提供了一种显示面板及其制作方法、控制方法、显示装置，可以实现激光对液晶显示面板的远程控制。
第一方面，本公开提供了一种显示面板，包括：相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板包括：第一基底和设置在所述第一基底上的驱动结构层，所述第二基板包括：第二基底和设置在所述第二基底上的黑矩阵层，所述驱动结构层包括：多个开关晶体管，所述显示面板包括多个像素单元，每个像素单元包括：一个开关晶体管；
所述黑矩阵层靠近所述第一基板的一侧开设有多个凹槽结构，多个凹槽结构与多个像素单元一一对应；
所述黑矩阵层在第一基底上的正投影覆盖多个开关晶体管在第一基底上的正投影，所述凹槽结构在所述第一基底上的正投影与对应的像素单元中的开关晶体管的沟道区域在第一基底上的正投影至少部分重叠，以使得满足预设波长条件的光线射入显示面板。
在一些可能的实现方式中，所述凹槽结构包括：至少一个凹槽；任意两个凹槽结构的凹槽面积之间的差值小于阈值面积，其中，所述凹槽面积为凹槽结构中所有凹槽的横截面的面积之和；
位于同一行或同一列的像素单元对应的凹槽结构呈不规则排布。
在一些可能的实现方式中，所述凹槽的横截面为U型或者方形，
在一些可能的实现方式中，所述凹槽的深度为所述黑矩阵层厚度的70％～90％。
在一些可能的实现方式中，所述第一基板还包括：设置在所述驱动结构层远离第一基底的一侧的像素电极层，所述像素电极层包括：多个像素电极，每个像素单元包括一个像素电极，相邻像素单元的像素电极间隔设置；
所述像素电极为透明电极，且为块状电极。
在一些可能的实现方式中，所述第一基板还包括：设置在所述像素电极层远离所述第一基底的一侧的公共电极层；所述公共电极层包括：N个公共电极，每个像素单元包括一个公共电极，多个像素单元共用一个公共电极，N≥1；
所述公共电极在所述第一基底上的正投影与所在的像素单元的像素电极在所述第一基底上的正投影至少部分重叠；
所述公共电极为透明电极，且为狭缝电极。
在一些可能的实现方式中，每个公共电极的面积相等。
在一些可能的实现方式中，所述第一基板还包括：沿第一方向延伸的，且沿第二方向排布的多条栅线以及沿第二方向延伸，且沿第一方向排布的数据线；所述像素单元由栅线和数据线交叉限定；所述栅线沿第二方向的长度大于所述数据线沿第一方向的长度；
所述第一基板还包括：N条沿所述第二方向延伸，且沿第一方向排布的检测信号线；
所述检测信号线与所述数据线同层设置，所述检测信号线与所述公共电极一一对应，且与对应的公共电极电连接；所述黑矩阵层在第一基底上的正投影覆盖所述检测信号线在所述第一基底上的正投影，所述检测信号线在第一基底上的正投影与对应的公共电极在第一基底上的正投影存在重叠区域。
在一些可能的实现方式中，所述检测信号线沿第二方向的长度等于所述数据线沿第二方向的长度的1～2倍。
在一些可能的实现方式中，所述第一基板还包括：依次设置在所述第一基底上的第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、半导体层、第二金属层、第三绝缘层和第四绝缘层，所述像素电极层设置在所述第三绝缘层和所述第四绝缘层之间，所述公共电极层设置在所述第四绝缘层远离所述第一基底的一侧；
所述第一金属层包括：栅线和开关晶体管的栅电极，所述半导体层包括：开关晶体管的有源层，所述第二金属层包括：数据线、检测信号线和开关晶体管的源漏电极。
在一些可能的实现方式中，所述第三绝缘层和所述第四绝缘层上设置有过孔，所述公共电极通过过孔与对应的检测信号线电连接。
在一些可能的实现方式中，所述显示面板还包括：处理器；
所述处理器与所述检测信号线电连接，设置为接收检测信号线的检测信号，根据检测信号确定满足波长条件的光线所在的位置，控制满足波长条件的光线的所在位置的像素单元的显示。
在一些可能的实现方式中，所述黑矩阵层的厚度为1～2微米，所述黑矩阵层的宽度为20～40微米；
所述凹槽的宽度为3～5微米，所述凹槽的深度为0.7～1.8微米。
在一些可能的实现方式中，所述半导体层的制作材料包括：非晶硅。
在一些可能的实现方式中，所述开关晶体管的沟道区域的长度为2～4微米，宽度为10～100微米。
在一些可能的实现方式中，所述满足波长条件的光线为激光。
第二方面，本公开还提供了一种显示装置，包括：上述显示面板。
第三方面，本公开还提供了一种显示面板的制作方法，用于制作上述显示面板，所述显示面板包括多个像素单元，所述方法包括：
在第一基底上形成驱动结构层，以形成第一基板；所述驱动结构层包括：多个开关晶体管，每个像素单元包括：一个开关晶体管；
在第二基底上采用半色调掩膜版工艺形成设置有多个凹槽结构的黑矩阵层，以形成第二基板；所述凹槽结构设置在黑矩阵层靠近所述第一基板的一侧，多个凹槽结构与多个像素单元一一对应；所述黑矩阵层在第一基底上的正投影覆盖多个开关晶体管在第一基底上的正投影，所述凹槽结构在所述第一基底上的正投影与对应的像素单元中的开关晶体管的沟道区域在第一基底上的正投影至少部分重叠，以使得满足预设波长条件的光线射入显示面板；
将第一基板和第二基板对盒设置。
第四方面，本公开还提供了一种显示面板的控制方法，应用于上述显示面板，所述方法包括：
接收检测信号线的检测信号；
根据检测信号确定满足波长条件的光线所在的位置；
控制满足波长条件的光线的所在位置的像素单元的显示内容。
在一些可能的实现方式中，所述根据检测信号确定满足波长条件的光线所在的位置之后，所述方法还包括：
调整向满足波长条件的光线的所在位置的像素单元中的像素电极的提供的信号的刷新频率。
本公开实施例提供一种显示面板及其制作方法、控制方法、显示装置，其中，显示面板包括：相对设置的第一基板和第二基板，第一基板包括：第一基底和设置在第一基底上的驱动结构层，第二基板包括：第二基底和设置在第二基底上的黑矩阵层，驱动结构层包括：多个开关晶体管，显示面板包括多个像素单元，每个像素单元包括：一个开关晶体管；黑矩阵层靠近第一基板的一侧开设有多个凹槽结构，多个凹槽结构与多个像素单元一一对应；黑矩阵层在第一基底上的正投影覆盖多个开关晶体管在第一基底上的正投影，凹槽结构在第一基底上的正投影与对应的像素单元中的开关晶体管的沟道区域在第一基底上的正投影至少部分重叠，以使得满足预设波长条件的光线射入显示面板。本公开通过在黑矩阵层上设置凹槽结构，使得满足预设波长条件的光线射入显示面板，从而实现满足预设波长条件的光线对显示面板的远程控制。
本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本公开而了解。本公开的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。
图1为本公开实施例提供的显示面板的结构示意图；
图2为本公开实施例提供的显示面板的俯视图；
图3为图2沿A-A向的剖视图；
图4为一种示例性实施例提供的显示面板的俯视图一；
图5为一种示例性实施例提供的显示面板的俯视图二；
图6为一种示例性实施例提供的显示面板的俯视图三；
图7为一种示例性实施例提供的显示面板的俯视图四；
图8为本公开实施例提供的显示面板的控制方法的流程图。
具体实施方式
本公开描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说，在本公开所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在具体实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。
本公开包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本公开已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的技术方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它技术方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的技术方案。因此，应当理解，在本公开中示出和/或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。
除非另外定义，本公开公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述的对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
液晶显示装置包括像素区和非像素区，其中，像素区由高透光材料组成，高透光材料的透过率高但反射率较低。非像素区包括黑矩阵，黑矩阵的光密度较大，有较强的吸光性反射率也较低。因此，当激光笔照射到液晶显示装置时，激光笔发射出的激光照射到液晶显示装置表面时反射光微弱不可见，无法实现激光笔对液晶显示装置的正常控制和显示。
图1为本公开实施例提供的显示面板的结构示意图，图2为本公开实施例提供的显示面板的俯视图，图3为图2沿A-A向的剖视图。如图1～3所示，本公开实施例提供的显示面板包括：相对设置的第一基板10和第二基板20，第一基板10包括：第一基底11和设置在第一基底11上的驱动结构层12，第二基板20包括：第二基底21和设置在第二基底21上的黑矩阵层22，驱动结构层12包括：多个开关晶体管T，显示面板包括多个像素单元P，每个像素单元P包括：一个开关晶体管T。图1是以两个像素单元为例进行说明的。
如图1～3所示，黑矩阵层22靠近第一基板10的一侧开设有多个凹槽结构220，多个凹槽结构220与多个像素单元P一一对应。
如图1～3所示，黑矩阵层22在第一基底11上的正投影覆盖多个开关晶体管T在第一基底11上的正投影，凹槽结构220在第一基底上的正投影与对应的像素单元中的开关晶体管T的沟道区域T20在第一基底11上的正投影至少部分重叠，以使得满足预设波长条件的光线射入显示面板。
在一种示例性实施例中，第一基底11和第二基底21可以为刚性衬底或柔性衬底，其中，刚性衬底可以为但不限于玻璃、金属箔片中的一种或多种；柔性衬底可以为但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯、对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚乙烯、纺织纤维中的一种或多种。
在一种示例性实施例中，开关晶体管T包括：栅电极T1、有源层T2、源电极T3和漏电极T4。开关晶体管T可以为底栅结构，保证满足预设波长条件的光线可以照射到开关晶体管的沟道区域中。
在一种示例性实施例中，开关晶体管的沟道区域的长度为2～4微米。
在一种示例性实施例中，沟道区域的长度可以为3微米。沟道区域的宽度和长度的比值定义为宽长比，高的宽长比可以保证更高的充电率，但是会带来像素开口率的下降。
在一种示例性实施例中，开关晶体管的沟道区域的宽度可以为10～100微米，沟道区域的宽度根据显示产品的充电率要求确定。
在一种示例性实施例中，黑矩阵层的制作材料可以为树脂炭黑。
在一种示例性实施例中，黑矩阵层的厚度可以为1～2微米。
在一种示例性实施例中，黑矩阵层的宽度可以为20～40微米，可以达到防止混色的目的。
在一种示例性实施例中，如图1和图3所示，第二基板20还可以包括：色阻层23和平坦层(图中未示出)。
在一种示例性实施例中，色阻层23与黑矩阵层22同层设置，平坦层设置在黑矩阵层靠近第一基板的一侧。平坦层可以保证显示的均一性。
在一种示例性实施例中，如图1和图2所示，黑矩阵层22可以为横纵交错的十字形，色阻层填充在黑矩阵层中。
一种示例性实施例中，色阻层23包括：红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片，每个像素单元包括一个滤光片。
在一种示例性实施例中，第一基板和第二基板可以通过封框胶粘结在一起。
在一种示例性实施例中，满足预设波长条件指的是波长小于自然光的波长。满足预设波长条件的光线波长较短，能量较高。
在一种示例性实施例中，满足预设波长条件的光线可以为激光，或者其他光线，本公开实施例对此不作任何限定。
在一种示例性实施例中，黑矩阵层可以保证非挖槽区域不透光，挖槽区域对外面自然光保持高吸收率低透过率，对满足预设波长条件的光线保持高透过率。
在一种示例性实施例中，激光的波长较短，穿透性较大，激光照射到液晶显示面板上的光斑的直径为3～5mm。激光射入显示面板后，通过挖槽结构可以入射到开关晶体管的沟道区域，产生较大的光照载流子，进而使得开关晶体管的漏电流较大，对开关晶体管的特性造成影响。在一种示例性实施例中，本公开实施例设置的凹槽结构可以保证自然光对开关晶体管的特性影响较小。
在一种示例性实施例中，显示面板还可以包括：液晶层，液晶层包括：若干个液晶分子，液晶层设置在第一基板和第二基板之间，设置为根据施加在像素电极和公共电极上的电压进行偏转，以实现显示面板的显示。
本公开实施例提供的显示面板包括：相对设置的第一基板和第二基板，第一基板包括：第一基底和设置在第一基底上的驱动结构层，第二基板包括：第二基底和设置在第二基底上的黑矩阵层，驱动结构层包括：多个开关晶体管，显示面板包括多个像素单元，每个像素单元包括：一个开关晶体管；黑矩阵层靠近第一基板的一侧开设有多个凹槽结构，多个凹槽结构与多个像素单元一一对应；黑矩阵层在第一基底上的正投影覆盖多个开关晶体管在第一基底上的正投影，凹槽结构在第一基底上的正投影与对应的像素单元中的开关晶体管的沟道区域在第一基底上的正投影至少部分重叠，以使得满足预设波长条件的光线射入显示面板。本公开通过在黑矩阵层上设置凹槽结构，使得满足预设波长条件的光线射入显示面板，从而实现满足预设波长条件的光线对显示面板的远程控制。
在一种示例性实施例中，如图2所示，凹槽结构220可以包括：至少一个凹槽；任意两个凹槽结构的凹槽面积之间的差值小于阈值面积，其中，凹槽面积为凹槽结构中所有凹槽的横截面的面积之和。
在一种示例性实施例中，任意两个凹槽结构的凹槽面积之间的差值小于阈值面积可以保证显示面板各个区域的灵敏度相同，可以保证显示面板的均一性。
在一种示例性实施例中，凹槽的横截面可以为U型，或者可以为方形，或者还可以为其他形状。
在一种示例性实施例中，如图2所示，凹槽结构可以包括第一凹槽221和第二凹槽222。其中，第一凹槽221在第一基底上的正投影与开关晶体管的沟道区域在第一基底上的正投影至少部分重叠。第二凹槽222在第一基底上的正投影与开关晶体管的沟道区域在第一基底上的正投影不存在重叠区域。
在一种示例性实施例中，第一凹槽221的个数可以为至少一个。图2是以一个第一凹槽为例进行说明的。
在一种示例性实施例中，第二凹槽222的个数可以为至少一个。图2是以两个第二凹槽为例进行说明的。
在一种示例性实施例中，位于同一行或同一列的像素单元对应的凹槽结构呈不规则排布，也就是说，相邻像素单元中的第一凹槽和第二凹槽的排布方式不同。位于同一行或同一列的像素单元对应的凹槽结构呈不规则排布可以保证在正常显示中不会由于光线透过造成横纹横线类不良，可以保证显示面板的显示效果。
在一种示例性实施例中，凹槽的深度可以为黑矩阵层厚度的70％～90％。凹槽的深度不仅可以保证激光可以透过黑矩阵层，还可以保证在正常光照下黑矩阵层具有较低的透过率，且不会影响开关晶体管的特性，进而保证显示面板的正常显示。
在一种示例性实施例中，凹槽的宽度可以为3～5微米。
在一种示例性实施例中，凹槽的深度可以为0.7～1.8微米。
图4为一种示例性实施例提供的显示面板的俯视图一。如图1和图4所示，在一种示例性实施例中，第一基板还包括：设置在驱动结构层12远离第一基底的一侧的像素电极层，像素电极层包括：多个像素电极13，每个像素单元包括一个像素电极，相邻像素单元的像素电极间隔设置。
在一种示例性实施例中，像素电极13可以为透明电极。
在一种示例性实施例中，透明电极的制作材料可以为氧化铟锡或者氧化铟锡等透明导电材料，本公开对此不做任何限定。
在一种示例性实施例中，像素电极13可以为块状电极。
图5为一种示例性实施例提供的显示面板的俯视图二。如图1和图5所示，在一种示例性实施例中，第一基板还包括：设置在像素电极层远离第一基底的一侧的公共电极层；公共电极层包括：N个公共电极14，每个像素单元包括一个公共电极，多个像素单元共用一个公共电极，N≥1。公共电极在第一基底上的正投影与所在的像素单元的像素电极在第一基底上的正投影存在重叠区域。
在一种示例性实施例中，公共电极可以为透明电极。
在一种示例性实施例中，公共电极可以为狭缝电极。
在一种示例性实施例中，显示面板的工作过程可以包括：显示阶段和非显示阶段。公共电极既可以在显示阶段与像素电极之间形成存储电容以控制液晶偏转，实现正常显示，还可以在非显示阶段作为信号检测电极，检测存储电容充放电情况，以检测满足预设条件的光线所照射的位置。
在一种示例性实施例中，满足预设条件的光线照射液晶显示面板时，会造成存储电容的电荷和电压的变化。
在一种示例性实施例中，公共电极的个数越多，检测的灵敏度越高。
图6为一种示例性实施例提供的显示面板的俯视图三，图7为一种示例性实施例提供的显示面板的俯视图四。如图6和7所示，在一种示例性实施例中，每个公共电极的面积可以相等。
在一种示例性实施例中，多个公共电极可以阵列排布，也可以非阵列排布，具体根据显示面板的尺寸确定。图6是以公共电极阵列排布为例进行说明的，图7是以公共电极非阵列排布为例进行说明的。
如图2～图5所示，在一种示例性实施例中，第一基板还包括：沿第一方向延伸的，且沿第二方向排布的多条栅线Gate以及沿第二方向延伸，且沿第一方向排布的数据线Data；像素单元P由栅线Gate和数据线Data交叉限定。
如图4所示，在一种示例性实施例中，栅线Gate沿第二方向的长度L1可以大于数据线Data沿第一方向的长度L2。
如图4～7所示，在一种示例性实施例中，第一基板还包括：N条沿第二方向延伸，且沿第一方向排布的检测信号线CT。
在一种示例性实施例中，检测信号线与数据线同层设置。在一种示例性实施例中，检测信号线和数据线的制作材料可以相同，或者可以不同，为了简化制作工艺，测信号线和数据线的制作材料相同。
在一种示例性实施例中，检测信号线可以作为触控反馈线使用。
如图4～7所示，在一种示例性实施例中，检测信号线CT与公共电极14一一对应，且与对应的公共电极电连接。
如图2所示，在一种示例性实施例中，黑矩阵层22在第一基底上的正投影覆盖检测信号线CT在第一基底上的正投影。
如图5～7所示，在一种示例性实施例中，检测信号线在第一基底上的正投影与对应的公共电极在第一基底上的正投影存在重叠区域。
如图4所示，在一种示例性实施例中，检测信号线沿第二方向的长度L3等于数据线沿第二方向的长度L3的1～2倍。
如图1所示，在一种示例性实施例中，第一基板还包括：依次设置在第一基底上的第一绝缘层121、第一金属层、第二绝缘层122、半导体层、第二金属层、第三绝缘层123和第四绝缘层15，像素电极层设置在第三绝缘层123和第四绝缘层15之间，公共电极层设置在第四绝缘层15远离第一基底11的一侧。
在一种示例性实施例中，第一金属层可以包括：栅线Gate和开关晶体管的栅电极。
在一种示例性实施例中，栅线Gate和开关晶体管的栅电极采用同一制程形成，且制作材料可以为如银Ag、铜Cu、铝Al、钼Mo等，或上述金属的合金材料，如铝钕合金AlNd、钼铌合金MoNb等，可以是多层金属，如Mo/Cu/Mo等，也可以是金属和透明导电材料形成的堆栈结构，如ITO/Ag/ITO等。
在一种示例性实施例中，半导体层可以包括：开关晶体管的有源层。
在一种示例性实施例中，半导体层的制作材料可以包括：非晶硅。
在一种示例性实施例中，沟道区域主要由非晶硅和掺杂正五价金属p的非晶硅组成，在正压偏置下提供高浓度的载流子，保证开关晶体管导通，向像素电极充电，在负压下良好的关闭特性进行像素电压的保持。同时，制作材料为非晶硅的半导体层在光照下会产生光照载流子，形成光照漏电流，影响开关晶体管的特性。
在一种示例性实施例中，第二金属层可以包括：数据线Data、检测信号线CT和开关晶体管的源漏电极。
在一种示例性实施例中，数据线Data、检测信号线CT和开关晶体管的源漏电极采用同一制程形成，且制作材料可以为如银Ag、铜Cu、铝Al、钼Mo等，或上述金属的合金材料，如铝钕合金AlNd、钼铌合金MoNb等，可以是多层金属，如Mo/Cu/Mo等，也可以是金属和透明导电材料形成的堆栈结构，如ITO/Ag/ITO等。
在一种示例性实施例中，第一绝缘层121为缓冲层，制作材料可以采用硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx、氮氧化硅SiON，或者可以采用高介电材料，如氧化铝AlOx、氧化铪HfOx、氧化钽TaOx等，可以是单层、多层或复合层结构。
在一种示例性实施例中，第二绝缘层122为栅绝缘层，制作材料可以采用硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx、氮氧化硅SiON。
在一种示例性实施例中，第三绝缘层123为钝化层，制作材料可以采用硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx、氮氧化硅SiON。
在一种示例性实施例中，第四绝缘层15为平坦层，制作材料可以采用聚酰亚胺。
如图2、图4～7所示，在一种示例性实施例中，第三绝缘层和第四绝缘层上设置有过孔H，公共电极14通过过孔H与对应的检测信号线CT电连接。
在一种示例性实施例中，显示面板还包括：处理器；处理器与检测信号线电连接，设置为接收检测信号线的检测信号，根据检测信号确定满足波长条件的光线所在的位置，控制满足波长条件的光线的所在位置的像素单元的显示。
在一种示例性实施例中，处理器可以为显示面板中的时序控制器为同一处理器，或者可以为不同于显示面板中的时序控制器的处理器。
在一种示例性实施例中，处理器控制满足波长条件的光线的所在位置的像素单元的显示指的是在非显示阶段，处理器控制满足波长条件的光线的所在位置的像素单元在下一帧输出特定颜色图案，以实现激光对显示面板的远程控制。
在一种示例性实施例中，可以控制激光能量的大小以及沟道区域的长宽比。当激光照射且能量较大时，开关晶体管产生的漏电流远大于正常关断电流数值，使得像素电压不能保持，液晶不能正常偏转。对于高级超维场转换技术(Advanced Super DimensionSwitch，简称ADS)模式，当显示面板的显示内容为黑色时，可以减轻处理器的负载，不用单独在非显示阶段做检测和控制输出特定颜色图案。
在一种示例性实施例中，当处理器在非显示阶段检测到有激光照射，造成像素电压异常，可以调整向像素电极提供的信号的刷新频率，通过降低刷新频率，增加漏电的时间，将像素电压差异化进一步加大，这样可以确保激光照射下像素电压的变化足够大，增加了检测灵敏度。若没有激光照射，漏电流数值较小，在每两次帧频变化时间间隔内电压降低幅度较小。
需要说明的是，凡是通过外界照射光造成像素单元显示异常，开关晶体管的特性差异变化，处理器根据检测到的差异变化从而在特定区域显示特定显示图案的技术和提案，包括但不限于本公开所列举实现方式，均在本公开的保护范围之内。
本公开实施例还提供了一种显示装置，包括：显示面板。
显示面板为前述实施例提供的显示面板，实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。
在一种示例性实施例中，显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本申请的限制。
本公开实施例还提供了一种显示面板的制作方法，用于制作显示面板，显示面板包括多个像素单元，显示面板的制作方法包括：
步骤S11、在第一基底上形成驱动结构层，以形成第一基板。
在一种示例性实施例中，驱动结构层包括：多个开关晶体管，每个像素单元包括：一个开关晶体管。
步骤S12、在第二基底上采用半色调掩膜版工艺形成设置有多个凹槽结构的黑矩阵层，以形成第二基板。
在一种示例性实施例中，凹槽结构设置在黑矩阵层靠近所述第一基板的一侧。
在一种示例性实施例中，多个凹槽结构与多个像素单元一一对应；黑矩阵层在第一基底上的正投影覆盖多个开关晶体管在第一基底上的正投影，凹槽结构在第一基底上的正投影与对应的像素单元中的开关晶体管的沟道区域在第一基底上的正投影至少部分重叠，以使得满足预设波长条件的光线射入显示面板。
步骤S13、将第一基板和第二基板对盒设置。
显示面板为前述实施例提供的显示面板，实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。
在一种示例性实施例中，在第一基底上形成驱动结构层可以包括：在第一基底上依次形成第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、有源层、第二金属层和第三绝缘层。
在一种示例性实施例中，在第一基底上形成驱动结构层之后，显示面板的制作方法还可以包括：在驱动结构层上依次形成像素电极层、第四绝缘层和公共电极层。
在一种示例性实施例中，在第二基底上采用半色调掩膜版工艺形成设置有多个凹槽结构的黑矩阵层之后，显示面板的制作方法还可以包括：在第二基底上依次形成色阻层和平坦层。
图8为本公开实施例提供的显示面板的控制方法的流程图。如图8所示，本公开实施例还提供了一种显示面板的控制方法，应用于显示面板，本公开实施例提供的显示面板的制作方法可以包括：
步骤21、接收检测信号线的检测信号。
步骤S22、根据检测信号确定满足波长条件的光线所在的位置。
步骤S23、控制满足波长条件的光线的所在位置的像素单元的显示内容。
具体的，步骤S23可以包括控制满足波长条件的光线的所在位置的像素单元输出特定颜色图案。
显示面板为前述实施例提供的显示面板，实现原理和实现效果类似，在此不再赘述。
在一种示例性实施例中，步骤S22之后，一种示例性实施例提供的显示面板的控制方法还可以包括：调整向满足波长条件的光线的所在位置的像素单元中的像素电极的提供的信号的刷新频率。
在一种示例性实施例中，可以挺过调整向像素电极提供的信号的刷新频率，通过降低刷新频率，增加漏电的时间，将像素电压差异化进一步加大，这样可以确保激光照射下像素电压的变化足够大，增加了检测灵敏度。
本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统、装置中的功能模块/单元可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。在硬件实施方式中，在以上描述中提及的功能模块/单元之间的划分不一定对应于物理组件的划分；例如，一个物理组件可以具有多个功能，或者一个功能或步骤可以由若干物理组件合作执行。某些组件或所有组件可以被实施为由处理器，如数字信号处理器或微处理器执行的软件，或者被实施为硬件，或者被实施为集成电路，如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上，计算机可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的，术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外，本领域普通技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。
本公开中的附图只涉及本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或微结构的厚度和尺寸被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (20)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板包括：第一基底和设置在所述第一基底上的驱动结构层，所述第二基板包括：第二基底和设置在所述第二基底上的黑矩阵层，所述驱动结构层包括：多个开关晶体管，所述显示面板包括多个像素单元，每个像素单元包括：一个开关晶体管；
所述黑矩阵层靠近所述第一基板的一侧开设有多个凹槽结构，多个凹槽结构与多个像素单元一一对应；
所述黑矩阵层在第一基底上的正投影覆盖多个开关晶体管在第一基底上的正投影，所述凹槽结构在所述第一基底上的正投影与对应的像素单元中的开关晶体管的沟道区域在第一基底上的正投影至少部分重叠，以使得满足预设波长条件的光线射入显示面板。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述凹槽结构包括：至少一个凹槽；任意两个凹槽结构的凹槽面积之间的差值小于阈值面积，其中，所述凹槽面积为凹槽结构中所有凹槽的横截面的面积之和；
位于同一行或同一列的像素单元对应的凹槽结构呈不规则排布。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述凹槽的横截面为U型或者方形。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述凹槽的深度为所述黑矩阵层厚度的70％～90％。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一基板还包括：设置在所述驱动结构层远离第一基底的一侧的像素电极层，所述像素电极层包括：多个像素电极，每个像素单元包括一个像素电极，相邻像素单元的像素电极间隔设置；
所述像素电极为透明电极，且为块状电极。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一基板还包括：设置在所述像素电极层远离所述第一基底的一侧的公共电极层；所述公共电极层包括：N个公共电极，每个像素单元包括一个公共电极，多个像素单元共用一个公共电极，N≥1；
所述公共电极在所述第一基底上的正投影与所在的像素单元的像素电极在所述第一基底上的正投影至少部分重叠；
所述公共电极为透明电极，且为狭缝电极。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，每个公共电极的面积相等。
8.根据权利要求6或7所述的显示面板，其特征在于，所述第一基板还包括：沿第一方向延伸的，且沿第二方向排布的多条栅线以及沿第二方向延伸，且沿第一方向排布的数据线；所述像素单元由栅线和数据线交叉限定；所述栅线沿第二方向的长度大于所述数据线沿第一方向的长度；
所述第一基板还包括：N条沿所述第二方向延伸，且沿第一方向排布的检测信号线；
所述检测信号线与所述数据线同层设置，所述检测信号线与所述公共电极一一对应，且与对应的公共电极电连接；所述黑矩阵层在第一基底上的正投影覆盖所述检测信号线在所述第一基底上的正投影，所述检测信号线在第一基底上的正投影与对应的公共电极在第一基底上的正投影存在重叠区域。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述检测信号线沿第二方向的长度等于所述数据线沿第二方向的长度的1～2倍。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一基板还包括：依次设置在所述第一基底上的第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、半导体层、第二金属层、第三绝缘层和第四绝缘层，所述像素电极层设置在所述第三绝缘层和所述第四绝缘层之间，所述公共电极层设置在所述第四绝缘层远离所述第一基底的一侧；
所述第一金属层包括：栅线和开关晶体管的栅电极，所述半导体层包括：开关晶体管的有源层，所述第二金属层包括：数据线、检测信号线和开关晶体管的源漏电极。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述第三绝缘层和所述第四绝缘层上设置有过孔，所述公共电极通过过孔与对应的检测信号线电连接。
12.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：处理器；
所述处理器与所述检测信号线电连接，设置为接收检测信号线的检测信号，根据检测信号确定满足波长条件的光线所在的位置，控制满足波长条件的光线的所在位置的像素单元的显示。
13.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述黑矩阵层的厚度为1～2微米，所述黑矩阵层的宽度为20～40微米；
所述凹槽的宽度为3～5微米，所述凹槽的深度为0.7～1.8微米。
14.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述半导体层的制作材料包括：非晶硅。
15.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述开关晶体管的沟道区域的长度为2～4微米，宽度为10～100微米。
16.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述满足波长条件的光线为激光。
17.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1～16任一项所述的显示面板。
18.一种显示面板的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1～16任一项所述的显示面板，所述显示面板包括多个像素单元，所述方法包括：
在第一基底上形成驱动结构层，以形成第一基板；所述驱动结构层包括：多个开关晶体管，每个像素单元包括：一个开关晶体管；
在第二基底上采用半色调掩膜版工艺形成设置有多个凹槽结构的黑矩阵层，以形成第二基板；所述凹槽结构设置在黑矩阵层靠近所述第一基板的一侧，多个凹槽结构与多个像素单元一一对应；所述黑矩阵层在第一基底上的正投影覆盖多个开关晶体管在第一基底上的正投影，所述凹槽结构在所述第一基底上的正投影与对应的像素单元中的开关晶体管的沟道区域在第一基底上的正投影至少部分重叠，以使得满足预设波长条件的光线射入显示面板；
将第一基板和第二基板对盒设置。
19.一种显示面板的控制方法，其特征在于，应用于如权利要求8～16任一项所述的显示面板，所述方法包括：
接收检测信号线的检测信号；
根据检测信号确定满足波长条件的光线所在的位置；
控制满足波长条件的光线的所在位置的像素单元的显示内容。
20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述根据检测信号确定满足波长条件的光线所在的位置之后，所述方法还包括：
调整向满足波长条件的光线的所在位置的像素单元中的像素电极的提供的信号的刷新频率。
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