CN212965693U - 透明显示装置 - Google Patents
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Abstract
公开一种透明显示装置,包括:具有显示区和周边区的显示面板,所述周边区环绕所述显示区,所述显示面板包括:阵列基板、对盒基板和液晶层,所述阵列基板与所述对盒基板相对设置,所述液晶层设置在所述阵列基板与所述对盒基板之间,所述阵列基板和所述对盒基板中的至少一者靠近所述液晶层的一侧设置有遮光层,所述遮光层在所述阵列基板上的正投影至少覆盖所述周边区;光源,配置为向所述显示面板的侧面发射光线,所述光线从所述显示面板的侧面射入至所述液晶层。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,具体涉及一种透明显示装置。
背景技术
目前,透明显示在智能家居、穿戴、车载应用中越来越广泛。在一些透明显示装置中,光源从显示面板的一侧向液晶层提供光线,当显示面板上未施加电压时,光线在液晶层中沿水平方向传导,显示面板处于透明状态;当显示面板上施加驱动电压时,光线在液晶层中发生散射,显示面板处于显示状态。目前的透明显示装置存在显示区边缘漏光的问题。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种透明显示装置。
本实用新型提供一种透明显示装置,包括:
具有显示区和周边区的显示面板,所述周边区环绕所述显示区,所述显示面板包括:阵列基板、对盒基板和液晶层,所述阵列基板与所述对盒基板相对设置,所述液晶层设置在所述阵列基板与所述对盒基板之间,所述阵列基板和所述对盒基板中的至少一者靠近所述液晶层的一侧设置有遮光层,所述遮光层在所述阵列基板上的正投影至少覆盖所述周边区;
光源,配置为向所述显示面板的侧面发射光线,所述光线从所述显示面板的侧面射入至所述液晶层。
在一些实施例中,所述遮光层为反射层,所述光源位于所述对盒基板的侧面,以朝向所述对盒基板的侧面发射光线。
在一些实施例中,所述阵列基板包括:第一衬底和设置在所述第一衬底上的第一晶体管,所述第一晶体管位于所述周边区,所述遮光层位于所述第一晶体管与所述液晶层之间,所述遮光层在所述第一衬底上的正投影覆盖所述第一晶体管在所述第一衬底上的正投影。
在一些实施例中,所述显示区包括多个像素,所述第一衬底上对应于每个所述像素的位置设置有第二晶体管,所述第二晶体管的有源层包括:源极连接部、漏极连接部以及位于所述源极连接部与所述漏极连接部之间的沟道部,所述源极连接部与所述第二晶体管的源极连接,所述漏极连接部与所述第二晶体管的漏极连接;
所述第二晶体管远离所述第一衬底的一侧设置有第一钝化层,所述第一钝化层远离所述第一衬底的一侧设置有遮光块,所述遮光块在所述第一衬底上的正投影至少覆盖所述沟道部在所述第一衬底上的正投影。
在一些实施例中,所述第一衬底上对应于所述像素的位置设置有像素电极,所述遮光块远离所述第一衬底的一侧设置有第二钝化层,所述像素电极设置在所述第二钝化层远离所述第一衬底的一侧,所述像素电极通过过孔与所述第二晶体管的漏极连接,所述过孔贯穿所述第一钝化层和所述第二钝化层;
所述第一钝化层与所述第二钝化层之间还设置有存储电容电极,所述存储电容电极与所述像素电极形成存储电容。
在一些实施例中,所述遮光块与所述遮光层同层设置且材料相同。
在一些实施例中,所述显示面板还包括位于所述阵列基板与所述对盒基板之间的封框胶,所述封框胶环绕所述液晶层,所述封框胶在所述阵列基板上的正投影位于所述遮光层在所述阵列基板上的正投影范围内。
在一些实施例中,所述对盒基板包括:第二衬底以及设置在所述第二衬底上的公共电极,所述公共电极位于所述封框胶与所述第二衬底之间,且与所述封框胶接触。
在一些实施例中,所述遮光层为金属层。
在一些实施例中,所述遮光层为设置在所述对盒基板上的吸光层,所述光源位于所述阵列基板的侧面,以朝向所述阵列基板的侧面发射光线。
在一些实施例中,所述显示装置还包括反射件,所述反射件和所述光源分别位于所述显示面板的相对两侧。
在一些实施例中,所述光源包括:多个子光源,不同所述子光源的发光颜色不同;
所述透明显示装置还包括:场色序法控制器,所述场色序法控制器与每个所述子光源连接,所述场色序法控制器配置为通过场色序法控制每个所述子光源发光。
在一些实施例中,所述液晶层为聚合物网络液晶层、聚合物分散液晶和聚合物稳定液晶层中的任意一种。
附图说明
附图是用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本实用新型,但并不构成对本实用新型的限制。在附图中:
图1为本实用新型的一些实施例中提供的透明显示装置的显示原理图。
图2为本实用新型的另一些实施例中提供的透明显示装置的示意图。
图3为本实用新型的一些实施例中提供的显示面板的区域划分示意图。
图4为本实用新型的一些实施例中提供的阵列基板的膜层示意图。
图5为本实用新型的一些实施例中提供的光源与对盒基板的位置关系示意图。
图6为本实用新型的另一些实施例中提供的透明显示装置的示意图。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例的附图,对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
这里用于描述本实用新型的实施例的术语并非旨在限制和/或限定本实用新型的范围。例如,除非另外定义,本实用新型使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。应该理解的是,本实用新型中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。除非上下文另外清楚地指出,否则单数形式“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。
图1为本实用新型的一些实施例中提供的透明显示装置的显示原理图,如图1所示,该透明显示装置包括:光源40以及具有显示区DA和周边区SA的显示面板。显示面板包括:阵列基板10、对盒基板20和液晶层30,阵列基板 10与对盒基板20相对设置,二者之间设置有封框胶60。液晶层30设置在阵列基板10与对盒基板20之间,并被封框胶60所环绕。阵列基板10包括第一衬底、设置在第一衬底上的晶体管和绝缘层等结构,对盒基板20包括第二衬底21、设置在第二衬底21上的公共电极22等结构。阵列基板10和对盒基板20中的至少一者靠近液晶层30的一侧设置有遮光层50,遮光层50在阵列基板10上的正投影至少覆盖所述周边区SA。光源40配置为向显示面板的侧面发射光线,光线从显示面板的侧面射入液晶层30。
显示面板包括相对的第一面和第二面,还包括连接的第一面与第二面之间的侧面,第一面和第二面分别为阵列基板10和对盒基板20相互背离的表面。例如,光源40设置在阵列基板10的侧面,光线从阵列基板10的侧面入射,在阵列基板10内发生全反射后射入液晶层30;或者,光源40设置在对盒基板20 的侧面,光线从对盒基板20的侧面入射,在对盒基板20内发生全反射后射入液晶层30。
其中,在封框胶60的外侧区域,光源40的光线在阵列基板10或对盒基板 20内发生全反射,而在封框胶60的位置和液晶层30所在的位置,由于封框胶60和液晶层30的折射率与阵列基板10/对盒基板20的折射率接近,因此,光线可以射入封框胶60和液晶层30中。
其中,液晶层30为聚合物网络液晶(Polymer Network Liquid Crystal,PNLC) 层或聚合物稳定液晶(Polymer Stabilized Liquid Crytal,PSLC)层或聚合物分散液晶(Polymer Dispersed Liquid Crystal,PDLC)层。具体地,液晶层30包括液晶分子和聚合物网络,液晶分子可以为向列相液晶分子。
当显示面板内未施加电场时,液晶层30中同一层的液晶分子取向一致,对于同一束光线而言,其在液晶层30中传导时的折射率不发生变化,从而不会发生散射,此时显示面板呈透明态(即,不显示图像);当显示面板内施加有电场时,液晶分子受到聚合物网络的影响,会出现取向杂乱的情况,从而导致光线发生散射,即,光线在液晶层30中水平传导的过程中,部分光线会射出显示面板,从而在显示面板的出光侧看到显示图像。并且,在聚合物网络含量一定的情况下,电场越强,光线的散射程度越大,出光量越大,因此,可以通过控制显示面板中各像素的电场强度来控制各像素的出光量,从而实现图像显示。
在本实用新型中,由于阵列基板10和对盒基板20中的至少一者靠近液晶层30的一侧设置有遮光层50,遮光层50在阵列基板10上的正投影至少覆盖所述周边区。因此,显示面板在处于显示态时,即使有一定的光线从显示面板内泄漏,在遮光层50的遮光作用下,周边区也不会发生漏光,从而改善显示效果。
如图1所示,光源40可以位于阵列基板10的侧面,以朝向阵列基板10的侧面发射光线。遮光层50为吸光层,例如为黑矩阵BM。如图1所示,封框胶 60可以与吸光层接触。
图2为本实用新型的另一些实施例中提供的透明显示装置的示意图,如图2 所示,透明显示装置包括:光源40、显示面板,显示面板具有显示区DA和环绕显示区DA的周边区SA。周边区SA可以为显示区DA边界与显示面板外边界之间的至少一部分区域。显示面板包括:阵列基板10、对盒基板20和液晶层 30,阵列基板10与对盒基板20相对设置,二者之间设置有封框胶60。液晶层 30设置在阵列基板10与对盒基板20之间,并被封框胶60所环绕。光源40设置在显示面板的侧面,光源40用于产生光线且光线从显示面板的侧面射入至液晶层30内。与图1不同的是,遮光层50为反射层51,显示面板内的光线照射至反射层51时,能够被反射层51反射至液晶层30中。
在一些实施例中,反射层51可以采用反射率较高的金属材料制成,例如,铝、银等。
在图2所示的实施例中,由于阵列基板10朝向液晶层30的一侧和/或对盒基板20朝向液晶层30的一侧设置有反射层51,因此,当光线照射至反射层51 时,发生全反射,从而减少显示面板中的光线泄漏,并且还可以提高光能利用率。例如,当光源40设置在阵列基板10的侧面时,光线被阵列基板10上的反射层51反射回阵列基板10内,并在阵列基板10内发生全反射后射入液晶层30;或者,从阵列基板10泄漏的光线被对盒基板20上的反射层51反射后,射入液晶层30中。当光源40设置在对盒基板20的侧面时,光线被对盒基板20上的反射层51反射回对盒基板20内,并在对盒基板20内发生全反射后射入液晶层 30;或者,从对盒基板20泄漏的光线被阵列基板10上的反射层51反射后,射入液晶层30中。
在一些实施例中,如图2所示,阵列基板10靠近液晶层30的一侧设置有反射层51。经过测试发现,当在图1的显示装置的阵列基板10侧设置反射层 50时,由于反射层50的反射作用,使得周边区所泄漏的光线可以被反射至液晶层30中,使光效率可以提高约15%。另外,对盒基板20上未设置遮光层,这样,在显示面板的制作过程中,可以从对盒基板侧对封框胶进行光照,以使其固化。
在一些实施例中,光源40设置在对盒基板20的侧面,从而在显示面板进行显示时,提高对盒基板20的出光效率。经过测试发现,当将图1中的光源40 设置在对盒基板20的侧面(其他结构保持不变)时,对盒基板20远离阵列基板10的一侧的出光效率可以提高5%。应当理解的是,对盒基板20具有朝向阵列基板10的底面和背离阵列基板10的顶面,对盒基板20的侧面为:连接在对盒基板20的顶面与底面之间的表面。其中,对盒基板20包括第二衬底21和设置在第二衬底21上的公共电极22,第二衬底21可以为玻璃衬底,公共电极22 采用氧化铟锡(ITO)等透明导电材料制成。光源40可以与第二衬底21正对。
在一些实施例中,阵列基板10与对盒基板20之间可以设置有隔垫物60,以对显示面板起到支撑作用。至少一个隔垫物60在阵列基板10上的正投影位于遮光层50在阵列基板10上的正投影范围内。
图3为本实用新型的一些实施例中提供的显示面板的区域划分示意图,图4 为本实用新型的一些实施例中提供的阵列基板的膜层示意图,如图3和图4所示,阵列基板10包括:第一衬底11、设置在第一衬底11上的多条栅线GL和多条数据线DL,栅线GL和数据线DL交叉设置并绝缘间隔,从而将显示区DA 划分为多个像素P。阵列基板10还包括:设置在每个像素P中的第二晶体管12 和设置在周边区SA的驱动电路,驱动电路包括多个第一晶体管13,第一晶体管13和第二晶体管12均设置在第一衬底11上。
如图4所示,第一晶体管13的栅极121和第二晶体管12的栅极121设置在第一衬底11上,第一晶体管13的栅极131和第二晶体管12的栅极121的材料相同,可以包括例如金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。例如,第一晶体管13的栅极131和第二晶体管12的栅极121可以包括金(Au)、金的合金、银(Ag)、银的合金、铝(Al)、铝的合金、氮化铝(AlNx)、钨(W)、氮化钨(WNx)、铜(Cu)、铜的合金、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrNx)、钼(Mo)、钼的合金、钛(Ti)、氮化钛(TiN x) 等。
栅绝缘层GI位于第一晶体管13的栅极远离第一衬底11的一侧,栅绝缘层GI覆盖第一晶体管13的栅极131和第二晶体管12的栅极121,栅绝缘层GI的材料包括氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、碳氧化硅(SiOxCy)、氮碳化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化钛(TiOx)等。另外,栅绝缘层GI 可以为单层或多层。
半导体层位于栅绝缘层GI远离第一衬底11的一侧,半导体层包括第一晶体管13的有源层132和第二晶体管12的有源层122,每个晶体管的有源层 132/122均包括:源极连接部、漏极连接部和位于源极连接部与所述漏极连接部之间的沟道部。源极连接部与所在晶体管的源极133/123连接,漏极连接部与所在晶体管的漏极134/124连接。有源层122/132的材料可以包括例如无机半导体材料(例如,多晶硅、非晶硅等)、有机半导体材料、氧化物半导体材料。源极连接部和漏极连接部均可以掺杂有比沟道部的杂质浓度高的杂质(例如,N型杂质或P型杂质)。沟道部与晶体管的栅极121/131正对,当栅极121/131加载的电压信号达到一定值时,沟道部中形成载流子通路,形成使晶体管的源极 133/123和漏极134/124导通。
源漏电极层SD位于半导体层远离第一衬底11的一侧,源漏电极层SD包括第一晶体管13的源极133和漏极134、第二晶体管12的源极123和漏极124,第一晶体管13的源极133与第一晶体管13的源极连接部连接,第一晶体管13 的漏极134与第一晶体管13的漏极连接部连接;第二晶体管12的源极123与第二晶体管12的源极连接部连接,第二晶体管12的漏极124与第二晶体管12 的漏极连接部连接。源漏电极层SD可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等,例如,源漏电极层SD可以为金属构成的单层或多层,例如为Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti。
第一钝化层PVX1位于源漏电极层SD远离第一衬底11的一侧,第一钝化层PVX1覆盖第一晶体管13和第二晶体管12,第一钝化层PVX1的材料可以包括硅的化合物,例如,氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
在显示区DA中,第一钝化层PVX1远离第一衬底11的一侧设置有遮光块 LS,遮光块LS在第一衬底11上的正投影至少覆盖沟道部在第一衬底11上的正投影,例如,遮光块LS在第一衬底11上的正投影覆盖沟道部在第一衬底11上的正投影,且位于第二晶体管12在第一衬底11上的正投影范围内。遮光块LS 可以防止显示面板内的光线照射至第二晶体管12的沟道部中,防止光照对第二晶体管12的漏电流造成影响。
在周边区SA中,第一钝化层PVX1远离第一衬底11的一侧设置有遮光层50,遮光层50位于第一晶体管13与液晶层30之间,且遮光层50在第一衬底 11上的正投影覆盖第一晶体管13在第一衬底11上的正投影。遮光层50可以防止显示面板内的光线照射至第一晶体管13的沟道部中,防止光照对第一晶体管 13的漏电流造成影响。
其中,遮光层50与遮光块LS同层设置且材料相同,这样,在显示面板的制作过程中,遮光层50和遮光块LS可以采用同一次构图工艺来制作,从而简化制作工艺。遮光层50和遮光块LS的厚度可以均与第一晶体管13的栅极的厚度相同。
需要说明的是,本实用新型中所述的“同层设置”是指两个结构是由同一个材料层经过构图工艺形成的,故二者在在层叠关系上是处于同一个层之中的;但这并不表示二者与阵列基板10间的距离必定相同。
第一钝化层PVX1远离第一衬底11的一侧设置有存储电容电极13,存储电容电极13位于显示区DA中,存储电容电极13可以采用氧化铟锡(ITO)等透明材料制作。
存储电容电极13远离第一衬底11的一侧设置有第二钝化层PVX2,第二钝化层PVX2的材料可以包括上文中所述的硅的化合物。第二钝化层PVX2可以延伸至周边区SA中。第一衬底11上的每个像素P的位置设置有像素电极14,像素电极14位于第二钝化层PVX2远离第一衬底11的一侧,像素电极14通过贯穿第一钝化层PVX1和第二钝化层PVX2的过孔与第二晶体管12的漏极连接。像素电极14和存储电容电极之间被第一钝化层PVX1绝缘间隔开,像素电极14 和存储电容电极13构成了存储电容。
可选地,像素电极14可以采用氧化铟锡(ITO)等透明导电材料制作。
如图2所示,对盒基板20包括第二衬底21和设置在第二衬底21上的公共电极22,公共电极22可以为整层的面状电极,其可以采用氧化铟锡(ITO)等透明导电材料制作。在驱动显示面板进行显示时,像素电极14和公共电极22 上加载电压信号,从而为液晶层30施加电场。
在图2中,第二衬底21上可以不再设置黑矩阵,从而减少黑矩阵对光线的吸收,进一步提高光利用率。也就是说,公共电极22位于封框胶60与第二衬底21之间,且直接与封框胶60接触。经过测试,当将图1中的黑矩阵去除时,由于没有黑矩阵对光线进行吸收,从而使更多的光线可以反射至液晶层中,使显示装置的光效率可以提高约50%。
另外,为了进一步提高光利用率,在本实用新型中,通过场色序法 (Field-Sequential-Color)来实现彩色显示,从而无需在第二衬底21上设置彩色滤光膜,以防止彩色滤光膜对光线进行吸收。图5为本实用新型的一些实施例中提供的光源与对盒基板的位置关系示意图,如图5所示,光源40包括:多个子光源41,多个子光源41的发光颜色不同。透明显示装置还包括:与每个子光源41连接的场色序法控制器(未示出),场色序法控制器配置为通过场色序法以控制每个子光源41进行发光,从而为显示面板提供不同颜色的光线。
需要说明的是,图5中的多个子光源41沿对盒基板20的厚度方向(Z方向) 排布的情况仅为示意性说明,多个子光源41还可以采用其他排布方式,例如,多个子光源41沿对盒基板20的宽度方向(Y方向)分布。
还需要说明的是,图5中的子光源的数量为三个的情况仅为示例性说明,并不会对本实用新型的技术方案产生限制。下面以光源40的多个子光源41分别为红色子光源、绿色子光源和蓝色子光源为例进行示例性描述。
在显示面板中,显示区DA的像素P构成多个像素组,每个像素组包括:红色像素、绿色像素和蓝色像素。每帧画面的显示阶段分为:第一驱动时间段、第二驱动时间段和第三驱动时间段。
在第一驱动时间段内,场色序法控制器控制红色子光源进行发光,红色像素所对应的像素电极14上加载有像素电压,红色像素所对应区域内的向列相液晶产生偏转以呈现散射态,红色像素根据像素电压的大小呈现出相应的灰阶,即红色像素发出红光。与此同时,绿色像素和蓝色像素所对应的像素电极14上没有加载电压,对应区域内的向列相液晶产生处于初始取向以呈现透射态,即绿色像素和蓝色像素均不发光。
同理,在第二驱动时间段内,场色序法控制器控制绿色子光源进行发光,绿色像素发出相应灰阶的绿光,红色像素和蓝色像素均不发光。在第三驱动时间段内,场色序法控制器控制蓝色子光源进行发光,蓝色像素发出相应灰阶的蓝光,红色像素和绿色像素均不发光。
由于每个驱动时间段只占三分之一帧时间,因而人眼无法区别出各驱动时间段的显示效果,对于人眼而言,其感受到的是三个像素P同时发光所对应的显示效果,即一个像素组的显示效果。
在本实用新型实施例中,由于光源40设置在显示面板的侧面,因此,当显示面板显示图像时,随着光线路径的增加,当光线在液晶层30中传播时,其散射出来的总能量逐渐衰减,容易造成靠近光源40和远离光源40的位置的显示均一性较差。为了改善这一问题,本实用新型还提供了另一种透明显示装置,图6为本实用新型的另一些实施例中提供的透明显示装置的示意图,与图2所示的透明显示装置所不同的是,在图6中,透明显示装置还包括反射件70,反射件70与光源40分别位于显示面板的相对两侧。这样,光源40的光线照射至显示面板对侧时,可以被反射件反射回液晶层30中再次被利用,从而提高光线利用率,并提高显示面板的显示均一性。经过测试,当在图1中光源40的对侧设置反射件时,在反射件的反射作用下,使得透明显示装置的光利用率可以提高30%,同样地,和图2的透明显示装置相比,图6中透明显示装置的光利用率也有所提高。经过测试,和图1相比,图6所示的透明显示装置的反射层51 和反射件70起到反射作用,且不再设置黑矩阵,减少了对光线的吸收,另外,光源40设置在对盒基板20的侧面,这样,从对盒基板20远离阵列基板10基板的一侧进行观看时,显示装置的亮度提高。相较于图1的结构,当透明显示装置处于透明态时,图6中的透明显示装置的亮度可以提高一倍。
可选地,反射件70采用高反射率的金属材料(如,铝、银等)制成,反射件70可以为反射片。
需要说明的是,在图1中,阵列基板10的具体结构可以参见图2中阵列基板10的结构描述,区别仅在于,图1中的阵列基板10上未设置图2中的遮光层。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式,然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。
Claims (13)
1.一种透明显示装置,其特征在于,包括:
具有显示区和周边区的显示面板,所述周边区环绕所述显示区,所述显示面板包括:阵列基板、对盒基板和液晶层,所述阵列基板与所述对盒基板相对设置,所述液晶层设置在所述阵列基板与所述对盒基板之间,所述阵列基板和所述对盒基板中的至少一者靠近所述液晶层的一侧设置有遮光层,所述遮光层在所述阵列基板上的正投影至少覆盖所述周边区;
光源,配置为向所述显示面板的侧面发射光线,所述光线从所述显示面板的侧面射入至所述液晶层。
2.根据权利要求1所述的透明显示装置,其特征在于,所述遮光层为反射层,所述光源位于所述对盒基板的侧面,以朝向所述对盒基板的侧面发射光线。
3.根据权利要求2所述的透明显示装置,其特征在于,所述阵列基板包括:第一衬底和设置在所述第一衬底上的第一晶体管,所述第一晶体管位于所述周边区,所述遮光层位于所述第一晶体管与所述液晶层之间,所述遮光层在所述第一衬底上的正投影覆盖所述第一晶体管在所述第一衬底上的正投影。
4.根据权利要求3所述的透明显示装置,其特征在于,所述显示区包括多个像素,所述第一衬底上对应于每个所述像素的位置设置有第二晶体管,所述第二晶体管的有源层包括:源极连接部、漏极连接部以及位于所述源极连接部与所述漏极连接部之间的沟道部,所述源极连接部与所述第二晶体管的源极连接,所述漏极连接部与所述第二晶体管的漏极连接;
所述第二晶体管远离所述第一衬底的一侧设置有第一钝化层,所述第一钝化层远离所述第一衬底的一侧设置有遮光块,所述遮光块在所述第一衬底上的正投影至少覆盖所述沟道部在所述第一衬底上的正投影。
5.根据权利要求4所述的透明显示装置,其特征在于,所述第一衬底上对应于所述像素的位置设置有像素电极,所述遮光块远离所述第一衬底的一侧设置有第二钝化层,所述像素电极设置在所述第二钝化层远离所述第一衬底的一侧,所述像素电极通过过孔与所述第二晶体管的漏极连接,所述过孔贯穿所述第一钝化层和所述第二钝化层;
所述第一钝化层与所述第二钝化层之间还设置有存储电容电极,所述存储电容电极与所述像素电极形成存储电容。
6.根据权利要求4所述的透明显示装置,其特征在于,所述遮光块与所述遮光层同层设置且材料相同。
7.根据权利要求1至5中任意一项所述的透明显示装置,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述阵列基板与所述对盒基板之间的封框胶,所述封框胶环绕所述液晶层,所述封框胶在所述阵列基板上的正投影位于所述遮光层在所述阵列基板上的正投影范围内。
8.根据权利要求7所述的透明显示装置,其特征在于,所述对盒基板包括:第二衬底以及设置在所述第二衬底上的公共电极,所述公共电极位于所述封框胶与所述第二衬底之间,且与所述封框胶接触。
9.根据权利要求2至5中任意一项所述的透明显示装置,其特征在于,所述遮光层为金属层。
10.根据权利要求1所述的透明显示装置,其特征在于,所述遮光层为设置在所述对盒基板上的吸光层,所述光源位于所述阵列基板的侧面,以朝向所述阵列基板的侧面发射光线。
11.根据权利要求1至5中任意一项所述的透明显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括反射件,所述反射件和所述光源分别位于所述显示面板的相对两侧。
12.根据权利要求1至5中任意一项所述的透明显示装置,其特征在于,所述光源包括:多个子光源,不同所述子光源的发光颜色不同;
所述透明显示装置还包括:场色序法控制器,所述场色序法控制器与每个所述子光源连接,所述场色序法控制器配置为通过场色序法控制每个所述子光源发光。
13.根据权利要求1至5中任意一项所述的透明显示装置,其特征在于,所述液晶层为聚合物网络液晶层、聚合物分散液晶和聚合物稳定液晶层中的任意一种。
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